WO2002035573A1

WO2002035573A1 - Element de source d'electrons a emission par champ, canon electronique, appareil a tube cathodique, et procede de fabrication dudit tube

Info

Publication number: WO2002035573A1
Application number: PCT/JP2001/009317
Authority: WO
Inventors: Keisuke Koga; Toru Kawase
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 2000-10-25
Filing date: 2001-10-24
Publication date: 2002-05-02
Also published as: US6812654B2; EP1343192A4; CN1327473C; CN1483216A; EP1343192A1; KR20030044036A; US20040051461A1

Description

電界放出型電子源素子およぴ電子銃およぴ陰極線管装置および陰極線管の製造方法技術分野

本発明は、電界放出型電子源素子およぴ電子銃および陰極線管装置および陰極線管の製造方法に関する。背景技術

近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイなどのフラットパネルディスプレイが市場において急速に普及しつつあるが、 3 2インチ程度の家庭用テレビとしては、価格および性能の総合的な面から依然として陰極線管（以下、「C R T」という）を備えたディスプレイが優位にある。

C R Tには、電子放出源として電子銃が備わっている。

従来の電子銃では、ヒータが内装されたニッケル円筒の表面に酸化バリウム (B a O) を主成分とした酸化物が塗付された熱カソードが用いられている。この電子銃では，熱力ソードのヒータに熱が加えられることによって、加熱された酸化物の層から電子ビームを出射する。

ところで、ディスプレイは、地上波ディジタル放送の本格導入などの環境変化に対応するために、高い解像性能が求められている。 C R Tにおいて、高い解像性能を実現するためには、熱カソードにおける電流密度を向上させる必要がある。要求されている電流密度は、現在一般に C R Tに用いられている熱力ソードの 6倍〜 1 0倍という高いものである。

熱カソードにおける電流密度の向上は、従来においても材料の技術的改良などにより図られてきたが、もはや物理的に限界に近づいている。つまり、 C R Tは、電子銃に熱力ソードを用いる限り、今以上の飛躍的な解像度の向上を図ることが困難な状況にある。

これに対して、近年では、力ソードの電流密度を向上させるために、上記のような熱カソードに代えて電界放出型電子源素子を備えた力ソードを採用する研究 ·開発が行われている。

電界放出型電子源素子を用いた力ソードは、本来熱力ソードに比べて電流密度が高いという特徴を有しており、これまでにも電子顕微鏡など一部の製品には用いられていた。

電界放出型電子源素子は、基板上に薄膜状の力ソード電極と引出し電極とが順に積層され、カソ一ド電極上に錐状突起であるェミッタが 1または複数形成された構成を有する。引出し電極は、ェミッタを望む部分に開口部を有しており、カソード電極とは絶縁層によって電気的に絶縁されている。

この電界放出型電子源素子を用いた力ソードは、入力される輝度信号に基づいて、引出し電極と錐状突起との間に閾値を超える電圧が印加されることで、アノード（C R Tではスクリーン）に向かって電子ビームを出射する。このとき、輝度は、印加電圧を変えることにより調整されている。

このようなカソードでは、熱カソードでは実現できなかった高い電流密度での動作が可能である。そして、このような力ソードを電子銃に備える C R Tは、輝度および解像度の特性が優れるものである。

ところで、従来の C R Tでは、力ソードに電界放出型電子源素子を用いた場合であっても、スクリーンの周辺部にいくほど電子ビームのスポット形状が歪んでしまうという問題を有している。このような電子ビームの歪みは、輝度が高いほど顕著となる。

C R Tにおける電子ビームのスポット形状の歪みについて、図 1 4を用いて説明する。図 1 4は、 C R Tのスクリーンと各領域における電子ビームのスポット形状を示す平面図である。

電子ビームのスポット形状は、偏向ヨークによる水平偏向磁界に大きく影響を受けるので、スクリーンにおける照射位置によって図 1 4に示すように変化する。

図 1 4に示すように、スクリーンの中央部では、真円形のスポット形状 P 1 となる。この中央部の左右におけるスクリーンの周辺部では、横長の長円形のスポット形状 P 2となる。

さらにこの周辺部の上下におけるスクリーンのコーナ一部では、斜め方向に長い長円形のスポット形状 P 3となる。

このような電子ビームのスポット形状の歪みは、電子銃から出射された電子ビームを、水平偏向磁界と垂直偏向磁界とを組み合わせた偏向磁界によって偏向し、スクリーンに衝突させるために、スクリーンと電子ビームとの衝突角度が照射位置によって異なることで生じる。

特に、水平方向に歪みを有した電子ビームは、 C R Tの実効解像度を著しく低下させる原因となる。

図 1 4に示すように、電子ビームのスポット形状は、偏向ヨークによる水平偏向磁界に大きく影響を受ける。

このような問題に対して，電子レンズに四重極レンズを装着したものもあるが、このような電子銃は，部品点数の増加によるコストアップという問題を有する。

そこで、四重極レンズを用いることなく電子ビームの歪みを改善する技術が、特開平 7— 1 4 7 1 2 9号公報に開示されている。

この公報で開示されているカソ一ドの構造を図 1 5に示す。

図 1 5において、基板 5 1 1の面上には、 3つの電子出射領域 5 1 5 a、 5 1 5 b、 5 1 5 cが形成されている。各電子出射領域の形状は、中央部の電子出射領域 5 1 5 aが真円形であり、上下の電子出射領域 5 1 5 b、 5 1 5じが三日月型である。中央部の電子出射領域 5 1 5 aには、力ソード電極 5 1 2 a が接続されており、他の電子出射領域 5 1 5 b、 5 1 5 cには、力ソード電極 5 1 2 aと電気的に分離された力ソード電極 5 1 2 bが接続されている。この力ソードは、スクリーンの中央部に対しては電子出射領域 5 1 5 aのみから電子ビームを出射し、スクリーンの周辺部に対しては、全ての電子 Hi射領域 5 1 5 a、 5 1 5 b、 5 1 5 cから電子ビームを放出する。つまり、この力ソードでは、スクリーンの中央部に対して真円形の電子ビームを出射し、周辺部に対して縦長の長円形の電子ビームを出射することができる。

この開示の技術では、電子ビームの歪みをある程度改善することが可能であるが、電子出射領域の形状が真円形か垂直方向に長い長円形かの 2パターンに限定されているために、スクリーン面全体にわたる最適な歪みの補正を行うことができない。つまり、上記技術では、 2パターンを照射位置毎に切換えたとしても、水平方向の形状補正を行うことができないし、照射位置に対応して最適な補正を行うことができない。

さらに、力ソードに電界放出型電子源素子を用いる場合には、駆動時間の経過に伴つて電子出射性能が低下してくるという問題がある。

電界放出型電子源素子は、真空度の低い C R T内において電子ビームを出射した場合、出射された電子が管内に残留したガスと衝突してイオンを生成し、生成されたイオンが素子の表面に衝突することによって、ダメージを受ける。このようなダメージを受けた素子は、電子出射性能が低下し、輝度劣化の原因になる。

上述のように、素子劣化の一つの要因は、 C R T内における低い真空度によるイオンの生成である。一般的に、 C R T内の真空度は、 1 0—⁵ (P ) 程度であるが、製造工程上の制約などから大幅な改善が困難な状況にある。

また、素子劣化のもう一つの要因は、力ソードを動作させる際の電流密度である。 C R T内において、動作時の冷陰極素子は、 1 0 (A/ c m²) 程度の電流密度で駆動する。これは、熱力ソードに比べて一桁大きい数値である。素子劣化を防止するという目的だけを達成するには、素子の電流密度を低く維持すれば良いが、上述のように輝度を高く維持するという目的からは、素子の電流密度を低くすることができない。発明の開示

本発明は、表示面における電子ビームの歪みが小さく、駆動時間の長短に関わらず安定した電子出射特性を維持できる電界放出型電子源素子、およびこれを備える陰極線管装置およぴ陰極線管の製造方法を提供することを目的とするこの目的を達成するために、本発明は、スクリーン上を走査する電子ビームを出射する素子であって、電場の存在により電子ビームを出射する電子出射部が、 2次元的に複数配列されており、複数の電子出射部が、各々独立して駆動可能に構成されていることを特徴とする。

この特徴を有する電界放出型電子源素子では、複数の電子出射部が 2次元的に配され、且つ各々が独立駆動可能に構成されているので，スクリーンの横方向（電子ビームの走査方向）を含む全方向に対して、出射時における電子ビ一ムの断面形状を変えることができる。よって、本発明の電界放出型電子源素子では、スクリーンにおける照射位置に関わらず、歪みの少ないスポット形状の電子ビームを出射することができる。

ここで、本発明における複数の電子出射部は、それぞれが独立して電子ビ一ムを出射できるものである。そして、この複数の電子出射部が配される形態は、上述の図 1 5のように 1次元的ではなく、 2次元的であるということである。この電子出射部は、上述の図 1 5において 3つ形成された電子出射領域に相当するものである。

なお、電子出射部の中にも、一般的に電子ビームを出射するェミッタが 2次元的に複数配されている場合も多いが、各ェミッタは、独立して電子ビームを出射しないので、上記電子出射部に相当するものではない。

上記電界放出型電子源素子における各電子出射部は、 1または複数のエミッタから構成されていることが望ましい。

また、この電界放出型電子源素子では、上記複数の電子出射部がマトリクス状に配されていることが望ましい。

具体的に、本発明の電界放出型電子源素子は、上記ェミッタの他に、基板と、この基板上に互いに並行するように配された複数の行電極と、この行電極と絶縁層を介するとともに、交差する方向に並行するように配された複数の列電極とを有し、上記ェミッタが、複数の行電極と複数の列電極との各交差部分において、行電極上に突設されていることが、複雑な制御回路を備えることなく、各電子出射部を独立して駆動可能であるという点から望ましい。

つまり、このような電子出射部における電子ビームの出射は、行電極と列電極との間における電圧の印加を制御することで可能となる。ここでいう印加電圧は、エミッタが電子ビームを出射するための閾値を超えるものである。また、本発明の電子銃は、スクリーン上を走査する電子ビームを出射するの電子銃であって、電場の存在により電子ビームを出射する電子出射部が、 2次元的に複数配され、この複数の電子出射部が、各々独立して駆動可能な構成を有する電界放出型電子源素子と、出射された電子ビームを加速および収束する電子レンズとを有することを特徴とする。

この電子銃は、電界放出型電子源素子における電子ビームを出射する電子出射部が、 2次元的に配され、且つ各々が独立駆動可能に構成されているので、スクリーンの横方向（電子ビームの走査方向）を含む全方向に対して、出射時における電子ビームの断面形状を変えることができる。

よって、この電子銃は、スクリーンにおける照射位置に関わらず、歪みの少ないスポット形状の電子ビームを出射することができる。

ここで、上記 2次元的に配列された複数の電子出射部とは、上記と同様、各々が独立して電子ビームを出射できるものであって、上述の図 1 5において 3つ形成された電子出射領域に相当するものである。

上記電子銃は、具体的に、ェミッタから出射された電子ビームの歪みを検知する検知部を備え、電子レンズがこの検知部による検知結果に基づいて、電子ビームのスポット形状の歪みを補正するように、電子ビームを回転する回転手段を備えることが望ましい。この時の回転軸は、電子ビームの進行方向であるこのように電子レンズが電子ビームの回転手段を備える電子銃では、電子レンズが電子ビームの回転手段を有しない電子銃よりも、スクリーンのコーナー部における照射位置でも歪みの少ない電子ビームを出射することができる。また、本発明の電子銃において、電界放出型電子源素子および電子レンズの内の少なくとも一方が、ゲッター材からなる差動排気部を備えることが電子出射性能の維持という面から望ましい。これにより、この電子銃では、電流密度の高い電界放出型電子源素子を備える場合であっても、駆動中に電子出射性能が低下することがない。

また、本発明の陰極線管装置は、電場の存在により電子ビームを出射する電子出射部が、 2次元的に複数配され、複数の電子出射部が、各々独立して駆動可能に構成された電界放出型電子源素子と、出射された電子ビームを加速およぴ収束する電子レンズと、加速およぴ収束された電子ビームが対向して配置されたスクリーン面を走査するように偏向する偏向ヨークとを有することを特徴とする。

この陰極線管装置では、電界放出型電子源素子における電子ビームを出射する電子出射部が、 2次元的に配され、且つ各々が独立駆動可能に構成されているので、スクリーンの横方向（電子ビームの走査方向）を含む全方向に対して、出射時における電子ビームの断面形状を変えることができる。

また、この陰極線管装置は、偏向ヨークによる電子ビームの歪みに応じて、出射する電子ビームの断面形状を変えられるので、スポット形状の歪みをスクリーンの面全体にわたって最適に補正することができる。

よって、本発明に係る陰極線管装置は、スクリーンにおける照射位置に関わらず、歪みの少ないスポット形状の電子ビームを照射することができる。ここで、複数の電子出射部とは、上記と同様、それぞれが独立して電子ビームを出射できるものであって、上述の図 1 5において 3つ形成された電子出射領域に相当するものである。

さらに、本発明は、電場中で電子ビームを出射する電界放出型電子源素子からなる電子銃をファンネルのネック部に収納し、ファンネルとパネルとを接合し、これによつて形成される空間内部を脱気するガス出しエージング工程を有する陰極線管の製造方法において、電界放出型電子源素子が、電場の存在により各々独立して電子ビームを出射可能な複数の電子出射部を、 2次元的に配したものであり、ガス出しエージング工程において、電界放出型電子源素子の外周領域における電子出射部から電子ビームを出射してイオンを生成し、生成されたイオンを電子ビームを出射した電子出射部に吸着させることを特徴とするこの陰極線管の製造方法では、ガス出しエージング処理工程において、陰極線管内、特に電界放出型電子源素子の近傍における真空度を向上させることができる。

また、本発明の製造方法は、電界放出型電子源素子の外周部における電子出射部によって、生成されたイオンを吸着させるので、製造された陰極線管を駆動する際に、輝度の低下を生じることがない。

よって、この方法を用いて製造された陰極線管は、駆動中における電界放出型電子源素子の電子出射性能の低下が少ない。図面の簡単な説明

図 1は、第 1の実施の形態に係る C R Tを示す構成図である。

図 2は、図 1の電子銃の構成図である。

図 3は、図 2の電子銃における電界放出型電子源素子を示す部分斜視図である。

図 4は、図 1の陰極線管における画像表示回路を示すブロック図である。図 5は、図 1の C RTにおけるスクリーンを示す平面図である。

図 6は、第 1の実施の形態に係る電界放出型電子源素子の電子出射領域を示す平面図である。

図 7は、第 1の実施の形態に係る電界放出型電子源素子の電子出射領域を示す平面図である。図 8は、第 2の実施の形態に係る CRTにおける電界放出型電子源素子の電子出射領域を示す平面図である。

図 9は、第 3の実施の形態に係る C R Tにおける電界放出型電子源素子の力ソード電極の構成を示す平面図である。

図 10は、引出し電圧とェミッション電流との関係を示す特性図である。図 11は、第 4の実施の形態に係る CRTを示す構成図である。

図 12は、第 5の実施の形態に係る電子銃を示す構成図である。

図 13は、電子ビームのスポット形状および電子出射領域の形状を示す形状図である。

図 14は、 CRTのスクリーン上における電子ビームのスポット形状を示す形状図である。

図 15は、従来の CRTにおける力ソードを示す構成図である。発明を実施するための最良の形態

(第 1の実施の形態）

本発明の第 1の実施の形態に係る CRTを図 1に示す。

本実施の形態に係る CRTは、ガラスチューブ 4のネック 41の内部に電子銃 1が内装されている。

CRTは、この他に、ネック 41とファンネル 42との接合部分の外周部に偏向ヨーク 2を備えている。この偏向ヨーク 2は、図示していないが、水平偏向磁界を発生する水平偏向コイルと、垂直偏向磁界を発生する垂直偏向コイルとからなる。

入力信号に基づいて電子銃 1から出射された電子ビームは、偏向ヨーク 2で偏向された後、パネル 43におけるスクリーン 3の内側表面に形成された蛍光体層に衝突する。これにより、画像が表示される。

電子銃 1は、赤（R) 用電子銃 1R、緑（G) 用電子銃 1G、青（B) 用電子銃 1 Bの 3本の電子銃よりなる 3電子銃ィンライン配列型のものである。電子銃 1の構成について、 R用電子銃 1Rを例に、図 2を用いて説明する。図 2に示すように、 R用電子銃 1Rは、電界放出型電子源素子 10と、これを形成するためのベースとなる力ソード構造体 20と、グリッド電極 G1から G5の集合体からなる電子レンズ 30とから構成されている。電子レンズ 30は、各グリッド電極 G 1~G 5に電圧が印加されることにより、電子ビームの加速おょぴ収束を行う。このグリッド電極 G 1 ~G 5の中央部には、電界放出型電子源素子から出射された電子ビームを通す開口部がそれそれ設けられている。

上記電界放出型電子源素子 10の構造について、図 3を用いて説明する。図 3では、便宜上、電界放出型電子源素子の一部分を図示している。

図 3に示すように、電界放出型電子源素子 10は、ガラスからなる基板 1 1 の面上（図では、上面）に、 4条のカソード電極 12が互いに平行に形成されている。力ソード電極 12の表面には、円錐状のエミッ夕 16が複数突設され、それぞれのェミッタ 16を取り囲むように絶縁層 13が形成され構成されている。絶縁層 13は、力ソード電極 12間にも形成されている。

ェミッタ 16は、例えば真空蒸着法によりモリブデンを円錐状に蒸着させたスピント型エミッタである。

さらに、絶縁層 13の上には、 4条の引出し電極 14が互いに平行に形成されている。力ソード電極 12と引出し電極 14とは、互いに交差する方向に形成されている。引出し電極 14には、各交差部分において、上記ェミッタ 16 が臨むようにそれぞれ 4つの開口部が形成されている。

本実施の形態に係る電界放出型電子源素子は、各交差部分に形成された 4つのェミッタ 16をもって形成された電子出射部 15をマトリクス状に備える。ェミッタ 16の形成数は、図では各交差部分に 4つとしたが、電子ビームの照射密度が確保される範囲内であれば、これに限定されるものではない。電子銃 1は、上記構造を有する電界放出型電子源素子 10が R、 G、 B用のそれぞれの電子銃 1R、 1 G、 I Bに備えられている。

上記電子レンズ 30におけるダリッド電極 G 1の開口部の穴径 Dk 1は、例えば、次式の関係を満足するように設定されることが望ましい。

【数 1】

Pm< (1/5) xDk 1 - (数 1 )

ここで、 Pmは、電界放出型電子源素子 10における力ソード電極 12および引出し電極 14の周期、つまりマトリクス周期を示す。

上記構成の CRTにおける駆動回路について，図 4を用いて説明する。図 4に示すように、本実施の形態に係る CRTでは、画像信号 S 1は、デコ —ダ回路 201に入力される。デコーダ回路 201では、画像信号 S 1が垂直信号 S 2と水平信号 S 3とに分けられる。

垂直信号 S 2は、偏向制御回路 202のみに入力される。

これに対して、水平信号 S3は、偏向制御回路 202と電子出射領域選択回路 203の両方に入力される。

偏向制御回路 202は、偏向ヨーク 2における垂直偏向コイルと水平偏向コィルに、それぞれ垂直偏向信号 S 4と水平偏向信号 S 5とを送る。

電子出射領域選択回路 203は、入力された水平信号 S 3に基づいて、後述する電子出射領域の選択を行い、電子銃 1に信号 S 6を送る。

また、電子出射領域選択回路 203は、電子出射領域の選択とともに、入力された画像信号に基づいて、力ソード電極 12と引出し電極 14との間に印加する電圧を調整することにより、電子出射領域から出射させる電子量を制御して、スクリーン 3上における輝度を変化させる。

このような制御回路を備える CRTにおいて、電子銃 1から出射される電子ビームの断面形状は、水平偏向信号 S 5と同期して、照射される位置毎に変形されたものとなる。これについては、後述する。

次に、 CRTを駆動する際のスクリーン 3の領域分割について、図 5を用いて説明する。

図 5は、図 1におけるスクリーン 3を、向かって左から水平方向に領域 A 1 、 A2、 A3、 A4、 A 5というような 5つの領域に概念的に分割した図である。

また、スクリーン 3は、 m行 X n列の画素を有するものである。電子ビームは、スクリーン上を走査しながら照射される。

図 5に示すように、領域 A1は、列方向に l~y 1の領域である。同様に、領域 A 2, A3, A4, A 5は、それぞれ列方向に（y 1 + 1) 〜y 2、 (y 2 +1) 〜y3、 (y 3 + 1 ) 〜y4、 (y 4+ 1) 〜nという領域である。本実施の形態に係る CRTでは、スクリーン 3上の照射する領域毎に電界放出型電子源素子 10における電子出射領域を選択して、所望の形状の電子ビームを出射する。

電子出射領域の選択は、上述のように水平信号 S 3に基づいて行われるが、具体的には、予め電子出射領域選択回路 203に電子ビームの照射位置と電子出射領域とを対応させたテーブルを記憶させておき、このテーブルを参照しながら入力された水平信号 S 3に対応する電子出射領域を選ぶことにより行われる。

電子出射領域の選択方法について、図 6および図 7を用いて説明する。図 6 および図 7は、上述の図 3の電界放出型電子源素子を上から見た平面図である図に示すように、電界放出型電子源素子 10は、力ソード電極 12を行方向に 15条、引出し電極 14を列方向に 15条備えている。そして、力ソード電極 12と引出し電極 14との交差部分には、上述のとおり、それぞれ電子出射部 15が形成されている。それぞれの電子出射部 15は、図示していないが、上述の図 3と同様に 4つのエミッ夕 16から構成されている。

この CRTでは、力ソード電極 C a 1〜C a 15の各電極について o o f f を選択するとともに、引出し電極 Ex 1〜Ex 15の各電極について o n /o f f を選択することによって、電子出射領域（矩形領域）の水平，垂直方向の各長さ、並びに位置を任意に設定することができる。

上述の図 5における領域 A 3に照射する場合の電界放出型電子源素子 10における電子出射領域 100を図 6 (a) に示す。

図 6 (a) に示すように、電界放出型電子源素子 10は、配された力ソード電極 12の内の電極 C a 5 ~C a 1 1と、引出し電極 14の内の電極 Ex 5~ Ex 1 1との間で閾値を超える電圧が印加されている。例えば、電圧値は、 6 0 (V) である。これによつて、電子出射領域 100は、電界放出型電子源素子 10の中央部における 7行 X 7列の電子出射部 15に設定されている。つまり、上記電子出射領域選択回路 203は、入力された水平信号 S 3に基づいて、スクリーン 3上における電子ビームを照射する位置を認識し、各 15条配設された力ソード電極 12と引出し電極 14とから電圧を印加する電極を選択する。そして、電子出射領域選択回路 203は、選択された電極（Ca 5~Ca 1 1、 Ex5〜Ex l 1) に閾値を越える電圧を印加して、電子ビームを出射させる。

なお、本実施の形態では、力ソード電極 12の内の C a 1〜C a 4および C a l 2~Ca l 5、引出し電極 14の内の E x 1〜E x 4および E x 12〜 E x 15に電圧の印加を行わない。次に、上述の図 5における領域 A 2および A 4に対して電子ビームを照射する場合の電界放出型電子源素子 10における電子出射領域 1 10を図 6 (b) に示す。

図 6 (b) に示すように、電子出射領域 1 10は、水平方向に幅狭の形状である 9行 X 5列に設定されている。このように電子出射領域 1 10の幅を、上述の図 6 (a) に示す電子出射領域 100よりも狭くすることにより、偏向ョ —ク 2の偏向磁界によって歪む電子ビームの形状を補正することができる。つまり、電子出射領域 1 10から出射された電子ビームでは、領域 A 2および領域 A 4に衝突した際のスポット形状における水平方向の長さを領域 A 3における長さと略同一とすることができる。これは、この CRTにおいて、領域 A2 および A 4で水平方向に長く歪む電子ビームに対して、上述のように水平方向に短い縦長形状の電子ビームを出射するという逆補正を施しているために実現されるものである。

ここで、図 6 (b) で示した電子出射領域 1 10の行数を、図 6 (a) に示した電子出射領域 100よりも 2行多くしたのは，領域の面積を略同一とするためである。つまり、本実施の形態に係る CRTでは、領域 100と領域 1 1 0の面積を略同一とすることにより、輝度が維持される。この場合、図 6 (b ) では、図 6 (a) よりも垂直方向に長くなるが、一般的に、スポット形状が垂直方向に長くなつた場合でも実行解像度にはほとんど影響がない。

さらに、図 7に示すように、スクリーン 3の外周部にある領域 A1およぴ領域 A5へ向けて出射する電子ビームは、上述の図 6 (b) よりも幅狭の矩形状である 15行 X 3列の電子出射領域 120に設定される。この場合には、電子出射領域 1 10の形状の電子ビームよりもさらに幅狭としているので、スクリ —ン 3の外周部における電子ビームの歪みを補正することができる。

電子出射領域 120では、行数を上述の電子出射領域 100の約 2倍としているが、上述のとおり実効解像度に影響を与えるものではない。

以上のように、本実施の形態に係る CRTでは、偏向ヨーク 2の偏向磁界により生じる電子ビームの歪みを最適に補正することができ、優れた解像度を得ることができる。

また、このような電界放出型電子源素子 10では、電子出射領域 100、 1 10、 120における力ソード電極 12と引出し電極 14の間の電位差を、それ以外の領域における電位差よりも大きくすることによって、素子自体による電子ビームの収束作用を有する。

なお、上記の電界放出型電子源素子 1 0では、.電子出射部 1 5をマトリクス状に配置したが、配置形状などについてはこれに限定されるものではない。また、力ソード電極 1 2および引出し電極 1 4およぴェミッタ 1 6の形成数などについても、電子ビームのスポット形状の歪みを補正できれば、上述の図 3に示すものに限定されるものではない。ただし、電子出射部 1 5は、歪みの補正という面から、基板 1 1上に 2次元的に配置されていることが必要であるさらに、本実施の形態では、マトリクス状に配された力ソード電極 1 2および引出し電極 1 4を介して電子出射部 1 5を駆動制御したので、順次電子出射部 1 5を選択する嚓に、その形状が矩形となったが、電子ビームを出射させる領域の形状は矩形に限定されるものではない。例えば、本実施の形態は、各電子出射部 1 5毎に電子ビームの駆動制御を行えば、円形や楕円形など任意の形状の電子ビ一ムを出射することができる。

(第 2の実施の形態）

本発明の第 2の実施の形態について、図 8を用いて説明する。本実施の形態に係る C R Tの構成は、上記第 1の実施の形態において説明したものと同様である。

図 8 ( a ) に示すように、電子出射領域 1 3 0は、上述の電子出射領域 1 0 0と領域の行数および列数は同一で、向かって右方向にシフトした形のものである。つまり、電子ビームのスポット形状そのものは、図 6 ( a ) のものと同じである。

このような電子ビームの位置補正は、図 2における電界放出型電子源素子 1 0と電子レンズ 3 0とが水平方向に位置ずれを生じている場合に、位置ずれを検出する検出回路からずれ量のフィ一ドパックを受けて行われる。

一般的に、 C R Tでは、電子銃から出射電子ビームが、スクリーンに到達する前に地磁気など外部磁界の影響を受けて軌道に変化を生じ、スクリーン上のスポット位置がシフトするという現象が生じることがある。 C R Tには、この地磁気の影響によるスポット位置のずれを極力抑制するために、内部への外部磁気の影響を遮断するための機械的なマスクが設置されている。ところが、このような機械的なマスクを設置した C R Tであっても、設置する場所（地域）によってはシールド効果を完全に果たすことができず、スポット位置のずれを生じる場合がある。

これに対して、本実施の形態の C R Tは、予め電子出射領域選択回路 2 0 3 に設置される地域（国情報など）における地磁気の影響に関するテーブルを記憶させておき、電子出射領域選択回路 2 0 3がこれに基づいて、領域を選択して電子ビームを出射することにより、位置補正することができる。具体的には、電子ビームの位置補正を以下のようにして行う。

先ず、 C R Tの電子出射領域選択回路 2 0 3は、最初に C R Tを起動させた際に、組み込まれた地磁気センサ（フラックスゲート型センサなど）により設置場所（国情報など）を認識する。

次に、設置場所を認識した電子出射領域選択回路 2 0 3は、予め記憶されている地域毎の地磁気の影響と電子出射領域との対応テーブルを参照して、電子出射領域の選択を行う。

以上のようにして、本実施の形態における C R Tでは、設置場所に関わらず、高い解像性能を維持することができる。

なお、上述の C R Tでは、地磁気センサを用いて設置場所の認識を行ったが、設置場所の認識は、これに限られるものではない。例えば、 C R Tの利用者に設置場所に関する情報を入力してもらい、 C R Tは、この情報に基づいて位置補正を実施するものであっても良い。このような C R Tでは、より簡易な装置構成で位置補正が出来るので、コスト的にも優れたものとなる。

また、本実施の形態に係る C R Tでは、位置補正を水平方向のみに行ったが、同様にして垂直方向にも位置補正することが可能である。

垂直方向に位置補正を行う場合には、上述の図 4におけるデコーダ回路 2 0 1から電子出射領域選択回路 2 0 3に水平信号 S 3とともに垂直信号 S 2を入力することにより実現できる。

また、素子を長時間駆動した場合、素子の電子出射性能が低下するが、本実施の形態に係る C R Tでは、以下で説明するように電子出射領域の面積を増加させることにより輝度の低下を抑制することができる。

このように輝度の低下を抑制するには、予め上記電子出射領域選択回路 2 0 3に素子の駆動時間と電子出射領域とを対応付けたテーブルを記憶させておき、駆動時間毎にテーブルを参照しながら電子出射領域を選択することにより実現できる。

具体的には、駆動時間が最初に設定された時間を超えた時点で、図 8 ( b ) に示す電子出射領域 1 4 0から電子ビームを出射するようにする。つまり、電子出射領域 1 4 0の面積を上記電子出射領域 1 0 0の 6 5 %増としているので， C R Tの輝度の低下は、十分に抑制される。

このように本実施の形態に係る C R Tでは、長時間の駆動により素子の電子出射性能が劣化した場合にあっても、電子出射領域の面積を増加させることによって、輝度の低下を抑制することができる。つまり、この C R Tでは、エミッタ 1 6の寿命に不利となるエミッシヨン電流の上昇を行うことなく輝度の低下を抑制することができる。

なお、本実施の形態についても、上述の第 1の実施の形態と同様に、電子出射部 1 5の配置形状や、カソード電極 1 2および引出し電極 1 4およびエミッ夕 1 6の形成数などが上記のものに限定されるものではない。

また、電子出射領域の面積の切換えは. 駆動時間毎に行っても良いが，スクリーン 3における輝度測定結果に基づいて行つても良い。

さらに、上述の図 8 ( b ) に示すような電子出射領域の面積の制御は、素子の劣化に対してだけでなく、入力信号の輝度レベルに応じて行っても良い。一般的に、入力された画像信号に基づいて輝度を変化させるには、力ソード電極 1 2と引出し電極 1 4との間に印加する電圧値を変化させることによって行われるが、本実施の形態の C R Tでは、電圧値を変化させることなく電子出射領域の面積を増減させることによって行うことができる。

なお、この場合にも、予め上記電子出射領域選択回路 2 0 3に画像信号と電子出射領域とを対応付けたテーブルを記憶させておき、駆動時において、このテーブルと画像信号とを参照しながら電子出射部を選択することにより、輝度を変化させることができる。

(第 3の実施の形態）

第 3の実施の形態に係る電界放出型電子源素子について、図 9を用いて説明する。図 9は、 p型シリコンの板材からなる基板 1 8上に力ソード電極 1 7が形成されているところを示す図である。引出し電極 1 4およぴェミッタ 1 6などについては、上述の図 3のものと同様の構成である。ただし、ェミッタ 1 6 の形成箇所については、後述する。

図 9に示すように、それぞれの力ソード電極 1 7は、共通電極部 1 7 1と電流制御部 1 7 2とアレイ部 1 7 3の 3つの部分から構成されている。

共通電極部 1 7 1は、互いに平行に 7条配されたライン状の電極である。この共通電極部 1 7 1は、 n型導電性を有し、低抵抗な導電特性を有する。この共通電極部 1 7 1は、 p型シリコンの基板 1 8に、例えばリン等の不純物元素をイオン注入することにより形成される。

この共通電極部 1 7 1から等間隔で枝分かれするように電流制御部 1 7 2が形成されている。この電流制御部 1 7 2は、共通電極部 1 7 1と同様に n型導電性を有するが、高抵抗な導電性を有する。

アレイ部 1 7 3は、 n型導電性を有し、低抵抗な導電特性を有しており、電流制御部 1 7 2に接続されている。図示していないが、電子を出射するェミツタ 1 6は、アレイ部 1 7 3の面上に突設されている。

ライン部 1 7 1に供給された電流は、電流制御部 1 7 2を通って、アレイ部 1 7 3に流れ、ェミッタ 1 6へと供給される。

以上のような構成の電界放出型電子源素子の駆動時における特性について、図 1 0を用いて説明する。

図 1 0の特性図中における曲線は、引出し電極 1 4と力ソード電極 1 7との間に印加される電圧（以下、「引出し電圧」という） Eと、ェミッタ 1 6から出射される電子量（以下、「ェミッション電流」という） Iとの関係を示す。また、図中の直線は、電流制御部 1 7 2における印加電圧と電流との関係を示す。

力ソード電極 1 2に電流制御部 1 7 2を有していないような従来の電界放出型電子源素子では、 1箇所においてダストなどの付着によるリーク電流が生じた場合、力ソード電極 1 2全体にリークによる異常な過電流が流れてしまい、素子全体にわたって動作不良を発生する場合もある。

これに対して、本実施の形態に係る電界放出型電子源素子では、以下のようにして素子全体にわたる動作不良の発生を防止することができる。

図 1 0に示すように、本実施の形態における電界放出型電子源素子では、正常なェミッション動作を行っていた電界放出型電子源素子のポイント aが、リークの発生によりポイント bへとシフトしょうとする際に、電流制御部 1 7 2 の負荷抵抗によりエミッシヨン電流 Iの増加が抑制されることによって、ボイント cへとシフトして、この電子出射部 1 5における電子ビームの出射が停止される。

従って、リークによる動作不良は、リークを生じている電子出射部 1 5のみで生じ、その他の領域では生じない。よって、この電界放出型電子源素子では、ダストの付着などによって一部の電子出射部 1 5にリークが生じた場合であつても動作不良が素子全体にわたって発生するという事態を回避することがでぎる。

なお、本実施の形態の電界放出型電子源素子は、 C R Tのみならず、屋外表示用の高輝度発光表示管や照明用発光表示管などに適用した際にも効果を奏する。

また、電界放出型電子源素子の構造は、上記のものに限定されるものではない。例えば、基板 1 8には、ガラスからなる板材などを用いることもできる。この場合にも、上述と同様の効果を得ることができる。

(第 4の実施の形態）

第 4の実施の形態に係る C R Tの構造について、図 1 1を用いて説明する。図 1 1に示すように、本実施の形態に係る C R Tの構造は、上述の図 1およぴ図 2のものと同様である。ただし、本実施の形態のものでは、力ソード構造体 2 5、および電子レンズ 3 5を構成するダリッド電極 G 1の表面にフリッタブルゲッタ一材からなるガス吸着部 2 5 1、 3 5 1が形成されている。

このフリッタブルゲッタ一材は、非蒸発型のものであって、従来の C R Tの製造に広く用いられている蒸発型のゲッタ一材に比べて耐熱性おょぴ耐環境性に優れている。例えば、 Z r、 A l、 T iの合金材料が用いられる。

ガス吸着部 2 5 1、 3 5 1は、ベースとなる力ソード構造体 2 5およびダリッド電極 G 1の表面に上記合金材料を塗付することによって形成した後に、製造工程の最終プロセスで加熱処理（4 0 0 °C〜5 0 0 °C) を施すことにより形成される。この最終プロセスにおける加熱処理は、ゲッター材の活性化のために施すものであって、高周波加熱法が用いられる。

従来の C R Tでは、ガラスチューブの内部に製造段階で生じた種々のガスが脱気しきれずに残留している。このような残留ガスは、電子銃から出射された電子ビームの衝突により大量のイオンとなる。生成されたイオンは、電界放出型電子源素子 1 0のェミッタ 1 6に衝突することにより電子出射性能を劣化させる原因となる。

これに対して、電子銃 1の内部にガス吸着部 2 5 1、 3 5 1を有する C R T では、ガラスチューブ 4の内部の残留ガスがガス吸着部 2 5 1、 3 5 1に吸着されるので、電界放出型電子源素子 1 0の近傍におけるイオンの生成が抑制される。本実施の形態におけるイオン生成の抑制効果は、電子銃 1の内部に直接ガス吸着部 2 5 1、 3 5 1を形成することによって、電子銃の表面に蒸発型ゲッ夕ー材を形成する従来の C R Tに比べて、非常に大きい。

従って、本実施の形態に係る C R Tでは、従来の C R Tよりも、駆動時間の経過に伴う電子出射性能の低下が非常に小さい。

なお、本実施の形態に係る電子銃では、ガス吸着部 3 5 1をダリッド電極 G 1の表面に形成したが、これ以外のグリツド電極 G 2〜G 5の表面に形成してもよい。ただし、ガス吸着部 3 5 1を形成する場所は、電界放出型電子源素子 1 0の近傍の真空度を上げるという目的から、電子レンズ 3 5内における電界放出型電子源素子 1 0の近傍であることが望ましい。

また、この C R Tの製造段階では、ガス出しエージング処理工程において、従来の方法により十分に脱気を行った後に、電界放出型電子源素子 1 0における電子非出射領域（素子の外周部に位置する電子出射部 1 5 ) から電子ビームを出射してイオンを生成し、この領域のェミッタ 1 6へと吸着させる。これにより、本実施の形態に係る C R Tは、電子出射領域（素子の中央部に位置する電子出射部 1 5 ) のェミッタ 1 6に影響を与えることなく、非常に高い真空度が確保される。

このようにガス出しエージング処理工程において、素子の外周部に位置する電子出射部 1 5を用いてイオンを吸着させるのは、素子の中央部に位置する電子出射部 1 5と比べて C RT駆動時における使用頻度が低く、素子の駆動時において輝度に影響を与えないためである。

従って、このような方法により製造された C R Tは、駆動時における電界放出型電子源素子 1 0の電子出射性能の低下が小さく、駆動時間の長短に関わらず安定した輝度を維持することができる。

(第 5の実施の形態）

第 5の実施の形態に係る電子銃の構成について、図 1 2を用いて説明する。 W

図 1 2に示すように、本実施の形態に係る電子銃は、電界放出型電子源素子 1 0と、力ソード構造体 2 0と、電子レンズ 3 6とから構成されている。電界放出型電子源素子 1 0および力ソード構造体 2 0の構造は、上述の図 3 のものと同一である。

この電子銃が上述の図 2と異なるのは、電子レンズ 3 6の構造である。電子レンズ 3 6は、グリッド電極 G 1〜G 5と、ビーム回転コイル R 1とから構成されている。

ビーム回転コイル R 1は、 R、 G、 B用の各電界放出型電子源素子に対応して形成されており、それぞれの電子ビームを電場の形成により回転させるものである。ビーム回転コイル R 1には、例えばソレノイド型コイルなどを用いることができる。

具体的には、電子銃の各電界放出型電子源素子に対応してソレノィド型コィルを形成しておき、このコイルに電流を流すことにより電子ビームの進行方向に沿って、電子ビームを回転させるための磁界を発生させることができる。電子ビームは、発生した磁界の強さに応じたローレンツ力によって、回転運動する。

従って、本実施の形態に係る電子銃では、ソレノイド型コイルが発生する磁界と電子レンズ 3 6を通過する電子の速度成分および距離などのパラメ一タを巖適化することにより、電子ビームの断面形状を一定に保った状態で、所望の角度回転させることができる。

電子ビームのスポット形状の補正方法について、図 1 3を用いて説明する。図 1 3 ( a ) に示すスポット形状は、スクリーン 3の中央部において得られる真円形のものである。

スクリーン 3におけるコーナ一部分に電子ビームを照射する場合にあって、電子ビームの回転補正を行わない場合、電子ビームのスポット形状は、図 1 3 (b ) に示すような長円状で且つ回転を受けた形状となる。

これに対して、本実施の形態では、電子銃 1から出射された電子ビーム、つまり電界放出型電子源素子 1 0から放出され電子レンズ 3 6で収束および回転された電子ビームの形状を図 1 3 ( c ) に示す形状とすることができる。これにより、上述の図 5に示すスクリーン 3の領域 A 1の下部あるいは領域 A 5の上部に照射される電子ビームのスポット形状を略真円形とすることができる。このような電子レンズ 3 6による電子ビームの回転は、上述の図 4における電子出射領域選択回路 2 0 3によって制御され、垂直信号 S 2および水平信号 S 3と同期して実行される。

電子ビームの回転角度については、上記スクリーン 3の領域毎に設定しても良いし、画素毎に設定しても良いが、予め最適値を求めておき対応テーブルを電子出射領域設定回路 2 0 3に記憶させておいて、照射位置毎にこのテーブルを参照しながら調整することが望ましい。

以上のような C R Tでは、スクリーン 3の全域にわたって電子ビームのスポット形状を均一にすることが出来るので、解像性能が高い。

なお、電子レンズ 3 6におけるビーム回転コイル R 1の形成位置は、スぺ一ス上の制約などから上述の図 1 2のようにグリツド電極 G 5のスクリーン 3側とすることが望ましいが s グリッド電極 G 1の電界放出型電子源素子 1 0側としてもよい。

また、上記図 1 3では、電子ビームのスポット形状を円形あるいは長円形で説明したが、上記第 1の実施の形態などで説明した矩形状のスポット形状であつても、同様の効果が得られる。産業上の利用の可能性

本発明の電界放出型電子源素子は、高解像度で高輝度の電子銃およびこれを備える陰極線管装置を実現するのに有効である。

Claims

請求の範囲

1 . スクリーン上を走査する電子ビームを出射する素子であって、

電場の存在により電子ビームを出射する電子出射部が、 2次元的に複数配されており、

前記複数の電子出射部は、各々が独立して駆動可能に構成されていることを特徴とする電界放出型電子源素子。

2. 前記電子出射部は、 1または複数のェミッタから構成されている

ことを特徴とする請求項 1に記載の電界放出型電子源素子。

3. 前記複数の電子出射部は、マトリクス状に配されている

ことを特徴とする請求項 2に記載の電界放出型電子源素子。

4. 当該電界放出型電子源素子は、さらに基板と、前記基板上に互いに並行するように配された複数の行電極と、前記行電極と絶縁層を介するとともに、交差する方向に並行するように配された複数の列電極とを有し、

前記ェミッタは、前記複数の行電極と前記複数の列電極との各交差部分において、前記行電極上に突設されている

ことを特徴とする請求項 3に記載の電界放出型電子源素子。

5. 前記複数の行電極の中から選択された一部または全部の電極と、前記複数の列電極の中から選択された一部または全部の電極との間に電圧を印加することにより、その交差部分における前記エミッタから電子ビームが出射されることを特徴とする請求項 4に記載の電界放出型電子源素子。

6. 前記基板は、 p型半導体の板材からなり、

前記行電極は、 n型導電性を有する導電体からなる

ことを特徴とする請求項 4に記載の電界放出型電子源素子。

7. 前記行電極は、電気的に低抵抗な共通ライン部と、前記共通ライン部より電気的に高抵抗な電流制御部とからなり、

前記エミッタは、前記電流制御部を介して前記共通ライン部に電気的に接続されている

8. 前記電流制御部は、前記ェミッタにおける負荷抵抗であって、前記エミッタに供給される電流を制御する

ことを特徴とする請求項 7に記載の電界放出型電子源素子。

9. スクリーン上を走査する電子ビームを出射する電子銃であって、

電場の存在により電子ビームを出射する電子出射部が、 2次元的に複数配され、前記複数の電子出射部が、各々独立して駆動可能な構成を有する電界放出型電子源素子と、

前記出射された電子ビームを加速およぴ収束する電子レンズとを有することを特徴とする電子銃。

1 0. 前記電界放出型電子源素子における電子出射部は、 1または複数のエミッタから構成されている

ことを特徴とする請求項 9に記載の電子銃。

1 1 . 前記複数の電子出射部は、マトリクス状に配されている

ことを特徴とする請求項 1 0に記載の電子銃。

1 2. 前記電界放出型電子源素子は、さらに基板と、前記基板上に互いに並行するように配された複数の行電極と、前記行電極と絶縁層を介するとともに、交差する方向に並行するように配された複数の列電極とを有し、

前記エミッタは、前記複数の行電極と前記複数の列電極との各交差部分において、前記行電極上に突設されている

ことを特徴とする請求項 1 1に記載の電子銃。

1 3. 前記複数の行電極の中から選択された一部または全部の電極と、前記複数の列電極の中から選択された一部または全部の電極との間に電圧を印加することにより、その交差部分における前記エミッタから電子ビームを出射させる駆動制御部を備える

ことを特徴とする請求項 1 2に記載の電子銃。

1 4. 前記駆動制御部は、前記複数の電子出射部から所定の形状を有する領域を選択し、前記領域内における電子出射部のエミッタから電子ビームを出射させる

ことを特徴とする請求項 9から 1 3の何れかに記載の電子銃。

1 5. 前記駆動制御部は、前記電子レンズとの水平方向またはおよび垂直方向における相対位置に基づいて、前記領域を選択する

ことを特徴とする請求項 1 4に記載の電子銃。

1 6. 前記エミッタから出射された電子ビームの歪みを検知する検知部を備え前記駆動制御部は、前記検知部の検知結果に基づいて、前記歪みの補正を行うように前記領域を選択する

ことを特徴とする請求項 1 4に記載の電子銃。

1 7. 前記電子レンズは、前記検知部の検知結果に基づいて、前記歪みの補正を行うように、電子ビームの進行方向を軸として電子ビームを回転する回転手段を備える

ことを特徴とする請求項 1 6に記載の電子銃。

1 8. 前記検知部は、地磁気による電子ビームの歪みを検知することを特徴とする請求項 1 6に記載の電子銃。

1 9. 前記駆動制御部は、入力される輝度信号に基づいて、前記領域を選択する

ことを特徴とする請求項 1 4に記載の電子銃。

2 0. 前記駆動制御部は、駆動時間の経過に基づいて、前記領域を選択することを特徴とする請求項 1 4に記載の電子銃。

2 1 . 前記領域における前記行電極と列電極との間の電位差は、前記領域を除く領域における電位差よりも高く設定されている

ことを特徴とする請求項 1 4に記載の電子銃。

2 2. 前記電界放出型電子源素子および電子レンズの内の少なくとも一方は、ガス吸着性能を有する差動排気部を有する

ことを特徴とする請求項 9に記載の電子銃。

2 3. 前記差動排気部は、少なくとも前記電界放出型電子源素子の近傍における真空度を、他の領域における真空度よりも高くする機能を有する

ことを特徴とする請求項 2 2に記載の電子銃。

2 4. 前記差動排気部は、非蒸発型のゲッター材からなる

ことを特徴とする請求項 2 2に記載の電子銃。

2 5. 前記ゲッター材は、前記電界放出型電子源素子および電子レンズの内の少なくとも一方の表面に形成されている

ことを特徴とする請求項 2 4に記載の電子銃。

2 6. 前記ゲッター材は、フリッタブルゲッター材である

ことを特徴とする請求項 2 5に記載の電子銃。 .

2 7. 電場の存在により電子ビームを出射する電子出射部が、 2次元的に複数配され、前記複数の電子出射部が、各々独立して駆動可能な構成を有する電界放出型電子源素子と、

前記出射された電子ビームを加速およぴ収束する電子レンズと、

加速および収束された電子ビームが対向して配置されたスクリーン面を走査するように偏向する偏向ヨークとを有する

ことを特徴とする陰極線管装置。

2 8. 前記電界放出型電子源素子における電子出射部は、 1または複数のエミッタから構成されている

ことを特徴とする請求項 2 7に記載の陰極線管装置。

2 9. 前記複数の電子出射部は、マトリクス状に配されている

ことを特徴とする請求項 2 8に記載の陰極線管装置。

3 0. 前記電界放出型電子源素子は、さらに基板と、前記基板上に互いに並行するように配された複数の行電極と、前記行電極と絶縁層を介するとともに、交差する方向に並行するように配された複数の列電極とを有し、

ことを特徴とする請求項 2 9に記載の陰極線管装置。

3 1 . 前記複数の行電極の中から選択された一部または全部の電極と、前記複数の列電極の中から選択された一部または全部の電極との間に電圧を印加することにより、その交差部分における前記エミッタから電子ビームを出射させる駆動制御部を備えることを特徴とする請求項 3 0に記載の陰極線管装置。

3 2. 前記駆動制御部は、前記複数の電子出射部から所定の形状を有する領域を選択し、前記領域における電子出射部のエミッタから電子ビームを出射させることを特徴とする請求項 2 7から 3 1の何れかに記載の陰極線管装置。

3 3. 前記エミッタから出射された電子ビームの歪みを検知する検知部を備え前記駆動制御部は、前記検知部の検知結果に基づいて、前記歪みの補正を行うように前記領域を選択する

ことを特徴とする請求項 3 2に記載の陰極線管装置。

3 4. 前記電子レンズは、前記検知部の検知結果に基づいて、前記歪みの補正を行うように、電子ビ"ムの進行方向を軸として電子ビームを回転する回転手段を備える

ことを特徴とする請求項 3 3に記載の陰極線管装置。

3 5. 前記検知部は、地磁気による電子ビームの歪みを検知する

ことを特徴とする請求項 3 3に記載の陰極線管装置。

3 6. 前記駆動制御部は、入力される輝度信号に基づいて、前記領域を選択する

ことを特徴とする請求項 3 1に記載の陰極線管装置。

3 7. 前記駆動制御部は、駆動時間の経過に基づいて、前記領域を選択することを特徴とする請求項 3 1に記載の陰極線管装置。

3 8. 前記電子銃には、ガス吸着性能を有するゲッター材からなる差動排気部を有することを特徴とする請求項 2 7に記載の陰極線管装置。

3 9. 電場中で電子ビームを出射する電界放出型電子源素子からなる電子銃をファンネルのネック部に収納し、前記ファンネルとパネルとを接合し、前記ファンネルとパネルによって形成される空間内部を脱気するガス出しエージング工程を有する陰極線管の製造方法であって、

前記電界放出型電子源素子は、電場の存在により各々独立して電子ビームを出射可能な複数の電子出射部が、 2次元的に配されて構成されており、

前記ガス出しエージング工程において、前記電界放出型電子源素子の外周領域における電子出射部から電子ビームを出射してイオンを生成し、生成されたィォンを前記電子ビームを出射した電子出射部に吸着させる

ことを特徴とする陰極線管の製造方法。