WO2003060500A1 - Dispositif permettant de maintenir la fraicheur d'un capteur de gaz - Google Patents

Dispositif permettant de maintenir la fraicheur d'un capteur de gaz Download PDF

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WO2003060500A1
WO2003060500A1 PCT/JP2003/000234 JP0300234W WO03060500A1 WO 2003060500 A1 WO2003060500 A1 WO 2003060500A1 JP 0300234 W JP0300234 W JP 0300234W WO 03060500 A1 WO03060500 A1 WO 03060500A1
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WO
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gas
gas sensor
sensor
electrodes
protective material
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Application number
PCT/JP2003/000234
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Inventor
Katsuya Wakita
Masaaki Suzuki
Akiyoshi Hattori
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
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Publication date
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/0004Gaseous mixtures, e.g. polluted air
    • G01N33/0009General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
    • G01N33/0011Sample conditioning
    • G01N33/0014Sample conditioning by eliminating a gas
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
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    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid

Definitions

  • the present invention relates to a gas sensor for detecting low-concentration gas generated from food such as vegetables and fruits, and a refrigerator and a refrigerator for storing food for a long period of time by detecting the freshness of the food using the gas sensor. , Refrigeration box, warm storage, etc. Background art
  • FIG. 8 shows the configuration of such a gas sensor.
  • the gas sensor includes a pair of electrodes 83 provided on the top of the substrate 84, and a gas sensitive body 82 provided between the electrodes 83 and having a thin film structure to improve gas sensitivity. It has a configuration.
  • the gas generated from foods depends on the food, and the odor components are amines such as trimethylamine in raw fish, ethylene in vegetables and fruits, Ethanol, aldehydes, mercaptans, amines such as ammonia have been generated.
  • amines such as trimethylamine in raw fish, ethylene in vegetables and fruits, Ethanol, aldehydes, mercaptans, amines such as ammonia have been generated.
  • gases such as trimethylamine in raw fish
  • ethylene in vegetables and fruits Ethanol, aldehydes, mercaptans, amines such as ammonia have been generated.
  • amines such as trimethylamine in raw fish
  • ethylene in vegetables and fruits Ethanol
  • aldehydes ethylene in vegetables and fruits
  • mercaptans amines such as ammonia
  • ammonia amines such as ammonia
  • a pair of electrodes 83 provided on the upper part of the substrate 84 similar to FIG. 8 (a) and a pair of electrodes 83 provided between the electrodes 83 are provided.
  • a gas sensor in which a protective layer 81 for improving moisture resistance is further formed on top of a catalyst-added gas sensitive body 82 a having a thin film structure to improve gas sensitivity is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 9-166. It is disclosed in No. 567.
  • this gas sensor a configuration is disclosed in which a gas-sensitive catalyst is added to the protective layer so that the sensitivity is not reduced by covering the gas-sensitive body with the protective layer.
  • the protective layer may be made of, for example, a porous material.
  • the dew condensation permeates the protective layer in the form of water vapor.
  • the moisture that has penetrated through the protective layer causes a chemical reaction with the detection site on the gas-sensitive body surface, causing a surface alteration reaction such as hydroxylation, which lowers the sensitivity of the sensor and the electrical resistance of the gas-sensitive body. Changing the temperature from the beginning of use may cause problems such as the inability to stably detect gas. Disclosure of the invention
  • the present invention solves these problems that occur when a protective layer is formed on a gas sensitive body, and provides a highly sensitive and highly reliable gas sensor. Aim.
  • a first aspect of the present invention provides a substrate (4), a pair of electrodes (3) formed on the substrate,
  • the second present invention is the gas sensor according to the first present invention, wherein the direct means that the protective material (1) is formed in close contact with the gas sensitive body.
  • the third invention is the gas sensor according to the first invention, wherein the indirect means that the protective material (31) is formed so as to have a space between the protection member (31) and the gas sensitive body. It is.
  • the fourth invention further includes a storage container (34, 35) that stores the substrate, the pair of electrodes and the gas sensitive body therein, and has a predetermined opening. ,
  • the gas sensor according to a third aspect of the present invention wherein the protective material is provided so as to close the opening and keep the inside of the storage container in a sealed state.
  • a fifth invention provides a storage container (34, 35) that stores the substrate, the pair of electrodes, the gas responsive body, and the protective material, and has a predetermined opening.
  • a lid member (31) made of a porous material that has been subjected to a hydrophobic treatment and is provided so as to close the opening and to seal the inside of the storage container.
  • a sixth invention is the gas sensor according to the first invention, wherein the porous material has an average pore diameter of 100 nm or less.
  • a seventh aspect of the present invention is the gas sensor according to the first aspect, wherein the hydrophobizing treatment is performed so that a contact angle with respect to dew condensation water generated from excess moisture in the atmosphere is 100 ° or more. is there.
  • An eighth aspect of the present invention is the gas sensor according to the first aspect, wherein the protective material is mainly composed of silicon oxide.
  • a ninth aspect of the present invention is the gas sensor according to the first aspect of the present invention, wherein the gas responsive body mainly comprises tin oxide.
  • a tenth aspect of the present invention provides a hangar (71) for storing stored articles, comprising the gas sensor (72) of the fourth or fifth aspect of the present invention;
  • a freshness keeping device comprising a holding means (73, 74) for keeping a state of freshness of the stored article based on information obtained from the gas sensor.
  • the eleventh invention is the freshening apparatus according to the tenth invention, wherein the holding means holds the inside of the hangar in an atmosphere having an absolute water content of 5 g / m 3 to 50 gZm 3 .
  • the first invention is a circuit board (4)
  • This is a gas sensor having a body part (5).
  • FIG. 1A is a cross-sectional view of a gas sensor shown as a first embodiment of the present invention.
  • (c) is a schematic diagram of the vicinity of the gas sensing element 2 of the gas sensor.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the effect of the protective layer of the present invention.
  • FIG. 4 is a sectional view of a gas sensor shown as a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a configuration diagram of a gas sensor unit shown as a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a configuration diagram of a gas sensor unit provided with the gas sensor of the present invention.
  • FIG. 7 is a block diagram of a moisturizing device shown as a fifth embodiment of the present invention.
  • (a) is a configuration diagram of a gas sensor according to a conventional technique.
  • (b) is a configuration diagram of a gas sensor according to a conventional technique.
  • the gas sensitive body is directly or indirectly covered with a porous protective material that has been subjected to a hydrophobic treatment.
  • a porous protective material that has been subjected to a hydrophobic treatment.
  • FIG. 3 is a conceptual schematic diagram illustrating the principle of obtaining the effect of the protective layer.
  • the gas sensing portion is composed of semiconductor particles 13 such as an oxide semiconductor, and has a characteristic that its surface senses gas.
  • the figure shows only one semiconductor particle 13.
  • a porous protective material having a large number of continuous pores 12 in a skeleton portion 11 serving as a substrate (hereinafter referred to as a porous protective material) ⁇ covers the surface of the semiconductor particles 13.
  • the present invention is characterized in that a gas sensor is configured using a porous protective material subjected to a hydrophobic treatment. As a result, the target gas molecules pass through the continuous holes 12 of the protective material and reach the surface of the semiconductor particles 13 that sense the gas, so that the gas can be detected and the gas molecules can be detected. Due to its quality, it is possible to provide a gas sensor capable of high-sensitivity detection without lowering the sensitivity due to the protective material formed on the surface of the semiconductor particles 13.
  • the water particles generated by the condensation phenomenon become spherical while aggregating on the surface of the protective material because the skeleton of the protective material, 11 is water-phobic, and therefore, must adhere to the surface of the protective material. There is no.
  • the dew water is not absorbed by the protective material, it is not condensed and stored in the continuous holes 12 of the protective material.
  • the sensor is energized, and as the sensor temperature rises, it is quickly vaporized from the inside of the protective layer and released to the atmosphere. It is.
  • the present invention has a feature in a form in which a hydrophobic protective material is applied to a gas sensor.
  • a hydrophobic protective material is applied to a gas sensor.
  • FIG. 1 shows one embodiment of the gas sensor of the present invention.
  • a sensor is formed on a supporting substrate 4 for supporting a gas sensor.
  • a pair of sensor electrodes 3 was formed on the support substrate 4, and a gas sensing element 2 was formed between the sensor electrodes 3.
  • a protective layer 1 made of a porous protective material subjected to a hydrophobizing treatment was formed thereon so as to cover the gas sensing part 2 and the sensor electrode 3 in close contact.
  • the supporting substrate 4 corresponds to the substrate of the present invention
  • the sensor electrode 3 corresponds to a pair of electrodes of the present invention
  • the gas sensitive body 2 corresponds to the gas sensitive body of the present invention
  • the protective layer 1 It corresponds to the protective material of the present invention.
  • both ends of the gas sensing element 2 were provided so as to cover the respective ends of the pair of sensor electrodes 3, but as shown in FIG. 1 (b), only the space between the sensor electrodes 3 was filled. May be formed.
  • the gas sensitive part 2 when an oxide semiconductor is used for the gas sensitive part 2, the gas sensitive part 2 must be formed as an aggregate of semiconductor particles 2a as shown in the schematic enlarged view of FIG. 1 (c). Therefore, the sensitivity can be increased by increasing the surface area per semiconductor particle 2a.
  • the protective layer 1 is in a form of being overcoated mainly on the gas sensitive body 2.
  • a heater or the like is used to optimize gas responsiveness and gas sensitivity for the gas to be sensed. It is also preferable to provide a heating mechanism for controlling the operating temperature of the gas sensing element 2.
  • Fig. 4 shows the configuration for that purpose.
  • the heater 22 is formed on the surface of the support substrate 4 opposite to the surface on which the gas sensitive portion 2 is provided.
  • a pair of electrodes 21 for a heater is formed on one surface of the support substrate 4, and a heater 22 is formed between the electrodes 21 for the heater.
  • a protective layer 23 overcoated with the heater 22 is formed as necessary depending on the environment in which the heater is used. The figure shows only an example in which the protective layer 23 is formed.
  • a gas sensing portion 2 is first formed on the support substrate 4 on the side opposite to the heater 2 2 side, a pair of electrodes 3 are formed thereon, and then a protective layer made of a porous protective material subjected to a hydrophobic treatment. Forming one.
  • the positional relationship between the heater 22 and the gas sensitive body 2 is arranged at a position facing the support substrate 4, but is not limited to this. It is possible to further form the gas sensing element 2 on the surface on which the heater 22 is formed, or it is possible to control the operating temperature by installing a heater separately from the gas sensor.
  • FIG. 2 shows another embodiment of the gas sensor of the present invention.
  • the sensor is formed on a support substrate 4 for supporting the gas sensor.
  • a pair of sensor electrodes 3 are formed on the support substrate 4, and a gas-sensitive material that is sensitive to gas and a protective material having a hydrophobic structure and a porous structure are mixed between the sensor electrodes 3.
  • the protective gas sensing part 5 was formed.
  • the support substrate 4 corresponds to the substrate of the invention
  • the sensor electrode 3 corresponds to a pair of electrodes of the invention
  • the protective gas sensitive body 5 corresponds to the protective gas sensitive body of the invention.
  • both ends of the protective gas sensing element 5 were provided so as to cover the respective ends of the pair of sensor electrodes 3, but as shown in FIG. It may be formed so as to fill only between the electrodes 3.
  • the gas-sensitive body is formed as an aggregate of the semiconductor particles 5a as shown in FIG. 2 (c).
  • a gap between the plurality of semiconductor particles 5a is filled with a porous protective material 5b that has been subjected to a hydrophobic treatment, and the protective material 5b has a form covering each of the semiconductor particles 5a.
  • FIG. 5 shows another embodiment of the gas sensor of the present invention.
  • the embodiment of the gas sensor of the present invention shown in FIG. 5 is a gas sensor unit that is used when a gas sensor having a pair of sensor electrodes and a gas sensitive body formed on a supporting substrate is actually installed in equipment and facilities.
  • the configuration will be described.
  • the gas sensor 32 applied to this configuration has the same configuration as the conventional example shown in FIG. 8 (a), and includes a substrate, a pair of electrodes, and a gas-sensitive body formed between at least a pair of electrodes. With no protective material.
  • the sensor case 34 is provided on the bottom surface of the sensor case 34 in close contact with the bottom surface so that external moisture and impurities do not enter. Electrical connection is made to the electrode terminals 36.
  • the sensor case 34 and the electrode terminal 36 correspond to the storage container of the present invention.
  • the gas sensor 32 is installed in the sensor case 34.
  • the sensor case 34 has an opening on the upper surface through which gas enters from the outside, and the opening is covered with a protective filter 31 made of a porous protective material subjected to hydrophobic treatment. 3 Seal the inside of 4. In this state, there is a gap between the gas sensing element of the gas sensor 32 and the protection filter 31. A space is formed.
  • the configuration of the gas sensor unit is based on the same principle as in the first and second embodiments, with high sensitivity and high reliability. It becomes possible to perform gas sensing.
  • an electrode terminal for a heater electrode is also required as the electrode terminal 36.
  • FIG. 6 shows another embodiment of the gas sensor of the present invention.
  • the embodiment of the gas sensor according to the present invention shown in FIG. 5 is a gas sensor unit used when the gas sensor according to the first or second embodiment is actually installed in an apparatus or facility.
  • the configuration will be described.
  • the sensor case 34 and the electrode terminal 36 correspond to the storage container of the present invention.
  • the gas sensor 38 is set in the sensor case 34.
  • the sensor case 34 has an opening on the upper surface through which gas enters from outside, and the mesh 37 is arranged so as to close the opening. Since the gas sensor 38 is formed of a porous protective material that has been subjected to hydrophobic treatment, the material that blocks the opening is easy for gas to enter, and the material is limited to mesh if it is difficult for dust or the like to enter. None. Furthermore, instead of the mesh, a protective material made of the same porous protective material as in the third embodiment was subjected to hydrophobic treatment. You may make it hermetically sealed by the filter part 31.
  • an electrode terminal for a heater electrode is also required as the electrode terminal 36.
  • FIG. 7 is a configuration diagram of a freshening apparatus according to Embodiment 5 of the present invention.
  • the freshening device 70 includes a hangar 71 for storing food, a detecting means 72 provided in the hangar 71, and an air conditioner 73 for maintaining the atmosphere in the hangar 71, Either the air conditioning means 73 is controlled based on the information detected by the means 72, or a management means 74 for displaying the information is provided.
  • the hangar 71 corresponds to the hangar of the present invention
  • the air conditioner 73 and the control means 74 correspond to the freshness state managing means of the present invention.
  • the freshening apparatus is suitable for use as an environment for storing food in an atmosphere of high humidity such that fresh vegetables and the like do not lose their freshness.
  • the temperature and humidity conditions in the hangar 71 are used from refrigeration conditions with a temperature of 5 ° C and a relative humidity of 70% or more to heating conditions with a temperature of 40 ° C and a relative humidity of about 95%. be able to.
  • the absolute moisture content under these humidity conditions is an atmosphere in a range of about 5 g Zm 3 to about 50 g Zm 3 .
  • the air conditioning means 73 As an example of the air conditioning means 73, as a method of displaying the information on the freshness state of food, general-purpose means such as displaying on a display or turning on a display lamp can be applied.
  • the air-conditioning means 73 for controlling the freshness of the food to be maintained means such as temperature and humidity control and removal of gas generated from the food can be applied.
  • the aforementioned gases such as ethylene, ethanol, and ammonia
  • these gases may be removed from the atmosphere in which the food is placed by means such as exhausting the gas from the freshener, introducing another gas from the outside, or deodorizing the gas.
  • various technologies such as catalyst, photocatalyst, plasma, and ion deodorization can be applied.
  • the freshening apparatus of the present invention is applicable not only to foods but also to fresh foods and materials other than foods, such as fresh flowers and cut flowers, if it is necessary to detect freshness and maintain freshness. Can be stored as the storage product of the present invention.
  • specific examples of the freshening apparatus include a refrigerator, a refrigerator, a refrigerator box, a heat storage box, and the like.
  • a gas-sensitive material which is a part of the material of the gas-sensitive body 2 or the protective gas-sensitive body 5
  • a semiconductor material having high sensitivity to gas is preferable.
  • metal oxide semiconductors exhibit relatively high sensitivity to odorous gas components such as ethylene, ethanol, aldehydes, amines, and mercaptans generated from the aforementioned foods.
  • tin oxide, indium oxide, zinc oxide examples include tungsten oxide, titanium oxide, and tantalum oxide.
  • the gas-sensitive body mainly composed of one of the group consisting of tin oxide, indium oxide, zinc oxide, and tungsten oxide is used for printing, spin coating, dip coating, and so on.
  • a thin film manufacturing method such as a coating method such as a coating method, a sputtering method, or a vacuum evaporation method can be used, which is preferable because a thin film configuration with high sensitivity can be obtained.
  • the thin film of the gas sensing part 2 (the same applies to the gas sensing part of the gas sensor 32 of the third embodiment; the same applies hereinafter).
  • the structure may be a dense thin film, but the porous structure in which particles of the metal oxide semiconductor are aggregated.
  • the structure is preferable because the surface of the sensitive body for sensing gas is increased and high sensitivity can be obtained.
  • a catalyst to the gas sensitizer section 2 for the purpose of improving the sensitivity and gas selectivity of the gas sensitizer.
  • a metal or a compound thereof is preferable, and an alkaline earth metal, a transition metal, or the like is used.
  • nitrates with an inorganic salt, sulfate, chloride salts and the like, in an organic salt to form a carboxylate salt, c metal oxide gas sensitive body include dicarboxylate and Asechiruaseton complex salt, the substrate 4 After forming a film of the composition for forming a gas sensitive body, several hundreds. It is easy to form by firing at a temperature of C or higher.
  • the gas sensitizer forming composition can be applied by a screen printing method, a roll coating method, a dip coating method, a spin coating method, or the like.
  • the sintering temperature depends on the composition for forming the gas sensitive body.
  • the temperature is not less than the melting temperature and not more than the deformation temperature of the substrate, and is preferably from 400 ° C to 800 ° C.
  • the thickness of the gas sensitive body 2 and the protective gas sensitive body 5 can be in the range of 0.1 ⁇ to 1 mm, preferably in the range of 0.5 ⁇ m to 10 ⁇ m. A gas sensor with high gas sensitivity and high gas responsiveness can be obtained.
  • porous protective material subjected to the hydrophobic treatment which is a part of the material of the protective material 1, the protective filter material 31, or the protective gas sensitive body 5 of each embodiment of the present invention.
  • the material of the porous protective material is insulative so that it does not affect the conduction state of the gas sensitive part 2 or the protective gas sensitive part 5, and 200 ° C in consideration of heat resistance to the operating temperature of the gas sensor. Since the above heat resistance is required, metal oxides such as silicon oxide, aluminum oxide, and aluminosilicate salts and their salts can be used as the material. In particular, it is preferable that the main component be silicon oxide to which a relatively low-temperature film forming process such as a sol-gel method can be applied.
  • porous protective materials obtained from these materials include:
  • Air port gel ⁇ Xose mouth gel which is a low density dry gel having a density of 500 kgZm 3 or less having continuous pores of 100 nm or less,
  • the average pore diameter of the porous body is in the range of 0.5 nm to 100 nm, considering the size of the gas molecules to be detected and the size of water droplets generated by condensation. It is preferred that After this As the amount of water passing through the above size increases and the passage of impurities other than gas or the intrusion of dust or the like floating in the air enters the holes, a phenomenon occurs, which reduces the effect as a protective material. . If it is known in advance that the molecular diameter of the gas to be sensed is smaller, the average pore diameter may be less than 0.5 nm.
  • the methods for obtaining the porous protective material are briefly described below. The described method is a general production method and is not limited to these.
  • the air port gel is prepared by using an inorganic raw material such as sodium silicate or aluminum hydroxide, an organic raw material of an organic metal alkoxide such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, aluminum isopropoxide / aluminum-sec-butoxide in a solvent together with a catalyst. Then, a wet gel is formed by the sol-gel method. The wet gel is dried using a supercritical drying method so that the gel does not shrink to obtain a low-density dry gel. The xerogel is dried by heating or reduced pressure so as not to cause gel shrinkage by changing the gel surface energy by hydrophobizing the wet gel and reducing the interfacial tension to obtain a low-density dry gel.
  • an inorganic raw material such as sodium silicate or aluminum hydroxide
  • an organic raw material of an organic metal alkoxide such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, aluminum isopropoxide
  • Zeolite is usually composed of silica sources such as sodium silicate, colloidal sill, fumed silica, and alkoxysilane; alumina sources such as aluminum hydroxide, sodium aluminate, and aluminum alkoxide; and alkali.
  • Hydrogel formed by adding a metal hydroxide, fluoride mineralizer, water and, if necessary, a structure-directing agent such as tetrapropylammonium salt or tetraethylammonium salt, or dried It is formed from gel by hydrothermal synthesis.
  • Mesoporous porous materials using surfactants as templates are alkylammonium-based surfactants such as hexadecyltrimethionoleammonium, and liquid crystals that form molecular aggregates in solution.
  • Molecule, acid A composite is obtained by mixing with a skeleton raw material and combining with the above-mentioned sol-gel method / hydrothermal synthesis method. After formation of the skeleton, firing is performed to remove the surfactant to form pores, and the pore diameter is controlled to obtain a porous metal oxide. The pore size can be determined by the type of surfactant and the alkyl chain length.
  • the mesoporous porous material using a polymer as a template is prepared by mixing a polymer such as polyethylene oxide, polypropylene oxide, block copolymer of ethylene oxide and propylene oxide, and polyvinylpyrrolidinone with an oxide skeleton raw material.
  • a polymer such as polyethylene oxide, polypropylene oxide, block copolymer of ethylene oxide and propylene oxide, and polyvinylpyrrolidinone
  • oxide skeleton raw material By combining this with the sol-gel method and hydrothermal synthesis method, a polymer-dispersed or spinodal-decomposed complex is obtained. After the formation of the skeleton, it is fired to remove the polymer and form pores, and the pore size is controlled to obtain a porous metal oxide.
  • the pore size can be determined by the type, molecular weight and concentration of the polymer.
  • Means for hydrophobizing these porous protective materials include a method of adding a hydrophobizing agent to the raw material when forming a wet gel, a method of treating with a hydrophobizing agent at the wet gel stage, and drying or baking. There is a method of treating the resulting porous body with a hydrophobizing agent.
  • a hydrophobizing agent a coupling agent having an alkyl group and having an element of a binding functional group such as silicon, aluminum, or titanium can be used.
  • a fluoroalkyl group in which fluorine is introduced into the alkyl group exhibiting a hydrophobic effect is also effective.
  • a hydrophobizing agent can act on the solid portion of the porous body in a gas phase or a liquid phase, but in a solvent in order to efficiently hydrophobize inside the pores.
  • the method is preferred.
  • the hydrophobizing agent include trimethylchlorosilane, dimethinoresichronorelanesilane, hexadeci / resimetinole chloronolesilane, octadecyltrichlorosilane, hexamethyldisiloxane, hexamethinoresicilsilazane, dimethyldimethoxysilane, and fluorinated mouth.
  • Methyltriethyl silicate, difluoroalkyl dialkoxysilane And trimethylsilanol are particularly preferred because they maintain the effect of hydrophobicity for a long time when the sensor element is operated while being heated.
  • the effect of the hydrophobizing treatment can be evaluated by the contact angle of water.
  • the contact angle of water is 90 ° or more, it is considered that the surface is hydrophobized.
  • the contact state was obtained in the range of 90 ° to 180 ° depending on conditions such as the unevenness of the surface of the porous body and the type of the hydrophobizing agent.
  • the moisture resistance a favorable effect is obtained when the contact angle with water is 100 ° or more. The range from 100 ° to 170 ° was preferred.
  • the hydrophobic protective porous material is formed on the gas sensor in the case where the porous protective material is formed in close contact with the gas sensitive body part 2, the raw material of the protective material for performing the sol-gel reaction is dropped onto the sensitive body surface. It is preferable to perform a sintering treatment or to apply a raw material of the protective material directly to the sensitive material on the gas sensitive part 2 to form a wet gel. Thereafter, a hydrophobic protective treatment, a drying treatment, a baking treatment and the like are combined to obtain a porous protective material subjected to the hydrophobic treatment.
  • a porous protective material is formed at a predetermined space on the gas sensor, or a porous protective material such as a membrane film is used. Means such as attaching the protective material to the opening of the sensor case 34 can be used.
  • the substrate 4 of the gas sensor needs to have an insulating surface and heat resistance and humidity resistance to the temperature when the sensor is used. It can be used, and does not limit the material and the configuration. Preferably, a substrate such as alumina, silica glass, or silicon carbide can be used. If necessary, a device having a heating function such as a heater may be used. Further, the surface roughness of the substrate 4 is preferably between 0.01 ⁇ m and 1 ⁇ m.
  • the main purpose of the sensor electrode 3 is to apply a voltage to the gas sensing part and measure the resistance value thereof, and there is no limitation on the material, configuration, pattern, manufacturing method, and the like of the electrode.
  • a single-layer electrode can be used, but it is also preferable to form a two-layer structure of a thin-film electrode and a thick-film electrode from the viewpoint of adhesion to a substrate. Thick film electrodes are used to improve the bonding with the leads.
  • the thickness of the thin film electrode is 0.1 to 1 ⁇ ⁇ , and the thickness of the thick film electrode is 3 to 20 Aim.
  • the electrode material a material that is not transformed by a target gas or humidity is preferable, and a metal such as gold, silver, or platinum is used.
  • RA is the element resistance of the gas sensor in air
  • RG is the resistance of the sensor element 30 minutes after adding the test gas containing the target gas at 1 pm; was used as the sensor sensitivity.
  • moisture resistance after measuring the initial gas sensitivity, the gas sensor was set to 40 ° C and the relative humidity was 95%.
  • the gas sensitivity was measured after standing for 10 minutes in an atmosphere (absolute moisture content of about 50 g / m 3 ), and evaluated by comparing with the initial sensitivity.
  • target gases such as ethylene and ethanol
  • the gas sensitivity becomes higher as the RG / RA becomes smaller, because the sensitizer resistance in a gas atmosphere becomes lower.
  • Example 1 The gas sensor according to the first embodiment was created and tested.
  • the electrode 3 was formed on the support substrate 4.
  • a gold organometallic compound paste is applied on a 0.4 mm-thick aluminum substrate by screen printing, dried, and baked at 800 ° C to form a thin film with a thickness of 0. Electrodes were formed.
  • a paste for printing a thick film of gold is similarly applied on the thin film electrode by screen printing, dried, and then baked at 800 ° C. to form a thick film electrode having a thickness of 6 Im.
  • an electrode 3 having a two-layer structure was obtained.
  • the formation of the gas sensing element 2 will be described.
  • 10 g of palladium chloride was weighed as an activator so that the concentration of the additive was 1 mol%, and 1 g of ethyl cellulose was dissolved as a viscosity modifier.
  • a carbitol solution was added, and 9 g of 2-ethylhexane tin was further added, followed by stirring and mixing to obtain a desired composition for forming a gas-sensitive substance.
  • the composition for forming a gas sensitizer is applied on an alumina substrate on which electrodes are formed by screen printing, and then baked at 700 ° C for 1 hour.
  • a gas sensitive thin film 2 made of a metal oxide was formed.
  • a wet gel which is a precursor of a porous material, was formed using alkoxysilane as a gel raw material. After removing the solvent containing water in the wet gel by solvent replacement using acetone, the wet gel was used as a hydrophobizing agent. Hydrophobic treatment was performed in acetone using dimethyldimethoxysilane. Finally, in the drying step, the solvent was replaced and dried to produce a dried gel.
  • tetramethoxysilane Z methanol Z water 100/90/47 (weight ratio) is mixed, and this solution is applied to the gas sensitive part before gelation occurs, and then gelled.
  • a wet gel as a precursor of the porous body was obtained in the form of an overcoat protective layer.
  • 0.1N ammonia water with a monitor was used as the water.
  • the solvent containing water in the wet gel was replaced with acetone by immersing the obtained wet gel in acetone of 10 times the gel volume.
  • the sensor surface was immersed in a 10 wt% acetone solution of 0.5 mol of dimethyldimethoxysilane with respect to 1 mol of tetramethoxysilane used for gel formation. Then, the solvent was replaced in the wet gel by washing the sensor surface with the gel volume of acetone. Finally, the sensor was supercritically dried with carbon dioxide at 50 ° C and 12 MPa to make the protective layer hydrophobically treated as a dry gel porous.
  • the thickness of the hydrophobic protective layer 1 was about 1 ⁇
  • the density was about 200 kg / m 3
  • the average pore diameter was about 20 nm.
  • the contact angle of water on the surface of the protective layer was about 120 °, confirming that it shows hydrophobicity.
  • the produced gas sensor elements were connected by a lead wire to produce a gas sensor unit having an opening of mesh mesh 37 (corresponding to the gas sensor unit of Embodiment 4; the same applies to Example 5 below). Using this, the gas sensitivity to lpm of ethylene was measured. Fix the sensor element in a 7-liter acrylyl box, measure the change in the resistance of the sensor element when the sensor element is brought into contact with the sensor element by adding 10 m1 of air and 70 ppm of ethylene into the box. was evaluated.
  • the initial sensor sensitivity obtained was 0.5, and the sensor sensitivity after the moisture resistance test was 0.5, indicating high gas sensitivity and high moisture resistance.
  • the process up to the gas sensitive part was made in the same procedure as in Example 1, and the gas sensor cut using a gas sensor without a protective layer was evaluated against 1 pm of ethylene.As a result, the initial sensor sensitivity was 0.5. It showed high gas sensitivity. However, the sensitivity of the sensor after the moisture resistance test was 0.8, which was poor. There was a problem.
  • a gas sensor using a non-porous silica as a protective layer was obtained.
  • a method for producing the silica protective layer a raw material solution was prepared by dissolving 10 g of tetraethoxysilane in 8 g of ethanol, and 0.2 g of concentrated hydrochloric acid and 10 g of 10 g of ethanol were also dissolved in 8 g of ethanol.
  • a solution for hydrolysis to which water was added was prepared, and both were mixed at room temperature, applied to the surface of the gas-sensitive body, and then the solvent was dried. Then, it was calcined at 600 ° C. to obtain a silica protective layer.
  • the initial sensor sensitivity was 0.6 and the sensor sensitivity after the moisture resistance test was 0.7.
  • the gas sensitivity was lower than that of the gas sensor of Comparative Example 1 having no protective layer. This is probably because the non-porous silica protective layer has covered the gas sensitizer, making it difficult for the target gas to reach the gas sensitizer. Further, the moisture resistance was improved when the protective layer of Comparative Example 1 was not provided, but the effect was less than that of Example 1.
  • the gas sensor unit using this gas sensor evaluated ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ppm of ethylene.
  • the initial sensor sensitivity was 0.5, indicating high gas sensitivity.
  • the porous protective layer 1 absorbed moisture and devitrified and absorbed moisture to cause cracking and peeling, the sensor sensitivity was 0.8, and no moisture resistance was obtained.
  • a gas sensor according to the second embodiment was created and tested.
  • Example 2 The same procedure as in Example 1 was performed until a wet gel of silica, which is a precursor of the porous body, was formed on the gas sensing element. However, the wet gel was formed by gelling after the raw material solution was sufficiently impregnated into the gas-sensitive body.c.After that, 0.5 parts per mole of tetramethoxysilane used for gel formation was used. The sensor surface was immersed in a 5 wt% hexane solution of trimethylchlorosilane in a molar ratio. Thereafter, the solvent was replaced in the wet gel by washing the sensor surface with a gel volume of hexane. Finally, drying was performed by drying at 80 ° C.
  • the average pore diameter in the hydrophobized protective gas sensitive part 5 was about 15 nm.
  • the contact angle of water on the surface of the protective layer was about 120 °, which was confirmed to be hydrophobic.
  • the produced gas sensor elements were connected with a lead wire to produce a gas sensor cut having a mesh mesh 37 opening. Using this measured gas sensitivity to ethanol 1 0 pp m.
  • the obtained initial sensor sensitivity was 0.4, and the sensor sensitivity after the moisture resistance test was 0.45, indicating high gas sensitivity and high moisture resistance.
  • Example 1 The same procedure as in Example 1 was performed up to the gas sensing part.
  • the hydrophobized porous protective material was prepared as follows.
  • the sensor surface was immersed in a 5 wt% hexane solution of limethylchlorosilane to render it hydrophobic, and a hydrophobic protective porous protective layer 1 was obtained.
  • the diameter of the pores of the protective layer was about 3 nm, and the contact angle of water on the surface of the protective layer was about 110 °, indicating that the layer was hydrophobic.
  • the produced gas sensor element was connected with a lead wire, and a gas sensor butt having an opening of mesh mesh 37 was produced. Using this, the gas sensitivity to 1 ppm of dimethyl sulfide was measured.
  • the obtained initial sensor sensitivity was 0.5, and the sensor sensitivity after the moisture resistance test was 0.55, indicating a high gas sensitivity and high moisture resistance.
  • Example 2 The same procedure as in Example 1 was performed up to the gas sensing element 2.
  • the hydrophobized porous protective material was prepared as follows. Tetramethoxysilane and water were mixed at a ratio of 1: 2, and partially condensed with a small amount of hydrochloric acid to obtain a solution. To this, octadecyltrimethylammonium salt was added to obtain a raw material solution. This solution was applied to the gas sensing element by spin coating. After forming the film, the film was fired at 550 ° C. to remove the organic components, thereby obtaining a porous protective layer thin film. The thickness of the protective layer was about 0.3 / m.
  • the surface of the sensor was immersed in a 5 wt% hexane solution of trimethylchlorosilane to make the porous protective layer water-phobic, thereby obtaining a porous protective layer 1 having been subjected to a hydrophobic treatment.
  • the diameter of the pores of the protective layer was about 3 nm, and the contact angle of water on the surface of the protective layer was about 110 °, indicating that the layer was hydrophobic.
  • the produced gas sensor elements were connected by lead wires to produce a gas sensor unit whose opening was a mesh mesh. Using this, the gas sensitivity to 1 pm of dimethyl sulfide was measured.
  • Example 2 The same procedure as in Example 1 was performed up to the gas sensing part 2. Ethanol 1 5 g of tetraethoxysilane 6. 8 g solution and E methanol were mixed with stirring 1 5 g hydrochloride 0. 1 3 ⁇ , pure water 1. 8 g to prepare a solution obtained by mixing with stirring The latter mixed solution was mixed with the former mixed solution while stirring to prepare a reaction solution for forming a protective layer by a sol-gel reaction. After reacting at room temperature for about 4 hours, about 0.2 ⁇ l was dropped on the gas-sensitive body of the sensor element and dried in a high-temperature bath at 60 ° C.
  • the protective layer 1 was formed by heating the protective layer together with the sensor element at 75 ° C. At this time, the thickness of the protective layer 1 was about 2 ⁇ m, and the pore diameter was about 50 nm. Further, the hydrophobic treatment of the protective layer 1 was performed in the following procedure.
  • Dimethyldimethoxysilane was dissolved in methanol to a concentration of 20 wt.%, And a 0.1 N aqueous ammonia solution was added to the methanol mixture to a concentration of about 10 wt.%.
  • the protective layer was immersed in the mixed solution, and allowed to stand in a thermostat set at 60 ° C. for 24 hours. After leaving for 24 hr, the mixture was further dried at 100 ° C. by about 5 min. And subjected to a hydrophobic treatment.
  • the contact angle of water on the surface of the protective layer 1 after the hydrophobizing treatment was about 110 °, and it was confirmed that the surface showed hydrophobicity.
  • the obtained initial sensor sensitivity was 0.4 with respect to ethanol at 10 ppm, and the sensor sensitivity after the moisture resistance test was also 0.41, indicating high gas sensitivity and high moisture resistance. .
  • a gas sensor unit according to the third embodiment was created and tested.
  • a gas sensor manufactured up to the gas sensing part 2 in the same procedure as in Example 1 was used.
  • the produced gas sensor elements were connected by lead wires to produce a gas sensor unit having an opening in the sensor case.
  • This opening has the following
  • the hydrophobized zeolite thin film sheet prepared in the above procedure was bonded and sealed.
  • Hallumina having a thickness of 0.3 mm and having pores of several ⁇ was used as the support sheet.
  • Colloidal silica, tetrapropylammonium salt and water were mixed and hydrothermally synthesized at 180 ° C. in an autoclave equipped with a support sheet.
  • a zeolite film about 2 ⁇ m thick was formed on the surface of the ⁇ -alumina support sheet.
  • the zeolite membrane was immersed in an ethanol solution of hexamethyldisilazane and subjected to a hydrophobic treatment at 60 ° C.
  • the pore diameter was about 0.3 nm and the water contact angle was 115 °.
  • the obtained initial sensor sensitivity was 0.5, and the sensor sensitivity after the moisture resistance test was 0.5, indicating high gas sensitivity and high moisture resistance.
  • the gas sensor unit manufactured in Example 1 was installed, and a 50 L heat-insulated storage capable of adjusting the temperature to 5 ° C. and the relative humidity to 90% (absolute water content 6 g / m 3 ) was manufactured.
  • a deodorizer using a photocatalyst was installed as a mechanism for removing generated gas.
  • Dimethylsulfide generated by storing a bundle of spinach in this storage was detected and displayed on a monitor. Comparing the case where dimethyl sulfide is maintained at less than 0.1 pm and the case where gas is not particularly removed, the case where dimethyl sulfide is maintained at less than 0.1 ppm is about three times longer. The freshness state could be maintained for a long time.
  • the gas sensor according to each embodiment of the present invention includes a support substrate, a pair of electrodes formed on the support substrate, and a gas sensitive portion formed between the electrodes.
  • Hydrophobic on top of the gas sensitive body It is characterized in that a protective layer comprising a porous protective material subjected to a chemical conversion treatment is formed.
  • a support substrate, a pair of electrodes formed on the support substrate, and a gas-sensitive body portion formed by combining a hydrophobic protective material subjected to a hydrophobic treatment between the electrodes are formed. It is characterized by becoming.
  • the hydrophobic protective material has a contact angle of 100 ° to 170 ° with respect to dew condensation water generated from excess water in the atmosphere.
  • the average pore diameter of the porous protective material is in the range of 0.5 nm to 100 nm. Further, it is characterized in that the porous protective material is mainly composed of silicon oxide.
  • gas sensor of the present invention in the gas sensor having the above configuration is characterized in that tin oxide is a main component.
  • the gas sensor unit is characterized in that a gas sensor covered with a hydrophobic protective porous material is installed in a sensor case.
  • a gas sensor having a pair of electrodes formed on a supporting substrate and a gas sensitive body formed between the electrodes was installed in the sensor case, and the opening of the sensor case was subjected to a hydrophobic treatment. It is characterized by being covered with a porous protective material.
  • Ho ⁇ apparatus using the gas sensor unit is absolute in the water content 5 g Zm 3 5 0 atmosphere g Zm 3, display the freshness status of the food by sensing the gas generated from the food, the notification Or, it is characterized by holding.
  • Industrial applicability As described above, according to the present invention, it is possible to simultaneously obtain high sensitivity to gas and reliability under a high humidity environment. In addition, even in a high humidity environment for preserving food, it is possible to provide a freshness preserving device that detects the freshness of food and maintains the freshness.

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Description

明 細
、 保鮮装置 技術分野
本発明は、 野菜や果物などの食品から発生する低濃度のガスを感知す るガスセンサ、 及びそのガスセンサを用いて食品の新鮮度を感知して食 品を長期にわたって保存するための冷蔵庫、 冷蔵室、 冷蔵ボックス、 保 温庫などの保鮮装置に関する。 背景技術
近年、 野菜、 果物、 生魚などの食品の鮮度をセンサで検知して、 新鮮 度を長期に保持するための情報として用いる取り組みが行われている。 新鮮度の情報を得るために、 その食品から発生するガス成分を検知する ガスセンサの利用が検討されている。 そのガスセンサとしては半導体式 ガスセンサが用いることができ、 ガス成分に感知する感応体材料には酸 化物半導体が検討されている。 たとえば、 特許第 2 8 7 5 1 8 4号公報 では、 感応体材料として触媒にパラジウムを添加した酸化スズを用いて 、 野菜から発生する硫化物ガス (メルカブタン類) に対して感度を有す る野菜新鮮度感知センサが開示されている。 図 8 ( a ) にそのようなガ スセンサの構成を示す。 ガスセンサは、 基板 8 4の上部に設けられた一 対の電極 8 3と、 この電極 8 3の間に設けられた、 ガス感度を向上する ために薄膜構造にしたガス感応体 8 2を備えた構成を有している。
食品から発生するガスは食品によって異なり、 臭い成分として生魚類 ではトリメチルアミンなどのアミン類など、 野菜や果物ではエチレン、 エタノール、 アルデヒド類、 メルカプタン類、 アンモニアなどのアミン 類などが発生している。 これらのガスから新鮮度を感知するためには、 各食品の新鮮度が経時的に変わるにつれてどのガスが発生するのかをあ らかじめに知っておく必要がある。 たとえば、 野菜や果物については、 新鮮と判断される初期から微量のエチレン、 エタノール、 アルデヒド類 のガス発生がみられ、 メルカプタン類は野菜や果物の腐敗開始時期から 、 ァンモユアなどのアミン類は果物の腐敗開始時期から発生することが わかってきた。 したがって、 野菜や果物類の新鮮度感知においては、 ェ チレン、 エタノール、 アルデヒ ド類などのガスの検知が有効であり、 メ ルカプタン類ゃアンモニアなどのァミン類は野菜や果物類の腐敗感知に 有効であることが明らかになつてきた。
また、 このように食品の新鮮度を感知するためには、 各ガスに対して 感度 1 p p mレベルでの高感度の検知が必要である。 さらに、 食品を保 存する場合には、 新鮮さを保持するために温度、 湿度を調整することが 多いため、 調整されたその雰囲気下での耐環境性が必要である。 そのた め、 図 8 ( b ) に示すような、 図 8 ( a ) と同様の基板 8 4の上部に設 けられた一対の電極 8 3と、 この電極 8 3の間に設けられた、 ガス感度 を向上するために薄膜構造にした触媒添加のガス感応体 8 2 aの上部に 、 耐湿性を向上するための保護層 8 1をさらに形成したガスセンサが、 例えば特開平 9 - 1 6 6 5 6 7号に開示されている。
さらにこのガスセンサでは、 保護層によってガス感応体を覆ってしま うことで感度低下することがないように、 保護層にガス感応する触媒を 添加する構成も開示されている。
なお、 上述した特許第 2 8 7 5 1 8 4号公報おょぴ特開平 9— 1 6 6 5 6 7号公報の両文献の全ての開示は、 そっくりそのまま引用する (参 照する) ことにより、 ここに一体化する。 しかしながら、 ガスセンサを高感度にし、 かつ長期間の使用に際して もセンサ特性に対して高信頼性を得るために、 そのガス感応体上に保護 層を形成した場合には以下に記すように、 大きく 2つの課題が存在する c 第一は、 保護層は、 ガスを感知するガス感応体の表面を覆ってしまつ ているために、 ガスが感応体表面に到達しにく くなつている。 そのため 、 ガスに対する感度が低下してしまうことが生じやすくなる。 ここで、 上述の従来例のように保護層にガスを感知する触媒を添加することによ つて感度の低下を抑えることができるが、 やはりガス感応体へ対象ガス が到達しにくいために、 さらに感度向上を進めることが必要となってく る。
第二は、 湿度の高い状態においては、 雰囲気温度の変動や飽和水分量 以上の水分量の発生によって、 保護層の表面に結露によって生成された 水分がつきやすくなつている。 保護層は、 少なく ともガスをその内部か らガス感応体まで導入させる必要があるため、 例えば多孔質で構成され る場合があるが、 この孔に水分がつくことになる。
そのため、 水蒸気の状態で結露水の保護層への浸透が発生することに なる。 さらに、 保護層を通じて浸透した水分が、 ガス感応体表面の検知 部位と化学反応を起こし、 水酸基化するなどの表面変質反応が生じてセ ンサの感度が低下したり、 ガス感応体の電気抵抗値を使用初期から変化 させてしまうことで、 安定したガス感知ができなくなるなどの問題を生 じることがある。 発明の開示
本発明は、 ガス感応体に保護層を形成した際に生じる、 これらの課題 を同時に解決して、 高感度で、 高信頼性のガスセンサを提供することを 目的とする。
また、 食品を保存するための高い湿度環境においても、 そのガスセン サを用いて食品の新鮮度を検知して、 その鮮度を保持させる保鮮装置を 提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、 第 1の本発明は、 基板 (4 ) と、 前記基板上に形成された一対の電極 (3 ) と、
少なくとも前記電極間に形成されたガス感応体部 (2 ) と、 少なくとも前記ガス感応体部を直接的または間接的に覆うように形成 され、 疎水化処理され、 多孔質から構成された保護材 (1、 3 1 ) とを 備えたガスセンサである。
また、 第 2の本発明は、 前記直接的とは、 前記保護材 (1 ) が前記ガ ス感応体部に密着して形成されることである第 1の本発明のガスセンサ である。
また、 第 3の本発明は、 前記間接的とは、 前記保護材 (3 1 ) が前記 ガス感応体部との間に空間を有するように形成されることである第 1の 本発明のガスセンサである。
また、 第 4の本発明は、 前記基板、 前記一対の電極おょぴ前記ガス感 応体部をその内部に収納し、 所定の開口部を有する収納容器 (3 4, 3 5 ) をさらに備え、
前記保護材は、 前記開口部を塞いで、 前記収納容器内を密閉状態とす るように設けられている第 3の本発明のガスセンサである。
また、 第 5の本発明は、 前記基板、 前記一対の電極、 前記ガス感応体 部および前記保護材を収納し、 所定の開口部を有する収納容器 (3 4, 3 5 ) と、
前記開口部を塞いで、 前記収納容器内を密閉状態とするように設けら れている、 疎水化処理され、 多孔質から構成された蓋部材 (3 1 ) をさ らに備えた第 2または第 3の本発明のガスセンサである。 ' また、 第 6の本発明は、 前記多孔質は、 その平均細孔径が 1 00 nm 以下である第 1の本発明のガスセンサである。
また、 第 7の本発明は、 前記疎水化処理は、 大気中の余剰水分より生 成される結露水に対する接触角が 1 00° 以上となるようにされている 第 1の本発明のガスセンサである。
また、 第 8の本発明は、 前記保護材は、 酸化ケィ素を主成分とする第 1の本発明のガスセンサである。
また、 第 9の本発明は、 前記ガス感応体部は、 酸化スズを主成分とす る第 1の本発明のガスセンサである。
また、 第 1 0の本発明は、 第 4または第 5の本発明のガスセンサ (7 2) を有する、 収納品を格納する格納庫 (7 1 ) と、
前記ガスセンサから得られた情報に基づき、 前記収納品の鮮度状態を 保持する保持手段 (7 3, 74) を備えた保鮮装置である。
また、 第 1 1の本発明は、 前記保持手段は、 前記格納庫内を絶対水分 量 5 g/m3から 50 gZm3の雰囲気に保持する第 1 0の本発明の保鮮 装置である。
次に、 本願発明者が発明した発明を示す。
第 1の発明は、 基板 (4) と、
前記基板上に形成された一対の電極 (3) と、
少なくとも前記電極間に形成された、 ガスに感応するガス感応材料 ( 5 a) と、 疎水化処理され、 多孔質から構成された保護材料 (5 b) と が混合して構成された保護ガス感応体部 (5) とを備えたガスセンサで ある。 図面の簡単な説明 図 1は、
(a) 本発明の第 1の形態として示すガスセンサの断面図である。
(b) 本発明の第 1の実施の形態として示すガスセンサの他の構成の 断面図である。
( c ) 上記ガスセンサのガス感応体部 2近傍の模式図である。
図 2は、
(a) 本発明の第 2の実施の形態として示すガスセンサの断面図であ る。
(b) 本発明の第 2の実施の形態として示すガスセンサの他の構成の 断面図である。
( c) 上記ガスセンサの保護ガス感応体部 5近傍の模式図である。 図 3は、 本発明の保護層の効果を説明する模式図である。
図 4は、 本発明の第 3の実施の形態として示すガスセンサの断面図で ある。
図 5は、 本発明の第 4の実施の形態として示すガスセンサュニッ トの 構成図である。
図 6は、 本発明のガスセンサを設置したガスセンサュニットの構成図 である。
図 7は、 本発明の第 5の実施の形態として示す保湿装置のプロック図 である。
図 8は、
(a) 従来の技術によるガスセンサの構成図である。
(b) 従来の技術によるガスセンサの構成図である。
(符号の説明) 2 ガス感応体部
2 a 半導体粒子
3 センサ電極
4 基板
5 保護ガス感応体部
5 a 半導体粒子
5 b 保護材料
1 1 保護材料の骨格部
1 2 保護材料の連続孔部
1 3 半導体粒子
2 1 ヒータ電極
2 2 ヒータ部
2 3 ヒー
3 1 保護フィルタ部
3 2 保護材なしのガスセンサ
3 3 ワイヤ
3 4 センサケース
3 5 絶縁シール部
3 6 電極端子
3 7 メッシュ
3 8 保護材で処理されたガスセンサ 発明を実施するための最良の形態
本発明におけるガスセンサは、 ガス感応体部を疎水化処理された多孔 質保護材で直接的または間接的に覆う、 あるいは ス感応体部の材料と なるガスに感応するガス感応材料と、 疎水化処理され、 多孔質から構成 された保護材料を混合した材料を用いることによって、 ガスに対する高 感度化と高い湿度環境下における信頼性を同時に得ることを可能にする ものである。
その保護層による効果が得られる原理を説明するための、 概念的な模 式図を図 3に示す。 ガス感応体部は酸化物半導体などの半導体粒子 1 3 から構成され、 その表面がガスに対して感知する特性を有している。 な お、 図には一個の半導体粒子 1 3のみを示した。 また、 基体となる骨格 部 1 1に多数の連続孔部 1 2を有する多孔質の保護材 (以下多孔質保護 材と称する) ヽ 半導体粒子 1 3の表面を覆っている。
本発明では、 疎水化処理された多孔質保護材を用いてガスセンサを構 成することが特徴である。 これによつて、 対象のガス分子は保護材の連 続孔部 1 2を通過して、 ガスを感知する半導体粒子 1 3の表面に到達す るため、 ガスを検出することができるとともに、 多孔質であることによ り半導体粒子 1 3表面に形成された保護材によつて感度低下を生じるこ となく高感度の検知が可能なガスセンサを提供することができる。
また、 結露現象により発生した水粒子は、 保護材料の骨格部, 1 1が疎 水化されているために、 保護材の表面において凝集しながら球形となる したがって、 保護材の表面に固着することがない。 また、 結露水が保護 材料に吸湿されることもないために、 保護材料の連続孔部 1 2に凝縮し て蓄えられることもない。 また大きな孔部の存在によって孔部の内部で 結露水が発生した場合においても、 センサの通電が開始され、 センサ温 度が上昇するにつれて速やかに保護層内部より気化されて大気中へと放 出される。 したがって、 食品を保鮮するような高い湿度環境下において も、 吸湿あるいは結露によつて保護材に蓄えられた水分がガスを感知す る半導体粒子 1 3の表面と化学反応を起こすことで、 水酸基化などの変 質を生じさせることを極めて低減化することができ、 高信頼性のガスセ ンサを提供することができる。
本発明は、 疎水化された多孔質保護材をガスセンサに適用する形態に 特徴があるものであり、 以下に本発明のガスセンサおよびガスセンサュ ニットとそれを用いた保鮮装置の具体的な実施の形態について図を用い て説明する。
(実施の形態 1 )
図 1に本発明のガスセンサにおける 1つの実施の形態を示す。
図 1 ( a ) に示すように、 ガスセンサを支持するための支持基板 4上 にセンサを構成する。 その支持基板 4上に一対のセンサ電極 3を形成し 、 そのセンサ電極 3間にガス感応体部 2を形成した。 さちにガス感応体 部 2およびセンサ電極 3を密着して覆うようにその上部に疎水化処理さ れた多孔質保護材からなる保護層 1を形成した。 なお、 支持基板 4は本 発明の基板に相当し、 センサ電極 3は本発明の一対の電極に相当し、 ガ ス感応体部 2は本発明のガス感応体部に相当し、 保護層 1は本発明の保 護材に相当する。
このとき、 ガス感応体部 2の両端は、 一対のセンサ電極 3のそれぞれ の端部に被さるように設けたが、 図 1 ( b ) に示すように、 センサ電極 3の間のみを充填するように形成しても良い。 特に、 ガス感応体部 2に 酸化物半導体を用いた際には、 図 1 ( c ) の模式的拡大図のように、 ガ ス感応体部 2は半導体粒子 2 aの集合体として形成することで、 半導体 粒子 2 a—つあたりの表面積を広く して感度を高くすることができる。 このとき保護層 1はガス感応体部 2上を中心にオーバーコートした形態 となる。
また、 本実施の形態のガスセンサを用いるときに、 センシングの対象 となるガスに対するガス応答性やガス感度を最適化するためにヒータ等 による加熱機構を設けて、 ガス感応体部 2の動作温度を制御することも 好ましく用いることができる。 そのための構成を図 4に示す。
図 4では、 支持基板 4の、 ガス感応体部 2が設けられたのと反対の面 にヒータ 2 2を形成している。 まず、 支持基板 4の片面にヒータ用の一 対の電極 2 1を形成し、 そのヒータ用の電極 2 1の間にヒータ 2 2を形 成する。 使用する環境により必要に応じてヒータ 2 2のオーバーコート した保護層 2 3を形成する。 図には保護層 2 3が形成された例のみを示 す。 さらに、 ヒータ 2 2側の反対側にガス感応体部 2を支持基板 4上に まず形成し、 その上に一対の電極 3を形成した後に疎水化処理された多 孔質保護材からなる保護層 1を形成している。
なお、 図 4の構成では、 ヒータ 2 2とガス感応体 2との位置関係につ いて、 支持基板 4に対して対向する位置に配置しているが、 これに限定 されるものではない。 ヒータ 2 2を形成した面にさらにその上にガス感 応体部 2を形成することも可能であるし、 ガスセンサと別にヒータを設 けて動作温度を制御することもできる。
(実施の形態 2 )
図 2に、 本発明のガスセンサにおける他の実施の形態を示す。
図 2 ( a ) に示すように、 ガスセンサを支持するための支持基板 4上 にセンサを構成する。 その支持基板 4上に一対のセンサ電極 3を形成し 、 そのセンサ電極 3間に、 ガスに感応するガス感応材料と、 疎水化処理 され、 多孔質構造を有する保護材料とが混合して構成された保護ガス感 応体部 5を形成した。 なお、 支持基板 4は発明の基板に相当し、 センサ 電極 3は発明の一対の電極に相当し、 保護ガス感応体部 5は発明の保護 ガス感応体部に相当する。
このとき、 保護ガス感応体部 5の両端は、 一対のセンサ電極 3のそれ ぞれの端部に被さるように設けたが、 図 2 ( b ) に示すように、 センサ 電極 3の間のみを充填するように形成しても良い。 特に、 保護ガス感応 体部 5にガス感応材料として酸化物半導体を用いた際には、 図 2 ( c ) のように、 ガス感応体は半導体粒子 5 aの集合体として形成される。 複 数の半導体粒子 5 aの隙間に疎水化処理された多孔質の保護材料 5 bが 充填され、 保護材料 5 bは半導体粒子 5 aの個々を覆った形態となる。
この構成においても、 ガスセンサの性能を最適化するために、 例えば 図 4に示すようなヒータと組み合わせた構成を用いることが可能である (実施の形態 3 )
図 5に、 本発明のガスセンサの他の実施の形態を示す。
図 5に示す本発明のガスセンサの実施の形態は、 支持基板上に一対の センサ電極とガス感応体部を形成したガスセンサを実際に機器、 設備に 装備する際に用いるガスセンサユニットである。 以下、 その構成を説明 する。
この構成に適用されるガスセンサ 3 2は、 図 8 ( a ) に示す従来例と 同様の構成で、 基板、 一対の電極おょぴ少なくとも一対の電極の間に形 成されたガス感応体部を有し、 保護材なしで形成されている。 このガス センサ 3 2の一対のセンサ電極のそれぞれからリードワイヤ 3 3を用い て、 センサケース 3 4の底面に、 その底面と密着して、 外部の水分ゃ不 純物が入らないように設けられた電極端子 3 6に電気的な結線を行う。 なお、 上記の構成において、 センサケース 3 4および電極端子 3 6は本 発明の収納容器に相当する。
この状態でセンサケース 3 4内にガスセンサ 3 2を設置する。 センサ ケース 3 4は上面に外部からガスが入ってくる開口部を有しており、 そ の開口部を疎水化処理された多孔質保護材から構成された保護フィルタ 部 3 1で覆い、 センサケース 3 4の内部を密閉状態にする。 この状態で は、 ガスセンサ 3 2のガス感応体部と、 保護フィルタ部 3 1との間には 空間が形成されていることになる。
この構成によって、 ガスセンサ 3 2は保護材による処理を行わない従 来の構成としても、 ガスセンサユニッ トの構成としては、 実施の形態 1 および 2と同様の原理に基づき、 高感度で高信頼性のガス感知を行うこ とが可能になる。
なお、 ガスセンサに例えば図 4に示すようなヒータ部が形成されてい る場合には、 電極端子 3 6としてはヒータ電極用の電極端子も必要とな る。
(実施の形態 4 )
図 6に、 本発明のガスセンサの他の実施の形態を示す。
図 5に示す本発明のガスセンサの実施の形態は、 実施の形態 1または 2のガスセンサを実際に機器、 設備に装備する際に用いるガスセンサュ ニッ トである。 以下、 その構成を説明する。
実施の形態 1または 2のガスセンサと同等のガスセンサ 3 8の一対の センサ電極 (図 1, 2のセンサ電極 3に相当する) からリードワイヤ 3 3を用いて、 センサケース 3 4の底面に、 その底面と密着して、 外部の 水分や不純物が入らないように設けられた電極端子 3 6に電気的な結線 を行う。 なお、 上記の構成において、 センサケース 3 4および電極端子 3 6は本発明の収納容器に相当する。
この状態でセンサケース 3 4内にガ、スセンサ 3 8を設置する。 センサ ケース 3 4は上面に外部からガスが入ってくる開口部を有しており、 そ の開口部を塞ぐようにメッシュ 3 7を配置させる。 ガスセンサ 3 8は、 疎水化処理された多孔質保護材を形成しているため、 開口部を塞ぐ部材 はガスが進入しやすく、 ごみなどが入りにくいものであれば材料として はメッシュに限定されることはない。 さらに、 メッシュの代わりに、 実 施の形態 3と同様の疎水化処理された多孔質保護材から構成された保護 フィルタ部 3 1で密閉するようにしてもよい。
この際、 ガスセンサにヒータ部が形成されている場合には、 電極端子 3 6としてはヒータ電極用の電極端子も必要となる。
(実施の形態 5 )
本発明の保鮮装置における実施の形態を説明する。
図 7は、 本発明の実施の形態 5の保鮮装置の構成図である。 図に示す ように、 保鮮装置 7 0は、 食品を格納する格納庫 7 1 と、 格納庫 7 1内 に設けられた検知手段 7 2および格納庫 7 1内の雰囲気を維持する空調 手段 7 3と、 検知手段 7 2の検知した情報に基づき空調手段 7 3を制御 するか、 もしくはその情報を表示する管理手段 7 4とを備えている。 な お、 格納庫 7 1は本発明の格納庫に相当し、 空調手段 7 3および制御手 段 7 4は本発明の鮮度状態管理手段に相当する。
本実施の形態の保鮮装置は、 食品を保存する環境として新鮮な野菜な どがみずみずしさを失わないような高い湿度の雰囲気で用いるのに適し ている。 格納庫 7 1内の温度、 湿度の条件としては、 温度 5 °C、 相対湿 度 7 0 %以上の冷蔵条件から、 温度 4 0 °C、 相対湿度 9 5 %く らいまで の加温条件で用いることができる。 これらの湿度条件における絶対水分 量としては、 約 5 g Zm 3から約 5 0 g Zm 3の範囲の雰囲気である。 本 実施の形態 3, 4のガスセンサュニッ トを検知手段 7 2に用いることに より、 格納庫 7 1内の雰囲気の湿度に対する信頼性を高めることができ るため、 上述の高い湿度雰囲気条件においても、 食品から発生するガス を感知することが可能になる。 そして、 感度を低下させることもないた め、 高感度に対象ガスを検知したガスセンサからの出力を得て、 管理手 段 7 4によって食品の鮮度状態を情報として表示して知らせたり、 その 出力の情報を空調手段 7 3にフィードバックして新鮮さを制御したりす ることが可能になる。 空調手段 7 3の一例として、 食品の鮮度状態の情報を表示する方法と しては、 ディスプレイに表示したり、 表示ランプを点灯したりするなど の汎用的な手段を適用することができる。
また、 食品の新鮮状態を保持するために制御する空調手段 7 3の一例 としては、 温度や湿度の制御や、 食品から発生したガスを除去するなど の手段を適用することができる。 例えば、 食品から発生したエチレン、 エタノール、 アンモニアなどの前述したガスはその食品の腐敗を促進し たり、 他の食品の新鮮さを低下したりすることが知られている。 したが つて、 これらのガスを保鮮装置内から排出したり、 外部から他の気体を 入れたり、 脱臭したりするなどの手段によつて食品の置かれた雰囲気か ら除去すればよい。 脱臭する方法としては、 その動作を制御できれば、 触媒、 光触媒、 プラズマ、 イオン脱臭などの各種技術を適用することが 可能である。
なお、 本発明の保鮮装置は、 食品だけでなく、 新鮮度を検知して鮮度 を保持する必要のあるものであれば、 生花、 切花などの食品以外の生鮮 物、 材料にも適用し、 これを本発明の収納品として収納することができ る。 また、 保鮮装置の具体的な例としては、 冷蔵庫、 冷蔵室、 冷蔵ボッ クス、 保温庫等が挙げられる。
以下に本発明の各実施の形態のガスセンサの構成について詳しく説明 する。
まずは、 ガス感応体部 2の構成について述べる。 ガス感応体部 2, ま たは保護ガス感応体部 5の材料の一部であるガス感応材料としては、 ガ スに対して高い感度特性を示す半導体材料が好ましい。 特に、 金属酸化 物半導体では、 前述の食品から発生されるエチレン、 エタノール、 アル デヒ ド類、 アミン類、 メルカプタン類などのにおいガス成分に対して比 較的高い感度を示す。 例えば、 酸化スズ、 酸化インジウム、 酸化亜鉛、 酸化タングステン、 酸化チタン、 酸化タンタルなどがある。 これらの材 料のうち、 酸化スズ、 酸化インジウム、 酸化亜鉛、 酸化タングステンか らなる群からいずれか一つを主成分とするガス感応体部は、 塗布するた めに印刷法、 スピンコートやディップコートなどのコーティング法、 ス パッタリング法、 真空蒸着法などの薄膜製法を用いることができ、 感度 の高い薄膜構成を得ることができるために好ましい。
ガス感応体部 2の薄膜 (実施の形態 3のガスセンサ 3 2のガス感応体 部も同様。 以下同じ) 構成としては、 緻密な薄膜でもよいが、 金属酸化 物半導体の粒子が集合した多孔質な構造であれば、 ガス感知する感応体 表面が増大するので高い感度を得ることができるので好ましい。 また、 ガス感応体の感度やガス選択性の向上を目的として、 ガス感応体部 2に 触媒を添加することも好ましい。 添加される触媒としては、 金属または その化合物が好ましく、 アルカリ土類金属、 遷移金属などが用いられ、 マグネシウム、 カルシウム、 ス ト口ンチゥム、 バリ ゥム、 チタン、 ジノレ コニゥム、 / ナジゥム、 クロム、 マンガン、 鉄、 コノ ノレ卜、 ニッケノレ、 銅、 亜鉛、 鉛、 カドミウム、 アンチモン、 ビスマス、 パラジウム等が挙 げられる。 これらは、 .ガス感応体部 2の形成時に、 無機塩または有機塩 として加えられ、 焼成処理時に分解して金属またはその化合物として得 られるのが一般的である。
なお、 例えば、 無機塩では硝酸塩、 硫酸塩、 塩化物塩等が、 有機塩で はカルボン酸塩、 ジカルボン酸塩やァセチルァセトン錯塩が挙げられる c 金属酸化物ガス感応体を形成するには、 基板 4上にガス感応体形成用 組成物の被膜を形成した後、 数百。 C以上の温度で焼成し形成するのが実 施しやすい。 なお、 ガス感応体形成用組成物の塗布には、 スクリーン印 刷法、 ロールコート法、 ディップコート法、 スピンコート法等を用いる ことができる。 また、 焼成温度としては、 ガス感応体形成用組成物が分 解する温度以上で、 かつ基板の変形温度以下であればよく、 400°Cか ら 8 00°Cが好ましい。 また、 ガス感応体部 2、 保護ガス感応体部 5の 厚みとしては、 0. 1 μιηから 1 mmの範囲を用いることができ、 好ま しくは 0. 5 μ mから 1 0 μ mの範囲でガス感度が高く、 ガス応答性の 高いガスセンサを得ることができる。
次に、 本発明の各実施の形態の保護材 1や保護フィルタ材 3 1, また は保護ガス感応体部 5の材料の一部である疎水化処理された多孔質保護 材について説明する。
多孔質保護材の材料としては、 ガス感応体部 2, または保護ガス感応 体部 5の導通状態に影響しないように絶縁性であり、 かつガスセンサの 動作温度に対する耐熱性を考慮して 200°C以上の耐熱性が必要である ため、 材質として酸化ケィ素、 酸化アルミニウム、 アルミノシリケート 塩などの金属酸化物およびその塩を用いることができる。 特に、 ゾルゲ ル法などの比較的低温の成膜プロセスを適用することのできる酸化ケィ 素を主成分としてなるのが好ましい。 また、 これらの材質で得られる多 孔質保護材としては、
(1) 1 00 nm以下の連続細孔を有する密度 500 k gZm3以下の 低密度乾燥ゲルであるエア口ゲルゃキセ口ゲル、
(2) 1 nm以下の均一な極細孔を有するゼォライト、
(3) 界面活性剤をテンプレートとして用いて 1 nmから 1 00 nm の範囲で孔径を精密に制御したメソポーラス多孔体、
(4) 高分子をテンプレートとして用いて 1 nmから 1 0 μ mの範囲 で孔径を制御した酸化物多孔体などを用いることができる。
細孔サイズとしては、 検知したいガスの分子が通過するサイズ及び結 露によって生成される水滴の大きさ等を考慮すると、 多孔質体の平均細 孔直径が 0. 5 nmから 1 00 nmの範囲であるのが好ましい。 これ以 上のサイズになる水分の通過量が大きくなるとともにガス以外の不純物 の通過あるいは空気中に浮遊する埃等が孔内に侵入するといつた現象が 生じるため、 保護材としての効果が低下してしまう。 なお、 センシング の対象となるガスの分子径がより小さいことがあらかじめ判明している 場合は、 平均細孔直径は、 0 . 5 n m以下の値としても良い。 多孔質保 護材を得る方法としてはそれぞれ簡単に以下に説明する。 なお、 記述し た方法は一般的な製法であり、 これらに限られるものではない。
( 1 ) エア口ゲルは、 ケィ酸ナトリウムや水酸化アルミニウムなどの無 機原料、 テトラメ トキシシラン、 テトラエトキシシラン、 アルミニウム ィソプロポキシドゃアルミニウム— s e c —プトキシドなどの有機金属 アルコキシドの有機原料などを触媒とともに溶媒中でゾルゲル法によつ て湿潤ゲルを形成させる。 この湿潤ゲルをゲルが収縮しないように超臨 界乾燥法を用いて乾燥して低密度乾燥ゲルを得る。 キセロゲルは、 湿潤 ゲルを疎水化することによってゲル表面エネルギーを変えて界面張力を 低減することでゲル収縮しないように加熱または減圧乾燥して低密度乾 燥ゲルを得る。
( 2 ) ゼォライ トは、 通常、 ケィ酸ナトリウム、 コロイダルシル力、 ヒ ユームドシリカ、 アルコキシシランなどのシリカ源と、 水酸化アルミ二 ゥム、 アルミン酸ナトリ ウム、 アルミニウムアルコキシドなどのアルミ ナ源と、 アルカリ金属の水酸化物、 弗化物の鉱化剤と、 水と、 必要に応 じてテトラプロピルアンモニゥム塩、 テトラェチルアンモニゥム塩など の構造規定剤を加えて形成したヒ ドロゲルまたは乾燥ゲルから水熱合成 法で形成する。
( 3 ) 界面活性剤をテンプレートとするメソポーラス多孔体は、 へキサ デシルトリメチノレアンモニゥムに代表されるアルキルアンモニゥム系の 界面活性剤などや、 分子集合体を溶液中で形成する液晶分子などを、 酸 化物骨格原料と混合して上述のゾルゲル法ゃ水熱合成法などと組み合わ せて複合体を得る。 骨格形成後に焼成して界面活性剤を除去して細孔形 成し、 その孔径を制御して金属酸化物の多孔体を得る。 孔径は、 界面活 性剤の種類やアルキル鎖長によって決定できる。
( 4 ) 高分子をテンプレートとするメソポーラス多孔体は、 ポリエチレ ンォキシド、 ポリプロピレンォキシド、 エチレンォキシドープロピレン ォキシドのプロック共重合体、 ポリ ビニルピロリジノンなどの高分子を 酸化物骨格原料と混合して上述のゾルゲル法ゃ水熱合成法などと組み合 わせて、 高分子分散またはスピノーダル分解した複合体を得る。 骨格形 成後に焼成して高分子を除去して細孔形成し、 その孔径を制御して金属 酸化物の多孔体を得る。 孔径は、 高分子の種類、 分子量や濃度によって 決定できる。
これらの多孔質保護材を疎水化処理する手段としては、 湿潤ゲルを形 成する際に原料に疎水化剤を添加する方法、 湿潤ゲルの段階で疎水化剤 によって処理する方法、 乾燥または焼成して得られた多孔質体を疎水化 剤で処理する方法などがある。 疎水化剤としては、 アルキル基を有し、 結合官能基の元素がケィ素、 アルミユウム、 チタンなどのカップリング 剤を用いることができる。 また、 疎水化効果を示すアルキル基の部分に フッ素を導入したフルォロアルキル基を用いたものも効果がある。 疎水 化処理の方法としては、 気相、 液相で疎水化剤を多孔質体の固体部分に 作用させることができるが、 細孔の内部まで効率よく疎水化するために は溶媒中で処理する方法が好ましい。 疎水化剤としては、 例えば、 トリ メチルクロルシラン、 ジメチノレジクロノレシラン、 へキサデシ/レジメチノレ クロノレシラン、 ォクタデシルトリクロルシラン、 へキサメチルジシロキ サン、 へキサメチノレジシラザン、 ジメチルジメ トキシシラン、 フロォ口 メチルトリエチノレシリケート、 ジフルォロアルキルジアルコキシシラン 、 トリメチルシラノールなどが挙げられる。 これらの中でも、 特にジメ チルジクロルシラン、 ジメチルジメ トキシシランがセンサ素子を加熱し ながら動作させる際に、 長期間疎水化の効果を保持させる点より好まし レ、。
疎水化処理の効果は、 水の接触角で評価することができる。 一般的に 水の接触角が 9 0 ° 以上になっている際に疎水化されていると考えられ る。 本発明において疎水化状態は、 多孔質体表面の凸凹状態や疎水化剤 の種類等の条件によって 9 0 ° から 1 8 0 ° の範囲で接触角が得られた c さらに、 ガス感応体部の耐湿性としては、 水の接触角が 1 0 0 ° 以上で 好ましい効果が得られており、 上述の製法によって作製した疎水化処理 された多孔質保護材の膜質や膜厚の均質性などからは、 1 0 0 ° から 1 7 0 ° の範囲が好ましかった。
疎水化処理された多孔質保護材のガスセンサへの形成は、 ガス感応体 部 2上に密着して形成する場合には、 ゾルゲル反応を行うための保護材 の原料を感応体表面に滴下した後に焼成処理を行うかあるいは、 保護材 の原料をガス感応体部 2上感応体に直接塗布することで湿潤ゲル化する 手段が好ましい。 その後に、 疎水化処理、 または、 乾燥処理、 焼成処理 等を組み合わせて疎水化処理された多孔質保護材を得る。 また、 実施の 形態 3のガスセンサュニットとして適用する際には、 ガスセンサ上に所 定の空間をおいて多孔質保護材を形成するか、 メンブレンフィルムのよ うな多孔質の支持材上に多孔質保護材を形成したものをセンサケース 3 4の開口部に貼り付けるなどの手段を行うことができる。
次に、 各実施の形態のガスセンサにおける他の構成材料について説明 する。
ガスセンサの基板 4は、 表面が絶縁性を有し、 センサ使用時の温度に 対する耐熱性や耐湿性を有しているものが必要であり、 いずれのものも 使用することができ、 材料や構成等を限定するものではない。 好ましく は、 アルミナやシリカガラス、 シリコンカーバイ ドなどの基板を用いる ことができる。 また、 必要に応じて、 ヒータなど加熱機能を備えている ものもよい。 また、 基板 4の表面粗さは 0. 0 1 μ mから 1 μ mの間で あることが好ましい。
また、 センサ電極 3としては、 ガス感応体部に電圧印加して、 その抵 抗値を測定することが主たる目的であり、 電極の材料、 構成、 パターン 、 製造方法等を限定するものではない。 構成としては、 単層の電極で形 成することもできるが、 基板との密着性などから薄膜電極と厚膜電極の 二層構成を形成することも好ましい。 また、 厚膜電極はリードとの接合 をよくする場合に用いるものである。 このとき、 二層構成の電極として は、 薄膜電極の厚さは 0. 1〜 1 ^ ηι、 厚膜電極の厚さは 3〜 20 Ai m の間であることが好ましい。 電極材料としては、 対象のガスや湿度によ つて変成することがない材料が好ましく、 金、 銀、 白金等の金属が用い られる。
(実施例)
以下に、 本発明の具体的な実施例について述べる。 なお、 ガス感度評 価については、 空気中におけるガスセンサの素子抵抗を RA、 1 p m の対象ガスを含む試験ガスを加えて 3 0分後のセンサ素子抵抗を RGと して; G/RAを求めてセンサ感度とした。 また、 耐湿性については、 初期のガス感度を測定した後に、 ガスセンサを 40°C、 相対湿度 9 5%
(絶対水分量約 50 g/m3) の雰囲気下で 1 0 曰間放置した後にガス感 度を測定し、 初期感度と比較して評価した。 ここで、 エチレン、 ェタノ ール等の対象ガスでは、 ガス雰囲気下での感応体抵抗値が低くなるため にガス感度は RG/R Aが小さいほど感度が高くなる。
(実施例 1 ) 実施の形態 1のガスセンサを作成して、 試験を行った。
まず、 支持基板 4上に電極 3の形成を行った。 厚さ 0 . 4 m mのアル ミナ基板の上に、 金の有機金属化合物ペーストをスクリーン印刷法によ り塗布 '乾燥した後、 8 0 0 °Cで焼成して、 膜厚が 0 . の薄膜電 極を形成した。 次に、 この薄膜電極上に、 同様に金の厚膜印刷用ペース トをスクリーン印刷法により塗布 ·乾燥した後、 8 0 0 °Cで焼成して、 膜厚が 6 I mの厚膜電極を形成した二層構造の電極 3を得た。
次に、 ガス感応体部 2の形成について示す。 1 0 0 m 1 のビーカーに 、 添加濃度が 1 m o 1 %となるように活剤として塩化パラジウムを秤量 し、 粘度調整剤として 1 gのェチルセルロースを溶解させた 1 0 gのブ チノレカルビトール溶液を加え、 さらに、 9 gの 2—ェチルへキサン酸ス ズを加えて、 撹拌 ·混合して、 所望のガス感応体形成用組成物を得た。 そのガス感応体形成用組成物を、 電極を形成したアルミナ基板の上に、 スクリーン印刷により塗布後、 7 0 0 °Cで 1時間焼成し、 膜厚が約 2 μ mの酸化スズを主成分とする金属酸化物からなるガス感応体薄膜 2を形 成した。
次に、 疎水化処理された多孔質保護材の形成について示す。 本実施例 では、 アルコキシシランをゲル原料として多孔質体の前駆体である湿潤 ゲルを形成し、 この湿潤ゲル内の水を含む溶媒をァセトンを用いた溶媒 置換により除いた後、 疎水化剤としてジメチルジメ トキシシランを用い てアセトン中で疎水化処理を行った。 最後に、 乾燥工程に於いて、 溶媒 置換を行った後乾燥することで乾燥ゲルを作製した。
具体的には、 テトラメ トキシシラン Zメタノール Z水 = 1 0 0 / 9 0 / 4 7 (重量比) を混合し、 この溶液をゲル化が生じる前にガス感応体 部に塗布してからゲル化させてオーバーコート保護層の形態で多孔質体 の前駆体である湿潤ゲルを得た。 なお、 水としては、 ゲル化触媒のアン モニァを加えた 0. 1規定アンモエア水を用いた。 引き続き、 得られた 湿潤ゲルを、 ゲル体積の 1 0倍のアセトンに浸漬することで、 湿潤ゲル 中の水を含む溶媒をァセトンに置換した。 その後にゲル形成に用いたテ トラメ トキシシラン 1モルに対して、 0. 5モルの割合のジメチルジメ トキシシランを 1 0 w t %アセトン溶液に、 センサ表面を浸した。 その 後に、 センサ表面をゲル体積のァセトンで洗浄することで湿潤ゲル中の 溶媒置換を行った。 最後に、 センサを 5 0°C、 1 2MP aの二酸化炭素 で超臨界乾燥することにより、 乾燥ゲルとして疎水化処理された保護層 を多孔質化した。 疎水化処理された多孔質保護層 1の厚みは約 1 μ ιη、 密度は約 2 0 0 k g/m3で、 その平均細孔直径は約 2 0 nmであった。 保護層表面の水の接触角は約 1 2 0° であり疎水性を示すことが確認さ れた。
作製したガスセンサ素子をリードワイヤで接続して、 開口部が網目状 メッシュ 3 7のガスセンサュニット (実施の形態 4のガスセンサュニッ トに相当する。 以下実施例 5まで同様) を作製した。 これを用いて l p mのエチレンに対するガス感度を測定した。 7リツ トルのァクリルボ ックス中にセンサ素子を固定し、 空気中と、 7 0 O p p mのエチレンを ボックス中に 1 0 m 1加えて、 センサ素子に接触させたときのセンサ素 子抵抗変化を測定して評価した。
得られた初期のセンサ感度は 0. 5であり、 耐湿試験後のセンサ感度 も 0. 5であり、 高いガス感度と高い耐湿性を有していた。
(比較例 1 )
実施例 1 と同様の手順でガス感応体部まで作製し、 保護層を有さない ガスセンサを用いたガスセンサュュッ トで 1 p mのエチレンに対して 評価した結果、 初期のセンサ感度は 0. 5であり高いガス感度を示した。 しかし、 耐湿試験後のセンサ感度が 0. 8と悪くなつており、 耐湿性に 問題があった。
(比較例 2 )
実施例 1と同様の手順でガス感応体部 2まで作製した後に、 多孔質で ないシリカを保護層としたガスセンサを得た。 シリカ保護層の製造方法 としては、 8 gのエタノールに、 1 0 gのテトラエトキシシランを溶解 させ原料溶液を調製し、 同じく 8 gのエタノールに、 0 . 2 gの濃塩酸 と 1 0 gの水を加えた加水分解用溶液を調製して、 両者を室温中で混合 しガス感応体表面に塗布した後に溶媒を乾燥した。 その後に、 6 0 0 °C で焼成してシリカ保護層を得た。
この作製したガスセンサを用いたガスセンサュ-ッ トで 1 p p mのェ チレンに対して評価した結果、 初期のセンサ感度は 0 . 6であり、 耐湿 試験後のセンサ感度は 0 . 7であった。 ガス感度は保護層がない比較例 1のガスセンサと比較して感度が悪い結果となった。 おそらく、 多孔質 でないシリカ保護層がガス感応体を覆ってしまっているため、 対象ガス がガス感応体部までの到達しにく くなっているためと思われる。 また、 耐湿性については、 比較例 1の保護層がないときに対しては向上してい るが、 実施例 1よりも効果は少なかった。
(比較例 3 )
ガス感応体部 2上に多孔質体の前駆体であるシリカの湿潤ゲルを形成 までは実施例 1 と同様の手順で行い、 湿潤ゲルを疎水化しないで超臨界 乾燥を行って多孔質保護層 1を形成したガスセンサを得た。
この作製したガスセンサを用いたガスセンサュニッ トで Ϊ p p mのェ チレンに対して評価した結果、 初期のセンサ感度は 0 . 5であり高いガ ス感度を示した。 しかし、 耐湿試験では、 多孔質保護層 1が、 吸湿して 失透するとともに吸湿して割れと剥離を生じたため、 センサ感度は 0 . 8であり、 耐湿性は得られなかった。 (実施例 2 )
実施の形態 2のガスセンサを作成して、 試験を行った。
ガス感応体部上に多孔質体の前駆体であるシリカの湿潤ゲルを形成ま では実施例 1と同様の手順で行った。 ただし、 湿潤ゲルの形成は、 原料 溶液がガス感応体部の中まで十分に含浸してからゲル化するようにした c その後に、 ゲル形成に用いたテトラメ トキシシラン 1モルに対して、 0 . 5モルの割合のトリメチルクロルシランを 5 w t %へキサン溶液に、 セ ンサ表面を浸した。 その後に、 センサ表面をゲル体積のへキサンで洗浄 することで湿潤ゲル中の溶媒置換を行った。 最後に、 8 0 °C、 真空減圧 乾燥によって乾燥することにより、 疎水化処理された乾燥ゲルで複合化 された保護ガス感応体部 5を得た。 疎水化処理された保護ガス感応体部 5における平均細孔直径は約 1 5 n mであった。 保護層表面における水 の接触角は約 1 2 0 ° であり疎水性を示すことが確認された。
作製したガスセンサ素子をリ一ドワイヤで接続して、 開口部が網目状 メッシュ 3 7のガスセンサュュッ トを作製した。 これを用いて 1 0 p p mのエタノールに対するガス感度を測定した。
得られた初期のセンサ感度は 0 . 4であり、 耐湿試験後のセンサ感度 も 0 . 4 5であり、 高いガス感度と高い耐湿性を有していた。
(実施例 3 )
ガス感応体部までは実施例 1 と同様の手順で行った。
疎水化された多孔質保護材は以下のように調製した。 テトラメ トキシ シランと水を 1 : 2で混合し少量の塩酸によって部分縮合し溶液を得た c これに、 ォクタデシルトリメチルアンモニゥム塩を加えて原料溶液を得 た。 この溶液を、 ガス感応体部にスピンコーティングで塗布を行った。 成膜後に 5 5 0 °Cで焼成して有機成分を除去して多孔質の保護層薄膜を 得た。 保護層の厚みは約 0 . 3 μ πιであった。 その多孔質保護層に、 ト リメチルクロルシランの 5 w t %へキサン溶液にセンサ表面を浸して疎 水化を行い、 疎水化処理された多孔質保護層 1を得た。 保護層の細孔直 径は約 3 n mであり、 保護層表面の水の接触角は約 1 1 0 ° であり疎水 性を示すことが確認された。
作製したガスセンサ素子をリードワイヤで接続して、 開口部が網目状 メッシュ 3 7のガスセンサュュットを作製した。 これを用いて 1 p p m のジメチルサルファイ ドに対するガス感度を測定した。
得られた初期のセンサ感度は 0 . 5であり、 耐湿試験後のセンサ感度 も 0 . 5 5であり、 ¾いガス感度と高い耐湿性を有していた。
(実施例 4 )
ガス感応体部 2までは実施例 1 と同様の手順で行った。
疎水化された多孔質保護材は以下のように調製した。 テトラメ トキシ シランと水を 1 : 2で混合し少量の塩酸によって部分縮合し溶液を得た。 これに、 ォクタデシルトリメチルアンモニゥム塩を加えて原料溶液を得 た。 この溶液を、 ガス感応体部にスピンコーティングで塗布を行った。 成膜後に 5 5 0 °Cで焼成して有機成分を除去して多孔質の保護層薄膜を 得た。 保護層の厚みは約 0 . 3 / mであった。 その多孔質保護層に、 ト リメチルクロルシランの 5 w t %へキサン溶液にセンサ表面を浸して疎 水化を行い、 '疎水化処理された多孔質保護層 1を得た。 保護層の細孔直 径は約 3 n mであり、 保護層表面の水の接触角は約 1 1 0 ° であり疎水 性を示すことが確認された。
作製したガスセンサ素子をリードワイヤで接続して、 開口部が網目状 メッシュのガスセンサュニッ トを作製した。 これを用いて 1 p mのジ メチルサルフアイ ドに対するガス感度を測定した。
得られた初期のセンサ感度は 0 . 5であり、 耐湿試験後のセンサ感度 は 0 . 5 5であり、 高いガス感度と高い耐湿性を有していた。 (実施例 5 )
ガス感応体部 2までは実施例 1と同様の手順で行った。 エタノール 1 5 gにテトラエトキシシラン 6 . 8 gを攪拌しながら混合した溶液とェ タノール 1 5 gに塩酸 0 . 1 3 §、 純水1 . 8 gを攪拌しながら混合し た溶液を作製し、 後者の混合液を前者の混合液に攪拌しながら混合し、 保護層をゾルゲル反応によって作製するための反応液を作製した。 室温 にて 4時間程度反応させた後に、 センサ素子のガス感応体部に約 0 . 2 μ 1滴下し 6 0 °Cの高温槽中にて乾燥させた。 さらに反応液を滴下させ 乾燥させる工程を 3回繰り返した後に、 保護層部をセンサ素子と共に 7 5 0 °Cで加熱することで保護層 1を形成した。 この時、 保護層 1の厚み は約 2 μ mであり、 細孔直径は約 5 0 n mであった。 さらに保護層 1の 疎水化処理は以下の手順で行った。
ジメチルジメ トキシシランを 2 0 w t . %となるようにメタノ一ノレに 溶解させ、 前記メタノール混合液に対して約 1 0 w t . %となるように 0 . 1 Nのアンモニア水溶液を加えた。 この混合液に前記保護層を浸漬 させ 6 0 °Cに設定された恒温槽中にて 2 4 h r放置した。 2 4 h rの放 置後さらに 1 0 0 °Cで 5 m i n . 程度乾燥させ、 疎水化処理を行った。 疎水化処理後の保護層 1表面の水に対する接触角は約 1 1 0 ° であり 、 疎水性を示すことが確認された。 さらに、 得られた初期のセンサ感度 はエタノール 1 0 p p mに対して 0 . 4であり、 耐湿試験後のセンサ感 度も 0 . 4 1であり、 高いガス感度と高い耐湿性を有していた。
(実施例 6 )
実施の形態 3のガスセンサュニットを作成して、 試験を行った。
実施例 1と同様の手順でガス感応体部 2まで作製したガスセンサを用 いた。 作製したガスセンサ素子をリードワイヤで接続して、 センサケー スに開口部があるガスセンサュニットを作製した。 この開口部には以下 の手順で作製した疎水化したゼォライ ト薄膜シートを接着封止した。 支持体シートとして、 厚さ 0 . 3 mmで数 μ πιの細孔を有するひーァ ルミナを用いた。 コロイダルシリカとテトラプロピルアンモニゥム塩と 水を混合して、 支持体シートを設置したォートク'レーブ中において 1 8 0 °Cで水熱合成した。 α—アルミナの支持体シート表面に約 2 μ mの厚 みのゼォライ ト膜が形成された。 このゼォライ ト膜をへキサメチルジシ ラザンのエタノール溶液中に浸漬して 6 0 °Cで疎水化処理をした。 細孔 直径は約 0 . 3 n mで、 水の接触角は 1 1 5 ° であった。
このガスセンサュニットを用いて 1 p p mのエチレンに対するガス感 度を測定した。
得られた初期のセンサ感度は 0 . 5であり、 耐湿試験後のセンサ感度 も 0 . 5であり、 高いガス感度と高い耐湿性を有していた。
(実施例 7 )
実施の形態 5に記載の保湿装置を作成し、 試験を行った。
実施例 1で作製したガスセンサユニッ トを設置し、 温度 5 °C、 相対湿 度 9 0 % (絶対水分量 6 g /m 3) に調整できる 5 0 Lの断熱保管庫を作 製した。 空調手段 7 3の一部として、 発生したガスを除去する機構とし ての光触媒を用いた脱臭器を設置した。
この保管庫の中にほうれん草一束を保管して発生するジメチルサルフ アイ ドを感知してモニタ表示した。 ジメチルサルフアイ ドを 0 · 1 p m未満に維持した場合と、 特にガスの除去をしない場合とを比較すると 、 ジメチルサルファイ ドを 0 . 1 p p m未満に維持した場合の方が 3倍 程度長期に鮮度状態を長く保持できた。
以上のような本発明の各実施の形態のガスセンサはその構成として、 支持基板と、 その支持基板上に形成された一対の電極と、 さらにその電 極間にガス感応体部が形成されてなり、 前記ガス感応体部の上部に疎水 化処理された多孔質保護材からなる保護層が形成されてなることを特徴 としている。
また、 その構成として、 支持基板と、 その支持基板上に形成された一 対の電極と、 さらにその電極間に疎水化処理された多孔質保護材を複合 化したガス感応体部が形成されてなることを特徴としている。
上記保護層としては、 疎水化処理された多孔質保護材が、 大気中の余 剰水分より生成される結露水に対して接触角が 1 0 0 ° から 1 7 0。 の 範囲であり、 前記多孔質保護材の平均細孔直径が 0 . 5 n mから 1 0 0 n mの範囲であることを特徴としている。 さらに、 多孔質保護材が、 酸 化ケィ素を主成分としてなることを特徴としている。
また、 上記構成のガスセンサにおける本発明のガス感応体としては、 酸 化スズを主成分とすることを特徴としている。
また、 ガスセンサユニッ トとしては、 疎水化処理された多孔質保護材 で覆われてなるガスセンサが、 センサケース内に設置されてなることを 特徴としている。
また、 ガスセンサユニットとしては、 支持基板上に一対の電極とその 電極間にガス感応体部が形成されたガスセンサが、 センサケース内に設 置され、 そのセンサケースの開口部が疎水化処理された多孔質保護材で 覆われてなることを特徴としている。
さらに、 上記ガスセンサユニッ トを用いた保鮮装置においては、 絶対 水分量 5 g Zm 3から 5 0 g Zm 3の雰囲気において、 食品から発生する ガスを感知することでその食品の鮮度状態を表示、 通知または保持する ことを特徴としている。 産業上の利用可能性 以上のように本発明によれば、 ガスに対する高感度化と高い湿度環境 下における信頼性を同時に得ることを可能にできる。 また、 食品を保存 するための高い湿度の環境においても、 食品の新鮮度を検知して、 その 鮮度を保持させる保鮮装置を提供することができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 基板と、
前記基板上に形成された一対の電極と、
少なくとも前記電極間に形成されたガス感応体部と、
少なくとも前記ガス感応体部を直接的または間接的に覆うように形成 され、 疎水化処理され、 多孔質から構成された保護材とを備えたガスセ ンサ。
2 . 前記直接的とは、 前記保護材が前記ガス感応体部に密着して形 成されることである請求項 1に記載のガスセンサ。
3 . 前記間接的とは、 前記保護材が前記ガス感応体部との間に空間 を有するように形成されることである請求項 1に記載のガスセンサ。
4 . 前記基板、 前記一対の電極おょぴ前記ガス感応体部をその内部 に収納し、 所定の開口部を有する収納容器をさらに備え、
前記保護材は、 前記開口部を塞いで、 前記収納容器内を密閉状態とす るように設けられている請求項 3に記載のガスセンサ。
5 . 前記基板、 前記一対の電極、 前記ガス感応体部おょぴ前記保護 材を収納し、 所定の開口部を有する収納容器と、
前記開口部を塞いで、 前記収納容器内を密閉状態とするように設けら れている、 疎水化処理され、 多孔質から構成された蓋部材をさらに備え た請求項 2または 3に記載のガスセンサ。
6 . 前記多孔質は、 その平均細孔径が 1 0 0 n m以下である請求項 1に記載のガスセンサ。
7 . 前記疎水化処理は、 大気中の余剰水分より生成される結露水に 対する接触角が 1 0 0 ° 以上となるようにされている請求項 1に記載の ガスセンサ。
8. 前記保護材は、 酸化ケィ素を主成分とする請求項 1に記載のガ
9. 前記ガス感応体部は、 酸化スズを主成分とする請求項 1に記載 のガスセンサ。
1 0. 請求項 4または 5に記載のガスセンサを有する、 収納品を格納 する格納庫と、
前記ガスセンサから得られた情報に基づき、 前記収納品の鮮度状態を 保持または表示する鮮度状態管理手段を備えた保鮮装置。
1 1. 前記鮮度状態管理手段は、 前記格納庫内を絶対水分量 5 g/m 3から 5 0 g/m3の雰囲気に保持する請求項 1 0に記載の保鮮装置。
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