JP2006352019A - ヒートシンク並びにこれを有するレーザ装置およびレーザスタック装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体レーザ素子に加わる応力を低減するヒートシンクを提供する。
【解決手段】ヒートシンク１０ａは、第１の平板１２、仕切り板１４および第２の平板１６を有している。第１の平板は、第１の凹部２２が形成された上面を有する。第２の平板は、第２の凹部３０が形成された下面と、半導体レーザ素子２ａが搭載される上面を有する。これらの凹部は冷媒用流路の一部を成す。仕切り板は、第１の凹部を覆う下面、第２の凹部を覆う上面、および第１の凹部を第２の凹部に連通させる一つ以上の貫通孔３８を有する。第１および第２の平板は、共に第１の熱膨張率を有している。仕切り板は、第１の熱膨張率よりも低い第２の熱膨張率を有している。これにより、ヒートシンク全体の熱膨張率が低減されるので、半導体レーザ素子に生じる応力歪が低減される。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体デバイス等の発熱体の冷却に用いられるヒートシンク並びにこれを用いた半導体レーザ装置および半導体レーザスタック装置に関する。

近年では、高出力のレーザダイオードを効果的に冷却するために、水冷式のヒートシンクを使用することが多い。冷却効率を高めるため、ヒートシンクは熱伝導率の高い材料から構成されることが望ましい。更に、ヒートシンクの材料は、レーザダイオードの熱膨張率に近い熱膨張率を有することが望ましい。これは、レーザダイオードの駆動時の発熱や、レーザダイオードのオンオフの繰り返しによって生じる温度変化によってレーザダイオードおよびヒートシンクが熱的に伸縮すると、両者の熱膨張率の違いに起因してレーザダイオードに応力歪が生じ、レーザダイオードの特性が劣化するからである。しかしながら、熱伝導率が高く、レーザダイオードと同程度の熱膨張率を有する材料は高価であるため、ヒートシンクの全体をこのような材料で構成すると、製造コストが極めて大きくなってしまう。

下記の特許文献１には、レーザダイオードを効果的に冷却すると共に、熱膨張率の差に起因するレーザダイオード特性の劣化を防止することの可能なヒートシンクが開示されている。このヒートシンクは、３枚のプレート（上板、仕切り板および下板）が積層された構造を有している。上板には、レーザダイオードを搭載するサブマウント部が設けられており、このサブマウント部のみが、レーザダイオードと同程度の熱膨張率を有する材料で構成されている。製造コストを抑えるため、上板のうちサブマウント部を除く部分（ベース部）、仕切り板および下板は、銅を主成分とする材料から構成されており、レーザダイオードよりも高い熱膨張率を有している。
特開平２００４−１８６５２７号公報

しかしながら、サブマウント部と他の部分とで熱膨張率の違いが大きいため、レーザダイオードの温度変化に応じてサブマウント部に大きな応力が加わり、それがサブマウント部上のレーザダイオードに応力歪を生じさせるおそれがある。また、サブマウント部と他の部分との界面に接合疲労が生じ、サブマウント部が脱離する可能性もある。

本発明は上記に鑑みなされたもので、発熱体の応力歪を低減することの可能なヒートシンク並びにこれを有するレーザ装置およびレーザスタック装置を提供することを課題とする。

一つの側面において、本発明は、発熱体を冷却するヒートシンクに関する。このヒートシンクは、第１の凹部が形成された上面を有する導電性の第１の平板と、第２の凹部が形成された下面および発熱体が搭載されるべき上面を有する導電性の第２の平板と、第１の凹部を覆う下面、第２の凹部を覆う上面、および第１の凹部を第２の凹部に連通させる一つ以上の貫通孔を有する導電性の仕切り板と、第１および第２の凹部の一方から延在し、当該ヒートシンクに冷媒を流入させる冷媒流入口と、第１および第２の凹部の他方から延在し、当該ヒートシンクから冷媒を流出させる冷媒流出口とを備えている。第１および第２の平板は、共に第１の熱膨張率を有している。仕切り板は、第１の熱膨張率よりも低い第２の熱膨張率を有している。

仕切り板が第１および第２の平板よりも低い熱膨張率を有するため、仕切り板が第１および第２の平板の熱伸縮を妨げ、ヒートシンク全体の熱膨張率を低減する。発熱体が第１および第２の平板より低い熱膨張率を有する場合は、ヒートシンクの熱膨張率が発熱体の熱膨張率に近づくことになる。また、同じ熱膨張率を有する第１および第２の平板によって仕切り板が狭まれているので、発熱体の温度変化に際してヒートシンクが湾曲しにくい。この結果、発熱体に生じる応力歪を低減することができる。

第１の平板は、仕切り板よりも高い熱伝導率を有していてもよい。この構成によれば、第１の平板と発熱体との間で熱交換の効率が高まると共に、ヒートシンクの熱放散性も高まるので、良好な冷却性能を得ることができる。

第１および第２の平板は、Ｃｕから構成されていてもよい。Ｃｕは、非常に高い熱伝導率を有しており、また、安価である。したがって、Ｃｕは、第１および第２平板の材料として優れている。

仕切り板は、Ｎｉ、Ａｕ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉまたはステンレススチールから構成されていてもよい。これらの物質は、Ｃｕよりも熱膨張率が低く、かつ十分に高い電気伝導度を有している。したがって、上板の上面に半導体レーザ素子を搭載したヒートシンクを複数、積層したときに、半導体レーザ素子間に良好な電気的導通を形成することができる。さらに、これらの物質は、水を冷媒として使用したときに、水の電気分解によって電気化学的に腐食しにくいという性質を有しているので、ヒートシンクの耐久性を高めることができる。

別の側面において、本発明は、上記の構成を有するヒートシンクと、そのヒートシンクの第２の平板の上面に搭載された半導体レーザ素子とを備えるレーザ装置に関する。この半導体レーザ素子は、第１および第２の平板の熱膨張率よりも低い熱膨張率を有している。

ヒートシンクに関して既に述べた理由により、このレーザ装置は、発熱体である半導体レーザ素子に生じる応力歪を低減することができる。これにより、半導体レーザ素子の損傷と特性劣化を抑え、あるいは半導体レーザ素子のヒートシンクからの脱離を防ぐことができる。

更に他の側面において、本発明は、第１のヒートシンクと、第２のヒートシンクと、第１の半導体レーザ素子と、第２の半導体レーザ素子とを備えるレーザスタック装置に関する。第１のヒートシンクおよび第２のヒートシンクは、それぞれ上記の構成を有するヒートシンクである。第１の半導体レーザ素子は、第１のヒートシンクの第２の平板の上面と、第２のヒートシンクの第１の平板の下面との間に配置されており、第１および第２の平板の熱膨張率よりも低い熱膨張率を有している。第２の半導体レーザ素子は、第２のヒートシンクの第２の平板の上面に搭載されており、第１および第２の平板の熱膨張率よりも低い熱膨張率を有している。

ヒートシンクに関して既に述べた理由により、このレーザスタック装置は、発熱体である第１および第２の半導体レーザ素子に生じる応力歪を低減することができる。これにより、第１および第２の半導体レーザ素子の損傷と特性劣化を抑え、あるいは第１および第２の半導体レーザ素子のヒートシンクからの脱離を防ぐことができる。

本発明は、第１および第２の平板よりも低い熱膨張率を有する仕切り板を使用することにより、ヒートシンク全体の熱膨張率を低減し、それにより、半導体レーザ素子などの発熱体に生じる応力歪を低減することができる。

以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１は、本発明に係るレーザスタック装置の一実施形態の構成を示す斜視図である。このレーザスタック装置１は、三つのレーザアレイ２ａ〜２ｃ、二枚の銅板３ａおよび３ｂ、二枚のリード板４ａおよび４ｂ、供給管５、排出管６、四つの絶縁部材７ａ〜７ｄ、および、三つのヒートシンク１０ａ〜１０ｃを備えている。

以下、各構成要素について説明する。尚、説明の便宜上、図１のＺ軸正方向を上、Ｚ軸負方向を下として説明する。

図２は、レーザアレイ２ａを示す斜視図である。レーザアレイ２ｂおよび２ｃは、レーザアレイ２ａと同一の構造を有している。各レーザアレイは、発光面５０を有する半導体レーザ素子である。発光面５０では、複数の発光部５２がＹ軸方向に沿って一定の間隔で一列に並んでいる。このため、レーザアレイ２ａ〜２ｃはレーザダイオードバーとも呼ばれる。レーザアレイの駆動時には、各発光部５２がレーザアレイの軸方向（共振器方向）に沿ってレーザ光を発する。本実施形態では、軸方向はＸ軸と平行である。

図１に示されるように、レーザアレイ２ａは、ヒートシンク１０ａの上面とヒートシンク１０ｂの下面との間に配置され、レーザアレイ２ｂは、ヒートシンク１０ｂの上面とヒートシンク１０ｃの下面との間に配置され、レーザアレイ２ｃは、ヒートシンク１０ｃの上面に設置されている。

レーザアレイ２ａ〜２ｃは、ヒートシンク１０ｂおよび１０ｃを介して互いに電気的に接続されている。レーザアレイ２ａの下面は、ヒートシンク１０ａおよび銅板３ａを介してリード板４ａに電気的に接続されており、半導体レーザアレイ２ｃの上面は、銅板３ｂを介してリード板４ｂに電気的に接続されている。このため、リード板４ａとリード板４ｂとの間に電圧を印加することで、レーザアレイ２ａ〜２ｃを駆動し、レーザアレイ２ａ〜２ｃからレーザ光を出射させることが可能となる。

供給管５、排出管６のそれぞれは、ヒートシンク１０ａ〜１０ｃを貫通して設けられている。供給管５は、ヒートシンク１０ａ〜１０ｃを貫通する流入口４４（後述する）と接続されており、排出管６は、ヒートシンク１０ａ〜１０ｃを貫通する流出口４６（後述する）と接続されている。従って、供給管５を通じてヒートシンク１０ａ〜１０ｃに冷媒を流入させることが可能となり、また、排出管６を通じてヒートシンク１０ａ〜１０ｃから冷媒を流出させることが可能となる。本実施形態では、冷媒として水を使用する。

ヒートシンク１０ａの下面、ヒートシンク１０ａの上面とヒートシンク１０ｂの下面との間隙、ヒートシンク１０ｂの上面とヒートシンク１０ｃの下面との間隙、ヒートシンク１０ｃの上面それぞれには、供給管５および排出管６を囲むように、ゴム製の絶縁部材７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄが設けられている。絶縁部材７ａ〜７ｄは、各ヒートシンク間の絶縁を確保するとともに、冷媒の漏洩を防止する。

以下では、図３〜図７を参照しながら、ヒートシンク１０ａの構造を説明する。図３は、ヒートシンク１０ａの構造を示す分解斜視図であり、図４は、ヒートシンク１０ａを上方（図１のＺ軸方向）から見た平面図である。図５、図６および図７は、それぞれ図３のＶ−Ｖ線、ＶＩ−ＶＩ線およびＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿ったヒートシンク１０ａの断面図である。なお、ヒートシンク１０ｂおよび１０ｃは、ヒートシンク１０ａと同一の構造を有する。

図３に示すように、ヒートシンク１０は、下板１２、仕切り板１４および上板１６が順次に積層された構造を有している。これらの板は、導電性の接着剤２５によって接合されている。接着剤２５としては、熱伝導率の高いＡｇやＡｕＳｎなどを使用することが好ましい。

下板１２は約４００μｍ程度の厚さを有する銅製の平板であり、下板１２を貫通する二つの開口１８、２０を有している。下板１２の上面（仕切り板１４と接触する面）には、約２００μｍの深さを有する凹部２２が形成されている。凹部２２は、ヒートシンク１０ａ内における冷却水の流路の一部を成している。凹部２２の一方の端部は開口１８につながっており、他方の端部は下板１２の幅方向（図１のＹ軸方向）に拡がっている。開口１８は、凹部２２から下板１２の下面に延在している。ヒートシンク１０ａ内を流れる冷却水の流動抵抗を小さくし、よどみを少なくするため、凹部２２の隅部２２ａは曲面形状となっている。このような凹部２２は、例えば、下板１２の上面をエッチングすることによって形成することができる。

上板１６は約４００μｍ程度の厚さを有する銅製の平板であり、下板１２の開口１８、２０それぞれに対応する位置に、上板１６を貫通する二つの開口２６、２８を有している。上板１６の下面には、約２００μｍの深さを有する凹部３０が形成されている。凹部３０も、凹部２２と同様に、冷却水の流路の一部を成している。凹部３０の一方の端部は開口２８につながっており、他方の端部は上板１６の幅方向に拡がっている。開口２８は、凹部３０から上板１６の上面に延在している。凹部３０は、ヒートシンク１０ａをＺ軸に沿って上方から見たときに下板１２の凹部２２と部分的に重なるように配置されている。図４では、この重なり部分にハッチングが付されている。ヒートシンク１０ａ内を流れる冷却水の流動抵抗を小さくし、よどみを少なくするため、凹部３０の隅部３０ａは曲面形状となっている。このような凹部３０は、例えば、上板１６の下面をエッチングすることにより形成することができる。

仕切り板１４は、１００μｍ程度の厚さを有する平板であり、下板１２の開口１８、２０それぞれに対応する位置に、仕切り板１４を貫通する二つの開口３４、３６を有している。また、仕切り板１４は、開口３４、３６の反対側に、仕切り板１４を貫通する複数の導水孔３８を有している。これらの導水孔３８は、ヒートシンク１０ａをＺ軸に沿って上方から見たときに凹部２２および３０の双方と重なる位置に配置されている。したがって、凹部２２および３０は導水孔３８を介して相互に連通する。導水孔３８は、例えば、仕切り板１４をその両面からエッチングすることによって形成することができる。

上板１６の上面は、冷却すべき発熱体であるレーザアレイ２ａが搭載されるレーザ搭載領域Ｒ２ａを有している。導水孔３８は、レーザ搭載領域Ｒ２ａの直下に設けられている。レーザアレイ２ａがほぼ直方体形状を有しているため、レーザ搭載領域Ｒ２ａは長方形状となる。複数の導水孔３８は、かかる長方形状の長手方向（図１のＹ軸方向）、すなわちレーザアレイ２の発光部５２が並ぶ方向に沿って等間隔に並べられている。

図３〜図６に示すように、下板１２の上面が仕切り板１４の下面に接合されると、下板１２の凹部２２と仕切り板１４の下面とによって空間４０が形成される。この空間４０は、冷却水４８が供給管５を通じて流れ込む流入水路である。一方、仕切り板１４の上面が上板１６の下面に接合されると、上板１６の凹部３０と仕切り板１４の上面とによって空間４２が形成される。この空間４２は、冷却水４８を排出管６に流出させる流出水路である。

下板１２、仕切り板１４および上板１６を接合すると、下板１２に形成された開口１８、仕切り板１４に形成された開口３４、および上板１６に形成された開口２６が連結され、図６に示すように流入口４４を形成する。流入口４４は、レーザスタック装置１の外部から供給管５を通じて冷却水４８を受け、流入水路４０に供給する。また、下板１２に形成された開口２０、仕切り板１４に形成された開口３６、および上板１６に形成された開口２８は、連結されて流出口４６を形成する。流出口４６は、流出水路４２から冷却水４８を受け、排出管６を通じてレーザスタック装置１の外部に流出させる。

図４〜図７に示すように、流入水路４０、流出水路４２および導水孔３８により、連続した冷却水路が構成されている。流入口４４および流出口４６も、この冷却水路の一部を成している。導水孔３８は、流入水路４０に供給された冷却水を流出水路４２に噴出させる。そのため、導水孔３８は、流入水路４０の断面積よりも十分に小さい断面積を有している。

ヒートシンク１０ａ〜１０ｃは、レーザアレイ２ａ〜２ｃの駆動中、レーザアレイ２ａ〜２ｃと熱交換を行って、それらの温度を低減する。導水孔３８によって形成される冷却水の噴流が上板１６のうちレーザアレイ２ａ〜２ｃの直下に位置する箇所に衝突するので、レーザアレイ２ａ〜２ｃが効率良く冷却される。

仕切り板１４は、下板１２および上板１６を構成するＣｕよりも低い熱膨張率を有する材料から構成されている。この材料は、高い電気伝導度を有することが好ましい。これらの条件を満たす材料の例としては、Ｎｉ、Ａｕ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉまたはステンレススチール（ＳＵＳ）が挙げられる。Ｎｉの線熱膨張率は１２．８×１０^−６／Ｋであり、Ａｕは１４．２×１０^−６／Ｋ、Ｗは４．５×１０^−６／Ｋ、ＳＵＳは１０．０×１０^−６／Ｋ、Ｐｔは８．９×１０^−６／Ｋ、Ｔｉは８．６×１０^−６／Ｋである。これに対し、Ｃｕの線熱膨張率は１６×１０^−６／Ｋである。一方、Ｃｕの熱伝導率は、Ｎｉ、Ａｕ、Ｗ、Ｐｔ、ＴｉおよびＳＵＳのいずれの熱伝導率よりも高い。また、レーザアレイ２ａ〜２ｃはＣｕよりも低い熱膨張率を有している。例えば、レーザアレイ２ａ〜２ｃがＧａＡｓ系の場合、その線熱膨張率は約６．５×１０^−６／Ｋであり、ＩｎＰ系の場合は、約４．５×１０^−６／Ｋである。

更に、仕切り板１４は、耐蝕性の高い材料から構成されていることが好ましい。ヒートシンク１０ａ〜１０ｃの冷却水路内を流通する冷却水は、空気中の二酸化炭素の溶解により定常的にｐHが７未満となっており、このような酸性の条件の下では、仕切り板１４を構成する元素の酸化反応や、溶存酸素の還元反応などの反応が進行して、仕切り板１４が腐食してしまう。腐食が進行すると、導水孔３８の径が拡大して冷却水の噴流が生じなくなり、冷却性能が低下するおそれがある。上述したＮｉ、Ａｕ、Ｗ、Ｐｔ、ＴｉおよびＳＵＳは、高い耐蝕性を有しており、冷却水の電気分解によって電気化学的に腐食しにくい。このため、腐食による導水孔３８の拡大と、それによる冷却性能の低下を防止することができる。この点からも、上記の物質は仕切り板１４の材料に適している。

以下では、本実施形態の利点を説明する。本実施形態では、上板１６および下板１２よりも低い熱膨張率を有する仕切り板１４が下板１２と上板１６の間に挟まれているので、上板１６および下板１２の熱的な伸縮が仕切り板１４によって妨げられる。これにより、各ヒートシンクの全体の熱膨張率が低下して、レーザアレイ２ａ〜２ｃの熱膨張率に近づく。また、同じ熱膨張率を有する下板１２および上板１６によって仕切り板１４が狭まれているので、レーザアレイ２ａ〜２ｃの温度変化に際してヒートシンク１０ａ〜１０ｃが湾曲しにくい。したがって、レーザアレイ２ａ〜２ｃに加わる応力と、この応力によってレーザアレイ２ａ〜２ｃに生じる応力歪を低減することができる。この結果、レーザアレイ２ａ〜２ｃの損傷と特性劣化を抑え、また、レーザアレイ２ａ〜２ｃのヒートシンク１０ａ〜１０ｃからの脱離を防ぐことができる。

下板１２および上板１６は、仕切り板１４よりも高い熱伝導率を有するので、仕切り板１４の熱伝導率が高くなくても、上板１６とレーザアレイ２ａ〜２ｃとの間で熱交換の効率を高めると共に、ヒートシンク１０ａ〜１０ｃの熱放散性を高め、十分な冷却性能を得ることができる。特に、下板１２および上板１６を構成するＣｕは、非常に高い熱伝導率を有しており、安価でもある。したがって、ヒートシンク１０ａ〜１０ｃは、良好な冷却性能を有しており、その製造コストも低い。

仕切り板１４に使用されるＮｉ、Ａｕ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉまたはステンレススチールは、十分な電気伝導度と耐蝕性を有するので、レーザアレイ２ａ〜２ｃ間に良好な電気的導通を形成し、なおかつヒートシンク１０ａ〜１０ｃの耐久性を高めることができる。

以上、本発明をその実施形態に基づいて詳細に説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。

上記実施形態では、半導体レーザ素子がヒートシンク上に直接、載置されているが、半導体レーザ素子がサブマウント上に搭載され、そのサブマウントがヒートシンク上に載置されてもよい。また、レーザアレイの代わりに、単一の発光部を有する半導体レーザ素子がヒートシンクに搭載されていてもよい。

また、複数の半導体レーザ素子をヒートシンクを介して積層する代わりに、単一の半導体レーザ素子がヒートシンク上に搭載された構成を有するレーザ装置でも、上記のレーザスタック装置と同じ利点を得ることができる。このようなレーザ装置の一例は、図１に示されるレーザスタック装置１からレーザアレイ２ｂ、２ｃ、およびヒートシンク１０ｂ、１０ｃを取り除いた構造を有する。

上記実施形態では、下板に形成された凹部２２が流入口４４に連通し、上板に形成された凹部３０が流出口４６に連通しているが、下板に形成された凹部が冷媒流出口に連通し、上板に形成された凹部が冷媒流入口に連通していてもよい。

本発明に係るレーザスタック装置の一実施形態の構成を示す斜視図である。 レーザアレイを示す斜視図である。 ヒートシンクの構造を示す分解斜視図である。 ヒートシンクの平面図である。 図３のＶ−Ｖ線に沿ったヒートシンクの断面図である。 図３のＶＩ−ＶＩ線に沿ったヒートシンクの断面図である。 図３のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿ったヒートシンクの断面図である。

符号の説明

１…レーザスタック装置、２ａ、２ｂ、２ｃ…レーザアレイ、３ａ、３ｂ…銅板、４ａ、４ｂ…リード板、５…供給管、６…排出管、７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ…絶縁部材、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ…ヒートシンク、１２…下板、１４…仕切り板、１６…上板、１８、２０…開口、２２…第１の凹部、２６、２８…開口、３０…第２の凹部、３４、３６…開口、３８…導水孔、４０…流入水路、４２…流出水路、４４…流入口、４６…流出口、４８…冷却水、Ｒ２ａ…レーザ搭載領域

Claims (6)

1. 発熱体を冷却するヒートシンクであって、
   第１の凹部が形成された上面を有する導電性の第１の平板と、
   第２の凹部が形成された下面および前記発熱体が搭載されるべき上面を有する導電性の第２の平板と、
   前記第１の凹部を覆う下面、前記第２の凹部を覆う上面、および前記第１の凹部を前記第２の凹部に連通させる一つ以上の貫通孔を有する導電性の仕切り板と、
   前記第１および第２の凹部の一方から延在し、当該ヒートシンクに冷媒を流入させる冷媒流入口と、
   前記第１および第２の凹部の他方から延在し、当該ヒートシンクから冷媒を流出させる冷媒流出口と、
   を備え、
   前記第１および第２の平板は、共に第１の熱膨張率を有しており、
   前記仕切り板は、前記第１の熱膨張率よりも低い第２の熱膨張率を有している、
   ヒートシンク。
2. 前記第１の平板は、前記仕切り板よりも高い熱伝導率を有している、請求項１に記載のヒートシンク。
3. 前記第１および第２の平板は、Ｃｕから構成されている、請求項１または２に記載のヒートシンク。
4. 前記仕切り板は、Ｎｉ、Ａｕ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉまたはステンレススチールから構成されている、請求項１〜３のいずれかに記載のヒートシンク。
5. 請求項１〜４のいずれかに記載のヒートシンクと、
   前記ヒートシンクの前記第２の平板の上面に搭載され、前記第１の熱膨張率よりも低い熱膨張率を有する半導体レーザ素子と、
   を備えるレーザ装置。
6. 第１のヒートシンクと、第２のヒートシンクと、第１の半導体レーザ素子と、第２の半導体レーザ素子とを備え、
   前記第１のヒートシンクおよび第２のヒートシンクは、それぞれ請求項１〜４のいずれかに記載のヒートシンクであり、
   前記第１の半導体レーザ素子は、前記第１のヒートシンクの前記第２の平板の上面と、前記第２のヒートシンクの前記第１の平板の下面との間に配置され、前記第１の熱膨張率よりも低い熱膨張率を有しており、
   前記第２の半導体レーザ素子は、前記第２のヒートシンクの前記第２の平板の上面に搭載され、前記第１の熱膨張率よりも低い熱膨張率を有している、
   レーザスタック装置。
   

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