WO2000011922A1 - Heat sink, and semiconductor laser and semiconductor laser stacker using the same - Google Patents

Heat sink, and semiconductor laser and semiconductor laser stacker using the same Download PDF

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WO2000011922A1
WO2000011922A1 PCT/JP1999/001968 JP9901968W WO0011922A1 WO 2000011922 A1 WO2000011922 A1 WO 2000011922A1 JP 9901968 W JP9901968 W JP 9901968W WO 0011922 A1 WO0011922 A1 WO 0011922A1
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semiconductor laser
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groove
sink according
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PCT/JP1999/001968
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Hirofumi Miyajima
Hirofumi Kan
Toshio Naitoh
Hirokazu Ohta
Takeshi Kanzaki
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Hamamatsu Photonics K.K.
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    • H01S5/4043—Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
    • H01S5/405—Two-dimensional arrays

Definitions

  • the present invention relates to a heat sink used for heat radiation of a heating element such as a semiconductor device, and a semiconductor laser device and a semiconductor laser device using the same.
  • the heat sink used for heat radiation of a heating element such as a semiconductor device, for example, a heat sink having a structure in which cooling water is circulated therein, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-1334979, is known. ing.
  • the heat sink includes a pipe-shaped supply channel to which pressurized cooling water is supplied, a discharge channel for discharging the cooling water, and an ejection hole for discharging the cooling water supplied to the supply channel into the discharge channel. cooling water jetted at high pressure from the c the ejection hole configured Te, the efficiency to better dissipate true upper part placed on heating element of the ejection hole. Disclosure of the invention
  • the heat sink according to the related art has the following problems. That is, since the heat sink according to the above-described related art has a pipe-shaped supply water channel, the thickness of the heat sink increases and the size of the heat sink increases.
  • an object of the present invention is to provide a thin heat sink having high heat dissipation efficiency, and a semiconductor laser device and a semiconductor laser device using the heat sink.
  • a heat sink according to the present invention includes a first plate-shaped member having a first groove formed on an upper surface, and a second plate-shaped member having a second groove formed on a lower surface.
  • a partition plate provided between the upper surface of the first flat plate member and the lower surface of the second flat plate member, wherein the partition plate includes the first groove and the partition.
  • a hole is provided for communicating a first space formed by the lower surface of the plate and a second space formed by the second groove and the upper surface of the partition plate, and the first space has A first connecting member for connecting a bottom surface of the first groove and a lower surface of the partition plate; and a supply port for supplying a fluid to the first space; And a discharge port for discharging a fluid.
  • the thickness can be reduced. Also, by providing the first connecting member, when the fluid is supplied to the first space, the fluid opposes the pressure pressing the bottom surface of the first groove and the lower surface of the partition plate. Can be. Therefore, the deformation of the first space is prevented, and thus the deformation of the second space and the heat sink as a whole are prevented. As a result, the efficiency of fluid flow is improved, the degree of adhesion between the device to be cooled and the heat sink is improved, and the efficiency of heat dissipation of the device is improved.
  • a semiconductor laser device of the present invention includes the heat sink and a semiconductor laser mounted on an upper surface of the second plate-shaped member of the heat sink.
  • the size of the semiconductor laser device can be reduced, the heat radiation efficiency of the semiconductor laser can be improved, and stable laser light can be output.
  • the semiconductor laser stack device of the present invention comprises: a first and a second heat sink; First and second semiconductor lasers, wherein the first and second heat sinks are the heat sinks, and the first semiconductor laser is a second heat sink of the first heat sink.
  • the second semiconductor laser is sandwiched between an upper surface and a lower surface of the first plate member of the second heat sink, and the second semiconductor laser is mounted on an upper surface of the second plate member of the second heat sink. It is characterized by having.
  • the size of the semiconductor laser stack device can be reduced, the heat radiation efficiency of the semiconductor laser can be improved, and stable laser light can be output.
  • FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor laser stack device.
  • FIGS. 2A to 2C are exploded perspective views of the heat sink.
  • FIG. 3 is an explanatory view of the heat sink as viewed from above.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram of the heat sink viewed from the side.
  • FIG. 5 is a perspective view of a columnar piece.
  • FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the amount of heat and the wavelength.
  • FIG. 7 to 10 are perspective views of the intermediate flat plate member.
  • FIG. 11 to FIG. 14 are perspective views of the columnar pieces.
  • FIG. 15 is a plan view of the lower flat plate member.
  • FIG. 16A and FIG. 16B are exploded perspective views of the lower flat plate member. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • a semiconductor laser hook device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
  • the semiconductor laser device and the heat sink of the present invention are included in the semiconductor laser stack device according to the present embodiment.
  • FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor laser stack device according to the present embodiment.
  • the semiconductor laser stack device 1 according to the present embodiment includes three semiconductor lasers 2a to 2c, two copper plates 3a and 3b, and two lead plates 4a and 4b. , A supply pipe 5, a discharge pipe 6, four insulating members 7a to 7d, and three heat sinks 10a to 10c.
  • each component will be described. For convenience of explanation, the description will be made assuming that the positive direction of the z-axis in FIG. 1 is up and the negative direction of the z-axis is down.
  • the semiconductor lasers 2a to 2c are semiconductor lasers having a plurality of laser emission points arranged in a predetermined direction (y-axis direction).
  • the semiconductor laser 2a has an upper surface of a heat sink 10a (an upper surface of an upper plate member 16 described later; the same applies hereinafter) and a lower surface of a heat sink 10b (a lower surface of a lower plate member 12 described below; the same applies hereinafter).
  • the semiconductor laser 2b is sandwiched between the upper surface of the heat sink 10b and the lower surface of the heat sink 10c, and the semiconductor laser 2c is mounted on the upper surface of the heat sink 10c.
  • the semiconductor lasers 2a to 2c are arranged such that the arrangement direction of the laser emission points and the upper surface of the heat sinks 10a to 10c are parallel to each other.
  • the outgoing surfaces a to 2c and one side surface of each of the heat sinks 10a to 10c are arranged on substantially the same plane.
  • the lower surface of the semiconductor laser 2a is electrically connected to the lead plate 4a via the copper plate 3a
  • the upper surface of the semiconductor laser 2c is electrically connected to the lead plate 4b via the copper plate 3b. Connected.
  • a voltage between the lead plate 4a and the lead plate 4b it becomes possible to output laser light from the semiconductor lasers 2a to 2c.
  • Each of the supply pipe 5 and the discharge pipe 6 is provided to penetrate the heat sinks 10a to 10c. More specifically, the supply pipe 5 is connected to the heat sinks 10 a to 10 c and the supply ports 44 formed therein (details will be described later), and the discharge pipe 6 is connected to the heat sink 10. It is connected to outlets 46 (details will be described later) formed in each of a to l0c. Therefore, cooling from the supply pipe 5 to the heat sinks 10a to 10 A fluid such as water can be supplied, and the cooling water can be discharged from the heat sinks 10 a to 10 c to the discharge pipe 6.
  • a fluid such as water
  • Lower surface of heat sink 10a, gap between upper surface of heat sink 10a and lower surface of heat sink 10b, gap between upper surface of heat sink 10b and lower surface of heat sink 10c, upper surface of heat sink 10c are provided with rubber insulating members 7a, 7b, 7c, 7d so as to surround the supply pipe 5 and the discharge pipe 6.
  • the insulating members 7a to 7d serve to ensure insulation between the heat sinks and prevent leakage of cooling water.
  • the heat sinks 10a to 10c have the following configuration. Since the heat sinks 10a to 10c have the same configuration, only the heat sink 10a will be described below.
  • 2A to 2C are exploded perspective views of the heat sink 10a, FIG. 3 is an explanatory view of the heat sink 10a viewed from above, and FIG. 4 is a view of the heat sink 10a viewed from the side.
  • FIG. 3 is an explanatory view of the heat sink 10a viewed from above
  • FIG. 4 is a view of the heat sink 10a viewed from the side.
  • the heat sink 10 includes a lower plate member 12 (first plate member), an intermediate plate member 14 (partition plate), and an upper plate member 16 (second plate member). Are formed by sequentially laminating the flat plate-like members) and bonding the contact surfaces by diffusion bonding, brazing or using an adhesive.
  • the lower flat plate member 12 is a copper flat plate having a thickness of about 400 ⁇ m, and has two through holes 18 and 20.
  • a supply water channel groove 22 (first groove portion) having a depth of about 200 zm is formed.
  • One end of the supply channel groove 22 is connected to the through hole 18, and the other end is expanded in the width direction of the lower flat plate member 12 (y-axis direction in FIG. 1). I have.
  • the supply channel groove 22 has a rounded corner 22a in order to reduce the flow resistance of the cooling water flowing in the heat sink 10a and reduce stagnation.
  • the supply channel groove 22 is located in the thickness direction of the lower flat plate member 12 (z-axis direction in Fig. 1).
  • a plurality of extending columnar pieces (first connecting members) 24 are provided.
  • the columnar piece 24 is a copper columnar member having one end face fixed to the supply channel groove 22 and having an elliptical cross section and a height of about 200 as shown in FIG.
  • the supply channel groove 22 and the columnar piece 24 are simultaneously formed by etching, and the supply channel groove 22 is formed by etching. After that, a separately manufactured columnar piece 24 may be bonded.
  • the upper flat plate member 16 is also a copper flat plate having a thickness of about 400 m, and has two through holes 2 6, at positions corresponding to the through holes 18, 20 of the lower flat plate member 12. It has 2 8.
  • a drain channel groove 30 (second groove) having a depth of about 200 zm is formed on the lower surface (the surface in contact with the intermediate flat plate member 14) of the upper flat plate member 16.
  • One end of the drainage channel groove 30 is connected to the through hole 28, and the other end of the groove 30 extends in the width direction of the upper flat plate member 16.
  • at least a part of the drainage channel groove 30 is formed in a portion (hatched portion in FIG. 3) overlapping with the supply channel groove 22 formed in the lower flat plate member 12.
  • the corners 30a of the discharge water channel groove 30 have a curved surface shape in order to reduce the flow resistance of the cooling water flowing in the heat sink 10a and reduce stagnation.
  • a plurality of columnar pieces (second connecting members) 32 extending in the thickness direction of the upper flat plate member 16 are provided in the drainage channel groove portion 30.
  • the columnar piece 32 is a copper columnar member having one end face fixed to the drainage channel section 30 and having an elliptical cross section as shown in FIG. 5 and a height of about 200 m.
  • the method for forming the drainage channel groove 30 and the columnar piece 32 is the same as the method for forming the supply waterway groove 22 and the columnar piece 24 described above.
  • the intermediate flat plate member 14 is a copper flat plate having a thickness of about 100 m, and has two through holes 3 4, at positions corresponding to the through holes 18, 20 of the lower flat plate member 12. Has 3 6 Also, the water supply channel groove 22 formed in the lower flat plate member 12 and the upper A plurality of water guide holes 38 are formed in a portion of the side plate member 16 that overlaps the drainage channel groove 30.
  • the cross section of the water guide hole 38 is substantially circular, and the water guide hole 38 is formed by etching the intermediate plate member 14 from both sides.
  • the upper surface of the upper flat plate member 16 has a semiconductor laser mounting area 100 on which the semiconductor laser 2a as a heating element to be cooled is mounted. Is provided at a position facing the semiconductor laser mounting area 100. That is, since the semiconductor laser 2a has a substantially rectangular parallelepiped shape, the semiconductor laser mounting area 100 has a rectangular shape, and the plurality of water guide holes 38 have a rectangular longitudinal direction (FIG. 1). (In the y-axis direction).
  • the supply water channel 40 (first space) to which the cooling water is supplied is formed by the supply water channel groove 22 formed in the flat plate member 12 and the lower surface of the intermediate flat plate member 14.
  • the upper flat plate member A discharge water channel 42 (second space) for discharging the cooling water is formed by the discharge water channel groove 30 formed in 16 and the upper surface of the intermediate flat plate member 14.
  • the water guide hole 38 has a sufficiently small cross-sectional area for jetting the cooling water supplied to the supply water channel 40 to the discharge water channel 42.
  • the columnar piece 24 has a height equal to the depth of the supply channel groove 22, the end face opposite to the end face fixed to the supply channel groove 22 has an intermediate flat plate member 1. Glued to 4. As a result, the columnar piece 24 connects the bottom surface of the supply water channel groove 22 and the lower surface of the intermediate flat plate member 14. Similarly, the columnar piece 32 connects the bottom surface of the drainage channel groove 30 and the upper surface of the intermediate flat plate member 14.
  • the through-hole 18 formed in the lower flat plate member 12, the through-hole 34 formed in the intermediate flat plate member 14, and the through-hole 26 formed in the upper flat plate member 16 are connected to each other to supply water.
  • a supply port 44 for supplying cooling water to 40 is formed and formed in the lower flat plate member 12.
  • the through hole 20, the through hole 36 formed in the intermediate flat plate member 14, and the through hole 28 formed in the upper flat plate member 16 are connected to each other to discharge the cooling water from the discharge water channel 42.
  • the cross section of the columnar piece 24 has a length in a direction (first direction) from the supply port 44 to the water guide hole 38 in a direction (second direction) substantially perpendicular to the direction. It is longer than it is.
  • the cross section of the columnar piece 32 has a length in a direction (third direction) from the headrace hole 38 to the discharge port 46 (third direction), which is longer than a length in a direction substantially perpendicular to the direction (fourth direction). It is getting longer.
  • the columnar pieces 24a and the columnar pieces 32a arranged at the portion where the supply channel 40 and the discharge channel 42 overlap are arranged at positions overlapping each other.
  • the heat sinks 10 a to 10 c are configured by three flat plate members including a lower flat plate member 12, an intermediate flat plate member 14, and an upper flat plate member 16. Therefore, the heat sinks 10a to 10c can be made extremely thin, and as a result, the semiconductor laser stack device 1 can be made extremely small.
  • the thickness of the intermediate flat plate member 14 that separates the supply water passage 40 and the discharge water passage 42 is approximately 100 m, and the lower flat plate member 12 has a portion where the supply water passage groove 22 is formed. Since the thickness is extremely thin, about 200 ⁇ m, this force mainly appears as a pressing force that presses the inner wall of the supply channel 40 in the vertical direction (the z-axis direction in Fig. 1).
  • the columnar pieces 24 provided in the supply water channel 40 are piled at the above pressing force and pull the inner wall of the water supply channel 40 to prevent the deformation of the water supply channel 40. Therefore, the efficiency of cooling water in the supply water channel 40 is improved, and the heat radiation efficiency of the semiconductor lasers 2a to 2c is improved. As a result, stable laser light can be output from the semiconductor lasers 2a to 2c. It becomes possible.
  • the discharge channel 42 is formed above the supply channel 40 via the intermediate plate member 14, and the thickness of the intermediate plate member 14 that separates the supply channel 40 from the discharge channel 42 is approximately Extremely thin, 100 m. Therefore, the discharge water channel 42 is pushed by the supply water channel 40, and a compressive force is generated to compress the discharge water channel 42 in the vertical direction (the z-axis direction in FIG. 1).
  • the columnar piece 32 provided in the discharge water channel 42 presses the inner wall of the discharge water channel 42 from the inside against the above-mentioned compressive force, and prevents the deformation water channel 42 from being deformed. Therefore, the efficiency of cooling water in the discharge channel 40 is improved, and the heat radiation efficiency of the semiconductor lasers 2a to 2c is improved. As a result, stable laser light can be output from the semiconductor lasers 2a to 2c.
  • the heat sinks 10a to 10c themselves are also prevented from being deformed. Therefore, the degree of adhesion between the semiconductor lasers 2a to 2c to be cooled and the heat sinks 10a to 10c increases, and the heat radiation efficiency of the semiconductor lasers 2a to 2c improves. As a result, it is possible to output stable laser light from the semiconductor lasers 2a to 2c.
  • FIG. 6 shows a case where a heat sink 10 a to 10 c having the columnar pieces 24 and 32 (this embodiment) and a heat sink without the columnar pieces 24 and 32 (comparative example) are used, respectively.
  • 5 is a graph showing the relationship between the amount of heat output from the semiconductor lasers 2a to 2c and the peak wavelength of the laser light output from the semiconductor lasers 2a to 2c.
  • 0.201 / min cooling water supplied to each heat sink.
  • the heat sinks 10 a to 10 c having the columnar pieces 24 and 32 are different from the heat sinks having no columnar pieces 24 and 32 in that the semiconductor lasers 2 a to Even if the amount of heat output from 2c increases, the change in the peak wavelength of the laser light output from semiconductor lasers 2a to 2c is small, and a stable laser light can be output. .
  • the heat sinks 10a to 10c can be arranged in a predetermined direction. Even when the semiconductor lasers 2a to 2c having a plurality of laser emission points arranged in a row are mounted, it is possible to easily position the light emission points and to increase the optical coupling efficiency with an externally provided optical system. Become. Further, since the rigidity of the heat sink 10 increases, the heat sink 10 can be further reduced in size and thickness.
  • the heat sinks 10 a to 10 c are formed with grooves such as a groove 22 for a supply channel and a groove 30 for a drain channel, and a channel 38.
  • Manufacture is possible by relatively simple steps such as formation of holes, and manufacture is relatively easy. As a result, the manufacture of the semiconductor laser stack device 1 becomes relatively easy.
  • the semiconductor laser stack device 1 is provided with a plurality of columnar pieces 24 or a plurality of columnar pieces 32 in the heat sinks 10a to 10c, whereby the supply channel 40 or the discharge channel 40 is deformed. Can be more efficiently prevented, and the heat radiation efficiency of the semiconductor lasers 2a to 2c can be further improved. As a result, extremely stable laser light can be output from the semiconductor lasers 2a to 2c. Further, in the semiconductor laser stack device 1 according to the present embodiment, in the heat sinks 10a to 10c, the cross section of the columnar piece 24 or the columnar piece 32 is substantially elliptical, and the major axis thereof is directed in a fixed direction.
  • the semiconductor laser stack device 1 includes, in the heat sinks 10a to 10c, a columnar piece 24a and a columnar piece 3 that are arranged in a portion where the supply water channel 40 and the discharge water channel 42 overlap. 2a are arranged at positions overlapping each other, so that the columnar piece 24a and the columnar piece 32a can jointly oppose the pressing force and the compressive force.
  • the ability of the waterway 40 and the discharge waterway 42 to prevent deformation is increased.
  • the semiconductor lasers 2a to 2a- The radiation efficiency of 2c can be improved, and more stable laser light can be output from the semiconductor lasers 2a to 2c.
  • the semiconductor laser stack device 1 should be cooled by providing the water guide holes 38 at positions facing the semiconductor laser mounting region 100 in the heat sinks 10a to 10c.
  • the semiconductor lasers 2a to 2c can be effectively cooled. As a result, stable laser light can be output from the semiconductor lasers 2a to 2c.
  • the semiconductor laser stack device 1 has a plurality of water guide holes 38 in the heat sinks 10a to 10c. As a result, the semiconductor lasers 2a to 2c can be uniformly and widely cooled. As a result, it is possible to output a spatially uniform laser beam.
  • the water conduction holes 38 of the heat sinks 10a to 10c are used for ejecting the cooling water supplied to the supply water channel 40 to the discharge water channel 42. It has a sufficiently small cross-sectional area. Therefore, the boundary layer on the inner wall of the drainage channel 42 can be broken, and the cooling efficiency of the semiconductor lasers 2a to 2c increases. As a result, it is possible to output a more stable laser beam from the semiconductor lasers 2a to 2c.
  • the semiconductor laser stack device 1 has one supply pipe 5 connected to the supply ports 44 of the heat sinks 10a to 10c, and the heat sinks 10a to 10c, respectively.
  • the discharge pipe 6 connected to the discharge port 4 6 of the other, the other connection pipe connecting the supply pipe 5 and the supply port 4 4 or the discharge pipe 6 and the discharge port 4 6
  • Other connecting pipes and the like to be connected are not required, and the size can be further reduced.
  • the plurality of water guide holes 38 are formed so as to be arranged in a line in the longitudinal direction of the semiconductor laser mounting region 100.
  • Fig. 7 It may be formed so as to be arranged in two rows with respect to the longitudinal direction of the laser mounting area 100 c.
  • a slit extending in the short direction of the semiconductor laser mounting area 100 May be formed so as to be arranged in a line in the longitudinal direction of the semiconductor laser mounting area 100.
  • one slit-shaped water guide hole 38 extending in the longitudinal direction of the semiconductor laser mounting area 100 may be formed as shown in FIG. 9, and two slit-shaped water guide holes 38 may be formed as shown in FIG. It may be.
  • the columnar pieces 24 and 32 are columnar members having an elliptical cross section, but have a columnar shape as shown in FIG. 11. It may be a member. By using the columnar pieces 24, 32 as cylindrical members, the columnar pieces 24, 32 can be easily formed, and the columnar pieces 24, 32 can be used for the water supply channel 40 and the discharge water channel 42. It is not necessary to consider the orientation at the time of arrangement. Further, the columnar pieces 24 and 32 may be columnar members having a streamlined cross section such as a blade shape as shown in FIG. 12 and a teardrop shape as shown in FIG. By making the columnar pieces 24 and 32 have such a shape, the flow resistance of the cooling water can be further reduced.
  • the columnar pieces 24 and 32 may be plate members as shown in FIG. By forming the columnar pieces 24 and 32 as plate-like members, the columnar pieces 24 and 32 can be easily formed.
  • the columnar pieces 24 have the same shape, but for example, a semiconductor laser having a length of about lcm
  • the shape (including surface shape), size, and arrangement of the columnar pieces 24 are adjusted so that the pressure loss of the flow path from the supply port 44 to the water introduction hole 38 becomes uniform. Etc. can be adjusted as appropriate.
  • the columnar pieces 24 b arranged in the portion where the flow path length from the supply port 44 to the water introduction hole 38 is short have a size of
  • the columnar piece 24c which is large and has an elliptical cross section close to a perfect circle, and which is arranged in a portion where the flow path length from the supply port 44 to the water introduction hole 38 is long (flow path C), has a size Small and narrow cross section It shall be a long ellipse.
  • the pressure loss of A, B, C becomes uniform.
  • the semiconductor laser is cooled uniformly, the wavelength unevenness and the output unevenness are eliminated, and the reliability is improved.
  • the density of the columnar pieces 24 decreases as going from the flow path A to C, and the surface of the columnar pieces 24 becomes smoother as going from the flow path A to C.
  • the columnar pieces 24 and 32 are formed on the lower flat plate member 12 and the upper flat plate member 16, respectively. It may be formed.
  • the supply channel groove 22 of the lower flat plate member 12 is formed by etching the upper surface of the lower flat plate member 12.
  • the first flat plate 12a having a hole 12c forming the side surface of the supply channel groove 22 and the supply channel groove are formed. It may be formed by overlapping and bonding the second flat plate 12 b forming the bottom surface of the second plate 22. In this case, the columnar pieces 24 are separately manufactured and adhered to the bottom surfaces of the supply channel grooves 22.
  • the upper flat plate member 16 can also be formed by laminating and bonding two flat plates in the same manner as described above. Industrial applicability
  • the present invention can be used as a semiconductor laser device and a semiconductor laser stack device used as a light source, and as a heat sink used for heat radiation of a heating element such as a semiconductor device.

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Description

明糸田書
ヒートシンク、 並びに、 これを用いた半導体レーザ装置及び半導体レーザス夕ッ ク装置 技術分野
本発明は、 半導体デバイス等の発熱体の放熱に用いられるヒートシンク、 並び に、 これを用いた半導体レーザ装置及び半導体レーザス夕ック装置に関するもの である。 背景技術
半導体デバイス等の発熱体の放熱に用いられるヒートシンクとして、 例えば特 開平 8 _ 1 3 9 4 7 9号公報に開示されているような、 内部に冷却水を環流させ る構造を有するヒートシンクが知られている。 上記ヒートシンクは、 加圧された 冷却水が供給されるパイプ状の供給水路と、 冷却水を排出する排出水路と、 供給 水路に供給された冷却水を排出水路内に噴出させる噴出孔とを備えて構成される c 上記噴出孔から高圧で噴出された冷却水は、 噴出孔の真上部に載置された発熱体 を効率よく放熱させる。 発明の開示
しかし、 上記従来技術にかかるヒートシンクには以下に示す問題点があった。 すなわち、 上記従来技術にかかるヒートシンクは、 パイプ状の供給水路を有する ため、 ヒートシンクの厚みが増し、 大型化してしまう。 ここで、 パイプの径を小 さくする等の方法でヒートシンクを薄型化することも考えられるが、 ヒートシン クを薄型化すると、 供給水路に供給される冷却水の水圧によって供給水路、 排出 水路あるいはヒートシンクの外形が変形しやすくなる。かかる変形は、供給水路、 排出水路の通水効率を低下させ、 あるいは、 冷却すべきデバイス等とヒートシン クとの密着度を低下させ、 その結果、 デバイス等の放熱効率を低下させる。 そこ で本発明は、 薄型で、 放熱効率の高いヒートシンク、 並びに、 これを用いた半導 体レーザ装置及び半導体レーザス夕ック装置を提供することを課題とする。 上記課題を解決するために、 本発明のヒートシンクは、 上面に第 1の溝部が形 成された第 1の平板状部材と、 下面に第 2の溝部が形成された第 2の平板状部材 と、 上記第 1の平板状部材の上記上面と上記第 2の平板状部材の上記下面との間 に設けられた仕切り板とを備え、 上記仕切り板には、 上記第 1の溝部と上記仕切 り板の下面とによって形成された第 1の空間と、 上記第 2の溝部と上記仕切り板 の上面とによって形成された第 2の空間とを連通する孔が設けられ、 上記第 1の 空間には、 上記第 1の溝部の底面と上記仕切り板の下面とを連結する第 1の連結 部材が設けられ、 さらに、 上記第 1の空間に流体を供給する供給口と、 上記第 2 の空間から上記流体を排出する排出口とを有することを特徴としている。
溝部を設けた第 1、 第 2の平板状部材と孔を設けた仕切り板によって構成され ることで、 薄型化が可能となる。 また、 第 1の連結部材を設けることで、 第 1の 空間に流体が供給された際に、 当該流体が第 1の溝部の底面と上記仕切り板の下 面とを押圧する圧力に対抗することができる。 従って、 第 1の空間の変形が防止 され、 ひいては、 第 2の空間の変形、 ヒートシンク全体の変形が防止される。 そ の結果、 流体の通水効率が向上し、 また、 冷却すべきデバイス等とヒートシンク との密着度が向上し、 デバイス等の放熱効率が向上する。
また、 本発明の半導体レーザ装置は、 上記ヒートシンクと、 上記ヒートシンク の上記第 2の平板状部材の上面に載置された半導体レーザとを備えたことを特徴 としている。
上記ヒートシンクを用いることで、 半導体レ一ザ装置の小型化が可能となると ともに、 半導体レーザの放熱効率が向上し、 安定したレーザ光を出力することが 可能となる。
また、 本発明の半導体レーザスタック装置は、 第 1、 第 2のヒートシンクと、 第 1、 第 2の半導体レーザとを備え、 上記第 1及び第 2のヒートシンクは、 上記 ヒートシンクであり、 上記第 1の半導体レーザは、 上記第 1のヒートシンクの上 記第 2の平板状部材の上面と上記第 2のヒートシンクの上記第 1の平板状部材の 下面とによって挟持され、 上記第 2の半導体レーザは、 上記第 2のヒートシンク の上記第 2の平板状部材の上面に載置されていることを特徴としている。
上記ヒートシンクを用いることで、 半導体レ一ザスタック装置の小型化が可能 となるとともに、 半導体レーザの放熱効率が向上し、 安定したレーザ光を出力す ることが可能となる。 図面の簡単な説明
図 1は、 半導体レーザスタック装置の斜視図である。
図 2 A〜図 2 Cは、 ヒートシンクの分解斜視図である。
図 3は、 ヒートシンクを上方から見た説明図である。
図 4は、 ヒートシンクを側方から見た説明図である。
図 5は、 柱状片の斜視図である。
図 6は、 熱量と波長との関係を示す図である。
図 7〜図 1 0は、 中間平板部材の斜視図である。
図 1 1〜図 1 4は、 柱状片の斜視図である。
図 1 5は、 下側平板部材の平面図である。
図 1 6 A及び図 1 6 Bは、 下側平板部材の分解斜視図である。 発明を実施するための最良の形態
本発明の実施形態にかかる半導体レーザス夕ック装置について、 図面を参照し て説明する。 尚、 本発明の半導体レーザ装置及びヒートシンクは、 本実施形態に かかる半導体レーザスタック装置に含まれる。
まず、 本実施形態に係る半導体レーザスタック装置の構成について説明する。 図 1は、 本実施形態に係る半導体レーザスタック装置の斜視図である。 本実施形 態にかかる半導体レーザスタック装置 1は、 図 1に示すように、 3つの半導体レ —ザ 2 a〜2 c、 2つの銅板 3 a及び 3 b、 2つのリード板 4 a及び 4 b、 供給 管 5、 排出管 6、 4つの絶縁部材 7 a〜7 d、 及び、 3つのヒートシンク 1 0 a 〜 1 0 cを備えて構成される。 以下、 各構成要素について説明する。 尚、 説明の 便宜上、 図 1の z軸正方向を上、 z軸負方向を下として説明する。
半導体レーザ 2 a〜2 cは、 所定方向 （y軸方向） に配列された複数のレーザ 出射点を有する半導体レーザである。 半導体レーザ 2 aは、 ヒートシンク 1 0 a の上面 （後述の上側平板部材 1 6の上面。 以下同じ。） とヒートシンク 1 0 bの 下面 （後述の下側平板部材 1 2の下面。 以下同じ。） とによって挟持され、 半導 体レーザ 2 bは、 ヒートシンク 1 0 bの上面とヒートシンク 1 0 cの下面とによ つて挟持され、 半導体レーザ 2 cは、 ヒートシンク 1 0 cの上面に載置されてい る。 ここで、 半導体レ一ザ 2 a〜2 cそれそれは、 レ一ザ出射点の配列方向とヒ ートシンク 1 0 a〜 1 0 cの上面とが平行となるように配置され、 また、 半導体 レーザ 2 a〜2 cそれそれの出射面と、 ヒートシンク 1 0 a〜 1 0 cそれぞれの 一つの側面とは、 略同一平面上に配置されている。
半導体レーザ 2 aの下面は、 銅板 3 aを介してリード板 4 aに電気的に接続さ れているととも、 半導体レーザ 2 cの上面は、 銅板 3 bを介してリード板 4 bに 電気的に接続されている。 ここで、 リード板 4 aとリード板 4 bとの間に電圧を 印加することで、 半導体レーザ 2 a〜 2 cからレーザ光を出力させることが可能 となる。
供給管 5、 排出管 6のそれぞれは、 ヒートシンク 1 0 a〜 1 0 cを貫通して設 けられている。 より詳細には、 供給管 5は、 ヒートシンク 1 0 a〜 1 0 cそれそ れに形成された供給口 4 4 (詳細は後述） と接続されており、 排出管 6は、 ヒ一 トシンク 1 0 a〜 l 0 cそれぞれに形成された排出口 4 6 (詳細は後述） と接続 されている。 従って、 供給管 5からヒートシンク 1 0 a〜 l 0ごに対して、 冷却 水などの流体を供給することが可能となり、 また、 ヒートシンク 1 0 a〜 1 0 c から排出管 6に対して上記冷却水を排出することが可能となる。
ヒートシンク 1 0 aの下面側、 ヒートシンク 1 0 aの上面とヒートシンク 1 0 bの下面との間隙、 ヒートシンク 1 0 bの上面とヒートシンク 1 0 cの下面との 間隙、 ヒートシンク 1 0 cの上面側それぞれには、 供給管 5及び排出管 6を囲む ように、 ゴム製の絶縁部材 7 a， 7 b , 7 c , 7 dが設けられている。 絶縁部材 7 a〜7 dは、 各ヒートシンク間の絶縁を確保するとともに、 冷却水の漏洩を防 止する役割を果たす。
ヒートシンク 1 0 a〜 1 0 cは、 以下に示すような構成となっている。 尚、 ヒ ートシンク 1 0 a〜 1 0 cそれそれは同一の構成を有するため、 以下、 ヒートシ ンク 1 0 aについてのみ説明する。 図 2 A〜図 2 Cは、 ヒートシンク 1 0 aの分 解斜視図、 図 3は、 ヒートシンク 1 0 aを上方から見た説明図、 図 4は、 ヒート シンク 1 0 aを側方から見た説明図である。
ヒートシンク 1 0は、 図 2 A〜図 2 Cに示すように、 下側平板部材 1 2 (第 1 の平板状部材） 、 中間平板部材 1 4 (仕切り板） 、 上側平板部材 1 6 (第 2の平 板状部材） を順次積層し、 接触面を拡散接合法、 ろう付けあるいは接着剤を用い て接合して形成されている。
下側平板部材 1 2は 4 0 0〃m程度の厚さを有する銅製の平板で、 2つの貫通 □ 1 8 , 2 0を有している。 下側平板部材 1 2の上面 （中間平板部材 1 4と接触 する面） 側には、 深さが約 2 0 0 z mの供給水路用溝部 2 2 (第 1の溝部） が形 成されている。 供給水路用溝部 2 2は、 一方の端部側が上記貫通口 1 8につなが つており、 他方の端部側は下側平板部材 1 2の幅方向 （図 1の y軸方向） に拡が つている。 また、 供給水路用溝部 2 2は、 ヒートシンク 1 0 a内を流れる冷却水 の流動抵抗を小さくし、 よどみを少なくするため、 隅部 2 2 aが曲面形状となつ ている。
供給水路用溝部 2 2には、 下側平板部材 1 2の厚さ方向 （図 1の z軸方向） に 延びる複数の柱状片 （第 1の連結部材） 2 4が設けられている。 柱状片 2 4は、 一方の端面が供給水路用溝部 2 2に固着されるとともに、 図 5に示されるような 断面が楕円で高さが約 2 0 0 の銅製の柱状部材である。
ここで、 上記供給水路用溝部 2 2及び柱状片 2 4の形成方法については、 供給 水路用溝部 2 2と柱状片 2 4とを同時にエッチングにより形成する、 供給水路用 溝部 2 2をエッチングによって形成した後に別途製造した柱状片 2 4を接着する、 などといつた方法が採用され得る。
上側平板部材 1 6も 4 0 0 m程度の厚さを有する銅製の平板で、 下側平板部 材 1 2の貫通口 1 8 , 2 0それぞれに対応する位置に、 2つの貫通口 2 6 , 2 8 を有している。 上側平板部材 1 6の下面 （中間平板部材 1 4と接触する面） 側に は、 深さが約 2 0 0 z mの排出水路用溝部 3 0 (第 2の溝部）が形成されている。 排出水路用溝部 3 0は、 一方の端部側が上記貫通口 2 8につながっており、 他方 の端部側は上側平板部材 1 6の幅方向に拡がっている。 ここで、 排出水路用溝部 3 0の少なくとも一部は、 下側平板部材 1 2に形成された供給水路用溝部 2 2と 重なる部分 （図 3の斜線部） に形成されている。 また、 排出水路用溝部 3 0は、 ヒートシンク 1 0 a内を流れる冷却水の流動抵抗を小さくし、 よどみを少なくす るため、 隅部 3 0 aが曲面形状となっている。
排出水路用溝部 3 0には、 上側平板部材 1 6の厚さ方向に延びる複数の柱状片 (第 2の連結部材） 3 2が設けられている。 柱状片 3 2は、 一方の端面が排出水 路用溝部 3 0に固着されるとともに、 図 5に示すような断面が楕円で高さが約 2 0 0 mの銅製の柱状部材である。 尚、 排出水路用溝部 3 0及び柱状片 3 2の形 成方法については、 上記供給水路用溝部 2 2及び柱状片 2 4の形成方法と同様で ある。
中間平板部材 1 4は、 1 0 0 m程度の厚さを有する銅製の平板で、 下側平板 部材 1 2の貫通口 1 8 , 2 0それぞれに対応する位置に、 2つの貫通口 3 4， 3 6を有している。 また、 下側平板部材 1 2に形成された供給水路用溝部 2 2と上 側平板部材 1 6に形成された排出水路用溝 3 0との重なる部分には、 複数の導水 孔 3 8が形成されている。 導水孔 3 8の断面は略円形となっており、 かかる導水 孔 3 8は、 中間平板部材 1 4を両面からエッチングすることによって形成されて いる。
ここで、 特に、 上側平板部材 1 6の上面は、 冷却すべき発熱体である半導体レ —ザ 2 aが搭載される半導体レーザ搭載領域 1 0 0を有しており、 複数の導水孔 3 8は、 当該半導体レーザ搭載領域 1 0 0に対向する位置に設けられている。 す なわち、 半導体レーザ 2 aがほぼ直方体形状を有しているため、 半導体レーザ搭 載領域 1 0 0は長方形状となり、 複数の導水孔 3 8は、 かかる長方形状の長手方 向 （図 1の y軸方向） に対して一列に配列して形成されている。
下側平板部材 1 2の上面と中間平板部材 1 4の下面、 中間平板部材 1 4の上面 と上側平板部材 1 6の下面とを接合することにより、図 3または図 4に示す如く、 下側平板部材 1 2に形成された供給水路用溝部 2 2と中間平板部材 1 4の下面と によって、 冷却水が供給される供給水路 4 0 (第 1の空間） が形成され、 同様に 上側平板部材 1 6に形成された排出水路用溝部 3 0と中間平板部材 1 4の上面と によって、 冷却水を排出する排出水路 4 2 (第 2の空間） が形成される。 ここで、 上記導水孔 3 8は、 供給水路 4 0に供給された冷却水を排出水路 4 2に噴出させ るために十分小さい断面積を有している。
また、 柱状片 2 4は供給水路用溝部 2 2の深さと等しい高さを持っていること から、 供給水路用溝部 2 2に固定されている側の端面と反対側の端面は中間平板 部材 1 4に接着される。 その結果、 柱状片 2 4は、 供給水路用溝部 2 2の底面と 中間平板部材 1 4の下面とを連結する。 同様に、 柱状片 3 2は、 排出水路用溝部 3 0の底面と中間平板部材 1 4の上面とを連結する。
下側平板部材 1 2に形成された貫通口 1 8、 中間平板部材 1 4に形成された貫 通口 3 4、 上側平板部材 1 6に形成された貫通口 2 6は連結されて、 供給水路 4 0に冷却水を供給するための供給口 4 4を形成し、 下側平板部材 1 2に形成され た貫通口 2 0、 中間平板部材 1 4に形成された貫通口 3 6、 上側平板部材 1 6に 形成された貫通口 2 8は連結されて、 排出水路 4 2から冷却水を排出する排出口 4 6を形成する。
ここで、 柱状片 2 4の断面は、 供給口 4 4から導水孔 3 8に向かう方向 （第 1- の方向） における長さが、 当該方向と略垂直な方向 （第 2の方向） における長さ よりも長くなつている。 また、 柱状片 3 2の断面は、 導水孔 3 8から排出口 4 6 に向かう方向 （第 3の方向） における長さが、 当該方向と略垂直な方向 （第 4の 方向） における長さよりも長くなつている。 また、 柱状片 2 4と柱状片 3 2との うち、 供給水路 4 0と排出水路 4 2とが重なる部分 （図 3の斜線部） に配置され る柱状片 2 4 aと柱状片 3 2 aとは、 互いに重なる位置に配置されている。
続いて、 本実施形態にかかる半導体レーザスタック装置の作用及び効果につい て説明する。 半導体レーザスタック装置 1は、 下側平板部材 1 2、 中間平板部材 1 4及び上側平板部材 1 6という 3つの平板部材によってヒートシンク 1 0 a〜 1 0 cを構成している。 従って、 ヒートシンク 1 0 a〜 1 0 cを極めて薄く構成 することができ、 その結果、 半導体レーザスタック装置 1を極めて小型に構成す ることができる。
ここで、 供給水路 4 0には、 通常 2〜4 k g f / c m 2程度に加圧された冷却 水が流されるため、 供給水路 4 0の内壁には供給水路 4 0を膨張させようとする 力が発生する。 しかし、 供給水路 4 0と排出水路 4 2とを仕切る中間平板部材 1 4の厚さが約 1 0 0〃m、 下側平板部材 1 2の供給水路用溝 2 2が形成された部 分の厚みが約 2 0 0〃mと極めて薄いため、 この力は主として供給水路 4 0の内 壁を上下方向 （図 1の z軸方向） 押圧する押圧力となって現れる。
これに対し、 供給水路 4 0に設けられた柱状片 2 4は、 上記押圧力に杭して供 給水路 4 0の内壁を引っ張り、 供給水路 4 0の変形を防止する。 従って、 供給水 路 4 0内の冷却水の通水効率が向上し、 半導体レーザ 2 a〜2 cの放熱効率が向 上する。 その結果、 半導体レーザ 2 a〜2 cから安定したレーザ光を出力するこ とが可能となる。
一方、 排出水路 4 2は、 中間平板部材 1 4を介して供給水路 4 0の上部に形成 され、 また、 供給水路 4 0と排出水路 4 2とを仕切る中間平板部材 1 4の厚さが 約 1 0 0 mと極めて薄い。 従って、 排出水路 4 2は供給水路 4 0に押され、 排 出水路 4 2を上下方向 （図 1の z軸方向） に圧縮する圧縮力が生じる。
これに対し、 排出水路 4 2に設けられた柱状片 3 2は、 上記圧縮力に抗して排 出水路 4 2の内壁を内側から押圧し、 抹出水路 4 2の変形を防止する。 従って、 排出水路 4 0内の冷却水の通水効率が向上し、 半導体レーザ 2 a〜2 cの放熱効 率が向上する。 その結果、 半導体レーザ 2 a〜2 cから安定したレーザ光を出力 することが可能となる。
また、 供給水路 4 0の変形、 及び、 排出水路 4 2の変形が防止されることから、 ヒートシンク 1 0 a〜l 0 c自体の変形が防止される。 従って、 冷却すべき半導 体レーザ 2 a〜2 cとヒートシンク 1 0 a〜l 0 cとの密着度が増し、 半導体レ —ザ 2 a〜 2 cの放熱効率が向上する。 その結果、 半導体レーザ 2 a〜 2 cから 安定したレーザ光を出力することが可能となる。
図 6は、柱状片 2 4 , 3 2を有するヒートシンク 1 0 a〜 l 0 c (本実施形態） と柱状片 2 4， 3 2を有しないヒートシンク （比較例） と用いた場合それぞれに ついて、 半導体レーザ 2 a〜2 cから出力される熱量と半導体レーザ 2 a〜2 c から出力されるレーザ光のピーク波長との関係を示すグラフである。 ここで、 そ れそれのヒートシンクには、 0 . 2 0 1 /m i nの冷却水（供給時温度： 2 0 °C ) を流している。 図 6からわかるように、 、 柱状片 2 4 , 3 2を有するヒートシン ク 1 0 a〜 l 0 cは、 柱状片 2 4， 3 2を有しないヒートシンクと比較して、 半 導体レーザ 2 a〜2 cから出力される熱量が大きくなった場合であっても、 半導 体レーザ 2 a〜 2 cから出力されるレーザ光のピーク波長の変化が少なく、 安定 したレーザ光を出力することができる。
さらに、 ヒートシンク 1 0 a〜 1 0 cの変形を防止することで、 所定方向に配 列された複数のレーザ出射点を有する半導体レーザ 2 a〜 2 cを搭載する場合で あっても、 発光点の位置決めが容易となり、 外部に設ける光学系との光結合効率 を高めることが可能となる。また、 ヒートシンク 1 0の剛性が高くなることから、 ヒートシンク 1 0のより一層の小型化、 薄型化が実現する。
また、 本実施形態にかかる半導体レーザスタック装置 1において、 ヒートシン ク 1 0 a〜 1 0 cは、 供給水路用溝部 2 2、 排出水路用溝部 3 0といった溝部の 形成、 及び、 導水孔 3 8といった孔の形成など、 比較的簡単な工程によって製造 が可能となり、 製造が比較的容易である。 その結果、 半導体レーザスタック装置 1の製造が比較的容易となる。
また、 本実施形態にかかる半導体レーザスタック装置 1は、 ヒートシンク 1 0 a〜 1 0 cにおいて、 柱状片 2 4あるいは柱状片 3 2を複数設けることで、 供給 水路 4 0あるいは排出水路 4 0の変形をより効率よく防止することができ、 半導 体レーザ 2 a〜2 cの放熱効率をさらに向上させることができる。 その結果、 半 導体レーザ 2 a〜2 cから極めて安定したレーザ光を出力することが可能となる。 また、 本実施形態にかかる半導体レーザスタック装置 1は、 ヒートシンク 1 0 a〜 1 0 cにおいて、 柱状片 2 4あるいは柱状片 3 2の断面を略楕円形とし、 そ の長軸が一定の方向を向かうように配置されることで、 冷却水の流動抵抗を小さ くすることができる。 従って、 供給水路 4 0あるいは排出水路 4 2内の冷却水の 通水効率が向上し、 半導体レーザ 2 a〜2 cの放熱効率が向上する。 その結果、 半導体レーザ 2 a〜2 cから安定したレーザ光を出力することが可能となる。 また、 本実施形態にかかる半導体レーザスタック装置 1は、 ヒートシンク 1 0 a〜 1 0 cにおいて、 供給水路 4 0と排出水路 4 2とが重なる部分に配置される 柱状片 2 4 aと柱状片 3 2 aとは、互いに重なる位置に配置されていることから、 柱状片 2 4 aと柱状片 3 2 aとが、 上記押圧力及び上記圧縮力に対して共同して 対抗することができ、 供給水路 4 0及び排出水路 4 2の変形防止能力が増す。 そ の結果、 かかる構成をとらない場合と比較して、 より一層、 半導体レーザ 2 a〜 2 cの放熱効率を向上させることができ、 半導体レーザ 2 a〜2 cからさらに安 定したレーザ光を出力することが可能となる。
また、 本実施形態にかかる半導体レーザスタック装置 1は、 ヒートシンク 1 0 a〜 l 0 cにおいて、 導水孔 3 8を半導体レーザ搭載領域 1 0 0に対向する位置 に設けていることで、 冷却すべき半導体レ一ザ 2 a〜 2 cを効果的に冷却するこ とが可能となる。 その結果、 半導体レーザ 2 a〜2 cから安定したレーザ光を出 力することが可能となる。
また、 本実施形態にかかる半導体レーザスタック装置 1は、 ヒートシンク 1 0 a〜 1 0 cにおいて、 複数の導水孔 3 8を有している。 その結果、 半導体レーザ 2 a〜2 cを均一かつ広範囲に冷却することができる。 その結果、 空間的に均一 なレーザ光を出力することが可能となる。
さらに、 本実施形態にかかる半導体レ一ザスタック装置 1は、 ヒートシンク 1 0 a〜 1 0 cの導水孔 3 8が、 供給水路 4 0に供給された冷却水を排出水路 4 2 に噴出させるために十分小さい断面積を有している。 従って、 排出水路 4 2の内 壁における境界層を破ることができ、半導体レーザ 2 a〜2 cの冷却効率が増す。 その結果、 半導体レーザ 2 a〜 2 cそれそれから、 さらに安定したレーザ光を出 力することが可能となる。
さらに、 本実施形態にかかる半導体レーザスタック装置 1は、 ヒートシンク 1 0 a〜 1 0 cそれぞれの供給口 4 4に接続された一つの供給管 5、 及び、 ヒート シンク 1 0 a〜 1 0 cそれぞれの排出口 4 6に接続された一つの排出管 6とを備 えることで、 供給管 5と供給口 4 4とを接続する他の接続管、 あるいは、 排出管 6と排出口 4 6とを接続する他の接続管等が不要となり、 より一層の小型化が図 れる。
上記実施形態にかかる半導体レーザスタック装置 1のヒートシンク 1 0 a〜 1 0 cにおいては、 複数の導水孔 3 8は、 半導体レーザ搭載領域 1 0 0の長手方向 に対して一列に配列して形成されていたが、 これは、 図 7に示すように、 半導体 レーザ搭載領域 1 0 0の長手方向に対して二列に配列して形成されていてもよい c また、 図 8に示すように、 半導体レーザ搭載領域 1 0 0の短手方向に延びるスリ ット状の導水孔 3 8力 s、 半導体レーザ搭載領域 1 0 0の長手方向に対して一列に 配列して形成されていてもよい。 また、 半導体レーザ搭載領域 1 0 0の長手方向 に延びるスリット状の導水孔 3 8が図 9に示すように一つ形成されていてもよく、 図 1 0に示すように 2つ配列して形成されていてもよい。
上記実施形態にかかる半導体レーザスタック装置 1のヒートシンク 1 0 a〜 l 0 cにおいては、 柱状片 2 4、 3 2は断面が楕円の柱状部材であったが、 図 1 1 に示すような円柱状部材であっても良い。 柱状片 2 4、 3 2を円柱状部材とする ことで、 柱状片 2 4、 3 2の形成が容易になるとともに、 柱状片 2 4、 3 2を供 給水路 4 0、 排出水路 4 2に配置する際の向きを考慮することが不要となる。 また、 柱状片 2 4、 3 2は、 図 1 2に示すような羽根形、 図 1 3に示すような 涙滴形等の流線形の断面を有する柱状部材であっても良い。 柱状片 2 4、 3 2を かかる形状とすることで、 冷却水の流動抵抗をさらに小さくすることが可能とな る。
さらに、 柱状片 2 4、 3 2は図 1 4に示すような板状部材であっても良い。 柱 状片 2 4、 3 2を板状部材とすることで、 柱状片 2 4、 3 2の形成が容易になる。 上記実施形態にかかる半導体レ一ザスタック装置 1のヒートシンク 1 0 a〜 1 0 cにおいては、 柱状片 2 4は、 同一の形状を有していたが、 例えば l c m程度 の長さを有する半導体レーザなどを均一に冷却するためには、 供給口 4 4から導 水孔 3 8への流路の圧力損失を均一にするように、 柱状片 2 4の形状 （表面形状 を含む） 、 大きさ、 配置等を適宜調整することもできる。
具体的には、 例えば、 図 1 5に示すように、 供給口 4 4から導水孔 3 8への流 路長が短い部分 （流路 A ) に配置される柱状片 2 4 bは、 サイズが大きく、 また、 断面が真円に近い楕円のものとし、 供給口 4 4から導水孔 3 8への流路長が長い 部分 （流路 C ) に配置される柱状片 2 4 cは、 サイズが小さく、 また、 断面が細 長の楕円のものとする。 このような柱状片 2 4 b、 2 4 cを用いることで、 流路
A , B , Cの圧力損失が均一となる。 その結果、 半導体レーザが均一に冷却され、 波長ムラ、 出力ムラが解消されて信頼性が向上する。 ここで、 他にも、 流路 Aか ら Cにいくに従って、 柱状片 2 4の配置される密度を小さくする、 流路 Aから C にいくに従って柱状片 2 4の表面を滑らかにする、などの方法によっても流路 、
B、 Cの圧力損失を均等にすることが可能となる。
また、 上記実施形態に係るヒートシンク 1 0において、 柱状片 2 4、 3 2はそ れそれ下側平板部材 1 2、 上側平板部材 1 6に形成していたが、 これは中間平板 部材 1 4に形成しても良い。
また、 上記実施形態にかかる半導体レーザスタック装置 1のヒートシンク 1 0 aにおいて、 下側平板部材 1 2の供給水路用溝部 2 2は、 下側平板部材 1 2の上 面をエッチングすることによって形成されていたが、 これは、 図 1 6 A及び図 1 6 Bに示すように、 供給水路用溝部 2 2の側面を形成する穴 1 2 cを有する第 1 の平板 1 2 aと供給水路用溝部 2 2の底面を形成する第 2の平板 1 2 bとを重ね て接着することによって形成されていてもよい。 この場合、 柱状片 2 4は別途製 造されて供給水路用溝部 2 2の底面に接着される。 尚、 上側平板部材 1 6につい ても上記と同様に、 2枚の平板を重ねて接着することによつて形成することもで きる。 産業上の利用可能性
本発明は、 光源として用いられる半導体レーザ装置及び半導体レーザスタック 装置、 及び、 半導体デバイス等の発熱体の放熱に用いられるヒートシンクとして 利用可能である。

Claims

言青求の範囲
1 . 上面に第 1の溝部が形成された第 1の平板状部材と、
下面に第 2の溝部が形成された第 2の平板状部材と、
前記第 1の平板状部材の前記上面と前記第 2の平板状部材の前記下面との間に 設けられた仕切り板と
を備え、
前記仕切り板には、 前記第 1の溝部と前記仕切り板の下面とによって形成され た第 1の空間と、 前記第 2の溝部と前記仕切り板の上面とによつて形成された第
2の空間とを連通する孔が設けられ、
前記第 1の空間には、 前記第 1の溝部の底面と前記仕切り板の下面とを連結す る第 1の連結部材が設けられ、
さらに、 前記第 1の空間に流体を供給する供給口と、 前記第 2の空間から前記 流体を排出する排出口とを有する
ことを特徴とするヒートシンク。
2 . 前記第 1の連結部材が複数設けられた
ことを特徴とする請求項 1に記載のヒートシンク。
3 . 前記第 1の連結部材の断面は、 略円形である
ことを特徴とする請求項 1または 2に記載のヒートシンク。
4 . 前記第 1の連結部材の断面は、 前記供給口から前記孔に向かう第 1の方向における長さが、 前記第 1の方向と略垂直な第 2の方向における長さよ りも長く、 かつ、 前記供給口側が曲線形状となっている
ことを特徴とする請求項 1または 2に記載のヒ一トシンク。
5 . 前記第 1の連結部材の断面は、 略楕円形である
ことを特徴とする請求項 4に記載のヒートシンク。
6 . 前記第 2の空間には、 前記第 2の溝部の底面と前記仕切り板の上 面とを連結する第 2の連結部材が設けられている ことを特徴とする請求項 1〜5のいずれか 1項に記載のヒートシンク。
7 . 前記第 2の連結部材が複数設けられた
ことを特徴とする請求項 6に記載のヒートシンク。
8 . 前記第 2の連結部材の断面は、 略円形である
ことを特徴とする請求項 6または 7に記載のヒートシンク。
9 . 前記第 2の連結部材の断面は、 前記孔から前記排出口に向かう第 3の方向における長さが、 前記第 3の方向と略垂直な第 4の方向における長さよ りも長く、 かつ、 前記孔側が曲線形状となっている
ことを特徴とする請求項 6または 7に記載のヒートシンク。
1 0 . 前記第 2の連結部材の断面は、 略楕円形である
ことを特徴とする請求項 9に記載のヒートシンク。
1 1 . 前記第 1の空間と前記第 2の空間とが重なる部分に配置される 前記第 1の連結部材と前記第 2の連結部材とは、 互いに重なる位置に配置されて いる
ことを特徴とする請求項 6〜 1 0のいずれか 1項に記載のヒートシンク。
1 2 . 前記第 2の平板状部材の上面は、 冷却すべき発熱体を搭載する 発熱体搭載領域を有し、
前記孔は、 前記発熱体搭載領域に対向する位置に設けられている
ことを特徴とする請求項 1〜 1 1のいずれか 1項に記載のヒートシンク。
1 3 . 前記孔が複数設けられている
ことを特徴とする請求項 1〜 1 2のいずれか 1項に記載のヒートシンク。
1 4 . 前記孔は、 前記流体を前記第 2の空間に噴出させるために十分 小さい断面積を有している
ことを特徴とする請求項 1〜 1 3のいずれか 1項に記載のヒ一トシンク。
1 5 . 請求項 1〜 1 4のいずれか 1項に記載のヒートシンクと、 前記ヒー卜シンクの前記第 2の平板状部材の上面に載置された半導体レーザと を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
1 6 . 前記半導体レーザは、 所定方向に配列された複数のレーザ出射 点を有し、
前記所定方向が前記第 2の平板状部材の上面と略平行となるように配置されてい る
ことを特徴とする請求項 1 5に記載の半導体レーザ装置。
1 7 . 第 1、 第 2のヒートシンクと、 第 1、 第 2の半導体レーザとを 備え、
前記第 1及び第 2のヒートシンクは、 請求項 1〜 1 4のいずれか 1項に記載の ヒートシンクであり、
前記第 1の半導体レーザは、 前記第 1のヒートシンクの前記第 2の平板状部材 の上面と前記第 2のヒートシンクの前記第 1の平板状部材の下面とによって挟持 され、
前記第 2の半導体レ一ザは、 前記第 2のヒートシンクの前記第 2の平板状部材 の上面に載置されている
ことを特徴とする半導体レーザス夕ック装置。
1 8 . 前記第 1及び第 2の半導体レーザは、 所定方向に配列された複 数のレーザ出射点を有し、 前記所定方向が前記第 1及び第 2の平板状部材上面と 略平行となるように配置されている
ことを特徴とする請求項 1 7に記載の半導体レーザスタック装置。
1 9 . 前記第 1のヒートシンクの前記供給口と前記第 2のヒートシン クの前記供給口との双方に接続された供給管と、
前記第 1のヒートシンクの前記排出口と前記第 2のヒートシンクの前記排出口 との双方に接続された排出管と
をさらに備えたことを特徴とする請求項 1 7または 1 8に記載の半導体レーザス 夕ック装置。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005268305A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Mitsubishi Electric Corp ヒートシンク
US7161806B2 (en) 2003-09-18 2007-01-09 Fuji Electric Systems Co., Ltd. Heat sink and method for its production
JP2008277364A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 電気回路装置の冷却構造
US7567598B2 (en) 2004-03-17 2009-07-28 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor laser equipment
JP2009176871A (ja) * 2008-01-23 2009-08-06 Mitsubishi Electric Corp ヒートシンクおよび電気機器
US7885299B2 (en) 2004-03-17 2011-02-08 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor laser equipment
JP2012168216A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Ricoh Co Ltd 熱交換装置及び画像形成装置
JP2012198502A (ja) * 2011-03-07 2012-10-18 Ricoh Co Ltd 熱交換装置及び画像形成装置

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6792017B2 (en) 2002-09-26 2004-09-14 The Regents Of The University Of California High energy laser beam dump
KR20040076650A (ko) * 2003-02-26 2004-09-03 삼성전자주식회사 광픽업 장치
US7416922B2 (en) * 2003-03-31 2008-08-26 Intel Corporation Heat sink with preattached thermal interface material and method of making same
JP2005166855A (ja) 2003-12-02 2005-06-23 Hitachi Ltd 電子機器
US7495916B2 (en) 2007-06-19 2009-02-24 Honeywell International Inc. Low cost cold plate with film adhesive
JP5287922B2 (ja) * 2011-04-19 2013-09-11 株式会社豊田自動織機 冷却装置
JP2014127543A (ja) * 2012-12-26 2014-07-07 Sony Corp 冷却装置および半導体レーザ装置
US9437523B2 (en) * 2014-05-30 2016-09-06 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Two-sided jet impingement assemblies and power electronics modules comprising the same
US11095091B2 (en) 2016-06-20 2021-08-17 TeraDiode, Inc. Packages for high-power laser devices
JP6726769B2 (ja) * 2016-06-20 2020-07-22 テラダイオード， インコーポレーテッド 高出力レーザデバイスのためのパッケージ
WO2019009172A1 (ja) * 2017-07-07 2019-01-10 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体レーザ装置
CN212109693U (zh) * 2019-01-28 2020-12-08 达纳加拿大公司 冷板热交换器
US10935330B2 (en) * 2019-03-20 2021-03-02 Senior Uk Limited Heat exchangers capable of bidirectional fluid flow
US11629917B2 (en) * 2019-07-23 2023-04-18 Dana Canada Corporation Three-layer heat exchanger with internal manifold for battery thermal management
JP7106013B2 (ja) * 2019-09-04 2022-07-25 三菱電機株式会社 ヒートシンクおよび半導体モジュール
DE102020205184A1 (de) * 2020-04-23 2021-10-28 Karlsruher Institut für Technologie Stromzuführung und Verfahren zur ihrer Herstellung
EP4333049A1 (en) * 2022-08-29 2024-03-06 Ovh Cooling block for cooling a heat-generating electronic component

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05304383A (ja) * 1992-04-28 1993-11-16 Showa Alum Corp 高出力電子機器用ヒートシンク
JPH08213523A (ja) * 1995-02-03 1996-08-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 冷却モジュールおよびその製造方法
JPH10185467A (ja) * 1996-12-26 1998-07-14 Furukawa Electric Co Ltd:The アルミニウム製ヒートパイプの製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4494171A (en) * 1982-08-24 1985-01-15 Sundstrand Corporation Impingement cooling apparatus for heat liberating device
DE4017749C2 (de) * 1989-03-18 1993-12-16 Abb Patent Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Flüssigkeitskühlkörpers aus elektrisch isolierendem Material
US5005640A (en) * 1989-06-05 1991-04-09 Mcdonnell Douglas Corporation Isothermal multi-passage cooler
US5105429A (en) * 1990-07-06 1992-04-14 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Modular package for cooling a laser diode array
US5079619A (en) * 1990-07-13 1992-01-07 Sun Microsystems, Inc. Apparatus for cooling compact arrays of electronic circuitry
JPH05152475A (ja) * 1991-09-30 1993-06-18 Toshiba Corp 半導体装置
JPH06326226A (ja) * 1993-03-15 1994-11-25 Toshiba Corp 冷却装置
DE4315580A1 (de) * 1993-05-11 1994-11-17 Fraunhofer Ges Forschung Anordnung aus Laserdioden und einem Kühlsystem sowie Verfahren zu deren Herstellung
JPH07249721A (ja) * 1994-03-10 1995-09-26 Fuji Electric Co Ltd 電力用半導体素子の冷却体
JP3512249B2 (ja) * 1994-11-08 2004-03-29 浜松ホトニクス株式会社 ヒートシンク
JP3462598B2 (ja) * 1994-11-08 2003-11-05 浜松ホトニクス株式会社 ヒートシンク付レーザダイオードアレイ
JP3528375B2 (ja) * 1994-11-30 2004-05-17 住友電気工業株式会社 基板およびこれを用いた放熱基板、半導体装置、素子搭載装置
DE19506093C2 (de) * 1995-02-22 2000-12-07 Dilas Diodenlaser Gmbh Diodenlaserbauelement
JPH09102568A (ja) * 1995-10-05 1997-04-15 Mitsubishi Electric Corp プレート型ヒートシンク
US5745514A (en) * 1996-04-26 1998-04-28 Opto Power Corporation Laser diode structure with integrated heat sink
JP3816194B2 (ja) * 1996-11-22 2006-08-30 ファナック株式会社 冷却装置、光源装置、面発光装置、およびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05304383A (ja) * 1992-04-28 1993-11-16 Showa Alum Corp 高出力電子機器用ヒートシンク
JPH08213523A (ja) * 1995-02-03 1996-08-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 冷却モジュールおよびその製造方法
JPH10185467A (ja) * 1996-12-26 1998-07-14 Furukawa Electric Co Ltd:The アルミニウム製ヒートパイプの製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1143779A4 *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7161806B2 (en) 2003-09-18 2007-01-09 Fuji Electric Systems Co., Ltd. Heat sink and method for its production
US7371615B2 (en) 2003-09-18 2008-05-13 Fuji Electric Systems, Co., Ltd. Heat sink and method for its production
JP2005268305A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Mitsubishi Electric Corp ヒートシンク
JP4522725B2 (ja) * 2004-03-16 2010-08-11 三菱電機株式会社 ヒートシンク
US7567598B2 (en) 2004-03-17 2009-07-28 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor laser equipment
US7885299B2 (en) 2004-03-17 2011-02-08 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor laser equipment
JP2008277364A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 電気回路装置の冷却構造
JP2009176871A (ja) * 2008-01-23 2009-08-06 Mitsubishi Electric Corp ヒートシンクおよび電気機器
JP2012168216A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Ricoh Co Ltd 熱交換装置及び画像形成装置
JP2012198502A (ja) * 2011-03-07 2012-10-18 Ricoh Co Ltd 熱交換装置及び画像形成装置

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