WO2004010551A1 - レーザモジュール及びレーザモジュールの製造方法 - Google Patents

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WO2004010551A1
WO2004010551A1 PCT/JP2003/009395 JP0309395W WO2004010551A1 WO 2004010551 A1 WO2004010551 A1 WO 2004010551A1 JP 0309395 W JP0309395 W JP 0309395W WO 2004010551 A1 WO2004010551 A1 WO 2004010551A1
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parallel beam
etalon
laser
lens
laser module
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PCT/JP2003/009395
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English (en)
French (fr)
Inventor
Toshiki Nishizawa
Isao Nishi
Original Assignee
Ntt Electronics Corporation
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    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/0687Stabilising the frequency of the laser
    • HELECTRICITY
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    • H01S5/00Semiconductor lasers
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    • H01S5/022Mountings; Housings
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    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H01S5/02326Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
    • HELECTRICITY
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    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02216Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a laser module and a laser module.
  • the present invention relates to a laser module having a wavelength lock function for stabilizing the wavelength of laser light emitted by a laser and a method of manufacturing the same.
  • FIG. 1 is a top view showing the configuration of a conventional laser module 50.
  • the laser module 50 includes a laser diode (hereinafter, referred to as “LD”) 51, a lens 52, a etalon 53, and a photodiode (hereinafter, referred to as “photo diode”). It is composed of 54, 55, a beam splitter 56, a package 57, and a carrier 58.
  • LD laser diode
  • photo diode a photodiode
  • the LD 51 emits laser light.
  • the front output (output to the left in FIG. 1) of the LD 51 is guided to the outside of the laser module 50 via a lens, an isolator, and a fiber, and is used as normal output light. In FIG. 1, the front output is not shown.
  • the LD 51 receives the laser beam 5 of the rear output (output to the right in FIG. 1) into the lens 52.
  • the lens 52 converts the laser beam 5 from the LD 51 into a parallel beam 6 and enters the beam splitter 56.
  • the beam splitter 56 splits the parallel beam 6 into two parallel beams 6a and a parallel beam 6b. Beam splitters 5 and 6 The beam 6a is incident on the PD 55, and the other parallel beam 6b is incident on the etalon 53. The etalon 53 transmits a specific wavelength parallel beam 7 having a specific wavelength included in the parallel beam 6 b and enters the PD 54.
  • PD 55 is a light receiving element for power monitoring.
  • the PD 55 detects a change in the output intensity of the laser beam 5 by detecting a change in the received light intensity of the parallel beam 6a which is incident from the beam splitter 56 and received.
  • PD 54 is a light receiving element for wavelength control. Since the etalon 53 has sharp wavelength selectivity, if the wavelength of the laser light 5 emitted from the LD 51 changes, the transmittance of the etalon 53 changes greatly. Therefore, the PD 54 detects the change in the wavelength of the laser beam 5 by detecting a change in the received light intensity of the parallel beam 7 of the specific wavelength received and received from the etalon 53.
  • the laser module 50 simultaneously detects a change in the output intensity of the laser beam 5 detected by the PD 55. In the laser module 50, whether the variation in the received light intensity of the specific wavelength parallel beam 7 received by the PD 54 is due to the variation in the wavelength of the laser beam 5 or the variation in the output intensity of the laser beam 5 Cut off. In the laser module 50, after performing such division, the fluctuation of the wavelength of the laser light 5 is fed back to the LD 51 side to stabilize the wavelength of the laser light.
  • the LD 51, lens 52, etalon 53, PD 54, 55, and beam splitter 56 are arranged on a carrier 58 and housed in a package 57.
  • a parallel beam 6 is incident on a PD 35, which is a light receiving element for monitoring, by using a separating element such as a beam splitter 56, and a parallel beam 6a.
  • the parallel beam 6a is directly incident on the PD 55, and the wavelength-specific parallel beam 7 extracted from the parallel beam 6b by the etalon 53 is incident on the PD 54, which is a light-receiving element for wavelength control.
  • a branching element such as a beam splitter 56 branches the parallel beam 6 into a parallel beam 6a and a parallel beam 6b that are orthogonal to each other.
  • the laser module 50 splits when the PD 54 into which the wavelength-specific parallel beam 7 extracted from the parallel beam 6b by the etalon 53 is incident in the direction in which the parallel beam 6 travels.
  • the PD 55 receiving the other parallel beam 6a is moved in the direction perpendicular to the direction (the Y-axis direction shown in FIG. 1) instead of the direction in which the parallel beam 6 travels (the X-axis direction shown in FIG. 1). That is, the structure was arranged beside the path along which the parallel beam 6 travels. As a result, it was difficult to reduce the size of the laser module 50.
  • the etalon 53 reflected the parallel beam 6b, and the reflected light returned to the LD 51. For this reason, the reflected light from the ETA53 was affecting the LD51. Furthermore, the reflected light returned from the etalon 53 is reflected again by the LD 51, the PD 54 returns the reflected light of the specific wavelength parallel beam 7 to the etalon 53, and the etalon 53 reflects again. For this reason, multiple reflections have occurred between the components constituting the laser module 50. The multiple reflection noise was superimposed on the characteristics of the etalon 53 and affected the PD 54.
  • the PD 54 was incident from the etalon 53, and the fluctuation of the received light intensity of the parallel beam 7 of the specific wavelength to be received was affected. As a result, the operation of detecting the wavelength change of the laser beam 5 performed by the PD 54 has been affected. Therefore, it was difficult for the laser module 50 to stabilize the wavelength of the laser light 5. As described above, in the conventional laser module 50, the LD 51 may not be able to operate stably.
  • an object of the present invention is to provide a laser module and a method of manufacturing a laser module that can improve the yield, reduce the cost, and reduce the size, and can operate the laser stably. . Disclosure of the invention
  • the laser module of the present invention converts a laser beam from a laser into a parallel beam with a laser that emits a laser beam, and the parallel beam is parallel to a first direction parallel to the optical axis center of the laser beam.
  • a lens provided so as to be emitted at an angle, and a specific wavelength having a specific wavelength included in the parallel beam that is provided so that a part of the parallel beam from the lens is incident.
  • a wavelength selection control element that transmits a parallel beam, a first light reception element that receives a parallel beam from a lens, and a second light reception element that receives a specific wavelength parallel beam from the wavelength selection control element.
  • first direction parallel to the center of the optical axis of the laser light emitted from the laser is referred to as “first direction”.
  • the wavelength selection control element is provided so that a part of the parallel beam from the lens is incident, and the specific wavelength parallel beam having a specific wavelength included in the incident parallel beam.
  • the laser module converts the parallel beam from the lens
  • the beam can be easily separated into the parallel beam from the lens as it is and the specific wavelength parallel beam extracted from the parallel beam from the lens without using other components such as a beam splitter. Therefore, in the laser module, the number of components and the number of manufacturing steps can be reduced, and the yield can be improved and the price can be reduced.
  • the wavelength selection control element is provided so that a part of the parallel beam from the lens is incident, and only transmits the specific wavelength parallel beam. Therefore, the parallel beam and the specific wavelength parallel beam travel in the same direction. Therefore, the first light receiving element that receives the parallel beam from the lens as it is and the second light receiving element that receives the specific wavelength parallel beam from the wavelength selection control element move in the same direction in which the parallel beam travels. Can be arranged. As a result, in the laser module, the laser, the lens, the wavelength selection control element, the first light receiving element, and the second light receiving element can be arranged substantially linearly, and the size of the laser module can be reduced. .
  • the lens is provided such that the parallel beam exits at an angle to the first direction. Therefore, in the laser module, when a parallel beam is incident from the lens, the reflected light of the parallel beam generated by the wavelength selection control element can escape to the upper side of the laser or to the side of the laser. Therefore, the laser module can suppress the reflected light from returning to the laser. As a result, the laser module can operate the laser stably.
  • the wavelength selection control element is provided to be inclined with respect to the parallel beam so that the parallel beam does not enter the side surface of the wavelength selection control element.
  • the “side surface of the wavelength selection control element” refers to the side surface of the wavelength selection control element when the incident surface on which the parallel beam from the lens enters the wavelength selection control element is front.
  • the laser module performs wavelength selection control. A parallel beam can be prevented from being incident on the side surface of the element. As a result, no reflected light of the parallel beam is generated from the side surface of the wavelength selection control element. Therefore, the reflected light from the side surface does not affect the first and second light receiving elements and does not return to the laser. Therefore, in the laser module, the laser can be operated stably.
  • the angle of inclination of the wavelength selection control element with respect to the parallel beam is determined by changing the angle of inclination so that the parallel beam does not enter the side surface of the wavelength selection control element. It is preferable that the angle is set to the angle at the midpoint between the adjacent maximum point and minimum point.
  • the laser module can set the inclination angle of the wavelength selection control element to an angle at which the fluctuation of the monitor current value of the second light receiving element becomes large.
  • the sensitivity of the second light receiving element for detecting the fluctuation of the received light intensity of the parallel beam with the specific wavelength can be improved. Therefore, the laser module can perform highly accurate wavelength control based on the detection result.
  • the first light receiving element and the second light receiving element receive the reflected light of the parallel beam from the first light receiving element and the reflected light of the specific wavelength parallel beam from the second light receiving element to the wavelength selection control element. Preferably, it is provided so as not to enter. According to this, it is possible to prevent multiple reflections from occurring between the wavelength selection control element, the first light receiving element and the second light receiving element. Therefore, the laser module can operate the laser stably.
  • a lens for converting a laser beam from a laser into a parallel beam is emitted so that the parallel beam is emitted at an angle with respect to the first direction.
  • a plurality of light-receiving elements at the position where the parallel beam is incident, and a specific wavelength parallel beam having a specific wavelength included in the parallel beam in the parallel beam incident on one of the light-receiving elements The wavelength selection control element that transmits the beam is arranged at an angle with respect to the parallel beam so that the parallel beam does not enter the side surface of the wavelength selection control element.
  • the lens is arranged with respect to the laser such that the parallel beam is emitted at an angle with respect to the first direction. Therefore, the reflected light of the parallel beam generated by the wavelength selection control element can escape to the upper side of the laser or to the side of the laser. Therefore, it is possible to manufacture a laser module capable of suppressing reflected light from returning to the laser and operating the laser stably.
  • a wavelength selection control element that transmits a specific wavelength parallel beam having a specific wavelength included in the parallel beam in a parallel beam incident on any of the plurality of arranged light receiving elements is provided. Deploy. Therefore, the parallel beam from the lens can be easily divided into the parallel beam from the lens as it is and the specific wavelength parallel beam extracted from the parallel beam from the lens without using other parts such as the Peas splitter. Laser module that can be manufactured. Therefore, this manufacturing method can reduce the number of components constituting the laser module and the number of manufacturing steps, thereby improving the yield and reducing the cost.
  • the wavelength selection control element is arranged in a parallel beam incident on any of the plurality of light receiving elements and only transmits a specific wavelength parallel beam. Therefore, the parallel beam and the specific wavelength parallel beam are in the same direction. Proceed to. Therefore, in this manufacturing method, the light receiving element that receives the parallel beam from the lens as it is and the light receiving element that receives the specific wavelength parallel beam from the wavelength selection control element are arranged in the same direction in which the parallel beam travels. Can be. As a result, the size of the laser module can be reduced.
  • the wavelength selection control element is replaced with the wavelength selection control element.
  • the beam is inclined with respect to the parallel beam so that the parallel beam does not enter the side of the child. Therefore, it is possible to manufacture a laser module that prevents a parallel beam from being incident on the side surface of the wavelength selection control element. As a result, no reflected light of the parallel beam is generated from the side surface of the wavelength selection control element. Therefore, the reflected light from the side surface does not affect the plurality of light receiving elements and does not return to the laser. Therefore, a laser module that can operate the laser stably can be manufactured.
  • the plurality of light receiving elements so that the reflected light of the parallel beam and the specific wavelength parallel beam from the plurality of light receiving elements does not enter the wavelength selection control element.
  • a laser module capable of preventing occurrence of multiple reflection between the wavelength selection control element and the plurality of light receiving elements can be manufactured, and the laser can be operated stably.
  • FIG. 1 is a top view showing the configuration of a conventional laser module.
  • FIGS. 2A and 2B are diagrams showing a configuration of the laser module according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a graph showing characteristics of the laser module 10 according to the embodiment of the present invention.
  • 4A and 4B are diagrams showing a method of adjusting the position of the lens according to the embodiment of the present invention.
  • 5A and 5B are diagrams showing a method of adjusting the position of the lens according to the embodiment of the present invention.
  • 6A and 6B are diagrams showing a method for arranging PDs according to the embodiment of the present invention.
  • FIGS. 7A and 7B show the inclination angle of the etalon according to the embodiment of the present invention. It is a figure showing a setting method.
  • FIG. 8 is a graph showing the relationship between the etalon tilt angle and the value of the monitor current according to the embodiment of the present invention.
  • 9A to 9D are views showing a method for determining the position of the etalon in the S direction according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a graph showing the relationship between the position of the etalon in the S direction and the value of the monitor current according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a graph showing the relationship between the position of the etalon in the S direction and the value of the monitor current according to the comparative example.
  • FIG. 12 is a top view showing a configuration of a laser module according to a modification of the present invention.
  • FIG. 13 is a top view showing the configuration of another laser module according to a modification of the present invention.
  • FIG. 2A and 2B are diagrams showing the configuration of the laser module 10.
  • FIG. 2A is a top view of the laser module 10.
  • FIG. 2B is a sectional view taken along line AA of FIG. 2A.
  • the laser module 10 includes a laser diode (hereinafter referred to as “LD”) 11, a lens 12 a, a lens 12 b, an etalon 13, and a photodiode (hereinafter referred to as “PD”). 14), PD 15, pedestal 16, package 17, carrier 18, isolator 19, thermistor 20, Peltier element 21, holding member 22 a To 22 e. PD 14 and PD 15 14 a, light receiving section 15 a.
  • LD laser diode
  • PD photodiode
  • the LD 11 is a laser that emits laser light. Therefore, the first direction is a direction parallel to the optical axis center of the laser light 1 emitted from the LD 11 (the X-axis direction shown in FIGS. 2A and 2B).
  • the forward output (output to the left in FIGS. 2A and 2B) of LD 11 is a constant output intensity and a constant output via lens 12b, isolator 19, fiber (not shown), etc.
  • the laser light having a wavelength is guided to the outside of the laser module 10 and used.
  • illustration of the front output of the LD 11 is omitted.
  • the LD 11 emits the laser beam 1 of the rear output (output to the right in FIGS. 2A and 2B) to the lens 12a.
  • the lens 12 a converts the laser beam 1 from the LD 11 into a parallel beam 2.
  • the lens 12 a enters a part of the converted parallel beam 2 into the etalon 13.
  • the lens 12a causes the remaining portion of the parallel beam 2 to travel straight as it is and enters the light receiving portion 15a of the PD 15.
  • the converted parallel beam 2 is divided into two regions.
  • a collimated overnight lens can be used as the lens 12a.
  • the angle between the parallel beam 2 emitted from the lens 12a and the first direction is represented by “tilt angle ⁇ ”.
  • the etalon 13 is provided so that a part of the parallel beam 2 from the lens 12a enters.
  • the etalon 13 is a wavelength selection control element that selectively transmits the specific wavelength parallel beam 3 included in the incident parallel beam 2.
  • the specific wavelength parallel beam 3 is a parallel beam having a specific wavelength.
  • the etalon 13 makes the specific wavelength parallel beam 3 incident on the light receiving part 14 a of the PD 14.
  • the etalon 13 has an initial transmission for the wavelength of the laser beam 1 emitted from the LD 11 to be maintained by the laser module 10 (hereinafter referred to as “lock wavelength”).
  • the excess ratio is set according to the inclination angle with respect to the parallel beam 2.
  • Etalon 13 has sharp wavelength selectivity. Therefore, when the wavelength of the laser beam 1 emitted from the LD 11 changes from the lock wavelength, the transmittance of the etalon 13 also changes from the initial transmittance.
  • the direction orthogonal to the boundary surface between the parallel beam 2 and the specific wavelength parallel beam 3 (Y-axis direction shown in Fig. 2A and Z or Z-axis direction shown in Fig. 2B) is referred to as "second Direction. " Then, as shown in FIG. 2A, the angle between the incident surface 13a of the etalon 13 and the second direction is expressed as "the tilt angle 0 of the etalon 13".
  • the PD 14 is a light receiving element for wavelength control (AFC: Automatic Frequency Control).
  • the PD 14 is a second light receiving element that receives the specific wavelength parallel beam 3 from the etalon 13.
  • the light receiving section 14 a receives the specific wavelength parallel beam 3.
  • the PD 14 can detect the change in the transmittance of the etalon 13 as the change in the received light intensity of the parallel beam 3 of the specific wavelength received and received from the etalon 13.
  • the fluctuation of the received light intensity detected by PD 14 depends on the drive current circuit of LD 11 (hereinafter referred to as “LD drive current circuit”) and the temperature of LD 11 such as thermistor 20 and Peltier device 21. Feedback is provided to the temperature control means for controlling the temperature.
  • the LD drive current circuit and the temperature control means such as thermistor 20 and the Peltier element 21 detect the fluctuation of the wavelength of the laser beam 1 based on the fluctuation of the received light intensity detected by the PD 14.
  • the control for stabilizing the wavelength of the forward output of the LD 11 is performed. 2A and 2B, the illustration of the LD drive circuit is omitted.
  • PD 15 is a light receiving element for power monitor (APC: Automatic Power Control).
  • PD 15 is the same as lens 1 2a This is the first light receiving element that receives the parallel beam 2.
  • the light receiving section 15a receives the parallel beam 2.
  • the PD 15 detects a change in the received light intensity of the parallel beam 2 received and received from the lens 12a, and directly detects a change in the output intensity of the laser beam 1 (rear output).
  • the fluctuation of the output intensity detected by the PD 15 is fed back to the LD drive current circuit and temperature control means such as the semiconductor device 20 and the Peltier device 21.
  • the LD drive current circuit and the temperature control means such as the semiconductor device 20 and the Peltier device 21 detect the LD intensity based on the fluctuation of the output intensity of the laser beam 1 (rear output) detected by the PD 15. 11. Control to stabilize the output intensity of the front output of 1; that is, perform power monitoring.
  • the received light intensity of the specific wavelength parallel beam 3 received by the PD 14 fluctuates even when the output intensity of the laser light 1 fluctuates. Therefore, the LD drive current circuit and the temperature control means such as thermistor 20 and the Peltier element 21 use the fluctuation of the output intensity of the laser beam 1 detected by the PD 15 to It distinguishes whether the fluctuation of the received light intensity of the wavelength parallel beam 3 is caused by the fluctuation of the wavelength of the laser light 1 or the fluctuation of the output intensity of the laser light 1.
  • the LD drive current circuit and the temperature control means such as thermistor 20 and Peltier element 21 perform such separation and receive the specific wavelength parallel beam 3 fed back from PD 14 or PD 15.
  • control is performed to keep the wavelength and output intensity of the front output of the LD 11 constant.
  • a temperature control circuit other than the thermistor 20 and the Peltier element 21 can be used.
  • LD 11 is placed on pedestal 16. Also, the lens 12 a, the hood 13, the PD 14, 15, the lens 12 b, and the isole 19 are respectively arranged on the holding members 22 a to 22 e and held. You.
  • the LD 11, the lens 12 a, the etalon 13, the PD 14, 15, the lens 12 b, and the isolator 19 are connected to the carrier 18 via the pedestal 16 and the holding members 22 a to 22 e. Above, are arranged almost linearly.
  • the thermistor 20 is also arranged on the carrier 18. Then, the carrier 18 on which these members are arranged is arranged on the Peltier element 21 and housed in the package 17.
  • the carrier 18 has a convex portion at the portion that holds the LD 11 via the pedestal 16 so that the LD 11 is positioned at a predetermined height. ⁇
  • the temperature of the etalon 13 changes due to thermal radiation and convection caused by a change in temperature outside the laser module 10.
  • the wavelength transmission characteristic of the etalon 13 changes according to the temperature of the etalon 13.
  • the phase of the PD 14 shifts, and the lock wavelength drifts.
  • the holding member 22b is preferably formed of a material having high thermal conductivity and a thermal expansion coefficient equal to or close to the thermal expansion coefficient of the material of the ethanol 13.
  • the holding member 22b is preferably formed of aluminum nitride.
  • the laser module 10 may be provided with an etalon 13 having a lower height and a larger bottom area than the conventional one.
  • an etalon 13 whose height is 1.5 mm, which is 0.75 times the conventional value, and whose bottom area is twice the conventional area.
  • the height and bottom area of the etalon 13 are laser It can be appropriately selected according to the structure of the module 10 and the device using the laser module 10. According to this, the thermal conductivity between the Peltier element 21 and the etalon 13 can be improved, and the temperature of the etalon 13 can be stabilized against an external temperature change. Therefore, the effects of heat radiation and convection on the etalon 13 can be reduced.
  • each component will be described in detail.
  • the lens 12 a is preferably arranged such that the position of incidence of the laser beam 1 from the LD 11 on the lens 12 a is offset from the center of the lens 12 a. .
  • the lens 12a can emit the parallel beam 2 while tilting it upward from the first direction.
  • the center of the lens 12 a is adjusted by adjusting the height of the holding member 22 a (in the Z-axis direction shown in FIG. 2B). Is offset by ⁇ Y above the center of LD 11.
  • the incident position of the laser beam 1 from the LD 11 on the lens 12a is set so as to be located slightly below the center of the lens 12a.
  • it can be adjusted so that the parallel beam 2 emitted from the lens 12a is emitted upward from the first direction by the inclination angle ⁇ .
  • the parallel beam 2 enters the etalon 13 with an inclination angle ⁇ from the first direction.
  • the parallel beam 2 is incident from the lens 12a, and the parallel beam 2 generated on the entrance surface 13a of the etalon 13 is formed.
  • the reflected light can escape to the upper side of the LD 11. That is, the reflected light from the entrance surface 13a of the etalon 13 returns to the direction of the lens 12a and passes through the lens 12a. Then reflected light Return to the upper part of the center of the active layer, which is the light emitting source of LD 11, where there is no reflector.
  • the spot radius (power is e ⁇ 2 ) of the reflected light converged from the etalon 13 to the space above LD 11 is 1 m, and the distance between the center of the active layer of LD 11 and the top surface of LD 11 is It is assumed that the reflected light returns to the position where the distance from the upper surface of the LD 11 to the upper side is ⁇ for several meters. In this case, if ⁇ is ensured to be 10 xm or more, the reflected light is focused on the space above LD 11 without focusing on the upper end of LD 11.
  • (5) is preferably set in consideration of the tolerance at the time of adjusting the position of the lens 12a and at the time of manufacturing the laser module 10.
  • the relationship between the distance 3 from the upper surface of the LD 11 and the amount of lens offset, that is, the amount of offset ⁇ 5 Y so that the center of the lens 12 a is located above the center of the LD 11 is It can be expressed by the following equations (1) and (2).
  • is the tilt angle
  • f is the focal length of the lens.
  • the reflected light from the etalon 13 from returning to the LD 11 and entering the same. Furthermore, multiple reflection between the LD 11 and the etalon 13 that occurs when the reflected light from the etalon 13 enters the LD 11 can be suppressed. As a result, the reflected light from etalon 13 affects LD 11 Giving can be prevented. Furthermore, the multiple reflection noise between the LD 11 and the etalon 13 affects the PDs 14 and 15 and the etalon 13 and the received light intensity of the specific wavelength parallel beam 3 that the PDs 14 and 15 perform. It can be prevented from affecting the detection operation of the fluctuation and the fluctuation of the output intensity of the laser beam 1 (rear output).
  • the accuracy of the detection operation of PDs 14 and 15 can be improved. Therefore, the LD drive current circuit and the temperature control means such as the semiconductor device 20 and the Peltier device 21 can accurately control the wavelength and output intensity of the forward output of the LD 11. Therefore, the laser module 10 can operate the LD 11 stably.
  • the lens 12 a is provided so that the parallel beam 2 is emitted above the first direction, and the parallel beam 2 having the inclination angle ⁇ is incident on the etalon 13.
  • the etalon 13 is merely disposed with the inclination angle S from the second direction and the parallel beam 2 having no inclination angle ⁇ is incident on the etalon 13, the above-described effect is obtained. It is not possible. In this case, the image forming position of the reflected light on the rear surface of the LD 11 is shifted by ⁇ with respect to the position of the spot on the LD rear surface. Then, the following equation (3) holds.
  • becomes 158 m. Therefore, assuming that the chip width of LD 11 is 400 m and considering the reflection from the side surface of LD 11 and base 16, LD 11 receives the reflected light from etalon 13. Further, the LD 11 reflects the reflected light from near the rear surface of the LD 11. Therefore, the most effective way to prevent multiple reflections between LD 11 and etalon 13 is to make the reflected light of parallel beam 2 from etalon 13 pass above LD 11 It can be said that the lens 12a is provided so that the parallel beam 2 is emitted above the first direction. You. As described above, it is preferable that the lens 12 a be provided so that the reflected light from the etalon 13 escapes above the LD 11.
  • the etalon 13 is preferably provided to be inclined with respect to the parallel beam 2 so that the parallel beam 2 does not enter the side surface 13 b of the etalon 13.
  • the etalon 13 is tilted with respect to the parallel beam 2 by rotating the etalon 13 counterclockwise in FIG. 2A from the state where the entrance surface 13 a of the etalon 13 is parallel to the second direction. It can be provided.
  • the etalon 13 is provided at a tilt angle of 0 with respect to the parallel beam 2 by rotating counterclockwise in FIG. 2A.
  • the parallel beam 2 from the lens 1 2a is incident on the side 13b of the etalon 13 when the incident surface 13a incident on the etalon 13 is facing the front. It can be prevented from being incident. As a result, no reflected light of the parallel beam 2 is generated from the side surface 13 b of the etalon 13. Therefore, the reflected light from the side surface 13b enters the PDs 14 and 15 and becomes noise of the PDs 14 and 15 and the reflected light from the side surface 13b returns to the LD 11 None.
  • the laser module 10 can improve the accuracy of the PD 14, 15 detection operation. Therefore, the LD drive current circuit and temperature control means such as thermistor 20 and Peltier element 21 are not It is possible to precisely control the wavelength of the force and the output intensity. Therefore, the laser module can operate LD 11 stably.
  • the holding member 2 2b is positioned so that the etalon 13 is positioned at the height where the parallel beam 2 is incident with the etalon 13 tilted from the second direction by the tilt angle 0 from the second direction. Height is adjusted.
  • the PDs 14 and 15 are rotated counterclockwise in FIG. 2A from a state orthogonal to the parallel beam 2 in FIG. 2A, as shown in FIG. 2A, to form a parallel beam 2 and a specific wavelength parallel beam 3. It is preferable that it is provided to be inclined with respect to. According to this, the PD 14, 15 receives the reflected light of the specific wavelength parallel beam 3 from the PD 14 and the reflected light of the parallel beam 2 from the PD 15 without entering the etalon 13, It is provided so as to deviate from the etalon 13. This setting can prevent multiple reflections from occurring between the etalon 13 and the PDs 14 and 15.
  • the noise of the multiple reflection affects the PDs 14, 15 and the etalon 13. It is possible to prevent the change in the output intensity of the laser beam 1 (rear output) from being affected. Therefore, the laser module 10 can improve the accuracy of the detection operation of the PDs 14 and 15. Therefore, the LD drive current circuit and the temperature control means such as the thermistor 20 and the Peltier element 21 can precisely control the wavelength and output intensity of the forward output of the LD 11 and lock the wavelength. . Therefore, the laser module 10 can operate the LD 11 stably.
  • the parallel beams 2 and the specific wavelength parallel beam 3 are incident on the PDs 14 and 15 with the parallel beam 2 and the specific wavelength parallel beam 3 having an inclination angle from the second direction with respect to the parallel beam 2 and the specific wavelength parallel beam 3.
  • the height of the holding member 22c is adjusted so that it is It is.
  • FIG. 3 shows the characteristics of PDs 14 and 15 of laser module 10 described above.
  • the vertical axis is the monitor current value I pd (unit: / XA) output by PDs 14 and 15, and the horizontal axis is the frequency (unit is TH z).
  • the solid line shows the characteristics of PD 14, and the dotted line shows the characteristics of PD 15.
  • the frequency specified by the International Telecommunication Union (ITU) -Grid standard the frequency at which the monitor current value output by the PD 14 changes remarkably (The circled area in Fig. 3).
  • the monitor current value output from the PD 14 can change greatly even with a slight change in the wavelength of the laser light 1. Therefore, the PD 14 can feed back the fluctuation of the received light intensity of the specific wavelength parallel beam 3 detected with high accuracy to the LD control circuit and the temperature control means. As a result, the LD control circuit and the temperature control means can appropriately lock the wavelength of the laser light 1 by appropriately controlling the wavelength of the forward output of the LD 11 to be always constant. In this manner, the laser module 10 can provide a locked sharp laser wavelength.
  • the pedestal 16 is placed on the carrier 18, and the LD 11 is placed on the pedestal 16. (First step: lens arrangement)
  • the first step of arranging the lens 12a on the LD 11 is performed.
  • the lens 12a is arranged with respect to the LD 11 so that the parallel beam 2 is emitted above the first direction. Specifically, as shown in FIG. 2B, the parallel beam 2 from the lens 12a moves upward from the first direction by an inclination angle. Adjust and fix the position of lens 12a so that it is emitted.
  • the method of adjusting the position of the lens 12a will be described with reference to FIGS. 4A, 4B, 5A, and 5B.
  • the position of the lens 12a is adjusted using an infrared camera.
  • the lens 12a is arranged so that the center of the lens 12a and the center of the LD 11 coincide.
  • the position of the lower surface of the lens 12a at this time is the line C in FIG. 4A.
  • the lens 12a enters the converted parallel beam 2 into the lens 23 of the infrared camera.
  • FIG. 4B is an image 25 of the parallel beam 2 projected on the image monitor screen 24 of the infrared camera when the lens 12a is arranged as shown in FIG. 4A.
  • the image 25 of the parallel beam 2 is located at the center of the image monitor screen 24. Set up the infrared camera.
  • FIG. 5B is an image 25 of the parallel beam 2 projected on the image monitor screen 24 of the infrared camera when the lens 12a is moved upward as shown in FIG. 5A.
  • the image 25 displayed on the image monitor screen 24 along with the movement of the lens 12a also moves from the center position of the image monitor screen 24 shown in FIG. 4B. Move upward.
  • the position of the image 25 on the image monitor screen 24 when the parallel beam 2 from the lens 12a is emitted upward from the first direction by the tilt angle ⁇ (hereinafter referred to as the “specified position”) ) Is calculated in advance from the lens 12a and the focal position of the infrared camera.
  • the lens 12a is fixed.
  • the center of 12 a is arranged at an offset position such that it is located ⁇ 5 Y above the center of LD 11. That is, the lens 12a is arranged at a position where the parallel beam 2 from the lens 12a is emitted upward from the first direction by the inclination angle ⁇ .
  • the lens 12a at the offset position should be placed on the carrier 18 with the holding member 22a holding the lens 12a shown in Fig. 2B and the height adjusted. Can be performed. (2nd process: PD arrangement)
  • a second step of arranging the PDs 14, 15 at the position where the parallel beam 2 is incident is performed.
  • set the inclination angles of PD14 and PD15 As shown in FIG. 6A, the PDs 14, 15 are rotated clockwise in FIG. 6A from a state perpendicular to the parallel beam 2 in the top view shown in FIG. When tilted with respect to the parallel beam 3, the reflected light 4 from the PDs 14 and 15 enters the etalon 13 as shown by the arrow in FIG. 6A.
  • the PDs 14, 15 are rotated counterclockwise in FIG. 6B from the state perpendicular to the parallel beam 2 in the top view shown in FIG. Or the parallel beam 3 with a specific wavelength.
  • the PDs 14, 15 are rotated counterclockwise in FIG. 6B and tilted, and the amount of light received by the PDs 14, 15 is adjusted.
  • the PDs 14 and 15 are placed at the position where the parallel beam 2 is incident while tilted.
  • the PDs 14, 15 are moved back and forth (as shown in FIG. 6B) in a direction (S direction shown in FIG. 6B) orthogonal to the parallel beam 2 in the top view shown in FIG. 6B. (Positive side and negative side) to adjust the amount of parallel beam 2 received by PDs 1, 4, and 15. That is, the PDs 14 and 15 are moved in the directions indicated by arrows D and E in FIG. 6B to adjust the amount of light received by the PDs 14 and 15.
  • the light intensity of the parallel beam 2 received by the PDs 14, 15 is almost the desired value of the received light intensity (Optical Power) of the parallel beam 2 and the specific wavelength parallel beam 3 that the PDs 14, 15 receive. Adjust as follows.
  • the parallel beam 2 is directly incident on PD 15.
  • a specific wavelength parallel beam 3 having a specific wavelength transmitted by the etalon 13 is actually incident on the PD 14. Therefore, the PD 14 is adjusted so that the parallel beam 2 having a larger amount of light than the PD 15 is incident.
  • the light amount of the parallel beam 2 received by the PD 15 and the light amount of the specific wavelength parallel beam 3 received by the PD 14 become substantially equal, and the light receiving intensity of the specific wavelength parallel beam 3 in the PD 14 and the light intensity in the PD 15 Adjust so that the received light intensity of the parallel beam 2 is almost equal.
  • the ratio of the light amount of the parallel beam 2 received by the PD 14 to the light amount of the parallel beam 2 received by the PD 15 is adjusted to be about 2: 1. .
  • the ratio between the light quantity of the parallel beam 2 received by the PD 14 and the light quantity of the parallel beam 2 received by the PD 15 can be set as appropriate.
  • the ratio of both can be set to about 3: 1.
  • the positions of PDs 14 and 15 are adjusted so that the amount of the parallel beam 2 received by PDs 14 and 15 becomes a desired value.
  • 1 Determine the position of 5.
  • the PDs 14 and 15 are arranged in a state where the PDs 14 and 15 are tilted by being rotated counterclockwise in FIG. 6B and at the determined position.
  • the PDs 14 and 15 at the determined positions are arranged by placing the holding members 22 c holding the PDs 14 and 15 shown in FIG. 2B on the carrier 18, and positioning and tilting them. It can be done by adjusting the angle and height.
  • a specific wavelength that passes through the etalon 13 and has a lower output intensity than the parallel beam 2 as it is The amount of light received by the PDs 14 that receive the parallel beam 3 can be increased, and the amount of light received by the PDs 15 that receive the parallel beam 2 as it is can be reduced.
  • the PDs 14 and 15 are provided so that the light quantity of the parallel beam 2 received by the PD 15 and the light quantity of the specific wavelength parallel beam 3 received by the PD 14 are equal. Therefore, both PDs 14 and 15 can detect an appropriate received light intensity.
  • a third step of arranging the etalon 13 in the parallel beam 2 incident on the PD 14 is performed.
  • the etalon 13 is set so that the entire parallel beam 2 is incident on the etalon 13 and the second direction is parallel to the entrance surface 13 a of the etalon 13. Deploy.
  • the etalon 13 is rotated in the counterclockwise direction in FIG. 7B (the direction of arrow F shown in FIG. 7B).
  • the parallel beam is tilted with respect to 2. That is, the inclination angle 0 of the etalon 13 is changed so that the parallel beam 2 does not enter the side surface 13 b of the etalon 13.
  • the inclination angle 0 from the second direction changes, and the angle of incidence of the parallel beam 2 on the etalon 13 changes. Therefore, the transmittance of etalon 13 is proportional to the wavelength. To shift.
  • the monitor current values of the PDs 14 and 15 change with the change of the tilt angle S of the etalon 13 as shown in FIG.
  • the inclination angle S of the etalon 13 can be determined by the following procedure described with reference to FIG.
  • the vertical axis represents the monitor current value I pd output by PDs 14 and 15 (unit: A).
  • the horizontal axis is the inclination angle 0 of the etalon 13 from the second direction.
  • the rightward direction in FIG. 8 indicates the clockwise rotation in FIG. 7A, and the leftward direction indicates the counterclockwise rotation in FIG. 7A.
  • the solid line shows the characteristics of PD 14, and the dotted line shows the characteristics of PD 15.
  • the etalon 13 is moved counterclockwise in FIG. 7B from the state parallel to the second direction in FIG. 7A (from the state where the etalon inclination angle 0 shown in FIG. 8 is 0). Rotate.
  • the laser module 10 can set the inclination angle of the etalon 13 to an angle at which the fluctuation of the monitor current value of the PD 14 becomes large.
  • the laser module 10 performs highly accurate wavelength control based on the detection result. be able to.
  • the adjacent maximum and minimum points of the monitor current value of the PD 14 are such that the parallel beam 2 does not enter the side surface 13 b of the etalon 13 from the state where the tilt angle 0 of the etalon 13 is 0. It is not limited to the first maximum point when changing to, and the minimum point located next to the first maximum point. That is, the etalon 13 obtains an inclination angle at an intermediate point between any adjacent maximum point and minimum point when the etalon 13 is rotated in the counterclockwise direction in FIG. 7B. Can be fixed.
  • the etalon 13 may be fixed at an inclination angle of. Even in this case, the etalon 13 can be fixed at a position where the fluctuation of the monitor current value of the PD 14 is relatively large (point g shown in FIG. 8). Thus, any of the adjacent maximum point and minimum point may be first.
  • the tilt angle of the etalon 13 with respect to the parallel beam 2 is PD 14 when the tilt angle 0 is changed from 0 to 0 so that the parallel beam 2 does not enter the side surface 13 b of the etalon 13. It is preferable that the angle is set at an intermediate point between the first maximum point of the monitor current value of the element and the minimum point located next to the first maximum point.
  • the etalon 13 can be fixed at the position where the fluctuation of the monitor current value of the PD 14 is largest (point d shown in FIG. 8) as described above. Therefore, the detection sensitivity of the fluctuation of the received light intensity of the PD 14 is maximized.
  • the etalon 13 is arranged in the parallel beam 2 incident on the PD 14 while being inclined by the inclination angle 0. That is, the etalon 13 is arranged in the parallel beam 2 incident on the PD 14 such that the specific wavelength parallel beam 3 transmitted through the etalon 13 is incident only on the PD 14. Specifically, the etalon 13 is arranged at a position determined by a method of determining the position of the etalon 13 in the S direction described below with reference to FIGS. 9A to 9D and FIG. Note that the S direction in the method for determining the position of the etalon 13 in the S direction refers to a direction orthogonal to the parallel beam 2 in FIGS. 9A to 9D.
  • the D15 side is the plus side in the S direction and the back side, that is, the PD 14 side is the minus side in the S direction.
  • the vertical axis represents the monitor current value I pd output by PDs 14 and 15 (unit: A).
  • the horizontal axis indicates the position of the etalon 13 in the S direction.
  • the right direction in FIG. 10 indicates the plus side, and the left direction indicates the minus side.
  • the solid line shows the characteristics of PD 14, and the dotted line shows the characteristics of PD 15.
  • the etalon 13 is moved to the minus side in the S direction.
  • the etalon 13 is moved from the minus side in the S direction to the plus side in the state shown in FIG. 9A (the arrow G direction shown in FIGS. 9B and 9C). ). That is, the etalon 13 is moved so as to gradually block the parallel beam 2.
  • the change in the monitor current value of PDs 14 and 15 accompanying the movement of the etalon 13 is observed.
  • the change in the monitor current value of PDs 14 and 15 due to the movement of the outlet 13 is as shown in FIG.
  • Fig. 9A when the etalon 13 is on the minus side in the S direction and does not block the parallel beam 2 at all, the position of the corner of the eta 13 is the minimum value in the S direction. Position.
  • the monitor current value at this time is the leftmost value in FIG.
  • the values in the S direction shown below indicate the positions of the corners of the etalon 13.
  • a change in the monitor current value of the PD 14 shown by a solid line in FIG. 10 is observed.
  • the etalon 13 moves from the minus side in the S direction to the plus side, and reaches the position where the parallel beam 2 that first enters the PD 14 is blocked (the value in the S direction is j, point O shown in Fig. 10). I do.
  • the etalon 13 moves from the minus side to the plus side in the S direction, and the monitor current value of the PD 14 continues to decrease as the area blocking the parallel beam 2 increases.
  • the etalon 13 completely blocks the parallel beam 2 incident on the PD 14. For a while, even if the etalon 13 is moved, the monitor current value of the PD 14 remains unchanged and remains flat.
  • the monitor current value of PD 14 increases. Turn around.
  • the position where the etalon 13 is on the plus side in the S direction and does not block the parallel beam 2 at all shows the same maximum value as the value at point o shown in FIG. 10 where the value in the S direction is the position of j.
  • the monitor current value of PD 15 starts to decrease as the etalon 13 moves. Then, the etalon 13 completely blocks the parallel beam 2 incident on the PD 15. For a while, even if the etalon 13 is moved, the monitor current value of the PD 15 remains unchanged and remains flat.
  • the etalon 13 moves to the plus side, the etalon 13 does not block the parallel beam 2 incident on the PD 15 and the monitor current value of the PD 15 starts to increase. Finally, the position where the etalon 13 does not block the parallel beam 2 on the positive side in the S direction as shown in Fig. 9C (the position in the S direction is n, the point S shown in Fig. 10). When it moves to, the monitor current value of PD 15 returns to the original value. I want to place etalon 13 in parallel beam 2 incident on PD 14.
  • the optimal position of the etalon 13 in the S direction is that the etalon 13 starts to block the parallel beam 2 incident on the PD 15 from the position where the value in the S direction is 1 (point ci shown in Fig. 10). Is also on the negative side, and the position where the monitor current value of the PD 14 takes the minimum value (the value in the S direction is k, point P shown in FIG. 10). At such a position where the value in the S direction is k, the etalon 13 completely blocks the parallel beam 2 incident on the PD 14 and does not block the parallel beam incident on the PD 15 at all. Position.
  • the position where the etalon 13 is arranged is determined as the position where the value in the S direction is k. Then, the etalon 13 is moved from the state shown in FIG. 9C after observing a change in the monitor current value of the PDs 14 and 15 accompanying the movement of the etalon 13. Specifically, as shown in FIG. 9D, the etalon 13 is set to the minus side (the H direction shown in FIG. 9D) so that the position of the corner of the etalon 13 becomes the position of k in the S direction. ) Move to and place. It is not necessary to move the etalon 13 to the state shown in FIG.
  • FIG. 7B shows changes in the monitor current values of PDs 14 and 15 due to the movement of etalon 13 at this time.
  • the reflected light from the side surface 13 b of the etalon 13 is incident on the PDs 14 and 15 (two circles shown in FIG. 11). Furthermore, at the position where the value in the S direction is k, which is the optimal position in the S direction of the etalon 13 (point t shown in Fig. 11), the reflected light from the side surface 13 b of the etalon 13 is reflected to the PD 15 It coincides with the incident position. Since the reflected light is not controlled at all, the output is often unstable. Therefore, if the etalon 13 is rotated clockwise in FIG. 7B to provide an inclination angle and the value in the S direction is set to the position k, the LD 11 cannot be controlled stably.
  • the etalon 13 is rotated counterclockwise in FIG. 7B so that the parallel beam 2 does not enter the parallel beam 2 on the side surface 13 a of the etalon 13.
  • the reflected light from the side surface 13b of the etalon 13 is suppressed as shown in FIG. Therefore, the laser module 10 stably controls the wavelength of the LD 11 and You can mouth.
  • the LD 11, the lens 12 a, the etalon 13, and the PD 1 are placed on the carrier 18 via the pedestal 16 and the holding members 22 a to 22 c. 4, 1 and 5 are arranged almost linearly.
  • the carrier 18 place the sunshine 20 alongside the LD 11.
  • the lens 12b and the isolator 19 are arranged on the carrier 18 so as to be approximately linearly arranged with the LD 11, the lens 12a, the etalon 13 and the PDs 14 and 15.
  • the lens 12b and the isolator 19 are arranged on the carrier 18 via the holding members 22d and 22e.
  • the Peltier element 21 is arranged in the package 17.
  • the carrier 18 is arranged on the Peltier element 21 and accommodated in the package 17.
  • the laser module 10 shown in FIGS. 2A and 2B having the outputs of the PDs 14 and 15 as shown in FIG. 3 can be manufactured.
  • the laser module 10 is provided with the etalon 13 so that a part of the parallel beam 2 from the lens 12a is incident thereon.
  • the specific wavelength parallel beam 3 having a specific wavelength included in the incident parallel beam 2 is transmitted. Therefore, the laser module 10 converts the parallel beam 2 from the lens 12 a into the parallel beam 2 from the lens 12 a as it is, and the specific wavelength parallel beam 3 extracted from the parallel beam 2 from the lens 12 a.
  • they can be easily separated without using other components such as a beam splitter. Therefore, in the laser module 10, the number of components and the number of manufacturing steps can be reduced, and the yield can be improved and the price can be reduced.
  • the etalon 13 is provided so that a part of the parallel beam 2 from the lens 12a is incident, and only transmits the specific wavelength parallel beam 3. Therefore, the parallel beam 2 and the specific wavelength parallel beam 3 travel in the same direction. You. Therefore, the PD 15 that receives the parallel beam from the lens 12 a as it is and the PD 14 that receives the specific wavelength parallel beam 3 from the etalon 13 can be arranged in the same direction in which the parallel beam 2 travels. it can.
  • the LD 11, the lens 12 a, the infrared light 13, and the PDs 14 and 15 can be arranged substantially linearly. Therefore, like a laser module 30 that branches a parallel beam 6 using a branching element such as a conventional beam splitter 36, a PD 55 that receives one of the split parallel beams 6a is connected in parallel with the PD 55. It is not necessary to have a structure that is arranged along the path along which the parallel beam 6 travels, not in the direction in which the beam 6 travels. Therefore, the size of the laser module can be reduced.
  • the lens 12a is provided so that the parallel beam 2 is emitted upward from the first direction. Therefore, in the laser module 10, when the parallel beam 2 is incident from the lens 12 a, the reflected light of the parallel beam 2 generated by the etalon 13 can escape to above the LD 11. Therefore, the laser module 10 can suppress the reflected light from returning to the LD 11. As a result, the laser module 10 can operate the LD 11 stably.
  • the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible.
  • the etalon 13 was used as the wavelength selection control element.
  • a dielectric multilayer filter or another filter having the same function can be used instead of the etalon 13.
  • the technology described in the above embodiment is a common technology that applies to all wavelength selection control elements, not just the etalon 13, and similar effects can be obtained.
  • LD 11 and lens 12a are etalon
  • the parallel beam 2 is located on the left side of 13 and is incident on the etalon 13 from the left of the etalon 13, and the etalon 13 is located behind the parallel beam 2 (above Fig. 2A) Rotates the etalon 13 counterclockwise. Then, the etalon 13 is inclined with respect to the parallel beam 2 so that the parallel beam 2 does not enter the side surface 13 a of the etalon 13.
  • the direction in which the etalon 13 rotates is determined by the arrangement of the lens 12a, the etalon 13 and the PDs 14 and 15, and is not limited to the counterclockwise direction.
  • the lens 12a is provided so that the parallel beam 2 is emitted upward from the first direction.
  • the lens 12a has an angle with respect to the first direction. It is sufficient that the light is emitted while being emitted, and is not limited to the case where the light is emitted upward from the first direction.
  • the lenses 32 a and 42 a transmit the laser light 1 from the LD 11 to the lenses 32 a and 42 a.
  • the incident position is offset from the center of the lenses 32a and 42a in the vertical direction (Y-axis direction shown in Figs. 12 and 13) and can be arranged.
  • the center of the lens 32 a is offset so as to be located deeper (upper in FIG. 12) than the center of the LD 11.
  • the center of the lens 42a is offset so as to be located before (the lower side in FIG. 13) the center of the LD 11.
  • the lenses 32a and 42a can emit the parallel beam 2 at an angle with respect to the first direction. Therefore, in the laser modules 30 and 40, when the parallel beam 2 is incident from the lenses 32a and 42a, the reflected light of the parallel beam 2 generated by the etalon 13 is transmitted to the LD 11 side. Can be escaped to Therefore, the laser modules 30 and 40 can suppress the reflected light from returning to the LD 11.
  • the laser modules 30 and 40 can operate the LD 11 stably.
  • the lenses 32a and 42a are etalon 1 It is preferable to provide the reflected light from 3 to the side of LD 11, that is, if the lens is provided so that the reflected light of parallel beam 2 generated by etalon 13 does not return to LD 11. Good.
  • the configuration of the laser modules 30 and 40 shown in FIGS. 12 and 13 is the same as that of FIG. 2A except for the lenses 32 a and 42 a. Therefore, the same reference numerals are given and the description is omitted. Industrial applicability
  • the yield can be improved, the price can be reduced, the size can be reduced, and the laser can be operated stably.

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Abstract

レーザモジュール(10)において、エタロン(13)は、レンズ(12a)からの平行ビーム(2)の一部が入射されるように設けられる。そして、エタロン(13)は、入射された平行ビーム(2)に含まれる特定波長平行ビーム(3)を透過させる。又、レンズ(12a)は、平行ビーム(2)が、LD(11)から出射されたレーザ光(1)の光軸中心に平行な第1の方向より上方に出射するように設けられる。

Description

レーザモジュール及びレーザモジュールの製造方法 技術分野
本発明は、 レ一ザモジュール及びレーザモジュールの製造方法に関す る。 特に、 レーザが出射するレ明ーザ光の波長を安定化させる波長ロック 機能を備えたレーザモジュール及びその製造方法に関する。
田 背景技術
従来、 波長ロック機能を備えたレーザモジュール 5 0には、 図 1に示 すものがある。 図 1は、 従来のレーザモジュール 5 0の構成を示す上面 図である。 図 1に示すように、 レーザモジュール 5 0は、 レ一ザダイォ 一ド (Laser Diode, 以下 「L D」 という) 5 1と、 レンズ 5 2と、 ェ タロン 5 3と、 フォトダイオード (Photo Diode, 以下 「 P D」 という) 5 4 , 5 5と、 ビームスプリッタ 5 6と、 パッケージ 5 7と、 キヤリァ 5 8とから構成される。
L D 5 1は、 レーザ光を出射する。 L D 5 1の前方出力 (図 1におけ る左方向への出力) は、 レンズ、 アイソレータ、 ファイバを介してレー ザモジュール 5 0の外部に導かれ、 通常の出力光として用いられる。 図 1では、 前方出力の図示を省略している。 L D 5 1は、 後方出力 (図 1 における右方向への出力) のレ一ザ光 5を、 レンズ 5 2に入射する。 レ ンズ 5 2は、 L D 5 1からのレーザ光 5を、 平行ビーム 6に変換し、 ビ —ムスプリッタ 5 6に入射する。
ビームスプリッタ 5 6は、 平行ビーム 6を 2つの平行ビーム 6 aと平 行ビーム 6 bとに分岐する。 ビームスプリッタ 5 6は、 一方の平行ビー ム 6 aを、 P D 5 5に入射し、 他方の平行ビーム 6 b.を、 エタロン 5 3 に入射する。 エタロン 5 3は、 平行ビーム 6 bに含まれる特定の波長を 持つ特定波長平行ビーム 7を透過させ、 P D 5 4に入射する。
P D 5 5は、 パワーモニタ用の受光素子である。 P D 5 5は、 ビーム スプリツ夕 5 6から入射され、 受光する平行ビーム 6 aの受光強度の変 化を検出することにより、 レーザ光 5の出力強度の変化を検出する。 P D 5 4は、 波長制御用の受光素子である。 エタロン 5 3は鋭い波長選択 性を有しているため、 L D 5 1が出射するレ一ザ光 5の波長が変動する と、 エタロン 5 3の透過率が大きく変動する。 そのため、 P D 5 4は、 エタロン 5 3から入射され、 受光する特定波長平行ビーム 7の受光強度 の変化を検出することにより、 レーザ光 5の波長の変動の有無を検出す る。
尚、 P D 5 4が受光する特定波長平行ビーム 7の受光強度は、 レーザ 光 5の出力強度が変動する場合にも、 変動してしまう。 そのため、 レー ザモジュール 5 0では、 P D 5 5が検出したレーザ光 5の出力強度の変 動を同時に検出する。 そして、 レーザモジュール 5 0では、 P D 5 4が 受光する特定波長平行ビーム 7の受光強度の変動が、 レーザ光 5の波長 の変動によるものか、 レ一ザ光 5の出力強度の変動によるものかを切り 分ける。レーザモジュール 5 0では、そのような切り分けを行った上で、 L D 5 1側にレーザ光 5の波長の変動をフィードバックし、 レーザ光の 波長の安定化を図っている。 L D 5 1、 レンズ 5 2、 エタロン 5 3、 P D 5 4 , 5 5、ビームスプリッタ 5 6は、キャリア 5 8上に配置されて、 パッケージ 5 7内に収容される。
しかしながら、 従来のレーザモジュール 5 0では、 ビームスプリッタ 5 6のような分歧素子を用いて、 平行ビ一ム 6を、 モニタ用の受光素子 である P D 3 5に入射される平行ビーム 6 aと、 エタロン 3 3に入射さ れる平行ビーム 6 bとに分けている。 そして、 P D 5 5に、 平行ビーム 6 aがそのまま入射され、 波長制御用の受光素子である P D 5 4に、 ェ タロン 5 3により平行ビーム 6 bから取り出された波長特定平行ビーム 7が入射される。
従来のレ一ザモジュール 5 0では、 このようにビ一ムスプリッタ 3 6 を用いることにより、 レーザモジュール 5 0を構成する部品数が多くな り、 その分、 製造工程も多くなつてしまっていた。 そのため、 従来のレ 一ザモジュール 5 0では、 歩留まり向上や、 低価格化を図ることが困難 であった。 又、 図 1に示すように、 ビームスプリッタ 5 6のような分岐 素子は、 平行ビーム 6を、 互いに直交する平行ビーム 6 aと平行ビーム 6 bとに分岐する。
そのため、 レーザモジュール 5 0は、 エタロン 5 3により平行ビーム 6 bから取り出された波長特定平行ビーム 7が入射される P D 5 4を、 平行ビ一ム 6が進行する方向に配置した場合、 分岐したもう一方の平行 ビーム 6 aを受光する P D 5 5を、 平行ビーム 6が進行する方向 (図 1 に示す X軸方向) ではなく、 その方向と直交する方向 (図 1に示す Y軸 方向)、即ち、平行ビ一ム 6が進行する経路の横に配置した構造になって しまっていた。 その結果、 レーザモジュール 5 0は、 小型化を図ること が困難であった。
又、 レーザモジュール 5 0では、 エタロン 5 3が平行ビーム 6 bを反 射し、 その反射光が L D 5 1に戻ってしまっていた。 そのため、 エタ口 ン 5 3からの反射光が、 L D 5 1に影響を与えていた。 更に、 エタロン 5 3から戻された反射光を、 L D 5 1が再度反射したり、 P D 5 4がェ タロン 5 3に特定波長平行ビーム 7の反射光を戻し、 エタロン 5 3が再 度反射したりすることにより、 レーザモジュール 5 0を構成する部品間 で多重反射が生じていた。 そして、 その多重反射雑音が、 エタロン 5 3の特性に重畳したり、 P D 5 4に影響を与えたりしていた。 そのため、 P D 5 4がエタロン 5 3 から入射され、 受光する特定波長平行ビーム 7の受光強度の変動が、 そ の影響を受けていた。 その結果、 P D 5 4が行うレーザ光 5の波長変化 の検出動作が影響を受けてしまっていた。 よって、 レーザモジュール 5 0は、 レーザ光 5の波長の安定化を図ることが困難であった。 以上のこ とから、 従来のレーザモジュール 5 0では、 L D 5 1を安定して動作さ せることができない場合があった。
そこで、 本発明は、 歩留まり向上や低価格化、 小型化を図ることがで き、 レーザを安定して動作させることができるレーザモジュール及びレ 一ザモジュールの製造方法を提供することを目的とする。 発明の開示
本発明のレーザモジュールは、 レーザ光を出射するレ一ザと、 レーザ からのレーザ光を平行ビームに変換し、 その平行ビームが、 レーザ光の 光軸中心に平行な第 1の方向に対して角度を有して出射するように設け られたレンズと、 レンズからの平行ビームの一部が入射されるように設 けられ、 その入射された平行ビームに含まれる特定の波長を持つ特定波 長平行ビームを透過させる波長選択制御素子と、 レンズからの平行ビー ムを受光する第 1の受光素子と、 波長選択制御素子からの特定波長平行 ビームを受光する第 2の受光素子とを備える。 以下、 レーザから出射さ れたレ一ザ光の光軸中心に平行な方向を 「第 1の方向」 という。
このようなレーザモジュールによれば、 波長選択制御素子は、 レンズ からの平行ビームの一部が入射されるように設けられ、 その入射された 平行ビームに含まれる特定の波長を持つ特定波長平行ビームを透過させ る。 そのため、 レーザモジュールは、 レンズからの平行ビームを、 レン ズからの平行ビームそのままと、 レンズからの平行ビームから取り出し た特定波長平行ビームとに、 ビームスプリツ夕のような他の部品を用い ずに、 容易に分けることができる。 そのため、 レ一ザモジュールでは、 構成する部品数、 製造工程を減らすことができ、 歩留まり向上や、 低価 格化を図ることができる。
又、 波長犟択制御素子は、 レンズからの平行ビームの一部が入射され るように設けられ、 特定波長平行ビームを透過させるだけである。 その ため、 平行ビームと特定波長平行ビームは、 同じ方向へ進行する。 よつ て、 レンズからの平行ビームをそのまま受光する第 1の受光素子と、 波 長選択制御素子からの特定波長平行ビームを受光する第 2の受光素子と を、平行ビームが進行する同じ方向に配置することができる。その結果、 レーザモジュールでは、 レーザ、 レンズ、 波長選択制御素子、 第 1の受 光素子、 第 2の受光素子を、 ほぼ直線状に配置することができ、 レーザ モジュールの小型化を図ることができる。
更に、 レンズは、 平行ビームが第 1の方向に対して角度を有して出射 するように設けられる。 そのため、 レーザモジュールでは、 レンズから 平行ビームが入射されることにより、 波長選択制御素子で生じる平行ビ —ムの反射光を、 レーザ上方やレーザ側方に逃がすことができる。 よつ て、 レーザモジュールは、 反射光がレーザに戻ることを抑制できる。 そ の結果、 レ一ザモジュールは、 レーザを安定して動作させることができ る。
又、 波長選択制御素子は、 該波長選択制御素子の側面に平行ビームが 入射しないように平行ビームに対して傾斜して設けられることが好まし い。以下、「波長選択制御素子の側面」とは、レンズからの平行ビームが、 波長選択制御素子に入射される入射面を正面とした場合の波長選択制御 素子の側面をいう。 これによれば、 レーザモジュールは、 波長選択制御 素子の側面に、 平行ビームが入射されることを防止できる。 その結果、 波長選択制御素子の側面からは平行ビームの反射光が発生しない。 その ため、 側面からの反射光が、 第 1の受光素子や第 2の受光素子に影響を 与えたり、 レ一ザに戻ったりすることがない。 よって、 レ一ザモジユー ルでは、 レーザを安定して動作させることができる。
更に、 波長選択制御素子の平行ビームに対する傾斜の角度は、 傾斜の 角度を波長選択制御素子の側面に平行ビームが入射しないようにして変 化させていった時の第 2の受光素子のモニタ電流値の隣接する極大点と 極小点の中間点における角度に設定されることが好ましい。
これによれば、レ一ザモジュールは、波長選択制御素子の傾斜角度を、 第 2の受光素子のモニタ電流値の変動が大きくなる角度に設定できる。 その結果、 レーザモジュールは、 第 2の受光素子が特定波長平行ビーム の受光強度の変動を検出する感度を向上させることができる。そのため、 レーザモジュールは、 その検出結果に基づいて、 高精度な波長制御を行 うことができる。
又、 第 1の受光素子及び第 2の受光素子は、 第 1の受光素子からの平 行ビームの反射光及び第 2の受光素子からの特定波長平行ビームの反射 光が、波長選択制御素子に入射しないように設けられることが好ましい。 これによれば、 波長選択制御素子と、 第 1の受光素子及び第 2の受光素 子との間で多重反射が生じることを防止できる。 そのため、 レーザモジ ユールは、 レ一ザを安定して動作させることができる。
又、 本発明のレ一ザモジュールの製造方法は、 レーザからのレーザ光 を平行ビームに変換するレンズを、 平行ビームが第 1の方向に対して角 度を有して出射するようにレ一ザに対して配置し、 平行ビームが入射さ れる位置に複数の受光素子を配置し、 受光素子のいずれかに入射される 平行ビーム中に、 平行ビームに含まれる特定の波長を持つ特定波長平行 ビームを透過させる波長選択制御素子を、 その波長選択制御素子の側面 に平行ビームが入射しないように平行ビームに対して傾斜させて配置す る。
このようなレ一ザモジュールの製造方法では、 平行ビームが第 1の方 向に対して角度を有して出射するように、 レンズをレーザに対して配置 する。 そのため、 波長選択制御素子で生じる平行ビームの反射光を、 レ —ザ上方やレーザ側方に逃がすことができる。 よって、 反射光がレーザ に戻ることを抑制して、 レーザを安定して動作させることのできるレー ザモジュールが製造できる。
又、 この製造方法では、 配置された複数の受光素子のいずれかに入射 される平行ビーム中に、 その平行ビームに含まれる特定の波長を持つ特 定波長平行ビームを透過させる波長選択制御素子を配置する。そのため、 レンズからの平行ビームを、 レンズからの平行ビームそのままと、 レン ズからの平行ビームから取り出した特定波長平行ビームとに、 ピームス プリツ夕のような他の部品を用いずに、 容易に分けることができるレ一 ザモジュールが製造できる。 そのため、 この製造方法は、 レ一ザモジュ —ルを構成する部品数、製造工程を減らすことができ、歩留まり向上や、 低価格化を図ることができる。
又、 波長選択制御素子は、 複数の受光素子のいずれかに入射される平 行ビ一ム中に配置され、 特定波長平行ビームを透過させるだけなので、 平行ビームと特定波長平行ビームは、 同じ方向へ進行する。 よって、 こ の製造方法では、 レンズからの平行ビームをそのまま受光する受光素子 と、 波長選択制御素子からの特定波長平行ビームを受光する受光素子と を、平行ビームが進行する同じ方向に配置することができる。その結果、 レーザモジュールの小型化が図られる。
しかも、 この製造方法では、 波長選択制御素子を、 該波長選択制御素 子の側面に平行ビームが入射しないように平行ビームに対して傾斜させ て配置する。 そのため、 波長選択制御素子の側面に、 平行ビームが入射 されることを防止したレ一ザモジュールが製造できる。 その結果、 波長 選択制御素子の側面からは平行ビームの反射光が発生しない。そのため、 側面からの反射光が、 複数の受光素子に影響を与えたり、 レーザに戻つ たりすることがない。 よって、 レーザを安定して動作させることができ るレーザモジュールが製造できる。
又、 複数の受光素子からの平行ビーム及び特定波長平行ビームの反射 光が、 波長選択制御素子に入射しないように、 複数の受光素子を配置す ることが好ましい。 これによれば、 波長選択制御素子と、 複数の受光素 子との間で多重反射が生じることを防止できるレーザモジュールが製造 でき、 レーザを安定して動作させることができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 従来のレーザモジュールの構成を示す上面図である。
図 2 A及び図 2 Bは、 本発明の実施の形態に係るレーザモジュールの 構成を示す図である。
図 3は、 本発明の実施の形態に係るレーザモジュール 1 0の特性を示 すグラフ図である。
図 4 A及び図 4 Bは、 本発明の実施の形態に係るレンズの位置調整方 法を示す図である。
図 5 A及び図 5 Bは、 本発明の実施の形態に係るレンズの位置調整方 法を示す図である。
図 6 A及び図 6 Bは、 本発明の実施の形態に係る P Dの配置方法を示 す図である。
図 7 A及び図 7 Bは、 本発明の実施の形態に係るエタロンの傾斜角度 設定方法を示す図である。
図 8は、 本発明の実施の形態に係るエタロン傾斜角度とモニタ電流の 値との関係を示すグラフ図である。
図 9 A乃至図 9 Dは、 本発明の実施の形態に係るエタロンの S方向の 位置決定方法を示す図である。
図 1 0は、 本発明の実施の形態に係るエタロンの S方向の位置とモニ 夕電流の値との関係を示すグラフ図である。
図 1 1は、 比較例に係るエタロンの S方向の位置とモニタ電流の値と の関係を示すグラフ図である。
図 1 2は、 本発明の変更例に係るレーザモジュールの構成を示す上面 図である。
図 1 3は、 本発明の変更例に係る他のレーザモジュールの構成を示す 上面図である。 発明を実施するための最良の形態
〔レーザモジュール〕
(レーザモジュールの全体構成)
図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。 図 2 A及 び図 2 Bは、 レーザモジュール 1 0の構成を示す図である。 図 2 Aは、 レーザモジュール 1 0の上面図である。 図 2 Bは、 図 2 Aの A— A線断 面図である。レーザモジュール 1 0は、レーザダイオード(Laser Diode, 以下 「LD」 という) 1 1と、 レンズ 1 2 aと、 レンズ 1 2 bと、 エタ ロン 1 3と、 フォトダイオード (Photo Diode、 以下 「PD」 という) 1 4と、 PD 1 5と、台座 1 6と、パッケージ 1 7と、 キャリア 1 8と、 アイソレー夕 1 9と、 サーミス夕 2 0と、 ペルチェ素子 2 1と、 保持部 材 2 2 a〜 2 2 eとを備える。 PD 1 4、 PD 1 5はそれぞれ、 受光部 1 4 a, 受光部 1 5 aを備える。
LD 1 1は、 レーザ光を出射するレーザである。 そのため、 第 1の方 向は、 LD 1 1から出射されたレーザ光 1の光軸中心に平行な方向 (図 2 A及び図 2 Bに示す X軸方向) となる。 LD 1 1の前方出力 (図 2A 及び図 2 Bにおける左方向への出力) は、 レンズ 1 2 b、 アイソレー夕 1 9、 ファイバ (図示を省略) 等を介して、 一定の出力強度、 一定の波 長のレ一ザ光として、 レーザモジュール 1 0の外部に導かれ、 用いられ る。図 2 A及び図 2 Bでは、 L D 1 1の前方出力の図示を省略している。 LD 1 1は、 後方出力 (図 2 A及び図 2 Bにおける右方向への出力) の レーザ光 1を、 レンズ 1 2 aに入射する。
レンズ 1 2 aは、 LD 1 1からのレ一ザ光 1を、 平行ビーム 2に変換 する。 レンズ 1 2 aは、 変換した平行ビーム 2の一部を、 エタロン 1 3 に入射する。 レンズ 1 2 aは、 平行ビーム 2の残部を、 そのまま直進さ せて PD 1 5の受光部 1 5 aに入射する。 このように、 変換された平行 ビーム 2は、 2つの領域に分けられる。レンズ 1 2 aとしては、例えば、 コリメ一夕レンズを用いることができる。 以下、 図 2 Bに示すように、 レンズ 1 2 aが出射する平行ビーム 2と第 1の方向とがなす角度を、「傾 斜角度 Φ」 と表す。
エタロン 1 3は、 レンズ 1 2 aからの平行ビーム 2の一部が入射され るように設けられる。 エタロン 1 3は、 入射された平行ビーム 2に含ま れる特定波長平行ビーム 3を、 選択的に透過させる波長選択制御素子で ある。 特定波長平行ビーム 3は、 特定の波長を持つ平行ビームである。 エタロン 1 3は、 特定波長平行ビーム 3を、 PD 14の受光部 14 aに 入射する。
エタロン 1 3には、 レーザモジュール 1 0が維持すべき L D 1 1が出 射するレーザ光 1の波長 (以下 「ロック波長」 という) に対する初期透 過率が、 平行ビーム 2に対する傾斜角度に応じて設定されている。 又、 エタロン 1 3は、 鋭い波長選択性を有している。 そのため、 LD 1 1が 出射するレーザ光 1の波長が、 ロック波長から変動すると、 エタロン 1 3の透過率も、 初期透過率から変動する。 以下、 平行ビーム 2と特定波 長平行ビーム 3との境界面と直交する方向 (図 2 Aに示す Y軸方向、 及 び Zまたは、図 2 Bに示す Z軸方向)を、「第 2の方向」 という。そして、 図 2 Aに示すように、 エタロン 1 3の入射面 1 3 aと第 2の方向とがな す角度を、 「エタロン 1 3の傾斜角度 0」 と表す。
PD 14は、 波長制御 (A F C : Automatic Frequency Control) のための受光素子である。 PD 14は、 エタロン 1 3からの特定波長平 行ビーム 3を受光する第 2の受光素子である。 受光部 1 4 aは、 特定波 長平行ビーム 3を受光する。 上記したように、 LD 1 1が出射するレー ザ光 1の波長が、口ック波長から変動すると、エタロン 1 3の透過率も、 初期透過率から変動する。 そのため、 PD 1 4は、 エタロン 1 3の透過 率の変動を、 エタロン 1 3から入射され、 受光する特定波長平行ビーム 3の受光強度の変動として検出することができる。
この PD 1 4が検出した受光強度の変動は、 LD 1 1の駆動電流回路 (以下 「LD駆動電流回路」 という) や、 サーミス夕 2 0やペルチェ素 子 2 1のような LD 1 1の温度を制御する温度制御手段に、 フィードバ ックされる。 そして、 LD駆動電流回路や、 サーミス夕 2 0やペルチェ 素子 2 1のような温度制御手段は、 PD 14が検出した受光強度の変動 に基づいて、 レーザ光 1の波長の変動の有無を検出し、 LD 1 1の前方 出力の波長の安定化を図る制御を行う。 尚、 図 2 A及び図 2 Bでは、 L D駆動回路の図示を省略している。
PD 1 5は、 パワーモニタ (A P C : Automatic Power Control) のための受光素子である。 PD 1 5は、 レンズ 1 2 aからのそのままの 平行ビーム 2を受光する第 1の受光素子である。 受光部 1 5 aは、 平行 ビーム 2を受光する。 P D 1 5は、 レンズ 1 2 aから入射され、 受光す る平行ビーム 2の受光強度の変動を検出し、 レ一ザ光 1 (後方出力) の 出力強度の変動を直接検出する。 この P D 1 5が検出した出力強度の変 動は、 L D駆動電流回路や、 サ一ミス夕 2 0やペルチェ素子 2 1のよう な温度制御手段にフィードバックされる。そして、 L D駆動電流回路や、 サ一ミス夕 2 0やペルチェ素子 2 1のような温度制御手段は、 P D 1 5 が検出したレーザ光 1 (後方出力) の出力強度の変動に基づいて、 L D 1 1の前方出力の出力強度の安定化を図る制御、 即ち、 パワーモニタを 行う。
又、 P D 1 4が受光する特定波長平行ビーム 3の受光強度は、 レーザ 光 1の出力強度が変動する場合にも、 変動してしまう。 そのため、 L D 駆動電流回路や、 サーミス夕 2 0やペルチェ素子 2 1のような温度制御 手段は、 P D 1 5が検出したレーザ光 1の出力強度の変動を用いて、 P D 1 4が検出した特定波長平行ビーム 3の受光強度の変動が、 レーザ光 1の波長変動によるものか、 レーザ光 1の出力強度の変動によるものか を切り分ける。 L D駆動電流回路や、 サーミスタ 2 0やペルチェ素子 2 1のような温度制御手段は、 このような切り分けを行った上で、 P D 1 4や P D 1 5からフィードバックされた特定波長平行ビーム 3の受光強 度の変動やレーザ光 1 (後方出力) の出力強度の変動に基づいて、 L D 1 1の前方出力の波長、出力強度を常に一定に保つよう制御を行う。尚、 温度制御手段は、 サーミス夕 2 0やペルチェ素子 2 1以外にも、 温度制 御回路を用いることができる。
図 2 Bに示すように、 L D 1 1は、 台座 1 6上に配置される。 又、 レ ンズ 1 2 a、 エタ口ン 1 3、 P D 1 4 , 1 5、 レンズ 1 2 b、 アイソレ 一夕 1 9は、 それぞれ保持部材 2 2 a〜 2 2 e上に配置され、 保持され る。 そして、 LD 1 1、 レンズ 1 2 a、 エタロン 1 3、 P D 14, 1 5、 レンズ 1 2 b、 アイソレータ 1 9は、 台座 1 6、 保持部材 22 a〜2 2 eを介して、 キャリア 1 8上に、 ほぼ直線上に配置される。 又、 サーミ スタ 20もキヤリア 1 8上に配置される。 そして、 これらの部材が配置 されたキャリア 1 8は、 ペルチェ素子 2 1上に配置され、 パッケージ 1 7内に収容される。 キャリア 1 8は、 台座 1 6を介して L D 1 1を保持 する部分が凸部となっており、 LD 1 1が所定の高さに位置するように なっている。 ·
尚、 エタロン 1 3は、 レーザモジュール 1 0の外部の温度変化による 熱輻射や対流の影響を受けて、 温度が変化してしまう。 そして、 エタ口 ン 1 3の波長透過特性は、 エタロン 1 3の温度に応じて変化する。 その ため、 P D 1 4の位相がシフトしてしまい、 ロック波長がドリフトして しまう。 このような問題を解消するためには、 エタロン 1 3の温度を安 定化させて、 エタロン 1 3に対する熱輻射や対流の影響を低減させるこ とが重要である。
そのため、 保持部材 22 bは、 熱伝導性が高く、 熱膨張係数がエタ口 ン 1 3の材料の熱膨張係数に等しいか近い材料で形成されることが好ま しい。 例えば、 保持部材 22 bは、 窒化アルミニウムで形成されること が好ましい。 このように、 エタロン 1 3の直下に、 熱伝導性の良好な窒 化アルミニウムが配置されることにより、 ペルチェ素子 2 1とエタロン 1 3との間の熱伝導性を良好にでき、 エタロン 1 3の温度を安定化させ ることができる。
或いは、 レーザモジュール 1 0は、 従来に比べて高さが低く、 底面積 が広いエタロン 1 3を備えるようにしてもよい。 例えば、 高さが従来の 0. 7 5倍の 1. 5 mm、 底面積が従来の底面積の 2倍のエタロン 1 3 を用いることが好ましい。 尚、 エタロン 1 3の高さや底面積は、 レーザ モジュール 1 0の構造やレーザモジュール 1 0を用いる装置に応じて、 適宜選択することができる。 これによれば、 ペルチェ素子 2 1とエタ口 ン 1 3との間の熱伝導性を良好にでき、 エタロン 1 3の温度を外部温度 変化に対して安定化させることができる。 よって、 エタロン 1 3に対す る熱輻射、 対流の影響を低減させることができる。 次に、 各構成部分について詳細に説明する。 まず、 レンズ 1 2 aの位 置について説明する。 レンズ 1 2 aは、 図 2 Bに示すように、 L D 1 1 からのレーザ光 1のレンズ 1 2 aへの入射位置が、 レンズ 1 2 aの中心 からオフセットされて、 配置されることが好ましい。 これにより、 レン ズ 1 2 aは、 平行ビーム 2を、 第 1の方向より上方に傾斜させて出射す ることができる。
具体的には、 図 2 Bに示すように、 レンズ 1 2 aは、 保持部材 2 2 a の高さ (図 2 Bに示す Z軸方向) を調整することにより、 レンズ 1 2 a の中心が、 L D 1 1の中心よりも δ Yだけ上方に位置するようにオフセ ットされる。 これにより、 L D 1 1からのレーザ光 1のレンズ 1 2 aへ の入射位置は、 レンズ 1 2 aの中心からやや下方に位置するように設定 される。 この結果、 レンズ 1 2 aが出射する平行ビーム 2が、 傾斜角度 Φだけ第 1の方向から上方に出射するように調整できる。 そして、 平行 ビーム 2は、 第 1の方向からの傾斜角度 φを有して、 エタロン 1 3に入 射する。
このように平行ビーム 2が出射する方向を、 第 1の方向より上方にす ることにより、 レンズ 1 2 aから平行ビーム 2が入射され、 エタロン 1 3の入射面 1 3 aで生じる平行ビーム 2の反射光を、 L D 1 1上方に逃 がすことができる。即ち、エタロン 1 3の入射面 1 3 aからの反射光は、 レンズ 1 2 aの方向に戻り、 レンズ 1 2 aを通過する。 その後、 反射光 は、 何ら反射物の存在しない、 L D 1 1の発光源である活性層中心の上 方部分に向けて戻る。
以下、 この点を更に詳細に説明する。 エタロン 1 3から L D 1 1の上 方にある空間に集光される反射光のスポット半径 (電力が e— 2) を 1 m、 L D 1 1の活性層中心と L D 1 1上面との距離を数 m、 L D 1 1 上面から上方への距離が δの位置に反射光が戻るとする。 この場合、 δ が 1 0 xm以上に確保されれば、 反射光は、 L D 1 1の上端部に集光す ることなく、 L D 1 1の上方にある空間に集光される。 尚、 レンズ 1 2 aの位置調整時やレーザモジュール 1 0製造時のトレランスを考慮して, (5は設定されることが好ましい。
そして、 LD 1 1上面からの距離 3と、 レンズオフセットする量、 即 ち、 レンズ 1 2 aの中心を L D 1 1の中心よりも上方に位置するように オフセットする量 <5 Yの関係は、 以下の ( 1 ) 式、 (2 ) 式で表すことが できる。 尚、 ( 1 ) 式、 (2 ) 式において、 φは傾斜角度、 f はレンズ焦 点距離である。
= a τ c t a n ( δ Ύ / ί ) ^ δ Ύ / ί ( 1 ) 式
δ = 2 f X t a η (φ) = 2 ΐ Χ φ = 2 δ Υ ( 2 ) 式
そのため、 確保したい(5を決め、 (2 ) 式を満たすように δ Υを設定す ることができる。 そして、 レンズ 1 2 aは、 レンズ 1 2 aの中心が、 L D 1 1の中心よりも、 (2 )式により設定した Yだけ上方に位置するよ うにオフセットされればよい。 これにより、 エタロン 1 3からの反射光 は、 反射物の存在しない L D 1 1の上方にある空間で結像する。
よって、 エタロン 1 3からの反射光が LD 1 1に戻って、 入射するこ とを防止できる。 更に、 エタロン 1 3からの反射光が L D 1 1に入射し た場合に生じる L D 1 1とエタロン 1 3との間の多重反射を抑制するこ とができる。 この結果、 エタロン 1 3からの反射光が L D 1 1に影響を 与えることを防止できる。 更に、 LD 1 1とエタロン 1 3との間の多重 反射雑音が、 PD 1 4, 1 5やエタロン 1 3に影響を与え、 PD 1 4, 1 5が行う特定波長平行ビーム 3の受光強度の変動やレーザ光 1 (後方 出力) の出力強度の変動の検出動作に影響を与えることを防止できる。 よって、 PD 1 4, 1 5の検出動作の精度を向上させることができる。 そのため、 LD駆動電流回路や、 サ一ミス夕 2 0やペルチェ素子 2 1の ような温度制御手段は、 LD 1 1の前方出力の波長、出力強度の制御を、 精度良く行うことができる。 従って、 レーザモジュール 1 0は、 LD 1 1を安定して動作させることができる。
重要なことは、 レンズ 1 2 aを、 平行ビーム 2が第 1の方向より上方 に出射するように設け、 傾斜角度 φを有する平行ビーム 2を、 エタロン 1 3に入射することである。 例えば、 エタロン 1 3を第 2の方向から傾 斜角度 Sを設けて配置するだけであり、 傾斜角度 ψを有しない平行ビー ム 2をエタロン 1 3に入射した場合には、 上述の効果を得ることはでき ない。 この場合、 反射光の L D 1 1の裏面における結像位置は、 LD裏 面出射スポッ ト位置に対して△だけシフトする。 そして、 以下の (3) 式が成立する。
A= 2 f X t a n (2 Θ) (3) 式
よって、 例えば、 0が 3 ° 、 f が 1. 5 mmの場合、 △は 1 5 8 m となる。 そのため、 LD 1 1のチップ幅が 40 0 mと仮定し、 LD 1 1の側面及び台座 1 6からの反射を考慮すると、 LD 1 1がエタロン 1 3からの反射光を受ける。更に、 LD 1 1は、 LD 1 1の裏面近傍から、 その反射光を反射してしまう。 よって、 LD 1 1とエタロン 1 3との間 の多重反射を防止する最も効果的な方法は、 エタロン 1 3からの平行ビ ーム 2の反射光が、 LD 1 1の上方を通過するように、レンズ 1 2 aを、 平行ビーム 2が第 1の方向より上方に出射するように設ける方法といえ る。 このように、 レンズ 1 2 aは、 エタロン 1 3からの反射光を L D 1 1の上方に逃がすように設けることが好ましい。
(エタロン傾斜角度)
エタロン 1 3は、 図 2 Aに示すように、 エタロン 1 3の側面 1 3 bに 平行ビ一ム 2が入射しないように平行ビーム 2に対して傾斜して設けら れることが好ましい。 例えば、 エタロン 1 3を、 エタロン 1 3の入射面 1 3 aが第 2の方向と平行な状態から、 図 2 Aにおける反時計方向に回 転させることにより、 平行ビーム 2に対して傾斜させて設けることがで きる。 エタロン 1 3は、 図 2 Aにおける反時計方向に回転することによ り、 平行ビーム 2に対して、 傾斜角度 0だけ傾斜して設けられる。
これによれば、 レンズ 1 2 aからの平行ビーム 2が、 エタロン 1 3に 入射される入射面 1 3 aを正面とした場合のエタ口ン 1 3の側面 1 3 b に、 平行ビーム 2が入射されることを防止できる。 その結果、 エタロン 1 3の側面 1 3 bからは平行ビーム 2の反射光が発生しない。そのため、 側面 1 3 bからの反射光が、 PD 1 4, 1 5に入射して、 PD 14, 1 5のノイズとなったり、 側面 1 3 bからの反射光が L D 1 1に戻ったり することがない。
この結果、 エタロン 1 3からの反射光が LD 1 1に影響を与えること を防止できる。 更に、 LD 1 1とエタロン 1 3との間や、 エタロン 1 3 と PD 14, 1 5との間の多重反射雑音が、 PD 14, 1 5やエタロン 1 3に影響を及ぼし、 PD 14, 1 5が行う特定波長平行ビーム 3の受 光強度の変動やレーザ光 1 (後方出力) の出力強度の変動の検出動作に 影響を与えることを防止できる。
よって、 レーザモジュール 1 0は、 PD 14, 1 5の検出動作の精度 を向上させることができる。 そのため、 LD駆動電流回路や、 サーミス 夕 2 0やペルチェ素子 2 1のような温度制御手段は、 LD 1 1の前方出 力の波長、 出力強度の制御を精度良く行うことができる。 従って、 レー ザモジュールは、 LD 1 1を安定して動作させることができる。 尚、 ェ タロン 1 3が、 平行ビーム 2に対して第 2の方向から傾斜角度 0だけ傾 斜した状態で、 平行ビーム 2が入射する高さに位置するように、 保持部 材 2 2 bの高さが調整される。
(PD傾斜角度)
P D 14, 1 5は、 図 2 Aに示すように、 図 2 Aにおいて平行ビーム 2と直交する状態から、 図 2 Aにおける反時計方向に回転されて、 平行 ビーム 2や特定波長平行ビーム 3に対して傾斜して設けられることが好 ましい。 これによれば、 PD 14, 1 5は、 PD 14からの特定波長平 行ビーム 3の反射光や、 PD 1 5からの平行ビーム 2の反射光が、 エタ ロン 1 3に入射せずに、 エタロン 1 3から外れるように設けられる。 こ の設定は、 エタロン 1 3と、 PD 14, 1 5との間で多重反射が生じる ことを防止できる。
よって、レーザモジュール 1 0は、その多重反射の雑音が、 PD 1 4, 1 5やエタロン 1 3に影響を及ぼし、 PD 1 4, 1 5が行う特定波長平 行ビーム 3の受光強度の変動やレーザ光 1 (後方出力) の出力強度の変 動の検出動作に影響を与えることを防止できる。 よって、 レーザモジュ ール 1 0は、 PD 1 4, 1 5の検出動作の精度を向上させることができ る。 そのため、 LD駆動電流回路や、 サーミス夕 20やペルチェ素子 2 1のような温度制御手段は、 LD 1 1の前方出力の波長、 出力強度の制 御を精度良く行い、 波長をロックすることができる。 従って、 レーザモ ジュール 1 0は、 LD 1 1を安定して動作させることができる。 尚、 P D 14, 1 5が、 平行ビーム 2や特定波長平行ビ一ム 3に対して第 2の 方向からの傾斜角度を有した状態で、 平行ビーム 2や特定波長平行ビー ム 3が入射する高さに位置するように、 保持部材 22 cの高さが調整さ れる。
(レーザモジュールの特性)
以上説明したレ一ザモジュール 1 0の PD 14, 1 5の特性を図 3に 示す。 図 3において、 縦軸は、 PD 14, 1 5が出力するモニタ電流値 I p d (単位は/ X A) であり、 横軸は、 周波数 (単位は TH z) である。 又、 実線が、 PD 14の特性を示しており、 点線が、 PD 1 5の特性を 示している。 図 3に示すように、 0. 1 TH z間隔にあり、 I TU (International Telecommunication Union) 一 G r i d標準規格で 規定されている周波数と、 PD 14が出力するモニタ電流値の変化が著 しい周波数とがー致している (図 3中、 丸で囲まれた部分)。
よって、 わずかなレーザ光 1の波長変動に対しても、 PD 14が出力 するモニタ電流値は、 大きく変化することができる。 そのため、 PD 1 4は、 精度良く検出した特定波長平行ビーム 3の受光強度の変動を、 L D制御回路や温度制御手段に、 フィードバックすることができる。 その 結果、 LD制御回路や温度制御手段は、 LD 1 1の前方出力の波長を常 に一定に保つよう適切に制御を行って、 レーザ光 1の波長をロックする ことができる。 このように、 レーザモジュール 1 0は、 ロックされた急 峻なレ一ザ波長を与えることができる。
〔レーザモジュールの製造方法〕
次に、 レーザモジュール 1 0の製造方法について説明する。 最初に、 キャリア 1 8上に台座 1 6を配置し、台座 1 6上に LD 1 1を配置する。 (第 1工程: レンズの配置)
まず、 LD 1 1に対して、 レンズ 1 2 aを配置する第 1工程を行う。 レンズ 1 2 aは、平行ビーム 2が第 1の方向より上方に出射するように、 LD 1 1に対して配置する。 具体的には、 図 2 Bに示したように、 レン ズ 1 2 aからの平行ビーム 2が、 傾斜角度 だけ第 1の方向から上方に 出射されるように、 レンズ 1 2 aの位置を調整して固定する。 図 4 A、 4 B、 5 A、 5 Bを用いて、 レンズ 1 2 aの位置の調整方法を説明する。 レンズ 1 2 aの位置調整は、 赤外線カメラを用いて行う。
まず、 図 4 Aに示すように、 レンズ 1 2 aの中心と、 L D 1 1の中心 とが一致するように、 レンズ 1 2 aを配置する。 このときのレンズ 1 2 aの下面の位置は、 図 4 A中の C線である。 レンズ 1 2 aは、 変換した 平行ビーム 2を、 赤外線カメラのレンズ 2 3に入射する。 図 4 Bは、 図 4 Aに示すようにレンズ 1 2 aを配置した場合に、 赤外線カメラの画像 モニタ画面 2 4に映し出される平行ビーム 2の画像 2 5である。 レンズ 1 2 aの中心と L D 1 1の中心とがー致する場合に、 図 4 Bに示すよう に、 平行ビーム 2の画像 2 5が、 画像モニタ画面 2 4の中心に位置する ように、 赤外線カメラを設定しておく。
次に、 図 4 Aの状態から、 上方 (図 4 Aに示す矢印 B方向) に、 レン ズ 1 2 aを移動させる。 レンズ 1 2 aの上方への移動に伴い、 図 5 Aに 示すように、平行ビーム 2は、第 1の方向から上方へ曲がる。図 5 Bは、 図 5 Aに示すようにレンズ 1 2 aを上方に移動させた場合に、 赤外線力 メラの画像モニタ画面 2 4に映し出される平行ビーム 2の画像 2 5であ る。 図 5 Bに示すように、 レンズ 1 2 aの移動に伴って、 画像モニタ画 面 2 4に映し出された画像 2 5も、 図 4 Bに示した画像モニタ画面 2 4 の中心の位置から、 上方へ移動する。 又、 レンズ 1 2 aからの平行ビ一 ム 2が、 傾斜角度 Φだけ第 1の方向から上方に出射されるときの画像 2 5の画像モニタ画面 2 4上の位置 (以下 「規定位置」 という) を、 レン ズ 1 2 aと赤外線カメラの焦点位置から予め算出しておく。
そして、 レンズ 1 2 aの移動に伴い、 平行ビーム 2の画像 2 5が、 画 像モニタ画面 2 4上の規定位置に達したとき、レンズ 1 2 aを固定する。 これにより、 レンズ 1 2 aは、 C線から δ Yだけ上方に移動し、 レンズ 1 2 aの中心が、 L D 1 1の中心よりも <5 Yだけ上方に位置するように オフセットされた位置に配置される。 即ち、 レンズ 1 2 aは、 レンズ 1 2 aからの平行ビーム 2が、 傾斜角度 φだけ第 1の方向から上方に出射 する位置に配置される。 尚、 レンズ 1 2 aのオフセットされた位置での 配置は、 図 2 Bに示したレンズ 1 2 aを保持する保持部材 22 aをキヤ リァ 1 8上に配置し、その高さを調整することにより行うことができる。 (第 2工程: PDの配置)
次に、 平行ビーム 2が入射される位置に、 PD 14, 1 5を配置する 第 2工程を行う。 まず、 PD 14, 1 5の傾斜角度を設定する。 図 6 A に示すように、 PD 14, 1 5を、 図 6 Aに示す上面図において平行ビ —ム 2と直交する状態から図 6 Aにおける時計方向に回転させて、 平行 ビーム 2や特定波長平行ビーム 3に対して傾斜させた場合、 PD 1 4, 1 5からの反射光 4が、 図 6 Aの矢印で示すように、 エタロン 1 3に入 射してしまう。
そのため、 PD 14, 1 5を、 図 6 Bに示すように、 図 6 Bに示す上 面図において平行ビーム 2と直交する状態から、 図 6 Bにおける反時計 方向に回転させて、 平行ビーム 2や特定波長平行ビーム 3に対して傾斜 させる。 これにより、 PD 14, 1 5を、 P D 14からの特定波長平行 ビーム 3の反射光や PD 1 5からの平行ビーム 2の反射光が、 後に配置 されるエタロン 1 3に入射しないように、 エタロン 1 3から外れるよう に設けることができる。
次に、 PD 14, 1 5を、 図 6 Bにおける反時計方向に回転させて、 傾斜させた状態で、 PD 14, 1 5が受光する光量を調整する。 まず、 平行ビーム 2が入射する位置に、 傾斜させた状態で PD 1 4, 1 5を配 置する。 次に、 PD 14, 1 5を、 図 6 Bに示す上面図において平行ビ —ム 2と直交する方向 (図 6 Bに示す S方向) に、 前後 (図 6 Bに示す プラス側とマイナス側) に移動させて、 PD 1 4, 1 5が受光する平行 ビーム 2の光量を調整する。 即ち、 PD 14, 1 5を、 図 6 Bに示すの 矢印 D方向と、 矢印 E方向に移動させて、 PD 14, 1 5が受光する光 量を調整する。
P D 14, 1 5が受光する平行ビーム 2の光量は、 PD 14, 1 5が 受光することになる平行ビーム 2や特定波長平行ビーム 3の受光強度 (Optical Power) が、 ほぼ所望の値となるように調整する。 PD 1 5 には、 平行ビーム 2がそのまま入射される。 これに対して、 PD 1 4に は、 実際には、 エタロン 1 3によって透過された、 特定の波長を持つ特 定波長平行ビーム 3が入射される。 そのため、 PD 14には、 PD 1 5 よりも多い光量の平行ビーム 2が入射するように調整する。 そして、 P D 1 5が受光する平行ビーム 2の光量と、 PD 14が受光する特定波長 平行ビーム 3の光量がほぼ等しくなり、 PD 1 4における特定波長平行 ビーム 3の受光強度と、 PD 1 5における平行ビーム 2の受光強度とが ほぼ等しくなるように調整する。
具体的には、 通常、 図 6 Bにおいて、 PD 14が受光する平行ビーム 2の光量と、 P D 1 5が受光する平行ビーム 2の光量との比が、 約 2 : 1となるように調整する。 但し、 エタロン 1 3の種類によって、 PD 1 4が受光する平行ビーム 2の光量と、 P D 1 5が受光する平行ビーム 2 の光量との比は適宜設定できる。 例えば、 両者の比は、 約 3 : 1に設定 することもできる。 重要なことは、 PD 14, 1 5を、 エタロン 1 3を 平行ビーム 2の中に最終的に配置した際に、 PD 1 5が受光する平行ビ ームの光量と、 PD 14が受光する特定波長平行ビームの光量との比が、 ほぼ 1 : 1となるように調整することである。
このようにして、 PD 1 4, P D 1 5が受光する平行ビーム 2の光量 が、所望の値となるように PD 1 4, 1 5の位置を調整して、 PD 1 4, 1 5の位置を決定する。 そして、 図 6 Bにおける反時計方向に回転させ て傾斜させた状態、 かつ、決定した位置に、 PD 14, 1 5を配置する。 尚、 PD 14, 1 5の決定した位置での配置は、 図 2 Bに示した PD 1 4, 1 5を保持する保持部材 2 2 cをキャリア 1 8上に配置し、 その位 置、 傾斜角度、 高さを調整して行うことができる。
このように、 PD 1 4, P D 1 5が受光する平行ビーム 2の光量を調 整することにより、 エタロン 1 3を透過して、 平行ビーム 2そのままよ りも出力強度が低下してしまう特定波長平行ビーム 3を受光する PD 1 4が受光する光量を増やし、 平行ビーム 2そのままを受光する PD 1 5 が受光する光量を減らすことができる。そして、 PD 14, PD 1 5は、 PD 1 5が受光する平行ビーム 2の光量と、 PD 14が受光する特定波 長平行ビーム 3の光量が等しくなるように設けられる。 そのため、 PD 14, 1 5が共に、 適切な受光強度を検出できる。
(第 3工程:エタロンの配置)
次に、 P D 14に入射される平行ビーム 2中に、 エタロン 1 3を配置 する第 3工程を行う。 最初に、 エタロン 1 3の傾斜角度を設定する。 ま ず、 図 7 Aに示すように、 平行ビーム 2全てがエタロン 1 3に入射し、 第 2の方向とエタロン 1 3の入射面 1 3 aとが平行になるように、 エタ ロン 1 3を配置する。
図 7 Aに示す第 2の方向と平行な状態から、 図 7 Bに示すように、 ェ タロン 1 3を、 図 7 Bにおける反時計方向 (図 7 Bに示す矢印 F方向) に回転させて、 平行ビーム 2に対して傾斜させていく。 即ち、 エタロン 1 3の傾斜角度 0を、 エタロン 1 3の側面 1 3 bに平行ビーム 2が入射 しないように変化させていく。 このエタロン 1 3の回転に伴って、 第 2 の方向からの傾斜角度 0が変化し、 エタロン 1 3への平行ビーム 2の入 射角度が変化する。 そのため、 エタロン 1 3の透過率は、 波長方向にシ フトする。この結果、エタロン 1 3の傾斜角度 Sの変化に伴う P D 1 4, 1 5のモニタ電流の値は、 図 8に示すように変化する。
エタロン 1 3の傾斜角度 Sは、 図 8を用いて説明する以下の手順によ り決定できる。 尚、 図 8において、 縦軸は、 P D 1 4 , 1 5が出力する モニタ電流値 I p dである (単位は A)。 横軸は、 エタロン 1 3の第 2 の方向からの傾斜角度 0である。 図 8中右方向は、 図 7 Aにおける時計 方向への回転を示しており、 左方向は図 7 Aにおける反時計方向への回 転を示している。 又、 実線が、 P D 1 4の特性を示しており、 点線が、 P D 1 5の特性を示している。
まず、 上記したように、 エタロン 1 3を、 図 7 Aの第 2の方向と平行 な状態から (図 8に示すエタロン傾斜角度 0が 0の状態から)、 図 7 Bに おける反時計方向に回転させていく。 そのときの P D 1 4のモニタ電流 値の最初の極大点における傾斜角度 (θ - a) と、 最初の極大点の次に 位置し、 極大点と隣接している PD 1 4のモニタ電流値の極小点におけ る傾斜角度 (0 = b) を求める (手順 1)。 次に、 求めた極大点における 傾斜角度 (0 == a) と、 極大点と隣接する極小点における傾斜角度 (S = b) との中間の傾斜角度 (0 = c ) を求める。 そして、 その傾斜角度 ( θ = ο ) で、 エタロン 1 3を固定する (手順 2)。
このような手順により、 モニタ電流値の最初の極大点における傾斜角 度 (0 = a) と、 最初の極大点の次に位置する極小点における傾斜角度 ( e = b) との中間の傾斜角度 (0 = c ) で、 エタロン 1 3を固定する ことができる。 即ち、 エタロン 1 3の平行ビーム 2に対する傾斜の角度 は、 エタロン 1 3の傾斜角度 Θを、 エタロン 1 3の側面 1 3 bに平行ビ ーム 2が入射しないように変化させていった時の P D 1 4のモニタ電流 値の隣接する極大点と極小点の中間点における角度に設定される。
これにより、 P D 1 4のモニタ電流値の変動が大きい位置 (図 8に示 す d点) で、 エタロン 1 3を固定することができる。 即ち、 レーザモジ ユール 1 0は、 エタロン 1 3の傾斜角度を、 PD 14のモニタ電流値の 変動が大きくなる角度に設定できる。 その結果、 PD 14が特定波長平 行ビーム 3の受光強度の変動を検出する感度を向上させることができる ( そのため、 レーザモジュール 1 0は、 その検出結果に基づいて、 高精度 な波長制御を行うことができる。
尚、 PD 1 4のモニタ電流値の隣接する極大点と極小点は、 エタロン 1 3の傾斜角度 0を 0の状態から、 エタロン 1 3の側面 1 3 bに平行ビ ーム 2が入射しないように変化させていった時の最初の極大点と、 最初 の極大点の次に位置する極小点に限られない。 即ち、 エタロン 1 3は、 エタロン 1 3を、 図 7 Bにおける反時計方向に回転させていったときの いずれかの隣接する極大点と極小点の中間点における傾斜角度を求め、 その傾斜角度で固定することができる。
例えば、 エタロン 1 3を、 図 7 Bにおける反時計方向に回転させてい つたときのモニタ電流値の最初の極小点における傾斜角度(0 = h)と、 その極小点の次に位置し、 隣接するモニタ電流値の極大点における傾斜 角度 (0 = a) との中間の傾斜角度を求め、 エタロン 1 3を固定しても よい。 この場合でも、 P D 14のモニタ電流値の変動が比較的大きい位 置 (図 8に示す e点) で、 エタロン 1 3を固定できる。
同様に、 モニタ電流値の極小点における傾斜角度 (0 = b) と、 その 極小点の次に位置し、 隣接するモニタ電流値の極大点における傾斜角度 (Θ = i ) との中間の傾斜角度でエタロン 1 3を固定してもよい。 この 場合でも、 PD 1 4のモニタ電流値の変動が比較的大きい位置 (図 8に 示す f 点) で、 エタロン 1 3を固定することができる。 又、 モニタ電流 値の極大点における傾斜角度 (0 = i ) と、 その極大点の次に位置し、 隣接するモニタ電流値の極小点における傾斜角度 (図示省略) との中間 の傾斜角度でエタロン 1 3を固定してもよい。 この場合でも、 PD 14 のモニタ電流値の変動が比較的大きい位置 (図 8に示す g点) で、 エタ ロン 1 3を固定することができる。 このように、 隣接する極大点と極小 点は、 いずれが先であっても構わない。
但し、 エタロン 1 3は、 図 7 Aに示す第 2の方向と平行な状態から図 7 Bにおける反時計方向に回転させていったときのモニタ電流値の最初 の極大点における傾斜角度 (S = a) と、 最初の極大点の次に位置し、 隣接する極小点における傾斜角度 (0 = b) との中間の傾斜角度 (S = c ) で固定されることが好ましい。 即ち、 エタロン 1 3の平行ビーム 2 に対する傾斜角度は、 傾斜角度 0を 0からエタロン 1 3の側面 1 3 bに 平行ビーム 2が入射しないようにして変化させていった時の PD 1 4受 光素子のモニタ電流値の最初の極大点と、 最初の極大点の次に位置する 極小点との中間点における角度に設定されることが好ましい。
これによると、 上記したように PD 14のモニタ電流値の変動が最も 大きい位置(図 8に示す d点)でエタロン 1 3を固定できる。そのため、 PD 1 4の受光強度の変動の検出感度が最大となる。 尚、 PD 1 4のモ 二夕電流値の変動が最も大きい位置 (図 8に示す d点) を与える傾斜角 度 (S = c) は、 エタロン 1 3の特性によって、 様々な値をとる。
次に、 エタロン 1 3を、 傾斜角度 0だけ傾斜させた状態で、 PD 14 に入射される平行ビーム 2中に配置する。 即ち、 PD 14にだけ、 エタ ロン 1 3を透過した特定波長平行ビーム 3が入射するように、 エタロン 1 3を PD 1 4に入射される平行ビーム 2中に配置する。 具体的には、 以下に図 9 A乃至 9 D、 図 1 0を用いて説明するエタロン 1 3の S方向 の位置決定方法により決定した位置に、 エタロン 1 3を配置する。 尚、 エタロン 1 3の S方向の位置決定方法における S方向とは、 図 9 A乃至 9 Dにおいて平行ビーム 2と直交する方向をいう。 又、 手前、 即ち、 P D 1 5側を S方向のプラス側、 奥、 即ち、 P D 14側を S方向のマイナ ス側とする。 図 1 0において、 縦軸は、 PD 1 4, 1 5が出力するモニ 夕電流値 I p dである (単位は A)。 横軸は、 エタロン 1 3の S方向の 位置であり、 図 1 0における右方向はプラス側を、 左方向はマイナス側 を示している。 又、 実線が、 PD 1 4の特性を示しており、 点線が、 P D 1 5の特性を示している。
まず、 図 7 Bに示したように、 図 7 Bにおける反時計方向に回転させ ることにより 0 = cの傾斜角度で固定されたエタロン 1 3を平行ビーム 2中から外す。 そして、 図 9 Aに示すように、 エタロン 1 3を、 S方向 のマイナス側へ移動させる。 次に、 エタロン 1 3を、 図 9 B、 9 Cに示 すように、 図 9 Aの状態から、 S方向のマイナス側からプラス側へ移動 させる (図 9 B、 9 Cに示す矢印 G方向)。 即ち、 エタロン 1 3を、 平行 ビーム 2を徐々に遮っていくように移動させる。 そして、 このエタロン 1 3の移動に伴う PD 14, 1 5のモニタ電流値の変化を観察する。 エタ口ン 1 3の移動に伴う P D 14, 1 5のモニタ電流の値の変化は、 図 1 0に示すようになる。 図 9 Aに示すように、 エタロン 1 3が S方向 のマイナス側にあって、 平行ビーム 2を全く遮っていないときのエタ口 ン 1 3の角部の位置を、 S方向の値が最小値の位置とする。 このときの モニタ電流値は、図 1 0の一番左の値となる。以下に示す S方向の値は、 エタロン 1 3の角部の位置を表している。
まず、 図 1 0において実線で示されている P D 14のモニタ電流の値 の変化を観察する。 エタロン 1 3は、 S方向のマイナス側からプラス側 へ移動し、 最初に PD 14に入射する平行ビーム 2を遮る位置 (S方向 の値が j の位置、 図 1 0に示す O点) まで到達する。 その後、 エタロン 1 3が、 S方向のマイナス側からプラス側へ移動し、 平行ビーム 2を遮 る面積が拡大するに従って、 PD 14のモニタ電流値は下降し続ける。 そして、 エタロン 1 3が、 P D 14に入射する平行ビーム 2を完全に 遮ってしまう。 その後しばらくの間は、 エタロン 1 3を移動させても、 PD 1 4のモニタ電流値は変化せずに、 フラットな状態を保つ。 更に、 エタロン 1 3はプラス側へ移動すると、 PD 14に入射する平行ビーム 2を遮らなくなる。 エタロン 1 3が平行ビ一ム 2の一部を遮らなくなる 位置 (S方向の値が mの位置、 図 1 0に示す r点) まで到達した後は、 P D 1 4のモニタ電流値は増加に転じる。 最後に、 エタロン 1 3が、 図 9 Cに示すように、 S方向のプラス側にあって、 平行ビーム 2を全く遮 らない位置(S方向の値が nの位置、図 1 0中の S点)まで移動すると、 P D 1 5のモニタ電流値は、 S方向の値が j の位置である図 1 0に示す o点における値と同じ最大値を示す。
次に、 図 1 0において点線で示されている P D 1 5のモニタ電流値の 変化を観察する。 エタロン 1 3が、 S方向のマイナス側からプラス側へ 移動し、 S方向の値が j の位置 (図 1 0に示す O点) まで到達し、 PD 1 4に入射する平行ビーム 2を遮り始める。 このとき、 PD 1 5に入射 する平行ビーム 2には影響がない。 そのため、 PD 1 5のモニタ電流値 に変化はない。 その後、 エタロン 1 3が、 P D 1 4に入射する平行ビ一 ム 2を完全に遮って、 図 9 Bに示すように、 PD 1 5に入射する平行ビ ーム 2を遮り始める位置 (S方向の値が 1の位置、 図 1 0に示す q点) に到達する。 到達後、 エタロン 1 3の移動に伴って、 PD 1 5のモニタ 電流値は下降に転じる。 そして、 エタロン 1 3が、 PD 1 5に入射する 平行ビーム 2を完全に遮ってしまう。 その後しばらくの間は、 エタロン 1 3を移動させても、 PD 1 5のモニタ電流値は変化せずに、 フラット な状態を保つ。
更に、 エタロン 1 3はプラス側へ移動すると、 PD 1 5に入射する平 行ビーム 2を遮らなくなり、 P D 1 5のモニタ電流値は増加に転じる。 最後に、 エタロン 1 3が、 図 9 Cに示すように、 S方向のプラス側で、 平行ビーム 2を全く遮らない位置 (S方向の値が nの位置、 図 1 0に示 す S点)まで移動すると、 PD 1 5のモニタ電流値は元の値に回復する。 エタロン 1 3を、 PD 1 4に入射される平行ビ一ム 2中に配置したい。 そのため、 PD 1 4にだけ、 エタロン 1 3を透過した特定波長平行ビ一 ム 3が入射され、 PD 1 5には、 エタロン 1 3を透過した特定波長平行 ビーム 3が入射されない位置を、 エタロン 1 3を配置する位置として決 定する必要がある。 そのため、 エタロン 1 3の S方向の最適な位置は、 エタロン 1 3が、 PD 1 5に入射する平行ビーム 2を遮り始めてしまう S方向の値が 1の位置(図 1 0に示す ci点)よりもマイナス側で、かつ、 PD 14のモニタ電流値が最小値をとる位置 (S方向の値が k、 図 1 0 に示す P点) となる。 このような S方向の値が kの位置は、 エタロン 1 3が、 PD 14に入射される平行ビーム 2を完全に遮っており、 かつ、 PD 1 5に入射される平行ビームを全く遮っていない位置となる。
従って、 エタロン 1 3を配置する位置を、 S方向の値が kの位置と決 定する。 そして、 上記エタロン 1 3の移動に伴う PD 1 4, 1 5のモニ 夕電流値の変化を観察した後の図 9 Cの状態から、 エタロン 1 3を移動 させる。 具体的には、 図 9 Dに示すように、 エタロン 1 3の角部の位置 が、 S方向の値が kの位置となるように、エタロン 1 3をマイナス側(図 9 Dに示す H方向) に移動させて配置する。 尚、 エタロン 1 3の移動に 伴う PD 14, 1 5のモニタ電流値の変化の観察の際に、 エタロン 1 3 を、 必ずしも、 図 9 Cの状態まで移動させる必要はない。 図 1 0に示す P点が分かり、 S方向の値 kが求められた時点で、 モニタ電流値の変化 の観察を終了してもよい。 そして、 エタロン 1 3の角部の位置が、 S方 向の値が kの位置となるように、 エタロン 1 3を配置してもよい。
このようにして、 図 7 Bにおける反時計方向に回転させて、 エタロン 1 3の側面 1 3 aに平行ビーム 2が入射しないように平行ビーム 2に対 して傾斜した状態、 かつ、 P D 1 4に入射される平行ビーム 2中に、 ェ 夕ロン 1 3を配置する。 エタロン 1 3の決定した位置での配置は、 図 2 Bに示したエタロン 1 3を保持する保持部材 2 2 bをキャリア 1 8上に 配置し、 その位置、 傾斜角度、 高さを調整して行うことができる。
このエタロン 1 3の配置方法において特に重要なことは、 エタロン 1 3を、図 7 Bにおける反時計方向に回転させて、平行ビーム 2に対して、 第 2の方向からの傾斜角度 0だけ傾斜させて設けることである。 比較の ために、 エタロン 1 3を図 7 Bにおける時計方向に回転させて傾斜角度 を設け、上記したエタロン 1 3の S方向の位置決定方法を行う(比較例)。 図 1 1は、 このときのエタロン 1 3の移動に伴う P D 1 4 , 1 5のモニ タ電流値の変化を示す。
図 1 1より、 エタロン 1 3の側面 1 3 bからの反射光が、 P D 1 4, 1 5に入射していることが分かる (図 1 1に示す丸で囲まれた 2箇所)。 更に、 エタロン 1 3の S方向の最適な位置である S方向の値が kの位置 (図 1 1に示す t点) は、 エタロン 1 3の側面 1 3 bからの反射光が P D 1 5に入射している位置と一致している。 反射光は、 全く制御されて いないため、 不安定な出力となることが多い。 そのため、 エタロン 1 3 を図 7 Bにおける時計方向に回転させて傾斜角度を設け、 S方向の値が kの位置に配置した場合には、 L D 1 1を安定して制御することができ なくなる。
これに対して、 エタロン 1 3を、 図 7 Bにおける反時計方向に回転さ せて、 エタロン 1 3の側面 1 3 aに平行ビ一ム 2が入射しないように平 行ビーム 2に対して、 傾斜角度 0だけ傾斜させた場合には、 図 1 0に示 したように、エタロン 1 3の側面 1 3 bからの反射光が抑制されている。 よって、レ一ザモジュール 1 0は、安定して L D 1 1の波長を制御して、 口ックできる。
このような第 1工程から第 3工程によって、 台座 1 6、 保持部材 2 2 a〜 2 2 cを介して、 キャリア 1 8上に LD 1 1、 レンズ 1 2 a、 エタ ロン 1 3、 PD 1 4, 1 5が、 ほぼ直線状に配置される。 その後、 キヤ リア 1 8上に、 LD 1 1と並べてサ一ミス夕 2 0を配置する。 更に、 L D 1 1、 レンズ 1 2 a、 エタロン 1 3、 PD 1 4, 1 5とほぼ直線状に 並ぶように、 レンズ 1 2 b、 ァイソレー夕 1 9をキヤリア 1 8上に配置 する。 レンズ 1 2 b、 アイソレータ 1 9は、 保持部材 22 d, 2 2 eを 介して、 キャリア 1 8上に配置する。 そして、 パッケージ 1 7内に、 ぺ ルチェ素子 2 1を配置する。 最後に、 そのペルチェ素子 2 1上にキヤリ ァ 1 8を配置して、 パッケージ 1 7に収容する。 以上説明したようにし て、 図 3に示したような PD 14, 1 5の出力を有する図 2 A、 2 Bに 示したレ一ザモジュール 1 0を製造できる。
このようなレーザモジュール 1 0及びレーザモジュールの製造方法に よれば、 レーザモジュール 1 0は、 エタロン 1 3が、 レンズ 1 2 aから の平行ビーム 2の一部が入射されるように設けられ、 その入射された平 行ビーム 2に含まれる特定の波長を持つ特定波長平行ビ一ム 3を透過さ せる。 そのため、 レーザモジュール 1 0は、 レンズ 1 2 aからの平行ビ ーム 2を、 レンズ 1 2 aからの平行ビーム 2そのままと、 レンズ 1 2 a からの平行ビーム 2から取り出した特定波長平行ビーム 3とに、 ビーム スプリッタのような他の部品を用いずに、 容易に分けることができる。 よって、 レーザモジュール 1 0では、 構成する部品数、 製造工程を減ら すことができ、 歩留まり向上や、 低価格化を図ることができる。
又、 エタロン 1 3は、 レンズ 1 2 aからの平行ビーム 2の一部が入射 されるように設けられ、特定波長平行ビーム 3を透過させるだけである。 そのため、 平行ビーム 2と特定波長平行ビーム 3は、 同じ方向へ進行す る。 よって、 レンズ 1 2 aからの平行ビームをそのまま受光する P D 1 5と、 エタロン 1 3からの特定波長平行ビーム 3を受光する P D 14と を、 平行ビーム 2が進行する同じ方向に配置することができる。
その結果、 レーザモジュール 1 0では、 LD 1 1、 レンズ 1 2 a、 ェ 夕ロン 1 3、 P D 14, 1 5を、 ほぼ直線状に配置することができる。 よって、 従来のビームスプリッ夕 3 6のような分岐素子を用いて平行ビ —ム 6を分岐するレーザモジュール 3 0のように、 分岐した一方の平行 ビーム 6 aを受光する P D 5 5を、 平行ビーム 6が進行する方向ではな く、平行ビーム 6が進行する経路の横に配置した構造とする必要がない。 そのため、 レーザモジュールの小型化を図ることができる。
更に、 レンズ 1 2 aは、 平行ビーム 2が第 1の方向より上方に出射す るように設けられる。 そのため、 レーザモジュール 1 0では、 レンズ 1 2 aから平行ビーム 2が入射されることにより、 エタロン 1 3で生じる 平行ビーム 2の反射光を、 LD 1 1上方に逃がすことができる。よって、 レ一ザモジュール 1 0は、 反射光が LD 1 1に戻ることを抑制できる。 その結果、 レーザモジュール 1 0は、 LD 1 1を安定して動作させるこ とができる。
〔変更例〕
尚、 本発明は、 上記実施形態に限定されるものではなく、 種々の変更 が可能である。 上記実施形態では、 波長選択制御素子として、 エタロン 1 3を用いたが、 エタロン 1 3に代えて、 誘電体多層膜フィルタや、 同 様の機能を有するその他のフィルタを用いることができる。 又、 上記実 施形態で説明した技術は、 エタロン 1 3だけではなく、 全ての波長選択 制御素子に当てはまる共通の技術であり、 同様の効果を得ることができ る。
又、 図 2 A及び図 7 Bのように、 LD 1 1、 レンズ 1 2 aがエタロン 1 3の左側に配置され、 平行ビーム 2がエタロン 1 3の左方向からエタ ロン 1 3に入射され、 エタロン 1 3が、 平行ビーム 2の奥 (図 2 A上方) に配置されている場合には、 エタロン 1 3を反時計方向に回転させる。 そして、エタロン 1 3の側面 1 3 aに平行ビーム 2が入射しないように、 エタロン 1 3を平行ビーム 2に対して傾斜させる。 しかし、 エタロン 1 3を回転させる方向は、 レンズ 1 2 a、 エタロン 1 3、 P D 1 4 , 1 5 の配置により決定され、 反時計方向に限定されるものではない。
又、 図 2 Bでは、 レンズ 1 2 aは、 平行ビーム 2が、 第 1の方向より 上方に出射するように設けられているが、 レンズ 1 2 aは、 第 1の方向 に対して角度を有して出射するように設けられればよく、 第 1の方向よ り上方に出射する場合に限定されない。 例えば、 図 1 2、 1 3に示すレ —ザモジュール 3 0, 40のように、 レンズ 32 a, 42 aは、 LD 1 1からのレ一ザ光 1のレンズ 3 2 a, 42 aへの入射位置が、 レンズ 3 2 a, 42 aの中心から、 縦方向 (図 1 2、 1 3に示す Y軸方向) にォ フセットされて、 配置することができる。
詳細には、 レンズ 3 2 aの中心は、 L D 1 1の中心よりも奥 (図 1 2 における上方) に位置するようにオフセットされる。 又、 レンズ 42 a の中心は、 LD 1 1の中心よりも手前 (図 1 3における下方) に位置す るようにオフセットされる。 その結果、 レンズ 32 a, 42 aは、 平行 ビーム 2を第 1の方向に対して角度を有して出射することができる。 そ のため、 レーザモジュール 3 0, 40では、 レンズ 3 2 a, 42 aから 平行ビーム 2が入射されることにより、 エタロン 1 3で生じる平行ビ一 ム 2の反射光を、 LD 1 1の側方に逃がすことができる。 よって、 レ一 ザモジュール 30, 40は、反射光が LD 1 1に戻ることを抑制できる。 その結果、 レーザモジュール 3 0, 40は、 LD 1 1を安定して動作さ せることができる。 このように、 レンズ 3 2 a, 42 aは、 エタロン 1 3からの反射光を L D 1 1の側方に逃がすように設けることが好ましい, 即ち、 レンズは、 エタロン 1 3で生じる平行ビーム 2の反射光が、 L D 1 1に戻らないように設ければよい。 尚、 図 1 2、 1 3に示すレ一ザ モジュール 3 0, 4 0の構成は、 レンズ 3 2 a, 4 2 a以外は、 図 2 A と同様である。 そのため、 同一の符号を付して説明は省略する。 産業上の利用可能性
以上説明したように、 本発明のレーザモジュール及びレーザモジュ一 ルの製造方法によれば、 歩留まり向上や低価格化、 小型化を図ることが でき、 レーザを安定して動作させることができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . レーザ光を出射するレーザと、
該レーザからの前記レ一ザ光を平行ビームに変換し、該平行ビームが、 前記レーザ光の光軸中心に平行な第 1の方向に対して角度を有して出射 するように設けられたレンズと、
該レンズからの前記平行ビームの一部が入射されるように設けられ、 該入射された平行ビームに含まれる特定の波長を持つ特定波長平行ビー ムを透過させる波長選択制御素子と、
前記レンズからの前記平行ビームを受光する第 1の受光素子と、 前記波長選択制御素子からの前記特定波長平行ビームを受光する第 2 の受光素子と
を備えることを特徴とするレーザモジュール。
2 . 前記波長選択制御素子は、 該波長選択制御素子の側面に前記平行ビ —ムが入射しないように前記平行ビ一ムに対して傾斜して設けられるこ とを特徴とする請求の範囲第 1項記載のレーザモジュール。
3 . 前記波長選択制御素子の前記平行ビームに対する傾斜の角度は、 該 傾斜の角度を前記波長選択制御素子の側面に前記平行ビームが入射しな いようにして変化させていった時の前記第 2の受光素子のモニタ電流値 の隣接する極大点と極小点の中間点における角度に設定されることを特 徵とする請求の範囲第 2項記載のレーザモジュール。
4 . 前記第 1の受光素子及び前記第 2の受光素子は、 前記第 1の受光素 子からの前記平行ビームの反射光及び前記第 2の受光素子からの前記特 定波長平行ビームの反射光が、 前記波長選択制御素子に入射しないよう に設けられることを特徴とする請求の範囲第 1項記載のレーザモジユー ル。
5 . レーザからのレーザ光を平行ビームに変換するレンズを、 前記平行 ビームが、 前記レ一ザ光の光軸中心に平行な第 1の方向に対して角度を 有して出射するように前記レーザに対して配置し、
前記平行ビームが入射される位置に複数の受光素子を配置し、 前記受光素子のいずれかに入射される平行ビーム中に、 該平行ビーム に含まれる特定の波長を持つ特定波長平行ビームを透過させる波長選択 制御素子を、 該波長選択制御素子の側面に前記平行ビームが入射しない ように前記平行ビームに対して傾斜させて配置することを特徴とするレ —ザモジュールの製造方法。
6 . 前記複数の受光素子からの前記平行ビーム及び前記特定波長平行ビ —ムの反射光が、 前記波長選択制御素子へ反射しないように、 前記複数 の受光素子を配置することを特徴とする請求の範囲第 5項記載のレーザ モジュールの製造方法。
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