JP4675690B2 - レーザスタック装置 - Google Patents
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- 発熱体を冷却する第1のヒートシンクおよび第2のヒートシンクと、第1の半導体レーザ素子と、第2の半導体レーザ素子とを備えるレーザスタック装置であって、
前記第1のヒートシンクおよび第2のヒートシンクは、それぞれ、
第1の凹部が形成された上面を有する導電性の第1の平板と、
第2の凹部が形成された下面および前記発熱体が搭載されるべき上面を有する導電性の第2の平板と、
前記第1の凹部を覆う下面、前記第2の凹部を覆う上面、および前記第1の凹部を前記第2の凹部に連通させる一つ以上の貫通孔を有する導電性の仕切り板と、
前記第1および第2の凹部の一方から延在し、当該ヒートシンクに冷媒を流入させる冷媒流入口と、
前記第1および第2の凹部の他方から延在し、当該ヒートシンクから冷媒を流出させる冷媒流出口と、を備え、
前記第1および第2の平板は、共に第1の熱膨張率を有しており、
前記仕切り板は、前記第1の熱膨張率よりも低い第2の熱膨張率を有し、
前記第1および第2の平板は、前記仕切り板よりも高い熱伝導率を有し、
前記第1および第2の平板は、Cuから構成され、
前記仕切り板は、Ni、Au、W、Pt、Tiまたはステンレススチールから構成され、
前記第1の半導体レーザ素子は、前記第1のヒートシンクの前記第2の平板の上面と、前記第2のヒートシンクの前記第1の平板の下面との間に配置され、前記第1の熱膨張率よりも低い熱膨張率を有しており、
前記第2の半導体レーザ素子は、前記第2のヒートシンクの前記第2の平板の上面に搭載され、前記第1の熱膨張率よりも低い熱膨張率を有している、レーザスタック装置。
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