WO2000059019A1 - Systeme de traitement au plasma - Google Patents

Description

明 細 書

プラ ズマ処理装置

技術分野

本発明はプラ ズマ処理装置に関する。

技術背景

従来、 図 6 に示すよ う に、 気密な処理室 1 2 内に上部電極 1 4 と 下部電極 1 6 と を対向配置 したプラ ズマ処理装置 1 0 が提案 さ れている。 かかる装置では、 被処理体 Wが載置 され た下部電極 1 6 に高周波電力 を印加する と 、 下部電極 1 6 と 上部電極 1 4 と の間でグロ 一放電が生 じて、 処理室 1 2 内に 導入 された処理ガス がプラ ズマ化 し、 被処理体 Wにプラ ズマ 処理が施される。

こ こ でプラ ズマ生成時には、 高周波電力特有の現象である 表皮効果に よ り 、 処理室 1 2 の内壁面に、 いわゆる グラ ン ド リ タ ー ン電流が流れる こ と が知 られている。 そ して、 力ゝカ る グラ ン ド リ タ ーン電流は、 処理室 1 2 の放電空間 1 8 の内壁 面 a 力ゝ ら 、 下部電極 1 6 の周囲に配されたノ ッ フ ル板 2 2 付 近の内壁面 b を通過 して、 バ ッ フ ル板 2 2 下方の排気空間 2 0 の内壁面 c に回 り 込み、 床面 d に到達する。 その後、 下部 電極 1 6 の昇降機構 2 4 の表面を成すベ ロ ー ズカバー 2 6 の 表面 e を流れて、 さ ら に、 昇降機構 2 4 の表面 f を通っ て、 整合器 2 8 へと 回帰する よ う に流れている。

と こ ろで、 従来、 プラ ズマ生成用の高周波電力 と して 、 比 較的低い周波数、 例えば 3 8 0 k H z の も の を使用 していた が、 近年、 よ り 高密度のプラ ズマ を生成する ために、 よ り 高 い周波数、 例えば 1 3 . 5 6 M H z や、 2 7 . 1 2 M H z の 高周波電力 を使用す る技術が開発 されている。 そ して、 こ の よ う な高い周波数の高周波電力 を用いた場合には、 従来は問 題が生 じなかっ た空間、 例えば排気空間に異常放電が生 じ る こ と が観測 さ れてい る。 かかる異常放電現象を放置 した場合 には、 各部材が消耗 して装置の寿命が短 く な つた り 、 電力ェ ネルギ一が減少 しプラ ズマ密度が低下 した り して、 ブラ ズマ 処理に不利な影響を与える ため、 何ら かの対策が必要であ る 発明の開示

本発明の 目 的は、 比較的高い周波数を使用 した場合であ つ て も 、 処理室内 に異常放電が生 じないよ う な グラ ン ド リ タ一 ン電流の経路を確保する こ と ができ る新規かつ改良 されたプ ラズマ処理装置を提供する こ と にある。

前記 目 的は以下のプラ ズマ処理装置に よ っ て達成される。 すなわち、 こ のプラ ズマ処理装置は、 気密な処理室と ； 記処 理室内に昇降 自 在に設け られ、 被処理体が載置 さ れる載置部 を有する 下部電極 と ； 下部電極に高周波電力 を供給する電力 供給系 と ； 下部電極を昇降駆動する昇降機構 と ； 昇降機構を 近接距離で実質的に囲み、 処理室の床部に達する導通経路を 成す導電性の壁体 と ； 下部電極の周囲に設け られ、 処理室の 内壁 と壁体 と を電気的に接続する 導電性部材 と ； を備えた こ と を特徴とする。

かかる構成に よれば、 処理室の内壁面—導電性部材の表面 —壁体の表面—処理室の床面—昇降機構→電力供給系へ と 回 帰する グラ ン ド リ タ ー ン電流の経路を確保する こ と ができ る こ の よ う な グラ ン ド リ タ ー ン電流の経路は図 6 に関連 して説 明 した従来の経路よ り も短い上、 昇降機構 と 壁体 と が近接距 離で対向 して異常放電が生 じゃすい昇降機構の表面 と 壁体の 表面 と の間の空間が狭小空間 と な っている ため、 プラ ズマ源 と して高い周波数 （例えば 1 0 M H z 以上） の高周波電力 を 使用 した場合でも、 異常放電が生 じない。

ま た、 本発明のよ う に昇降機構を壁体で囲んだ場合、 昇降 機構の昇降動作時に、 処理室内 に気流変化や圧力変化が生 じ 昇降機構付近に滞在するパーテ ィ ク ルが巻き 上げ られる こ と が懸念 さ れる。 そのため、 本発明の一形態では、 昇降機構 と 壁体 と の間の空間に残存する ガス を逃がすための貫通孔また は溝が壁体に形成 されている。 これに よ り 、 処理室内の気流 変化や圧力変化が緩和 され、 プ ロ セ ス に対する影響を最小限 に抑える こ と ができ る。

ま た、 本発明の一形態では、 被処理体の搬入搬出動作の妨 げにな ら ないよ う に、 被処理体が搬入搬出 さ れる 開 口 部が壁 体に設け られている。 また、 昇降機構の駆動部への付着物の 付着を防ぎ且つ被処理体の搬入搬出時に昇降機構から剥がれ 落ちた付着物が被処理体に付着する こ と を防止する ために、 昇降機構の駆動部を覆 う カ バーが昇降機構に形成 されている こ の際、 カ バーは、 少な く と も被処理体が通過する部分、 例 えば、 少な く と も駆動部 と 開 口 部 と の間に配置 さ れている こ と が好ま しい。 さ ら に、 導電性部材を、 処理室内 と排気経路 と を連通する バ ッ フ ル板 と して構成すれば、 装置構成を簡略 化でき 、 イ ニ シャ ル コ ス ト を軽減でき る。 図面の簡単な説明

図 1 は、 本発明を適用可能なエ ッチン グ装置を示す概略的 な断面図 ；

図 2 Aお よび図 2 B は、 図 1 に示すエ ッ チン グ装置の電流 導通部材を示す概略的な斜視図 ；

図 3 は、 電流導通部材の有無に よ る プラ ズマ密度の変化を 示すグラ フ ；

図 4 Aお よび図 4 B は、 図 1 に示すエ ッ チン グ装置に採用 可能な他の円筒部材を示す概略的な斜視図 ；

図 5 は、 図 1 に示すエ ッ チン グ装置に採用可能な他の導電 性部材を示す概略的な斜視図 ；

図 6 は、 従来のプラ ズマ処理装置のグラ ン ド リ ターン電流 の導通経路を説明するための概略的な断面図である。

発明を実施するための最良の形態

以下、 図面を参照 しなが ら、 本発明 に係る プラ ズマ処理装 置をプラ ズマエ ッチ ン グ装置に適用 した好適な実施形態につ いて詳細に説明する。

( 1 ) エ ッチング装置の構成

まず、 図 1 お よび図 2 を参照 しなが ら、 本実施形態が適用 されるエ ッ チング装置 1 0 0 の基本的な構成について説明す る。 図 1 に示すエ ッ チング装置 1 0 0 の処理室 1 0 2 は、 導 電性の気密な処理容器 1 0 4 内 に形成 されている。 処理容器 1 0 4 は接地さ れて レ、る。 また、 処理容器 1 0 4 の内壁表面 は薄 く 酸化処理 されている。 処理室 1 0 2 内には、 被処理体 例えば半導体 ウ ェハ （以下、 単に 「 ウ ェハ」 と 称する。 ） W を載置する載置面を備えた導電性の下部電極 1 0 6 が配置 さ れている。 また、 下部電極 1 0 6 の載置面には、 ウ ェハ Wを 吸着保持する た めの静電チャ ッ ク 1 0 5 が形成 さ れてい る。 さ ら に、 下部電極 1 0 6 には、 上記載置面を囲 う よ う に電気 絶縁性の フ ォーカ ス リ ン グ 1 ◦ 7 が設け られてい る。 ま た、 下部電極 1 0 6 は、 不図示 の駆動機構に接続された昇降軸 1 0 8 に よ り 支持 されて、 上下動 自 在に構成 さ れている。 なお 昇降軸 1 0 8 は、 下部電極 1 0 6 へ高周波電力 を供給する給 電棒と して機能する。

下部電極 1 0 6 には、 高周波電源 1 1 2 カゝ ら出力 さ れる比 較的高い周波数、 例 えば 2 7 . 1 2 M H z の高周波電力が、 整合器 1 1 4 と 昇降軸 （給電棒） 1 0 8 と を介 して印加 され る。 また、 下部電極 1 0 6 の側部およ び底部は、 例えばセ ラ ミ ッ ク ス製の絶縁部材 1 1 6 で覆われている。 ま た、 昇降軸 1 0 8 の周囲には、 昇降軸 1 0 8 と と も に昇降機構を構成す る管状部材 1 2 0 が配置 さ れている。 管状部材 1 2 0 は、 陽 極酸化処理 されたア ル ミ 二 ゥ ム な どの導電性材料か ら成 り 、 絶縁部材 1 1 6 と 整合器 1 1 4 と に接続さ れてい る。 なお、 管状部材 1 2 0 と絶縁部材 1 1 6 は、 後述の グラ ン ド リ タ 一 ン電流の導通経路を構成 している。

昇降軸 1 0 8 の周囲には、 ス テ ン レ ス な どの導電性材料か ら成る伸縮 自 在なべ ロ ーズ 1 1 8 が配置 さ れている。 ベロ 一 ズ 1 1 8 は、 絶縁部材 1 1 6 の側部およ び底部を覆 う 導電部 材 1 1 9 と 処理室 1 ◦ 2 の床部 と に各 々 接続 されてお り 、 処 理室 1 0 2 内の気密性を維持する ベ ロ ーズ 1 1 8 は、 例えば陽極酸化処理 さ れたアル ミ ニ ゥ ム製のベ ロ 一ズカノく一 1 2 2 に よ り 覆われてい る。 ベロ 一ズ カバー 1 2 2 は、 絶縁部材 1 1 6 に よ り 支持 されてお り 、 処 理時に生 じた反応生成物な どの付着物がベ ロ 一ズ 1 1 8 に付 着する こ と を防止する。 したが っ て、 ベロ ーズ 1 1 8 の伸縮 時に、 ベ ロ ーズ 1 1 8 から付着物が剥がれ落ちて、 ウ ェハ W が汚染 さ れ る こ と が防止 さ れる。 なお、 ベ ロ 一ズ 1 1 8 と べ ロ ー ズ カ バ ー 1 2 2 も 、 グラ ン ド リ タ 一 ン電流の導通経路を 構成 している。

下部電極 1 0 6 の載置面 と 対向する処理室 1 0 2 の天井部 には、 導電性の上部電極 1 2 4 が設け られている。 上部電極 1 2 4 には多数のガス吐出孔 1 2 4 a が形成 されてお り 、 ガ ス供給源 1 2 6 カゝら供給さ れる処理ガス 、 例えばフルォ ロ カ 一ボン系ガスが、 開閉バルブ 1 2 8 、 流量調整バルブ 1 3 0 およ びガス 吐出孔 1 2 4 a を介 して処理室 1 0 2 内に供給さ れる。 ま た、 処理室 1 0 2 内のガス は、 処理容器 1 0 4 の底 部に設け られた排気系 を介 して、 真空ポンプ 1 3 2 に よ り 排 気される。

処理容器 1 0 4 の外部には、 上部電極 1 2 4 と 下部電極 1 0 6 と の間に磁界を生 じ させてプラ ズマ を均一に生成 さ せる ための回転磁石 1 3 4 が配置 さ れて レ、る。 ま た、 磁石 1 3 4 の配置を妨げず、 後述の放電空間 1 4 2 内 にプラ ズマを乱す 凹凸部を形成 しない よ う に、 処理容器 1 0 4 の下部側壁に ゥ ェハ搬入出用の開 口部 1 0 4 a が設け られている。

次に、 本実施形態の特徴であ る 電流導電部材 1 3 6 につい て詳細に説明する。

図 1 、 図 2 Aおよび図 2 B に示すよ う に、 処理室 1 0 2 内 に配置 さ れた電流導通部材 1 3 6 は、 バ ッ フ ル板 （導電性部 材） 1 3 8 と 、 円筒部材 （壁体） 1 4 0 と カゝ ら構成 さ れてお り 、 グラ ン ド リ ターン電流の導通経路を形成する。 ま た、 処 理室 1 0 2 内は、 電流導電部材 1 3 6 に よ り 、 プラ ズマが生 成 さ れる放電空間 1 4 2 と 、 上述 した排気系が接続さ れた排 気空間 1 4 4 と に区画 されて レ、 る。 なお、 図 2 Aは、 電流導 通部材 1 3 6 を示す概略的な斜視図であ り 、 図 2 B は、 電流 導通部材 1 3 6 をバ ッ フ ル板 1 3 8 と 円筒部材 1 4 0 と に分 離 した状態を示す概略的な斜視図である。

ノ ッ フ ル板 1 3 8 は、 例えば陽極酸化処理されたアル ミ 二 ゥ ム製の略環状部材か ら成 り 、 下部電極 1 0 6 の周囲を囲 う よ う に配置 さ れて、 処理室 1 0 2 の内部側壁に電気的に接続 されてレ、 る。 ま た、 バ ッ フ ノレ板 1 3 8 には、 放電空間 1 4 2 内のガス を排気空間 1 4 4 内に通過 さ せる ための複数の貫通 孔 1 3 8 a 力 S形成 さ れて レ、る。 ま た、 ノく ッ フ ル板 1 3 8 の内 径は、 下部電極 1 0 6 の上下動を妨げる こ と がない大き さ に 設定されている。

一方、 円筒部材 1 4 0 は、 例えば陽極酸化処理 されたアル ミ ニ ゥ ム製の略円筒部材か ら成 り 、 下部電極 1 0 6 と べ 口 一 ズ 1 1 8 と べロ ーズカバ一 1 2 2 の周囲を囲 う よ う に配置 さ れて レ、 る 。 円筒部材 1 4 0 の上部はノく ッ フ ル板 1 3 8 の内縁 部に、 ま た、 円筒部材 1 4 0 の下部は処理室 1 0 2 の床部に それぞれ電気的に接続されている。 かかる構成に よ り 、 処理 室 1 0 2 の側壁 と ノく ッ フ ノレ板 1 3 8 と 、 ノく ッ フ ノレ板 1 3 8 と 円筒部材 1 4 0 と 、 円筒部材 1 4 0 と 処理室 1 0 2 の床部 と が電気的に導通する。 また、 円筒部材 1 4 0 の内径は、 バ ッ フル板 1 3 8 の内径と略同一に設定されている ₌

円筒部材 1 4 0 の内壁面 と ベロ ーズ 1 1 8 と の間は、 後述 の グラ ン ド リ タ ーン電流が流れた際に、 円筒部材 1 4 0 と べ ロ ーズ 1 1 8 と の間で異常放電が生 じない程度の距離に設定 されている。 当該距離はパ ッ シ ェ ンの法則か ら求める こ と が でき る。 すなわち、 パ ッ シ ェ ン の法則に よれば、 円筒部材 1 4 0 と べロ ーズ 1 1 8 と の間の距離と 、 その間の空間の圧力 と の積が小 さ く な る ほ ど、 円筒部材 1 4 0 と べロ ーズ 1 1 8 と の間で異常放電が発生する た めに必要な電圧が高 く な る。 従っ て、 該電圧が高 く なる よ う に、 円筒部材 1 4 0 と べロ ー ズ 1 1 8 と の間の距離を十分に小 さ く 、 例えば 1 m m以下に すれば、 高周波数の高周波電力 を流 した場合でも異常放電の 発生を防止でき る。

ま た、 円筒部材 1 4 0 の側壁には、 ウ ェハ W搬入出用 の開 口 部 1 4 0 a 力；設け られてレ、る。 開 口 部 1 4 0 a は、 ウ エ ノ、 Wお よび搬送機構 2 0 2 が侵入可能な大き さ に設定さ れてお り 、 処理容器 1 0 4 の開 口 部 1 0 4 a と 対向 して配置 さ れて いる。

次に、 ウ ェハ Wの搬入出工程について説明する。

まず、 不図示の駆動機構に よ り 、 下部電極 1 0 6 を所定の 載置位置ま で降下 させる。 次いで、 搬送機構 2 0 2 に よ り 、 搬送機構 2 0 2 上に載置 さ れた ウ ェハ Wを、 搬送室 2 0 0 内 力 ら、 処理容器 1 0 4 の開 口 部 1 0 4 a と 、 処理容器 1 0 4 内の排気空間 1 4 4 と 、 円筒部材 1 4 0 の開 口 部 1 4 0 a と を介 して、 円筒部材 1 4 0 内に侵入 させて、 下部電極 1 0 6 の載置面に載置する。 その後、 下部電極 1 0 6 を所定の処理 位置まで上昇 させた後、 ウ ェハ Wにエ ッチン グ処理を施す。 また、 処理後は、 上記 と 逆に、 下部電極 1 0 6 を上記載置位 置ま で降下 させた後、 下部電極 1 0 6 上の ウ ェハ Wを搬送機 構 2 0 2 に よ り 搬送室 2 0 0 内に搬出する。

円筒部材 1 4 0 の側壁には、 下部電極 1 0 6 の降下時にベ ロ ーズ 1 1 8 と 円筒部材 1 4 0 と の間の空間に滞在する ガス を排気空間 1 4 4 に放出 させる ための貫通孔 1 4 0 b が形成 されている。 かかる構成に よ り 、 下部電極 1 0 6 が降下する 際に、 上記空間内の圧力が高 く なって上記ガ ス の噴出 と と も にパーテ ィ ク ルが放電空間 1 4 2 内に巻き 上げ られて ウ ェハ Wや放電空間 1 4 2 内が汚染さ れる と いっ た事態を防止する こ と ができ る。 なお、 貫通孔 1 4 0 b に代えて、 溝を形成 し て も、 上記と 同様の効果を奏する こ と ができ る。

( 2 ) グラ ン ド リ ターン電流の伝達構成

次に、 図 1 を参照 しなが ら、 エ ッチング処理時のグラ ン ド リ タ ーン電流の伝達構成について説明する。 エ ッ チン グ処理 時には、 従来 と 同様に、 下部電極 1 0 6 と 上部電極 1 2 4 と の間に生 じ る グ ロ一放電に よ り 、 放電空間 1 4 2 を囲 う 処理 室 1 0 2 の内壁面表面 Aに グラ ン ド リ タ ー ン電流が流れる。 その後、 本実施形態に係る エ ッ チン グ装置 1 0 0 では、 処理 室 1 0 2 の内部側壁にバ ッ フ ル板 1 3 8 が電気的に接続 され てい る の で、 上記グラ ン ド リ タ ーン電流は、 処理室 1 0 2 内 壁面表面 Aカゝら ノく ッ フ ル板 1 3 8 の放電空間 1 4 2 側の表面 B に流れる。 さ ら に、 グラ ン ド リ ター ン電流は、 ノく ッ フル板 1 3 8 の表面 B か ら 、 表皮効果に よ り 排気空間 1 4 4 内 に侵 入する こ と な く 、 円筒部材 1 4 0 の内壁面表面 C を通過 して 処理室 1 0 2 の床面表面 D に流れる。 かかる構成によ り 、 グ ラ ン ド リ タ ー ン電流が排気空間 1 4 4 内に入 り 込ま ないので 排気空間 1 4 4 内に電界が生 じ る こ と がな く 、 高周波数の高 周波電力 を使用 して も 、 排気空間 1 4 4 内で異常放電が発生 する こ と がない。 その結果、 排気空間 1 4 4 内に露出する処 理室 1 0 2 の内壁面が消耗せず、 高周波エネルギーの ロ ス も 生 じ る こ と がない。 さ ら に、 放電空間 1 4 2 を形成する バ ッ フ ル板 1 3 8 は接地さ れた処理容器 1 0 4 に電気的に接続さ れてレ、る ので、 放電空間 1 4 2 内のグラ ン ド電位を一定にす る こ と ができ 、 均一なプラ ズマ を生成する こ と ができ る。 そ して、 上記グラ ン ド リ タ ーン電流は、 処理室 1 0 2 の床面表 面 D 力ゝら 、 ベロ ーズ 1 1 8 の外壁面表面 E と 、 ベロ 一ズカバ 一 1 2 2 の外壁面表面 E a と 、 絶縁部材 1 1 6 ( F a ) と 、 管状部材 1 2 0 ( F ) と を流れて、 整合器 1 1 4 に回帰する かかる構成を採用すれば、 円筒部材 1 4 0 がべロ ーズ 1. 1 8 に近接 して配置 されている ので、 以下の式 （ 1 ) から分かる よ う に、 図 6 に示す従来の装置の如 く グラ ン ド リ ター ン電流 が排気空間 2 0 内 を通過 して整合器 2 8 に回帰する場合 よ り も、 イ ンダク タ ンス を小さ く する こ と ができ 、 整合器 1 1 4 の出力側 と 入力側 と の間での電位差も小 さ く でき るの で、 異 0

11 常放電の発生を さ ら に防止する こ と ができ る。

L = ( μ _{ο ί}ι / π ) ι In (d/R) . . . ( 1 ) なお、 式 （ 1 ) において、 L はイ ン ダク タ ンス を表わ し、 ο は定数を表わ し、 は処理容器 1 0 4 内のガス の比透磁 率を表わ し、 ί はグラ ン ド リ タ ー ン電流の経路の長 さ を表わ し、 d はべ ロ ーズ 1 1 8 と 円筒部材 1 4 0 と の距離を表わ し R は処理容器 1 0 4 の厚みを表わす。

( 3 ) 実施例および比較例

次に、 図 3 を参照 しなが ら 、 上記実施形態の実施例お よび その比較例について説明する。 実施例では、 図 1 に示すエ ツ チ ン グ装置 1 0 0 を用いて、 ま た比較例では、 図 6 に示す従 来の装置 1 0 を用いて、 放電空間 1 8 , 1 4 2 内のプラ ズマ 密度を測定 した。 ま た、 放電空間 1 8 , 1 4 2 内には A r を 2 0 0 s c c mの流量で供給する と と も に、 該空間 1 8 , 1 4 2 内を 4 0 m T o r r の圧力 に維持 して、 下部電極 1 6 , 1 0 6 に 1 3 . 5 6 M H z と 2 7 . 1 2 M H z の高周波電力 をそれぞれ印加 した。

その結果、 図 3 に示すよ う に、 2 7 . 1 2 M H z の高周波 電力 を使用 した場合には、 電流導通部材 1 3 6 を採用 した方 が、 採用 しなかっ た場合よ り も 、 プラ ズマ密度が高 く な つた さ ら に、 電流導通部材 1 3 6 を採用 した場合には、 電力 を大 き く する につれて比例的にプラ ズマ密度を高める こ と ができ た。 かかる結果よ り 、 異常放電の発生が防止 されて、 高周波 エネ ルギー力； ロ ス し難いこ と 力； わ力 る 。 一方、 1 3 . 5 6 M H z の高周波電力 を使用 した場合には、 電流導通部材 1 3 6 の有無に よ る プラ ズマ密度の大き な差はなかっ た。 従っ て、 エ ッ チン グ装置 1 0 0 は、 特に高密度プラ ズマを生成可能な 1 3 . 5 6 M H z よ り も高い周波数の高周波電力 を採用する 場合に有効である こ と がわかる。

以上説明 した よ う に、 本実施形態に よれば、 処理室 1 0 2 内の異常放電を防止でき る ので、 プラ ズマ処理装置の寿命を 延長でき る。 さ ら に、 高周波エネルギーの伝達ロ ス が生 じな いの で、 高密度プラ ズマを生成する こ と ができ る。 さ ら に、 プラ ズマ生成空間内の グラ ン ド電位を一定に保て る の で、 均 一なプラ ズマを生成する こ と ができ る。

なお、 本発明はかかる構成に限定さ れる も のではない。 特 許請求の範囲に記載さ れた技術的思想の範疇において、 当業 者であれば、 各種の変更例お よび修正例に想到 し得る も ので あ り 、 それ ら変更例お よび修正例について も本発明の技術的 範囲に属する も の と 了解さ れる。 例えば、 上記実施形態では ベ ロ 一ズ 1 1 8 を全周 にわたっ て囲 う 円筒部材 1 4 0 が例に 挙げて説明 されてい る が、 本発明はかかる構成に限定 さ れる ものではな く 、 例えば図 4 A に示すよ う に一部が切断 さ れた 円筒部材 2 0 0 や、 図 4 B に示す よ う に一部が切 り 欠かれた 円筒部材 3 0 0 を採用 して も 、 本発明 を実施する こ と ができ る。 また、 上記実施形態では、 処理室 1 0 2 の内壁と 円筒部 材 1 4 0 と がノく ッ フ ル板 1 3 8 で接続された構成を例に挙げ て説明 したが、 本発明はかかる構成に限定 さ れる も のではな く 、 例えば図 5 に示すよ う に、 処理室 1 0 2 の内壁 と 円筒部 材 1 4 0 と を導電性部材 4 0 0 で接続する構成を採用 して も 本発明 を実施する こ と ができ る。 さ ら に、 上記実施形態では ノ ッ フ ル板 1 3 8 を略環状に形成 し、 円筒部材 1 4 0 を略円 筒形に形成する構成を例に挙げて説明 したが、 本発明はかか る構成に限定さ れる も の ではな く 、 壁体 1 4 0 や導電性部材 1 3 8 の形状を、 処理室 1 0 2 内の形状や下部電極 1 0 6 お よび昇降機構の配置や形状な どに応 じて適宜変更 して も 、 本 発明 を実施する こ と ができ る。 ま た、 上記実施形態では、 ベ ロ ーズカ バ一 1 2 2 を絶縁部材 1 1 6 に取 り 付け る構成を例 に挙げて説明 したが、 本発明はかかる構成に限定され る もの ではな く 、 例えばべロ ーズカ バー 1 2 2 を管状部材 1 2 0 に 取 り 付けて も、 本発明を実施する こ と ができ る。

Claims

請 求 の 範 囲

1 . 気密な処理室と ；

前記処理室内 に昇降 自 在に設け られ、 被処理体が載置 され る載置部を有する下部電極と ；

前記下部電極に高周波電力を供給する電力供給系 と ； 前記下部電極を昇降駆動する昇降機構 と ；

前記昇降機構を近接距離で実質的に囲み、 前記処理室の床 部に達する導通経路を成す導電性の壁体と ；

前記下部電極の周囲に設け られ、 前記処理室の内壁 と 前記 壁体と を電気的に接続する導電性部材と ；

を備えた こ と を特徴とするプラ ズマ処理装置。

2 . 前記壁体には、 昇降機構 と壁体 と の間の空間に残存す る ガス を逃がすための貫通孔ま たは溝が形成 されている こ と を特徴とする請求項 1 に記載のプラ ズマ処理装置。

3 . 前記壁体には、 前記被処理体が搬入搬出 される 開 口 部 が形成 さ れてい る こ と を特徴と する請求項 1 に記載のプラ ズ マ処理装置。

4 . 前記昇降機構は、 前記下部電極を前記開 口 部と 対向す る位置ま で下降 させる こ と を特徴 とする請求項 3 に記載のプ ラ ズマ処理装置。

5 . 前記昇降機構には、 前記昇降機構の駆動部を覆 う カ バ 一が形成 さ れている こ と を特徴 と する請求項 3 に記載のブラ ズマ処理装置。

6 . 前記カバ一は、 被処理体が通過する少な く と も前記駆 動部 と 前記開 口 部 と の間に配置 さ れて いる こ と を特徴 と する 請求項 5 に記載のプラ ズマ処理装置。

7 . 前記導電性部材は、 前記処理室内を排気系が接続 され る排気空間 と プラ ズマが生成さ れる放電空間 と に区画する こ と を特徴とする請求項 1 に記載のプラ ズマ処理装置。

8 . 前記導電性部材は、 複数の貫通孔を有 し、 これ ら の貫 通孔を通 じて放電空間 と排気空間 と を連通 させる バ ッ フ ル板 と して機能する こ と を特徴 と する請求項 7 に記載のプラ ズマ 処理装置。

9 . 前記電力供給系か ら供給 さ れる 高周波電力の周波数は 1 O M H z 以上であ る こ と を特徴 と する請求項 1 に記載のプ ラ ズマ処理装置。

1 0 . 前記処理室が接地 されている こ と を特徴 と する請求 項 1 に記載のプラ ズマ処理装置。