KR20010112374A - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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KR20010112374A
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Abstract

본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 기밀한 처리실과, 상기 처리실내에 승강이 자유롭게 설치되며 피처리체가 탑재되는 탑재부를 갖는 하부 전극과, 하부 전극에 고주파 전력을 공급하는 전력 공급계와, 하부 전극을 승강 구동하는 승강 기구와, 승강 기구를 근접 거리에서 실질적으로 둘러싸며 처리실의 바닥부로 도달하는 도통 경로를 구성하는 도전성의 벽체와, 하부 전극의 주위에 설치되며 처리실의 내벽과 벽체를 전기적으로 접속하는 도전성 부재를 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING SYSTEM}
종래에는, 도 6에 도시한 바와 같이, 기밀한 처리실(12)내에 상부 전극(14)과 하부 전극(16)을 대향하게 배치한 플라즈마 처리 장치(10)가 제안되어 있다. 이러한 장치에서는, 피처리체(W)가 탑재된 하부 전극(16)에 고주파 전력을 인가하면, 하부 전극(16)과 상부 전극(14)의 사이에서 글로 방전(glow discharge)이 발생하고, 처리실(12)내에 도입된 처리 가스가 플라즈마화하여, 피처리체(W)에 플라즈마 처리가 실시된다.
여기서, 플라즈마 생성시에는, 고주파 전력 특유의 현상인 표피 효과에 의해, 처리실(12)의 내벽면에 이른바 그랜드 리턴(grand return) 전류가 흐르는 것이 공지되어 있다. 그리고, 이러한 그랜드 리턴 전류는 처리실(12)의 방전 공간(18)의 내벽면(a)으로부터, 하부 전극(16)의 주위에 배치된 배플(baffle) 판(22) 부근의 내벽면(b)을 통과하고, 배플 판(22) 아래쪽의 배기 공간(20)의 내벽면(c)에 돌아 들어가 바닥면(d)에 도달한다. 그 후, 하부 전극(16)의 승강 기구(24)의 표면을 구성하는 벨로스(bellows) 커버(26)의 표면(e)을 흐르고, 또한 승강 기구(24)의 표면(f)을 통해 정합기(28)로 회귀하도록 흐르고 있다.
그런데, 종래의 플라즈마 생성용 고주파 전력으로서 비교적 낮은 주파수, 예컨대 380㎑의 것을 사용하고 있었지만, 최근 들어 보다 고밀도의 플라즈마를 생성하기 위해, 보다 높은 주파수, 예컨대 13.56㎒나 27.12㎒의 고주파 전력을 사용하는 기술이 개발되어 있다. 그리고 이와 같은 높은 주파수의 고주파 전력을 사용하는 경우에는, 종래에는 문제가 발생하지 않았던 공간, 예컨대 배기 공간에 이상 방전이 발생하는 것이 관측되었다. 이러한 이상 방전 현상을 방치할 경우에는, 각 부재가 소모하여 장치의 수명이 짧아지거나 전력 에너지가 감소하여 플라즈마 밀도가 저하하여, 플라즈마 처리에 불리한 영향을 미치기 때문에, 어떠한 대책이 필요하다.
발명의 요약
본 발명의 목적은 비교적 높은 주파수를 사용한 경우에도 처리실내에 이상 방전이 발생하지 않는 그랜드 리턴 전류의 경로를 확보할 수 있는 신규하거나 또는 개량된 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 목적은 이하의 플라즈마 처리 장치에 의해서 달성된다. 즉, 이 플라즈마 처리 장치는, 기밀한 처리실과, 상기 처리실내에 승강이 자유롭게 설치되며 피처리체가 탑재되는 탑재부를 갖는 하부 전극과, 하부 전극에 고주파 전력을 공급하는 전력 공급계와, 하부 전극을 승강 구동하는 승강 기구와, 승강 기구를 근접거리에서 실질적으로 둘러싸며 처리실의 바닥부에 도달하는 도통 경로를 구성하는 도전성의 벽체와, 하부 전극의 주위에 설치되며 처리실의 내벽과 벽체를 전기적으로 접속하는 도전성 부재를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에 의하면, 처리실의 내벽면 →도전성 부재의 표면 →벽체의 표면 →처리실의 바닥면 →승강 기구 →전력 공급계로 회귀하는 그랜드 리턴 전류의 경로를 확보할 수 있다.
이와 같은 그랜드 리턴 전류의 경로는 도 6과 관련하여 설명한 종래의 경로보다 짧아서, 승강 기구와 벽체가 근접 거리로 대향하여, 이상 방전이 발생하기 쉬운 승강 기구의 표면과 벽체의 표면과의 사이의 공간이 협소한 공간으로 되기 때문에, 플라즈마원으로서 높은 주파수(예컨대 10㎒이상)의 고주파 전력을 사용한 경우에도, 이상 방전이 발생하지 않는다.
또한, 본 발명과 같이 승강 기구를 벽체로 둘러싼 경우에는, 승강 기구의 승강 동작시, 처리실내에 기류 변화나 압력 변화가 발생하여, 승강 기구 부근에 체류하는 미립자가 감겨 올라가는 것이 염려된다. 그 때문에, 본 발명의 일 형태에서는, 승강 기구와 벽체 사이의 공간에 잔존하는 가스를 배출하기 위한 관통 구멍 또는 홈이 벽체에 형성되어 있다. 이에 의해, 처리실 내의 기류 변화나 압력 변화가 완화되어, 처리에 대한 영향을 최소한으로 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태에서는, 피처리체의 반입 및 반출 동작에 방해하지 않도록, 피처리체가 반입 및 반출되는 개구부가 벽체에 설치되어 있다. 또한, 승강 기구의 구동부로의 부착물 부착을 방지하고 또한 피처리체의 반입 및 반출시 승강 기구로부터 벗겨져 떨어진 부착물이 피처리체에 부착되는 것을 방지하기 위해, 승강 기구의 구동부를 덮는 커버가 승강 기구에 형성되어 있다. 이 때, 커버는 적어도 피처리체가 통과하는 부분, 예컨대 적어도 구동부와 개구부의 사이에 배치되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 도전성 부재를 처리실내와 배기 경로를 연통하는 배플 판으로서 구성하면, 장치 구성을 간략화 할 수 있고 최초 비용을 경감시킬 수 있다.
본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
도 1은 본 발명을 적용할 수 있는 에칭 장치를 도시하는 개략적인 단면도,
도 2a 및 도 2b는 도 1에 도시한 에칭 장치의 전류 도통 부재를 도시하는 개략적인 사시도,
도 3은 전류 도통 부재의 유무에 의한 플라즈마 밀도의 변화를 도시하는 그래프,
도 4a 및 도 4b는 도 1에 도시한 에칭 장치에 채용할 수 있는 다른 원통 부재를 도시하는 개략적인 사시도,
도 5는 도 l에 도시하는 에칭 장치에 채용할 수 있는 다른 도전성 부재를 도시하는 개략적인 사시도,
도 6은 종래의 플라즈마 처리 장치의 그랜드 리턴 전류의 도통 경로를 설명하기 위한 개략적인 단면도.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치를 플라즈마 에칭 장치에 적용한 적합한 실시 형태에 관해서 상세히 설명한다.
(1) 에칭 장치의 구성
우선, 도 1 및 도 2를 참조하여, 본 실시형태가 적용되는 에칭 장치(100)의 기본적인 구성에 대해서 설명한다. 도 1에 도시한 에칭 장치(100)의 처리실(102)은 도전성의 기밀한 처리 용기(104)내에 형성되어 있다. 처리 용기(104)는 접지되어 있다. 또한, 처리 용기(104)의 내벽 표면은 얇게 산화 처리되어 있다. 처리실(102)내에는, 피처리체, 예컨대 반도체 웨이퍼(W)(이하, 간단히 "웨이퍼"로 칭함)를 탑재하는 탑재면을 구비한 도전성의 하부 전극(106)이 배치되어 있다. 또한, 하부 전극(106)의 탑재면에는, 웨이퍼(W)를 흡착하여 유지하기 위한 정전 척(105)이 형성되어 있다. 또한, 하부 전극(106)에는, 탑재면을 둘러싸도록 전기 절연성의 포커스 링(107)이 설치되어 있다. 또한, 하부 전극(106)은 도시하지 않은 구동 기구에 접속된 승강축(108)에 의해 지지되어 상하 운동이 자유롭게 구성되어 있다. 또한, 승강축(108)은 하부 전극(106)에 고주파 전력을 공급하는 급전봉으로서 기능한다.
하부 전극(106)에는, 고주파 전원(112)으로부터 출력되는 비교적 높은 주파수, 예컨대 27.12㎒의 고주파 전력이 정합기(114)와 승강축(급전봉)(108)을 통해 인가된다. 또한, 하부 전극(106)의 측부 및 저부는, 예컨대 세라믹제의 절연 부재(116)로 덮여 있다. 또한, 승강축(108)의 주위에는, 승강축(108)과 함께 승강기구를 구성하는 관형상 부재(120)가 배치되어 있다. 관형상 부재(120)는 양극(陽極) 산화 처리된 알루미늄 등의 도전성 재료로부터 구성되며 절연 부재(116)와 정합기(114)에 접속되어 있다. 또한, 관형상 부재(120)와 절연 부재(116)는 후술하는 그랜드 리턴 전류의 도통 경로를 구성하고 있다.
승강축(108)의 주위에는 스테인레스 등의 도전성 재료로 구성되는 신축이 자유로운 벨로스(118)가 배치되어 있다. 벨로스(118)는 절연 부재(116)의 측부 및 저부를 덮는 도전 부재(119)와 처리실(102)의 바닥부에 각각 접속되어 있고, 처리실(102)내의 기밀성을 유지한다.
벨로스(118)는 예컨대 양극 산화 처리된 알루미늄제의 벨로스 커버(122)에 의해 덮여 있다. 벨로스 커버(122)는 절연 부재(116)에 의해 지지되어 있고, 처리시 발생한 반응 생성물 등의 부착물이 벨로스(118)에 부착되는 것을 방지한다. 따라서, 벨로스(118)가 신축할 때, 벨로스(118)로부터 부착물이 벗겨져 떨어지고, 웨이퍼(W)가 오염되는 것이 방지된다. 또한, 벨로스(118)와 벨로스 커버(122)가 또한 그랜드 리턴 전류의 도통 경로를 구성하고 있다.
하부 전극(106)의 탑재면과 대향하는 처리실(102)의 천정부에는, 도전성의 상부 전극(124)이 설치되어 있다. 상부 전극(124)에는 다수의 가스 토출 구멍(124a)이 형성되어 있고, 가스 공급원(126)으로부터 공급되는 처리 가스, 예컨대 플르오로카본계 가스가 개폐 밸브(128), 유량 조정 밸브(130) 및 가스 토출 구멍(124a)을 통해 처리실(102)내에 공급된다. 또한, 처리실(102)내의 가스는 처리 용기(104)의 저부에 설치된 배기계를 통해 진공 펌프(132)에 의해 배기된다.
처리 용기(104)의 외부에는, 상부 전극(124)과 하부 전극(106)의 사이에 자기장을 발생시켜 플라즈마를 균일하게 생성시키기 위한 회전 자석(134)이 배치되어 있다. 또한, 자석(134)의 배치를 방해하지 않고 후술하는 방전 공간(142)내에 플라즈마를 교란시키는 요철부를 형성하지 않도록, 처리 용기(104)의 하측 벽에 웨이퍼 반입 및 반출용의 개구부(104a)가 설치되어 있다.
다음으로, 본 실시 형태의 특징인 전류 도전 부재(136)에 관해서 상세히 설명한다.
도 1, 도 2a 및 도 2b에 도시한 바와 같이, 처리실(102)내에 배치된 전류 도통 부재(136)는 배플 판(도전성 부재)(l38)과 원통 부재(벽체)(140)로부터 구성되어 있으며, 그랜드 리턴 전류의 도통 경로를 형성한다. 또한, 처리실(102)내는 전류 도전 부재(136)에 의해 플라즈마가 생성되는 방전 공간(142)과, 상술한 배기계가 접속된 배기 공간(144)으로 구획되어 있다. 또한, 도 2a는, 전류 도통 부재(136)를 도시하는 개략적인 사시도이고, 도 2b는 전류 도통 부재(136)를 배플 판(138)과 원통 부재(140)로 분리한 상태를 도시하는 개략적인 사시도이다.
배플 판(138)은 예컨대 양극 산화 처리된 알루미늄제의 대략의 환상 부재로 구성되고, 하부 전극(106)의 주위를 둘러싸도록 배치되며, 처리실(102)의 내부측벽에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 배플 판(138)에는, 방전 공간(142)내의 가스를 배기 공간(144)내에 통과시키기 위한 복수의 관통 구멍(138a)이 형성되어 있다. 또한, 배플 판(138)의 내경은 하부 전극(106)의 상하 운동을 방해하지 않는 크기로 설정되어 있다.
한편, 원통 부재(140)는, 예컨대 양극 산화 처리된 알루미늄제의 대략의 원통 부재로 이루어지고, 하부 전극(106)과 벨로스(118)와 벨로스 커버(122)의 주위를 둘러싸도록 배치되어 있다. 원통 부재(140)의 상부는 배플 판(138)의 내연부에, 또한, 원통 부재(140)의 하부는 처리실(102)의 바닥부에, 각각 전기적으로 접속되어 있다. 이러한 구성에 의해, 처리실(102)의 측벽과 배플 판(138)이, 배플 판(138)과 원통 부재(l40)가, 또한 원통 부재(l40)와 처리실(102)의 바닥부가 전기적으로 도통한다. 또한, 원통 부재(140)의 내경은 배플 판(138)의 내경과 대략 동일하게 설정되어 있다.
원통 부재(140)의 내벽면과 벨로스(118)의 사이는, 후술하는 그랜드 리턴 전류가 흘렀을 때, 원통 부재(140)와 벨로스(118)의 사이에서 이상 방전이 발생하지 않을 정도의 거리로 설정되어 있다. 상기 거리는 파셴(Paschen)의 법칙으로 구할 수 있다. 즉, 파셴의 법칙에 의하면, 원통 부재(140)와 벨로스(118) 사이의 거리와 그 사이 공간의 압력과의 곱이 작아질수록, 원통 부재(140)와 벨로스(118)의 사이에서 이상 방전이 발생하기 위해 필요한 전압이 높아진다. 따라서, 해당 전압이 높아지도록, 원통 부재(140)와 벨로스(118)의 사이의 거리를 충분히 작게, 예컨대 1㎜ 이하로 하면, 높은 주파수의 고주파 전력을 흘린 경우에도 이상 방전의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 원통 부재(140)의 측벽에는, 웨이퍼(W) 반입 및 반출용의 개구부(140a)가 설치되어 있다. 개구부(140a)는 웨이퍼(W) 및 반송 기구(202)가 침입할 수 있는 크기로 설정되어 있고, 처리 용기(104)의 개구부(104a)와 대향하게배치되어 있다.
다음으로, 웨이퍼(W)의 반입 및 반출 공정에 관해서 설명한다.
우선, 도시하지 않은 구동 기구에 의해 하부 전극(106)을 소정의 탑재 위치까지 하강시킨다. 이어서, 반송 기구(202)에 의해 반송 기구(202)상에 탑재된 웨이퍼(W)를 반송실(200)내로부터, 처리 용기(104)의 개구부(104a)와 처리 용기(104)내의 배기 공간(144)과 원통 부재(l40)의 개구부(140a)를 통해, 원통 부재(140)내에 침입시켜, 하부 전극(106)의 탑재면에 탑재한다. 그 후, 하부 전극(106)을 소정의 처리 위치까지 상승시킨 후, 웨이퍼(W)에 에칭 처리를 실시한다. 또한, 처리 후에는, 상기와 역으로, 하부 전극(106)을 상기 탑재 위치까지 하강시킨 후, 하부 전극(106)상의 웨이퍼(W)를 반송 기구(202)에 의해 반송실(200)내로 반출한다.
원통 부재(140)의 측벽에는, 하부 전극(106)의 하강시 벨로스(118)와 원통 부재(140)의 사이의 공간에 체류하는 가스를 배기 공간(144)에 방출시키기 위한 관통 구멍(140b)이 형성되어 있다. 이러한 구성에 의해, 하부 전극(106)이 하강할 때, 상기 공간내의 압력이 높아져 상기 가스의 분출과 동시에 미립자가 방전 공간(142)내에 감겨 올라가 웨이퍼(W)나 방전 공간(142) 내부가 오염되는 사태를 방지할 수 있다. 또한, 관통 구멍(140b)에 대신하여 홈을 형성시켜도, 상기와 동일한 효과가 있다.
(2) 그랜드 리턴 전류의 전달구성
다음으로, 도 1을 참조하여, 에칭 처리시의 그랜드 리턴 전류의 전달 구성에 관해서 설명한다. 에칭 처리시, 종래와 같이, 하부 전극(106)과 상부 전극(124)의사이에 발생하는 글로 방전에 의해 방전 공간(142)을 둘러싸는 처리실(102)의 내벽면 표면(A)에 그랜드 리턴 전류가 흐르게 된다. 그 후, 본 실시 형태에 따른 에칭 장치(100)에서는 처리실(102)의 내부 측벽에 배플 판(138)이 전기적으로 접속되어 있기 때문에, 상기 그랜드 리턴 전류는 처리실(102) 내벽면 표면(A)으로부터 배플 판(138)의 방전 공간(142)측의 표면(B)으로 흐른다. 또한, 그랜드 리턴 전류는, 배플 판(138)의 표면(B)으로부터, 표피 효과에 의해 배기 공간(144) 내에 침입하지 않고, 원통 부재(140)의 내벽면 표면(C)을 통과하여, 처리실(102)의 바닥면 표면(D)으로 흐른다. 이러한 구성에 의해, 그랜드 리턴 전류가 배기 공간(144)내로 인입하지 않기 때문에, 배기 공간(144)내에 전기장이 발생되는 일이 없고, 높은 주파수의 고주파 전력을 사용하더라도, 배기 공간(144)내에서 이상 방전이 발생하는 일이 없다. 그 결과, 배기 공간(144)내로 노출되는 처리실(102)의 내벽면이 소모되지 않고, 고주파 에너지의 손실도 발생하는 일이 없다. 또한, 방전 공간(142)을 형성하는 배플 판(138)은 접지된 처리 용기(104)에 전기적으로 접속되어 있기 때문에, 방전 공간(142)내의 그랜드 전위를 일정하게 할 수 있어서, 균일한 플라즈마를 생성할 수 있다. 또한, 상기 그랜드 리턴 전류는 처리실(102)의 바닥면 표면(D)에서 벨로스(118)의 외벽면 표면(E)과 벨로스 커버(122)의 외벽면 표면(Ea)과 절연 부재(116)(Fa)와 관형상 부재(120)(F)로 흐르고, 정합기(114)로 회귀한다. 이러한 구성을 채용하면, 원통 부재(140)가 벨로스(118)에 근접하게 배치되어 있기 때문에, 하기의 수학식 1에서 알 수 있듯이, 도 6에 도시하는 종래의 장치와 같이 그랜드 리턴 전류가 배기 공간(20)내를 통과하여 정합기(28)에 회귀하는 경우보다도, 인덕턴스를 작게 할 수 있고 정합기(114)의 출력측과 입력측 사이에서의 전위차도 작게 할 수 있기 때문에, 이상 방전의 발생을 더욱 방지할 수 있다.
[수학식 1]
또한, 수학식 1에 있어서, L은 인덕턴스를 나타내고, μ0는 정수를 나타내며, μ는 처리 용기(104)내의 가스의 비투자율을 나타내며, ι는 그랜드 리턴 전류의 경로의 길이를 나타내며, d는 벨로스(118)와 원통 부재(140)의 거리를 나타내며, R은 처리 용기(104)의 두께를 나타낸다.
(3) 실시예 및 비교예
다음으로, 도 3을 참조하여, 상기 실시 형태의 실시예 및 그 비교예에 관해서 설명한다. 실시예에서는, 도 1에 도시한 에칭 장치(100)를 사용하고, 또한 비교예에서는, 도 6에 도시한 종래의 장치(10)를 사용하여, 방전 공간(18, 142)내의 플라즈마 밀도를 측정했다. 또한, 방전 공간(18, 142)내에는 Ar을 200sccm의 유량으로 공급함과 동시에, 상기 공간(l8, 142)내부를 40mTorr의 압력으로 유지하고, 하부 전극(16, 106)에 13.56㎒와 27.12㎒의 고주파 전력을 각각 인가했다.
그 결과, 도 3에 도시한 바와 같이, 27.12 ㎒의 고주파 전력을 사용한 경우에는, 전류 도통 부재(136)를 채용한 쪽이 채용하지 않은 경우보다도 플라즈마 밀도가 높아졌다. 또한, 전류 도통 부재(136)를 채용한 경우에는 전력을 크게 함에 따라서 비례적으로 플라즈마 밀도를 높일 수 있었다. 이러한 결과에 의해, 이상방전의 발생이 방지되어, 고주파 에너지가 손실되기 어렵게 되었음을 알 수 있다. 한편, 13.56㎒의 고주파 전력을 사용한 경우에는 전류 도통 부재(l36)의 유무에 의한 플라즈마 밀도의 큰 차이는 없었다. 따라서, 에칭 장치(100)는 특히 고밀도 플라즈마를 생성할 수 있는 13.56㎒보다도 높은 주파수의 고주파 전력을 채용하는 경우에 유효하다는 것을 알 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 의하면, 처리실(102)내의 이상 방전을 방지할 수 있기 때문에, 플라즈마 처리 장치의 수명을 연장할 수 있다. 또한, 고주파 에너지의 전달 손실이 발생하지 않기 때문에, 고밀도 플라즈마를 생성할 수 있다. 또한, 플라즈마 생성 공간내의 그랜드 전위를 일정하게 유지할 수 있기 때문에, 균일한 플라즈마를 생성할 수 있다.
또한, 본 발명은 이러한 구성에 한정되는 것이 아니다. 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상의 범주에 있어서, 당업자라면, 각종의 변경예 및 수정예를 실행할 수 있으므로, 이들 변경예 및 수정예도 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다. 예컨대, 상기 실시 형태에서는, 벨로스(118)를 전체 주위에 걸쳐 둘러싸는 원통 부재(140)를 예로 들어 설명했지만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되는 것이 아니라, 예컨대 도 4a에 도시한 바와 같이 일부분이 절단된 원통 부재(200)나, 또는 도 4b에 도시한 바와 같이 일부분이 줄어드는 원통 부재(300)를 채용하더라도, 본 발명을 실시할 수 있다. 또한, 상기 실시 형태에서는, 처리실(102)의 내벽과 원통 부재(140)가 배플 판(138)으로 접속된 구성을 예로 들어 설명했지만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되는 것이 아니라, 예컨대 도 5에 도시한 바와 같이, 처리실(102)의 내벽과 원통 부재(140)를 도전성 부재(400)로 접속하는 구성을 채용하더라도, 본 발명을 실시할 수 있다. 또한, 상기 실시 형태에서는, 배플 판(138)을 대략의 환상으로 형성하고, 원통 부재(140)를 대략의 원통형으로 형성하는 구성을 예로 들어 설명했지만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되는 것이 아니라, 벽체(140)나 도전성 부재(138)의 형상을 처리실(102)내의 형상이나 하부 전극(106) 및 승강 기구의 배치나 형상 등에 따라 적당히 변경하더라도, 본 발명을 실시할 수 있다. 또한, 상기 실시 형태에서는, 벨로스 커버(122)를 절연 부재(116)에 장착하는 구성을 예로 들어 설명했지만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되는 것이 아니라, 예컨대 벨로스 커버(122)를 관형상 부재(120)에 장착하더라도, 본 발명을 실시할 수 있다.

Claims (10)

  1. 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    기밀한 처리실과,
    상기 처리실내에 승강이 자유롭게 설치되며 피처리체가 탑재되는 탑재부를 갖는 하부 전극과,
    상기 하부 전극에 고주파 전력을 공급하는 전력 공급계와,
    상기 하부 전극을 승강 구동하는 승강 기구와,
    상기 승강 기구를 근접 거리에서 실질적으로 둘러싸며 상기 처리실의 바닥부로 도달하는 도통 경로를 구성하는 도전성의 벽체와,
    상기 하부 전극의 주위에 설치되며 상기 처리실의 내벽과 상기 벽체를 전기적으로 접속하는 도전성 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 승강 기구와 벽체 사이의 공간에 잔존하는 가스를 배출하기 위한 관통 구멍 또는 홈이 상기 벽체에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 피처리체가 반입 및 반출되는 개구부가 상기 벽체에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 승강 기구가 상기 하부 전극을 상기 개구부와 대향하는 위치까지 하강시키는 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 승강 기구의 구동부를 덮는 커버가 상기 승강 기구에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 커버가 적어도 상기 피처리체가 통과하는 상기 구동부와 상기 개구부의 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성 부재가 상기 처리실내를 배기계가 접속되는 배기 공간과 플라즈마가 생성되는 방전 공간으로 구획하는 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 도전성 부재가 복수의 관통 구멍을 가지며 이들 관통 구멍을 통해 방전 공간과 배기 공간을 연통시키는 배플 판으로서 기능하는 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 전력 공급계로부터 공급되는 고주파 전력의 주파수가 10㎒ 이상인 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리실이 접지되어 있는 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
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