WO2004013906A1 - オゾン処理装置 - Google Patents

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WO2004013906A1
WO2004013906A1 PCT/JP2003/009702 JP0309702W WO2004013906A1 WO 2004013906 A1 WO2004013906 A1 WO 2004013906A1 JP 0309702 W JP0309702 W JP 0309702W WO 2004013906 A1 WO2004013906 A1 WO 2004013906A1
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WO
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substrate
processing gas
gas supply
support
supply head
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Ceased
Application number
PCT/JP2003/009702
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English (en)
French (fr)
Inventor
Tatsuo Kikuchi
Takeo Yamanaka
Yukitaka Yamaguchi
Tokiko Kanayama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Precision Products Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Precision Products Co Ltd
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Publication date
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Priority claimed from JP2002250411A external-priority patent/JP2004088035A/ja
Priority claimed from JP2002250322A external-priority patent/JP2004088033A/ja
Application filed by Sumitomo Precision Products Co Ltd filed Critical Sumitomo Precision Products Co Ltd
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Ceased legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7624—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Definitions

  • a processing gas containing at least ozone is sprayed on a substrate surface such as a semiconductor substrate or a liquid crystal substrate to form an oxide film on the substrate surface or to improve an oxide film formed on the substrate surface.
  • the present invention relates to an ozone treatment apparatus that removes a resist film formed on a surface of a substrate.
  • the ozone treatment apparatus 200 has a predetermined internal volume, closes a processing chamber 201 having an open upper part, and closes an upper opening of the processing chamber 201.
  • the gas in the processing chamber 201 is also provided. It is configured to be discharged to the outside from a discharge port (not shown) as appropriate.
  • the mounting table 203 has a built-in heater (not shown), and the mounted substrate K is heated by the heater (not shown).
  • the processing gas supply head 205 is provided on a block-shaped head body 206 fixed to the lower surface of the lid body 202 and on the lower surface of the head body 206. And a plurality of nozzles 207.
  • the head main body 206 may be fixed to the lower surface of the lid 202 directly as shown in the figure, or not shown, but may be appropriately mounted. It may be fixed to the lid 202 via the attachment member.
  • a supply hole (not shown) is formed in the head main body 206, and an ozone gas generator (not shown) is connected to the supply hole (not shown).
  • Each of the nozzles 207 is formed of a tubular member.
  • An upper opening (not shown) is connected to the supply hole (not shown), while a lower opening (not shown) is connected to the substrate K. Facing the surface.
  • a flange-shaped opposing plate 208 facing the substrate K is fixedly provided at the lower end portion of each nozzle 207, and each opposing plate 208 is disposed adjacent to the adjacent opposing plate 20. 8 are arranged in the same plane so that a predetermined gap 209 is formed.
  • the substrate K when the substrate K is appropriately mounted on the mounting table 203, it is heated to a predetermined temperature by a heater (not shown).
  • the mounting table 203 is raised by the elevating means 204 so that the distance g between the substrate K and the opposing plate 208 becomes a predetermined distance.
  • a predetermined concentration of ozone gas (processing gas) generated by an ozone gas generation device (not shown) is supplied to the nozzle 207 through a supply hole (not shown), and the lower opening ( (Not shown) toward the surface of the substrate K.
  • the ejected ozone gas collides with the substrate K and forms an ozone gas layer flowing along the substrate K.
  • the ozone (o 3 ) is heated by the substrate K, When it comes into contact with the substrate K or the resist, it is decomposed into oxygen (o 2 ) and active oxygen (o *), and an oxide film is formed on the surface of the substrate K by the active oxygen (o *).
  • the oxide film on the substrate ⁇ surface is modified, and the resist film formed on the substrate ⁇ surface is removed by a thermochemical reaction with active oxygen (o *).
  • the interval g is defined as the ozone gas flow flowing along the surface of the substrate K.
  • the thickness of the ozone gas is controlled, and by reducing the interval g, the thickness of the ozone gas flow can be reduced and the flow rate of the ozone gas flow can be increased.
  • the ratio of ozone contributing to the formation and modification of the oxide film or the removal of the resist film can be increased, and the reaction efficiency can be increased. Can be.
  • the processing range of the substrate K surface can be widened.
  • the inventors of the present invention have found that when the interval g is about 0.2 mm to 1.0 mm, the ozone treatment can be performed efficiently and uniformly.
  • the range related to the interval g is extremely small. Therefore, in order to achieve the purpose of efficiently and efficiently treating the surface of the substrate K, the interval g must be extremely strictly controlled.
  • the conventional ozone treatment apparatus 200 described above has a structure in which only the center of the bottom surface of the mounting table 203 is supported. g occurred largely between the vicinity of the center of the mounting table 203 and the vicinity of the end thereof. For this reason, the distance g between the substrate K and the opposing plate 208 cannot be set to the above-described range of about 0.2 mm to 1.0 mm in all regions, and as a result, the surface of the substrate K can be evenly distributed. The original goal of efficient treatment could not be achieved. In particular, in recent years, the size of the substrate K to be processed has been increased, and accordingly, the radius of the mounting table 203 has been increased, which is a problem.
  • the mounting table 203 is heated to a high temperature, so that even at normal temperature, the flatness of the mounting surface is finished with high accuracy. It is conceivable that the distance g cannot be kept within the range due to the deterioration of the flatness. That can happen.
  • the distance g between the substrate K and the opposing plate 208 is set to 0.2 mrr! It cannot be within the range of about 1. O mm, which not only achieves the original purpose of uniformly and efficiently treating the surface of the substrate K, but also increases the size of the substrate K. Since the processing chamber 201, the lid body 202, the processing gas supply head 205, and the like also become large, the above-described deformation is likely to occur, which is a problem.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an ozone processing apparatus capable of uniformly setting the distance between the substrate and the opposing plate in the entire region where the substrate and the opposing plate face each other. . Disclosure of the invention
  • the present invention provides a mounting table, which is horizontally disposed, on which a substrate is mounted on a flat upper surface, a support device that supports a bottom surface of the mounting table, and a heating unit that heats the substrate mounted on the mounting table.
  • a mounting table which is horizontally disposed, on which a substrate is mounted on a flat upper surface
  • a support device that supports a bottom surface of the mounting table
  • a heating unit that heats the substrate mounted on the mounting table.
  • An ozone treatment apparatus configured to supply a processing gas containing ozone toward a substrate, and to provide a gas supply means for flowing the processing gas between the substrate and an opposing plate,
  • a first support means for supporting a central portion of the bottom surface of the mounting table; a plurality of second support means for supporting the bottom surface of the mounting table at a preset interval; And a base on which the first support means and the second support means are mounted and fixed, respectively.
  • An ozone treatment apparatus is characterized in that the first support means and the or each of the second support means are provided with an adjustment mechanism for adjusting a vertical support position for supporting the mounting table bottom surface.
  • the substrate mounted on the mounting table is heated by the heating means, and the processing gas containing ozone is supplied to the substrate mounted on the mounting table.
  • the supplied processing gas collides with the substrate, it flows between the opposing substrate and the opposing plate at a predetermined interval, and in this flow, ozone (o 3 ) is reheated by the substrate.
  • heated Li is decomposed into oxygen (0 2) and the active oxygen (O *) by contacting the substrate or Regis Bok, this active oxygen (O *), an oxide film on the substrate surface
  • the active oxygen (O *) an oxide film on the substrate surface
  • the formed or modified oxide film on the substrate surface is removed, and the resist film formed on the substrate surface is removed by a thermochemical reaction with active oxygen.
  • the distance between the substrate and the opposing plate controls the layer thickness of the processing gas flow flowing along the surface of the substrate, and the distance is set to a predetermined distance (for example, 0.2).
  • a predetermined distance for example, 0.2.
  • the mounting table is bent by its own weight. Therefore, the original purpose of uniformly and efficiently treating the substrate surface could not be achieved. Also, since the mounting table becomes hot due to heating, Even if the flatness of the upper surface is finished with high accuracy, it is conceivable that the flatness may be deteriorated due to thermal strain at a high temperature. It can also happen that they cannot fit in the space.
  • the first support means for supporting the center of the bottom surface of the mounting table, the plurality of second support means for supporting the bottom surface of the mounting table at predetermined intervals, A base disposed below the mounting table, on which the first support means and the second support means are mounted and fixed, respectively, wherein the first support means and / or each second support means are provided
  • the bottom surface of the mounting table is supported by a supporting device having an adjustment mechanism for adjusting the vertical support position of the mounting table bottom surface.
  • the supporting position of the first supporting means is adjusted by the adjusting mechanism of the first supporting means and the or the second supporting means to adjust the vertical supporting position for supporting the mounting table bottom surface.
  • the relative support positional relationship between and the support position of each second support means can be adjusted appropriately.
  • the mounting table bends due to its own weight and generates thermal distortion due to being heated, such bending and thermal distortion can be achieved by appropriately adjusting the relative support position relationship. Is corrected, the flatness of the upper surface of the mounting table can be adjusted to a desired accuracy, and the interval can be made uniform in the entire region where the substrate and the opposing plate face each other. Thus, by such an operation, the ozone treatment can be efficiently performed on the substrate surface without unevenness.
  • the mounting table is heated by the heating means for heating the substrate, when the mounting table is fixed and restrained to the base via the second support means, distortion due to thermal expansion is applied to the mounting table. This distortion deteriorates the flatness of the upper surface of the mounting table, and reduces the distance between the substrate and the opposing plate to a desired range. May not be able to fit in the
  • each of the second support means for supporting the mounting table is configured to allow the mounting table to be displaced in the horizontal direction, the mounting table can be thermally expanded in the horizontal direction without any restriction. This makes it possible to prevent the distortion from occurring.
  • Each of the second support means is a member comprising a flat base and a shaft erected on the upper surface of the base, and a support member having a screw groove formed in the shaft.
  • a plurality of suction holes that are opened on the upper surface of the mounting table are formed in the mounting table, and the gas in the suction holes is sucked and exhausted, and the substrate mounted on the mounting table is opened and closed by the opening of the suction hole.
  • the suction means is provided for suction to the part, for example, even if the substrate is warped and the flatness of the surface is poor, it can be imitated on the mounting table upper surface by sucking it on the mounting table upper surface. Accordingly, the flatness of the substrate surface can be made appropriate.
  • the suction means is constituted by a vacuum pump or the like.
  • the present invention provides a processing chamber having an open top, a lid provided so as to close an upper opening of the processing chamber, and a substrate disposed in the processing chamber and a substrate placed on an upper surface.
  • Substrate placed on table A counter plate fixed to the lower surface of the head body so as to face the substrate, and a nozzle which is opened on a surface of the counter plate facing the substrate and discharges a processing gas containing ozone toward the substrate.
  • a processing gas supply head comprising: a processing gas supply head configured to supply the processing gas to the processing gas supply head and discharging the processing gas from an opening of the nozzle;
  • a plurality of suspending means for supporting the processing gas supply head in a state of being suspended below the lid, and supporting the processing gas supply head in a state in which the processing gas supply head can be moved upward;
  • one end penetrates through the lid, and the engaging portion formed at the end abuts on the upper surface of the lid, while the other end has Is constituted by a support shaft fixed to the processing gas supply head, and the support shaft is moved downward by the lid in a state where the engaging portion is in contact with the upper surface of the lid. Movement is restricted and supported in a suspended state, while above the one configured to move independently.
  • this suspending means since the processing gas supply head is locked and supported by the lid so as to be movable upward, the lid is deformed, and accordingly, among the plurality of suspending means, a corresponding one of the suspending means is provided. Even if the object is displaced in the vertical direction, the processing gas supply head is relatively upward for the downwardly displaced suspending means in the relative position of the suspending means in the vertical direction. By moving to, the displacement is absorbed, so that the processing gas supply head is not deformed. In the entire region where the and the opposing plate face each other, the interval can be made uniform, and the ozone treatment can be efficiently performed on the substrate surface without unevenness.
  • the lower means may be provided with a position adjusting mechanism for adjusting the vertical position of the suspended and supported processing gas supply head.
  • At least one end has a thread groove, one end penetrates the lid, and the other end is A support shaft fixed to the processing gas supply head and a nut screwed to the one end of the support shaft, wherein the nut screwed to the one end of the support shaft is a lid.
  • the lid In a state in which it is in contact with the upper surface of the body, the lid is restricted from moving downward and is supported in a suspended state, while it can move upward.
  • this suspending means by adjusting the position of the nut screwed to the support shaft, the relative positional relationship between the lid and the processing gas supply head can be adjusted. . Therefore, by appropriately adjusting the position of the nut of each suspension means, the posture can be adjusted so that the opposing plate after the lid is deformed takes a horizontal posture, and the substrate and the opposing plate face each other. The distance can be adjusted to be uniform in all regions. This makes it possible to efficiently and efficiently ozone-treat the substrate surface.
  • a treatment chamber having an open top, a lid provided so as to close an upper opening of the treatment chamber, and an ozone treatment device provided in the treatment chamber
  • a processing gas supply head including a nozzle for discharging a processing gas containing ozone toward the substrate; and supplying the processing gas to the processing gas supply head to form an opening of the nozzle.
  • a plurality of suspension means configured to adjust the vertical position of the door.
  • the suspension means may be attached to the lid so as to allow a horizontal displacement of the processing gas supply head.
  • the present invention also provides a processing chamber having an open top, a lid provided so as to close an upper opening of the processing chamber, and a mounting plate disposed in the processing chamber and on which a substrate is mounted.
  • a substrate support mechanism having a surface; elevating means for supporting and lowering the substrate support mechanism; elevating means for heating a substrate placed on a mounting surface of the substrate support mechanism;
  • a processing gas supply head disposed above the mechanism, wherein the head is configured to face the head body and a substrate placed on the mounting surface of the substrate support mechanism.
  • a gas supply means for discharging the gas from the opening of the nozzle, and engaging with the lid to support the processing gas supply head suspended from the lid below the lid, and A plurality of suspension means are provided for supporting the processing gas supply head in a state capable of moving upward, and the substrate support mechanism is provided outside the area of the mounting surface.
  • a plurality of contact members provided, and the upper surface of each of the contact members is configured to contact the processing gas supply head when the substrate supporting mechanism is raised by the elevating means.
  • one end penetrates the lid, and an engagement portion formed at the end abuts on the upper surface of the lid, while the other end is provided.
  • the processing gas supply head is locked and supported by the lid so as to be able to move upward, so that the substrate support mechanism rises and the respective contact members come into contact with the processing gas supply head.
  • the processing gas supply head is lifted upward by contact with the processing gas supply head, and the processing gas supply head is placed on the contact member of the substrate support mechanism.
  • the suspension means may include a position adjusting mechanism for adjusting the position of the suspended and supported processing gas supply head in the upward and downward direction, and the suspension means having the position adjusting mechanism
  • at least one end has a thread groove, the one end penetrates the lid, and the other end is fixed to the processing gas supply head.
  • a nut that is screwed to the one end of the support shaft, and the nut that is screwed to the one end of the support shaft contacts the upper surface of the lid. In this case, the downward movement is restricted and supported in a suspended state, while the upward movement is possible.
  • the processing gas supply head suspended and supported by the suspension means may be urged downward by the urging means. Since the processing gas supply head is locked to the lid by a suspending means so as to be able to move upward, for some reason, the processing gas supply head is held while being moved upward, If some or all of the contact members cannot come into contact with the processing gas supply head when the substrate support mechanism rises, the processing gas supply head is not placed on the contact member. Although the distance between the substrate and the opposing plate cannot be made uniform, if the processing gas supply head is urged downward by the urging means as described above, the processing gas supply head and the abutting member are connected. The contact between the substrate and the opposing plate can be surely made uniform.
  • each contact member of the substrate support mechanism section includes: When the substrate supporting mechanism is raised by the elevating means, the upper surface thereof may be configured to contact the lower end surface of the support shaft.
  • the material of the facing plate include ceramic, stainless steel, silicon, aluminum, titanium, glass, and quartz.
  • the opposing plate may be composed of a single plate or a plurality of plates arranged side by side on the same plane, and the shape thereof is not limited at all. In addition to a square or a hexagon, a circle or an ellipse may be used.
  • the heating temperature of the substrate is preferably in the range of 200 ° C. to 500 ° C. Within this range, the impurities contained in the substrate can be evaporated at the same time as the above processing.
  • the processing gas is suitably those containing 1 4 wt% or more O zone down, mixing of ozone and TEOS (Tetraethyl orthosilic ate, Kei Sante Toraechiru, S i (C 2 H 5 0) 4) It may be gas.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of an ozone treatment apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration
  • FIG. 2 is a front view showing a mounting table and a supporting device
  • FIG. 3 is a bottom view in the direction of arrow A in FIG. 1
  • FIG. FIG. 4 is a sectional view showing a second support mechanism.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view in the direction of arrow B-B in FIG. 1
  • FIG. 6 is a bottom view in the direction of arrow C in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG. 5
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line E-E in FIG. 5, and FIG. FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line E-E in FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a second suspension mechanism according to another embodiment.
  • FIG. 11 is a diagram showing a suitable measuring device used for adjusting the second suspension mechanism according to another embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along a line FF in FIG. 12 in FIG. 12, and
  • FIG. 12 is a plan view of the measuring apparatus shown in FIG.
  • FIG. 13 is a front view showing another measuring apparatus suitable for use in adjusting the second suspension mechanism according to another embodiment, and is a front view in the direction of arrow J in FIG. Yes
  • FIG. 14 is a plan view of the measuring device shown in FIG.
  • FIG. 15 is a front view showing a schematic configuration of an ozone treatment according to a conventional example. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • the ozone treatment apparatus 1 of the present example has a predetermined internal volume, is provided so as to close a processing chamber 10 having an open upper part, and an upper opening of the processing chamber 10.
  • the processing chamber 10 includes a lifting device 15 for raising and lowering the support device 25 in the vertical direction, and a processing gas supply head 40 disposed above the mounting table 20. Gas in the chamber The air is discharged to the outside through an exit (not shown).
  • the mounting table 20 is composed of an upper member 21 on which a substrate K is mounted on a flat upper surface, and a lower member 22 provided thereunder. 1 has a plurality of intake holes 21a open on the upper surface thereof and a plurality of communication holes 21b connected to suction means (not shown) connected to the intake holes 21a.
  • the bottom surface is supported by a support device 25.
  • a heater (not shown) is provided between the upper member 21 and the lower member 22, and the heater (not shown) allows the substrate placed on the upper surface of the upper member 21.
  • K is heated to a predetermined temperature.
  • a suitable material for the upper member 21 and the lower member 22 aluminum or the like can be used.
  • the heating temperature of the substrate K is extremely high (for example, when the substrate K is heated to 500 ° C.), it is preferable to use stainless steel having excellent heat resistance.
  • the suction means (not shown) is constituted by a vacuum pump or the like, sucks and exhausts gas in the communication hole 21 b and the suction hole 21 a, and is mounted on the upper surface of the upper member 21.
  • the substrate K is sucked into the opening of the intake hole 21a. As a result, the substrate K follows the upper surface of the upper member 21.
  • the support device 25 is provided at a predetermined distance from a first support mechanism 26 fixed to and supported at the center of the bottom surface of the lower member 22.
  • a plurality of second support mechanisms 30 for supporting the bottom surface of the lower member 22 and a hollow square pipe formed in a lattice shape, and the first support mechanisms 26 and the second support mechanisms 30 are provided.
  • the shaft 83 includes a plurality of contact members 29 erected so as to contact the lower surface 83 c of the shaft 83, respectively.
  • stainless steel having excellent heat resistance can be used. Further, since the base 28 is formed of a hollow square pipe, its weight can be reduced.
  • each of the second support mechanisms 30 has an inverted T-shape in front view including a flat base 31 a and a shaft 31 b standing upright on the upper surface of the base 31 a.
  • a support member 31 having a shape in which a screw groove 31c is formed in a shaft portion 31b, a nut 32 screwed into the screw groove 31c, and a shaft portion 31 b has a through hole 33 a into which the shaft portion 31 b is inserted, and a support plate 3 whose bottom surface is supported by the nut 32 in a state where the shaft portion 31 b is inserted into the through hole 33 a.
  • the second support mechanism 30 by appropriately adjusting the vertical position of the nut 32 screwed into the thread groove 31c of the support member 31, the second support mechanism 30 supports the mounting table 20.
  • the support position in the vertical direction can be adjusted. Therefore, when the mounting table 20 whose central portion is supported by the first support mechanism 26 is bent by its own weight and its peripheral edge is displaced downward, the nut 32 is moved upward. By doing so, the peripheral edge of the mounting table 20 can be displaced upward so as to cancel the displacement due to the bending, whereby the flatness of the upper surface of the mounting table 20 can be adjusted to an appropriate accuracy. Can be.
  • the thickness of the spacer 37 is slightly larger than the thickness of the base 31 a of the support member 31, and the gap between the upper surface of the base 31 a and the lower surface of the holding member 38 is A predetermined gap (gap) is formed.
  • the support member 31 is restricted from moving upward and downward by the holding member 38, and is slidable on the mounting member 36 in the horizontal direction.
  • a heat reflecting plate 18 is provided above the base 28 so as to face the bottom surface of the mounting table 20 (lower member 22).
  • the heat reflection plate 18 is fixed on a base 28 via a fixing member 19.
  • a suitable material for the heat reflecting plate 18 and the fixing member 19 stainless steel having excellent heat resistance can be used.
  • the elevating device 15 includes an elevating head 16 provided through the bottom surface of the processing chamber 10, and the elevating head 16 is provided with a base 28 through a support member 17.
  • the mounting table 20 and the supporting device 25 are raised and lowered by the operation of the lifting device 15.
  • the elevating device 15 is composed of a hydraulic cylinder, a pneumatic cylinder, an electric cylinder, and the like.
  • a tip is sharply formed, and a plurality of support needles 12 on which the substrate K is temporarily placed are provided upright at the tip end.
  • the mounting table 20 is inserted into a through hole (not shown) formed in the mounting table 20, and its tip projects upward from the upper surface of the mounting table 20.
  • the support needles 12 are erected at positions corresponding to the lattice holes of the base 28, and are also provided in through holes (not shown) formed in the heat reflection plate 18. It is being passed through.
  • the support needle 12 becomes The substrate K is relatively lowered with respect to the mounting table 20, and the substrate K is mounted on the mounting table 20 (upper member 21).
  • the processing gas supply head 40 is provided so as to surround the block-shaped head body 41 and the head body 41. And a plurality of nozzles 50 which are fixed to the lower surface of the head body 41 by a fixing member 53 so as to hang down therefrom. By 0, it is supported in a state of being hung downward from the lid 11.
  • the nozzle 50 is disposed on the entire lower surface of the head main body 41, but FIG. 6 shows only a part of the nozzle main body 41.
  • the head main body 41 has one end on its side.
  • a plurality of through-holes 42 penetrating from the portion to the other end, and a plurality of communication holes 43 communicating with the through-holes 42 and opening to the lower surface of the head body 41 are formed respectively.
  • the ozone gas flow path 46 and a plurality of connection holes 47 connecting the ozone gas flow path 46 and one end opening of each of the through holes 42 are formed in the port 45.
  • the ozone gas (processing gas) having a predetermined concentration generated by the ozone gas generator 55 is supplied from the ozone gas generator 55 to the flow path 46.
  • the other end opening of each through hole 42 is sealed with a fixing plate 45.
  • Each of the nozzles 50 is formed of a tubular member.
  • the upper opening 50a is connected to the communication hole 43, while the lower opening 50b faces the surface of the substrate K.
  • the ozone gas supplied to the nozzle 50 from the ozone gas generator 55 through the ozone gas flow path 46, the connection hole 47, the through hole 42, and the communication hole 43 sequentially passes through the lower opening 50. It is discharged from b toward the substrate K surface.
  • each nozzle 50 has a hexagonal shape in plan view facing the substrate K.
  • Each of the opposed opposed plates 51 is provided in the same plane so that a predetermined gap 52 is formed between the adjacent opposed plates 51.
  • Preferred examples of the material of the facing plate 51 include, for example, ceramic, stainless steel, silicon, aluminum, titanium, glass, and quartz.
  • a plurality of zigzag concave grooves 41 a are formed on the upper surfaces of the head body 41 and the fixing plate 45, and a cooling liquid pipe 57 is provided in each concave groove 41 a. Is buried.
  • the cooling liquid is supplied from a cooling liquid circulating device 56 into the cooling liquid pipe 57 and is circulated.
  • the suspension device 60 includes a first suspension mechanism 70 that supports a central portion of the upper surface of the head body 41, and a plurality of suspension devices that are disposed at a predetermined interval and that support an end of the fixed plate 45. And the second suspension mechanism 80.
  • the first suspension mechanism 70 is fixed on the lid 11 and formed coaxially with a through hole 11 a formed in the lid 11.
  • a mounting member 71 provided with a through hole 71a and a screw groove 73a formed at an upper end thereof are formed in the through hole 111a of the lid 111 and the through hole 71a of the mounting member 71.
  • the upper end is passed through the mounting member 71 so as to project upward, while the lower end is fixed to the head body 41 of the processing gas supply head 40.
  • an adjusting nut 74 (74a, 74b) screwed into the screw groove 73a, and disposed between the adjusting nut 74a and the mounting member 71.
  • the mechanism 80 as shown in FIG. A mounting member 81 fixedly provided on the lid 1 1 and having a through hole 81 a formed coaxially with a through hole 1 1 b formed in the lid 11 1, and a thread groove at an upper end portion 8 3 a formed The upper end portion is inserted through the through hole 1 1b of the lid 11 and the through hole 8 1a of the mounting member 8 1 so that the upper end protrudes upward from the mounting member 8 1.
  • An intermediate portion (between the upper end and lower end) is screwed into a female screw 45 b formed on the fixed plate 45 so that the lower end 83 b projects downward from the lower surface of the fixed plate 45.
  • the support shaft 8 comprises a washer 82 arranged between the cover 11 and a coil spring 85 and a Java 86 arranged between the lid 11 and the fixing plate 45.
  • the lower surface 8 3 c of the third member 3 comes into contact with the upper surface of each contact member 29.
  • each of the adjustment nuts 74, 84 includes the pushers 72, 82, and the mounting member. While being locked to the upper surface of the lid 11 via the lids 7 1 and 8 1, the downward movement of the support shafts 7 3 and 8 3 is regulated, respectively, and the processing gas supply head 40 is placed on the lid 1
  • the support shafts 7 3 and 8 3 are movable upward, respectively, so that the processing gas supply head 40 is also upward. It is possible to move to.
  • the screw-in positions of the adjustment nuts 74, 84 screwed to the support shafts 73, 83 are appropriately adjusted. By doing so, the relative positional relationship between the lid 11 and the processing gas supply head 40 can be appropriately adjusted.
  • the coil spring 85 plays a role of pushing down the processing gas supply head 40 in the positional relationship between the lid 11 and the processing gas supply head 40.
  • the distance g between the lower surface of the opposing plate 51 and the surface of the substrate K is a predetermined distance (for example, 0.2 mm to 1.0 mm).
  • the support shaft 83 has its screwing position adjusted in advance so that the space g can maintain the predetermined space, and the lower end 83 b of the support shaft 83 from the lower surface of the fixed plate 45. It is projected by a predetermined amount.
  • the substrate K is placed on the support needle 12 by appropriate means.
  • the position of the mounting table 20 is located at the lower end.
  • the coolant is supplied and circulated from the coolant circulating device 56 into the coolant tube 57, and the head body 41 is cooled by the coolant.
  • each contact member 29 comes into contact with the lower surface 83 c of the support shaft 83, and then the mounting table 20 reaches the rising end position.
  • the substrate K mounted on the mounting table 20 is heated to a predetermined temperature by a heater (not shown).
  • the processing gas supply head 40 is supported by the respective contact members 29 from the state of being suspended from the lid 11 below the lid 11 by the second suspension mechanism 80, and is thereby moved upward.
  • the gap g between the lower surface of the opposing plate 51 of the processing gas supply head 40 and the surface of the substrate K is set to a predetermined interval (for example, 0.2 mm to 1.0 mm). Become.
  • the suction means (not shown) sucks and exhausts the gas in the communication hole 21b and the suction hole 21a, and the substrate K is removed.
  • the upper surface (upper part) is sucked into the opening of the intake hole 21a.
  • Material 21 (upper surface) is heated to a predetermined temperature by the heater 23.
  • a predetermined concentration of ozone gas is supplied from the ozone gas generator 55 to the nozzle 50 through the ozone gas flow path 46, the connection hole 47, the through hole 42, and the communication hole 43 sequentially, and the lower opening thereof is opened. Discharged from the part 50b toward the surface of the substrate K.
  • the ozone gas discharged in this way collides with the substrate K and forms an ozone gas layer flowing along the substrate K.
  • the ozone (O 3 ) is heated by the substrate ⁇ ,
  • the substrate is heated and decomposed into oxygen (o 2 ) and active oxygen (o *) by contact with the substrate K and the resist.
  • This active oxygen (o *) forms an oxide film on the surface of the substrate ⁇ .
  • the oxide film on the surface of the substrate K is modified, or the resist film formed on the surface of the substrate K is removed by a thermochemical reaction with active oxygen.
  • the ozone gas discharged from each nozzle 50 and flowing along the substrate K collides with each other, and flows toward the gap 52 between the opposing plates 51. Air is exhausted from the back (upper) side of the substrate, that is, from between the substrate K and the facing plate 51. This prevents the treated ozone gas from staying in the vicinity of the surface of the substrate K, thereby preventing the ozone gas discharged from the nozzle 50 from reaching the surface of the substrate K, and forming an oxide film, modifying the oxide film, and registering the oxide film.
  • the above processing such as film removal can be performed effectively.
  • the distance g between the substrate K and the opposing plate 51 controls the layer thickness of the ozone gas flow flowing along the surface of the substrate K. , 0.2 mm to 1 ⁇ O mm), the ozone treatment can be efficiently and uniformly performed.
  • the mounting table 20 will bend due to its own weight, so that the distance g between the substrate and the opposing plate 51 can be kept within a predetermined range in all areas. Therefore, the original purpose of uniformly and efficiently treating the surface of the substrate K cannot be achieved.
  • the mounting table 20 is heated to a high temperature, even if the flatness of the upper surface is finished with high accuracy at room temperature, the flatness may be deteriorated due to thermal strain at high temperature. Due to the deterioration of the flatness, the interval g may not be kept within a predetermined range.
  • the center of the bottom surface of the mounting table 20 is supported by the first support mechanism 26 and the mounting table 20 is supported by the second support mechanism 30 whose support position is adjustable. It supports other parts of.
  • the mounting table 20 whose center is supported by the first support mechanism 26 is bent by its own weight, and its peripheral edge is displaced downward, or the peripheral edge is similarly displaced downward by thermal strain.
  • the nut 32 of the second support mechanism 30 is appropriately moved upward, and the peripheral edge of the mounting table 20 is displaced upward so as to cancel the displacement and distortion due to the bending.
  • the flatness of the upper surface of the mounting table 20 can be adjusted to an appropriate accuracy.
  • the distance between the substrate and the opposing plate 51 can be made uniform in the entire region where the opposing plate 51 is opposed. Ozone treatment can be performed efficiently without unevenness. Further, in the above-mentioned conventional zonal processing apparatus having a structure in which the processing gas supply head is fixed to the lid, the processing gas supply head is also deformed with the deformation of the lid, so that it faces the substrate. The distance between the substrate and the substrate cannot be kept within a predetermined range in all regions, and the original purpose of uniformly and efficiently treating the substrate surface cannot be achieved.
  • the treatment gas is engaged with the lid 11.
  • a plurality of the first gas supply heads 40 are supported in a state where they are suspended from the lid body 11 below the lid 11 and the processing gas supply head 40 is movable upward.
  • the processing gas supply head 40 is locked to the lid 11 by the suspension mechanism 70 and the second suspension mechanism 80, and the support device 25 is raised by the lifting device 15
  • the upper surface of each contact member 29 is configured to contact and support the lower surface 83 c of the support shaft 83 screwed to the processing gas supply head 40.
  • each of the adjustment nuts 74, 84 includes the washers 72, 82, and the mounting member 71. , 8 1, respectively, the downward movement of the support shafts 73, 83 is regulated, and the processing gas supply head 40 is moved from the lid 11. While supported in a suspended state, the support shafts 73 and 83 are each movable upward, so that the processing gas supply head 40 is also movable upward. I have.
  • the supporting device 25 when the supporting device 25 is raised by the lifting device 15 and the respective contact members 29 are lifted, the supporting members 25 come into contact with the lower surface 83 c of the support shaft 83 of the second suspension mechanism 80, and the respective contact members The contact member 29 raises the support shaft 83 together with the processing gas supply head 40 against the urging force of the coil spring 85.
  • the processing gas supply head 40 is secondarily supported by the contact members 29.
  • the processing gas supply head 40 is locked to the lid 11 by the first suspension mechanism 70 and the second suspension mechanism 80 so as to be able to move upward. For this reason, the processing gas supply head 40 is held while moving upward, and when the support device 25 is raised, a part or all of the contact members 29 are connected to the support shaft 83. It is conceivable that the lower surface 8 3 c may not be brought into contact with the substrate. In this case, the processing gas supply head 40 is not placed on the contact member 29, and the substrate K and the opposing plate 51 are not placed.
  • the support shaft 83 and the contact member 2 9 can be reliably brought into contact with each other, so that the distance between the substrate K and the opposing plate 51 can be made uniform.
  • the mounting table 20 is heated by a built-in heater 23 and thermally expands, but the support member 31 is configured to be movable in the horizontal direction, although its vertical movement is restricted. Therefore, the mounting table 20 can thermally expand in the horizontal direction without any restriction, and does not generate thermal strain due to the restriction of the displacement.
  • the substrate K placed on the mounting table 20 is sucked into the opening of the air intake hole 21a, for example, the substrate K is warped and the flatness of the surface is poor.
  • the substrate K can be made to adhere to the upper surface of the mounting table 20 by adsorbing it on the upper surface of the mounting table 20, whereby the flatness of the surface of the substrate K can be made appropriate. .
  • the temperature of the atmosphere in the processing chamber 10 is raised by a heater (not shown) to a high temperature, and the temperature of the head body 41 is raised by the high temperature atmosphere. Since the head body 41 is cooled by the coolant flowing through the coolant pipe 57, the ozone gas flowing through the through-hole 42 is cooled by the coolant, and the temperature thereof is kept constant. Is maintained within the range. As a result, thermal decomposition of ozone due to a rise in temperature is prevented, and a decrease in the ozone concentration in the ozone gas is prevented.
  • the heating temperature of the substrate K is preferably in the range of 200 ° C. to 500 ° C. Within this range, the impurities contained in the substrate K can be evaporated at the same time as the above processing.
  • ozone gas is suitably those containing 1 4 wt% or more of ozone, ozone and TEOS gas mixture der of (Tetraethyl ortho silicate. Kei Sante Toraechiru, S i (C 2 H 5 0) 4) You can use it.
  • the support position for supporting the mounting table 20 is configured to be adjustable for the second support mechanism 30, but the support position for the first support mechanism 26 is also configured to be adjustable. May be.
  • the mounting table 20 is configured to be supported from below by only the nut 32 of the second support mechanism 30. However, as shown by a two-dot chain line in FIG.
  • the support plate 33 may be sandwiched between the nuts 3 2, 3 2 ′. In this way, when the mounting table 20 is displaced upward, the displacement can be corrected by pulling it down.
  • the contact member 29 is configured to contact the lower surface of the support shaft 83.
  • the contact member 29 may be directly connected to the lower surface of the processing gas supply head 40. It may be configured to make contact with.
  • the second suspension mechanism 80 in the above example is not limited to the above-described configuration, and may have a configuration as shown in FIG. That is, the second suspension mechanism 90 includes an attachment member 94 fixedly mounted on the upper surface of the fixing plate 45, an adjustment sleeve 92 that is inserted through the through hole 1 1b of the lid 11; The lower end is fixed on the fixed plate 45 via the mounting member 94, and is passed through the through hole 92a of the adjusting sleeve 92 so that the upper screw part 91a is adjusted.
  • the adjustment sleeve 92 can be rotated about its axis, and thus the adjustment sleeve 92 can be rotated.
  • the support shaft 91 moves up and down due to the screwing relationship between the screw portion 91a of the support shaft 91 and the female screw portion 92b of the adjusting sleeve 92, and the processing gas supply head 4 The vertical position of 0 is adjusted.
  • each second suspension mechanism 90 by adjusting the vertical position of the support shaft 91 of each second suspension mechanism 90, the vertical position of each part of the processing gas supply head 40 is adjusted.
  • the spacing can be made uniform in the entire region where the substrate K and the opposing plate 51 oppose each other.
  • the measuring device 100 shown in FIGS. 11 and 12 or the measuring device 1 shown in FIGS. 13 and 14 can be used. It is good to use 10.
  • the measuring device 100 shown in FIG. 11 and FIG. The provided dial gauge 101, a holding member 102 for holding the dial gauge 101, a supporting plate 103 on which the holding member 102 is placed, and a supporting plate 103 It consists of supporting bosses 104 to support.
  • the holding member 102 has a guide 102 a for guiding the vertical movement of the tracing stylus 101 a, and is supported with the guide 102 a passed through the through hole 103 a. 1 0 1 1.
  • a measurement hole 11 c is formed in the lid 11
  • a measurement hole 41 b is formed in the head body 41
  • a measurement hole 53 a is formed in the fixing member 53. 0 1 a is passed through the measurement holes 11 c, 41 b and 53 a.
  • the tip of the measuring element 101a is placed on the upper surface of the mounting table 20 (upper member 21) from the gap 52 between the opposing plates 51, 51.
  • the distance (the above g) between the lower surface of the opposing plate 51 and the upper surface of the mounting table 20 is calculated (measured). be able to.
  • the measuring device 110 shown in FIGS. 13 and 14 has a laser measuring device 111 for measuring a distance by a triangulation method and a movable platform for holding the laser measuring device 111. And a support plate 11 for supporting the movable plate 111, a support plate 111 for supporting the support plate 113, and the like.
  • Guide rails 1 15 and 1 18 are provided on the support plate 1 13, and sliders 1 16 and 1 17 are movably engaged with the guide rails 1 15. Similarly, a slider 1 19 is engaged with the guide rail 118 along the guide rail, and the movable plate 112 is mounted on the slider 116, 117, 119. Mounted, fixed and movable in the directions indicated by arrows H-I It has become.
  • the movable plate 1 1 2 is urged in the direction indicated by arrow H by the coil spring 1 20, and is pushed by the adjustment screw 1 2 1 via the re-lock 1 2 2 in the direction indicated by arrow I to move.
  • the adjusting screw 1 2 By operating the adjusting screw 1 2 1, the position of the laser length measuring device 1 1 1 in the direction of the arrow HI is adjusted.
  • Measuring holes 112a and 113a are formed in the movable plate 112 and the supporting plate 113, respectively.
  • the main body 41 has a measurement hole 41b, and the fixed member 53 has a measurement hole 53a.
  • the laser beam emitted from the laser length measuring device 111 is measured by the measuring holes 111a, 113a, 111c, 41b, 5 3a, and further, between the opposing plates 51 and 51 to reach the upper surface of the mounting table 20 (upper member 21).
  • the measurement length obtained at this time is Then, the thickness of the opposing plate 51 is subtracted from these differences based on the measurement length obtained when the laser length measuring device 111 is moved so that the laser beam reaches the back surface of the opposing plate 51.
  • the distance (the above g) between the lower surface of the opposing plate 51 and the upper surface of the mounting table 20 is calculated (measured).
  • the measurement holes 11 c, 41 b, and 53 a are formed at appropriate positions so that the measurement can be performed uniformly in the entire area of the head body 41, and the measurement is performed at the position.
  • the substrate K By adjusting each of the second suspension mechanisms 90 so that the distance g between the lower surface of the opposing plate 51 and the upper surface of the mounting table 20 is within the range described above, the substrate K The spacing can be made uniform in the entire region where the opposing plate 51 opposes.
  • the ozone treatment apparatus includes a semiconductor substrate and a liquid crystal.
  • a processing gas containing at least ozone is sprayed on a substrate surface such as a substrate to form an oxide film on the substrate surface or to modify an oxide film formed on the substrate surface. Suitable for removing the resist film formed on the substrate.

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Abstract

本発明に係るオゾン処理装置１は、基板Ｋが載置される載置台２０と、基板Ｋを加熱するヒータと、基板Ｋと対向するように配設された対向板５１と、基板Ｋに向けてオゾンを含んだ処理ガスを供給し、基板Ｋと対向板５１との間に処理ガスを流通させるガス供給装置と、載置台２０の底面中央部を支持，固定する第１支持機構２６、載置台２０の底面を支持するとともに、その上下方向の支持位置を調整可能に構成された複数の第２支持機構３０、第１支持機構２６及び各第２支持機構３０が載置，固定される基台２８を具備した支持装置２５とを備える。第２支持機構３０の支持位置を適宜調整することで、載置台２０の平面度を適正にでき、基板と対向板とが対向する全領域において、その間隔を均一にできる。

Description

明 細 書 オゾン処理装置 技術分野
この発明は、 半導体基板や液晶基板などの基板表面に、 少なく ともォ ゾンを含んだ処理ガスを吹きかけて、 当該基板表面に酸化膜を形成した リ、 或いは基板表面に形成された酸化膜を改質したり、 更には、 基板表 面に形成されたレジス ト膜を除去するオゾン処理装置に関する。 背景技術
上記オゾン処理装置と して、 従来、 第 1 5図に示すような構造のもの が在る。 このオゾン処理装置 2 0 0は、 同第 1 5図に示すように、 所定 の内容積を有し、 上部が開口した処理チャンバ 2 0 1 と、 処理チャンバ 2 0 1 の上部開口部を閉塞するように設けられた蓋体 2 0 2と、 処理チ ヤンバ 2 0 1 内に配設され、 上面に基板 Kが載置される載置台 2 0 3と 、 載置台 2 0 3の底面を支持してこれを昇降させる昇降手段 2 0 と、 載置台 2 0 3の上方に配設された処理ガス供給へッ ド 2 0 5などを備え て構成され、 また、 処理チャンバ 2 0 1 内のガスが適宜排出口 （図示せ ず） から外部に排出されるように構成されている。
前記載置台 2 0 3には、 ヒータ （図示せず） が内蔵されており、 載置 された基板 Kがこのヒータ （図示せず） によって加熱される。 また、 前 記処理ガス供給ヘッ ド 2 0 5は蓋体 2 0 2の下面に固設されたブロック 状のへッ ド本体 2 0 6と、 へッ ド本体 2 0 6の下面に配設された複数の ノズル 2 0 7とを備える。 尚、 ヘッ ド本体 2 0 6は、 図示するように直 接蓋体 2 0 2の下面に固定される場合や、 特に図示はしないが、 適宜取 付部材を介して蓋体 2 0 2に固定される場合がある。
前記ヘッ ド本体 2 0 6には、 供給孔 （図示せず） が形成されており、 この供給孔 （図示せず） には、 オゾンガス生成装置 （図示せず） が接続 されている。 前記各ノズル 2 0 7は管状の部材からなリ、 上側の開口部 (図示せず） が前記供給孔 （図示せず） に接続する一方、 下側の開口部 (図示せず） が基板 K表面と対向している。 また、 各ノズル 2 0 7の下 端部には、 基板 Kと対向する鍔状の対向板 2 0 8がそれぞれ固設されて おリ、 各対向板 2 0 8は、 隣接する対向板 2 0 8との間に所定の隙間 2 0 9が形成されるように、 同一平面内に配設されている。
このように構成されたオゾン処理装置 2 0 0によれば、 基板 Kが載置 台 2 0 3上に適宜載置されると、 これがヒータ （図示せず） によって所 定温度に加熱されるとともに、 基板 Kと対向板 2 0 8との間の間隔 gが 所定間隔となるように、 載置台 2 0 3が昇降手段 2 0 4によって上昇せ しめられる。 この後、 オゾンガス生成装置 （図示せず） によって生成さ れた所定濃度のオゾンガス （処理ガス） が供給孔 （図示せず） を介して ノズル 2 0 7に供給され、 その下側の開口部 （図示せず） から基板 K表 面に向けて吐出される。
吐出されたオゾンガスは、 基板 Kに衝突した後、 これに沿って流れる オゾンガス層を形成し、 このような流れの中で、 オゾン （o 3 ) は基板 Kにより加熱され、 このように加熱されたり、 基板 Kやレジス トと接触 したりすることによって酸素 （o 2 ) と活性酸素 （o * ) に分解され、 この活性酸素 （ o * ) によって、 基板 K表面に酸化膜が形成されたり、 或いは基板 κ表面上の酸化膜が改質されたり、 更には、 基板 κ表面に形 成されたレジス ト膜が活性酸素 （ o * ) との熱化学反応によって除去さ れる。
ところで、 前記間隔 gは、 基板 K表面に沿って流れるオゾンガス流の 層厚を制御するものであり、 この間隔 gを狭めることで、 オゾンガス流 の層厚を薄く し、 当該オゾンガス流の流速を速くすることができる。 そ して、 オゾンガス流の層厚を薄くすることにより、 上記酸化膜の形成や その改質、 或いはレジス ト膜の除去に寄与するオゾンの割合を増やすこ とができ、 その反応効率を高めることができる。 また、 オゾンガス流の 流速を速くすることにより、 基板 K表面の処理範囲を広くすることがで きる。
本願発明者らは、 かかる知見を基に鋭意研究を重ねた結果、 前記間隔 gを 0 . 2 m m〜 1 . O m m程度としたときに、 上記オゾン処理をムラ なく効率的に実施し得ることを見出した。 容易に理解できるように、 こ の間隔 gに係る範囲は極めて狭小である。 したがって、 基板 K表面をム ラなく効率的に処理するという目的を達成するためには、 当該間隔 gを 極めて厳格に管理しなければならない。
ところが、 上述した従来のオゾン処理装置 2 0 0では、 載置台 2 0 3 の底面中央部のみを支持した構造となっているので、 載置台 2 0 3に自 重による橈みを生じ、 前記間隔 gが載置台 2 0 3の中央部付近と端部近 傍とで大きく異なるという現象を生じていた。 このため、 基板 Kと対向 板 2 0 8との間の間隔 gを、 全ての領域で上述した 0 . 2 m m ~ 1 . 0 m m程度に収めることができず、 結果、 基板 K表面をムラなく効率的に 処理するという当初の目的を達成することができないでいた。 特に、 近 年では処理対象の基板 Kが大型化しており、 これに伴って載置台 2 0 3 の橈みも大きくなるため、 問題である。
また、 オゾン処理時には、 載置台 2 0 3が加熱されて高温となるため 、 常温下ではその載置面の平面度が高精度に仕上げられていても、 高温 下では熱歪によって当該平面度が悪化することも考えられ、 かかる平面 度の悪化によって、 前記間隔 gを前記範囲内に収めることができないと いったことも起こ り得る。
また、 上述した従来のオゾン処理装置 2 0 0では、 蓋体 2 0 2の端部 のみが処理チャンバ 2 0 1 に固着されて、 これを閉塞する構造となって いるので、 蓋体 2 0 2及び処理ガス供給へッ ド 2 0 5の重量によって、 当該蓋体 2 0 2の中心部が撓み、 これに固設された処理ガス供給ヘッ ド 2 0 5も蓋体 2 0 2の撓みに応じて変形するため、 基板 Kと対向板 2 0 8との間の間隔 gが、 処理ガス供給へッ ド 2 0 5の中央部付近と端部近 傍とで大きく異なるという現象を生じる。
このため、 上記の場合と同様に、 基板 Kと対向板 2 0 8との間の間隔 gを、 全ての領域で上述した 0 . 2 m rr！〜 1 . O m m程度の範囲に収め ることができず、 基板 K表面をムラなく効率的に処理するという当初の 目的を達成できないばかりか、 基板 Kの大型化に対しては、 これに伴つ て処理チャンバ 2 0 1 や蓋体 2 0 2 , 処理ガス供給へッ ド 2 0 5なども 大型化するため、 上記変形が生じ易く、 問題であった。
本発明は、 以上の実情に鑑みなされたものであって、 基板と対向板と が対向する全領域において、 その間隔を均一に設定することが可能なォ ゾン処理装置の提供をその目的とする。 発明の開示
本発明は、 水平に配置され、 平坦な上面に基板が載置される載置台と 、 該載置台の底面を支持する支持装置と、 前記載置台に載置された基板 を加熱する加熱手段と、 前記載置台上に載置された基板と対向し、 該基 板表面との間の間隔が予め設定された間隔となるように配設された対向 板と、 前記載置台に載置された基板に向けてオゾンを含んだ処理ガスを 供給し、 前記基板と対向板との間に該処理ガスを流通させるガス供給手 段とを備えて構成されるオゾン処理装置であって、 前記支持装置が、 前記載置台の底面中央部を支持する第 1 支持手段と 、 前記載置台の底面を予め設定された間隔で支持する複数の第 2支持手 段と、 前記載置台の下方に配設され、 前記第 1 支持手段及び各第 2支持 手段がそれぞれ載置， 固定される基台とを備えるとともに、
前記第 1 支持手段及びノ又は各第 2支持手段が、 前記載置台底面を支 持するその上下方向の支持位置を調整する調整機構部を備えてなること を特徴とするオゾン処理装置に係る。
この発明によれば、 載置台上面に載置された基板が加熱手段によって 加熱されるとともに、 前記載置台に載置された基板に向けてオゾンを含 んだ処理ガスが供給される。
供給された処理ガスは、 基板に衝突した後、 所定間隔で相互に対向す る基板と対向板との間を流通し、 かかる流れの中で、 オゾン （o 3 ) は 基板によリ加熱され、 このように加熱されたリ、 基板やレジス 卜と接触 することによって酸素 （ 0 2 ) と活性酸素 （O * ) に分解され、 この活 性酸素 （ O * ) によって、 基板表面に酸化膜が形成されたり、 或いは基 板表面上の酸化膜が改質されたり、 更には、 基板表面に形成されたレジ ス ト膜が活性酸素との熱化学反応によって除去される。
ところで、 上述したように、 基板と対向板との間の間隔は、 基板表面 に沿って流れる処理ガス流の層厚を制御するものであり、 当該間隔を所 定の間隔 （例えば、 0 . 2 m m〜 1 . O m m ) に設定することで、 ォゾ ン処理をムラなく効率的に実施することができる。
ところが、 載置台の底面中央部のみを支持した構造の上記従来のォゾ ン処理装置では、 載置台に自重による撓みを生じるため、 基板と対向板 との間の間隔を、 全ての領域で所定の範囲内に収めることができず、 結 局、 基板表面をムラなく効率的に処理するという本来の目的を達成でき ないでいた。 また、 載置台は加熱によって高温となるため、 常温下では その上面の平面度が高精度に仕上げられていても、 高温下では熱歪によ つて当該平面度が悪化することも考えられ、 かかる平面度の悪化によつ て、 前記間隔を所定範囲内に収めることができないといったことも起こ リ得る。
そこで、 本発明に係るオゾン処理装置では、 前記載置台の底面中央部 を支持する第 1 支持手段と、 前記載置台の底面を予め設定された間隔で 支持する複数の第 2支持手段と、 前記載置台の下方に配設され、 前記第 1 支持手段及び各第 2支持手段がそれぞれ載置， 固定される基台とを備 え、 前記第 1 支持手段及び 又は各第 2支持手段が、 前記載置台底面を 支持するその上下方向の支持位置を調整する調整機構部を具備した支持 装置によって前記載置台の底面を支持するようにしている。
この支持装置によると、 前記第 1 支持手段及びノ又は第 2支持手段の 調整機構部により、 載置台底面を支持するその上下方向の支持位置を調 整することで、 第 1 支持手段の支持位置と各第 2支持手段の支持位置と の間の相対的な支持位置関係を適宜調整することができる。
したがって、 例え、 載置台が自重によって撓み、 また、 加熱されるこ とによって熱歪を生じるようなことがあっても、 上記相対的な支持位置 関係を適宜調整することで、 かかる撓みや熱歪を矯正して、 載置台上面 の平面度を所望の精度とすることができ、 基板と対向板とが対向する全 領域において、 その間隔を均一にすることができる。 斯く して、 かかる 作用により、 基板表面をムラなく効率的にオゾン処理することが可能と なる。
また、 前記載置台は、 基板加熱用の加熱手段によって加熱されている ため、 載置台が第 2支持手段を介して基台に固定， 拘束されている場合 には、 熱膨脹による歪が載置台に生じることとなり、 かかる歪によって 載置台上面の平面度が悪化し、 基板と対向板との間の間隔を所望の範囲 に収めることができなくなるおそれがある。
そこで、 載置台を支持する前記各第 2支持手段を、 載置台が水平方向 に変位するのを許容するように構成すれば、 載置台が何ら拘束されるこ と無く水平方向に熱膨脹することが可能となり、 前記歪が生じるのを防 止することができる。
尚、 前記各第 2支持手段は、 これらを、 平板状の基部、 及ぴ該基部の 上面に立設された軸部からなる部材であって、 前記軸部にねじ溝が形成 された支持部材と、 前記支持部材の軸部に螺合されるナツ トと、 前記支 持部材の軸部が嵌挿される貫通穴を有し、 該貫通穴に前記軸部が嵌挿さ れた状態で底面が前記ナツ トによリ支持される支持プレー 卜と、 前記支 持プレー トを前記載置台の底面に固定する固定部材と、 前記基台上面に 固設され、 前記支持部材の基部を、 水平方向にはその移動を許容する一 方、 上下方向にはその移動を規制するように保持する保持部材とから構 成することができる。
また、 前記載置台に、 その上面に開口する複数の吸気孔を形成すると ともに、 前記吸気孔内の気体を吸引， 排気して、 前記載置台上に載置さ れた基板を前記吸気孔開口部に吸着させる吸引手段を設けた構成とすれ ば、 例えば、 基板が反っていてその表面の平面度が悪いようなものでも 、 これを載置台上面に吸着させることで載置台上面に倣わせることがで き、 当該基板表面の平面度を適正なものとすることができる。 尚、 吸引 手段は、 真空ポンプなどから構成される。
また、 本発明は、 上部が開口した処理チャンバと、 前記処理チャンバ の上部開口部を閉塞するように設けられた蓋体と、 前記処理チャンバ内 に配設され、 上面に基板が載置される載置台と、 前記載置台上に載置さ れた基板を加熱する加熱手段と、 前記載置台の上方に配設される処理ガ ス供給へッ ドであって、 へッ ド本体と、 前記載置台上に載置された基板 と対向するように前記へッ ド本体の下面に固設された対向板と、 該対向 板の基板との対向面に開口 し、 オゾンを含んだ処理ガスを前記基板に向 けて吐出するノズルとを具備した処理ガス供給へッ ドと、 前記処理ガス 供給へッ ドに前記処理ガスを供給して、 前記ノズルの開口部から吐出さ せるガス供給手段と、 前記蓋体に係合して、 前記処理ガス供給へッ ドを 前記蓋体からその下方に吊下した状態に支持し、 且つ該処理ガス供給へ ッ ドを上方への移動が可能な状態に支持する複数の吊下手段とを設けて 構成したことを特徴とするオゾン処理装置に係る。
尚、 かかる吊下手段のより具体的な構成と しては、 一方端が蓋体を貫 通して、 その端部に形成された係合部が蓋体の上面に当接する一方、 他 方端が処理ガス供給へッ ドに固着される支持軸からこれを構成し、 当該 支持軸が、 その前記係合部が蓋体の上面に当接した状態で、 蓋体によつ て下方への移動が規制され吊下状態に支持される一方、 上方には移動自 在に構成されたものを挙げることができる。
この吊下手段によると、 処理ガス供給ヘッ ドが上方へ移動可能に蓋体 に係止， 支持されているので、 蓋体が変形し、 これに伴って複数の吊下 手段の内、 相応のものが上下方向に変位したと しても、 各吊下手段の上 下方向の相対的な位置関係において、 下方に変位した吊下手段に対して は処理ガス供給へッ ドが相対的に上方へ移動することで、 当該変位分が 吸収されるので、 処理ガス供給へッ ドに変形を生じることがなく、 蓋体 の変形後も対向板が水平姿勢を維持している場合には、 基板と対向板と が対向する全領域において、 その間隔を均一にすることができ、 基板表 面をムラなく効率的にオゾン処理することが可能となる。
その一方、 蓋体の変形状態によっては、 単に、 処理ガス供給へッ ドが 吊下手段に対して相対的に上方へ移動するだけでは、 蓋体変形後の対向 板を水平姿勢に維持することができない場合がある。 この場合には、 吊 下手段に、 吊下， 支持した処理ガス供給ヘッ ドの上下方向の位置を調節 するための位置調節機構を設けると良い。
尚、 かかる位置調整機構を備えた吊下手段のより具体的な構成と して は、 少なく とも一方端部にねじ溝を備え、 該一方端が前記蓋体を貫通し 、 且つ他方端が前記処理ガス供給ヘッ ドに固着される支持軸と、 この支 持軸の前記一方端に螺合されるナツ トとから構成され、 前記支持軸が、 その一方端に螺合されたナツ 卜が蓋体の上面に当接した状態で、 当該蓋 体によって下方への移動が規制され吊下状態に支持される一方、 上方に は移動自在に構成されたものを挙げることができる。
この吊下手段によれば、 支持軸に螺合されるナッ トの位置を調節する ことで、 蓋体と処理ガス供給へッ ドとの間の相対的な位置関係を調節す ることができる。 したがって、 各吊下手段のナツ 卜の位置を適宜調節す ることで、 蓋体変形後の対向板が水平姿勢をとるようにその姿勢を調節 することができ、 基板と対向板とが対向する全領域において、 その間隔 が均一となるように調節することができる。 これにより、 基板表面をム ラなく効率的にオゾン処理することが可能となる。
また、 上記と同様の機能を有するオゾン処理装置と して、 上部が開口 した処理チャンバと、 前記処理チャンバの上部開口部を閉塞するように 設けられた蓋体と、 前記処理チャンバ内に配設され、 上面に基板が載置 される載置台と、 前記載置台上に載置された基板を加熱する加熱手段と 、 前記載置台の上方に配設される処理ガス供給へッ ドであって、 へッ ド 本体と、 前記載置台上に載置された基板と対向するように前記へッ ド本 体の下面に固設された対向板と、 該対向板の基板との対向面に開口し、 オゾンを含んだ処理ガスを前記基板に向けて吐出するノズルとを具備し た処理ガス供給ヘッ ドと、 前記処理ガス供給ヘッ ドに前記処理ガスを供 給して、 前記ノズルの開口部から吐出させるガス供給手段と、 前記蓋体 及び前記処理ガス供給へッ ドに係着して、 前記処理ガス供給へッ ドを前 記蓋体からその下方に吊下した状態に支持するとともに、 吊下， 支持し た前記処理ガス供給ヘッ ドの上下方向の位置を調節可能に構成された複 数の吊下手段とを設けた構成を挙げることができる。
また、 この場合、 前記吊下手段が、 前記処理ガス供給ヘッ ドの水平方 向の変位を許容可能に前記蓋体に係着されていても良い。
また、 本発明は、 上部が開口した処理チャンバと、 前記処理チャンバ の上部開口部を閉塞するように設けられた蓋体と、 前記処理チヤンバ内 に配設され、 基板が載置される載置面を有する基板支持機構部と、 前記 基板支持機構部を支持して昇降させる昇降手段と、 前記基板支持機構部 の載置面上に載置された基板を加熱する加熱手段と、 前記基板支持機構 部の上方に配設される処理ガス供給へッ ドであって、 へッ ド本体と、 前 記基板支持機構部の載置面上に載置された基板と対向するように前記へ ッ ド本体の下面に固設された対向板と、 該対向板の基板との対向面に開 口し、 オゾンを含んだ処理ガスを前記基板に向けて吐出するノズルとを 具備した処理ガス供給へッ ドと、 前記処理ガス供給へッ ドに前記処理ガ スを供給して、 前記ノズルの開口部から吐出させるガス供給手段と、 前 記蓋体に係合して、 前記処理ガス供給へッ ドを前記蓋体からその下方に 吊下した状態に支持し、 且つ該処理ガス供給へッ ドを上方への移動が可 能な状態に支持する複数の吊下手段とを備えて構成されるとともに、 前 記基板支持機構部が、 前記載置面の領域外に立設された複数の当接部材 を備え、 該基板支持機構部が前記昇降手段によって上昇せしめられたと き、 前記各当接部材の上面が前記処理ガス供給へッ ドと当接するように 構成されてなることを特徴とするオゾン処理装置に係る。
かかる吊下手段のより具体的な構成と しては、 一方端が蓋体を貫通し て、 その端部に形成された係合部が蓋体の上面に当接する一方、 他方端 が処理ガス供給へッ ドに固着される支持軸からこれを構成し、 当該支持 軸が、 その前記係合部が蓋体の上面に当接した状態で、 蓋体によって下 方への移動が規制され吊下状態に支持される一方、 上方には移動自在に 構成されたものを挙げることができる。
この吊下手段によると、 処理ガス供給ヘッ ドが上方へ移動可能に蓋体 に係止， 支持されているので、 基板支持機構部が上昇してその各当接部 材が処理ガス供給へッ ドと当接することによって、 処理ガス供給へッ ド が上方に持ち上げられ、 処理ガス供給へッ ドは基板支持機構部の当接部 材上に載置された状態となる。 これにより、 基板支持機構部の載置面上 に載置された基板と処理ガス供給ヘッ ドの対向板との間の間隔を、 その 対向全領域において均一にすることができ、 基板表面をムラなく効率的 にオゾン処理することが可能となる。 新く して、 蓋体の変形に関係なく 、 基板と対向板との間の間隔を均一にすることができる。
また、 前記吊下手段は、 吊下， 支持した処理ガス供給ヘッ ドの上下方 向の位置を調節するための位置調節機構を備えたものでも良く、 この位 置調整機構を備えた吊下手段のより具体的な構成と しては、 少なく とも 一方端部にねじ溝を備え、 当該一方端が蓋体を貫通し、 且つ他方端が処 理ガス供給へッ ドに固着される支持軸と、 この支持軸の前記一方端に螺 合されるナツ トとから構成され、 支持軸が、 その一方端に螺合されたナ ッ トが蓋体の上面に当接した状態で、 当該蓋体によって下方への移動が 規制され吊下状態に支持される一方、 上方には移動自在に構成されたも のを挙げることができる。
また、 吊下手段によって吊下， 支持される処理ガス供給ヘッ ドを付勢 手段によって下方に付勢するように構成しても良い。 処理ガス供給へッ ドは、 上方へ移動可能に吊下手段によって蓋体に係止されているので、 何らかの原因で、 処理ガス供給へッ ドが上方に移動したまま保持され、 基板支持機構部が上昇した際に、 一部若しくは全部の当接部材が処理ガ ス供給へッ ドに当接できない状態になると、 処理ガス供給へッ ドが当接 部材上に載置されず、 基板と対向板との間の間隔を均一にできないが、 上記のように、 付勢手段によって処理ガス供給へッ ドを下方に付勢すれ ば、 処理ガス供給ヘッ ドと当接部材とを確実に当接させることができ、 基板と対向板との間の間隔を確実に均一にすることができる。
また、 前記支持軸は、 処理ガス供給ヘッ ドを貫通して下方に延設され るとともに、 その中間部が処理ガス供給ヘッ ドに固着され、 前記基板支 持機構部の各当接部材は、 当該基板支持機構部が昇降手段によって上昇 せしめられたとき、 その上面が支持軸の下端面と当接するように構成さ れていても良い。
尚、 前記対向板の好ましい材質と しては、 例えば、 セラミック， ステ ンレス， シリコン， アルミニウム， チタン， ガラス及び石英などを挙げ ることができる。 また、 前記対向板は、 一枚の板から構成されるもので も、 複数枚の板を同一平面上に並設したものでも良く、 その形状も、 何 ら限定されるものではなく、 三角形や四角形， 六角形の他、 円形や楕円 形のものであっても良い。
また、 前記基板の加熱温度は、 2 0 0 °C〜 5 0 0 °Cの範囲が好ましい 。 この範囲内であれば、 基板内に含まれる不純物の蒸発を上記処理と同 時に行うことができる。 また、 前記処理ガスは、 1 4重量％以上のォゾ ンを含むものが好適であり、 オゾンと T E O S ( Tetraethyl orthosilic ate、 ケィ酸テ トラエチル、 S i ( C 2 H 5 0 ) 4 ) の混合ガスであって も良い。 図面の簡単な説明
第 1 図は、 この発明の好ましい実施形態に係るオゾン処理装置の概略 構成を示した断面図であり、 第 2図は、 載置台及び支持装置を示した正 面図であり、 第 3図は、 第 1図における矢視 A方向の底面図であり、 第 4図は、 第 2支持機構を示した断面図である。 第 5図は、 第 1 図におけ る矢視 B— B方向の断面図であり、 第 6図は、 第 1 図における矢視 C方 向の底面図である。 第 7図は、 第 5図における矢視 D— D方向の断面図 であり、 第 8図は、 第 5における矢視 E— E方向の断面図であり、 第 9 図は、 同じく第 5図における矢視 E— E方向の断面図である。 第 1 0図 は、 他の形態に係る第 2吊下機構を示した断面図であり、 第 1 1 図は、 他の形態に係る第 2吊下機構の調整に用いて好適な測定装置を示した断 面図であって、 第 1 2図における矢視 F— F方向の断面図であり、 第 1 2図は、 第 1 1 図に示した測定装置の平面図である。 第 1 3図は、 他の 形態に係る第 2吊下機構の調整に用いて好適な他の測定装置を示した正 面図であって、 第 1 4図における矢視 J方向の正面図であり、 第 1 4図 は、 第 1 3図に示した測定装置の平面図である。 第 1 5図は、 従来例に 係るオゾン処理の概略構成を示した正面図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明をより詳細に説明するために、 添付図面に基づいてこれ を説明する。
第 1 図に示すように、 本例のオゾン処理装置 1 は、 所定の内容積を有 し、 上部が開口 した処理チャンバ 1 0と、 処理チャンバ 1 0の上部開口 部を閉塞するように設けられた蓋体 1 1 と、 処理チャンバ 1 0内に水平 に配設され、 その上面に基板 Kが載置される載置台 2 0と、 載置台 2 0 の底面を支持する支持装置 2 5と、 支持装置 2 5を上下方向に昇降させ る昇降装置 1 5 と、 載置台 2 0の上方に配設された処理ガス供給へッ ド 4 0などを備えて構成されておリ、 処理チャンバ 1 0内のガスが適宜排 出口 （図示せず） から外部に排出されるようになっている。
前記載置台 2 0は、 第 2図に示すように、 平坦な上面に基板 Kが載置 される上部部材 2 1 、 及びその下側に設けられた下部部材 2 2からなリ 、 上部部材 2 1 にはその上面に開口する複数の吸気孔 2 1 a と、 吸気孔 2 1 a と連通し、 図示しない吸引手段に接続した複数の連通孔 2 1 bと が形成され、 下部部材 2 2の底面は支持装置 2 5によって支持されてい る。
また、 上部部材 2 1 と下部部材 2 2との間には、 ヒータ （図示せず） が設けられており、 このヒータ （図示せず） によって、 上部部材 2 1 上 面に載置された基板 Kが所定温度に加熱される。 尚、 上部部材 2 1 及び 下部部材 2 2の好適な材質と しては、 アルミニウムなどを挙げることが できる。 但し、 基板 Kの加熱温度が極めて高温である場合 （例えば、 基 板 Kを 5 0 0 °Cに加熱する場合） には、 耐熱性に優れたステンレスを用 いるのが好ましい。
前記吸引手段 （図示せず） は、 真空ポンプなどから構成され、 連通孔 2 1 b及び吸気孔 2 1 a内の気体を吸引， 排気して、 上部部材 2 1 の上 面に載置された基板 Kを吸気孔 2 1 aの開口部に吸着させる。 これによ リ、 基板 Kが上部部材 2 1 の上面に倣った状態となる。
第 1 図） ¾至第 3図に示すように、 前記支持装置 2 5は、 下部部材 2 2 の底面中央部に固着されてこれを支持する第 1支持機構 2 6と、 所定の 間隔で配設され、 前記下部部材 2 2の底面を支持する複数の第 2支持機 構 3 0と、 中空の角パイプによって格子状に形成され、 これら第 1 支持 機構 2 6及び各第 2支持機構 3 0が載置， 固定される基台 2 8と、 基台 2 8の端部上面であって、 後述する第 2吊下機構 8 0の下方位置に、 当 該第 2吊下機構 8 0の支持軸 8 3の下面 8 3 cとそれぞれ当接するよう に立設された複数の当接部材 2 9などから構成される。 尚、 基台 2 8の好適な材質と しては、 耐熱性に優れたステンレスなど を挙げることができる。 また、 基台 2 8を中空の角パイプから構成して いるので、 その軽量化を図ることができる。
前記各第 2支持機構 3 0は、 第 4図に示すように、 平板状の基部 3 1 a、 及び基部 3 1 aの上面に立設された軸部 3 1 bからなる正面視逆 T 字形状をした部材であって、 軸部 3 1 bにねじ溝 3 1 cが形成された支 持部材 3 1 と、 ねじ溝 3 1 cに螺合されるナツ ト 3 2 と、 軸部 3 1 bが 嵌挿される貫通穴 3 3 aを有し、 この貫通穴 3 3 a内に軸部 3 1 bが嵌 挿された状態で、 底面が前記ナツ ト 3 2によって支持される支持プレー ト 3 3と、 支持プレー ト 3 3を下部部材 2 2の底面に連結部材 3 4を介 して固定する固定部材 3 5 と、 基合 2 8の上面に固設された取付部材 3 6と、 基部 3 1 a との間に所定の隙間 Sが形成されるように取付部材 3 6上に設けられたスぺ一サ 3 7と、 このスぺーサ 3 7上に設けられ、 支 持部材 3 1 の基部 3 1 aを取付部材 3 6との間で保持する保持部材 3 8 などから構成される。
この第 2支持機構 3 0によれば、 支持部材 3 1 のねじ溝 3 1 cに螺合 されたナツ ト 3 2の上下方向の位置を適宜調整することで、 載置台 2 0 を支持するその上下方向の支持位置を調整することができる。 したがつ て、 第 1支持機構 2 6によって中央部が支持される載置台 2 0が自重に よって撓み、 その周縁端部が下方に変位する場合には、 前記ナッ ト 3 2 を上方に移動させることで、 前記撓みによる変位を打ち消すように、 載 置台 2 0の周縁端部を上方に変位させることができ、 これにより、 載置 合 2 0上面の平面度を適正な精度に調整することができる。
また、 スぺーサ 3 7の厚さは、 支持部材 3 1 の基部 3 1 a の厚さより 若干厚くなつておリ、 基部 3 1 aの上面と保持部材 3 8の下面との間に は、 所定の間隙 （ギャップ） が形成されている。 斯く して、 かかる構造 とすることにより、 支持部材 3 1 は、 保持部材 3 8によってその上下方 向の移動が規制される一方、 水平方向には、 取付部材 3 6上を滑動して 移動可能となっている。
第 1 図及び第 2図に示すように、 前記基台 2 8の上方位置には、 前記 載置台 2 0 (下部部材 2 2 ) の底面と対向するように熱反射板 1 8が設 けられており、 この熱反射板 1 8は固定部材 1 9を介して基台 2 8上に 固設されている。 これにより、 載置台 2 0からのふく射熱によって基台 2 8が温度上昇するのを抑制することができる。 尚、 熱反射板 1 8及び 固定部材 1 9の好適な材質と しては、 耐熱性に優れたステンレスなどを 挙げることができる。
また、 前記昇降装置 1 5は、 処理チャンバ 1 0の底面を貫通して設け られる昇降口ッ ド 1 6を備え、 この昇降口ッ ド 1 6によリ支持部材 1 7 を介し基台 2 8を支持しており、 当該昇降装置 1 5の作動によって、 載 置台 2 0及び支持装置 2 5が昇降せしめられる。 尚、 昇降装置 1 5は、 油圧シリンダや空圧シリンダ、 電動シリンダなどから構成される。 また、 前記処理チャンバ 1 0の底面には、 先端が先鋭に形成され、 当 該先端部に基板 Kが仮置きされる複数の支持針 1 2が立設されており、 この支持針 1 2は、 載置台 2 0が下降端位置にある時に、 当該載置台 2 0に形成された貫通孔 （図示せず） に挿通されて、 その先端が載置台 2 0の上面より上方に突出する一方、 載置台 2 0が上昇端位置にある時に 、 前記貫通孔 （図示せず） から抜き取られるようになつている。 また、 支持針 1 2は、 図示はしないが、 基台 2 8の格子穴と一致する位置に立 設されており、 熱反射板 1 8に形成された貫通孔 （図示せず） にも揷通 されているようになっている。
斯く して、 載置台 2 0が下降端位置にある時に、 支持針 1 2上に基板 Kが仮置きされた後、 載置台 2 0が上昇せしめられると、 支持針 1 2が 載置台 2 0に対して相対的に没して、 基板 Kが載置台 2 0 (上部部材 2 1 ) 上に載置される。
第 1 図， 第 5図乃至第 9図に示すように、 前記処理ガス供給へッ ド 4 0は、 ブロック状のヘッ ド本体 4 1 と、 ヘッ ド本体 4 1 を取り囲むよう に設けられ、 これを支持， 固定する固定プレー ト 4 5 と、 固定部材 5 3 によってへッ ド本体 4 1 の下面にこれから垂下するように固定された複 数のノズル 5 0 とを備えており、 吊下装置 6 0によって蓋体 1 1 から下 方に吊下した状態に支持されている。 尚、 ノズル 5 0はヘッ ド本体 4 1 の下面全面に配設されるが、 第 6図では、 その一部のみを図示している 前記へッ ド本体 4 1 には、 その側面の一方端部から他方端部に貫通す る複数の貫通孔 4 2、 及びこの貫通孔 4 2 と連通し、 ヘッ ド本体 4 1 下 面に開口する複数の連通孔 4 3がそれぞれ形成され、 前記固定プレー ト 4 5には、 オゾンガス流路 4 6、 及びこのオゾンガス流路 4 6と前記各 貫通孔 4 2の一方端開口部とをそれぞれ接続する複数の接続孔 4 7が形 成されており、 オゾンガス流路 4 6には、 オゾンガス生成装置 5 5によ つて生成された所定濃度のオゾンガス （処理ガス） が当該オゾンガス生 成装置 5 5から供給される。 尚、 各貫通孔 4 2の他方端開口部は、 固定 プレー ト 4 5によってそれぞれ封止されている。
前記各ノズル 5 0は管状の部材からなり、 上側の開口部 5 0 aが前記 連通孔 4 3に接続する一方、 下側の開口部 5 0 bが基板 K表面と対向し ている。 斯く して、 オゾンガス生成装置 5 5からオゾンガス流路 4 6 , 接続孔 4 7 , 貫通孔 4 2及び連通孔 4 3を順次介してノズル 5 0に供給 されたオゾンガスは、 その下部開口部 5 0 bから基板 K表面に向けて吐 出される。
また、 各ノズル 5 0の下端部には、 基板 Kと対向する平面視六角形状 をした鍔状の対向板 5 1がそれぞれ固設されており、 この対向板 5 1 は 、 隣接する各対向板 5 1 間に所定の隙間 5 2が形成されるように、 同一 平面内に設けられている。 尚、 対向板 5 1 の好ましい材質と しては、 例 えば、 セラミック， ステンレス， シリコン， アルミニウム， チタン， ガ ラス及び石英などを挙げることができる。
また、 前記ヘッ ド本体 4 1 及び固定プレート 4 5の上面には、 ジグザ グ状の凹溝 4 1 aが複数個形成されておリ、 各凹溝 4 1 a内にそれぞれ 冷却液管 5 7が埋設されている。 そして、 この冷却液管 5 7内には、 冷 却液循環装置 5 6から冷却液が供給され、 循環せしめられる。
前記吊下装置 6 0は、 へッ ド本体 4 1 の上面中央部を支持する第 1 吊 下機構 7 0と、 所定の間隔で配設され、 固定プレー ト 4 5の端部を支持 する複数の第 2吊下機構 8 0とからなる。
前記第 1 吊下機構 7 0は、 第 7図に示すように、 蓋体 1 1 上に固設さ れ、 当該蓋体 1 1 に形成された貫通穴 1 1 aと同軸上に形成された貫通 穴 7 1 a を備えた取付部材 7 1 と、 上端部にねじ溝 7 3 aが形成され、 前記蓋体 1 1 の貫通穴 1 1 a及び取付部材 7 1 の貫通穴 7 1 aに揷通さ れて当該上端部が取付部材 7 1 から上方に突出した状態に配設される一 方、 その下端部が処理ガス供給へッ ド 4 0のへッ ド本体 4 1 に固着され た支持軸 7 3と、 前記ねじ溝 7 3 aに螺合した調整ナッ ト 7 4 ( 7 4 a , 7 4 b ) と、 この調整ナッ ト 7 4 a と前記取付部材 7 1 との間に配設 されたヮッシャ 7 2と、 前記取付部材 7 1 とへッ ド本体 4 1 との間に配 設されて前記支持軸 7 3をカバ一するジャバラ 7 5などから構成される また、 前記第 2吊下機構 8 0は、 第 8図に示すように、 蓋体 1 1 上に 固設され、 当該蓋体 1 1 に形成された貫通穴 1 1 bと同軸上に形成され た貫通穴 8 1 a を備えた取付部材 8 1 と、 上端部にねじ溝 8 3 aが形成 され、 前記蓋体 1 1の貫通穴 1 1 b及び取付部材 8 1 の貫通穴 8 1 aに 揷通されて当該上端部が取付部材 8 1 から上方に突出した状態に配設さ れる一方、 下端部 8 3 bが固定プレート 4 5の下面から下方に突出する ように、 中間部 （前記上端部と下端部との間） が当該固定プレー ト 4 5 に形成された雌ねじ 4 5 bに螺着される支持軸 8 3と、 前記ねじ溝 8 3 aに螺合した調整ナッ ト 8 4 ( 8 4 a , 8 4 b ) と、 この調整ナッ ト 8 4 a と前記取付部材 8 1 との間に配設されたヮッシャ 8 2と、 前記蓋体 1 1 と固定プレート 4 5との間に配設されたコイルばね 8 5及びジャバ ラ 8 6などから構成されておリ、 前記支持軸 8 3の下面 8 3 cが前記各 当接部材 2 9上面と当接するようになつている。
上記構成から容易に理解されるように、 これら第 1 吊下機構 7 0及び 第 2吊下機構 8 0によると、 各調整ナッ ト 7 4 , 8 4が、 ヮッシャ 7 2 , 8 2及び取付部材 7 1 , 8 1 を介しそれぞれ蓋体 1 1 上面に係止され た状態で、 支持軸 7 3 , 8 3の下方への移動がそれぞれ規制され、 処理 ガス供給へッ ド 4 0が蓋体 1 1 から吊下せしめられた状態に支持される —方、 支持軸 7 3 , 8 3は上方にはそれぞれ移動可能となっており、 こ れによリ、 処理ガス供給へッ ド 4 0も上方に移動可能となっている。 斯く して、 この第 1 吊下機構 7 0及び第 2吊下機構 8 0によれば、 支 持軸 7 3 , 8 3に螺合した調整ナッ ト 7 4 , 8 4のねじ込み位置を適宜 調節することで、 蓋体 1 1 と処理ガス供給へッ ド 4 0との間の相対的な 位置関係を適宜調節することができる。 尚、 前記コイルばね 8 5は、 蓋 体 1 1 と処理ガス供給ヘッ ド 4 0との間の位置関係において、 処理ガス 供給へッ ド 4 0を下方に押し下げる役割を果たす。
また、 昇降装置 1 5によって支持装置 2 5が上昇せしめられて各当接 部材 2 9が上昇すると、 第 9図に示すように、 第 2吊下機構 8 0の支持 軸 8 3の下面 8 3 cに当接し、 当該各当接部材 2 9は、 支持軸 8 3を処 理ガス供給へッ ド 4 0とともにコィルばね 8 5の付勢力に抗して上方に 持ち上げることとなる。
そして、 このとき、 前記対向板 5 1 下面と基板 K表面との間の間隔 g が所定の間隔 （例えば、 0 . 2 m m ~ 1 . O m m ) となる。 尚、 支持軸 8 3は、 前記間隔 gが前記所定の間隔を確保することができるように、 前記螺着位置が予め調整されて、 その下端部 8 3 bが固定プレー ト 4 5 下面からの所定量だけ突出せしめられている。
以上のように構成された本例のオゾン処理装置 1 によると、 まず、 適 宜手段によって基板 Kが支持針 1 2上に載置される。 この時、 載置台 2 0の位置は下降端に位置している。 また、 冷却液循環装置 5 6から冷却 液管 5 7内に冷却液が供給， 循環され、 この冷却液によってヘッ ド本体 4 1 が冷却されている。
次に、 昇降装置 1 5によって載置台 2 0及び支持装置 2 5が上昇せし められると、 支持針 1 2が載置台 2 0に対し相対的に没して、 基板 Kが 載置台 2 0上面に載置されるとともに、 各当接部材 2 9が支持軸 8 3の 下面 8 3 c と当接し、 その後、 載置台 2 0が上昇端位置に達する。 尚、 載置台 2 0上に載置された基板 Kは、 ヒータ （図示せず） によって所定 温度に加熱される。
これによリ、 処理ガス供給へッ ド 4 0は、 第 2吊下機構 8 0によって 蓋体 1 1 からその下方に吊下された状態から、 各当接部材 2 9によって 支持されて上方に持ち上げられた状態となり、 当該処理ガス供給へッ ド 4 0の対向板 5 1 下面と基板 K表面との間の間隔 gが所定の間隔 （例え ぱ、 0 . 2 m m〜 1 . O m m ) となる。
尚、 基板 Kが載置台 2 0上面に載置されると、 吸引手段 （図示せず） により連通孔 2 1 b及び吸気孔 2 1 a内の気体が吸引， 排気されて、 基 板 Kがこの吸気孔 2 1 aの開口部に吸着せしめられて当該上面 （上部部 材 2 1 上面） に倣った状態となるとともに、 ヒータ 2 3によって所定温 度に加熱される。
そして、 所定濃度のオゾンガスがオゾンガス生成装置 5 5から、 ォゾ ンガス流路 4 6 , 接続孔 4 7 , 貫通孔 4 2及び連通孔 4 3を順次介して ノズル 5 0に供給され、 その下部開口部 5 0 bから基板 K表面に向けて 吐出される。
このようにして吐出されたオゾンガスは、 基板 Kに衝突した後、 これ に沿って流れるオゾンガス層を形成し、 このような流れの中で、 オゾン ( O 3 ) は基板 κにより加熱され、 このように加熱されたり、 基板 Kや レジス トと接触することによって酸素 （o 2 ) と活性酸素 （o * ) に分 解され、 この活性酸素 （o * ) によって、 基板 κ表面に酸化膜が形成さ れたり、 或いは基板 K表面上の酸化膜が改質されたり、 更には、 基板 K 表面に形成されたレジス ト膜が活性酸素との熱化学反応によって除去さ れる。
その後、 各ノズル 5 0から吐出され、 基板 Kに沿って流れるオゾンガ スは、 相互に衝突して、 各対向板 5 1 間の隙間 5 2に向かう流れとなり 、 この隙間 5 2から対向板 5 1 の裏面 （上面） 側に、 即ち、 基板 Kと対 向板 5 1 との間から排気される。 これにより、 処理後のオゾンガスが基 板 K表面付近に滞留して、 ノズル 5 0から吐出されるオゾンガスが基板 K表面に達し難くなるのが防止され、 酸化膜の形成やその改質、 レジス ト膜の除去といった上記処理を効果的に行うことが可能となる。
ところで、 上述したように、 基板 Kと対向板 5 1 との間の間隔 gは、 基板 K表面に沿って流れるオゾンガス流の層厚を制御するものであり、 当該間隔 gを所定の間隔 （例えば、 0 . 2 m m ~ 1 · O m m ) に設定す ることで、 オゾン処理をムラなく効率的に実施することができる。 ところが、 上記従来のオゾン処理装置のように、 載置台 2 0の底面中 央部のみを支持した構造とすると、 載置台 2 0に自重による撓みが生じ るため、 基板 と対向板 5 1 との間の間隔 gを、 全ての領域で所定の範 囲内に収めることができず、 基板 K表面をムラなく効率的に処理すると いう本来の目的を達成できない。 また、 載置台 2 0は高温に加熱される ため、 常温下ではその上面の平面度が高精度に仕上げられていても、 高 温下では熱歪によって当該平面度が悪化することも考えられ、 かかる平 面度の悪化によって、 前記間隔 gを所定範囲内に収めることができない といったことも起こり得る。
そこで、 本例のオゾン処理装置 1 では、 前記載置台 2 0の底面中央部 を第 1支持機構 2 6によって支持するとともに、 支持位置を調整可能な 第 2支持機構 3 0によって載置台 2 0底面の他の部位を支持するように している。 これにより、 第 1 支持機構 2 6によって中央部が支持される 載置台 2 0が自重によって撓み、 その周縁端部が下方に変位したり、 熱 歪によって同じく周縁端部が下方に変位するような場合に、 第 2支持機 構 3 0のナツ ト 3 2を適宜上方に移動させて、 前記撓みによる変位や歪 を打ち消すように、 載置台 2 0の周縁端部を上方に変位させることで、 載置台 2 0上面の平面度を適正な精度に調整することができる。 斯く し て、 本例のオゾン処理装置 1 によれば、 基板 と対向板 5 1 とが対向す る全領域において、 その間隔を均一にすることができ、 かかる作用によ リ、 基板 K表面をムラなく効率的にオゾン処理することが可能となる。 また、 処理ガス供給へッ ドが蓋体に固設された構造の上記従来のォゾ ン処理装置では、 蓋体の変形に伴って処理ガス供給へッ ドも変形するた め、 基板と対向板との間の間隔を、 全ての領域で所定の範囲内に収める ことができず、 基板表面をムラなく効率的に処理するという本来の目的 を達成できない。
そこで、 本例のオゾン処理装置 1 では、 蓋体 1 1 に係合して、 処理ガ ス供給へッ ド 4 0を蓋体 1 1 からその下方に吊下した状態に支持し、 且 つこの処理ガス供給ヘッ ド 4 0を上方への移動が可能な状態に支持する 複数の第 1吊下機構 7 0及び第 2吊下機構 8 0によって当該処理ガス供 給へッ ド 4 0を蓋体 1 1 に係止せしめるとともに、 支持装置 2 5が昇降 装置 1 5によって上昇せしめられたとき、 各当接部材 2 9の上面が処理 ガス供給へッ ド 4 0に螺着された支持軸 8 3の下面 8 3 c と当接してこ れを支持する構成とした。
また、 上述したように、 本例の第 1 吊下機構 7 0及び第 2吊下機構 8 0によると、 各調整ナッ ト 7 4 , 8 4が、 ヮッシャ 7 2 , 8 2及び取付 部材 7 1 , 8 1 を介しそれぞれ蓋体 1 1 上面に係止された状態で、 支持 軸 7 3 , 8 3の下方への移動がそれぞれ規制され、 処理ガス供給へッ ド 4 0が蓋体 1 1 から吊下せしめられた状態に支持される一方、 支持軸 7 3 , 8 3は上方にはそれぞれ移動可能となっており、 これにより、 処理 ガス供給へッ ド 4 0も上方に移動可能となっている。
したがって、 昇降装置 1 5によって支持装置 2 5が上昇せしめられて 各当接部材 2 9が上昇すると、 第 2吊下機構 8 0の支持軸 8 3の下面 8 3 cに当接し、 当該各当接部材 2 9は、 支持軸 8 3を処理ガス供給へッ ド 4 0とともにコイルばね 8 5の付勢力に抗して上方に持ち上げる。 斯く して、 例え、 自重や処理ガス供給ヘッ ド 4 0の重量によって蓋体 1 1が変形したと しても、 処理ガス供給へッ ド 4 0を各当接部材 2 9に より第 2支持機構 8 0の支持軸 8 3を介して上方に持ち上げることで、 蓋体 1 1 の変形に関係なく 、 基板 Kと対向板 5 1 とが対向する全領域に おいて、 その間隔を均一にすることができ、 基板 K表面をムラなく効率 的にオゾン処理することが可能となる。
また、 処理ガス供給へッ ド 4 0は、 上方へ移動可能に第 1 吊下機構 7 0及び第 2吊下機構 8 0によって蓋体 1 1 に係止されているので、 何ら かの原因で、 処理ガス供給へッ ド 4 0が上方に移動したまま保持され、 支持装置 2 5が上昇した際に、 一部若しく は全部の当接部材 2 9が支持 軸 8 3の下面 8 3 cに当接できない状態になることも考えられ、 この場 合には処理ガス供給へッ ド 4 0が当接部材 2 9上に載置されず、 基板 K と対向板 5 1 との間の間隔を均一にすることができないが、 上記のよう に、 コィルばね 8 5によつて処理ガス供給へッ ド 4 0を下方に付勢すれ ば、 支持軸 8 3と当接部材 2 9とを確実に当接させることができ、 基板 Kと対向板 5 1 との間の間隔を確実に均一にすることができる。
また、 載置台 2 0は、 内蔵のヒータ 2 3により加熱されて熱膨脹する が、 前記支持部材 3 1 が、 その上下方向の移動は規制されるものの、 水 平方向には移動可能に構成されているので、 載置台 2 0は何らの拘束を 受けること無く水平方向に熱膨脹することが可能であり、 変位の拘束に 伴う熱歪を生じることがない。
また、 載置台 2 0上に載置された基板 Kを吸気孔 2 1 aの開口部に吸 着させるようにしているので、 例えば、 基板 Kが反っていてその表面の 平面度が悪いようなものでも、 これを載置台 2 0の上面に吸着させるこ とで当該載置台 2 0上面に倣わせることができ、 これにより、 基板 K表 面の平面度を適正なものとすることができる。
また、 処理チャンバ 1 0内の雰囲気温度は、 ヒータ （図示せず） によ つて昇温せしめられて高温となり、 へッ ド本体 4 1 は、 この高温となつ た雰囲気によって昇温せしめられるが、 当該ヘッ ド本体 4 1 を、 冷却液 管 5 7内を流通する冷却液によって冷却するようにしているので、 貫通 孔 4 2内を流通するオゾンガスが、 この冷却液によって冷却され、 その 温度が一定の範囲内に維持される。 これにより、 温度上昇に伴うオゾン の熱分解が防止され、 前記オゾンガス中のオゾン濃度の低下が防止され る。 尚、 前記基板 Kの加熱温度は、 2 0 0 °C ~ 5 0 0 °Cの範囲が好ましい 。 この範囲内であれば、 基板 K内に含まれる不純物の蒸発を上記処理と 同時に行う ことができる。 また、 前記オゾンガスは、 1 4重量％以上の オゾンを含むものが好適であり、 オゾンと T E O S ( Tetraethyl ortho silicate . ケィ酸テ トラエチル、 S i ( C 2 H 5 0 ) 4 ) の混合ガスであ つても良い。
以上、 本発明の一実施形態について説明したが、 本発明の採り得る具 体的な態様は、 何らこれに限定されるものではない。
例えば、 上例では、 第 2支持機構 3 0について、 載置台 2 0を支持す るその支持位置を調整可能に構成したが、 第 1 支持機構 2 6についても その支持位置を調整可能に構成しても良い。
また、 第 2支持機構 3 0のナツ ト 3 2のみによって載置台 2 0を下面 から支持するように構成したが、 第 4図において二点鎖線で示すように 、 ナッ ト 3 2の他にナッ ト 3 2 ' を設け、 これらナッ ト 3 2 , 3 2 ' に よって支持プレート 3 3を挟みつけるようにしても良い。 このようにす れぱ、 載置台 2 0が上方に変位するような場合に、 これを下方に引き下 げることで、 当該変位を矯正することができる。
また、 上例では前記当接部材 2 9を支持軸 8 3の下面に当接させるよ うに構成したが、 これに代えて、 当接部材 2 9を直接処理ガス供給へッ ド 4 0の下面に当接させる構成と しても良い。
また、 上例の第 2吊下機構 8 0は、 上述した構成に限られるものでは なく、 第 1 0図に示すような構成のものであっても良い。 即ち、 この第 2吊下機構 9 0は、 固定プレート 4 5の上面に固設される取付部材 9 4 と、 蓋体 1 1 の貫通穴 1 1 bに揷通される調整スリーブ 9 2と、 下端部 が取付部材 9 4を介して固定プレー ト 4 5上に固設されるとともに、 調 整スリーブ 9 2の貫通穴 9 2 aに揷通され、 上部ねじ部 9 1 aが調整ス リーブ 9 2の上端部に形成された雌ねじ部 9 2 bに螺合した支持軸 9 1 と、 蓋体 1 1 の下面に固設された取付部材 9 3と、 取付部材 9 3 , 9 4 間に設けられたジャバラ 9 5と、 支持軸 9 1 のねじ部 9 1 aに螺着され たナツ ト 9 9と、 調整スリーブ 9 2の外周部に形成されたねじ部 9 2 c に螺着されたナツ ト 9 8と、 ナッ ト 9 8と蓋体 1 1 の上面との間に介装 された座金 9 7及びスぺーサ 9 6 aと、 調整スリーブ 9 1 と蓋体 1 1 の 下面との間に介装されたスぺーサ 9 6 bなどから構成される。
この第 2吊下機構 9 0によれば、 ナツ ト 9 8及び 9 9を緩めることで 、 調整スリーブ 9 2をその軸中心に回転させることができ、 このように 調整スリーブ 9 2を回転させることで、 支持軸 9 1 のねじ部 9 1 a と調 整スリーブ 9 2の雌ねじ部 9 2 b との螺合関係から、 支持軸 9 1が上下 方向に移動して、 処理ガス供給へッ ド 4 0の上下方向の位置が調整され る。
そして、 ナッ ト 9 8及び 9 9を締め込むことで、 調整スリーブ 9 2及 ぴ支持軸 9 1 が蓋体 1 1 に固定され、 結果、 処理ガス供給へッ ド 4 0が 蓋体 1 1 に固定される。
したがって、 上記のようにして、 各第 2吊下機構 9 0の支持軸 9 1 の 上下方向の位置を調整することで、 処理ガス供給へッ ド 4 0の各部の上 下方向の位置を調整することができ、 基板 Kと対向板 5 1 とが対向する 全領域において、 その間隔を均一にすることができる。
尚、 特に図示はしていないが、 上例の第 1 吊下機構 7 0についても同 様の構成を採用することができる。
上述した第 2吊下機構 9 0の位置調整には、 第 1 1 図及び第 1 2図に 示した測定装置 1 0 0、 若しくは第 1 3図及び第 1 4図に示した測定装 置 1 1 0を用いると良い。
第 1 1 図及び第 1 2図に示した測定装置 1 0 0は、 測定子 1 0 1 aを 備えたダイヤルゲージ 1 0 1 と、 ダイヤルゲージ 1 0 1 を保持する保持 部材 1 0 2と、 保持部材 1 0 2が載置される支持プレー ト 1 0 3と、 支 持プレー ト 1 0 3を支持する支持ボス ト 1 0 4などから構成される。 保持部材 1 0 2は測定子 1 0 1 aの上下動を案内するガイ ド 1 0 2 a を備え、 このガイ ド 1 0 2 aが貫通穴 1 0 3 aに揷通された状態で支持 プレー ト 1 0 3上に載置される。
また、 蓋体 1 1 には測定孔 1 1 cが、 へッ ド本体 4 1 には測定孔 4 1 bが、 固定部材 5 3には測定孔 5 3 aがそれぞれ穿設され、 測定子 1 0 1 aが測定孔 1 1 c , 4 1 b , 5 3 aに揷通される。
斯〈 して、 測定装置 1 0 0によれば、 測定子 1 0 1 aの先端部が対向 板 5 1 , 5 1 間の隙間 5 2から載置台 2 0 (上部部材 2 1 ) の上面に当 接したときのダイヤルゲージ 1 0 1 の読みと、 その位置を水平に移動さ せて測定子 1 0 1 aの先端部が対向板 5 1 の裏面に当接したときのダイ ャルゲージ 1 0 1 の読みとを基に、 これらの差から対向板 5 1 の厚みを 差し引く ことで、 対向板 5 1 の下面と載置台 2 0の上面との間の間隔 （ 前記 g ) を算出 （測定） することができる。
また、 第 1 3図及び第 1 4図に示した測定装置 1 1 0は、 三角測量法 によって距離を測定するレーザ測長器 1 1 1 と、 レーザ測長器 1 1 1 を 保持する可動プレー ト 1 1 2と、 可動プレート 1 1 2を支持する支持プ レート 1 1 3と、 支持プレー ト 1 1 3を支持する支持ポス ト 1 1 4など から構成される。
支持プレー ト 1 1 3上には、 ガイ ドレール 1 1 5 , 1 1 8が配設され 、 このガイ ドレール 1 1 5にはこれに沿って移動自在にスライダ 1 1 6 , 1 1 7が係合し、 同じく ガイ ドレール 1 1 8にはこれに沿って移動自 在にスライダ 1 1 9が係合しており、 可動プレー ト 1 1 2はスライダ 1 1 6 , 1 1 7 , 1 1 9上に載置， 固定されて矢示 H— I 方向に移動自在 となっている。
また、 可動プレート 1 1 2はコイルばね 1 2 0によって矢示 H方向に 付勢され、 調製ねじ 1 2 1 によリブロック 1 2 2を介して矢示 I方向に 押されて移動するようになっており、 調製ねじ 1 2 1 を操作することに よリ レーザ測長器 1 1 1 の矢示 H— I方向の位置が調整される。
また、 可動プレー ト 1 1 2及び支持プレー ト 1 1 3には、 それぞれ測 定孔 1 1 2 a ， 1 1 3 aが形成され、 蓋体 1 1 には測定孔 1 1 cが、 へ ッ ド本体 4 1 には測定孔 4 1 bが、 固定部材 5 3には測定孔 5 3 aがそ れぞれ穿設されている。
斯く して、 この測定装置 1 1 0によれば、 まず、 レーザ測長器 1 1 1 から発光されたレーザ光が測定孔 1 1 2 a ， 1 1 3 a , 1 1 c , 4 1 b , 5 3 a を通り、 更に、 対向板 5 1 , 5 1 間を通って、 載置台 2 0 (上 部部材 2 1 ) の上面に到達するようにし、 このときに得られた測定長と 、 次に、 レーザ光が対向板 5 1 の裏面に到達するようにレーザ測長器 1 1 1 を移動させたときに得られる測定長とを基に、 これらの差から対向 板 5 1 の厚みを差し引く ことで、 対向板 5 1 の下面と載置台 2 0の上面 との間の間隔 （前記 g ) が算出 （測定） される。
そして、 へッ ド本体 4 1 の全領域内において満遍なく前記測定を行い 得るように、 前記測定孔 1 1 c , 4 1 b , 5 3 aを適宜位置に穿設して 、 当該位置で前記測定を行いながら、 対向板 5 1 の下面と載置台 2 0の 上面との間の間隔 gが上述した範囲となるように、 前記各第 2吊下機構 9 0を調整することで、 基板 Kと対向板 5 1 とが対向する全領域におい て、 その間隔を均一にすることができる。 産業上の利用可能性
以上のように、 本発明にかかるオゾン処理装置は、 半導体基板や液晶 基板などの基板表面に、 少なく ともオゾンを含んだ処理ガスを吹きかけ て、 当該基板表面に酸化膜を形成したり、 或いは基板表面に形成された 酸化膜を改質したり、 更には、 基板表面に形成されたレジス ト膜を除去 する処理に適している。

Claims

請 求 の 範 囲 . 水平に配置され、 平坦な上面に基板が載置される載置台と、 該載置 台の底面を支持する支持装置と、 前記載置台に載置された基板を加 熱する加熱手段と、 前記載置台上に載置された基板と対向し、 該基 板表面との間の間隔が予め設定された間隔となるように配設された 対向板と、 前記載置台に載置された基板に向けてオゾンを含んだ処 理ガスを供給し、 前記基板と対向板との間に該処理ガスを流通させ るガス供給手段とを備えて構成されるオゾン処理装置であって、 前記支持装置が、
前記載置台の底面中央部を支持する第 1 支持手段と、
前記載置台の底面を予め設定された間隔で支持する複数の第 2支持 手段と、
前記載置台の下方に配設され、 前記第 1支持手段及び各第 2支持手 段がそれぞれ載置， 固定される基台とを備えるとともに、
前記第 1 支持手段及びノ又は各第 2支持手段が、 前記載置台底面を 支持するその上下方向の支持位置を調整する調整機構部を備えてな ることを特徴とするオゾン処理装置。
. 前記載置台を支持する前記各第 2支持手段が、 前記載置台の水平方 向の変位を許容可能に構成されてなることを特徴とする請求の範囲第
1 項記載のオゾン処理装置。
. 前記各第 2支持手段が、
平板状の基部、 及び該基部の上面に立設された軸部からなる部材で あって、 前記軸部にねじ溝が形成された支持部材と、
前記支持部材の軸部に螺合されるナッ トと、
前記支持部材の軸部が嵌挿される貫通穴を有し、 該貫通穴に前記軸 部が嵌挿された状態で底面が前記ナッ トにより支持される支持プレ — 卜と、
前記支持プレートを前記載置台の底面に固定する固定部材と、 前記基台上面に固設され、 前記支持部材の基部を、 水平方向にはそ の移動を許容する一方、 上下方向にはその移動を規制するように保 持する保持部材とから構成されてなることを特徴とする請求の範囲 第 2項記載のオゾン処理装置。
. 前記載置台に、 その上面に開口する複数の吸気子 Lを形成するととも 前記吸気孔内の気体を吸引， 排気して、 前記載置台上に載置された 基板を前記吸気孔開口部に吸着させる吸引手段を更に設けて構成し たことを特徴とする請求の範囲第 1 項乃至第 3項記載のいずれかの ォゾン処理装置。
. 上部が開口した処理チャンバと、
前記処理チャンバの上部開口部を閉塞するように設けられた蓋体と 前記処理チャンバ内に配設され、 上面に基板が載置される載置台と 前記載置台上に載置された基板を加熱する加熱手段と、
前記載置台の上方に配設される処理ガス供給ヘッ ドであって、 へッ ド本体と、 前記載置台上に載置された基板と対向するように前記へッ ド本体の下面に固設された対向板と、 該対向板の基板との対向面に開 口し、 オゾンを含んだ処理ガスを前記基板に向けて吐出するノズルと を具備した処理ガス供給へッ ドと、
前記処理ガス供給ヘッ ドに前記処理ガスを供給して、 前記ノズルの 開口部から吐出させるガス供給手段と、 前記蓋体に係合して、 前記処理ガス供給へッ ドを前記蓋体からその 下方に吊下した状態に支持し、 且つ該処理ガス供給へッ ドを上方への 移動が可能な状態に支持する複数の吊下手段とを設けて構成したこと を特徴とするオゾン処理装置。
. 前記吊下手段は、 吊下， 支持した前記処理ガス供給ヘッ ドの上下方 向の位置を調節するための位置調節機構を備えていることを特徴とす る請求の範囲第 5項記載のオゾン処理装置。
7 . 前記吊下手段は、 一方端が前記蓋体を貫通して、 その端部に形成さ れた係合部が前記蓋体の上面に当接する一方、 他方端が前記処理ガス 供給へッ ドに固着される支持軸から構成され、
前記支持軸は、 その前記係合部が前記蓋体の上面に当接した状態で 、 前記蓋体によって下方への移動が規制され吊下状態に支持される一 方、 上方には移動自在に構成されてなることを特徴とする請求の範囲 第 5項記載のオゾン処理装置。
8 . 前記吊下手段は、 少なく とも一方端部にねじ溝を備え、 該一方端が 前記蓋体を貫通し、 且つ他方端が前記処理ガス供給へッ ドに固着され る支持軸と、
前記支持軸の前記一方端に螺合されるナッ トとから構成され、 前記支持軸は、 その一方端に螺合されたナツ 卜が前記蓋体の上面に 当接した状態で、 前記蓋体によって下方への移動が規制され吊下状態 に支持される一方、 上方には移動自在に構成されてなることを特徴と する請求の範囲第 5項記載のオゾン処理装置。
9 . 上部が開口 した処理チャンバと、
前記処理チャンバの上部開口部を閉塞するように設けられた蓋体と 前記処理チヤンバ内に配設され、 上面に基板が載置される載置台と 前記載置台上に載置された基板を加熱する加熱手段と、
前記載置台の上方に配設される処理ガス供給へッ ドであって、 へッ ド本体と、 前記載置台上に載置された基板と対向するように前記へッ ド本体の下面に固設された対向板と、 該対向板の基板との対向面に開 口し、 オゾンを含んだ処理ガスを前記基板に向けて吐出するノズルと を具備した処理ガス供給へッ ドと、
前記処理ガス供給へッ ドに前記処理ガスを供給して、 前記ノズルの 開口部から吐出させるガス供給手段と、
前記蓋体及び前記処理ガス供給ヘッ ドに係着して、 前記処理ガス供 給ヘッ ドを前記蓋体からその下方に吊下した状態に支持するとともに
、 吊下， 支持した前記処理ガス供給ヘッ ドの上下方向の位置を調節可 能に構成された複数の吊下手段とを設けて構成したことを特徴とする オゾン処理装置。
1 0 . 前記吊下手段が、 前記処理ガス供給へッ ドの水平方向の変位を許 容可能に前記蓋体に係着されてなることを特徴とする請求の範囲第 9 項記載のオゾン処理装置。
1 1 . 上部が開口した処理チャンバと、
前記処理チャンバの上部開口部を閉塞するように設けられた蓋体と 、
前記処理チャンバ内に配設され、 基板が載置される載置面を有する 基板支持機構部と、
前記基板支持機構部を支持して昇降させる昇降手段と、
前記基板支持機構部の載置面上に載置された基板を加熱する加熱手 段と、
前記基板支持機構部の上方に配設される処理ガス供給ヘッ ドであつ て、 へッ ド本体と、 前記基板支持機構部の載置面上に載置された基板 と対向するように前記へッ ド本体の下面に固設された対向板と、 該対 向板の基板との対向面に開口し、 オゾンを含んだ処理ガスを前記基板 に向けて吐出するノズルとを具備した処理ガス供給ヘッ ドと、
前記処理ガス供給ヘッ ドに前記処理ガスを供給して、 前記ノズルの 開口部から吐出させるガス供給手段と、
前記蓋体に係合して、 前記処理ガス供給へッ ドを前記蓋体からその 下方に吊下した状態に支持し、 且つ該処理ガス供給へッ ドを上方への 移動が可能な状態に支持する複数の吊下手段とを備えて構成されると ともに、
前記基板支持機構部が、 前記載置面の領域外に立設された複数の当 接部材を備え、 該基板支持機構部が前記昇降手段によって上昇せしめ られたとき、 前記各当接部材の上面が前記処理ガス供給へッ ドと当接 するように構成されてなることを特徴とするオゾン処理装置。
1 2 . 前記吊下手段は、 吊下， 支持した前記処理ガス供給ヘッ ドの上下 方向の位置を調節するための位置調節機構を備えていることを特徴と する請求の範囲第 1 1 項記載のオゾン処理装置。
1 3 . 前記吊下手段は、 一方端が前記蓋体を貫通して、 その端部に形成 された係合部が前記蓋体の上面に当接する一方、 他方端が前記処理ガ ス供給ヘッ ドに固着される支持軸から構成され、
前記支持軸は、 その前記係合部が前記蓋体の上面に当接した状態で 、 前記蓋体によって下方への移動が規制され吊下状態に支持される一 方、 上方には移動自在に構成されてなることを特徴とする請求の範囲 第 1 1 項記載のオゾン処理装置。
1 4 . 前記吊下手段は、 少なく とも一方端部にねじ溝を備え、 該一方端 が前記蓋体を貫通し、 且つ他方端が前記処理ガス供給へッ ドに固着さ れる支持軸と、
前記支持軸の前記一方端に螺合されるナツ トとから構成され、 前記支持軸は、 その一方端に螺合されたナツ 卜が前記蓋体の上面に 当接した状態で、 前記蓋体によって下方への移動が規制され吊下状態 に支持される一方、 上方には移動自在に構成されてなることを特徴と する請求の範囲第 1 1項記載のオゾン処理装置。
5 . 前記支持軸は、 前記処理ガス供給ヘッ ドを貫通して下方に延設さ れるとともに、 その中間部が前記処理ガス供給へッ ドに固着され、 前記基板支持機構部の各当接部材は、 該基板支持機構部が前記昇降 手段によって上昇せしめられたとき、 その上面が前記支持軸の下端面 と当接するように構成されてなることを特徴とする請求の範囲第 1 3 項又は第 1 4項記載のオゾン処理装置。
6 . 前記吊下手段によって吊下， 支持される前記処理ガス供給ヘッ ド を下方に付勢する付勢手段を備えてなることを特徴とする請求の範囲 第 1 1項乃至第 1 5項記載のいずれかのオゾン処理装置。
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