WO2004010741A1 - アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 - Google Patents

アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 Download PDF

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organic
cathode electrode
display device
region
active matrix
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Yuichi Iketsu
Hironori Imura
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NEC Corp
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Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescence (EL) display device and a method for manufacturing the same, and more particularly, to an active matrix organic electroluminescence display device using a polysilicon thin film transistor (TFT) as an active element. And its manufacturing method.
  • EL organic electroluminescence
  • TFT polysilicon thin film transistor
  • a liquid crystal display device has been generally used as a thin and lightweight flat display device.
  • the liquid crystal display device has a problem that the viewing angle is narrow and the response characteristics are poor because the transmitted light is controlled by the alignment direction of the liquid crystal. Therefore, recently, active matrix organic EL display devices with a wide viewing angle and good response characteristics have been attracting attention.
  • the organic EL element utilizes the principle that when an electric field is applied, holes injected from the anode and electrons injected from the cathode recombine, and the recombination energy causes a fluorescent substance to emit light. Since it is a light-emitting element, it has excellent visibility, and since it does not use a packed light source, power consumption can be reduced. Therefore, it is expected to be used as a display device of a portable terminal device such as a cellular phone. .
  • an active matrix organic EL display device in order to increase the luminous efficiency of the organic EL device itself, holes are injected into the light emitting layer in a laminated structure such as a hole injection layer Z a hole transport layer / a light emitting layer Z an electron transport layer. While it is necessary to improve the injection efficiency and the generation efficiency of excitons generated by recombination, etc., in order to improve the display quality as a display device, the characteristics of the TFT provided as an active element, the responsiveness of the circuit, etc. Needs to be improved.
  • polysilicon TFT requires crystallization of an amorphous silicon film. These processes include a high-temperature process of crystallization at a high temperature of about 600 ° C using an electric furnace, laser light and infrared light. There is a low-temperature process in which crystallization is performed at a low temperature of about 300 ° C or less using such methods.
  • the thermal oxide gate insulating film can be formed using LSI (Large Scale Integration) technology, and the interface characteristics between the thermal oxide gate insulating film and polysilicon are stable. This has the advantage that the variation in characteristics can be suppressed, but cannot be applied to a display device using a substrate such as glass or plastic because of the high crystallization temperature. Therefore, in the active matrix organic EL display device, a low-temperature process of performing a crystallization process by a laser annealing method or a lamp annealing method is generally used.
  • FIG. La is a plan view schematically showing the structure of a conventional active matrix organic EL display device described in JP-A-2001-318628
  • Fig. Lb is a cross-sectional view taken along line B-B 'in Fig. La. is there.
  • FIGS. 2a to 2e, FIGS. 3a to 3d and FIGS. 4a to 4c are process cross-sectional views showing a series of manufacturing steps of an active matrix substrate
  • FIG. 5 is an active matrix substrate.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the organic EL display device.
  • a manufacturing process of the active matrix substrate described in the above publication will be outlined with reference to FIGS. 2A to 4C.
  • a base film 101 is formed on a glass substrate 100
  • an amorphous silicon film is formed, and a polysilicon film 102 is formed using a laser annealing method, a lamp annealing method, or the like (see FIG. 2A).
  • a protective film 103 made of a silicon oxide film is formed on the polysilicon film 102, and a resist is formed thereon.
  • the resist mask 104 was used to form an n-type impurity region 105 by laser annealing or the like. Activate impurities (see Figures 2b and 2c).
  • the gate electrodes 111 to 1 through the gate insulating film 110 are formed. 14, source wiring 1 15, and current supply line 1 16 are formed (see FIGS. 2 d and 2 e).
  • an n-type impurity such as phosphorus is added in a self-aligned manner to form impurity regions 117 to 124, and then a resist mask 125 is formed. Then, an n-type impurity such as phosphorus is partially added to form an impurity region 126 to 130 containing phosphorus at a high concentration (see FIGS. 3A and 3B).
  • a resist mask 131 a p-type impurity such as boron is partially added to form impurity regions 132-135 with a high concentration of boron is (see FIG. 3c). .
  • a circuit element such as polysilicon TFT is obtained (see FIG. 3d).
  • a first interlayer insulating film 136 is formed on the circuit element including the polysilicon TFT, and the impurity element is activated by using a laser annealing method or a lamp annealing method. 7 is formed, and a contact hole that penetrates the first interlayer insulating film 136, the second interlayer insulating film 137, and the gate insulating film 110 and reaches the impurity region is formed. Then, the inside of each contact hole is buried with a metal, and the patterning is performed to form wirings 138 to 145, and then a pixel electrode 146 in contact with the connection electrode 141 is formed (FIG. 4A and FIG. 4b).
  • the steps shown in FIGS. 2a to 4b are the same as the low-temperature polysilicon TFT manufacturing technology used in active matrix liquid crystal display devices and the like.
  • the amorphous silicon layer is formed and the polysilicon is formed by annealing.
  • Technology for forming polysilicon technology for implanting impurities to form n-type and p-type TFTs, technology for forming conductive films such as A1, and technology for forming insulating films composed of silicon oxide and silicon nitride, Resist film formation technology to define the area and shape W
  • the thickness of the layered structure of the organic EL device, excluding the anode and cathode, is as thin as 80 nm to 200 nm, and the thickness of the cathode is as thin as 30 nm to 300 nm.
  • an organic EL layer 148 is formed in a desired region of each pixel by a vapor deposition technique, followed by a cathode 149 and a protective electrode 150. Finally, a passivation film for protecting the organic EL layer 148 By forming 151, an active matrix organic EL display device can be obtained.
  • the active matrix organic EL display device formed by the above method has a gate line 145 arranged in a row direction, a source line 115 arranged in a column direction, and a current.
  • the switching TFT 202 connected to the gate wiring 144 and the source wiring 115, and the organic EL layer 148 as the pixel electrode (anode) 14
  • the light emitting element 204 formed between the cathode 6 and the cathode 14 9 (see FIG. 4C), and one of the source and the drain is connected to the drain of the switching TFT 202 via the storage capacitor 207 and the other is connected to the drain.
  • the pixels shown by the above equivalent circuit are arranged in a matrix on a substrate 4001, forming a pixel section 4002, and further having an end in a row direction and a column direction.
  • the gate-side drive circuit 4004 and the source-side drive circuit 4003 are arranged, they are sealed with the first seal material 4101 and the second seal material 4104.
  • a wire 4005 is formed as a lead wire. Circuit) Connect one end of 4006.
  • the cross section taken along the line BB ′ in FIG. La the connection part with the outside, a part of the source side driving circuit 4003, and the cross section of one pixel of the pixel section 402
  • the cathode electrode (corresponding to the cathode 149 and the protection electrode 150 in FIG. 4c and the cathode 435 in FIG. 1b) is Pixels are also formed on the entire display area in which the pixels are arranged in a matrix, that is, on a pixel circuit including a polysilicon TFT, and on a line connecting a pixel circuit with a row driver and a column driver.
  • the structure of the conventional active matrix organic EL display device in which the cathode electrode constituting the organic EL element as described above is formed as a single electrode over the entire display area has the following two problems.
  • the first problem is that the cathode electrode is formed on the entire display area, that is, on the wiring connecting the row driver and the column driver to the pixel circuit, so that a capacitance is generated between the wiring and the cathode electrode. This causes a delay in the signal propagating on the wiring.
  • the signal delay occurs as described above, the frame frequency is limited, and it is difficult to realize an active matrix organic EL display device capable of supporting a high-speed moving image.
  • sending a signal to a wiring having the above capacitance is disadvantageous in terms of power consumption and hinders reduction in power consumption.
  • the second problem is that an electron beam evaporation source cannot be used as an evaporation source in an evaporation process for forming a cathode electrode. This point will be specifically described below.
  • the vapor deposition process is a technology that heats and evaporates the coating material in a vacuum and coats the coating material on the substrate.There are many methods for heating the coating material, but electron beam evaporation sources are used in general mass production equipment. Many are used. The reason for this is that, compared to other deposition sources, the coating material scattering angle is stable and a high-quality deposited film can be realized, that the film is less likely to be spattered and has excellent film uniformity, and that the film material is filled. It is easy to perform, does not require much maintenance, and has a high equipment operation rate.
  • the formation of the cathode electrode of the conventional active matrix organic EL display is When the deposition is performed using an evaporation apparatus equipped with an electron beam evaporation source, the cathode electrode is formed on the entire display area, that is, on the polysilicon TFT. It has become clear that characteristic degradation such as a change in threshold voltage Vt, an increase in leakage current, and a decrease in on-current occurs.
  • Figure 6 shows the experimental results of the characteristic change when the polysilicon TFT is irradiated with X-rays.
  • the horizontal axis represents the gate voltage
  • the vertical axis represents the drain current.
  • X-ray exposure shifts the characteristics of polysilicon TFTs to negative (left side in the drawing) for both pch-TFTs and nch-TFTs.
  • the shift of the gate voltage makes it impossible to operate the TFT normally, and it is impossible to realize a high-quality display device without blur.
  • the above-mentioned fluctuation in the gate voltage of the polysilicon TFT is considered to be caused by the occurrence of a trap level in the gate insulating layer of the polysilicon TFT.
  • the characteristics and uniformity of each TFT formed in a matrix form were not sufficient, so the effects of characteristic X-rays were clarified.
  • the inventors of the present application have made it possible to clarify the influence of characteristic X-rays by improving the low-temperature polysilicon TFT manufacturing technology and enabling the manufacture of a polysilicon TFT having excellent characteristics and uniformity.
  • the characteristics of the electron beam evaporation The detailed relationship between the X-ray and the fluctuation of the gate voltage of the low-temperature polysilicon TFT is a novel fact found by the inventors of the present application.
  • the negative electrode is formed on the entire display area, that is, on the wiring connecting the row driver and the column driver to the pixel circuit and on the polysilicon TFT.
  • it causes the problem of signal delay due to the capacitance between the wiring and the cathode electrode, and the problem of deterioration of polysilicon TFT characteristics due to the characteristic X-rays during electron beam evaporation.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and its main purpose is to reduce signal delay due to the capacitance between the wiring and the cathode electrode without deteriorating the manufacturing process. It is an object of the present invention to provide an active matrix organic EL display device capable of preventing a reduction in display quality due to the above, and a method for manufacturing the same. Disclosure of the invention
  • an active matrix organic EL display device of the present invention controls an organic EL element and the organic EL element for each area partitioned in a matrix by a plurality of data lines and scanning lines crossing each other.
  • the cathode electrode may be provided continuously over two or more pixels adjacent in the data line direction or the scan line direction.
  • the organic EL device may include a light emitting region, and the cathode electrode may be formed to surround or cover the light emitting regions of the two or more adjacent pixels.
  • the cathode electrode is provided in a region excluding a region on the polysilicon TFT and in a region excluding a region on one of a data line and a scanning line which divides the pixel region. Is also good.
  • the cathode electrode may be provided continuously over two or more pixels adjacent in the one wiring direction.
  • the organic EL device may include a light emitting region, and the cathode electrode may be formed to surround or cover the light emitting regions of the two or more adjacent pixels.
  • another active matrix organic EL display device provides an active matrix organic EL display device in which pixels including organic EL elements are formed for each region partitioned in a matrix by a plurality of data lines and scanning lines crossing each other.
  • An organic EL display device wherein a cathode electrode of the organic EL element defines at least a region of the pixel. In a region excluding a region on one of the data line and the scanning line, two or more pixels adjacent to the one wiring direction are continuously provided.
  • the organic EL element may include a light emitting region, and the cathode electrode may be formed to surround or cover the light emitting region of the two or more adjacent pixels.
  • a distance between opposing ends of the region where the cathode electrode and the polysilicon TFT are formed may be 20 ⁇ or more. Further, a distance between opposing ends of the region where the cathode electrode and the one wiring are formed may be 20 / zm or more.
  • the cathode electrode continuously provided over the two or more adjacent pixels is formed in a strip shape, and further includes at least one cathode electrode line extending in the short side direction, wherein the cathode electrode line May be connected to the cathode electrode wiring, respectively.
  • the cathode electrode may be formed of a vapor-deposited film containing lithium or a lithium compound and aluminum.
  • the method for manufacturing an active matrix organic EL display device is a method for controlling an organic EL element and an organic EL element for each area partitioned in a matrix by a plurality of data lines and scanning lines crossing each other.
  • a cathode electrode of the organic EL element is formed on the substrate by an electron beam evaporation method using an evaporation mask covering the substrate.
  • the cathode electrode may be formed in a strip shape so as to be continuous over two or more pixels adjacent in the data line direction or the scan line direction.
  • the organic EL device may include a light emitting region, and may be formed so as to surround or cover the light emitting regions of the two or more adjacent pixels.
  • each of the formed strip-shaped cathode electrodes may be connected to the cathode electrode wiring by a contact hole.
  • the cathode electrode may be formed using a material containing lithium or a lithium compound and aluminum.
  • the cathode electrode is not formed on the polysilicon TFT forming region constituting the pixel circuit.
  • the polysilicon TFT in the vapor deposition step, the polysilicon TFT can be protected by the vapor deposition mask, and deterioration of the polysilicon TFT characteristics due to the influence of X-rays can be prevented.
  • the cathode electrode formed by the vapor deposition process is not formed on the wiring (data line or scanning line) connecting the row driver and the column driver to the pixel circuit. According to this configuration, the capacitance generated between the wiring and the cathode electrode can be reduced, and the driver can be operated at high speed with low power. As a result, it is possible to set a high frame frequency, and to realize a display device capable of supporting a high-speed moving image with a low frit force.
  • FIG. 1a is a plan view showing the structure of a conventional active matrix organic EL display device.
  • FIG. Lb is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG.
  • FIGS. 2a to 2e are cross-sectional views showing a manufacturing process of a conventional active matrix organic EL display device.
  • 3A to 3D are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a conventional active matrix organic EL display device.
  • 4a to 4c are cross-sectional views showing a manufacturing process of a conventional active matrix organic EL display device.
  • FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of a conventional active matrix organic EL display device.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining a problem of a conventional active matrix organic EL display device, and is a diagram showing a change in a TFT gate voltage due to X-ray exposure.
  • FIG. 7A is a block diagram schematically showing a schematic configuration of the active matrix organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7B is a diagram showing a configuration of one pixel of the active matrix organic EL display device shown in FIG. 7A.
  • FIG. 8 is a plan view showing the structure of the active matrix organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • 9A and 9B are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the active matrix organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a plan view showing the structure of an active matrix organic EL display device according to a second embodiment of the present invention.
  • An active matrix organic EL display device includes an organic EL element arranged in a matrix on a glass substrate, a pixel circuit including a polysilicon TFT for controlling each organic EL element, A row driver and a column driver for controlling the pixel circuit are provided, and the cathode electrode is formed on the polysilicon TFT or on the polysilicon TFT and on the opening side by using an evaporation mask having an opening formed in a metal plate and an electron beam evaporation source.
  • the structure is formed so as to surround the light emitting portions of two or more pixels that are continuous in the direction of the wiring on the opening side in the region except on the wiring.
  • the cathode electrode is not formed on the wiring connecting the pixel driver or column driver and the pixel circuit or on the wiring on the pixel side, the capacitance between the wiring and the cathode electrode is reduced.
  • a cathode electrode by covering it with an evaporation mask, X-rays from the electron beam evaporation source Deterioration of TF characteristics can be prevented.
  • FIG. 7A is a diagram for explaining the configuration of the active matrix organic EL display device according to the first embodiment of the present invention, and is a block diagram including the entire display area.
  • Fig. 7b is a partially enlarged view of one pixel (sub-pixel) in Fig. 7a.
  • FIG. 8 is a plan view showing the structure of the active matrix organic EL display device according to the first embodiment.
  • FIGS. 9A and 9B are views for explaining a part of the manufacturing process.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line A-A 'in FIG.
  • a sealing structure for preventing the deterioration of the organic EL element and a manufacturing process relating to the sealing a glass substrate including a polysilicon TFT and an organic EL element (hereinafter referred to as a display substrate).
  • the description of the electrical connection structure consisting of FPC (Flexible Printed Circuit) and the external power supply and its manufacturing process, and the circuits for supplying power to the display substrate and inputting signals, etc. are omitted.
  • a is arranged side by side in the horizontal (row) direction, and its shape is a rectangular shape that is long in the vertical direction on the drawing.
  • a pixel circuit 3 for controlling the organic EL element 7a is arranged above the organic EL element 7a of each sub pixel.
  • a display area is formed by arranging pixels having such a configuration in a matrix, and an opening driver 1a for selecting a row is disposed on both left and right sides of the display area.
  • a column dryer 2a for selecting a column and controlling the luminance of each sub-pixel is arranged below the display area.
  • a pixel is selected by the window driver 1a and the column dryer 2a, and the selected pixel performs a display function by emitting light with its brightness controlled.
  • the cathode electrode 7 of the organic EL element formed in each sub-pixel is formed independently in each row. Have been. As shown in FIG. 8, the cathode electrode 7 is not formed on the pixel circuit 3 including the polysilicon formation region 10a, but is formed on two or more pixels continuous in the wiring direction of the row driver 1a. It is formed on the EL element light-emitting regions 5 and on the wiring of the column driver 2 a disposed between the light-emitting regions 5. The electrical connection of the cathode electrode 7 is made by a contact hole 6 provided in the cathode electrode wiring 4 formed between the display area and the row driver formation area. The wiring from the mouth driver 1a to the pixel circuit 3 and the cathode electrode wiring 7 have a multilayer wiring structure in which electrical independence is ensured.
  • FIGS. 7A, 7B, and 8 are examples, and the arrangement of the organic EL element light-emitting region 5 and the pixel circuit 3 in each pixel, the arrangement of the sub-pixels of the three primary colors of RGB, The arrangement of the driver la, the column driver 2a, the cathode electrode wiring 4, and the like can be arbitrarily set according to the design. Further, the connection between the cathode electrode 7 and the cathode electrode wiring 4 may be made on one side of each pixel (ie, three adjacent sub-pixels) or on two opposite sides.
  • the display substrate of the active matrix organic EL display device of this embodiment includes a pixel circuit composed of a polysilicon TFT and other elements formed by using a low-temperature polysilicon TFT manufacturing technique. And various wirings such as a gate line 11, a data line 12, a power supply line 8, a cathode electrode arrangement, and a line 4.
  • the pixel circuit 3 is formed by using a polysilicon layer forming technique for crystallizing amorphous silicon by a laser aerial method or a lamp annealing method, a film forming technique, a patterning technique, an etching technique, and other techniques well known in semiconductor manufacturing techniques. be able to.
  • the pixel circuit 3 is formed as follows. First, an insulating film such as a silicon oxide film is formed on a translucent substrate such as glass using a CVD method, amorphous silicon is deposited on the insulating film, and an impurity doping process and a polysilylation process such as laser annealing are performed. After that, polysilicon 10 is formed in the TFT formation region through a resist coating, exposure, and etching steps. Next, a gate made of silicon oxide A gate insulating film and WSi (tungsten silicide), etc.
  • a polysilicon TFT is formed by doping with impurities. Then, after depositing an interlayer insulating film composed of a silicon oxide film or the like using the CVD method, a contact hole is formed by PR coating and etching, and A1 etc. is deposited on top of it and subjected to PR coating and etching. Source / drain electrodes, data lines 12, power supply lines 8, cathode electrode wires 4, etc. are formed.
  • a light-shielding film may be formed by depositing WSi, metal, or the like below the TFT forming region.
  • the gate line (scanning line) 11 and the wiring such as the data line 12 and the cathode electrode wiring 4 are stacked via an interlayer insulating film (insulating layer 9a).
  • these wires may be formed in the same layer and their intersections may be connected by a bridge.
  • an ITO (Indium-Tin Oxide) electrode to be the anode 13 of each organic EL element 7a on the substrate on which the polysilicon TFT and various wirings are formed as described above, the organic EL element light emitting region 5 is formed.
  • An insulating layer 9b having an opening and a tapered wedge is formed by an oxide film layer formation by CVD or the like and an isotropic etching technique, or by an edge blunting technique by curing a photosensitive resist.
  • a contact hole 6 for connecting each cathode electrode 7 with the cathode electrode wiring 4 is also formed at the same time.
  • the edge of the contact hole 6 is also tapered in order to prevent the cathode electrode 7 from being cut off.
  • a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, and an electron transport layer which are known as an organic EL device structure, are sequentially formed by a vapor deposition technique or the like to form an organic layer 14.
  • the organic layer 14 may have any structure of a hole transport layer Z light emitting layer Z electron transport layer, a hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer, or a light emitting layer alone. In the case of a matrix color display, the material of the light emitting layer is changed for each pixel and stacked.
  • the pole electrode 7 is formed using a vapor deposition technique.
  • the cathode electrode 7 (cathode 4305 in FIG. 1, cathode 149 and protection electrode 150 in FIG. 4) is formed over the entire display area, so that Due to the capacitance formed between the cathode electrode 7 and the wiring connecting the row driver 1a and the column driver 2a to the pixel circuit 3, the signal is delayed and the response characteristics are degraded. There was a problem that the characteristics of the polysilicon TFT deteriorated due to the influence of X-rays during the deposition.
  • the pixel circuit 3 including the polysilicon TFT and the connection wiring is used. It is formed in a region separated by a predetermined distance (specifically, a region separated from the polysilicon formation region 10a by L1). At that time, it is necessary to cover the pixel circuit 3 so that the cathode electrode 7 is not formed on the pixel circuit 3. However, since the organic layer 14 is formed below the cathode electrode 7, the cathode electrode 7 cannot be selectively formed using a resist pattern.
  • the cathode electrode 7 is formed from a metal plate such as amber using a vapor deposition mask formed by a wet etching technique. Specifically, an evaporation mask is positioned on a substrate and placed, and Li or a Li compound having a thickness of, for example, about 500 nm and A1 are deposited thereon (for example, lithium oxide. lwt% aluminum co-evaporation). In this manner, the cathode electrode 7 is formed using the evaporation mask. In the case of the configuration shown in FIG. 8, the pattern is such that the EL element light emitting region 5 of each row (each sub-pixel of three primary colors of RGB) and the cathode are formed.
  • a display substrate is completed by forming a protective electrode and a passivation film according to the requirements.
  • the pixel circuit 3 including the polysilicon TFT and the connection wiring By protecting the pixel circuit 3 including the polysilicon TFT and the connection wiring by using the above-described evaporation mask, it is possible to prevent the generation of the capacitance between the cathode electrode 7 and the connection wiring, and to prevent the poly-silicon by the X-ray. Since there is no risk of biodegradation of the silicon TFT, an electron beam that provides a high-quality deposited film in the deposition process for forming the cathode electrode 7 Since a vapor deposition source can be used, the uniformity of the characteristics of the organic EL element can be improved and the mass productivity can be improved. It is preferable to use an evaporation mask having a thickness of about 50 ⁇ to maintain the strength. With a metal having such a thickness, X-rays generated from an electron beam evaporation source can be sufficiently absorbed.
  • an arbitrary pixel selected by the wiring on the lips side and the wiring on the power ram is connected to the power supply line 8 through the anode 13 and the cathode.
  • a voltage is applied from the cathode electrode 7 to the organic EL layer through the electrode wiring 4. This allows any organic EL element to emit light at a desired luminance, thereby realizing a function as a display device.
  • the distance (L 1 and L 2) between the polysilicon formation region 10 a and the cathode electrode 7 is It is the same distance.
  • the cathode electrode formation region may be misaligned with the polysilicon formation region 10a formed on the glass substrate. Therefore, the distance (L 1 and L 2) between the polysilicon formation region 10a and the cathode electrode 7 is set so that the cathode electrode 7 does not overlap the polysilicon formation region 10a on the plane even if the misalignment occurs. Must be set.
  • the distance (1 and 2) between the polysilicon formation region 10 a and the cathode electrode 7 is set to 20 ⁇ or more. It is preferable to set.
  • FIG. 10 is a plan view showing a structure of an active matrix organic EL display device according to a second embodiment of the present invention.
  • the cathode electrode 7 is formed so as not to overlap with the pixel circuit 3.However, in order to further reduce the capacitance between the wiring and the cathode electrode 7, the cathode electrode should be as small as possible with the wiring. It is preferable to form them so that they do not overlap. Therefore, in the present embodiment, the cathode electrode 7 is formed of the polysilicon formation region 10a and the gate-side wiring (gate wiring 11). Are formed in a region that does not overlap with both.
  • the method of manufacturing the active matrix organic EL display device of the present embodiment is basically the same as that of the first embodiment described above, except that the organic EL element light emitting region 5 and the cathode electrode wiring 4 A strip-shaped cathode electrode 7 including the upper contact hole 6 is formed. Also in this case, the cathode electrode 7 made of Li or Li compound and A1 is formed by electron beam evaporation using an evaporation mask.
  • the distance (L 1) between the polysilicon formation region 10 a and the cathode electrode 7 and the distance (L 3) between the row-side wiring (gate wiring 11) and the cathode electrode 7 also take into account the misalignment. It is desirable to set it to be 0 m or more.
  • the polysilicon TFT is protected by the evaporation mask, it is possible to prevent the characteristics of the polysilicon TFT from being deteriorated during the electron beam evaporation. Therefore, it is possible to use an electron beam evaporation source capable of obtaining a high-quality deposited film, and it is possible to improve the uniformity of the characteristics of the organic EL device and the mass productivity.
  • the cathode electrode 7 is formed on the pixel side rather than the row-side wiring (gate wiring 11), the organic EL light-emitting region 5 is smaller than that of the first embodiment, but the cathode electrode 7 and the gate electrode 7 are not connected. Since the capacitance between the side wirings can be reduced, it is possible to cope with further high-speed operation.
  • the cathode electrode 7 has a simple strip shape. It is not limited to.
  • the cathode electrode 7 may have any shape as long as it does not overlap with the low-side wiring such as the pixel circuit 3 including the polysilicon TFT and the gate line 11.
  • the evaporation mask be as simple as possible. It is preferable that the layout be made in consideration of the arrangement of the pixel circuits 3, the arrangement direction of the pixels, and the like so as to simplify the above.
  • the first effect is that a high-quality display device free from line unevenness can be realized because of the provision of a control circuit composed of a polysilicon TFT having the required characteristics and having little characteristic variation. is there.
  • the reason is that the cathode electrode formed by the vapor deposition process is not formed on the polysilicon TFT formation region.
  • the polysilicon TFT is protected by the deposition mask, so even if the substrate is exposed to X-rays by using an electron beam deposition source, it does not affect the characteristics of the polysilicon TFT. This is because it is possible to provide display image quality obtained from the designed characteristics.
  • the second effect is that it is possible to set the frame frequency to be high, and to realize a display device with a low frit force and capable of supporting a high-speed moving image.
  • the reason is that the capacitance generated between these wirings and the cathode electrode is reduced by not forming the cathode electrode on the wiring from the row driver and the column driver or on the opening-side wiring.
  • the frame frequency can be set high, and a display device that can handle high-speed moving images with little flicker can be realized.
  • the reduction in capacity allows the driver to operate with low power, and the power consumption of the display device can be reduced.

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Abstract

本発明のアクティブマトリクス有機ＥＬ表示装置は、互いに交差するデータ線１２及びゲート線１１によってマトリクス状に区画された領域ごとに、有機ＥＬ素子７ａと該有機ＥＬ素子７ａを制御するためのポリシリコンＴＦＴを服務画素回路３とが隣接して配置された画素が形成されたものであって、有機ＥＬ素子７ａの陰極電極７が、少なくとも上記ポリシリコンＴＦＴ上の領域を除く領域に設けられている。陰極電極７は、ゲート線１１の方向に隣接する２以上の画素にわたって連続して設けられている。

Description

明細書
マトリクス有機 E L表示装置及びその製造方法 技術分野
本発明は、 有機エレクトロルミネッセンス （E L :Electro Luminescence) 表 示装置及びその製造方法に関し、 特に、 能動素子としてポリシリコン薄膜トラン ジスタ （T F T : Thin Film Transistor) を用いるアクティブマトリクス有機ェ レク トロルミネッセンス表示装置及ぴその製造方法に関する。 背景技術
従来、 薄型で軽量の平面型表示装置として、 液晶表示装置が一般に用いられて きた。 しかし、 液晶表示装置には、 液晶の配向方向によって透過光を制御するた め、 視野角が狭く応答特性が悪いといった問題がある。 そこで、 最近では、 視野 角が広く、 応答特性の良いアクティブマトリクス有機 E L表示装置が注目を浴び ている。 有機 E L素子は、 電界を印加することにより、 陽極より注入された正孔 と陰極より注入された電子の再結合が生じ、 その再結合エネルギーにより蛍光性 物質が発光する、 という原理を利用した自発光素子であるため、 視認性に優れて おり、 また、 パックライト光源を使用しないために、 消費電力を低減することが できることから、 特に携帯電話等の携帯端末機器の表示装置として期待されてい る。
アクティブマトリクス有機 E L表示装置では、 有機 E L素子自体の発光効率を 高めるために、 正孔注入層 Z正孔輸送層/発光層 Z電子輸送層等の積層構造体に おける発光層への正孔の注入効率や再結合により生成する励起子の生成効率等を 改善することが求められる一方で、 表示装置としての表示品位を向上させるため には、 能動素子として設ける T F Tの特性や回路の応答性等を向上させることが 求められる。
上記 T F Tとしては、 従来はアモルファスシリコン膜を用いたアモルファスシ リコン TFTが主流であつたが、 最近では、 T FTの特性向上を図るためにァモ ルファスシリコン膜よりも電界移動度の高いポリシリコン膜を用いた T F T (以 下、 ポリシリコン TFTと略す。 ） の開発が進められている。 ポリシリコン TF Tでは、 アモルファスシリコン膜を結晶化する処理が必要であり、 そのプロセス としては、 電熱炉を用いて 600°C程度の高温で結晶化を行う高温プロセスと、 レーザ光や赤外光等を用いて 300°C程度以下の低温で結晶化を行う低温プロセ スとがある。
高温プロセスでは、 LS I (Large Scale Integration) 技術を利用して熱酸 化ゲート絶縁膜を形成することができ、 熱酸化ゲート絶縁膜とポリシリコンとの 界面特性が安定しているため、 T FTの特性のばらつきを抑えることができると いう利点があるが、 結晶化処理の温度が高いために、 ガラスやプラスチック等の 基板を用いる表示装置に適用することはできない。 従って、 アクティブマトリク ス有機 EL表示装置では、 通常、 レーザァニール法やランプアニール法で結晶化 処理を行う低温プロセスが用いられる。
以下、 上記低温プロセスにより形成されたポリシリコン TFT (以下、 低温ポ リシリコン TFTと略す。 ） を備えるアクティブマトリクス有機 EL表示装置に ついて説明する。 図 l aは、 特開 2001— 318628号公報に記載されてい る従来のアクティブマトリクス有機 EL表示装置の構造を模式的に示す平面図、 図 l bは、 図 l aの線 B— B' による断面図である。 また、 図 2 aから図 2 e、 図 3 aから図 3 d及ぴ図 4 aから図 4 cはアクティブマトリクス基板の一連の製 造手順を示す工程断面図であり、 図 5は、 アクティブマトリクス有機 EL表示装 '置の等価回路図である。
はじめに、 図 2 a〜図 4 cを用いて上記公報記載のアクティブマトリクス基板 の製造工程について概説する。 まず、 ガラス基板 100上に下地膜 101を形成 した後、 アモルファスシリコンを成膜して、 レーザァニール法、 ランプアニール 法等を用いてポリシリコン膜 102を形成する （図 2 a参照） 。 次に、 ポリシリ コン膜 102上にシリコン酸化膜からなる保護膜 103を形成し、 その上にレジ ストマスク 1 0 4を形成し、 そのレジストマスク 1 0 4を介してリン又は砒素等 の n型不純物を添加して n型不純物領域 1 0 5を形成した後、 レーザァニール法 等により、 添カ卩した不純物を活'1~生ィヒする （図 2 b及び図 2 c参照） 。 次に、 ポリ シリコン膜 1 0 2を部分的に除去して島状の活性層 1 0 6〜1 0 9を形成した後、 ゲート絶縁膜 1 1 0を介して、 ゲート電極 1 1 1〜 1 1 4と、 ソース配線 1 1 5、 電流供給線 1 1 6を形成する （図 2 d及び図 2 e参照） 。
次に、 ゲート電極 1 1 1〜1 1 4をマスクとして、 自己整合的にリン等の n型 不純物を添加して不純物領域 1 1 7〜1 2 4を形成した後、 レジストマスク 1 2 5を用いて部分的にリン等の n型不純物を添加して高濃度にリンを含む不純物領 域 1 2 6〜1 3 0を形成する （図 3 a及び図 3 b参照） 。 次に、 レジストマスク 1 3 1を用いて部分的にボロン等の p型不純物を添カ卩して高濃度にボロンを含む 不純物領域 1 3 2〜1 3 5を形成する （図 3 c参照） 。 そして、 レジストマスク 1 3 1を除去することで、 ポリシリコン T F T等の回路子素子を得る （図 3 d参 照） 。
次に、 ポリシリコン T F Tを含む回路素子上に第 1層間絶縁膜 1 3 6を形成し、 レーザァニール法やランプア二一ル法を用いて不純物元素を活性化した後、 第 2 層間絶縁膜 1 3 7を形成し、 第 1層間絶縁膜 1 3 6、 第 2層間絶縁膜 1 3 7、 ゲ ート絶縁膜 1 1 0を貫通し、 不純物領域に達するコンタクトホールを形成する。 そして、 各コンタクトホール内を金属で埋設し、 パターユングして配線 1 3 8〜 1 4 5を形成した後、 接続電極 1 4 1に接する画素電極 1 4 6を形成する （図 4 a及び図 4 b参照） 。
なお、 上述した図 2 aから図 4 bまでの工程は、 アクティブマトリクス液晶表 示装置などで用いられる低温ポリシリコン T F T製造技術と変わるところはなく、 ァモルファスシリコン層を形成しァニールによりポリシリコンを形成するポリシ リコン形成技術、 n型 T F T及び p型 T F Tを形成するための不純物注入技術、 A 1などの導電 β莫並びに酸化シリコン及び窒化シリコンからなる絶縁膜形成技術、 これらの膜形成領域や注入領域を限定するためのレジスト膜形成技術、 並びに形 W
成膜不要領域を除去するエッチング技術などの応用により実現することができる ( 画素電極 1 4 6の形成後、 図 4 cに示すように、 第 3層間絶縁膜 1 4 7を形成 する。 このとき、 有機 E L素子を構成する積層構造は、 陽極及び陰極を除いた厚 みは 8 0 n mから 2 0 0 n m、 陰極の厚みは 3 0 n mから 3 0 0 n m程度と薄く . 形成膜の段差切れを防止するために、 有機 E L素子形成前に急峻な形状をカバー し、 段切れ防止のためにエッジをテーパ状に加工する。 このテーパ形状の第 3層 間絶縁膜 1 4 7の形成後、 各々の画素の所望領域に有機 E L層 1 4 8を蒸着技術 により形成し、 続けて陰極 1 4 9、 保護電極 1 5 0を形成する。 最後に、 有機 E L層 1 4 8を保護するパッシベーシヨン膜 1 5 1を形成することによりァクティ ブマトリクス有機 E L表示装置が得られる。
上記方法で形成されたアクティブマトリタス有機 E L表示装置は、 図 5の等価 回路に示すように、 行方向に配置されたゲート配線 1 4 5と列方向に配置された ソース配線 1 1 5及び電流供給線 1 1 6とで囲まれる画素内に、 ゲート配線 1 4 5及びソース配線 1 1 5に接続されたスィツチング用 T F T 2 0 2と、 有機 E L 層 1 4 8を画素電極 （陽極） 1 4 6と陰極 1 4 9 (図 4 c参照） とで挟み込んで 形成した発光素子 2 0 4と、 ソース/ドレインの一方が保持容量 2 0 7を介して スィツチング用 T F T 2 0 2のドレインに、 他方が発光素子 2 0 4の陽極に接続 された制御用 T F T 2 0 3とを形成した構造になっており、 発光素子 2 0 4の陰 極 1 4 9は全ての画素で共通となっている。 このように陰極電極が表示領域全面 の単一電極構造で良いのは、 各画素へのァドレスが口ゥドライバ及びカラムドラ ィパからの配線により選択でき、 陰極 1 4 9は単なる電源供給電極でしかないか らである。
図 1 aに示すように、 基板 4 0 0 1上に上記の等価回路で示した画素をマトリ タス状に配列して画素部 4 0 0 2を形成し、 さらに行方向及び列方向の端部にゲ 一ト側駆動回路 4 0 0 4及びソース側駆動回路 4 0 0 3を配置した後、 第 1シー ル材 4 1 0 1及び第 2シール材 4 1 0 4でシールする。 シールの際に、 引き出し 線である配線 4 0 0 5を形成し、 この配線 4 0 0 5に F P C (フレキシブルプリ ント回路） 4 0 0 6の一端を接続する。 こうして得られた有機 E L表示装置では、 図 l aの B— B ' 線における断面 （外部との接続部分、 ソース側駆動回路 4 0 0 3の一部、 画素部 4 0 0 2の一画素の断面） を表す図 1 b及ぴ図 4 cから分かる ように、 陰極電極 （図 4 cの陰極 1 4 9及び保護電極 1 5 0、 図 1 bの陰極 4 3 0 5に該当する。 ） は、 画素がマトリクス状に配列された表示領域全面、 つまり ポリシリコン T F Tを含む画素回路や、 ロウドライバ及びカラムドライバと画素 回路とを接続する配線上にも形成される。
上述したような有機 E L素子を構成する陰極電極が表示領域全面に単一電極と して形成される従来のアクティブマトリクス有機 E L表示装置の構造では、 以下 に示す 2つの問題点がある。
第 1の問題は、 陰極電極が表示領域全面、 すなわち、 ロウドライバ及びカラム ドライバと画素回路を接続する配線上にも形成されるため、 この配線と陰極電極 との間に容量が生じ、 この容量により、 配線上を伝搬する信号に遅延を生じると いうことである。 このように信号の遅延が生じると、 フレーム周波数が制限され ることになり、 高速動画対応可能なァクティブマトリクス有機 E L表示装置を実 現することが困難になる。 また、 上記容量を持った配線に信号を送ることは、 電 力消費の面でも不利であり、 低消費電力化の妨げとなってしまう。
第 2の問題点は、 陰極電極を形成するための蒸着工程において、 蒸着源に電子 ビーム蒸着源を用いることができないということである。 この点について、 以下 に具体的に説明する。
蒸着成膜工程は、 被膜材料を真空中で加熱蒸発させ、 基板上にその被膜材料を 被覆させる技術であり、 被膜材料の加熱方法は多く存在するが、 電子ビーム蒸着 源が一般の量産設備において多く用いられている。 その理由は、 他の蒸着源に比 ベ、 被膜材料飛散角度が安定しており良質な蒸着膜が実現できること、 スプラッ ッが発生しにくく膜の均一性に優れていること、 及び被膜材料の充填が容易であ り、 メンテナンスを多く必要とせず、 設備の稼働率が高いことなどによる。
ところが、 従来のアクティブマトリクス有機 E L表示装置の陰極電極の形成を、 電子ビーム蒸着源を具備する蒸着装置を用いて行うと、 陰極電極が表示領域全面、 すなわち、 ポリシリコン TFT上にも形成されるため、 電子ビーム蒸着源から発 生した特性 X線によりポシシリコン T F Tの閾値電圧 V tが変化したり、 リーク 電流が増加したり、 オン電流が減少したりする等の特性劣化が生じることが明ら かになつた。
図 6に、 ポリシリコン TFTに X線を照射した場合の特性変化の実験結果を示 す。 図 6において、 横軸はゲート電圧、 縦軸はドレイン電流を示す。 この図 6か ら分かるように、 X線被爆によりポリシリコン TFTの特个生は p c h— TFT、 n c h—TFTともマイナス側 （図面に向かって左側） にシフトする。 このゲー ト電圧のシフトにより正常に TFTを動作させることができなくなり、 スジゃム ラのない高画質の表示装置を実現することができなくなってしまう。
上記のポリシリコン T FTのゲート電圧の変動は、 ポリシリコン T FTのゲー ト絶縁層内にトラップ準位が生じることが原因と考えられる。 しかし、 従来のポ リシリコン TFT、 特に低温プロセスを用いて製作したポリシリコン T FTでは、 マトリタス状に形成した各々の T FTの特性やその均一性が十分でなかったため、 特性 X線の影響を明確にすることができなかった。 本願の発明者等は、 低温ポリ シリコン T F T製造技術に改良を加え、 特性及び均一性に優れたポリシリコン T F Tの製造を可能としたことにより、 特性 X線の影響を明確にすることができた c この電子ビーム蒸着の特性 X線と低温ポリシリコン TFTのゲート電圧の変動と の詳細な関係は、 本願の発明者等が見出した新規な事実である。
以上説明したように、 従来のアクティブマトリクス有機 EL表示装置では、 陰 極電極が表示領域全面、 すなわち、 ロウドライバ及びカラムドライバと画素回路 を接続する配線上やポリシリコン T F T上にも形成されるため、 配線と陰極電極 との間に生じる容量による信号遅延の問題や、 電子ビーム蒸着の際の特性 X線に よるポリシリコン TFT特性の劣化の問題を引き起こしてしまい、 その結果、 高 速応答性、 高品位の表示装置を実現することができなくなってしまうという問題 があった。 本発明は、 上記問題点に鑑みてなされたものであって、 その主たる目的は、 製 造工程を複雑化することなく、 配線一陰極電極間の容量による信号の遅延ゃポリ シリコン T F Tの特性劣化による表示品位の低下を防止することができるァクテ イブマトリクス有機 E L表示装置及びその製造方法を提供することにある。 発明の開示
上記目的を達成するため、 本発明のアクティブマトリクス有機 E L表示装置は、 互いに交差する複数のデータ線及び走査線によってマトリクス状に区画された領 域ごとに、 有機 E L素子と該有機 E L素子を制御するためのポリシリコン T F T とが隣接して配置された画素が形成されるアクティブマトリタス有機 E L表示装 置において、 前記有機 E L素子の陰極電極が、 少なくとも前記ポリシリコン T F T上の領域を除く領域に設けられている。
上記の場合、 前記陰極電極は、 前記データ線方向又は走査線方向に隣接する 2 以上の画素にわたって連続して設けてもよい。
また、 前記有機 E L素子は発光領域を含み、 前記陰極電極は、 前記隣接する 2 つ以上の画素の前記発光領域を囲む、 または'、 覆うように形成してもよい。
さらに、 前記陰極電極は、 前記ポリシリコン T F T上の領域を除く領域で、 か つ、 前記画素の領域を区画するデータ線及び走査線のいずれか一方の配線上の領 域を除く領域に設けてもよい。
さらに、 前記陰極電極は、 前記一方の配線方向に隣接する 2つ以上の画素にわ たって連続して設けてもよレ、。
さらに、 前記有機 E L素子は発光領域を含み、 前記陰極電極は、 前記隣接する 2つ以上の画素の前記発光領域を囲む、 または、 覆うように形成してもよい。
また、 本発明の他のアクティブマトリクス有機 E L表示装置は、 互いに交差す る複数のデータ線及び走査線によってマトリクス状に区画された領域ごとに、 有 機 E L素子を含む画素が形成されるアクティブマトリクス有機 E L表示装置であ つて、 前記有機 E L素子の陰極電極が、 少なくとも前記画素の領域を区画するデ ータ線及び走査線のいずれか一方の配線上の領域を除く領域に、 該一方の配線方 向に隣接する 2つ以上の画素にわたって連続して設けられている。
上記の場合、 前記有機 E L素子は発光領域を含み、 前記陰極電極は、 前記隣接 する 2つ以上の画素の前記発光領域を囲む、 または、 覆うように形成してもよい 上述したいずれかの発明において、 前記陰極電極と前記ポリシリコン T F Tが 形成される領域の互いの対向する端部の間隔が 2 0 μ ηι以上であってもよい。 また、 前記陰極電極と前記一方の配線が形成される領域の互いの対向する端部 の間隔が 2 0 /z m以上であってもよい。
さらに、 前記隣接する 2以上の画素にわたって連続して設けられた陰極電極は 短冊状に形成されており、 前記短辺方向に延伸する少なくとも 1つの陰極電極配 線をさらに有し、 前記陰極電極配線に沿つて並ぶ前記短冊状の陰極電極がそれぞ れ前記陰極電極配線と接続されてもよい。
さらに、 前記陰極電極は、 リチウム又はリチウム化合物と、 アルミニウムとを 含む蒸着膜からなっていてもよい。
本発明のアクティブマトリクス有機 E L表示装置の製造方法は、 互いに交差す る複数のデータ線及ぴ走査線によってマトリクス状に区画された領域ごとに、 有 機 E L素子と該有機 E L素子を制御するためのポリシリコン T F Tとが隣接して 配置された画素が形成されるアクティブマトリクス有機 E L表示装置の製造方法 であって、 基板上に前記ポリシリコン T F Tを形成した後、 少なくとも該ポリシ リコン T F Tの形成領域を覆う蒸着マスクを用いて、 前記有機 E L素子の陰極電 極を電子ビーム蒸着法により前記基板上に形成することを特徴とする。
上記の場合、 前記陰極電極を前記データ線方向又は走査線方向に隣接する 2以 上の画素にわたって連続するように短冊状に形成してもよい。
また、 前記有機 E L素子は発光領域を含み、 前記陰極電極を前記隣接する 2つ 以上の画素の前記発光領域を囲む、 または、 覆うように形成してもよい。
さらに、 前記ポリシリコン T F Tの形成前に、 前記陰極電極の短辺方向に延伸 する少なくとも 1つの陰極電極配線を前記基板上に形成しておき、 前記短冊状の 陰極電極を形成する際に、 該形成される短冊状の陰極電極のそれぞれと前記陰極 電極配線とをコンタクトホールにより接続してもよい。
また、 前記陰極電極を、 リチウム又はリチウム化合物と、 アルミニウムとを含 む材料を用いて形成してもよい。
以上のとおりの本発明のアクティブマトリタス有機 E L表示装置及び製造方法 においては、 陰極電極は、 画素回路を構成するポリシリコン T F T形成領域上に は形成されないようになっている。 この構成によれば、 蒸着工程において、 ポリ シリコン T F Tを蒸着マスクにより保護することができ、 X線の影響によるポリ シリコン T F T特性の劣化を防止することができる。 この結果、 量産性に優れた 電子ビーム蒸着装置を用いることが可能となり、 特性パラツキの少ない、 設計要 求性能を有するポリシリコン T F Tにより構成される制御回路を具備する、 スジ やムラのない高画質の表示装置を実現することができる。
また、 本発明においては、 蒸着工程により形成される陰極電極は、 ロウドライ パ及びカラムドライバと画素回路とを接続する配線 （データ線や走査線） 上には 形成されないようになっている。 この構成によれば、 配線と陰極電極間に発生す る容量を少なくすることができ、 ドライバを低電力で高速に動作させることがで きる。 この結果、 フレーム周波数を高く設定することができ、 フリツ力の少ない 高速動画対応可能な表示装置を実現することができる。 図面の簡単な説明
図 1 aは、 従来のアクティブマトリクス有機 E L表示装置の構造を示す平面図 である。
図 l bは、 図 l aの B— B ' 線による断面図である。
図 2 aから図 2 eは、 従来のアクティブマトリクス有機 E L表示装置の製造ェ 程を示す断面図である。
図 3 aから図 3 dは、 従来のアクティブマトリタス有機 E L表示装置の製造ェ 程を示す断面図である。 図 4 aから図 4 cは、 従来のアクティブマトリクス有機 E L表示装置の製造ェ 程を示す断面図である。
図 5は、 従来のアクティブマトリクス有機 E L表示装置の等価回路図である。 図 6は、 従来のアクティブマトリクス有機 E L表示装置の問題点を説明するた めの図であり、 X線被爆による T F Tのゲート電圧の変化を示す図である。 図 7 aは、 本発明の第 1の実施例であるアクティブマトリタス有機 E L表示装 置の概略構成を模式的に示すプロック図である。
図 7 bは、 図 7 aに示すアクティブマトリクス有機 E L表示装置の 1画素の構 成を示す図である。
図 8は、 本発明の第 1の実施例であるアクティブマトリクス有機 E L表示装置 の構造を示す平面図である。
' 図 9 a及ぴ図 9 bは、 本発明の第 1の実施例であるアクティブマトリクス有機 E L表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。
図 1 0は、 本発明の第 2の実施例であるアクティブマトリクス有機 E L表示装 置の構造を示す平面図である。 発明を実施するための最良な形態
以下、 本発明の好ましい実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。 本発明の一実施形態であるアクティブマトリクス有機 E L表示装置は、 ガラス 基板上に、 マトリクス状に配列された有機 E L素子と、 各々の有機 E L素子を制 御するポリシリコン T F Tを含む画素回路と、 画素回路を制御するロウドライバ 及びカラムドライバとを備え、 陰極電極を、 金属板に開口を形成した蒸着マスク と電子ビーム蒸着源とを用いて、 ポリシリコン T F T上又はポリシリコン T F T 上及び口ゥ側配線上を除く領域に、 口ゥ側配線方向に連続する 2以上の画素の発 光部を囲むように形成した構造になっている。 口ゥドライバ又はカラムドライバ と画素回路とを接続する配線や口ゥ側配線上に陰極電極を形成しない構造とする ことで、 配線と陰極電極との間の容量を低減し、 また、 ポリシリコン T F Tを蒸 着マスクで覆って陰極電極を形成することで、 電子ビーム蒸着源からの X線によ る T F Τ特性の劣化を防止することができる。
以下に、 本発明の実施形態について、 実施例 1、 2'を挙げて具体的に説明する ( [実施例 1 ]
本発明の第 1の実施例に係るアクティブマトリクス有機 E L表示装置の構成及 びその製造方法について説明する。 図 7 aは、 本発明の第 1の実施例であるァク ティブマトリクス有機 E L表示装置の構成を説明するための図で、 表示領域全体 を含むブロック図である。 図 7 bは、 図 7 aの 1つの画素 （サプ画素） の部分拡 大図である。 また、 図 8は、 本第 1の実施例に係るアクティブマトリクス有機 E L表示装置の構造を示す平面図であり、 図 9 a及ぴ図 9 bは、 その製造工程の一 部を説明するための、 図 8の,锒 A— A' による断面図である。
以下の説明では、 説明を容易とするため、 有機 E L素子の劣化を防ぐ封止構造 及び封止に関する製造工程、 ポリシリコン T F Tと有機 E L素子等からなるガラ ス基板 （以下、 表示基板と呼ぶ。 ） と外部電源との F P C (フレキシブルプリン ト回路） などからなる電気的接続構造及びその製造工程、 並びに表示基板への電 力供給及び信号入力のための回路等に関する説明は省略する。
図 7 a及び図 7 bに示すように、 本実施例のアクティブマトリクス有機 E L表 示装置では、 1画素を構成する R G Bの 3原色にそれぞれ対応したサブ画素の 各々に形成される有機 E L素子 7 aは、 横 （行） 方向に並んで配列されており、 その形状は、 図面上で上下方向に長い長方形の形状になっている。 図面上、 各サ プ画素の有機 E L素子 7 aの上側には、 それぞれ有機 E L素子 7 aを制御する画 素回路 3が配置されている。 このような構成の画素がマトリクス状に配列されて 表示領域が形成されており、 この表示領域の左右両側に、 行を選択するための口 ゥドライバ 1 aが配置されている。 表示領域の下側には、 列を選択し、 各サブ画 素の輝度を制御するためのカラムドライノく 2 aが配置されている。 これら口ウド ライパ 1 a及びカラムドライノ 2 aによって画素が選択されるとともに、 その選 択された画素は各々輝度が制御されて発光することにより表示機能を果たす。
各サブ画素に形成される有機 E L素子の陰極電極 7は、 各行に独立して形成さ れている。 この陰極電極 7は、 図 8に示すように、 ポリシリコン形成領域 1 0 a を含む画素回路 3上には形成されておらず、 ロウドライバ 1 aの配線方向に連続 する 2以上の画素の有機 E L素子発光領域 5上、 及びこれら発光領域 5間に配置 されるカラムドライバ 2 aの配線上に形成されている。 陰極電極 7の電気的接続 は、 表示領域とロウドライバ形成領域間に形成された陰極電極配線 4に設けたコ ンタクトホール 6により行う。 口ゥドライバ 1 aから画素回路 3への配線と陰極 電極配線 7とは、 電気的独立が確保された多層配線構造よりなる。
なお、 図 7 a、 図 7 b及び図 8に示した構造は一例であり、 各々の画素におけ る有機 E L素子発光領域 5や画素回路 3の配置、 R G B 3原色のサブ画素の配列、 ロウドライバ l a、 カラムドライバ 2 a、 陰極電極配線 4の配置等は、 設計に応 じて任意に設定することができる。 また、 陰極電極 7と陰極電極配線 4との接続 は、 各々の画素 （すなわち、 3つの隣接するサブ画素） の 1辺で行っても対向す る 2辺で行ってもよい。
次に、 上記構成のアクティブマトリクス有機 E L表示装置の製造手順について、 図 8、 図 9 a及び図 9 bの工程断面図を用いて説明する。
図 9 aに示すように、 本実施例のアクティブマトリクス有機 E L表示装置の表 示基板には、 低温ポリシリコン T F T製造技術を用いて形成されたポリシリコン T F T及ぴその他の素子からなる画素回路 3やゲート線 1 1、 データ線 1 2、 電 力供給線 8、 陰極電極配,線 4等の各種配線が形成される。
画素回路 3は、 アモルファスシリコンをレーザァエール法やランプアニール法 により結晶化するポリシリコン層形成技術や、 半導体製造技術で良く知られた成 膜、 パターユング、 エッチング技術及びその他の技術を用いて形成することがで きる。 具体的には、 画素回路 3は次のようにして形成する。 まず、 ガラス等の透 光性の基板上に C V D法を用いてシリコン酸化膜等の絶縁膜を形成し、 その上に アモルファスシリコンを堆積し、 不純物ドーピング工程及ぴレーザァニール等の ポリシリ化工程を行った後、 レジスト塗布、 露光、 エッチング工程を経て、 T F T形成領域にポリシリコン 1 0を形成する。 次に、 シリコン酸化膜等からなるゲ ート絶縁膜と W S i (タングステンシリサイド） 等を順次堆積し、 同様に P R
(フォトレジスト） 塗布とエッチングを施してゲート電極、 ゲート配線 1 1を形 成した後、 不純物ドーピングを施すことによりポリシリコン T F Tを形成する。 そして、 C V D法を用いてシリコン酸化膜等からなる層間絶縁膜を堆積した後、 P R塗布及びエッチングによりコンタクトホールを形成し、 その上に A 1等を堆 積して P R塗布とエッチングを施してソース/ドレイン電極、 データ線 1 2、 電 力供給線 8、 陰極電極配線 4等を形成する。
なお、 基板上にポリシリコン T F Tを形成する前に、 T F T形成領域下層に W S iや金属等を堆積して遮光膜を形成してもよい。 また、 図 9 aに示した構造例 では、 ゲート線 （走査線） 1 1と、 データ線 1 2や陰極電極配線 4等の配線とを、 層間絶縁膜 （絶縁層 9 a ) を介して積層しているが、 図 1及び図 2に示した従来 の技術のように、 これらの配線を同一層に形成してその交差部をプリッジにより 接続する構造としてもよい。
上述のようにしてポリシリコン T F Tや各種配線を形成した基板上に、 各有機 E L素子 7 aの陽極 1 3となる I T O (Indium-Tin Oxide) 電極を形成した後、 有機 E L素子発光領域 5が開口し、 そのェッジがテーパ状になった絶縁層 9 bを、 C V D等による酸ィヒ膜層形成及び等方性エッチング技術により、 または光感光性 レジストのキュアによるエッジ鈍化技術により形成する。 その際、 本実施例では、 画素毎に陰極電極 7を分離して形成するため、 各々の陰極電極 7を陰極電極配線 4で接続するためのコンタクトホール 6も同時に形成する。 陰極電極 7の段切れ を防止するために、 このコンタクトホール 6のエッジもテーパ状に加工する。 そ の後、 有機 E L素子構造として公知である正孔注入層、 正孔輸送層、 発光層及び 電子輸送層を順に蒸着技術等で形成し有機層 1 4を形成する。 この有機層 1 4は、 正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層、 正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入 層あるいは発光層単独のいずれの構造でもよい。 また、 マトリクスカラー表示の 場合は、 画素ごとに発光層の材質を変えて積層する。
次に、 図 9 bに示すように、 例えば、 L i又は L i化合物と A 1とからなる陰 極電極 7を、 蒸着技術を用いて形成する。 ここで、 従来のアクティブマトリクス 有機 E L表示装置では、 陰極電極 7 (図 1の陰極 4 3 0 5、 図 4の陰極 1 4 9及 び保護電極 1 5 0 ) を表示領域全面に形成するため、 陰極電極 7と、 ロウドライ バ 1 a及びカラムドライバ 2 aと画素回路 3とを接続する配線との間に形成され る容量により、 信号が遅延して応答特性が劣化するという問題や、 電子ビーム蒸 着における X線の影響でポリシリコン T F Tの特性が劣化するという問題があつ た。 本実施例では、 これらの問題を同時に解決するために、 陰極電極 7を表示領 域全面に形成するのではなく、 図 8に示すように、 ポリシリコン T F Tや接続配 線を含む画素回路 3から所定の距離だけ離れた領域 （具体的には、 ポリシリコン 形成領域 1 0 aから L 1だけ離れた領域） に形成する。 その際、 画素回路 3上に 陰極電極 7が形成されないようにするために、 画素回路 3上を覆い隠す必要があ る。 し力 し、 陰極電極 7の下層には有機層 1 4が形成されているため、 レジスト パターンを用いて選択的に陰極電極 7を形成することはできなレ、。 そこで、 本実 施例では、 アンバーなどの金属板からゥヱットエッチング技術を用いて形成され る蒸着マスクを用いて陰極電極 7を形成する。 具体的には、 基板上に蒸着マスク を位置合わせして設置し、 その上から、 例えば膜厚が 5 0 0 n m程度の L i又は L i化合物と A 1とを堆積 （例えば、 リチウム 0 . l w t %アルミニウム共蒸 着） する。 このようにして蒸着マスクを用いて陰極電極 7を形成するが、 そのパ ターンは、 図 8に示した構成の場合は、 各行 （R G B 3原色の各サブ画素） の E L素子発光領域 5及び陰極電極配線 4上の各コンタクトホ"ル 6を含むような短 冊形状となる。 また、 陰極電極 7は、 各コンタクトホール 6を介して陰極電極配 線 4と電気的に接続する。 その後、 必要に応じて、 保護電極やパッシベーシヨン 膜を形成して表示基板を完成する。
上記のような蒸着マスクを用いて、 ポリシリコン T F Tや接続配線を含む画素 回路 3を保護することにより、 陰極電極 7と接続配線間の容量の発生を防止する ことができると共に、 X線によるポリシリコン T F Tの特' |·生劣化の恐れが無いた め、 陰極電極 7を形成するための蒸着工程に、 良質な蒸着膜が得られる電子ビー ム蒸着源を用いることができので、 有機 E L素子の特性の均一性向上、 量産性向 上を図ることができる。 なお、 蒸着マスクとしては、 強度を維持するために通常、 5 0 μ πι程度の莫厚を有するものを使用することが望ましい。 この程度の膜厚の 金属であれば、 電子ビーム蒸着源から発生する X線を十分に吸収することができ る。
上述のようにして形成されたアクティブマト.リクス有機 E L表示装置では、 口 ゥ側配線及び力ラム倒配線により選択された任意の一画素は、 電力供給線 8から 陽極 1 3を通じて、 また、 陰極電極配線 4を通じて、 陰極電極 7から有機 E L層 に電圧が印加される。 これにより、 所望の輝度で任意の有機 E L素子を発光させ ることができ、 表示装置としての機能を実現することができる。
なお、 図 8の例では、 設計通りの位置に陰極電極 7が形成された場合を図示し ており、 ポリシリコン形成領域 1 0 aと陰極電極 7の間の距離 （L 1及び L 2 ) は同じ距離とされている。 実際に表示装置を製作する場合、 陰極電極形成領域は、 ガラス基板上に形成したポリシリコン形成領域 1 0 aと目ズレが生じる可能性が ある。 そこで、 目ズレが生じても陰極電極 7がポリシリコン形成領域 1 0 aと平 面上重ならないように、 ポリシリコン形成領域 1 0 aと陰極電極 7間の距離 （ L 1及び L 2 ) を設定する必要がある。 現状の蒸着技術では上記目ズレが 2 0 μ πι 程度発生することを考慮すると、 ポリシリコン形成領域 1 0 aと陰極電極 7の間 の距離 （ 1及ぴ 2 ) は、 2 0 μ πι以上に設定することが好ましい。
[実施例 2 ]
次に、 本発明の第 2の実施例に係るアクティブマトリクス有機 E L表示装置及 びその製造方法について説明する。 図 1 0は、 本発明の第 2の実施例に係るァク ティブマトリクス有機 E L表示装置の構造を示す平面図である。
上述した第 1の実施例のものでは、 陰極電極 7を画素回路 3と重ならないよう に形成したが、 配線と陰極電極 7間の容量を更に低減するためには、 陰極電極が 極力、 配線と重ならないように形成することが好ましい。 そこで、 本実施例では、 陰極電極 7は、 ポリシリコン形成領域 1 0 a及び口ゥ側配線 （ゲート配線 1 1 ) の双方と重ならない領域に形成される。
本実施例のアクティブマトリクス有機 E L表示装置の製造方法は、 基本的には、 上述した第 1の実施例の場合と同様であるが、 行毎に、 有機 E L素子発光領域 5 及び陰極電極配線 4上のコンタクトホール 6を含む短冊形状の陰極電極 7を形成 する。 この場合も、 蒸着マスクを用いて、 電子ビーム蒸着により L i又は L i化 合物と A 1とからなる陰極電極 7を形成する。 なお、 ポリシリコン形成領域 1 0 aと陰極電極 7との距離 （L 1 ) 及びロウ側配線 （ゲート配線 1 1 ) と陰極電極 7との距離 （L 3 ) も、 目ズレを考慮して 2 0 m以上となるように設定するこ とが望ましい。
本実施例においても、 蒸着マスクによりポリシリコン T F Tを保護しているの で、 電子ビーム蒸着の際のポリシリコン T F Tの特性劣化を防止することができ る。 よって、 良質な蒸着膜が得られる電子ビーム蒸着源を用いることが可能とな り、 有機 E L素子の特性の均一性向上、 量産性向上を図ることができる。 また、 陰極電極 7がロウ側配線 （ゲート配線 1 1 ) よりも画素側に形成されるため、 第 1の実施例に比べて、 有機 E L発光領域 5は小さくなるものの、 陰極電極 7と口 ゥ側配線間の容量を少なくすることができるので、 更なる高速動作への対応が可 能となる。
以上説明した各実施例では、 有機 E L発光領域 5及び画素回路 3が各画素内で 同様に配置されているため、 陰極電極 7は単純な短冊形状としたが、 本発明は、 そのような形状に限定されるものではない。 陰極電極 7は、 ポリシリコン T F T を含む画素回路 3ゃゲート線 1 1等のロウ側配線と相重ならない形状であれば、 どのような形状にしてもよい。 伹し、 蒸着マスクは、 フォトマスクと異なり、 正 確な寸法で形成することが困難であり、 また、'位置合わせも難しいことから、 極 力単純な形状とすることが好ましく、 蒸着マスクの形状を単純化できるように、 画素回路 3の配置や画素の配列方向等を考慮してレイアウトすることが好ましい。 以上説明した本発明のアクティブマトリ.クス有機 E L表示装置及びその製造方 法によれば、 以下のような効果を奏する。 第 1の効果は、 特性ばらつきの少ない、 設計要求性能を有するポリシリコン T F Tにより構成された制御回路を具備するため、 スジゃムラのない高画質の表示 装置を実現することができる、 ということである。 その理由は、 蒸着工程により 形成される陰極電極を、 ポリシリコン T F T形成領域上には形成しないようにし たからである。 つまり、 蒸着工程において、 ポリシリコン T F Tは蒸着マスクに より保護されるため、 電子ビーム蒸着源を用いたことで基板が X線被爆したとし ても、 ポリシリコン T F Tの諸特性には影響せず、 設計通りの特性から得られる 表示画質を提供することができるからである。
第 2の効果は、 フレーム周波数を高く設定することができ、 フリツ力の少なレ、 高速動画対応可能な表示装置を実現することができるということである。 その理 由は、 陰極電極をロウドライバ及びカラムドライバからの配線上や口ゥ側配線上 に形成しないことにより、 これらの配線と陰極電極間に発生する容量を低減した からである。 この結果、 フレーム周波数を高く設定することが可能となり、 フリ ッ力の少ない高速動画対応可能な表示装置を実現することができる。 また、 容量 の低減により ドライバを低電力で動作させることが可能となり、 表示装置の低消 費電力化を図ることができる。

Claims

請求の範囲
1 . 互いに交差する複数のデータ線及び走査線によってマトリクス状に区 画された領域ごとに、 有機 E L素子と該有機 E L素子を制御するためのポリシリ コン T F Tとが隣接して配置された画素が形成されるアクティブマトリクス有機 E L表示装置であって、
前記有機 E L素子の陰極電極が、 少なくとも前記ポリシリコン T F T上の領域 を除く領域に設けられているアクティブマトリクス有機 E L表示装置。
2 . 前記陰極電極が、 前記データ線方向又は走査線方向に隣接する 2っ以 上の画素にわたって連続して設けられている、 請求項 1に記載のアクティブマト リクス有機 E L表示装置。
3 . 前記有機 E L素子は発光領域を含み、 前記陰極電極が、 前記隣接する 2つ以上の画素の前記発光領域を囲む、 または、 覆うように形成されている、 請 求項 2に記載のアクティブマトリタス有機 E L表示装置。
4 . 前記陰極電極が、 前記ポリシリコン T F T上の領域を除く領域で、 か つ、 前記画素の領域を区画するデータ線及び走査線のいずれか一方の配線上の領 域を除く領域に設けられている、 請求項 1に記載のアクティブマトリクス有機 E L表示装置。
5 . 前記陰極電極が、 前記一方の配線方向に隣接する 2つ以上の画素にわ たって連続して設けられている、 請求項 4に記載のアクティブマトリクス有機 E L表示装置。
6 . 前記有機 E L素子は発光領域を含み、 前記陰極電極が、 前記隣接する 2つ以上の画素の前記発光領域を囲む、 または、 覆うように形成されている、 請 求項 5に記載のアクティブマトリタス有機 E L表示装置。
7 . 互いに交差する複数のデータ線及ぴ走査線によってマトリクス状に区 画された領域ごとに、 有機 E L素子を含む画素が形成されるアクティブマトリク ス有機 E L表示装置であって、 前記有機 E L素子の陰極電極が、 少なくとも前記画素の領域を区画するデータ 線及び走査線のいずれか一方の配線上の領域を除く領域に、 該一方の配線方向に 隣接する 2つ以上の画素にわたって連続して設けられているアクティブマトリク ス有機 E L表示装置。
8 . 前記有機 E L素子は発光領域を含み、 前記陰極電極が、 前記隣接する 2つ以上の画素の前記発光領域を囲む、 または、 覆うように形成されている、 請 求項 7に記載のアクティブマトリクス有機 E L表示装置。
9 . 前記陰極電極と前記ポリシリコン T F Tが形成される領域の互いの対 向する端部の間隔が 2 0 μ πι以上である、 請求項 1から 6のいずれか 1項に記载 のアクティブマトリクス有機 E L表示装置。
1 0 . 前記陰極電極と前記一方の配線が形成される領域の互いの対向する 端部の間隔が 2 0 /i m以上である、 請求項 4から 8のいずれか 1項に記載のァク ティブマトリクス有機 E L表示装置。
1 1 . 前記隣接する 2以上の画素にわたって連続して設けられた陰極電極 は短冊状に形成されており、
前記短辺方向に延伸する少なくとも 1つの陰極電極配線をさらに有し、 前記陰極電極配線に沿って並ぶ前記短冊状の陰極電極がそれぞれ前記陰極電極 配線と接続されている、 請求項 2、 3、 5から 8のいずれか 1項に記載のァクテ イブマトリクス有機 E L表示装置。
1 2 . 前記陰極電極が、 リチウム又はリチウム化合物と、 アルミニウムと を含む蒸着膜からなる、 請求項 1から 8のいずれか 1項に記載のアクティブマト リクス有機 E L表示装置。
1 3 . 互いに交差する複数のデータ線及び走査線によってマトリタス状に 区画された領域ごとに、 有機 E L素子と該有機 E L素子を制御するためのポリシ リコン T F Tとが隣接して配置された画素が形成されるアクティブマトリクス有 機 E L表示装置の製造方法であって、
基板上に前記ポリシリコン T F Tを形成した後、 少なくとも該ポリシリコン T F Tの形成領域を覆う蒸着マスクを用いて、 前記有機 E L素子の陰極電極を電子 ビーム蒸着法により前記基板上に形成する工程を含むアクティブマトリクス有機 E L表示装置の製造方法。
1 4 . 前記陰極電極を前記データ線方向又は走査線方向に隣接する 2以上 の画素にわたって連続するように短冊状に形成する工程を含む、 請求項 1 3に記 載のアクティブマトリクス有機 E L表示装置の製造方法。
1 5 . 前記有機 E L素子は発光領域を含み、 前記陰極電極を前記隣接する
2つ以上の画素の前記発光領域を囲む、 または、 覆うように形成する工程を含む、 請求項 1 4に記載のアクティブマトリクス有機 E L表示装置の製造方法。
1 6 . 前記ポリシリコン T F Tの形成前に、 前記陰極電極の短辺方向に延 伸する少なくとも 1つの陰極電極配線を前記基板上に形成しておき、 前記短冊状 の陰極電極を形成する際に、 該形成される短冊状の陰極電極のそれぞれと前記陰 極電極配線とをコンタクトホールにより接続する工程を含む、 請求項 1 4に記載 のアクティブマトリクス有機 E L表示装置の製造方法。
1 7 . 前記陰極電極を、 リチウム又はリチウム化合物と、 アルミニウムとを 含む材料を用いて形成する工程を含む、 請求項 1 3から 1 6のいずれか 1項に記
>、マトリクス有機 E L表示装置の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113383381A (zh) * 2019-04-04 2021-09-10 深圳市柔宇科技股份有限公司 显示面板和显示装置

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7619258B2 (en) * 2004-03-16 2009-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7550769B2 (en) * 2004-06-11 2009-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device and semiconductor device
KR100699996B1 (ko) 2004-09-02 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 회로 측정용 패드를 포함하는 유기전계발광표시장치와 그제조방법
JP4747543B2 (ja) * 2004-09-29 2011-08-17 カシオ計算機株式会社 ディスプレイパネル
KR100685404B1 (ko) 2004-10-11 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US7868903B2 (en) * 2004-10-14 2011-01-11 Daktronics, Inc. Flexible pixel element fabrication and sealing method
US7893948B1 (en) 2004-10-14 2011-02-22 Daktronics, Inc. Flexible pixel hardware and method
US8001455B2 (en) * 2004-10-14 2011-08-16 Daktronics, Inc. Translation table
US8344410B2 (en) 2004-10-14 2013-01-01 Daktronics, Inc. Flexible pixel element and signal distribution means
US7572655B2 (en) * 2005-03-23 2009-08-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic devices having a layer overlying an edge of a different layer and a process for forming the same
JP4386128B2 (ja) * 2007-11-15 2009-12-16 ソニー株式会社 有機電界発光表示装置
KR101540341B1 (ko) * 2008-10-17 2015-07-30 삼성전자주식회사 패널 구조체, 패널 구조체를 포함하는 표시장치 및 이들의 제조방법
US20110058770A1 (en) * 2009-09-10 2011-03-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Sub-surface engraving of oled substrates for improved optical outcoupling
FR2964792A1 (fr) * 2010-09-10 2012-03-16 Thales Sa Dispositif d'interconnexion electrique a couche surperficielle conductrice transparente
JP5778961B2 (ja) * 2011-03-29 2015-09-16 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
JP6192153B2 (ja) * 2012-07-31 2017-09-06 日東電工株式会社 表示装置およびその製造方法
TWI479713B (zh) * 2012-09-06 2015-04-01 Ultimate Image Corp 有機半導體照明裝置
JP6221413B2 (ja) * 2013-06-27 2017-11-01 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
CN105093755A (zh) * 2015-08-28 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板
JP6715708B2 (ja) * 2016-07-08 2020-07-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN108630719A (zh) * 2017-03-24 2018-10-09 矽创电子股份有限公司 彩色光源结构
CN109427278B (zh) * 2017-08-31 2020-07-03 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02150823A (ja) * 1988-12-02 1990-06-11 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH04366819A (ja) * 1991-06-13 1992-12-18 Nec Corp アクティブマトリックス液晶ディスプレイ装置
JPH08184857A (ja) * 1994-12-29 1996-07-16 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH1124604A (ja) * 1997-07-02 1999-01-29 Seiko Epson Corp 表示装置
JP2000231346A (ja) * 1999-02-09 2000-08-22 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2305488B (en) * 1995-09-21 1999-04-28 Moog Inc Modular vibratory force generator, and method of operating same
JP4776792B2 (ja) 2000-02-28 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電気器具
JP4053209B2 (ja) * 2000-05-01 2008-02-27 三星エスディアイ株式会社 有機ｅｌディスプレイの製造方法
JP2002032057A (ja) * 2000-05-08 2002-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
US6690034B2 (en) * 2000-07-31 2004-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2002164181A (ja) * 2000-09-18 2002-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
JP2002358031A (ja) * 2001-06-01 2002-12-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
US6692326B2 (en) * 2001-06-16 2004-02-17 Cld, Inc. Method of making organic electroluminescent display
JP4182467B2 (ja) * 2001-12-27 2008-11-19 セイコーエプソン株式会社 回路基板、電気光学装置及び電子機器
KR100870013B1 (ko) * 2002-08-27 2008-11-21 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02150823A (ja) * 1988-12-02 1990-06-11 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH04366819A (ja) * 1991-06-13 1992-12-18 Nec Corp アクティブマトリックス液晶ディスプレイ装置
JPH08184857A (ja) * 1994-12-29 1996-07-16 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH1124604A (ja) * 1997-07-02 1999-01-29 Seiko Epson Corp 表示装置
JP2000231346A (ja) * 1999-02-09 2000-08-22 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113383381A (zh) * 2019-04-04 2021-09-10 深圳市柔宇科技股份有限公司 显示面板和显示装置

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