JP3512249B2 - ヒートシンク - Google Patents
ヒートシンクInfo
- Publication number
- JP3512249B2 JP3512249B2 JP27357094A JP27357094A JP3512249B2 JP 3512249 B2 JP3512249 B2 JP 3512249B2 JP 27357094 A JP27357094 A JP 27357094A JP 27357094 A JP27357094 A JP 27357094A JP 3512249 B2 JP3512249 B2 JP 3512249B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- water
- cooling
- laser diode
- heat sink
- channel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
シンクに関するものである。 【0002】 【従来の技術】従来、この種のヒートシンクとしては、
例えば、図3に示す高出力LD(レーザーダイオード)
アレイ用のヒートシンクがある。ここで、同図(a)は
このヒートシンクの断面図、同図(b)は平面図を示し
ている。このLDアレイ用ヒートシンクには、LD発振
波長の動的な変動を抑えることはもちろんのこと、出射
されたレーザビームの空間的なばらつきを最小限に抑制
する機能を果たすことが必要とされる。このため、この
ヒートシンクではLDアレイの放熱を円滑に行うために
水冷構造が備えられている。つまり、放熱体1には上面
水路2aと下面水路2bとの2層構造をした水路2が設
けられている。この水路2の注入口3から取り込まれた
冷却水は上面水路2aにおいて広げられる。広げられた
冷却水はLDアレイ4を一様に冷却し、冷却後、下面水
路2bを通って排出口5に戻される。放熱体1はシリコ
ン結晶からなり、上面水路2aおよび下面水路2bはこ
のシリコン(Si)結晶が微細加工されて形成されてい
る。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のヒートシンクにおいては、上記のように微細加工技
術を用いて上面水路2aおよび下面水路2bを形成して
いるため、ヒートシンクの作製工程が複雑になるという
問題があった。また、Siは機械的に脆いため、ヒート
シンクの耐久性にも問題があった。 【0004】本発明はこのような課題を解消するために
なされたもので、棒状に形成されたレーザダイオードア
レイの全体を一様に冷却し、前記レーザダイオードアレ
イを構成する各レーザダイオード素子の間での発振波長
のばらつきを抑えるためのヒートシンクであって、レー
ザダイオードアレイに接触させられる放熱体と、この放
熱体に形成された水路とを備え、この水路に冷却水を流
してレーザダイオードアレイを冷却するヒートシンクに
おいて、水路は、小孔が形成され加圧水が供給される加
圧水路と、小孔から噴射された冷却水が当てられるレー
ザダイオードアレイの近傍に設けられた冷却部と、この
冷却部で用いられた冷却水を排出する排出水路とから構
成されおり、冷却部に凹凸が形成されており、加圧水路
に他の部分よりも加圧水の流れる方向に垂直な断面の径
が大きい水溜部が形成され、この水溜部に小孔が複数形
成されており、放熱体が銅製であることを特徴とするも
のである。 【0005】 【0006】 【0007】 【作用】小孔から噴射された冷却水は冷却部に高圧で噴
きつけられ、発熱体から冷却部に伝わった熱はこの冷却
水によって効果的に奪われる。一方、本構造は脆いシリ
コン結晶を用いなくても構成される。 【0008】また、冷却部に凹凸が形成されていると、
冷却部の表面積は増大し、冷却水との接触面積は増大す
る。 【0009】また、加圧水路に水溜部が形成され、この
水溜部に複数の小孔が形成されていると、各小孔から噴
射される高圧の冷却水は冷却部に同時に噴きつけられ
る。 【0010】 【実施例】図1は本発明の一実施例によるヒートシンク
を示す側面図であり、図2はこのヒートシンクの上面図
である。 【0011】放熱体11の上面端部には発熱体であるL
Dバー12が載置されている。このLDバー12はLD
が棒状に形成されたものであり、放熱体11の端部にお
いて図1の紙面に垂直な方向に延びている。LDバー1
2から出射されたレーザービームはマイクロレンズ13
によって集束されて出射される。放熱体11の内部には
LDバー12を冷却するための水路が形成されている。
水路は、加圧水路14と冷却部15と排出水路16とか
ら構成されている。加圧水路14は円筒状の銅製パイプ
からなり、この加圧水路14の端部には直角に太めの銅
製パイプが溶接され、水溜部14aが形成されている。
この水溜部14aには、LDバー12の配設方向に沿っ
て複数の小孔17が形成されている。これら加圧水路1
4および水溜部14aは放熱体11の内部に形成された
空洞部に挿入、固定されて構成されている。この空洞部
は、厚さ1mmの銅板からなる放熱体11の内部が切削
されて形成されている。LDバー12の下方にある空洞
部は冷却部15を構成しており、LDバー12の近傍の
冷却部15には凹凸面15aが形成されている。この凹
凸面15aは、各小孔17から噴射される冷却水が噴き
つけられる位置に形成されている。放熱体11の残余の
空洞部は排出水路16を構成している。 【0012】このような構成において、加圧水路14に
注入された冷却水は高圧力になり、加圧された冷却水は
各小孔17から噴射する。噴射した冷却水は凹凸面15
aに噴きつけられ、排出水路16に集められて排出され
る。 【0013】本実施例によるヒートシンクにおいては、
小孔17から噴射された冷却水は冷却部15の内壁に高
圧で噴きつけられ、LDバー12から冷却部15に伝わ
った熱はこの冷却水によって効果的に奪われる。一方、
本実施例によるヒートシンクは、耐久性の高い銅板およ
び銅製パイプによって形成され、従来のように脆いシリ
コン結晶を用いなくても構成できる。このため、ヒート
シンクの作製工程に微細で複雑な従来の加工工程が必要
とされなくなり、比較的容易に耐久性の高いヒートシン
クを製造することが可能となる。 【0014】また、冷却水が噴きつけられる冷却部15
の内壁に凹凸面15aが形成されているため、冷却部1
5の表面積は増大する。よって、冷却部15と冷却水と
の接触面積が増大するため、LDバー12から冷却部1
5に伝えられた熱はより効率的に冷却水に奪われ、ヒー
トシンクの熱交換の効率は向上する。 【0015】また、加圧水路14に水溜部14aが形成
され、この水溜部14aに複数の小孔17が形成されて
いるため、各小孔17から噴射される高圧の冷却水は冷
却部15に同時に噴きつけられる。このため、棒状に長
く形成されたLDバー12であっても、多量の冷却水に
よって全体的に効率良く冷却される。 【0016】 【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、小
孔から噴射された冷却水は冷却部に高圧で噴きつけら
れ、発熱体から冷却部に伝わった熱はこの冷却水によっ
て効果的に奪われる。一方、本構造は脆いシリコン結晶
を用いなくても構成できる。このため、ヒートシンクの
作製工程に微細で複雑な加工工程が必要とされなくな
り、比較的容易に耐久性の高いヒートシンクを製造する
ことが可能となる。 【0017】また、冷却部に凹凸が形成されていると、
冷却部の表面積は増大し、冷却水との接触面積は増大す
る。このため、発熱体から冷却部に伝えられた熱はより
効率的に冷却水に奪われ、ヒートシンクの熱交換の効率
は向上する。 【0018】また、加圧水路に水溜部が形成され、この
水溜部に複数の小孔が形成されていると、各小孔から噴
射される高圧の冷却水は冷却部に同時に噴きつけられ
る。このため、発熱体は全体的に効率良く冷却される。
面図である。 【図2】本実施例によるヒートシンクを示す上面図であ
る。 【図3】従来のヒートシンクを示す図である。 【符号の説明】 11…放熱体、12…LDバー、13…マイクロレン
ズ、14…加圧水路、14a…水溜部、15…冷却部、
15a…凹凸面、16…排出水路、17…小孔。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 棒状に形成されたレーザダイオードアレ
イの全体を一様に冷却し、前記レーザダイオードアレイ
を構成する各レーザダイオード素子の間での発振波長の
ばらつきを抑えるためのヒートシンクであって、 前記レーザダイオードアレイに接触させられる放熱体
と、この放熱体に形成された水路とを備え、この水路に
冷却水を流して前記レーザダイオードアレイを冷却する
ヒートシンクにおいて、 前記水路は、小孔が形成され加圧水が供給される加圧水
路と、前記小孔から噴射された冷却水が当てられる前記
レーザダイオードアレイの近傍に設けられた冷却部と、
この冷却部で用いられた冷却水を排出する排出水路とか
ら構成されおり、 前記冷却部に凹凸が形成されており、 前記加圧水路に他の部分よりも加圧水の流れる方向に垂
直な断面の径が大きい水溜部が形成され、この水溜部に
前記小孔が複数形成されており、 前記放熱体が銅製であることを特徴とするヒートシン
ク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27357094A JP3512249B2 (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | ヒートシンク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27357094A JP3512249B2 (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | ヒートシンク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08139479A JPH08139479A (ja) | 1996-05-31 |
JP3512249B2 true JP3512249B2 (ja) | 2004-03-29 |
Family
ID=17529652
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27357094A Expired - Lifetime JP3512249B2 (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | ヒートシンク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3512249B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4224217B2 (ja) * | 1998-08-18 | 2009-02-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザスタック装置 |
DE69936226T2 (de) | 1998-08-18 | 2008-01-24 | Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu | Kühlkörper, und halbleiterlaservorrichtung mit einem solchen kühlkörper |
JP3878869B2 (ja) | 2002-03-06 | 2007-02-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体発光装置 |
KR101173320B1 (ko) | 2003-10-15 | 2012-08-10 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광장치 |
JP2005268445A (ja) | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ装置 |
JP4074259B2 (ja) | 2004-03-17 | 2008-04-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ装置 |
-
1994
- 1994-11-08 JP JP27357094A patent/JP3512249B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08139479A (ja) | 1996-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10862265B2 (en) | Low size and weight, high power fiber laser pump | |
US5828683A (en) | High density, optically corrected, micro-channel cooled, v-groove monolithic laser diode array | |
US7466732B2 (en) | Laser diode package with an internal fluid cooling channel | |
JP3816194B2 (ja) | 冷却装置、光源装置、面発光装置、およびその製造方法 | |
JP3951919B2 (ja) | 冷却装置、および半導体レーザ光源装置 | |
US5084886A (en) | Side-pumped laser system with independent heat controls | |
US6310900B1 (en) | Laser diode package with heat sink | |
US5140607A (en) | Side-pumped laser with angled diode pumps | |
US6895026B2 (en) | Heat sink and semiconductor laser apparatus and semiconductor laser stack apparatus using the same | |
US5901167A (en) | Air cooled gas laser | |
Skidmore et al. | Silicon monolithic microchannel-cooled laser diode array | |
JP4646166B2 (ja) | レーザダイオードモジュールからなる光源 | |
JP2007096326A (ja) | レーザダイオード装置、少なくとも1つのレーザダイオード装置を有するレーザシステムおよび光学式ポンピングレーザ | |
JP3512249B2 (ja) | ヒートシンク | |
US20060215715A1 (en) | Heat sink, laser module, laser device, and laser-processing device | |
EP0973237A1 (en) | Semiconductor laser device | |
US20210408759A1 (en) | Packages for high-power laser devices | |
US5504764A (en) | Micro-heatpipe cooling of solid-state slab | |
US11824324B2 (en) | Diode laser arrangement and method for producing a diode laser arrangement | |
US20020114374A1 (en) | Mirror for laser applications and method for manufacture of said mirror | |
US7349453B2 (en) | Direct impingement cooling of a laser diode array | |
JP4354151B2 (ja) | ヒートシンク | |
JP7382498B2 (ja) | 高出力レーザデバイスのためのパッケージ | |
CN113937615A (zh) | 用于激光器的冷却组件及冷却方法 | |
JP2001308423A (ja) | 冷却ブロック及びこれを備えたld装置並びにこれを励起光源とする固体レーザ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040106 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090116 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090116 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100116 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140116 Year of fee payment: 10 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |