WO2000077778A1 - Support d'enregistrement magnetique, son procede de fabrication et dispositif a disque magnetique - Google Patents

Support d'enregistrement magnetique, son procede de fabrication et dispositif a disque magnetique Download PDF

Info

Publication number
WO2000077778A1
WO2000077778A1 PCT/JP1999/003174 JP9903174W WO0077778A1 WO 2000077778 A1 WO2000077778 A1 WO 2000077778A1 JP 9903174 W JP9903174 W JP 9903174W WO 0077778 A1 WO0077778 A1 WO 0077778A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
magnetic
underlayer
recording medium
magnetic layer
magnetic recording
Prior art date
Application number
PCT/JP1999/003174
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Ryoichi Mukai
Original Assignee
Fujitsu Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Limited filed Critical Fujitsu Limited
Priority to KR1020017015603A priority Critical patent/KR100639620B1/ko
Priority to PCT/JP1999/003174 priority patent/WO2000077778A1/ja
Publication of WO2000077778A1 publication Critical patent/WO2000077778A1/ja
Priority to US10/008,713 priority patent/US7270897B2/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
    • G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
    • G11B5/656—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing Co
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
    • G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B2220/00—Record carriers by type
    • G11B2220/20—Disc-shaped record carriers
    • G11B2220/25—Disc-shaped record carriers characterised in that the disc is based on a specific recording technology
    • G11B2220/2508—Magnetic discs
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/90—Magnetic feature

Definitions

  • the present invention relates to a magnetic recording medium applied to a hard disk drive and a method for manufacturing the medium.
  • a CoCr-based alloy polycrystalline film composed of three or more elements has been used as a material of the magnetic layer.
  • Cr contained in the magnetic grains of the magnetic layer is segregated at the grain boundaries, and the grain boundaries are demagnetized to reduce the interaction between grains. .
  • the Cr addition rate to the alloy was increased, Ta was added, and the substrate was heated during the film forming process.
  • a CoCr-based alloy magnetic material is used as the material of the magnetic layer. Must be used. Thinning of the magnetic layer and miniaturization of crystal grains When this is promoted, the volume of each magnetic grain decreases, and ultimately, thermal disturbance occurs to make it superparamagnetic, and the magnetic recording state cannot be maintained.
  • the best way to reduce the volume of each magnetic grain to the smallest possible amount is to use a magnetic material with a high anisotropy constant Ku.
  • the value of Ku is reduced by about one order of magnitude by adding Cr to a single element of Co. Therefore, the use of a CoCr-based alloy hinders the maintenance of the Ku value. Also, there is a problem that the corrosion resistance of the single element element of Co is poor.
  • An object of the present invention is to provide a high-density magnetic recording medium having a high recording density.
  • Another object of the present invention is to reduce the thickness of a magnetic layer of a magnetic recording medium.
  • Still another object of the present invention is to reduce noise of a magnetic recording medium. Disclosure of the invention
  • the use of a CoCr-based alloy as a material for the magnetic layer has been revised, and a Co-based alloy in which a nonmagnetic element different from Cr is added to a single element of Co is used as the material of the magnetic layer. Used. According to the present invention, the reduction of the value of Ku due to alloying is suppressed, and the problem of thinning the magnetic layer of the magnetic recording medium is solved.
  • the grain boundary region can be made non-magnetic by segregating Cr from the base to the crystal grain boundaries. Specifically, the diffusion of Cr from the underlayer to the crystal grain boundaries of the magnetic layer is induced by post annealing. As a result, the magnetic layer has a structure in which Cr exists only near the crystal grain boundaries, and the nonmagnetic state of the grain boundary region of the magnetic layer is realized. Since the grain boundary region of the magnetic layer is nonmagnetic, the magnetic interaction between grains is reduced, and the noise of the magnetic recording medium is reduced. BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
  • FIG. 1 is a sectional view of a disk medium according to the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing a crystal structure of the magnetic layer after the post annealing.
  • FIG. 3 is a graph showing the relationship between the boss annealing temperature and the magnetic properties.
  • FIG. 4 is a diagram showing a process of growing 14 magnetic particles.
  • FIG. 5 is a graph showing the relationship between the additive concentration of the Co-based alloy and Ku.
  • FIG. 6 is a graph showing the relationship between Cr concentration and Ku in CoC r Pt.
  • FIG. 7 is a graph showing the relationship between W concentration and Ku in CoW.
  • FIG. 8 is a plan view of the magnetic disk drive according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a sectional view of the magnetic disk drive in FIG. 8 according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a diagram showing a configuration of a sputtering apparatus.
  • FIG. 11 is a flowchart of a medium process in the embodiment.
  • FIG. 12 is a sectional view of a conventional medium.
  • FIG. 13 is a flowchart of a process in a conventional medium.
  • FIG. 1 is a sectional view of the magnetic recording medium of the present invention.
  • an underlayer 3, a magnetic layer 4, and a protective layer 5 are formed on a substrate 2 in this order.
  • each film constituting the magnetic recording medium 1 will be described.
  • the substrate 2 is made of a non-magnetic material and has a disk shape.
  • the materials that make up the substrate 2 include a nipple-minimum disk (including aluminum alloy), a glass (including reinforced glass) disk, a silicon disk with a surface oxide film, a silicon disk, and a carbon disk. , Plastic discs, ceramic discs and the like.
  • the substrate 2 may or may not be textured.
  • the size of the substrate 2 is determined according to the type of the desired medium, the magnetic disk device to which the substrate 2 is applied, and the like. ⁇ 95mm, inner diameter 20mm ⁇ 25mm, thickness is 0.635mn! ⁇ 0.8 mm.
  • the underlayer 3 is made of a non-magnetic metal material containing chromium as a main component.
  • a metal material containing only chromium as a main component, or CrW, CrV, CrTi, Cr A chromium alloy such as Mo may be used.
  • the underlayer 3 is made of, for example, magne
  • the film is formed by a sputtering method such as a tron sputtering method. Suitable film formation conditions include, for example, a substrate temperature of 30 ° C., an Ar gas pressure of 3 to 5 mTorr, and an input power of 100 to 800 W.
  • the thickness of the underlayer 3 is determined within a wide range according to various factors, but in order to increase the S / N ratio, 2 ⁇ ! Les, preferably set within the range of ⁇ 14 nm. If the thickness of the underlayer is less than 2 nm, there is a problem that the magnetic properties cannot be sufficiently obtained. Conversely, if the thickness exceeds 14 nm, noise tends to increase.
  • the magnetic layer 4 is made of a Co-based alloy containing cobalt as a main component.
  • An alloy in which a nonmagnetic substance other than ⁇ r is added to 0, for example, a CoPt alloy, a CoW alloy, or the like is formed.
  • the magnetic layer 4 is preferably formed by a sputtering method such as a magnetron sputtering method. Suitable film forming conditions include, for example, a substrate temperature of 30 ° C., an Ar gas pressure of 3 to 5 m Torr, 800W input power. Further, instead of the sputtering method, another film forming method, for example, a vapor deposition method, an ion beam sputtering method, or the like may be used.
  • the protective layer 5 is made of simple carbon or a compound containing carbon, and examples thereof include WC, SiC, B4C, hydrogen-containing carbon, and diamond-like carbon (DLC), which has attracted attention because of its high altitude.
  • the protective layer 6 is preferably formed by a sputtering method such as a magnetron sputtering method. Appropriate film forming conditions include, for example, a substrate temperature of 30 ° C., an Ar gas pressure of 3 to 5 mTorr, a gas pressure of 500 to 500 mTorr. 1500W input power.
  • the protective layer 6 depends on various factors and is determined within a wide range, but is preferably 4 nm to 8 nm.
  • a lubricating film may be formed on the protective layer.
  • the lubricating film is usually made of a fluorocarbon resin material and generally has a thickness of 1 nm to 2 nm.
  • Cr contained in the underlayer 3 is diffused into the crystal grain boundaries of the magnetic layer 4 by the use of bostoneal.
  • FIG. 2 shows the crystal structure of the magnetic layer 4 of the magnetic recording medium 1 after the post-treatment. You.
  • the dotted line is the grain boundary
  • the region surrounded by the solid line is the Co alloy (excluding Cr) force
  • the region consisting of the force is there.
  • Cr is segregated only in the vicinity of the crystal grain boundaries due to bostoneal.
  • the magnetic interaction between the crystal grains of the magnetic layer 4 is hit by the diffusion of Cr into the crystal grain boundaries of the magnetic ttS 4. Thereby, generation of noise in the magnet 4 is suppressed.
  • the post-annealing is performed after the protective layer 5 containing carbon as a main component is formed as described above, the carbon reaches the surface of the underlayer 3 through the crystal grain boundary, and Cr of the underlayer 3 is reduced. Since a layer that inhibits the diffusion of the magnetic layer 4 to the grain boundaries is formed, it is preferable to perform the post-anneal after the magnetic layer 4 is formed and before the protective layer 5 is formed. In addition, before the protective layer 5 is formed, the magnetic layer 4 is exposed, and when the substrate 2 is exposed to air in this state, an oxide film is formed on the surface. Since this oxide film is condensed in the substrate and causes surface roughness, it is desirable to perform the post annealing while maintaining the vacuum after laminating the magnetic layer 4.
  • Figure 3 shows the temperature dependence of the coercive force Hc and the normalized coercive force Hc / Hk in the post-annealed medium (Cr underlayer and CoPt magnetic layer).
  • FIG. 4 is a diagram showing a process in which the magnetic grains of the magnetic layer grow. Note that CoCrPt is used as the magnetic layer and Cr is used as the underlayer.
  • Figure 5 is a graph showing the relationship between the additive concentration and the anisotropy constant Ku in the Co-based magnetic material.
  • Figure 5 (a) shows Pt as an additive
  • Figure 5 (b) shows the additive. Is a graph when Cr is added. From Fig. 5 (a) and Fig. 5 (b), it is clear that as the concentration of the additive increases, Ku becomes lower than 4 e + 6 (erg / cc), which is a single element of Co, Ku. I understand. However, the degree of reduction is larger than that of adding Pt with Cr added as an additive, and shows a high reduction rate in the region where the Cr concentration is 5 at% or less.
  • the Cr concentration is 5 at% or less, and preferably, Ku of at least half of the Ku of the single element of Co can be obtained at 3 at% or less. It is desirable to suppress to.
  • FIG. 6 is a graph showing the relationship between the ratio of Cr and Pt in CoCrPt (concentration of Co is 78% of a fixed value) and the value of Ku. From FIG. 6, it can be seen that the value of Ku decreases as the proportion of Pt decreases and the proportion of Cr increases. When the Pt ratio is 0 and the Cr addition ratio is 22%, which is a practical addition ratio, Ku is 4 e +5 (erg / cc), and the K single element K u is about 1 Z10.
  • FIG. 7 is a graph showing the relationship between the W addition ratio and the value of Ku in CoW. According to Fig. 7, when the W addition rate is in the range of 0 to 16 at%, the value of u increases as the W addition rate increases, but the Ku value sharply increases when the W addition rate exceeds 16 at%. It can be seen that is decreasing. However, it shows a higher Ku value at CoCr than when Cr is added at the same concentration. According to FIG. 7, if CoW is used for the magnetic layer, it is desirable that the W concentration be 16 at% or less.
  • FIG. 8 is a plan view of the magnetic disk drive of the present invention with the cover removed
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.
  • 50 is a magnetic disk driven by a spindle motor 52 provided on a base plate 51.
  • a spindle motor 52 provided on a base plate 51.
  • three magnetic disks are provided.
  • Reference numeral 53 denotes an actuator which is rotatably supported on the base plate 51.
  • a spring arm is attached to one end of the head arm.
  • a slider 40 is attached to a flexure portion of the spring arm 55 via an insulating film (not shown).
  • a coil 57 is attached to the other end of the actuator 53.
  • a magnetic circuit 58 composed of a permanent magnet and a yoke is provided on the base plate 51, and the coil 57 is arranged in a magnetic gap of the magnetic circuit 58.
  • the magnetic circuit 58 and the coil 57 constitute a VOISCO INOLE motor (VCM).
  • VCM VOISCO INOLE motor
  • the slider 40 comes into contact with the retreat zone of the magnetic disk 50 and stops.
  • the magnetic disk device 50 is rotated by the spindle motor 52, the slider 40 floats with a slight gap from the disk surface due to the airflow generated as the magnetic disk 50 rotates.
  • a current flows through the coil 57 while the slider is flying, a thrust is generated in the coil 57 and the actuator 53 rotates.
  • the slider 40 moves on a predetermined track of the magnetic disk 50 to read or write data.
  • a DC magnetron sputtering apparatus 10 as shown in FIG. 10 was used to form a predetermined film on a substrate.
  • the sputtering apparatus 20 is provided with a gas supply port 22 for introducing a gas into the sputtering chamber 21, an exhaust port 23, a susceptor 24 for supporting a disk substrate, a target 25, and a magnet 26.
  • a cross section of the medium A has a substrate 2 on which an underlayer 3, a magnetic layer 4, and a protective layer 5 are laminated.
  • the manufacturing process for Medium A is shown in FIG.
  • the manufacturing process of manufacturing the medium A will be described with reference to FIG.
  • An underlayer 3 was laminated on a substrate 2 consisting of an Si disk with an outer diameter of 6.5 mm, an inner diameter of 20 mm, and a thickness of 0.635 mm on which a silicon oxide film with a thickness of 300 nm was formed on the surface.
  • the underlayer 3 is made of a polycrystalline film of Cr, and after evacuating the sputtering chamber to 5 e ⁇ 10 Torr, the Ar gas pressure in the sputtering chamber is increased above the substrate 2 under the condition of 3 mTorr. The film was formed to a thickness of 5 nm.
  • the magnetic layer 4 is laminated on the underlayer 3.
  • the magnetic layer 4 is made of a CoPt alloy polycrystalline film, and is formed to a thickness of 14 nm on the underlayer 3 under the conditions of an Ar gas pressure of 3 mTorr or an input power of 100 W in the sputtering chamber.
  • the composition of the magnetic layer 4 of the medium A is 88 at% of conoreto and 12 at% of platinum.
  • the bias voltage was set to 0V in order to avoid heating the substrate.
  • the base pressure of the vacuum was reduced (1 e-9 Torr) and the Ar gas was cleaned, and the partial pressure of the oxidizing gas component was 1 e-11 Torr or less.
  • S 3 After the magnetic layer 4 was formed, a vacuum state was maintained, and underlayer 3 was subjected to 20 ° C. annealing at 450 ° C. for 20 seconds to sufficiently induce the diffusion of Cr into the magnetic field 4. .
  • S 5 The protective layer 5 is laminated on the magnetic layer 4. Protective layer 5 is deposited after post-annealing, substrate a3 ⁇ 430 ° C., Ar gas pressure in the sputtering chamber 3 mTorr, input power Under a condition of 100 OW, a film was formed to a thickness of 5 nm on the magnetic layer 4.
  • a Ku value of 3.7 e + 6 (ergZc c) and a He / Hk value of 0.44 were obtained.
  • the value of Ku obtained here is larger than 8 e + 5 (erg / cc), which is the value of Ku of the medium whose magnetic layer is made of Co66Cr22Ptl2.
  • the value of HcZHk reflects the width of the non-magnetized region at the grain boundary formed by the diffusion of Cr to the grain boundary of the magnetic layer, and a value of 0.44 was obtained. From these results, it was shown that sufficient grain boundary segregation of Cr can be realized even in a medium in which Cr is not added to the magnetic field. In addition, in magnet 4, it was confirmed that Cr was present only in a region within 3 nm from the crystal grain boundary.
  • Figure 12 shows the layer structure of the medium B.
  • the medium B unlike the medium A, has a magnetic layer 4 containing Cr.
  • Figure 13 shows the manufacturing process for Medium B. Hereinafter, the manufacturing process of the medium B will be described with reference to FIG.
  • Underlayer 3 is laminated on substrate 2.
  • the shape and material of the substrate 2 are the same as the substrate of the medium A.
  • the underlayer 3 is made of a polycrystalline film of Cr.
  • the substrate 2 is evacuated under the conditions of an Ar gas pressure of the sputtering chamber of 3 mTorr and a power of 100 W.
  • a film is formed thereon to a thickness of 5 nm.
  • the magnetic layer 4 is formed on the underlayer 3.
  • the magnetic layer 4 is made of a CoCr-based alloy magnetic material, and the substrate 2 is heated under the conditions of an Ar gas pressure of 3 mTorr and a power of 100 W in the sputter chamber under the conditions of the underlayer.
  • a film of 14 nm was formed on 3.
  • the composition of the magnetic layer 4 of the medium A is 75 at% cobalt and 13 at% chromium.
  • a protective layer 5 is formed on the magnetic layer S4.
  • the protective layer 5 is made of a magnetic layer under the conditions of a substrate temperature of 30 ° C., an Ar gas pressure of the sputtering chamber of 3 mT orr, and an input power of 1 kW.
  • a 5 nm thick film was formed on the 4 '.
  • the cross-sectional shape of the medium C is as shown in FIG.
  • the manufacturing process is almost the same as that for medium A, as shown in Fig. 11.However, the difference from the manufacturing process for medium A is that when magnetic film 4 is formed by sputtering at 250 ° C. This is the point of heating.
  • the Ku value of 3.7 e + 6 (erg / c c) was obtained from the medium C prepared as described above.
  • the diffusion of Cr to the grain boundaries of the magnetic layer did not occur, resulting in a HcZHlO.1 or less.
  • Ku since a Co-based alloy to which Cr is not added is used as the material of the magnetic layer, Ku maintains a high value.
  • the high Ku value reduces the volume of crystal grains at which the magnetic properties begin to deteriorate due to thermal disturbance, and promotes thinning of the magnetic film. As a result, the area occupied by one bit can be reduced, and higher recording density can be achieved.
  • a Cr-based alloy is used as a material of the underlayer, Cr can be diffused from the underlayer to the magnetic grain boundaries. The diffusion of Cr to the grain boundaries demagnetizes the grain boundaries of the magnetic ft®. As a result, the magnetic interaction between grains is suppressed, and the noise of the magnetic recording medium is reduced.
  • the magnetic tt ⁇ can be made thinner, noise can be reduced, and the recording density of the magnetic recording medium can be increased.

Landscapes

  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Description

明細書 磁気記録媒体およびその製造方法ならびに磁気ディスク装置 技術分野
本発明は、 ハードディスクドライブに適用される磁気記録媒体とその媒体の製 造方法に関する。
近年、 情報記憶装置の中心的役割を担うハードディスクドライブに対し、 小型 化およぴ大容量化が要求されている。 これらの要求は磁気デイスク媒体の記録密 度を高くすることにより実現される。 記録密度を高めるには、 磁性膜の薄型化、 高分,能化、 高保磁力化、 低ノイズィ匕を図る必要がある。 背景技術
磁気ディスク媒体の記録密度が高くなるに従い、 媒体における 1ビットが占め る面積は縮小される。 このような状況で信号の出力を確保するには、 ビットサイ ズの縮小に対応させて磁性層を薄型ィ匕する必要がある。 それにより、 半円弧状の 磁場状態が確保され、 1ビット分の磁化領域から発生する漏れ磁場が確保される。 また、 ビット間隔を狭めることも要求されるので、 磁化遷移領域での磁区構造の 改善、 薄型化に対応した結晶粒の微細化、 粒間の磁気的な相互作用の低減による ノイズ低減等が必要である。
従来、 媒体の磁性層としては、 磁性層の材料として 3元素以上で構成される C o C r基合金多結晶膜が用いられてきた。 従来の媒体では、 磁性層の磁性粒内に 含有されている C rを結晶粒界に偏析させ、 結晶粒界を非磁性化することによつ て粒間の相互作用の低減を図っている。 従来技術においては、 この C r偏析を促 進するため、 合金への C r添加率の増大、 T a等の添加、 および成膜工程中にお ける基板の加熱が行われた。
上述のように、 磁性粒内に含有されている C rを結晶粒界に偏析させ、 この粒 界領域を非磁性化する手段を採る限り、 磁性層の材料として C o C r基合金磁性 材料が使用されることが必須となる。 し力 し、 磁性層の薄型化と結晶粒の微小化 が促進されると、 磁性粒個々の体積が減少し、 究極的には熱擾乱が発生して超常 磁性化され、 磁気記録状態が保持できなくなる。 磁性粒個々の体積を可能な限り 微小な量まで縮小するには、 異方性定数 K uの高い磁性材料を用いることが最良 の手段である。 C o系磁性材料では、 C o単元素体に C rを添加することによつ て、 K uの値は約 1桁も低下してしまう。 従って、 C o C r基合金の使用は、 K u値の維持の妨げとなる。 また、 C o単元素体では、 腐食耐性が劣るという問題 かある。
本発明は、 記録密度の高レヽ磁気記録媒体を^^することを目的とする。
また、 本発明の他の目的は、 磁気記録媒体の磁性層の膜厚を薄型化することで ある。
更に、 本発明の他の目的は、 磁気記録媒体のノイズを低減することである。 発明の開示
本発明では、 C o C r基合金を磁性層の材料として使用することを改め、 C o 単元素に C rとは異なる非磁性元素が添加された C o系合金が磁性層の材料とし て用いられる。 本発明によると、 合金化による K uの値の低減が抑制され、 磁気 記録媒体の磁性層の薄型化による問題が解消される。
但し、 C rを含有しない C o系合金を磁性層の材料として用いると、 磁性粒内 に含有されている C rを結晶粒界に偏析させて、 この粒界領域を非磁性化するこ とができなくなる。 そこで、 本発明では、 下地層として C r系の非磁性材料が使 用される。 本発明によると、 下地 から C rを結晶粒界に偏析させることによつ て粒界領域を非磁性化できる。 具体的には、 ポストアニーノレによって下地層から 磁性層の結晶粒界への C rの拡散を誘起する。 その結果、 磁性層は結晶粒界近傍 のみに C rが存在する構造となり、 磁性層の粒界領域の非磁性化が実現される。 磁性層の粒界領域が非磁性ィ匕されることにより、 粒間の磁気的な相互作用が低減 され、 磁気記録媒体のノィズが低減される。 図面の簡単な説明
図 1は本発明におけるディスク媒体の断面図である。 図 2はボストァニール後の磁性層の結晶構造を示す図である。
図 3はボストァニール温度と磁ィ匕特性の関係を示すグラフである。
図 4は磁' 14粒の成長の過程を示す図である。
図 5は C o系合金の添加物濃度と Kuとの関係を示すグラフである。
図 6は CoC r P tにおける C r濃度と Kuとの関係を示すグラフである。 図 7は C oWにおける W濃度と Kuとの関係を示すグラフである。
図 8は本発明の実施形態における磁気ディスク装置の平面図である。
図 9は本発明の実施形態における図 8における磁気ディスク装置の断面図であ る。
図 10はスパッタ装置の構成を示す図である。
図 1 1は実施例における媒体のプロセスのフローチヤ一トである。
図 12は従来の媒体の断面図である。
図 13は従来の媒体におけるプロセスのフローチヤ一トである。 発明を実施するための最良の形態
図 1は本発明の磁気記録媒体の断面図である。 本発明の磁気記録媒体 1は、 基 板 2上に、 下地層 3、 磁性層 4、 保護層 5が順に形成されている。 以下に、 磁気 記録媒体 1を構成する各膜について説明する。
基板 2は非磁性体からなり、 円盤状の形状を有する。 基板 2を構成する材料と しては、 N i Pメツキのァノレミニゥム （アルミニウム合金を含む） ディスク、 ガ ラス （強化ガラスも含む） ディスク、 表面酸化膜を有するシリコンディスク、 S i Cディスク、 カーボンディスク、 プラスチックディスク、 セラミックディスク 等を包含する。 また、 基板 2は、 テクスチャー処理が施されていてもいなくても よい。 基板 2のサイズは、 所望とする媒体の種類や適用先の磁気ディスク装置等 に応じて決められ、 一般的には、 外径 65mn！〜 95mm、 内径 20mm〜25 mm、 厚さは 0. 635mn！〜 0. 8mmである。
下地層 3はクロムを主成分とする非磁性金属材料からなるものであり、 具体的 な材料として、 クロムのみを主成分とする金属材料、 或いは、 CrW、 C rV、 C r T i、 C r Mo等のクロム合金が挙げられる。 下地層 3は、 例えば、 マグネ トロンスパッタ法等のスパッタ法により成膜される。 適当な成膜の条件として、 例えば、 30° Cの基板温度、 3〜5mTo r rの Arガス圧力、 100〜80 0Wの投入電力が挙げられる。 また、 スパッタ法に代えて他の成膜法、 例えば、 蒸着法、 イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。 下地層 3の膜厚は種々の 要因に応じて広い範囲内で決定されるが、 S/N比を高めるためには、 2ηπ！〜 14 nmの範囲内に設定されるのが好ましレ、。 下地層の膜厚が 2 nmを下回ると、 磁気特性が十分に得られない問題が生じ、 反対に、 14nmを超えると、 ノイズ が増大する傾向がある。
磁性層 4はコバルトを主成分とする Co系合金からなり、 。0に〇 r以外の非 磁性体が添加された合金、 例えば、 Co P t合金、 CoW合金などが成膜されて なる。 磁性層 4は、 マグネトロンスパッタ法等のスパッタ法により成膜されるの が好ましく、 適当な成膜の条件として、 例えば、 30° Cの基板温度、 3〜5m To r rの Arガス圧力、 100〜800Wの投入電力が挙げられる。 また、 ス パッタ法に代えて他の成膜法、 例えば、 蒸着法、 イオンビームスパッタ法等を使 用してもよい。
保護層 5は、 カーボン単体、 またはカーボンを含む化合物からなり、 例えば、 WC、 S i C、 B4C、 水素含有カーボンや、 高い高度を有する点で注目されて いるダイヤモンドライクカーボン （DLC) が挙げられる。 保護層 6は、 マグネ トロンスパッタ法等のスパッタ法により成膜されるのが好ましく、 適当な成膜の 条件として、 例えば、 30° Cの基板温度、 3〜5mTo r rの Arガス圧力、 500〜1500Wの投入電力が挙げられる。 また、 スパッタ法に代えて他の成 膜法、 例えば、 蒸着法、 イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。 保護層 6 の膜厚は、 種々の要因に依存し、 広い範囲内で決定されるが、 好ましくは、 4n m〜8 nmでめる。
なお、 保護層上に、 潤滑膜が形成されていてもよい。 潤滑膜は、 通常、 フロロ カーボン樹脂系の材料からなり、 一般的には、 fl莫厚 1 nm〜2 nmである。
本発明は、 ボストァニールによって下地層 3に含有される C rを磁性層 4の結 晶粒界へ拡散させる。
図 2は、 ボストァニール後の磁気記録媒体 1の磁性層 4における結晶構造を示 す。
図 2において、 点線は粒界、 実線で囲まれた領域は C o系合金 （C r含まず） 力、らなる領域、 点線と実線に挟まれる領域は C o C r系合金からなる領域である。 図 2より、 ボストァニールにより、 C rが結晶粒界近傍のみに偏析することがわ 力る。 C rが磁 ttS 4の結晶粒界に拡散されることにより、 磁性層 4の結晶粒子 間の磁気的相互作用が Hitされる。 これにより、 磁^ 4でのノイズの発生が抑 えられる。
但し、 ボストァニールが上述のようにカーボンを主成分とする保護層 5が形成 された後に実施されると、 カーボンが結晶粒界を通って下地層 3の表面に達し、 下地層 3の C rが磁性層 4の粒界への拡散を阻害する層が形成されるので、 磁性 層 4が成膜された後且つ保護層 5を成膜する前にボストァニールを実施するのが 望ましい。 また、 保護層 5が形成される前は磁性層 4が露出しており、 この状態 で基板 2を空気中に暴露すると、 表面に酸化膜が形成される。 この酸化膜はボス トァニール中に凝縮して表面荒れを起こすので、 磁性層 4を積層した後、 真空を 維持した状態でボストァニールを実施するのが望ましい。
図 3に、 ポストアニールされた媒体 （下地層が C r、 磁性層が C o P t ) にお ける保磁力 H cおよび規格化保磁力 H c /H kの温度依存特性を示す。
図 3が示すように、 下地層から磁性層の結晶粒界への C rの拡散が 3 5 0 ° C より高い温度で誘起されることが分かる。 また、 ポストアニール温度を 3 5 0 ° C以上にすることによって、 異方性磁界 H kは変化しないにもかかわらず H e H kの値を高めることがわかる。 これらの結果は、 粒間相互作用が低減し、 磁性 層の結晶粒界への C rの拡散が促進されたことを表している。 そして、 3 0 ° C を超えるボストァニールの温度領域では、 ボストァニーノレ温度が上がるにしたが つて、 H c ZH kが高くなつていく。 これより、 ポストアニール温度によって C rの偏析を制御できることがわかる。
図 4は、 磁性層の磁性粒が成長する過程を示す図である。 なお、 磁性層として C o C r P tが、 下地層として C rが用いられている。
ボストァニールによる C rの偏析の促進させるには、 基板加熱を行わずに下地 層および磁^をスパッタ法により積層する媒体形成技術を用いることが有用で ある。 この技術では、 図 4に示されるように、 下地層の 1つの結晶粒上に 1つの 磁性粒が成長する形成状態が実現されるので、 磁性粒の平面的なサイズを下地層 の平面的な結晶粒のサイズによつて制御できる。
図 5は C o系磁性材料における添加物の濃度と異方性定数 K uとの関係を示す グラフであり、 図 5 (a) は添加物として P tを、 図 5 (b) は添加物として C rを加えたときのグラフである。 図 5 (a) と図 5 (b) から、 添加物の濃度が 高くなるにつれて、 Kuが C o単元素の Kuである 4 e + 6 (e r g/c c) よ りも低下していくのが分かる。 し力 し、 低下の度合いは、 添加物として C rを添 加したほう力 P tを添加するより大きく、 C r濃度が 5 a t %以下の領域では高 い減少率を示す。 従って、 もし、 磁性層に C o C r系合金を用いるのであれば、 C r濃度は 5 a t%以下、 できれば、 C o単元素の Kuの半分以上の Kuを得る ことができる 3 a t%以下に抑えるのが望ましい。
図 6は、 C o C r P tにおける C rと P tの比率 （C oの濃度は一定値の 7 8 %) と Kuの値との関係を示すグラフである。 図 6から、 P tの割合を減らし、 C rの割合を増加していくにつれて、 Kuの値が低下していくのがわかる。 そし て、 P tの割合が 0、 C rの添加率が実用の添加率である 2 2 %である場合では、 Kuは 4 e +5 (e r g/c c ) であり、 C o単元素の K uの約 1 Z 1 0程度と なる。
図 7は、 C oWにおける Wの添加率と Kuの値との関係を示すグラフである。 図 7より、 Wの添加率が 0〜 1 6 a t %の範囲では、 Wの添加率が高いほど u の値が大きいが、 Wの添加率が 1 6 a t%を超えると急激に Kuの値が減少して いくのが分かる。 し力 し、 C o C rにおいて、 C rを同濃度添加するよりは高い Ku値を示す。 図 7より、 磁性層に C oWを用いるならば、 W濃度は 1 6 a t % 以下にするのが望ましレヽと言える。
以上、 図 5〜図 7のグラフから、 C rの添加は Kuの値を著しく小さくし、 C Γの替わりに P tや Wを添加することにより、 Ku値の減少の鈍化、 あるいは増 加が可能となることがわかる。 なお、 磁 として C o単元素体を使用すれば、 図 5に示されるように、 高い Ku値が得られる力 腐食耐性が劣るのでパッシベ ーシヨンを強化する必要があり、 実用上不利である。 また、 C rを含有しない磁 性材料の使用により、 粒界領域を非磁性化することができない問題が生じるが、 上述のボストァニールにより下地層から磁性層の結晶粒界への C rの拡散を誘起 することにより解決される。
他方、 本発明は、 上述の磁気記録媒体を備える磁気ディスク装置にあり、 その —例を図 8およぴ図 9に示す。 図 8は、 カバーが取り外された状態における本発 明の磁気ディスク装置の平面図であり、 図 9は、 図 8の線分 A— Aに沿った断面 図である。
これらの図において、 5 0は、 ベースプレート 5 1上に設けられたスピンドル モータ 5 2によって駆動される磁気ディスクである。 本実施形態においては、 磁 気ディスクは 3枚備えられている。
5 3は、 ベースプレート 5 1上に回転可能に支持されるァクチユエータである。 ァクチユエータ 5 3の一端には、 磁気ディスク 5 0の記録面と ffi1な方向に延び る複数のヘッドアーム 5 4が形成されている。 ヘッドアームの一端には、 スプリ ングアームが取り付けられる。 スプリングアーム 5 5のフレクシヤー部にスライ ダ 4 0が図示されない絶縁膜を介して取り付けられている。 ァクチユエータ 5 3 の他端には、 コイル 5 7が取り付けられている。
ベースプレート 5 1上には、 永久磁石及びヨークによって構成された磁気回路 5 8が設けられ、 磁気回路 5 8の磁気ギャップ内に、 上記コイル 5 7が配置され る。 そして、 磁気回路 5 8とコイル 5 7とによってヴオイスコィノレモータ （V C M) が構成される。 また、 ベースプレート 5 1の上部はカバー 5 9で覆われてい る。
以下に、 上記磁気ディスク装置の動作を説明する。 磁気ディスク 5 0が停止し ているときは、 スライダ 4 0は磁気ディスク 5 0の退趣ゾーンに接触して停止し ている。 次に、 磁気ディスク装置 5 0がスピンドルモータ 5 2によって回転され ると、 磁気ディスク 5 0の回転に伴って発生する空気流によって、 スライダ 4 0 はディスク面から僅かな隙間をもって浮上する。 スライダが浮上している状態で コイル 5 7に電流が流れると、 コイル 5 7に推力が発生し、 ァクチユエータ 5 3 が回転する。 そして、 スライダ 4 0が磁気ディスク 5 0の所定のトラック上に移 動し、 データの読み出しや書き込みを行う。 本発明では、 基板に所定の膜を成膜するために図 10に示されるような DCマ グネトロンスパッタ装置 10が使用された。 スパッタ装置 20は、 図示されるよ うに、 ガスをスパッタ室 21に導入するガス供給口 22、 排気口 23、 ディスク 基板を支持するサセプタ 24、 ターゲット 25、 そしてマグネット 26を装備し ている。
C rを含有しない磁性層を用いることの効果および積層過程において基板を加 熱しないことによる効果を検証すベく、 以下に示す 3つの媒体を作製して各々の 磁気特性を測定した。
1. 媒体 A
媒体 Aの断面は図 1に示す通り、 基板 2に下地層 3、 磁性層 4、 保護層 5が積 層されている。 媒体 Aの製造プロセスは図 1 1に示される。 以下、 図 1 1に従つ て媒体 Aの製造の製造プロセスを説明する。
S 1 ：表面に厚さ 300 n mの酸化シリコン膜が形成された外径 6. 5 mm、 内 径 20mm、 厚さ 0. 635mmの S iディスクからなる基板 2の上に下地層 3 を積層した。 下地層 3は、 C rの多結晶膜からなり、 スパッタ室内を 5 e—10 T o r rに排気した後、 スパッタ室の A rガス圧を 3mT o r rの条件のもと、 基板 2の上に厚さ 5 nmに成膜された。
S 2 ：下地層 3の上に磁性層 4を積層する。 磁性層 4は、 C o P t合金多結晶膜 からなり、 スパッタ室内の A rガス圧 3mT o r r、 投入電力 100Wの条件の もと、 前記下地層 3の上に厚さ 14 nmに成膜された。 媒体 Aの磁性層 4の組成 はコノ レト 88 a t %、 白金 12 a t %である。
なお、 磁性層 4の成膜にあたっては、 基板への加熱を避けるため、 バイアス電 圧を 0Vとした。 また、 膜の高純度化を図るため、 真空のベース圧力の低減 (1 e— 9 T o r r ) と A rガスを清浄化して、 酸化性ガス成分の分圧を 1 e— 1 1 To r r以下に低減した。
S 3 ：磁性層 4が成膜された後、 真空状態を保持し、 下地層 3力ゝら磁 4への C rの拡散を十分に誘起するために 450° Cで 20秒ボストァニールを行った。 S 5 ：磁性層 4の上に保護層 5を積層する。 保護層 5は、 ポストアニールの後に 成膜され、 基板 a¾30° C、 スパッタ室の Arガス圧 3mT o r r、 投入電力 100 OWの条件のもと、 磁性層 4の上に厚さ 5 nmに成膜された。
上記のように作製された媒体 Aからは、 3. 7 e + 6 (e r gZc c) の Ku の値と、 0. 44の He /Hkの値が得られた。 ここで得られた Kuの値は、 磁 性層が Co 66C r 22P t l 2からなる媒体の K uの値である 8 e + 5 (e r g/c c) に比べて大きい。 また、 HcZHkの値は、 Crが磁性層の粒界へ拡 散したことにより形成され粒界部の非磁性化領域の幅を反映し、 0. 44という 値が得られた。 この結果より、 磁^に C rが添加されていない媒体でも十分な C rの粒界偏析が実現できることが示された。 なお、 磁 4におレ、て、 C rは 結晶粒界から 3 n m以内の領域のみに存在することが確認された。
2. 媒体 B
媒体 Bの層の構造を図 12に示す。 媒体 Bは、 媒体 Aと異なり、 C rが含有さ れた磁性層 4， を有する。 媒体 Bの製造プロセスを図 13に示す。 以下、 図 13 に従って媒体 Bの製造過程を説明する。
S 1 1 ：基板 2上に下地層 3を積層する。 基板 2の形状および材質は媒体 Aの基 板と同じである。 下地層 3は、 C rの多結晶膜からなり、 スパッタ室内を 5 e— 1 OTo r rに排気した後、 スパッタ室の Arガス圧 3mTo r r、 投入電力 1 00Wの条件のもと、 基板 2の上に厚さ 5 nmに成膜する。
S 12 :基板 2を 250° Cに加熱する。
513 ：下地層 3上に磁性層 4を成膜する。 磁性層 4， は、 C o C r基合金磁性 材料からなり、 基板 2が加熱された状態で、 スパッタ室内の A rガス圧 3 mTo r r、 投入電力 100 Wの条件のもと、 前記下地層 3の上に厚さ 14 n mに成膜 された。 媒体 Aの磁性層 4， の組成はコバルト 75 a t%、 クロム 1 3 a t %で ある。
514 ：磁†¾S4， の上に保護層 5を成膜する。 保護層 5は、 基板温度 30° C、 スパッタ室の A rガス圧 3mT o r r、 投入電力 1 kWの条件のもとで、 磁性層
4' の上に厚さ 5 nmに成膜された。
上記のように作製された媒体 Bは、 磁性層 4， に C rが添加されているため、 堆積するときに磁性粒内に含有された C rを粒界に偏祈させて、 この粒界領域の 非磁性化が行えることから、 0. 3の H cZHkの値が得られた。 し力 し、 Ku の値は 0. 7 e+6 (e r gZc c) し力得られなかった。
3. 媒体。
媒体 Cの断面形状は、 媒体 Aと同じく図 1に示す通りである。 また、 製造プロ セスもほぼ媒体 Aのプロセスを示す図 11の通りであるが、 媒体 Aの製造プロセ スと異なる点は、 磁性膜 4をスパッタ法にて成膜するときに 250° Cで基板加 熱を行った点である。
上記のように作製された媒体 Cからは、 媒体 Aと同様に、 3. 7 e+6 (e r g/c c) の Kuの値が得られた。 しかし、 磁性層の粒界への C rの拡散は起き ず、 HcZHl O. 1以下になってしまった。
上記のごとく作製された各媒体の K uおよび H c ZH kの値から、 磁性層に C rを添加しない媒体 Aおよび媒体 Cでは、 比較的大きな Kuの値が得られ、 さら に、 磁性層の成膜の際に基板を加熱しなかった媒体 Aでは、 大きな HcZHkの 値が得られることが分かる。 この結果から、 大きな Kuの値を得るには、 磁性層 に C rを添加せず、 また、 大きな H c/Hkの値を得るには、 基板を加熱せずに スパッタリングを行うのが有効であることが確認された。 産業上の利用の可能性
本発明では、 磁性層の材料として C rが添加されていない C o系合金が使用さ れるため、 Kuは高い値を維持する。 Ku値が高いことにより、 熱擾乱による磁 気特性の劣化が始まる結晶粒の体積が小さくなり、 磁性膜の薄型化が促進される。 その結果、 1ビットが占める面積の縮小が図れ、 高記録密度化が達成される。 ま た、 下地層の材料として C r系合金が使用されるため、 下地層から磁 の粒界 へ Crを拡散することができる。 Crが粒界に拡散されることにより、 磁 ft®の 粒界が非磁性化される。 その結果、 粒間の磁気的な相互作用が抑えられ、 磁気記 録媒体のノイズが低減される。
以上のように、 本発明では、 磁 tt^の薄型化、 ノイズの低減が促進され、 磁気 記録媒体の高記録密度化が図れる。

Claims

請求の範囲
1 . 基板上に積層され、 C r系の非磁性材料を含む下地層と、
前記下地層上に積層され、 少なくとも 1種の非磁性材料と C oとの合金が堆 積されてなり、 該合金の結晶粒界近傍のみに C rが存在する磁性層と、 を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体。
2 . 基板上に積層され、 C r系の非磁性材料を含む下地層と、
C r濃度が 5 a t %以下の C o C r系合金からなる磁性層と、
を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体。
3 . 前記磁 は、 2元素で構成された C o合金からなることを特徴とする請求 項 1に記載の磁気記録媒体。
4. 基板上に C r系の非磁性材料からなる下地層を積層する工程と、
前記下地層の上に、 C rとは異なる少なくとも一種の非磁性材料と C oとの合 金からなる磁性層を積層する工程と、
を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
5 . 前記磁性層および前記下地層が積層された後、 ポストアニールすることを特 徴とする請求項 4に記載の磁気記録媒体の製造方法。
6 . 前記磁性層をバイアス Sffi 0 Vの状態でスパッタ法により積層することを特 徴とする請求項 4に記載の磁気記録媒体の製造方法。
7 . 基板上に C r系の非磁性材料を含有する下地層が積層され、 該下地層の上に 少なくとも一種の非磁性材料と C oとの合金が堆積されてなり且つ該合金の結晶 粒近傍にのみ C rが存在する磁性層が積層された磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を回転させるスピンドルモータと、 前記磁気記録媒体に対し、 データの読み出し或いは書き込みを行う磁気へッド と、
前記磁気へッドを前記磁気記録媒体の雑方向に移動させるァクチユエータと、 を有することを特徴とする磁気ディスク装置。
PCT/JP1999/003174 1999-06-14 1999-06-14 Support d'enregistrement magnetique, son procede de fabrication et dispositif a disque magnetique WO2000077778A1 (fr)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020017015603A KR100639620B1 (ko) 1999-06-14 1999-06-14 자기 기록 매체 및 그 제조 방법과 자기 디스크 장치
PCT/JP1999/003174 WO2000077778A1 (fr) 1999-06-14 1999-06-14 Support d'enregistrement magnetique, son procede de fabrication et dispositif a disque magnetique
US10/008,713 US7270897B2 (en) 1999-06-14 2001-12-07 Magnetic recording medium, method of manufacturing the same medium and magnetic disc drive

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP1999/003174 WO2000077778A1 (fr) 1999-06-14 1999-06-14 Support d'enregistrement magnetique, son procede de fabrication et dispositif a disque magnetique

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US10/008,713 Continuation US7270897B2 (en) 1999-06-14 2001-12-07 Magnetic recording medium, method of manufacturing the same medium and magnetic disc drive

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2000077778A1 true WO2000077778A1 (fr) 2000-12-21

Family

ID=14235960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP1999/003174 WO2000077778A1 (fr) 1999-06-14 1999-06-14 Support d'enregistrement magnetique, son procede de fabrication et dispositif a disque magnetique

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7270897B2 (ja)
KR (1) KR100639620B1 (ja)
WO (1) WO2000077778A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005006311A1 (ja) * 2003-07-10 2005-01-20 Fujitsu Limited 多層構造膜およびその製造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6759138B2 (en) * 2001-07-03 2004-07-06 Hoya Corporation Antiferromagnetically coupled magnetic recording medium with dual-layered upper magnetic layer
JP2005536324A (ja) * 2002-06-18 2005-12-02 ダイムラークライスラー・アクチェンゲゼルシャフト 処理精度を増大させたレーザ焼結法、及びその方法に用いられる粒子

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6479919A (en) * 1987-09-22 1989-03-24 Hitachi Maxell Magnetic disk and its production
JPH08329464A (ja) * 1995-06-02 1996-12-13 Kao Corp 磁気記録媒体の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4774130A (en) * 1985-01-17 1988-09-27 Hitachi Metals, Ltd. Magnetic recording medium
JPH05101933A (ja) * 1991-10-04 1993-04-23 Hitachi Metals Ltd 磁気記録媒体
JPH05334670A (ja) * 1992-01-17 1993-12-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 磁気記録媒体およびその製造方法
US5989728A (en) * 1994-11-02 1999-11-23 International Business Machines Corporation Thin film magnetic recording medium having high coercivity
US6042939A (en) * 1995-03-08 2000-03-28 Takahashi; Migaku Magnetic recording medium and method of manufacturing the same
JPH09305968A (ja) * 1996-05-20 1997-11-28 Fujitsu Ltd 磁性記録媒体の製造方法
JP3022909B2 (ja) * 1996-10-07 2000-03-21 富士電機株式会社 磁気記録媒体およびその製造方法
US5840394A (en) * 1997-04-02 1998-11-24 Komag, Incorporated Method of manufacturing a thin film magnetic recording medium having low MrT value and high coercivity
US6139981A (en) * 1997-10-23 2000-10-31 Seagate Technology, Inc. Magnetic thin film medium with adhesion enhancement layer
US6153284A (en) * 1997-12-12 2000-11-28 Seagate Technology Llc Magnetic recording medium with high non-operational shock resistance
US6268036B1 (en) * 1998-06-26 2001-07-31 International Business Machines Corporation Thin film disk with highly faulted crystalline underlayer

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6479919A (en) * 1987-09-22 1989-03-24 Hitachi Maxell Magnetic disk and its production
JPH08329464A (ja) * 1995-06-02 1996-12-13 Kao Corp 磁気記録媒体の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005006311A1 (ja) * 2003-07-10 2005-01-20 Fujitsu Limited 多層構造膜およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20020045071A1 (en) 2002-04-18
KR100639620B1 (ko) 2006-10-30
KR20020009629A (ko) 2002-02-01
US7270897B2 (en) 2007-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3809418B2 (ja) 磁気記録媒体及び磁気記録装置
KR100342989B1 (ko) 길이방향기록용적층형박막디스크
WO2010032766A1 (ja) 垂直磁気記録媒体およびその製造方法
JP3803180B2 (ja) 磁気記録媒体及びその製造方法ならびに磁気ディスク装置
JP4585214B2 (ja) 磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録再生装置
JP2002208129A (ja) 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録装置
US6372367B1 (en) Magnetic recording medium, method for producing the same and magnetic recording apparatus using the same
US20050276998A1 (en) Magnetic recording medium, method of producing magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
JP3666853B2 (ja) 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置
JPH11339240A (ja) 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置
JP2001052330A (ja) 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録装置
JP4123806B2 (ja) 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置
JP2001076330A (ja) 磁気記録媒体およびその製造方法
WO2000077778A1 (fr) Support d&#39;enregistrement magnetique, son procede de fabrication et dispositif a disque magnetique
JP6416041B2 (ja) 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
WO2003083842A1 (fr) Support d&#39;enregistrement magnetique vertical, enregistreur magnetique comportant un tel support, procede de fabrication de support magnetique vertical, et appareil de fabrication de support magnetique vertical
JP4391010B2 (ja) 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置
JP2004272982A (ja) 垂直磁気記録媒体の製造方法及び垂直磁気記録媒体
JP3945742B2 (ja) 磁性合金と磁気記録媒体およびその製造方法と磁性膜形成用ターゲットおよび磁気記録装置
US20020001736A1 (en) Magnetic recording medium
US20060024532A1 (en) Method of producing magnetic recording medium, magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
US20030207154A1 (en) Magnetic recording medium and magnetic disc drive
WO2003085649A1 (en) Polycrystalline structure and its production method
JP2007294032A (ja) 磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録再生装置
EP1111595A1 (en) Base for magnetic recording medium, magnetic recording medium, method for producing the same, and magnetic recorder

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CN JP KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020017015603

Country of ref document: KR

ENP Entry into the national phase

Ref country code: JP

Ref document number: 2001 503169

Kind code of ref document: A

Format of ref document f/p: F

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10008713

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020017015603

Country of ref document: KR

122 Ep: pct application non-entry in european phase
WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1020017015603

Country of ref document: KR