JP4283738B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体レーザ素子を備える半導体レーザ装置に関する。

大出力の半導体レーザ素子等の発熱体を冷却するのに必要不可欠なヒートシンクとして、銅製部材等の金属部材を結合することにより形成した流体流路を有し、該流体流路内に発熱体を冷却するための流体を還流させる構造の金属体が知られている。

半導体レーザ素子を冷却するには、図１０に示すように、金属体により半導体レーザ素子を挟むようにマウントし、これを積層する構成を採用する。この場合、各金属体は各半導体レーザ素子の冷却を行うだけでなく、各半導体レーザ素子間での電気的導通路の役割を果たすため、上記流体と金属体との間に電位差が発生する。

このため、１００００時間前後の長期的な還流を行うことで、図６に示すように、接液部の電気化学的な機構により、金属体のアノード側に減容が、また、カソード側で銅製の腐食生成物の堆積及び付着が発生してしまう。

このような腐食は、流体の導電率を低減することにより抑制が可能である。しかし、導電率を低下（つまり抵抗を増大）させていく場合、流体の活性が高くなるために逆に金属耐の減容による腐食性が高くなる。また、導電率を低下させる装置が大型化、高コスト化するため、流体の導電率の低減は、腐食の防止には適さない。また、導電率を低下させた場合においても、漏れ電流が流れるため、数年（実働は数万時間）のオーダーの期間の還流を行うと、腐食の影響が生ずる。

このような腐食を防止するため、金属部材の内壁面と流体との接触を防止する隔離層を、熱交換特性を悪化させずに該内壁面に形成させる試みがなされている。例えば、下記特許文献１では、上記隔離層としてＡｕ又はＡｕ合金等の金属を採用している。また、下記特許文献２では、上記隔離層として人工ダイヤモンドや人工サファイアなどの人工結晶を採用している。
特開２００３−２７３４４１号公報（第６―７頁、第４図） 特開２００３−１１０１８６号公報（第５頁、第４―５図）

しかしながら、隔離層としてＡｕ又はＡｕ合金等の金属を用いた場合、隔離層にピンホール状の被覆欠損が生じやすく、激しい孔食を起こすという問題がある。また、人工ダイヤモンドや人工サファイアなどの人工結晶は金属表面上で成長させるのが難しい。

上述の問題を鑑み、本願発明者等は、人工結晶に比べて金属表面への成長が比較的容易なＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）を隔離層とすることを検討した。ＤＬＣ層は、ＣＶＤ法（化学気相成長法）等の薄膜形成法により生成されるため、金属部材細部まで欠損無く被覆可能であり、上述の問題はない。

しかしながら、隔離層としてＤＬＣ層が被覆された銅製部材を接合する際、ＤＬＣ層が存在するため該銅製部材同士を銅の拡散接合により接合するのは困難である。また、接合を容易にするために、該銅製部材同士の接合面のみをＤＬＣ層により被覆せず露出させて接合しても、流体が漏れた場合にその接合部位から上記のような腐食が発生するという問題がある。

本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、ＤＬＣ層により被覆された銅製部材同士の接合と、接合部分の近傍における腐食の防止とが可能な、半導体レーザ素子を効率的に冷却する金属体を備えた半導体レーザ装置を提供することを目的とする。

上述の課題を解決するため、本発明の半導体レーザ装置は、複数の銅製部材を接着してなり内部に流体の還流による冷却が可能な流体流路を有する金属体と、これらの銅製部材間に介在する接着剤と、金属体上に設定される露出領域を残して、これらの銅製部材それぞれの表面を連続して被覆するダイヤモンドライクカーボン層と、電気的接触を保つ状態で、露出領域の全てを覆うように当該露出領域上に配置された、電圧の印加が可能な複数の半導体レーザ素子と、を備え、銅製部材は、流体流路の一部である、貫通孔と当該貫通孔とつながる溝部とを有し、露出領域以外の、貫通孔の内表面と溝部の表面とには、ダイヤモンドライクカーボン層が連続して被覆されており、金属体は、流体流路の形成されていない領域で当該金属体を貫通しつつ当該金属体と電気的接触を保つ貫通導体を有し、金属体は、複数の半導体レーザ素子に挟まれていることを特徴とする。

ここで金属体は、ＤＬＣ層により表面を連続して被覆された複数の銅製部材同士を、銅製部材間に介在する接着剤により接着してなる。これにより、銅製部材同士の接着と接着部分の近傍における腐食の防止とを実現する。さらに、銅製部材をＤＬＣ層により連続して被覆することで、熱交換特性を損なわず、耐腐食性の大幅な向上が可能である。さらに、露出領域はＤＬＣ層で被覆せず、露出領域上に半導体レーザ素子を配置している。これにより、流体流路に流体を還流することにより、半導体レーザ素子を効率的に冷却できる。また、流体流路の一部である貫通孔と溝部とを有する銅製部材同士を接着することで、内部にＤＬＣ層により連続して被覆された流体流路が形成された金属体が容易に構成できる。また、金属体が貫通導体を有することで、金属体を複数の半導体レーザ素子に挟んで配置した場合に、該金属体を半導体レーザ素子間の電気的導通路とすることが可能となる。また、半導体レーザ素子を電気的接触を保つ状態で露出領域上に配置することで、金属体を複数の半導体レーザ素子に挟んで配置した場合に、該金属体を半導体レーザ素子間の電気的導通路とすることが可能となる。

本発明によれば、ＤＬＣ層により被覆された銅製部材同士の接合と、接合部分の近傍における腐食の防止とが可能な、半導体レーザ素子を効率的に冷却する金属体を備えた半導体レーザ装置を提供することができる。

以下、本発明の実施の形態に係る半導体レーザ装置について説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。さらに、本発明はこれに限定されるものではない。

［第１実施形態］
半導体レーザ装置１の第１実施形態の構成について説明する。

図１は、半導体レーザ装置１の構造を示す分解斜視図である。

半導体レーザ装置１は、金属体２１と、接着剤７０ｂ，７０ｃと、ＤＬＣ層（ダイヤモンドライクカーボン層）４０ａ，４０ｂ，４０ｃと、半導体レーザ素子８０と、を備えている。

金属体２１は、第１銅製部材２１ａ，第２銅製部材２１ｂ，第３銅製部材２１ｃを接着してなり、内部に流体流路３０を有するとともに、流体流路３０の形成されていない領域で金属体２１を貫通する貫通導体６０、及び貫通導体６０を格納する格納孔６１を有する。格納孔６１は、３つの導体孔６１ａ，６１ｂ，６１ｃから構成されている。また、金属体２１上には、露出領域５０ａ，５０ｃが設定されている。

図２は、半導体レーザ装置１の別の構造を示す分解斜視図である。

金属体２１は、図２に示すように、５つの銅製部材２１ｄ〜２１ｈから構成されてもよい。

さらに、銅製部材は、図１に示すように、流体流路３０の一部である、結合時に流体流路３０を形成する貫通孔３０ｂと貫通孔３０ｂとつながる溝部３０ａ，３０ｃとを有してもよい。この場合、銅製部材同士を接着することで、内部に流体流路３０が形成された金属体２１が容易に構成できる。また、流体流路３０は、貫通孔２４ａ，２４ｂ，２４ｃから構成される流出口３２（図３参照）、及び貫通孔２５ａ，２５ｂ，２５ｃから構成される流入口３１（図３参照）を有する。

３つの銅製部材２１ａ，２１ｂ，２１ｃは、それぞれの表面を、ＤＬＣ層４０ａ，４０ｂ，４０ｃで、露出領域５０ａ，５０ｃを残して連続して被覆されている。このため、流体流路３０の内壁面は、ＤＬＣ層により連続して被覆されている。また、銅製部材は、伝熱性が高いものが好ましい。また、ＤＬＣ層により被覆された銅製部材２１ａ，２１ｂ間には接着剤７０ｂが介在し、銅製部材２１ｂ，２１ｃ間には接着剤７０ｃが介在する。

第１銅製部材２１ａは、２つの貫通孔２４ａ，２５ａ、溝部３０ａ、及び導体孔６１ａを有する。溝部３０ａは、深さが銅製部材２１ａの厚さの約半分程度であり、一部が貫通孔２５ａとつながっている。

第３銅製部材２１ｃは、第１銅製部材２１ａの貫通孔２４ａ，２５ａそれぞれに重なる位置に２つの貫通孔２４ｃ，２５ｃを有し、第１銅製部材２１ａの導体孔６１ａに重なる位置に導体孔６１ｃを有する。また、第３銅製部材２１ｃは、第３銅製部材２１ｃの厚さの約半分程度の深さである溝部３０ｃを有し、一部が貫通孔２４ｃとつながっている。ここで、溝部３０ｃの一部は、第１銅製部材２１ａの溝部３０ａと重なっている。

第２銅製部材２１ｂは、第１銅製部材２１ａの貫通孔２４ａ，２５ａそれぞれに重なる位置に２つの貫通孔２４ｂ，２５ｂを有し、第１銅製部材２１ａの導体孔６１ａに重なる位置に導体孔６１ｂを有する。また、第１銅製部材２１ａの溝部３０ａと、第３銅製部材２１ｃの溝部３０ｃとが重なる部分には、複数の貫通孔３０ｂが形成されている。なお、複数の貫通孔３０ｂは、露出領域５０ａ，５０ｃそれぞれに重なる位置に形成されている。

３つの銅製部材２１ａ，２１ｂ，２１ｃを、それぞれＤＬＣ層４０ａ，４０ｂ，４０ｃで上記のように被覆することにより、熱交換特性を損なわず、耐腐食性の大幅な向上が可能である。さらに、露出領域５０ａ，５０ｃはそれぞれＤＬＣ層４０ａ，４０ｃで被覆せず、複数の貫通孔３０ｂに重なる位置にある露出領域５０ｃ上に半導体レーザ素子８０を配置している。これにより、流体流路３０に流体を還流することにより、露出領域５０ｃ上に配置された半導体レーザ素子８０を効率的に冷却できる。

接着剤７０ｂ，７０ｃは、ＤＬＣ層により被覆された銅製部材同士を接着する機能を有する。接着剤７０ｂは、第１銅製部材２１ａと第２銅製部材２１ｂとの接触部分を接着し、接着材７０ｃは、第２銅製部材２１ｂと第３銅製部材２１ｃとの接触部分を接着する。このように接着剤７０ｂ，７０ｃを用いることで、ＤＬＣ層により被覆された銅製部材同士の接着と、接着部分の近傍における腐食の防止とを実現できる。

ここで、この接着剤７０ｂ，７０ｃは、上記の接着機能を有すれば特に限定されず、電気化学工業社製のウレタン系接着剤（商品名：ハードロックＣ−３５１など）、ロックタイト社製の嫌気性樹脂による接着剤（商品名：ＬＯ−２１０など）、３Ｍ社製のエポキシ系接着剤（商品名：ＤＰ−ｐｕｒｅ６０など）などが用いられる。

半導体レーザ素子８０は、露出領域５０ｃ上に配置されている。半導体レーザ素子８０は、電圧を印加することによりレーザ光を出射する。半導体レーザ素子８０は、金属体２１を構成する第３銅製部材２１ｃと熱的接触を保つ状態で、露出領域５０ｃ上に配置される。

また、半導体レーザ素子８０は、露出領域５０ｃと半田材５２により電気的接触を保つ状態で、露出領域５０ｃに配置されていてもよい。これにより、金属体２１を、複数の半導体レーザ素子８０に挟んで配置した場合に、金属体２１を半導体レーザ素子８０間の電気的導通路とすることが可能となる。

貫通導体６０は、金属体２１が有する格納孔６１に格納されている。格納孔６１は、３つの銅製部材２１ａ，２１ｂ，２１ｃを接着することにより、３つの導体孔６１ａ，６１ｂ，６１ｃが重なって構成され、流体流路３０の形成されていない領域で金属体２１を貫通する。格納孔６１の内壁面はＤＬＣ層で連続して被覆されておらず、金属体２１が貫通導体６０を格納孔６１内に有することにより、複数の半導体レーザ素子８０に挟んで配置した金属体２１を半導体レーザ素子８０間の電気的導通路とすることが可能となる。

貫通導体６０は、導電体であれば特に限定されず、棒状の導電材や連絡材や電気抵抗の低い金属材等を用いてもよい。また、貫通導体６０は、半田材や蝋材等の、接触抵抗を低減するための溶融金属により被覆されていてもよい。さらに、貫通導体６０は、半田等の溶融金属を格納孔６１に流し込んで、固定化したものとしてもよい。

次に、流体の流れについて、説明を行う。

貫通孔２５ａまたは貫通孔２５ｃから流入した流体は、白矢印の方向に沿って、貫通孔２４ａまたは貫通孔２４ｃから流出するようになる。すなわち、流入口に流入した流体は、第１金属部材２１ａの溝部３０ａと第２金属部材２１ｂの下面とによって形成された流路を経由して貫通孔３０ｂへ流入する。次に、この流体は、第２金属部材２１ｂの上面と第３金属部材２１ｃの溝部３０ｃとによって形成された流路を経由して流出口へ流入する。さらに、この流体は、貫通孔２４ｃ近傍において図における上方または下方へ分岐して流出する。最後に、この流体は、貫通孔２４ａまたは貫通孔２４ｃから流出することとなる。

以下、半導体レーザ装置１の断面構造について説明する。

図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線で矢視した半導体レーザ装置１の断面図である。

第１銅製部材２１ａの貫通孔２５ａ、第２銅製部材２１ｂの貫通孔２５ｂ、及び第３銅製部材２１ｃの貫通孔２５ｃは連結されて、溝部３０ａに流体を供給するための流入口３１を形成する。また、第１銅製部材２１ａの貫通孔２４ａ、第２銅製部材２１ｂの貫通孔２４ｂ、及び第３銅製部材２１ｃの貫通孔２４ｃは連結されて、溝部３０ｃから流体を流出させるための流出口３２を形成する。

上述のように、溝部３０ａ、貫通孔３０ｂ、及び溝部３０ｃにより流体流路３０が構成される。また、流体流路３０は、流入口３１及び流出口３２を有する。

３つの銅製部材２１ａ，２１ｂ，２１ｃは、それぞれの表面を、ＤＬＣ層４０ａ，４０ｂ，４０ｃで、露出領域５０ａ，５０ｃを残して連続して被覆されている。これにより、金属体２１の外壁面２２と内壁面３３とが接する部分近傍つまりエッジ部分における腐食の防止が実現される。さらに、上記エッジ部分において水漏れ等が発生した場合の、電気的な短絡（ショート）の防止も実現される。短絡の防止のために、流体の流入口３１と流体を供給する供給部分との接続部分に、Oリング等の介在物が存在してもよい。

次に、金属体２１を構成する３つの銅製部材２１ａ，２１ｂ，２１ｃを被覆するＤＬＣ層４０ａ，４０ｂ，４０ｃについて説明する。

図４は、隔離層としてＤＬＣ製のものを用いた場合と、上記特許文献１の製品（従来品）を用いた場合とにおける、冷却水流量を変化させたときの熱抵抗の変化を示したグラフである。

ヒートシンクを被覆する隔離層は、ＤＬＣ製のものを採用する。これにより、金属製の隔離層を採用する場合と比べて、ピンホールが大幅に低減できる。また、隔離層としてＤＬＣ製のものを用いた場合の熱抵抗は、図４に示すように、隔離層として従来品を用いた場合のそれと大差はなく、ＤＬＣ製のものを用いることによる悪影響は極めて小さい。

次に、本発明に係る半導体レーザ装置を複数積層させた装置について説明する。

図５は、半導体レーザ装置１を積層させた場合の構成図である。

半導体レーザ装置１を複数積層させる構成としてもよい。例えば、図５に示すように、２つの半導体レーザ素子８０が、３つの金属体２１，２１Ｘ，２１Ｙにより挟まれてマウントされ、これが積層されている。また、最上層の金属体２１Ｘが電源９０のマイナス電極に、最下層の金属体２１Ｙが電源９０のプラス電極に接続されている。これにより、金属体２１，２１Ｘ，２１Ｙは、半導体レーザ素子８０の冷却と、半導体レーザ素子８０間の電気的導通路の役割を果たすため、流体と金属体との間に電位差が発生する。

次に、銅の腐食機構、及び少なくとも本発明を用いるべき構成について説明する。

図６は、銅の腐食機構を示す説明図である。

従来の装置では、上述の電位差を原因とする銅の腐食機構により腐食が発生する。すなわち、金属体のアノード（プラス電極）側に銅の減容が、カソード（マイナス電極）側に銅の腐食生成物の堆積及び付着が発生する。例えば、積層させた装置における最上層及び最下層の金属体２１Ｘ，２１Ｙ（図５参照）で銅の腐食が発生する。これは、流体と銅製部材との上記反応が原因と考えられる。この場合、少なくとも最上層及び最下層の金属体２１Ｘ，２１Ｙ（図５参照）に本発明の構成を用いればよい。

次に、半導体レーザ装置１の製造方法について説明する。下記工程（１）〜（３）を順次実施することで、半導体レーザ装置１を製造することができる。

工程（１）ＤＬＣ層被覆工程
図７は、ＤＬＣ層被覆工程を説明する説明図である。

まず、図７に示すように、第１銅製部材２１ａ，第２銅製部材２１ｂ，第３銅製部材２１ｃを、隔離層としてのＤＬＣ層で被覆する。ＤＬＣ層の被覆は、薄膜形成法であるＣＶＤ法により常法に従って行う。すなわち、銅製部材を基材とし、炭素を含むガスとしてメタンガスやベンゼンガス等の炭化水素ガス等を用いて、ＣＶＤ法によりＤＬＣ層で被覆する。

ここで、ＣＶＤ法による被覆を行う際には、露出領域５０ｃをマスク等により被覆しておく。これにより、ＤＬＣ層の堆積後に上記のマスク等を外すことで、露出領域５０ｃを残してＤＬＣ層が堆積されることになる。この結果、３つ銅製部材２１ａ，２１ｂ，２１ｃはそれぞれ、隔離層であるＤＬＣ層４０ａ，４０ｂ，４０ｃで連続して被覆され、ＤＬＣ層４０ａ，４０ｂ，４０ｃでの腐食発生を防止できる。

工程（２）部材結合工程
図８は、部材結合工程を説明する説明図である。

次に、図８に示すように、これら３つの銅製部材２１ａ，２１ｂ，２１ｃ間に接着剤７０ｂ，７０ｃを介在させ、銅製部材同士を接着して金属体２１を構成する。上記接着は、３つの銅製部材を積層させて接触する面の、接着剤７０ｂ，７０ｃによる接着によって行う。上記接着により、金属体２１内に、流体の流入口３１及び流出口３２を有する流体流路３０が形成される。

工程（３）貫通導体及びレーザ素子の配置工程
次に、図３に示すように、３つの銅製部材２１ａ，２１ｂ，２１ｃ同士を接着してなる金属体２１を貫通するようにして格納孔６１を構成する。格納孔６１の内壁面はＤＬＣ層で連続して被覆されていない。この格納孔６１内に貫通導体６０を格納する。これにより、金属体２１は電気的に導通可能となり、金属体２１を、複数の半導体レーザ素子８０に挟んで配置した場合に、金属体２１を半導体レーザ素子８０間の電気的導通路とすることが可能となる。貫通導体６０は、導電体であれば特に限定されない。

次に、半導体レーザ素子８０を露出領域５０ｃ上に配置する。この結果、半導体レーザ装置１が得られる。半導体レーザ素子８０は、露出領域５０ｃと熱的接触を保つ状態で、露出領域５０ｃ上に配置される。これにより、流体流路３０に流体を還流することにより、半導体レーザ素子８０を効率的に冷却できる。

ここで、半導体レーザ素子８０は、金属体２１と半田材５２により電気的接触を保つ状態で露出領域５０ｃに配置されていてもよい。これにより、金属体２１を、複数の半導体レーザ素子８０に挟んで配置した場合に、金属体２１を半導体レーザ素子８０間の電気的導通路とすることが可能となる。また、貫通導体６０の配置と、半導体レーザ素子８０の配置の順序は逆でもよい。

［第２実施形態］
次に、半導体レーザ装置１の第２実施形態について説明する。

図９は、単一の半導体レーザ装置１の斜視図である。

半導体レーザ装置１は、半導体レーザ素子８０及び金属体２１に加えて、半導体レーザ素子８０上にｎ側電極８１と、ｎ側電極８１と金属体２１間を埋めるダミースペーサ８２と、金属体２１上にシーリング用のシリコンラバー８３と、を備える。シーリング用のシリコンラバー８３の代わりにＯリングを用いてもよい。

また、金属体２１は、図９に示すように、流体流路を避けて金属体２１を貫通する円柱形状の２つの貫通導体６０Ｘ，６０Ｙを有する。貫通導体６０Ｘ，６０Ｙは、金属体２１が有する格納孔６１Ｘ，６１Ｙに格納されている。格納孔６１Ｘ，６１Ｙの内壁面はＤＬＣ層で連続して被覆されておらず、これにより、金属体２１を、複数の半導体レーザ素子８０に挟んで配置した場合に、金属体２１を半導体レーザ素子８０間の電気的導通路とすることが可能となる。

図１０は、上記の単一の半導体レーザ装置１を複数積層させた場合の斜視図である。

図１０における最上層の金属体２１Ｘを電源のマイナス電極に、最下層の金属体２１Ｙを電源のプラス電極に接続してもよい。このように電源に接続することで、半導体レーザ素子８０からレーザ光を出射させることができる。ここで、半導体レーザ装置を複数積層させて固定するために、固定用ネジ２７ａ及びそのネジ穴２７ｂを備えることが好ましい。

次に、半導体レーザ装置１が備える金属体２１を構成する銅製部材の製造例を示す。

図１１は、貫通孔及び格納孔を有する２つの銅製部材の製造例を示す写真である。

また、図１２は、溝部、貫通孔、及び格納孔を有する銅製部材の製造例を示す写真である。

図１１及び図１２に示される銅製部材は、ＤＬＣ層により連続して被覆されている。

本発明は、半導体レーザ素子を備える半導体レーザ装置として利用可能である。

半導体レーザ装置の構造を示す分解斜視図である。 半導体レーザ装置の別の構造を示す分解斜視図である。 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線で矢視した半導体レーザ装置の断面図である。 冷却水流量を変化させたときの隔離層の違いによる熱抵抗の変化を示したグラフである。 半導体レーザ装置を積層させた場合の構成図である。 銅の腐食機構を説明する説明図である。 ＤＬＣ層被覆工程を説明する説明図である。 部材結合工程を説明する説明図である。 単一の半導体レーザ装置の斜視図である。 複数積層させた場合の半導体レーザ装置の斜視図である。 貫通孔及び格納孔を有する２つの銅製部材の製造例を示す写真である。 溝部、貫通孔、及び格納孔を有する銅製部材の製造例を示す写真である。

符号の説明

１…半導体レーザ装置、２１…金属体、２１Ｘ…最上層の金属体、２１Ｙ…最下層の金属体、２１ａ…第１銅製部材、２１ｂ…第２銅製部材、２１ｃ…第３銅製部材、２１ｄ，２１ｅ，２１ｆ，２１ｇ，２１ｈ…銅製部材、２２…外壁面、２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２５ａ，２５ｂ，２５ｃ…貫通孔、２７ａ…固定用ネジ、２７ｂ…ネジ穴、３０…流体流路、３０ａ，３０ｃ…溝部、３０ｂ…貫通孔、３１…流入口、３２…流出口、３３…内壁面、４０ａ，４０ｂ，４０ｃ…ＤＬＣ層、５０ａ，５０ｃ…露出領域、５２…半田材、６０，６０Ｘ，６０Ｙ…貫通導体、６１，６１Ｘ，６１Ｙ…格納孔、６１ａ，６１ｂ，６１ｃ…導体孔、７０ｂ，７０ｃ…接着剤、８０…半導体レーザ素子、８１…ｎ側電極、８２…ダミースペーサ、８３…シリコンラバー、９０…電源。

Claims (1)

1. 複数の銅製部材を接着してなり内部に流体の還流による冷却が可能な流体流路を有する金属体と、
   これらの銅製部材間に介在する接着剤と、
   前記金属体上に設定される露出領域を残して、これらの銅製部材それぞれの表面を連続して被覆するダイヤモンドライクカーボン層と、
   電気的接触を保つ状態で、前記露出領域の全てを覆うように当該露出領域上に配置された、電圧の印加が可能な複数の半導体レーザ素子と、
   を備え、
   前記銅製部材は、前記流体流路の一部である、貫通孔と当該貫通孔とつながる溝部とを有し、
   前記露出領域以外の、前記貫通孔の内表面と前記溝部の表面とには、前記ダイヤモンドライクカーボン層が連続して被覆されており、
   前記金属体は、前記流体流路の形成されていない領域で当該金属体を貫通しつつ当該金属体と電気的接触を保つ貫通導体を有し、
   前記金属体は、前記複数の半導体レーザ素子に挟まれていることを特徴とする半導体レーザ装置。
   

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