WO2003056555A1

WO2003056555A1 - Support d'enregistrement magneto- optique

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Publication number: WO2003056555A1
Application number: PCT/JP2001/011417
Authority: WO
Inventors: Yuzuru Yamakage; Takuya Kamimura; Ken Tamanoi; Mineo Moribe; Keiji Shono
Original assignee: Fujitsu Limited
Priority date: 2001-12-25
Filing date: 2001-12-25
Publication date: 2003-07-10
Also published as: CN1582474A; CN1291407C; TW559793B; EP1460627A4; JP3645252B2; US20040224119A1; JPWO2003056555A1; EP1460627A1; US7090933B2

Description

明細 ^: 光磁気記録媒体技術分野

この発明は、光磁気記録媒体に関し、特に軟磁性膜を有する光磁気記録媒体に関する。

背景技術

従来、実用化されている光磁気記録媒体の多くは、透明基板上に記録層や保護層などを積層して、基板側から光を入射させて情報の記録 ·再生を行うものである。

光磁気記録媒体の高密度化をするために、トラック幅、および記録マークサイズを微細化することが挙げられるが、たとえば、光磁気記録媒体に照射される光ビームのスポットサイズを小さくすることが行われている。現在、光磁気記録媒体に用いられる対物レンズの開口数 N Aは 0 . 5 5〜0 . 6程度である。

一般に、スポットサイズを ø、対物レンズの開口数を N A、レ一ザ光の波長を λとすると、 φ = \/ 2 Ν Αという関係式が成り立つ。この式より、スポットサイズ øを小さくするためには、対物レンズの開口数 N Aを大きくすることが必要となる。 N Aを大きくすれば、分解能を高めることができるが、焦点距離が短くなる。

したがって、開口数 N Aを大きくすればするほど、基板の厚さむらゃチルトによる収差が大きくなるので、できるだけ基板の厚さを薄くする必要がある。よって、従来のように基板側から光を入射して記録再生を行うよりも、記録膜側から光を入射して記録再生を行う方が高密度化を実現する上では好ましい。

以下、記録膜側から光を入射して記録再生を行う方式を、フロントイルミネーション方式と呼ぶ。

フロントイルミネーション方式では、磁場を発生するコイルと対物レンズとがー体となった構造のオプティカルフライングへヅドゃ、近接ァクチユエ一夕を用いる。

一般に高い記録磁界（たとえば 3 0 0 O e 以上）を印加する必要のある光磁気記録媒体では、近接ァクチユエ一夕のコイルに、大電流（ 9 0 0 mA程度）を流す必要がある。

一方、記録再生の速度を向上させるためには、高速で電流の O N / 0 F Fをしなければならず、高速の過渡応答が要求される。

しかし、大電流を流す場合は、電流の過渡応答時間が長くならざるを得ず、高速の電流スィツチングすなわち高速の磁場スィッチングが困難となる。

また、高速の電流スイッチングを行うと、電流はコイルの表層を流れるようになるので、コイルの抵抗値が増加し、このためコイルが発熱し、性能劣化や寿命等が問題となる。

したがって、高い記録磁界を必要とする媒体では、高速の電流スィツチングは困難であり、記録速度として 1 0 0 M b p sを実現するためには、記録磁界の強度の上限値は 2 0 0 O e 程度以下に抑える必要がある。すなわち、 1 0 0 M b p sという要求仕様を満たすためには、磁界強度を低減させる必要がある。

そこで、外部から印加する磁界強度を 2 0 0 O eに低減させても、 3 0 0 O e の磁界と同様な記録性能を維持するために、基板の上であって記録層の下地に、 N i F eなどの軟磁性層を形成することが行われている。

これは、軟磁性層に磁界を印加すると、磁束は拡散せずに集中するという性質により、高磁界をかけたのと同じような磁化状態が形成されるからである。したがって、軟磁性層を形成すれば、コイルに流す電流を少なくしても、高い記録磁界を必要とする媒体への記録再生ができる。

ところで、 3 0 0 O e の高磁界をかけたのと同様の効果を得るためには、軟磁性層の膜厚は、 1 0 0 n m以上は必要である。

従来の一般的な光磁気記録媒体の基板の表面には、ランドとグル —ブからなる凹凸形状のサ一ボパターンが形成されており、このサーボパターン上に、軟磁性層が形成される。

しかし、 1 0 0 n m以上の軟磁性層を形成した場合には、ランドが広くなり、ランドとグループの幅比が大きく変化し、グループのテ一パ一角度は著しく鈍角化し、ランドゃグループのエッジ部は極端に丸くなってしまう。

したがって、基板のサ一ボパターンの形状が正確に反映されていない軟磁性層の上に記録層が形成されることになり、これでは、要求される性能を満たす記録再生をすることができない。

また、特開平 3— 1 0 5 7 4 1号公報には、アルミニウム基板上に、 1 0 0 n m程度以上の軟磁性体層を設け、その上にグルーブ層を設けて、 C ZNを向上させた光磁気記録媒体用基板が記載されている。しかし、一般に、アルミニウム基板は剛性が低いので、対物レンズを媒体に近接させて配置すると接触する恐れがあり、近接ァクチユエ一夕を用いるのは好ましくない。

また、軟磁性層の上に直接グループ層を設けた場合、大気中に軟磁性層が曝されるので、酸化及び窒化により磁気特性が変化してしまう恐れがある。

発明の開示

この発明は、以上のような事情を考慮してなされたものであり、軟磁性層の上に、保護層を設けることにより、軟磁性層の酸化及び窒化を防止して、安定した磁気特性を有する光磁気記録媒体を提供する。

この発明は、基板上に、少なくとも軟磁性膜，保護膜，サ一ボパターンが形成された樹脂層，反射膜，下地誘電体膜，記録膜，上地誘電体膜およびカバ一層が、この順に形成されていることを特徴とする'光磁気記録媒体を提供するものである。

これによれば、軟磁性膜の酸化，窒化を防止し、安定した磁気特性を有する光磁気記録媒体を提供することができる。

また、第 1基板上に、軟磁性膜および保護膜がこの順に形成された第 1部材と、光透過性の第 2基板上に，サーボパターンが形成された樹脂層，反射膜，下地誘電体膜，記録膜，上地誘電体膜およびカバー層がこの順に形成された第 2部材とが、嫌気性硬化樹脂を介して、前記保護膜と前記第 2基板とが接着されるようにして構成されたことを特徴とする光磁気記録媒体を提供するものである。

この発明において、前記軟磁性膜は、 F e Cで形成され、前記保護膜は、膜厚 1 0 n m程度の S i 0 ₂膜で形成され、前記軟磁性膜と記録膜との距離が 1 0 m程度以下となるように、前記樹脂層，反射膜及び下地誘電体膜の膜厚を調整することが、磁気特性上好ましい

また、前記軟磁性膜と、記録再生へッドに設けられた磁場発生用コイルとの距離が 2 2 ± 4 m程度に保たれるように、前記保護膜からカバー層までの各構成膜の膜厚を調整するようにしてもよい。また、この発明は、基板上に、スパッタリング法により軟磁性膜を形成し、軟磁性膜の上に保護膜を形成し、所定のサーボパターンが形成されたスタンパ上に熱硬化樹脂を所定量滴下した部材を、熱硬化樹脂の表面と保護膜とが接するように押し付け、所定の加熱をすることにより熱硬化樹脂を硬化させた後、スタンパを剥離し、前記熱硬化樹脂の上に、反射膜，下地誘電体膜，記録膜及び上地誘電体膜をこの順にスパッタリング法により形成し、さらに上地誘電体膜の上に紫外線硬化樹脂を塗布することによりカバ一層を形成することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法を提供するものである ₍ さらに、この発明は、第 1基板上にスパッタリング法により軟磁性膜および保護膜をこの順に製膜した第 1部材を製作し、所定のサ —ボパターンが形成されたスタンパ上に紫外線硬化樹脂を滴下し、紫外線硬化樹脂の上に光透過性の第 2基板を押しつけた後、第 2基板の上方から紫外線を照射して前記紫外線硬化樹脂を硬化させて樹脂層を形成した第 1部材を製作し、前記第 2部材の第 2基板上に、嫌気性硬化樹脂を滴下し、この嫌気性硬化樹脂を介して前記第 1部材の保護膜と前記第 2基板とを結合し、前記嫌気性硬化樹脂を硬化させた後スタンパを剥離し、前記樹脂層のサ一ボパターンが形成された表面の上に、反射膜、下地誘電体膜、記録膜及び上地誘電体膜をこの順にスパッタリング.法により形成し、さらに、上地誘電体膜の上に紫外線硬化樹脂を塗布することによりカバー層を形成することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法を提供するものである。図面の簡単な説明 ·

図 1は、この発明の第 1実施例の光磁気記録媒体の概略断面図でめる。

図 2は、この発明の第 1実施例の軟磁性膜の機能の概略説明図である。

図 3は、この発明の第 1実施例におけるフライングへッド等との位置関係の説明図である。

図 4は、この発明の第 1実施例の光磁気記録媒体の製造工程図であ o

図 5は、この発明の第 1実施例の光磁気記録媒体の製造工程図であ o

図 6は、 3つの光磁気記録媒体の記録磁界強度と C N Rの関係グラフである。

図 7は、この発明の第 2実施例の光磁気記録媒体の概略断面図である。

図 8は、この発明の第 2実施例の光磁気記録媒体の製造工程図である。

図 9は、この発明の第 2実施例の光磁気記録媒体の製造工程図でめる。図 10は、この発明の第 2実施例の光磁気記録媒体の製造工程図である。

図 1 1は、この発明の第 2実施例におけるフライングへッド等との位置関係の説明図である。

図 12は、この発明の第 3実施例の光磁気記録媒体の製造工程図である。

図 13は、この発明の第 3実施例の光磁気記録媒体の製造工程図である。

図 14は、この発明の第 3実施例の光磁気記録媒体の製造工程図である。

発明の実施の形態

以下、図面に示す実施の形態に基づいてこの発明を詳述する。なお、これによつてこの発明が限定されるものではない。

〔第 1実施例〕

図 1に、この発明の第 1実施例の光磁気記録媒体の概略断面図を示す。

<第 1実施例の媒体の構成 >

この第 1実施例の光磁気記録媒体は、基板 1の上に、軟磁性膜 2 , 保護膜 3, 樹脂層 4，反射膜 5，下地誘電体膜 6 , 記録膜 7，上地誘電体膜 8 , カバー層 9をこの順に形成した積層構造からなる。基板 1は、できるだけ剛性が高い材料であるガラス、シリコンなどが用いられる。

軟磁性膜 2は、磁束集中化のために磁性を有する材料を用いるが、 Fe C, F eNi、 F eAI S i, C o Z r N bなどを用いることができる。

保護膜 3は、軟磁性膜 2の酸化、窒化を防止できる材料で形成されるが、たとえば、 S i 0₂、 S i Nなどを用いることができる。樹脂層 4は、アクリル樹脂を母剤とした熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂または嫌気性硬化樹脂などを用いることができる。

反射膜 5は、アルミニウム、 A l T i、 A l C rなどの材料を用いることができる。下地誘電体膜 6及び上地誘電体膜 8は、 S i N、 S i 0₂などを用いることができる。

記録膜 7は、 1層の磁性膜（T b F e C o) を用いてもよいが、 3層構成の磁気超解像膜を用いた場合、下地誘電体膜 6の上に形成される記録層 Ί 1として T b F e C oまたは D yF e C oを用い、その上の中間層 7 2として Gd F e C oまたは Gd F e C o S iを用い、その上の再生層 7 3として Gd F e C oまたは Gd F e C o C rを用いることができる。

カバー層 9は、基板上の構成層全体を保護するためのものであり、透明な紫外線硬化樹脂を用いることができるが、熱硬化性または嫌気性の樹脂を用いてもよい。

く第 1実施例の構成の特徴 >

この媒体は、基板 1とは反対側のカバ一層 9側から光を入射するフロントイルミネーション方式の媒体である。この発明では、保護膜 3は、軟磁性膜 2の酸化及び窒化を防止し、軟磁性膜 2の磁気特性、特に透磁率が変化するのを防止するためのものであり、軟磁性膜 2と共にこの発明の必須の構成要素である。

この発明の樹脂層 4の表面には、ランドおよびグループからなる凹凸形状のサ一ボパターンが形成されている。この樹脂層 4の上に形成される反射膜 5，記録膜 7も、図 1のようにこのサ一ボパ夕一ンの凹凸を反映した表面形状となる。

また、対物レンズやコイルと、この媒体との距離をできるだけ短く一定に保っために、基板は、できるだけ剛性の高い材料を用いることが好ましい。剛性の低い基板では、フライングヘッドの浮上量の変動が大きくなるので、光ビ一ムスポットの収差が大きく、記録再生の性能が悪くなるからである。一方、剛性の高い基板では、フライングへッドの浮上量変動が抑えられるので、光ビ一ムスポットの収差変動が小さく、信号品質劣化を抑えることができる。

記録膜 7が 3層構造の磁気超解像膜からなる場合、記録層 7 1に記録されている情報を、中間層 Ί 2を介して再生層 7 3に転写し、光照射によって再生層 7 3に形成される低温及び高温のマスク領域以外の微小領域を通して前記転写された情報を再生する。

軟磁性膜 2は、コイルから出た磁束をできるだけコイル直下に集中させるために形成されるものであり、記録層 7の特性劣化を防止するために、サ一ボパターンが形成された樹脂層 4よりも下方であつて基板 1に接する位置に形成される。

軟磁性膜 2がある場合は、図 2に示すように、コイルから媒体方向に進行した磁束は、コイル直下の部分に集中して軟磁性膜 2まで達して水平方向に進み、記録膜 7に対して有効に磁界が印加されると考えられる。これは、記録信号特性の記録磁場依存性を観測することによりわかる。

ところで、軟磁性膜 2の磁界集中の効果は、記録膜 7と軟磁性膜 2との距離ができるだけ近い方が大きいと考えられる。したがって、記録膜 7と軟磁性膜 2との間に設けられる保護膜 3 , 樹脂層 4, 反射膜 5および下地誘電体膜 6の合計膜厚はできるだけ小さいことが好ましく、 1 0 m程度以下とするのがよい。すなわち、軟磁性膜と記録膜との距離を 10 m以下とする。

また、図 3に示すように、近接ァクチユエ一夕 2 1の場合、媒体のカバー層 9との距離 Cを 50 /m程度に設定する場合は、ァクチユエ一夕 2 1に含まれるコイルと軟磁性膜 2との距離 Aが 70±4 〃m程度となるように、保護膜 3からカバ一層 9までの各構成層の膜厚と合計膜厚とを調整する。

あるいは、図 3に示すように、フライングヘッド 22の場合、媒体のカバ一層 9との距離 Dを 1 /m程度に設定する場合は、フライングへヅド 22に含まれるコイルと軟磁性膜 2との距離 Bが 22土 4 zm程度となるように、保護膜 3からカバー層 9までの各構成層の膜厚と合計膜厚とを調整する。

樹脂層 4およびカバー層 9は、前記したように、嫌気性硬化樹脂を用いることもできる。嫌気性硬化樹脂は、室温にて重合反応を促進させる重合開始剤（プライマ）と、母剤となるアクリル樹脂とを混合することにより硬化するものであり、たとえば、プライマとして TB 139 0E, 母剤樹脂として T B 3062 Bを用いることができる。

<第 1実施例の各構成層の材料及び膜厚 >

次に、この発明の第 1実施例の光磁気記録媒体の各構成層の材料及び膜厚の一実施例を示す。基板 1 ：ガラス（ソ一ダライム），厚さ 1. 2 mm, 表面粗さ R a =2. 5 A, 直径 90mm

軟磁性膜 2 ： F e C, 厚さ 100 nm，透磁率 900

保護膜 3 ： S i 0₂，厚さ 10 nm

樹脂層 4 ：熱硬化製樹脂，厚さ 10 m以下、凹凸の溝の深さ 3 0 n m

反射膜 5 ： A 1 , 厚さ 15 nm

下地誘電体膜 6 ： S i N，厚さ 60 nm

記録膜 7 ： 130 nm (記録層 71 : TbFe Co : 50 nm, 中間層 72 : GdF e Co : 40 nm,再生層 73 : GdF e Co : 40 nm)

上地誘電体膜 8 ： S i N, 厚さ 80 nm

カバ一層 9 ：紫外線硬化樹脂，厚さ 10 m

<第 1実施例の媒体の製造方法 >

図 4及び図 5に、この発明の第 1実施例の光磁気記録媒体の製造工程図を示す。

(1 - 1) ガラス基板 1の製作

まず、図 4 (a) に示すように、ガラス基板 1 (板厚 1. 2mm，直径' 90mm, 表面米且さ 2. 5A) を用意する。

(1-2) 軟磁性膜 2の製膜

次に、図 4 (b) に示すように、基板 1上に、スパッタリング法により、軟磁性膜 2である F e Cを 100 nm程度製膜する。スパッ夕リングは、一般的な真空スパッ夕装置を用い、この装置内の所定の位置に、基板 1と F eターゲット及び C夕ーゲットをそれそれ設置し、コスパヅタにより行った。製膜ガスには Ar, 製圧ガス圧を 0. 5 P a，投入電力は 200〜 1 800 Wとした。

たとえば、組成比 F e 75 %, C 2 5 %の場合、 F e夕一ゲットの投入電力を 80 0 W, C夕ーゲットの投入電力を 8 00 Wとした。 ( 1 - 3) 保護膜 3の製膜

次に、図 4 ( c) に示すように、軟磁性膜 2の：に、スパヅタリング法により酸化及び窒化を防止するための保護膜 3である S i 0 ₂を 10 nm程度製膜する。

スパッ夕リングは、製膜ガス圧を 0. 5〜 1 P a，投入電力を 0. 5〜0. 8 k w， A rガス：〇 ₂ガス = 2 ： 1の混合ガスを用いた。 ( 1 -4) 樹脂層 4の形成

次に、図 4 (d), 図 4 (e)，図 5 (f ) において、保護膜 3の上に、ランド及びグループからなるサ一ボパターンとなる樹脂層 4 を形成する。ここで、まず、保護膜 3と樹脂層 4との間の密着性を向上させるために、シランカヅプリング剤を保護膜 3に塗布しておく。

次に、所定のサーボパターンが形成されたスタンパ 4 1 (二ヅケルスタンパ，，TP = 0. 2 5 , 溝深さ 3 0 nm) 上に、熱硬化性樹脂 42 (アクリル樹脂）を、溝全体に樹脂が入り込む程度だけ (0. 1 5 g程度）滴下する。

そして、樹脂が硬化する前に、スタンパ 4 1のサ一ボパターン面と、保護膜 3とが対向するようにして、所定の圧力で基板側の部材を、上方からスタンパ 4 1に押しつける。

次に、図 4 (e) に示すように、樹脂がスタンパ 4 1と保護膜 3 との間に均一に充填されてから、樹脂を硬化させるために、スタンパ 41側から、加熱（たとえば 140°C, 30分間）する。

樹脂が硬化した後、スタンパ 41から熱硬化樹脂 42を剥離すると、図 5 (f ) に示すように、サーボパターン形状を有する樹脂層 4を持つ媒体が形成される。

ここで、保護膜 3に、シランカツプリング剤処理をしているので、保護膜 3と樹脂層 4との間の密着性が高く、樹脂層 4がスタンパ 4 1からはがれる。樹脂層 4は、 10 /m程度以下の厚さに形成される o

(1 - 5 ) 反射膜 5等の製膜

次に、図 5 (g) に示すように、樹脂層 4の上に、反射膜 5 (A 1膜，膜厚 15 nm)、下地誘電体膜 6 ( S i N，膜厚 60 nm), 記録膜 7 (全体で膜厚 130 nm程度），上地誘電体膜 8 (S iN, 膜厚 80 nm) を、この順に製膜する。

これらは、いずれも製膜ガスとして A rを用い、ガス圧 0. 5〜 l P a，投入電力 0. 5〜0. 8 kwとし、スパッタリング法により製膜した。ただし、 S iNの形成は、 Arガス： N₂ガス =2 ： 1 の混合ガスを用いた。

また、記録膜 7は、 3層構成のダブルマスク RAD型の磁気超解像膜（例えば特開 2000-200448号公報参照）とする。このような磁気超解像媒体の再生原理はレーザスポットの照射領域のうち、低温側および高温側に磁気的マスクを形成し、これらの間に挟まれた中間温度領域から微小な記録マークを再生する方式である _t 本実施例では、下地誘電体膜 6の上に、記録層 7 1 (Tb 22. 2 F e 60.3 Co l 7.5合金膜，膜厚 50 nm)，中間層 72 ((G d 33. 8 F e 62. 4 C o 3. 8) _{g 2} S i ₈合金膜，膜厚 40 n m), 再生層 73 (Gd 24. 6 F e 6 1. 8 C o 1 3. 6合金膜，膜厚 40nm) を、この順にスパヅ夕リング法により形成した。

( 1 -6) カバー層 9の形成

最後に、図 5 (h) に示すように、紫外線硬化樹脂を塗布することにより、カバ一層 9 (紫外線硬化樹脂，膜厚 10 m±2 /m程度）を形成した。

以上により、図 1に示したこの発明の第 1実施例の光磁気記録媒体が製造される。

図 3に示すように、カバ一層 9表面から近傍ァクチユエ一夕 2 1 までの距離 Cを 50 m, カバ一層 9表面からフライングへッド 2 2までの距離 Dを 1 /m程度とした場合、軟磁性膜 2の表面から近接ァクチユエ一夕 2 1までの距離 Aを 70±4 zm程度とし、フライングへヅド 22までの距離 Bを 22 ± 4 m程度とすることができ、軟磁性膜 2の磁束集中の機能を十分に発揮し、軟磁性膜 2が酸化及び窒化されることもない安定した磁気特性を有する光磁気媒体が形成できる。

<第 1実施例の磁気特性 >

次に、この発明の第 1実施例の媒体が、より低いレベルの磁界を印加しても、記録再生に十分な C N Rが得られることを示す。

この発明の第 1実施例との比較のために、 2つの比較例の媒体 A， Bを作った。比較例 Aは、図 1の第 1実施例に対して、軟磁性膜 2 及び保護膜 3のないものであり、他の膜構成は同様としたものである。比較例 Bは、図 1の第 1実施例と膜構成は同じであるが、軟磁性膜 2の膜厚を 5 O nmとしたものである。 3つの媒体の CNRを比較するために、波長 4 0 5 nm₃ N A 0. 8 5，ビ一ムスポヅト径 0. 42〃mの光ディスクテスタを用い、線速 6. 0 m/s , 最短マーク長 0. 2 m, 磁界変調方式による記録を行い、記録磁界強度（O e) に対する CNRを測定した。

図 6に、 3つの媒体の記録磁界強度に対する CNRのグラフを示す。

図 6において、横軸が記録磁界強度（O e) であり、縦軸が信号対ノイズ比 CNR (dB) である。

実線のグラフがこの発明の第 1実施例の媒体であり、記録磁界強度が 2 0 0 O e程度になると、 CNRが一定値に達し、飽和している。点線のグラフは比較例 A (軟磁性膜および保護膜なし）の媒体であり、記録磁界強度が 34 00 e程度で CNRが飽和している。一点鎖線のグラフは比較例 B (軟磁性膜 2の膜厚 5 0 nm) の媒体であり、 2 5 00 e程度で飽和している。

一般に、記録磁界強度が増加するにつれて CNRは高くなるが、どの媒体の場合も記録磁界強度がある値に達すると CNEJま飽和している。

その飽和 CNRの値はどれも 4 5 d B程度であるが、 CNRが飽和する記録磁界強度が低いほど媒体の書込み速度（すなわち記録速度）を向上させることができる点で有利である。前記したように、 1 0 O Mb p sの記録速度を実現するためには、少なくとも記録磁界強度を 2 0 00 e程度以下に抑える必要がある。図 6のグラフによれば、この発明の第 1実施例の媒体は、 200 0 e程度で飽和 CNRを達成しているのに対し、比較例 A及び Bでは、同じ飽和 CNRを達成するのに、それそれ 250 Oe, 340 0 eという高い記録磁界強度を印加する必要があり、これらの比較例の媒体では、 100Mb p sの記録速度は実現できない。

すなわち、従来 3000 eという高記録磁界強度を印加しなければ十分な記録特性（CNR = 45 dB) を達成することができなかつたが、この発明の第 1実施例の媒体では、それよりも低い 200 0 e程度の記録磁界強度を印加するだけで同等の記録特性（CNR) を達成でき、さらに、 2000 e程度という低い記録磁界強度を印加すればよいので、 100Mbp sという高い記録速度を実現できる。これは、前記したように、この発明の第 1実施例の媒体が基板上であって記録膜 7の下地に軟磁性膜 2を設け、さらにこの軟磁性膜 2の酸化等による変化を防止するために保護膜 3を設けることにより、コイルからの磁束がその直下に集中しかつ安定して印加されるようになったためと考えられる。

〔第 2実施例〕

次に、この発明の第 2実施例の光磁気記録媒体の構成及びその製造方法について説明する。

図 7に、この発明の第 2実施例の光磁気記録媒体の構成の概略断面図を示す。

<第 2実施例の媒体の構成 >

第 2実施例の媒体は、ガラス基板 1，軟磁性膜 2, 保護膜 3，嫌気性硬化樹脂 54，ガラス基板 2 1，樹脂層 53, 反射膜 5, 下地誘電体膜 6, 記録膜 7, 保護膜 8およびカバー層 9を、この順に形成した積層構造からなる。

この第 2実施例では、途中まで 2つの部材に分けて製造し、この 2つの部材を結合させて媒体を製造する。図 7において、ガラス基板 2 1は、樹脂層 53を形成する部材を作るために用いられるものである。嫌気性硬化樹脂 54は、基板 1、軟磁性膜 2、保護膜 3から構成される第 2部材と、ガラス基板 2 1と樹脂層 53からなる第 1部材とを結合させるためのものである。

ガラス基板 2 1は、剛性の高い基板であればよく、ガラスの他、シリコンウェハを用いることもできる。嫌気性硬化樹脂 54は、前記した材料（プライマ： TB 1390 E、樹脂： T B 3062 B ) を用いることができる。

また、軟磁性膜 2等の材料は、第 1実施例と同じものを用いることができる。

<第 2実施例の媒体の製造方法 >

この発明の第 2実施例の媒体は、第 1実施例と異なる製造方法により作成される。図 8、図 9、図 10に、この第 2実施例の製造ェ程図を示す。

(2— 1) ガラス基板 2 1の製作

まず、図 8 (a)に示すように、板厚 100〃m、直径 90 mm、表面粗さ 2. 5 Aのガラス基板 21を用意する。

(2-2) 樹脂層 53の形成

図 8 (b) に示すように、所定のランドおよびグループからなるサーボパターンが形成されたニヅケルスタンパ 5 1 (T P = 0. 2 5〃m、溝深さ 30 nm) 上に、紫外線硬化樹脂 53を 0. 15 g 滴下する。また、密着性確保のため、ガラス基板 2 1の樹脂層 53 と接着する面を、シランカップリング剤で処理しておく。

次に、基板 2 1のシランカップリング剤処理をした面を、紫外線硬化樹脂 53の上にのせて、樹脂層 53が溝に一様に広がるように押しつける。そして、図 8 ( c ) に示すように、ガラス基板 2 1の後方から紫外線 59を照射し（2分間）、樹脂層 53を硬化させる。以上の工程により、第 2部材が完成する。

(2-3) 第 1部材の製作

図 8 (d) に示すように、第 1実施例と同じガラス基板 1を用意する。次に図 8 ( e ) に示すように、ガラス基板 1の上に、軟磁性膜 2 (F 6 C、膜厚 100 nm) をスパッタリング法により製膜する。さらに、図 8 (f ) に示すように軟磁性膜 2の上に、保護膜 3 (S i0₂、膜厚 1 O nm) をスパッタリング法により製膜する。そして、次工程での密着性確保のため、保護膜 3の表面を、シラン力ヅプリング剤で処理しておく。以上の工程により、第 1部材が完成する。

(2-4) 第 1及び第 2部材の結合

図 9 (g) に示すように、第 2部材のガラス基板 2 1と、第 1部材の保護膜 3とを、嫌気性硬化樹脂 54を介して接着する。嫌気性磁化樹脂 54は、前記したプライマと樹脂を混合した材料を用い、この樹脂 54が硬化した後の厚みが 10 m程度となるぐらいの量を、ガラス基板 21の表面に滴下すればよい。

次に、図 9 (h) に示すように、嫌気性硬化樹脂 54が硬化した後、スタンパ 5 1を樹脂層 53から剥離する。以上により、サ一ボパターンが表面に形成された結合媒体が形成される。

(2- 5) 反射膜 5、下地誘電体膜 6、記録膜 7および上地誘電体膜 8の製膜

図 10 (h) に示したようなサ一ボパターンの形成された樹脂層 53の上に、第 1実施例と全く同様にして、反射膜 5、下地誘電体膜 6、 3層構成の記録膜 7および上地誘電体膜 8を、この順に製膜する（図 10 (i))。膜厚、材料等の製膜条件も第 1実施例と同様でよい。

( 2 - 6 ) カバー層 9の形成

最後に、図 10 (j ) に示すように、紫外線硬化樹脂を塗布することにより、カバー層 9 (紫外線硬化樹脂、膜厚 10/ m、 ±2 z m程度）を形成して、この発明の第 2実施例の光磁気記録媒体が完成^る。

図 1 1に、この発明の第 2実施例における近接ァクチユエ一夕またはフライングへッドとの位置関係の説明図を示す。

図 3と同様に、カバ一層 9表面から近接ァクチユエ一夕 2 1までの距離 Cを 50〃m、カバ一層 9表面からフライングへッド 22までの距離 Dを l zm程度とした場合、軟磁性膜 2の表面から近接ァクチユエ一夕 2 1までの距離 Aを 175〜 185 / m程度とし、フライングへヅド 22までの距離 Bを 126〜 136 m程度とすることができる。

この場合も、軟磁性膜 2と保護膜 3を基板 1上に形成しているので、安定した磁束集中化を図ることができ、 20 O O e程度の低い記録磁界強度を印加しても、記録再生に十分な CNRが得られ、 1 0 OMbp s程度の高速記録を実現することができる。

〔第 3実施例〕

第 2実施例では、第 2部材にガラス基板 2 1を形成したものを用いたが、このガラス基板 2 1のない第 2部材と第 1部材とを結合してもよい。

第 3実施例では、第 2部材の紫外線硬化樹脂 53と、第 1部材の保護膜 3とを、嫌気性硬化樹脂 54を介して結合する。

したがって、ガラス基板 2 1がないので、これに相当する厚さ（ 1. 2mm程度）だけ、軟磁性膜 2と記録膜 7との距離を近づけることができるので、第 2実施例と比べてより安定した磁束集中化と十分な CNRが得られ、 2000 e程度の低い記録磁界強度の印加により 100 M b p s程度の高速記録が実現できる。

図 12、図 13、図 14にこの発明の第 3実施例の光磁気記録媒体の製造工程図を示す。

(3- 1) 第 2部材の製作

まず、図 12 (a) に示すように、第 2実施例と同じニッケルスタンパ 5 1上に紫外線硬化樹脂 53を、 0. 9 g滴下する。そして、このスタンパ 5 1を 2000 rp m程度の速度で回転させ、スタンパ表面の凹凸全体を覆うように紫外線硬化樹脂 5 3をスピンコートする。

次に、図 12 (b) に示すように、樹脂 53に紫外線 59を照射し、硬化させる。これにより、膜厚 10〃m程度の樹脂膜 53が形成される。以上により、第 2部材が完成される。

(3 - 2 ) 第 1部材の製作

図 1 2 ( c) (d)、 (e) に示す工程（軟磁性膜 2、保護膜 3の製膜）によって第 1部材が完成するが、これは、第 2実施例の第 2 部材と同一の方法によって作られる。

(3 - 3) 第 1及び第 2部材の結合

図 1 3 (f ) に示すように、嫌気性硬化樹脂 54を、硬化した後の樹脂層 5 3の上に所定量滴下し、第 2部材の樹脂層 5 3と、第 1 部材の保護膜 3とを接着する。

次に、図 1 3 (g) に示すように、嫌気性硬化樹脂 54を硬化した後、スタンパ 5 1を樹脂層 5 3から剥離する。これにより、サーボパターンが表面に形成された結合媒体が形成される。

(3 -4) 反射層 5からカバー層 9の形成

図 14 (g) に示したような結合媒体の樹脂層 5 3の上に、第 1 及び第 2実施例と同様の方法により、反射膜 5、下地誘電体膜 6、記録膜 7及び上地誘電体膜 8、カバ一層 9を形成する（図 14 ( h )、 ( i))。

これにより、この発明の第 3実施例の光磁気記録媒体が完成する。以上、この発明の光磁気記録媒体として 3つの構成とその製造方法を示したが、下地誘電体膜 6からカバ一層 9までの構成は特にこれに限るものではなく、従来用いられている光磁気記録媒体と同様のものを適用してもよい。

特に、前記したように、記録膜 7は、 3層構成の磁気超解像膜でなく、 1層からなる記録磁性膜を用いてもよい。発明の効果

この発明は、軟磁性膜に接して保護膜を形成しているので、軟磁性膜の酸化、窒化を防止し、安定した磁気特性を有する光磁気記録媒体を提供することができる。

また、軟磁性膜を基板に接して配置し、その上に保護膜、サ一ボパターンが形成された樹脂層を形成し、さらにその上に記録層を形成しているので、フライングへヅドなどのコイルから出た磁束をその直下に集中印加することができ、従来よりも小さな磁界を印加しても、十分な記録再生特性を有し、かつ安定した磁気特性の媒体を提供することができる。

小さな磁界を印加すればよいので、コイルに流す電流を少なくすることができ、 1 0 O M b p s程度にまで記録速度を高速化することができる。

Claims

請求の範囲

1 . 基板上に、少なくとも軟磁性膜，保護膜，サ一ボパターンが形成された樹脂層，反射膜，下地誘電体膜，記録膜，上地誘電体膜およびカバ一層が、この順に形成されていることを特徴とする光磁気 gi5fe?媒体。

2 . 前記軟磁性膜が、 F e Cで形成されていることを特徴とする請求項 1の光磁気記録媒体。

3 . 前記軟磁性膜と記録膜との距離が 1 0 z m程度以下となるように、前記樹脂層，反射膜及び下地誘電体膜の膜厚が調整されていることを特徴とする請求項 1又は 2の光磁気記録媒体。

4 . 前記軟磁性膜と、記録再生へッドに設けられた磁場発生用コィルとの距離が 2 2 ± 4 m程度に保たれるように、前記保護膜からカバー層までの各構成膜の膜厚が調整されていることを特徴とする請求項 1の光磁気記録媒体。

5 . 第 1基板上に、軟磁性膜および保護膜がこの順に形成された第 1部材と、光透過性の第 2基板上に，サ一ポパターンが形成された樹脂層，反射膜，下地誘電体膜，記録膜，上地誘電体膜およびカバ —層がこの順に形成された第 2部材とが、嫌気性硬化樹脂を介して、前記保護膜と前記第 2基板とが接着されるようにして構成されたことを特徴とする光磁気記録媒体。

6 . 前記軟磁性膜が、 F e Cで形成されていることを特徴とする請求項 5の光磁気記録媒体。

7 . 前記軟磁性膜と記録膜との距離が 1 0 m程度以下となるように、前記樹脂層，反射膜及び下地誘電体膜の膜厚が調整されていることを特徴とする請求項 5又は 6の光磁気記録媒体。

8 . 前記軟磁性膜と、記録再生ヘッドに設けられた磁場発生用コィルとの距離が 2 2 ± 4 z m程度に保たれるように、前記保護膜から力バ一層までの各構成膜の膜厚が調整されていることを特徴とする請求項 5の光磁気記録媒体。

9 . 基板上に、スパッタリング法により軟磁性膜を形成し、軟磁性膜の上に保護膜を形成し、所定のサーボパターンが形成されたス夕ンパ上に熱硬化樹脂を所定量滴下した部材を、熱硬化樹脂の表面と保護膜とが接するように押し付け、所定の加熱をすることにより熱硬化樹脂を硬化させた後スタンパを剥離し、前記熱硬化樹脂の上に、反射膜，下地誘電体膜，記録膜及び上地誘電体膜をこの順にスパッ夕リング法により形成し、さらに上地誘電体膜の上に紫外線硬化樹脂を塗布することによりカバ一層を形成することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。

1 0 . 第 1基板上にスパヅ夕リング法により軟磁性膜および保護膜をこの順に製膜した第 1部材を製作し、所定のサ一ボパターンが形成されたスタンパ上に紫外線硬化樹脂を滴下し、紫外線硬化樹脂の上に光透過性の第 2基板を押しつけた後、第 2基板の上方から紫外線を照射して前記紫外線硬化樹脂を硬化させて樹脂層を形成した第 1部材を製作し、前記第 2部材の第 2基板上に、嫌気性硬化樹脂を滴下し、この嫌気性硬化樹脂を介して前記第 1部材の保護膜と前記第 2基板とを結合し、前記嫌気性硬化樹脂を硬化させた後スタンパを剥離し、前記樹脂層のサ一ボパターンが形成された表面の上に、反射膜、下地誘電体膜、記録膜及び上地誘電体膜をこの順にスパッ夕リング法により形成し、さらに、上地誘電体膜の上に紫外線硬化樹脂を塗布することによりカバ一層を形成することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。