WO1998001598A1 - Cible de pulverisation cathodique en aluminium ou alliage d'aluminium - Google Patents

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Hideaki Fukuyo
Ichiroh Sawamura
Takeo Okabe
Tateo Ohhashi
Masaru Nagasawa
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Japan Energy Corporation
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    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3426—Material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
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    • G01N35/00—Automatic analysis not limited to methods or materials provided for in any single one of groups G01N1/00 - G01N33/00; Handling materials therefor
    • G01N2035/00465—Separating and mixing arrangements
    • G01N2035/00534—Mixing by a special element, e.g. stirrer
    • G01N2035/00554—Mixing by a special element, e.g. stirrer using ultrasound

Definitions

  • the present invention relates to a high-purity aluminum or high-purity aluminum alloy sputtering target, and particularly to a high-purity aluminum or aluminum alloy sputtering target that generates less particles when a thin film is formed by sputtering. It is about a bird.
  • the sputtering target is a generally disk-shaped plate that serves as a sputtering source for forming electrodes, gates, wirings, elements, insulating films, protective films, and the like of various semiconductor devices on a substrate by sputtering.
  • a sputtering source for forming electrodes, gates, wirings, elements, insulating films, protective films, and the like of various semiconductor devices on a substrate by sputtering.
  • the atoms that make up the target are released into space by the exchange of momentum and deposited on the opposing substrate.
  • Sputtering targets include aluminum and aluminum alloy targets, refractory metals and alloys (W, Mo, Ti, Ta, Zr, Nb etc. and their alloys such as W—Ti) targets, gold (4) Silicides (MoSix, WSix, NiSix, etc.) Targets, platinum group metals, etc. have been typically used.
  • Aluminum and aluminum alloy targets for forming aluminum wiring are also used on the reflective surfaces of compact disks and magneto-optical disks.
  • ⁇ Particles '' are particles that are scattered from the gate during sputtering and cluster and adhere directly to the thin film on the substrate, or adhere to the surrounding walls and components, and separate and adhere to the thin film after deposition.
  • inclusions in an aluminum (alloy) target cause particles and that the inclusions are mainly composed of oxides.
  • the presence of an average diameter of 1 0 / xm or more inclusions appearing on sputter evening surface of target Bok is less than 4 0 / cm 2, further the oxygen content in the target is less than 1 5 ppm
  • an object of the present invention is to provide a high-purity aluminum or high-purity aluminum alloy sputtering target which suppresses generation of unexpected particles when a thin film is formed by sputtering.
  • the present inventors have worked diligently to solve the above-mentioned problems, and have focused on the existence form of oxygen in the aluminum or aluminum alloy target and conducted an investigation. As a result, they have found that the potential is high due to the graphite crucible used in the target material melting process.
  • these composite inclusions are relatively coarsely distributed, they can be used for general oxygen analysis. It is rare to be included in the sample and appears in the analysis value in the sampling for the purpose of the sampling, but it may cause particles during the sputtering process. In addition, since the particles are relatively coarsely distributed, it is considered that a sudden increase in particles is caused particularly in the case of a target having a low oxygen content.
  • the indication in the ultrasonic flaw inspection of the target material was used as an index to indicate the frequency of the presence of graphite-alumina composite inclusions in the aluminum or aluminum alloy target. Clarified that numbers can be used.
  • the present invention relates to a high-purity aluminum or high-purity aluminum alloy sputtering target in which the oxygen content in the target is less than 5 ppm, and the ultrasonic flaw detection conducted from the surface of the target. that put in examination, characterized in that flat-bottomed hole (Flat Bottom hole) 0. 5 mm ⁇ or equivalent indicators one Chillon (Indication) number is zero. 0 1 less than four Z cm 2, aluminum Niumu or aluminum Provide alloy sputtering targets.
  • FIG. 1 is a diagram showing the transition of the number of particles for each port when using Target A (Comparative Example) and Target B (Example).
  • FIG. 2 is a diagram showing the transition of the number of particles for each port when using Target C (Comparative Example) and Target D (Example).
  • Particles during spattering are generated by the rupture of inclusions in the sunset. Further, the particles may be reattached in the vicinity of the opened hole due to the rupture, and the reattached matter may be peeled off, which also causes particles. Since the inclusions that cause particles are mainly composed of oxides, the oxygen content in the target should be less than 5 ppm. Furthermore, in the ultrasonic flaw detection inspection was performed from the target surface, a flat bottom hole (Flat Bottom Hole) 0. 5 mm ⁇ equivalent to indicators first number of Deployment (Indication) or to zero. 0 1 less than four Z cm 2 By the graph It is possible to reduce the amount of inclusions in the alumina and alumina, and to reduce the generation of sudden particles.
  • the high-purity aluminum used as the material of the sputtering target of the present invention means aluminum of 4 N (99.9%) or more, and the aluminum alloy is Si, C, which is usually added as a sputtering target.
  • High purity aluminum containing 10% by weight or less of one or more elements such as u, Ti, Ge, Cr, Ni, Mo, B, Zr, Nd, and Ta in high-purity aluminum. is there.
  • the target is usually prepared by dissolving and forging the raw material, and subjecting the as-fabricated material to heat treatment and processing to make the crystal structure, grain size, etc. appropriate, and then to the final target dimensions, such as a disk shape It is produced by By appropriately combining plastic working such as rolling and forging with heat treatment, the quality such as the crystal orientation of the target can be adjusted.
  • Inclusions are mainly generated in the process of dissolving and forming raw materials, and are oxides, nitrides, carbides, hydrides, sulfides, silicides, etc., but they are mainly composed of oxides.
  • Crucibles, gates, molds, etc. used in manufacturing the target should be made of a reducing material.
  • the dissolution and structure are performed in a non-oxidizing atmosphere, preferably in a vacuum.
  • Particles during sputtering are generated by the rupture of inclusions in the target. Further, the particles may be reattached in the vicinity of the opened hole due to the rupture, and the reattached matter may be peeled off, which also causes particles. Inclusions that cause particles are mainly composed of oxides, and particularly when the oxygen content in the target is 5 ppm or more, the generation of particles increases. Therefore, evening — the oxygen content in the target should be less than 5 ppm. In addition, it is necessary to reduce the graphite-alumina composite inclusions that cause sudden particles, but since these inclusions are relatively coarsely distributed, they can be used for general oxygen analysis. In sampling, it is rare that it is not included in the sample and appears in the analysis value.
  • Indication measurement by ultrasonic flaw detection can be obtained from the reflected echo intensity that varies depending on the distance to the indication, the size and shape of the indication, and the like.
  • the intensity of the Indication echo with the DGS diagram measured using the reflected echo from a flat bottom hole machined to various depths and sizes. Estimate the size of. Therefore, Flat Bottom Hole 0.5 mm ⁇ indicates the size of Indication which has the same strength as the reflected echo from the 0.5 mm diameter flat bottom hole. Also called equivalent diameter.
  • the number of indications corresponding to the Flat Bottom Hole 0.5 mm ⁇ or more is 0.014 or more Zcm 2 , the sudden increase of particles becomes remarkable. Therefore, the number of indications corresponding to Flat Bottom Hole 0.5 mm ⁇ or more should be less than 0.014 / cm 2 .
  • This value corresponds to less than 10 in a normal high-purity aluminum or aluminum alloy sputtering target, that is, a target having a diameter of 300 mm and a thickness of 10 to 15 mm.
  • the average number of particles can be reduced, and at the same time, the occurrence of unexpected particles can be suppressed, and it is possible to meet future demands for aluminum (alloy) targets.
  • Two types of A 1 — 0.5% Cu alloy target (diameter 3 O Omm0, thickness 10m) m) was prepared. The oxygen content in the target was measured. In addition, ultrasonic inspection was performed from the target surface. The conditions of the ultrasonic inspection were as follows.
  • the oxygen content of each target and the number of indications equivalent to Flat Bottom Hole 0.5 mm ⁇ or more in ultrasonic inspection per unit area were as follows.
  • Target B (Example) 20. 0042 Using these targets, a sputtering test was performed. A sputtered film was formed on a silicon wafer with a diameter of 8 inches, and the number of particles of 0.3 or more was measured with a particle counter (Tencor 6420). Figure 1 shows the change in the number of particles for each lot.
  • lots No. 1 to 32 use target A
  • lots No. 33 to 40 use target B
  • lots No. 4 1 to 49 use target A again for sputtering. It was done.
  • Target A When Target A was used, a sudden increase in the number of particles was observed (marked with * in Fig. 1), whereas in Target B, such a sudden increase in the number of particles was observed. It was not stable.
  • Example 2 As in Example 1, two types of A1-0.5% Cu alloy targets (diameter 300 mm0, thickness 10 mm) were produced. The oxygen content in the target was measured. In addition, ultrasonic inspection was performed from the target surface. The oxygen content of each target and the number of indications corresponding to Flat Bottom Hole 0.5 mm ⁇ or more in ultrasonic flaw detection per unit area were as follows.
  • Target D (Example) 0.50.01 2 7
  • a sputtering test was performed using these targets.
  • a sputtered film was formed on a silicon wafer having a diameter of 8 inches, and the number of particles having a particle size of 0.3 ⁇ or more was measured with a particle counter (6402 manufactured by Tencor).
  • Figure 2 shows the change in the number of particles for each lot.
  • the lots Nos. 1 to 17 are obtained by sputtering using the target C, and the lots Nos. 18 to 33 are obtained by using the target D.
  • the high-purity aluminum or high-purity aluminum alloy sputtering target of the present invention it is possible to reduce the generation of sudden particles during sputtering.

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Description

明 細 書 アルミニウムまたはアルミニウム合金スパッタリングタ一ゲッ 卜
(技術分野）
本発明は、 髙純度アルミニウムまたは高純度アルミニウム合金スパッタリング ターゲッ トに関するものであり、 特にスパッ夕リングにより薄膜を形成する際に パーティクルの発生が少ない髙純度アルミニゥムまたはアルミ二ゥム合金スパッ 夕リングタ一ゲッ 卜に関するものである。
(背景技術）
スパッタリングターゲッ 卜は、 スパッタリングにより各種半導体デバイスの電 極、 ゲート、 配線、 素子、 絶縁膜、 保護膜等を基板上に形成するためのスパッタ リング源となる、 通常は円盤状の板である。 加速された粒子がターゲッ ト表面に 衝突するとき運動量の交換によりターゲッ トを構成する原子が空間に放出されて 対向する基板に堆積する。 スパッタリングターゲットとしては、 アルミニウムお よびアルミニウム合金ターゲッ 卜、 高融点金属および合金 （W、 M o、 T i 、 T a、 Z r、 N b等および W— T iのようなその合金） ターゲット、 金厲シリサイ ド （M o S i x、 W S i x、 N i S i x等） ターゲッ ト、 白金族金属夕ーゲッ ト 等が代表的に使用されてきた。
このようなターゲッ トの中でも重要なものの一つが、 アルミニウム配線形成用 のアルミニウムおよびアルミニウム合金ターゲッ トである。 アルミニウム薄膜は またコンパクトディスクや光磁気ディスクの反射面にも使用されている。
L S Iの高集積化に伴い、 回路の配線幅は 1 m以下と微細化されつつある。 このような中でスパッタリングによる薄膜形成の際のパーティクルが、 回路の断 線あるいは短絡の原因として大きな問題になっている。 「パーティクル」 とは、 スパッタリングに際して夕ーゲッ 卜から飛散する粒子がクラスター化して基板上 の薄膜に直接付着したり、 あるいは周囲壁や部品に付着 ·堆積後剥離して薄膜上 に付着するものである。 アルミニウム （合金） ターゲッ トにおいても、 アルミ二 ゥム配線の微細化あるいはコンパクトディスクや光磁気ディスクの反射面の高品 質化に伴い、 パーティクルを減少させる、 特に 0 . 3 / m以上の寸法のパーティ クルの数を 5 0個 Z c m 2 以下とすることが所望される。
こうした状況の下で、 本発明者らは、 アルミニウム （合金） ターゲッ ト中の介 在物がパーティクルの原因となること、 また、 その介在物が主として酸化物から なるものであるとの知見に基づき、 ターゲッ 卜のスパッ夕面に現れる平均直径 1 0 /x m以上の介在物の存在量が 4 0個/ c m 2 未満であり、 さらに該ターゲッ ト中の酸素含有量が 1 5 p p m未満であることを特徴とするアルミニウムまたは アルミニウム合金スパッタリング夕ーゲッ トを提案した。 （特願平 7— 1 9 2 6 1 9号） 。
特願平 7— 1 9 2 6 1 9号に記載したように、 アルミニウムまたはアルミユウ ム合金ターゲッ ト中の酸素含有量を低減することによってパーティクルの発生は 大幅に抑制することが可能となった。 しかしながら、 なお、 スパッタリング中に 突発的にパーティクル数が増加するという問題があることが指摘された。 すなわ ち、 スパッ夕リング中の平均的なパーティクル数は十分に低いレベルにあるにも かかわらず、 あるウェハーのロッ トにおいて、 突然、 パーティクル数が管理上限 値を超えるという現象が生じる。 そしてこの突発的なパーティクルの発生が L S I製造工程の歩留まりを低下させる一因となっている。
本発明は、 特に、 スパッタリングにより薄膜を形成する際の突発的なパーティ クルの発生を抑制した高純度アルミニウムまたは髙純度アルミニウム合金スパッ タリングターゲッ トを提供することを課題とした。
(発明の開示）
本発明者らは、 上記のような問題点を解決するために鋭意努力し、 アルミユウ ムまたはアルミニウム合金ターゲッ ト中の酸素の存在形態に着目して調査を行つ た。 その結果、 ターゲッ ト素材の溶解工程で用いるグラフアイ トルツボに起因す 能性が高いことを見いだした。
これらの複合介在物は、 比較的粗に分布しているために一般的な酸素分析のた めのサンプリングでは試料中に内包されず、 分析値に現れるのは稀であるが、 ス パッタリングプロセス中ではパーティクルの発生原因となる。 また、 比較的粗に 分布しているが故に、 特に低酸素含有量のターゲッ 卜の場合に突発性のパーティ クル増加を引き起こすものと考えられる。
そして、 このような発見を踏まえて、 アルミニウムまたはアルミニウム合金タ ーゲッ ト中のグラフアイ ト · アルミナ複合介在物の存在頻度を示す指標として、 ターゲッ ト材の超音波探傷検査におけるインディケーシヨン （Indication) 数を 用いることができることを明らかにした。
これらの知見に基づいて、 本発明は、 髙純度アルミニウムまたは髙純度アルミ ニゥム合金スパッタリングターゲッ 卜において、 該ターゲット中の酸素含有量が 5 p p m未満であり、 さらに該ターゲヅ ト表面から行った超音波探傷検査におけ る、 平底穴 （Flat Bottom Hole) 0 . 5 m m Φ以上相当のインディケ一シヨン ( Indication) 数が 0 . 0 1 4個 Z c m 2 未満であることを特徴とする、 アルミ ニゥムまたはアルミニウム合金スパッタリングターゲッ トを提供する。
(図面の簡単な説明）
第 1図は、 ターゲッ ト A (比較例） およびターゲッ ト B (実施例） を用いた場 合の各口ッ 卜毎のパーティクル数の推移を示す図である。
第 2図は、 ターゲッ ト C (比較例） およびターゲッ ト D (実施例） を用いた場 合の各口ッ 卜毎のパーティクル数の推移を示す図である。
(発明を実施するための最良の形態）
スパッ夕リングの際のパーティクルは、 夕ーゲッ 卜中の介在物が破裂すること により発生する。 さらに破裂により開いた孔の近傍に粒子の再付着が生じ、 この 再付着物が剥離してこれもまたパーティクルの原因となる。 パーティクルの原因 となる介在物は、 主として酸化物からなるものであるため、 ターゲット中の酸素 含有量を 5 p p m未満とする。 さらに、 ターゲッ ト表面から行った超音波探傷検 査における、 平底穴 （Flat Bottom Hole) 0 . 5 m m Φ以上相当のインディケ一 ション （Indication) 数を 0 . 0 1 4個 Z c m 2 未満とすることにより、 グラフ アイ ト ， アルミナ複合介在物を低減し、 突発性のパーティクルの発生を十分少な くすることができる。
本発明のスパッタリングターゲッ 卜の素材として用いる高純度アルミニウムと は 4 N ( 9 9 . 9 9 % ) 以上のアルミニウムを意味し、 アルミニウム合金とはス パッタリングターゲッ トとして通常添加される S i 、 C u、 T i 、 G e、 C r、 N i 、 M o、 B、 Z r、 N d、 T a等の元素を高純度アルミニウムに一種または 二種以上を 1 0重量％以下含有するものである。
また、 本発明のスパッタリングターゲッ トの製造に用いる原料としては、 市販 の高純度アルミ二ゥム材料および上記の合金添加成分材料を使用することができ るが、 電子デバイス等に悪影響を及ぼす放射性元素、 アルカリ金属等の不純物含 有量を極力低減したものが好ましい。
ターゲッ トは通常、 原料を溶解及び铸造し、 铸造後の素材を、 結晶組織、 粒径 等を適切なものとするため熱処理および加工処理を施し、 その後円盤状等の最終 ターゲッ 卜寸法に仕上げることにより作製される。 圧延や鍛造等の塑性加工と熱 処理を適切に組み合わせることによりターゲッ トの結晶方位等の品質の調整を行 うことができる。
介在物は、 主として原料の溶解、 铸造の過程で発生し、 酸化物、 窒化物、 炭化 物、 水素化物、 硫化物、 珪化物などであるが、 主として酸化物からなるものであ ることから、 ターゲッ トを製造する際に使用するルツボ、 湯口、 モールドなどは 還元性のある材料を使用するのが良い。 また、 溶融したアルミニウムまたはアル ミニゥム合金の铸造を行う前に、 溶融した金属の表面に浮かんでくる酸化物等の スラグを十分に除去する必要がある。 溶解、 铸造は非酸化性雰囲気中、 好ましく は真空中で行う。
スパッタリングの際のパーティクルは、 ターゲッ ト中の介在物が破裂すること により発生する。 さらに破裂により開いた孔の近傍に粒子の再付着が生じ、 この 再付着物が剥離してこれもまたパーティクルの原因となる。 パーティクルの原因 となる介在物は、 主として酸化物からなるものであり、 ターゲット中の酸素含有 量が 5 p p m以上になると、 特に、 パーティクルの発生が多くなる。 従って、 夕 —ゲッ ト中の酸素含有量は 5 p p m未満になるようにする。 さらに、 突発性のパーティクルの原因となるグラフアイ ト ·アルミナ複合介在 物を低減する必要があるが、 これらの介在物は比較的粗に分布しているため、 一 般的な酸素分析のためのサンプリングでは試料中に内包されず分析値に現れるの は稀である。 そこで、 ターゲッ ト材の表面から超音波探傷検査を行い、 その結果 観察される、 平底穴 （Flat Bottom Hole) 0. 5 m m φ以上相当のインディケ一 シヨン （Indication) 数をグラフアイ 卜 ·アルミナ複合介在物の存在頻度を示す 指標とした。
超音波探傷によるインディケーシヨン （Indication) の測定は、 Indication までの距離、 Indication の大きさ、 形状等によって異なる反射エコーの強さか ら求めることができる。 一般的には、 種々の深さ、 大きさに機械加工を行った平 底穴 （Flat Bottom Hole) からの反射エコーを用いて測定した D G S線図と Indicationエコーの強さを比較することにより Indication の大きさを推定す る。 従って、 平底穴 （Flat Bottom Hole) 0. 5 mm Φとは、 その深さの直径 0. 5 mm径の平底穴からの反射エコーと同等の強さをもつ Indication の大き さを表すものであり、 等価直径とも呼ばれる。
そして、 この Flat Bottom Hole 0. 5 mm φ以上相当の Indication 数が 0. 0 1 4個 Zc m2 以上の場合に、 突発性のパーティクルの増加が顕著にな る。 従って、 Flat Bottom Hole 0. 5 mm Φ以上相当の Indication 数は 0. 0 1 4個/ cm2 未満となるようにする。 なお、 この値は、 通常の高純度ァ ルミニゥムまたはアルミニウム合金スパッ夕リングターゲッ ト、 すなわち直径 300mm、 厚さ 1 0~1 5mmのターゲッ 卜において 1 0個未満に相当するも のである。
こうして、 本発明により、 平均的なパーティクルの数を低減すると同時に突発 的なパーティクルの発生をも抑制することができ、 今後のアルミニウム （合金） ターゲッ 卜への要求に対応することができる。
(実施例）
実施例 1
2種類の A 1 — 0. 5 % C u合金ターゲヅ 卜 （直径 3 O Omm0、 厚さ 1 0m m) を作製した。 ターゲッ ト中の酸素含有量を測定した。 また、 ターゲッ ト表面 から超音波探傷検査を行った。 超音波探傷検査の条件は以下の通りであった。
振動子の直径： 9. 5 mm φ
振動子面積 ： 68mm2
振動子形状 ： 円形
超音波周波数： 5〜 1 0MHz
それぞれのターゲッ 卜の酸素含有量および、 単位面積当たりの超音波探傷検査 における Flat Bottom Hole 0. 5 mm φ以上相当の Indication 数は以下の通 りであった。
酸素含有量 Flat Bottom Hole 0.5mm Φ以上
相当の Indication 数 （個/ cm2) ターゲッ 卜 A (比較例） 1 0. 0453
ターゲッ ト B (実施例） 2 0. 0042 これらのターゲッ トを用いて、 スパッタリング試験を行った。 直径 8インチの シリ コンウェハ一上にスパッタ膜を成膜し、 0. 3 以上のパーティクルの数 をパーティクルカウンタ （Tencor製 6420) で測定した。 各ロッ ト毎のパーテ ィクル数の推移を図 1に示す。
ここで、 ロッ ト No.1〜32はターゲッ ト Aを、 ロット No.33〜40はタ一 ゲッ ト Bを、 そして、 ロッ ト No.4 1〜49は再びターゲッ ト Aを用いてスパッ タリングを行ったものである。
ターゲッ ト Aを用いた場合には、 突発的なパーティクル数の増加 （第 1図の * 印） が見られたのに対して、 ターゲッ ト Bではこのような突発的なパーティクル 数の増加はみられず安定していた。
実施例 2
実施例 1 と同様に、 2種類の A 1— 0. 5%C u合金ターゲッ ト （直径 300 mm 0、 厚さ 1 0mm) を作製した。 ターゲッ ト中の酸素含有量を測定した。 ま た、 ターゲッ ト表面から超音波探傷検査を行った。 それぞれのターゲッ 卜の酸素含有量および、 単位面積当たりの超音波探傷検査 における Flat Bottom Hole 0 . 5 m m φ以上相当の Indication 数は以下の通 りであった。
酸素含有量 Flat Bottom Hole 0. 5mm φ以上
(ppm) 相当の Indication 数 （個/ cm2) ターゲッ ト C (比較例） 0 . 5 0 . 0 3 2 5
ターゲッ ト D (実施例） 0 . 5 0 . 0 1 2 7 これらのターゲッ トを用いて、 スパッタリング試験を行った。 直径 8インチの シリコンウェハ一上にスパッタ膜を成膜し、 0 . 3 μ πι以上のパーティクルの数 をパーティクルカウンタ （Tencor製 6 4 2 0 ) で測定した。 各ロッ ト毎のパーテ ィクル数の推移を図 2に示す。
ここで、 ロッ ト No. 1〜 1 7はターゲッ ト Cを、 ロッ ト No. 1 8 ~ 3 3はター ゲッ ト Dを用いてスパッタリングを行ったものである。
ターゲッ ト Cを用いた場合には、 管理上限値 （この場合には 3 0個） を超える ような突発的なパーティクル数の増加 （第 2図の *印） が見られるのに対して、 夕ーゲッ ト Dではこのような突発的なパーティクル数の増加はみられず安定して いた。
(産業上の利用可能性）
本発明の高純度アルミニウムまたは高純度アルミニウム合金スパッタリングタ —ゲッ 卜を用いることにより、 スパツタリングの際の突発的なパーティクルの発 生を低減することが可能である。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 高純度アルミニウムまたは髙純度アルミニウム合金スパッ夕リングターゲッ 卜において、 該ターゲッ ト中の酸素含有量が 5 p pm未満であり、 さらに該夕一 ゲッ ト表面から行った超音波探傷検査における、 平底穴 （Flat Bottom Hole) 0. 5 mm φ以上相当のインディケーシヨ ン （Indication) 数が 0. 0 14個/ cm2 未満であることを特徴とする、 アルミニウムまたはアルミニウム合金スパ ッタリングタ一ゲッ ト。
PCT/JP1997/002287 1996-07-05 1997-07-02 Cible de pulverisation cathodique en aluminium ou alliage d'aluminium WO1998001598A1 (fr)

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KR1019980701642A KR100288323B1 (ko) 1996-07-05 1997-07-02 알루미늄또는알루미늄합금스퍼터링타겟
DE69719007T DE69719007T2 (de) 1996-07-05 1997-07-02 Aluminium- oder aluminiumlegierungstarget

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