WO1996016768A1 - Verfahren zum bonden von drähten auf oxidationsempfindlichen, lötbaren metallsubstraten - Google Patents

Verfahren zum bonden von drähten auf oxidationsempfindlichen, lötbaren metallsubstraten Download PDF

Info

Publication number
WO1996016768A1
WO1996016768A1 PCT/DE1995/001755 DE9501755W WO9616768A1 WO 1996016768 A1 WO1996016768 A1 WO 1996016768A1 DE 9501755 W DE9501755 W DE 9501755W WO 9616768 A1 WO9616768 A1 WO 9616768A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
copper
bonding
wire
circuit board
semiconductor circuits
Prior art date
Application number
PCT/DE1995/001755
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Heinrich Meyer
Frank Rudolf
Original Assignee
Atotech Deutschland Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Atotech Deutschland Gmbh filed Critical Atotech Deutschland Gmbh
Priority to JP51806096A priority Critical patent/JPH10510098A/ja
Priority to EP19950940154 priority patent/EP0794847B1/de
Priority to DE59502929T priority patent/DE59502929D1/de
Publication of WO1996016768A1 publication Critical patent/WO1996016768A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F11/00—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent
    • C23F11/08—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids
    • C23F11/10—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids using organic inhibitors
    • C23F11/14—Nitrogen-containing compounds
    • C23F11/149—Heterocyclic compounds containing nitrogen as hetero atom
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4875—Connection or disconnection of other leads to or from bases or plates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
    • H01R43/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for soldered or welded connections
    • H01R43/0207—Ultrasonic-, H.F.-, cold- or impact welding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/282—Applying non-metallic protective coatings for inhibiting the corrosion of the circuit, e.g. for preserving the solderability
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45164—Palladium (Pd) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48647—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48738—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48747—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
    • H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48838—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48847—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313—Wedge
    • H01L2224/78314—Shape
    • H01L2224/78315—Shape of the pressing surface, e.g. tip or head
    • H01L2224/78316—Shape of the pressing surface, e.g. tip or head comprising protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313—Wedge
    • H01L2224/78321—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8501—Cleaning, e.g. oxide removal step, desmearing
    • H01L2224/85011—Chemical cleaning, e.g. etching, flux
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85395—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body having an external coating, e.g. protective bond-through coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85447—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01007—Nitrogen [N]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01016—Sulfur [S]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01061—Promethium [Pm]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress

Definitions

  • the invention relates to a method for bonding wires on oxidation-sensitive, solderable metal substrates.
  • Wire bonding technology has long been used to produce electrically conductive connections between unhoused semiconductor circuits (chips) and the conductor tracks of the component carriers carrying the circuits.
  • the connections are formed by wire bridges which are welded on both sides to the connection locations on the surfaces of the electronic components.
  • a preferred method which is particularly suitable for thermally sensitive substrates, is ultrasonic welding or bonding technology ("technology of wire bonding", AVT Report, series for assembly and connection technology, VDI / VDE technology center Informationstechnik GmbH, Issue 4, August 1991,
  • the energy required for compression and for connecting the materials to be bonded is supplied in the form of elastomechanical vibrations in the ultrasound frequency range under the action of pressure (bonding force).
  • the process does not require external heat.
  • the opposing surfaces are first cleaned during the welding process by the friction of the surfaces against one another and oxide and other foreign layers are removed. In addition, roughness peaks are leveled on the surfaces. This enables an intimate contact of the surfaces. Local warming occurs in the connection zone. As the welding process continues, the contact surfaces become increasingly plastically deformed and the formation of a firm connection begins. The process continues until a compact welded joint is formed.
  • the usual working frequency for ultrasonic bonding is 60 kHz or 100 kHz and a power of 0.1 watts to 30 watts.
  • the vibration amplitude is generally about 0.5 ⁇ m to 2 ⁇ m, the direction of vibration being parallel to the workpiece plane. Very defined process conditions are required in order to produce reproducible weld contacts. In particular, metal surfaces that are as defined as possible must be present in order to achieve reliable contacting of the wire.
  • the contacts are created using wedges.
  • the wire is brought to the bonding surface by means of a wedge-shaped tool, welded there under pressure and exposure to ultrasound, drawn to the second bonding surface, a wire loop ("loop") stretching from the first to the second bonding surface, welded there again under the same conditions and finally cut off behind the second weld.
  • the bonding process was usually used to connect the unhoused semiconductor circuits to connections on the component carriers.
  • the ensemble formed in this way from the unhoused semiconductor circuit on a component carrier was provided with a housing and then again soldered to printed circuit boards via connecting pins.
  • Conductor tracks on printed circuit boards generally consist of copper, which may be coated with tin or tin-lead layers.
  • the materials mentioned are at most conditional or not at all suitable for connecting wires to them by wire bonding. Slightly thick oxide layers form on copper, which hinder the bonding process; Tin and tin / lead layers are not bondable.
  • the surfaces prepared for the bonding can also be soldered, in particular without the use of aggressive fluxes.
  • semiconductor circuits should be directly mounted and bonded on the printed circuit board surfaces.
  • Other components such as resistors, capacitors and packaged semiconductor circuits, are simultaneously mounted on the surfaces and electrically connected by soldering.
  • the layers formed according to DD 136 324 cannot be soldered, at least without the use of aggressive soldering aids. Therefore, such layers for protecting the copper against oxidation are not suitable as protective layers for a subsequent component assembly by soldering. Otherwise they change
  • Processes of this type are also extremely toxic, in particular because of the high concentration of chromium trioxide in the chromating solution, so that complex measures for occupational safety and waste water treatment have to be taken.
  • the present invention is therefore based on the problem of avoiding the disadvantages of the prior art and of finding a method for bonding wires on metal substrates which are sensitive to oxidation and which likewise permits subsequent soldering.
  • the object is also to find a method for producing printed circuit boards equipped with components soldered to copper structures and with directly housed semiconductor circuits which are directly electrically conductively contacted.
  • the invention consists in that the wires to be bonded are ultrasonically connected to the metal substrate by a pressure welding process, after the metal substrate has been protected against oxidation and other contaminants before the bonding process with organic protective layers by bringing the metal substrates into contact with a nitrogen compound containing solution is provided.
  • a protective layer the surface, which is in contact with the bond wires, freed from oxides and other deposits or organic contaminants which may impair the bond connection.
  • Copper or copper alloys It is based on the knowledge that fresh copper surfaces which are not contaminated with oxides or adsorbates are readily bondable. However, because of the high reactivity of copper, it is not possible to guarantee the necessary cleanliness of the surfaces even under technical conditions.
  • the idea of the invention is to protect the copper surface from the attack of atmospheric oxygen and other corrosive adsorbates by means of a suitable thin organic protective layer.
  • the thin organic layer must meet another requirement: The welded connection between the wire and the metal substrate must not be impaired by the presence of the organic protective layer. The direct metallic contact between the bonding wire and the metal substrate surface must be established during bonding.
  • organic protective layer surprisingly does not result in the adhesive strength of the contact between the bonding wire and the metal substrate being impaired.
  • organic protective layers are used in the soldering of metal substrates. In this case, however, the solder joint is the one to be bonded to organic contaminants Substrates insensitive, since the solder contact is not only formed on the surfaces of the substrates. When soldering, intermetallic phases (adhesion) usually form between the substrates, so that impurities have practically no adverse effect on the bond strength of the composite, unless these have already been removed from the solder contact surface by the action of temperature.
  • the contact between the bonding wire and the metal substrate is only formed on the contact surface lying in atomic dimensions (cohesion), so that impurities, in particular organic ones, can have a strong negative influence on the adhesive strength of the composite.
  • impurities in particular organic ones
  • inorganic metallic minimal layers have no negative influence can still be explained for cohesively connectable metals, but not that the organic compounds according to the invention also have no negative influence.
  • wires can be bonded to oxidation-sensitive surfaces, for example made of copper or copper alloys, without having to be cleaned immediately before the bonding process.
  • oxidation-sensitive surfaces for example made of copper or copper alloys
  • the layers are also solderable. Therefore, for example, unhoused semiconductor circuits can be electrically conductively contacted on the same substrate by bonding and other components, such as, for example, resistors, capacitors and packaged semiconductor circuits by soldering.
  • the process is also environmentally friendly since no hazardous substances, such as chromates, are used. It is also inexpensive and safe because the elaborate electroless metallization process for the deposition of nickel and gold can be dispensed with.
  • the organic protective layers are formed by bringing the metal substrates into contact with a solution containing nitrogen compounds.
  • a solution containing nitrogen compounds alkyl, aryl or aralkylimidazoles or benzimidazoles with alkyl radicals having at least three carbon atoms are used as nitrogen compounds.
  • the derivatives are preferably substituted in the 2-position.
  • the solution from which the organic protective layers are deposited preferably has a pH below 7 and in particular between 2 and 5.
  • the solution is adjusted to the desired pH by adding acids.
  • acids Both inorganic and organic acids such as phosphoric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid and formic acid are suitable for this.
  • the method according to the invention is used in particular for producing housings which are soldered to copper structures
  • connection carriers such as, for example, multi-chip modules or chip carriers.
  • FR4 or FR5 flame-retardant epoxy resin / glass fiber laminate
  • ceramics are also used as base materials for the substrates carrying the copper structures. Copper structures are produced on these generally plate-shaped supports by known techniques (Handbuch der Porterplattenentechnik, Volume II, ed. G. Herrmann, Eugen G. Leuze Verlag, Saulgau, 1991). If necessary, the carriers also contain boreholes that serve to connect individual conductor lines and are metallized for this purpose with copper layers.
  • a solder mask is usually applied to each side of the carrier in order to cover the areas of the copper structures to which no further electrically conductive connections with housed components or unhoused semiconductor switching elements are provided.
  • the organic protective layer can then be formed on the exposed copper surfaces. For this purpose, they are first cleaned and then etched on the surface. For cleaning, acidic and alkaline solutions are used to remove oxide layers and to remove other contaminants such as fats and oils. In addition to acids or bases, the solutions may also contain wetting agents. After cleaning, the surfaces are etched in order to produce a rough surface profile. Subsequently applied layers adhere better to the surface. The etching solutions for copper commonly used in printed circuit board technology are used. Between the treatment stages, the surfaces are rinsed thoroughly to remove adhering solutions.
  • the surfaces are generally immersed again in a sulfuric acid solution and immediately brought into contact with the solution containing the nitrogen compounds without further treatment.
  • the contact creates a coating of the nitrogen compounds on the copper surface.
  • the temperature of the treatment solution is preferably chosen between 30 ° C and 50 ° C.
  • treatment times between 0.5 and 10 minutes are suitable.
  • Layer thicknesses between approximately 0.1 ⁇ m and 0.5 ⁇ m can be reproducibly generated. Thinner layers do not sufficiently prevent the oxidation of the protected metal surfaces. Thicker layers hinder the bonding ability of the surfaces.
  • the protective layer can be formed by dipping, spraying, splashing in a vertical or horizontal arrangement of the substrates.
  • the usual procedure is to immerse the vertically held substrates in an immersion bath.
  • horizontal technology has prevailed, in which the substrates are guided in a horizontal position and direction through a treatment plant and are separated by one or both sides. can be sprayed with the treatment solutions via nozzles.
  • the effectiveness of the treatment in immersion baths is intensified by moving the substrates and additional exposure to ultrasound.
  • the protective layer After the protective layer has been formed, it is dried and optionally tempered.
  • solder deposits can also be applied at the appropriate points by printing solder pastes.
  • the components are then mechanically fixed themselves by being glued to the surface of the circuit board.
  • the connection contacts of the components are conductively connected to the copper structures by a remelting process.
  • the infrared, vapor phase and laser soldering processes can be considered as the remelting process. The process steps mentioned are described in more detail, for example, in the manual for printed circuit board technology, volume III, ed. G. Herrmann, Eugen G. Leuze Verlag, Saulgau, 1993.
  • the ultrasound bonding method which is used for the micro-joining techniques, is used in particular. This does not require any additional external heat during the bonding process.
  • aluminum wire used for bonding.
  • copper, gold and palladium wires are also possible.
  • Aluminum wire is used in particular with wire diameters between 17.5 ⁇ m and 500 ⁇ m. Thicker wires with a diameter above 100 ⁇ m are made from pure aluminum. For strength reasons, thinner wire cross-sections cannot be drawn and processed from pure aluminum. These are alloyed with 1% silicon or 0.5% to 1% magnesium for hardening. With thinner wires, connections can be formed in smaller contact locations on the unhoused semiconductor circuits and on the copper structures. Thicker wires are used in power electronics assemblies.
  • Characteristic process parameters in ultrasonic wire bonding are the ultrasonic power, the bonding force and the bonding time.
  • a safe i.e. To produce a firm connection between the wire and the bonding surfaces, there is the further need to achieve the greatest possible productivity, i.e. to achieve the shortest possible cycle time (manufacturing time of a wire bridge).
  • the parameters mentioned are optimized for this.
  • the ultrasonic power is selected depending on the wire diameter.
  • the maximum power of the ultrasonic generators is between 5 watts and 30 watts.
  • the contact pressure of the tool when the wire is bonded to the connection surface is generally between 250 mN and 1000 cN.
  • the bond time is preferably between 30 msec and 500 msec.
  • the lower ranges of the parameters mentioned relate to thin wire bonding, again depending on the wire diameter, and the upper ones to thick wire bonding.
  • Tools in the form of a stamp with a wedge-shaped tip (bonding wedge) are used for the wedge-wedge technique, which is preferred for ultrasonic bonding with aluminum wires.
  • the tool usually consists of tungsten carbide, a sintered hard metal with cobalt as a binder. Steel or titanium carbide are also possible.
  • the wire guide is also integrated in the tool.
  • the system essentially consists of the bonding head that holds the tool, the ultrasound unit, the workpiece holder, control electronics and optical aids for positioning the connection partners.
  • the quality of the bond connection can vary
  • the tensile test is preferably used to determine the adhesive strength of the bond. For this purpose, a small hook is placed in the middle between the two bond contacts under the wire loop and pulled upwards at constant speed until the wire loop breaks. The tensile force is measured with the aid of a measuring device, and the force which tears the wire loop is registered.
  • the joint may not tear apart, but rather the wire due to its high strength. This is particularly the case when the bond connection is strongly deformed by high bond energy and the bond wire is therefore notched in the vicinity of the connection.
  • Example 1 and Comparative Example:
  • FR4 printed circuit boards base material from Isola, Düren, DE
  • a copper structure which allows bonding of about 2.5 mm long wire bridges, were treated after the structuring with the following method:
  • circuit boards were then stored at room temperature without further precautions.
  • Another part was annealed at 80 ° C for 2 hours and a third part at 150 ° C for 1 hour to simulate the curing conditions when bonding the semiconductor circuits.
  • AlSil bonding wire (aluminum with 1% silicon) with a diameter of 30 ⁇ m was then bonded to the copper structures (manufacturer Heraeus, Hanau, DE).
  • the wire had a tensile strength of 19 to 21 cN with a 2 to 5% elongation.
  • the individual bond connections were carried out using a manual MDB 11 wire bonder (manufacturer Elektromat, Dresden, DE).
  • a standard bond wedge of the type DS 3102.02-18 L (Elektromat, Dresden, DE) was used.
  • the ultrasound power was varied in a range from 550 to 1000 divisions, corresponding to about 0.5 watt to 1 watt.
  • the figure shows the results of the individual examinations as a graphic representation of the dependencies of the tear-off force determined by the tensile test on the ultrasound power with constant bond force and time.
  • Curve F1 indicates the average tear-off force in bonded connections without further thermal storage of the substrate before wire bonding
  • curve F2 the average tear-off force after two hours of thermal storage of the Substrate before wire bonding at 80 ° C
  • curve F3 the average tear-off force after a one-hour thermal treatment of the substrate before wire bonding at 150 ° C.

Abstract

Zum elektrisch leitenden Kontaktieren von ungehäusten Halbleiterschaltungen (Chips) auf Leiterplatten werden die Oberflächen der Kupferstrukturen üblicherweise mit einer Nickel- und darüber liegenden Goldschicht überzogen, um Drahtverbindungen zwischen der Schaltung und den Leiterstrukturen auf der Leiterplatte herstellen zu können. Die Verbindung zwischen dem Draht und den Anschlußplätzen auf der Schaltung auf der einen Seite und den Leiterstrukturen auf der Leiterplatte auf der anderen Seite werden durch Preßschweißverfahren, insbesondere das Ultraschallbondverfahren, gebildet. Ein neues Verfahren, mit dem organische Schutzschichten auf den Kupferoberflächen der Leiterplatte abgeschieden werden, verhindert die Bildung von Oxidschichten und anderen Verunreinigungen auf den Kupferoberflächen und ermöglicht so die direkte Verbindung des Drahtes durch Ultraschallbonden mit den Kupferoberflächen, ohne daß die Lötbarkeit der Oberflächen beeinträchtigt wird.

Description

Verfahren zum Bonden von Drähten auf oxidationsempfindlichen, lötbaren Metallsubstraten
Beschreibung:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden von Drähten auf oxidationsempfindlichen, lötbaren Metallsubstraten.
Zur Herstellung elektrisch leitender Verbindungen zwischen ungehausten Halbleiterschaltungen (Chips) und den Leiterzügen der die Schaltungen tragenden Bauelementeträger wird seit langem die Drahtbondtechnik eingesetzt. Die Verbindungen werden hierzu durch Drahtbrücken gebildet, die auf beiden Seiten mit den Anschlußplätzen auf den Oberflächen der Elek¬ tronikbauteile verschweißt werden.
Schmelzschweißverfahren können in diesem Fall nicht einge¬ setzt werden, da die hierfür erforderlichen hohen Temperatu¬ ren die Bauteile zerstören würden. Daher wurden Kalt- und Warm-Preßschweißverfahren als Mikrofügetechniken entwickelt. Mit den genannten Verfahren können Verbindungen mit hoher mechanischer Festigkeit und kleinem elektrischen Widerstand, wie er bei der Verbindung zweier Metalle bzw. Legierungen beim Drahtbonden gefordert wird, erreicht werden. Zum Ver¬ schweißen des Drahtes mit dem Material der Anschlußoberfläche ist eine äußere Energiezufuhr notwendig, durch die eine plastische Deformation des Bonddrahtes und/oder der Metalli- sierungsschicht in der Verbindungszone und die Ausbildung einer möglichst großen tatsächlichen Kontaktfläche bewirkt wird.
Beim Kaltpreßschweißen wird die Energie in erster Linie durch den Preßdruck aufgebracht. Eine bevorzugte Methode, die insbesondere für thermisch empfindliche Substrate in Betracht kommt, ist die Ultraschallschweiß- bzw. -bondtechnik ("Technologie des Drahtbondens", AVT Report, Schrif enreihe für Aufbau- und Verbindungstechnik, VDI/VDE-Technologie- Zentrum Informationstechnik GmbH, Heft 4, August 1991,
Berlin, DE) . In diesem Fall wird die zur Kompression und zum Verbinden der zu bondenden Materialien erforderliche Energie in Form von elastomechanischen Schwingungen im Ultraschall- frequenzbereich unter Einwirkung von Druck (Bondkraft) zuge- führt. Das Verfahren kommt ohne äußere Wärmezufuhr aus.
Nach gängiger Vorstellung werden die sich gegenüberliegenden Oberflächen beim Schweißvorgang durch die Reibung der Ober¬ flächen aneinander zunächst gesäubert und Oxid- und andere Fremdschichten entfernt. Außerdem werden Rauhigkeitsspitzen an den Oberflächen eingeebnet . Dadurch wird ein inniger Kon¬ takt der Oberflächen ermöglicht. In der Verbindungszone kommt es zu einer lokalen Erwärmung. Im weiteren Verlauf des Schweißvorganges werden die Kontaktflächen zunehmend pla- stisch deformiert, und die Bildung einer festen Verbindung beginnt . Der Vorgang verläuft weiter bis zur Bildung einer kompakten Schweißverbindung. Die übliche Arbeitsfrequenz beim Ultraschallbonden liegt bei 60 kHz oder 100 kHz und bei einer Leistung von 0,1 Watt bis 30 Watt. Die Schwingungsamplitude beträgt im allgemeinen etwa 0,5 μm bis 2 μm, wobei die Schwingungsrichtung parallel zur Werkstückebene liegt. Es werden sehr definierte Prozeßbedin¬ gungen gefordert, um reproduzierbare Schweißkontakte zu er¬ zeugen. Insbesondere müssen möglichst definierte Metallober¬ flächen vorliegen, um eine zuverlässige Kontaktierung des Drahtes zu erreichen.
Bei der Ultraschallbondtechnik werden die Kontakte durch Keile (wedges) erzeugt. Dabei wird der Draht mittels eines keilförmigen Werkzeuges an die Bondfläche herangeführt, dort unter Anpressen und Ultraschalleinwirkung verschweißt, zur zweiten Bondfläche gezogen, wobei sich ein Drahtbogen ("loop") von der ersten zur zweiten Bondfläche spannt, dort wieder unter den gleichen Bedingungen verschweißt und schließlich hinter der zweiten Schweißstelle abgetrennt.
Das Bondverfahren wurde in der Vergangenheit üblicherweise eingesetzt, um die ungehausten Halbleiterschaltungen mit Anschlüssen auf den Bauelementeträgern zu verbinden. Das der¬ art gebildete Ensemble aus der ungehausten Halbleiterschal- tung auf einem Bauelementeträger wurde mit einem Gehäuse versehen und dann wiederum über Anschlußstifte auf Leiter¬ platten gelötet.
Neuere Techniken gehen davon aus, daß die ungehausten Halb- leiterschaltungen ohne Bauelementeträger direkt auf der Lei¬ terplattenoberfläche fixiert und durch Drahtbonden mit den Leiterbahnen elektrisch leitend verbunden werden. Daher be- steht das Erfordernis, für das Drahtbonden geeignete Ober¬ flächen auch auf den Leiterbahnen der Leiterplatten vorzuse¬ hen. Es werden üblicherweise Metallschichten aus Nickel und Gold verwendet .
Leiterzüge auf Leiterplatten bestehen in der Regel aus Kup¬ fer, die gegebenenfalls mit Zinn- oder Zinn-Blei-Schichten überzogen sind. Die genannten Materialien sind höchstens bedingt oder überhaupt nicht geeignet, um Drähte mit diesen durch Drahtbonden zu verbinden. Auf Kupfer bilden sich leicht dicke Oxidschichten, die den Bondvorgang behindern; Zinn- und Zinn/Blei-Schichten sind nicht bondbar.
Daher wurden für den genannten Zweck bisher bevorzugt weitere Schichten aus Nickel und Gold auf die Leiterbahnen abge¬ schieden. Beim Bonden wird der Bonddraht mit der Nickel- schicht verschweißt. Die die Nickelschicht überspannende, äußerst dünne Goldschicht dient lediglich dazu, die Oxidation der Nickelschicht zu verhindern, um deren Bondfähigkeit zu erhalten. Derartige Schichten sind jedoch sehr teuer. Übli¬ cherweise werden diese Metalle erst nach der Erzeugung der Leiterbahnen abgeschieden, so daß das zusätzliche Erfordernis besteht, daß die Metalle ausschließlich auf den Kupferlei¬ terbahnen und nicht auf den dazwischen liegenden nichtlei- tenden Bereichen der Leiterplatte selektiv abgeschieden wer¬ den müssen. Anderenfalls bestünde die Gefahr, daß sich leit- fähige Brücken und damit Kurzschlüsse zwischen den Leiter¬ bahnen bilden.
In einer älteren Technik werden die Nickel- und Goldschichten unmittelbar nach der ganzflächigen Metallisierung der Leiterplattenoberflächen und Bohrlöcher auf den Kupferober- flächen abgeschieden. Dies hat jedoch den Nachteil, daß zum einen erhebliche Mengen des teuren Goldes aufgebracht werden müssen und zum zweiten, daß die nachträgliche Entfernung dieser Schichten zur Erzeugung der Leiterbahnen durch Ätz- prozesse schwierig ist.
Aus der Patentschrift DD 136 324 ist ein Verfahren zum Bonden auf stärker oxidierenden Anschlußflächen bekannt, bei der auf die Anschlußflächen nach ihrer Reinigung und Vorbereitung eine dünne Schutzschicht aufgetragen wird, die beim Bonden zerreißt. Es wird insbesondere beschrieben, daß Kup¬ feroberflächen mit Chromatierlösungen, bestehend aus Chrom- trioxid und Schwefelsäure in Wasser, behandelt werden. Dabei entsteht eine sehr dünne, gegebenenfalls nur wenige Atomlagen dicke Schutzschicht auf der Kupferoberfläche.
Für eine breite Anwendung der genannten Technik ist es jedoch erforderlich, daß die für das Bonden vorbereiteten Oberflä¬ chen insbesondere ohne Anwendung aggressiver Flußmittel auch lötbar sind. In der Regel sollen auf den Leiterplattenober¬ flächen nicht nur Halbleiterschaltungen direkt montiert und gebondet werden. Auf die Oberflächen werden gleichzeitig auch andere Bauelemente, wie beispielsweise Widerstände, Kondensatoren und gehäuste Halbleiterschaltungen montiert und durch Löten elektrisch verbunden. Die nach der DD 136 324 gebildeten Schichten sind jedoch, zumindest ohne Anwendung aggressiver Lothilfsmittel, nicht lötbar. Daher eignen sich derartige Schichten zum Schutz des Kupfers gegen Oxidation nicht als Schutzschichten für eine nachfolgende Bauelemente- bestückung durch Löten. Im übrigen verändern sich diese
Schichten bei längerer Lagerungszeit bei erhöhter Temperatur, so daß keine reproduzierbaren Ergebnisse beim Bonden und beim Löten möglich sind.
Derartige Verfahren sind insbesondere wegen der hohen Kon- zentration von Chromtrioxid in der Chromatierlösung überdies außerordentlich giftig, so daß aufwendige Maßnahmen zum Ar¬ beitsschutz und bei der Abwasseraufbereitung getroffen werden müssen.
Der vorliegenden Erfindung liegt von daher das Problem zu¬ grunde, die Nachteile des Standes der Technik zu vermeiden und ein Verfahren zum Bonden von Drähten auf oxidationsemp¬ findlichen Metallsubstraten zu finden, das gleichermaßen ein nachfolgendes Löten erlaubt. Insbesondere besteht die Aufgabe auch darin, ein Verfahren zur Herstellung von mit auf Kup¬ ferstrukturen gelöteten Bauelementen und mit direkt elek¬ trisch leitend kontaktierten ungehausten Halbleiterschaltun¬ gen bestückten Leiterplatten zu finden.
Die Aufgabe wird gelöst durch die Ansprüche 1 und 3. Bevor¬ zugte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Unteran¬ sprüchen angegeben.
Die Erfindung besteht darin, daß die zu bondenden Drähte durch ein Preßschweißverfahren mit Ultraschall mit dem Me¬ tallsubstrat verbunden werden, nachdem das Metallsubstrat zum Schutz gegen Oxidation und andere Verunreinigungen vor dem Bondvorgang mit organischen Schutzschichten durch In-Kontakt- Bringen der Metallsubstrate mit einer Stickstoffverbindungen enthaltenden Lösung versehen wird. Zur reproduzierbaren Applikation einer derartigen Schutzschicht wird die Fläche, die Kontakt mit den Bonddrähten erhält, von Oxiden und sonstigen , die Bondverbindung eventuell beeinträchtigenden Belägen oder auch organischen Verschmutzungen befreit.
Das Verfahren kommt insbesondere für Metallsubstrate aus
Kupfer oder Kupferlegierungen in Betracht . Es beruht auf der Erkenntnis, daß frische, nicht mit Oxiden oder Adsorbaten kontaminierte Kupferflächen gut bondbar sind. Wegen der hohen Reaktivität von Kupfer ist es indes nicht möglich, die nötige Reinheit der Oberflächen auch unter technischen Bedingungen zu gewährleisten. Der Erfindungsgedanke besteht darin, die Kupferoberfläche durch eine geeignete dünne organische Schutzschicht vor dem Angriff des Luftsauerstoffes und ande¬ rer korrosiver Adsorbate zu schützen. Die dünne organische Schicht muß jedoch noch einer weiteren Voraussetzung genügen: Die geschweißte Verbindung zwischen dem Draht und dem Metallsubstrat darf durch die Anwesenheit der organischen Schutzschicht nicht beeinträchtigt werden. Der direkte me¬ tallische Kontakt zwischen dem Bonddraht und der Metallsub- stratoberflache muß beim Bonden unbedingt hergestellt werden.
Oxide und andere Oberflächenverbindungen, wie beispielsweise Adsorbate, verhindern diesen Kontakt. Es hat sich herausgestellt, daß die organische Schutzschicht beim Bond¬ vorgang in geeigneter Weise durchbrochen oder entfernt wird.
Die mehr als 50 nm, vorzugsweise 100-500 nm, dicke organische Schutzschicht führt überraschenderweise nicht dazu, daß die Haftfestigkeit des Kontaktes zwischen dem Bonddraht und dem Metallsubstrat beeinträchtigt wird. Derartige organische Schutzschichten werden zwar beim Löten von Metallsubstraten eingesetzt. In diesem Fall ist die Lötverbindung jedoch gegenüber organischen Verunreinigungen der zu verbindenden Substrate unempfindlich, da der Lötkontakt nicht nur an den Oberflächen der Substrate gebildet wird. Beim Löten bilden sich meist intermetallische Phasen (Adhäsion) zwischen den Substraten aus, so daß Verunreinigungen praktisch keinen nachteiligen Einfluß auf die Haftfestigleit des Verbundes haben, sofern diese nicht schon durch Temperatureinwirkung von der Lötkontaktfläche entfernt wurden. Im Gegensatz dazu wird der Kontakt zwischen dem Bonddraht und dem Metallsubstrat nur an der in atomaren Dimensionen liegenden Kontaktfläche gebildet (Kohäsion) , so daß Verunreinigungen, insbesondere organischer Art, einen starken negativen Einfluß auf die Haftfestigkeit des Verbundes ausüben können. Daß anorganische metallische Minimal-Schichten keinen negativen Einfluß haben, ist noch erklärlich für Stoffschlüssig verbindbare Metalle, jedoch nicht, daß auch die erfindungsgemäßen organischen Verbindungen keinen negativen Einfluß haben.
Das Verfahren weist verschiedene daher unerwartete Vorteile gegenüber dem Stand der Technik auf: Es können Drähte auf oxidationsempfindliche Oberflächen, beispielsweise aus Kupfer oder Kupferlegierungen, gebondet werden, ohne daß diese unmittelbar vor dem Bondverfahren gereinigt werden müssen. In der Regel ist damit zu rechnen, daß die Metalloberflächen vor dem Bondprozeß über eine längere Zeit hinweg gelagert werden und dabei unter Umständen auch korrosiven Gasen ausgesetzt sind. Diese Wartezeiten können unterschiedlich lang sein. Außerdem besteht mitunter die Notwendigkeit, die Substrate vor dem Drahtbonden einer Wärmebehandlung zu unterziehen, so daß sich dickere Oxidationsschichten auf den
Metalloberflächen bilden. Derartige Kontaminationen behindern den Bondvorgang oder verhindern die Bildung der Schweißverbindung vollständig.
Durch die organische Schutzschicht wird die Bildung derar- tiger Oxide und anderer Kontaminationen verhindert. Wartezei¬ ten und Wärmebeanspruchungen des Substrates vor dem Bonden - wirken sich nicht in nennenswertem Umfange auf das Bonder¬ gebnis aus.
Die Schichten sind ferner auch lötbar. Daher können auf dem¬ selben Substrat beispielsweise ungehäuste Halbleiterschaltun¬ gen durch Bonden und andere Bauelemente, wie beispielsweise Widerstände, Kondensatoren und gehäuste Halbleiterschaltungen durch Löten elektrisch leitend kontaktiert werden.
Das Verfahren ist darüberhinaus umweltfreundlich, da keine gefährdenden Substanzen, wie beispielsweise Chromate, verwen¬ det werden. Es ist auch kostengünstig und sicher, da auf die aufwendigen stromlosen Metallisierungsverfahren zur Abschei- düng von Nickel und Gold verzichtet werden kann.
Die organischen Schutzschichten werden durch In-Kontakt-Brin¬ gen der Metallsubstrate mit einer Stickstoffverbindungen enthaltenen Lösung gebildet. Als Stickstoffverbindungen wer- den insbesondere Alkyl-, Aryl- oder Aralkylimidazole oder -benzimidazole mit Alkylresten mit mindestens drei Kohlen¬ stoffatomen verwendet. Es handelt sich in diesem Fall vor¬ zugsweise um die in 2-Stellung substituierten Derivate. Grundsätzlich können die in den Druckschriften EP 0428383 AI, EP 0428260 A2, EP 0364132 AI, EP 0178864 Bl, EP 0551112 AI, CA 2026684 AA, WO 8300704 AI, JP 3235395 A2, JP 4080375 A2 , JP 4159794 A2, JP 4162693 A2, JP 4165083 A2, JP 4183874 A2, -
10
JP 4202780 A2, JP 5025407 A2, JP 5093280 A2, JP 5093281 A2, JP 5098474 A2, JP 5163585 A2, JP 5202492 A2 und JP 6002158 A2 beschriebenen Stickstoffverbindungen sowie die weiteren dort angegebenen Zusatzstoffe verwendet werden.
Die Lösung, aus der die organischen Schutzschichten abge¬ schieden werden, hat vorzugsweise einen pH-Wert unter 7 und insbesondere zwischen 2 und 5. Die Lösung wird durch Zugabe von Säuren auf den gewünschten pH-Wert eingestellt. Hierzu eignen sich sowohl anorganische als auch organische Säuren, wie beispielsweise Phosphorsäure, Schwefelsäure, Salzsäure und Ameisensäure.
Das erfindungsgemäße Verfahren dient insbesondere zur Her- Stellung von mit auf Kupferstrukturen gelöteten gehäusten
Bauelementen und mit direkt elektrisch leitend kontaktierten ungehausten Halbleiterschaltungen bestückten Leiterplatten.
Hierzu sind die folgenden wesentlichen Verfahrenschritte er- forderlich:
- Herstellen der Kupferstrukturen auf den Leiterplatten¬ oberflächen,
- Bilden organischer Schutzschichten auf den Kupfer- Strukturen,
- mechanisches Fixieren und Löten der gehäusten Bauele¬ mente auf den Leiterplattenoberflächen,
- Befestigen der ungehausten Halbleiterschaltungen auf den Leiterplattenoberflächen, - elektrisches Kontaktieren von auf den ungehausten
Halbleiterschaltungen vorgesehenen Bondinseln mit den Kupferstrukturen durch Preßschweißen von Drähten mit Ultrasc
Das Verfahren kann auch bei der Herstellung anderer Verbin¬ dungsträger, wie beispielsweise von Multi-Chip-Modulen oder Chipträgern angewendet werden.
Die Verfahrensschritte werden in der angegebenen Reihenfolge oder auch in einer anderen Reihenfolge durchlaufen. Zusätz¬ lich zu den angegebenen werden gegebenenfalls weitere Verfah- rensschritte ausgeführt, die im folgenden dargestellt werden.
Als Grundmaterialien für die die Kupferstrukturen tragenden Substrate werden neben FR4- bzw. FR5- (flammhemmendes Epo¬ xidharz/Glasfaser-Laminat) , Polyimid und anderen Materialien auch Keramiken eingesetzt. Auf diesen im allgemeinen plat- tenförmigen Trägern werden Kupferstrukturen durch bekannte Techniken erzeugt (Handbuch der Leiterplattentechnik, Band II, Hrsg. G. Herrmann, Eugen G. Leuze Verlag, Saulgau, 1991) . Gegebenenfalls enthalten die Träger auch Bohrlöcher, die zur Verbindung einzelner Leiterzugebenen dienen und hierzu mit Kupferschichten metallisiert sind.
Nach dem Erzeugen der Kupferstrukturen auf den Substrataußen¬ seiten wird üblicherweise eine Lötstopmaske auf jede Seite des Trägers aufgebracht, um die Bereiche der Kupferstrukturen abzudecken, zu denen keine weiteren elektrisch leitenden Ver¬ bindungen mit gehäusten Bauelementen oder ungehausten Halb¬ leiterschaltelementen vorgesehen sind. Anschließend kann die organische Schutzschicht auf den freiliegenden Kupferoberflä- chen gebildet werden. Hierzu werden diese zunächst gereinigt und anschließend oberflächlich angeätzt. Zur Reinigung werden saure und alkalische Lösungen verwendet, um Oxidschichten und andere Verunreinigungen, wie beispielsweise Fette und Öle, zu entfernen. Die Lösungen enthalten daher neben Säuren oder Basen gegebenenfalls auch Netzmittel. Nach der Reinigung wer¬ den die Oberflächen angeätzt, um ein rauhes Oberflächenprofil zu erzeugen. Nachfolgend aufgebrachte Schichten haften da¬ durch besser auf der Oberfläche. Es werden die in der Leiter¬ plattentechnik gebräuchlichen Ätzlösungen für Kupfer verwen¬ det . Zwischen den Behandlungsstufen werden die Oberflächen gründlich gespült, um anhaftende Lösungen zu entfernen.
Vor der nachfolgenden Bildung der organischen Schutzschichten werden die Oberflächen in der Regel noch einmal in eine schwefelsaure Lösung getaucht und ohne weitere Behandlung unmittelbar danach mit der die StickstoffVerbindungen enthal- tenen Lösung in Kontakt gebracht. Durch den Kontakt bildet sich auf der Kupferoberfläche ein Überzug aus den Stickstoff- Verbindungen. Die Temperatur der Behandlungslösung wird vor¬ zugsweise zwischen 30 °C und 50 °C gewählt. Je nach ge¬ wünschter Schichtdicke sind Behandlungszeiten zwischen 0,5 und 10 Minuten geeignet. Es können Schichtdicken zwischen etwa 0,1 μm und 0,5 μm reproduzierbar erzeugt werden. Dünnere Schichten verhindern die Oxidation der geschützten Metall- Oberflächen nicht ausreichend. Dickere Schichten behindern die Bondfähigkeit der Oberflächen.
Die Schutzschicht kann durch Tauchen, Sprühen, Schwallen in vertikaler oder in horizontaler Anordnung der Substrate ge¬ bildet werden. Die übliche Verfahrensweise besteht im Eintau¬ chen der vertikal gehaltenen Substrate in ein Tauchbad. In neuerer Zeit hat sich die Horizontaltechnik durchgesetzt, bei der die Substrate in horizontaler Lage und Richtung durch eine Behandlungsanlage geführt und von einer oder beiden Sei- ten über Düsen mit den Behandlungslösungen beschwallt werden. Die Wirksamkeit der Behandlung in Tauchbädern wird durch Be¬ wegung der Substrate und zusätzliche Einwirkung von Ultra¬ schall intensiviert.
Nach der Bildung der Schutzschicht wird diese getrocknet und gegebenenfalls getempert.
Falls Bauelemente wie Widerstände, Kondensatoren und gehäuste Halbleiterschaltungen durch Löten mit den Kupferstrukturen elektrisch leitend verbunden werden sollen, können anschlie¬ ßend Lotdepots an den geeigneten Stellen auch durch Drucken von Lotpasten aufgebracht werden. Danach werden die Bauele¬ mente selbst durch Aufkleben auf die Leiterplattenoberfläche mechanisch fixiert. Durch ein Umschmelzlötverfahren werden die Anschlußkontakte der Bauelemente mit den Kupferstrukturen leitend verbunden. Als Umschmelzverfahren kommen beispiels¬ weise das Infrarot-, Dampfphasen- und das Laserlötverfahren in Betracht. Die genannten Verfahrensschritte sind bei- spielsweise im Handbuch der Leiterplattentechnik, Band III, Hrsg. G. Herrmann, Eugen G. Leuze Verlag, Saulgau, 1993, nä¬ her beschrieben.
Danach werden die direkt mit dem Substrat zu verbindenden ungehausten Halbleiterschaltungen auf die Kupferstrukturen geklebt.
Zur elektrisch leitenden Kontaktierung der Anschlußplätze auf den Halbleiterschaltungen mit den Kupferstrukturen wird ins- besondere das zu den Mikrofügetechniken rechnende Ultra- schallbondverfahren eingesetzt. Dieses kommt ohne zusätzliche äußere Wärmezufuhr beim Bondprozeß aus. Zum Bonden wird vor- zugsweise Aluminiumdraht verwendet. Es sind jedoch auch Kup¬ fer-, Gold- und Palladiumdrähte möglich. Aluminiumdraht wird besonders mit Drahtdurchmessern zwischen 17,5 μm und 500 μm eingesetzt. Dickere Drähte mit einem Durchmesser oberhalb von 100 μm werden aus Reinstaluminium hergestellt. Dünnere Draht- querschnitte können aus Festigkeitsgründen nicht aus reinem Aluminium gezogen und verarbeitet werden. Zur Härtung werden diese mit 1 % Silizium oder 0,5 % bis 1 % Magnesium legiert. Mit dünneren Drähten können Verbindungen auf kleineren Kon- taktierungsplätzen auf den ungehausten Halbleiterschaltungen und auf den Kupferstrukturen gebildet werden. Dickere Drähten werden bei Baugruppen der Leistungselektronik eingesetzt.
Charakteristische Verfahrensparameter beim Ultraschalldraht- bonden sind die Ultraschalleistung, die Bondkraft und die Bondzeit. Neben der Voraussetzung, eine sichere, d.h. feste Verbindung zwischen dem Draht und den Bondflächen zu erzeu¬ gen, besteht die weitere Notwendigkeit, eine größtmögliche Produktivität, d.h. eine möglichst geringe Zykluszeit (Her- Stellungszeit einer Drahtbrücke) zu erreichen. Hierzu werden die genannten Parameter optimiert.
Die Ultraschalleistung wird abhängig vom Drahtdurchmesser gewählt. Die maximale Leistung der Ultraschallgeneratoren liegt zwischen 5 Watt und 30 Watt. Die Anpreßkraft des Werk¬ zeuges beim Bonden des Drahtes auf die Anschlußfläche beträgt in der Regel zwischen 250 mN und 1000 cN. Die Bondzeit liegt vorzugsweise zwischen 30 msec und 500 msec. Die unteren Be¬ reiche der genannten Parameter betreffen jeweils, wiederum in Abhängigkeit vom Drahtdurchmesser, das Dünndraht-, die oberen das Dickdrahtbonden. Für die wedge-wedge-Technik, die beim Ultraschallbonden mit Aluminiumdrähten bevorzugt eingesetzt wird, werden Werkzeuge in Form eines Stempels mit keilförmiger Spitze (Bondkeil) verwendet. Das Werkzeug besteht üblicherweise aus Wolframcar- bid, einem gesinterten Hartmetall mit Kobalt als Bindemittel. Weiterhin sind Stahl oder Titancarbid möglich. Meist ist die Drahtführung zusätzlich im Werkzeug integriert.
Zum Bonden werden manuelle und automatisch gesteuerte Anlagen verwendet. Die Anlage besteht im wesentlichen aus dem Bond¬ kopf, der das Werkzeug hält, der Ultraschalleinheit, dem Werkstückhalter, einer Steuerelektronik und optischen Hilfs¬ mitteln zur Positionierung der Verbindungspartner.
Die Qualität der Bondverbindung kann mit unterschiedlichen
Verfahren getestet werden. Um die Haftfestigkeit der Bondver¬ bindung zu ermitteln, wird bevorzugt der Zugtest eingesetzt. Hierzu wird ein kleiner Haken in der Mitte zwischen den bei¬ den Bondkontakten unter der Drahtschlaufe plaziert und mit konstanter Geschwindigkeit nach oben gezogen bis die Draht- schlaufe zerreißt. Die Zugkraft wird mit Hilfe einer Meßvor¬ richtung gemessen und die Kraft, die zum Zerreißen der Draht- schlaufe führt, registriert. Es ist jedoch zu beachten, daß unter Umständen nicht die Fügestelle in sich zerreißt, son- dem infolge deren hoher Festigkeit der Draht. Dies ist ins¬ besondere dann der Fall, wenn die Bondverbindung durch hohe Bondenergie stark deformiert und der Bonddraht daher in der Nähe der Verbindung eingekerbt wird.
Die nachfolgenden Ausführungsbeispiele dienen zur Erläuterung der Erfindung: Beispiel 1 und Vergleichsbeispiel :
FR4-Leiterplatten (Basismaterial der Firma Isola, Düren, DE) mit einer Kupferstruktur, die das Bonden von etwa 2, 5 mm lan¬ gen Drahtbrücken erlaubt, wurden nach dem Strukturieren mit nachfolgendem Verfahren behandelt :
Verfahrens- Behandlungs- Temp. schritte zeit (Minuten) (°C)
1. Reinigen der Kupferoberflä- 2 bis 3 40 bis 50 ehe in einer schwefelsauren, wäßrigen Caroat-Ätzlösung
2. Spülen in Wasser
3. Reinigen in alkalischer 2 bis 3 40 bis 50 netzmittelhaltiger wäßriger
Lösung 4. Spülen in Wasser
5. Ätzreinigen in einer schwe- 2 bis 3 30 bis 40 feisauren, wäßrigen Wasser¬ stoffperoxidlösung
6. Spülen in Wasser 7. 5-Vol.-% wäßrige Schwefel- 1 Räumtemp. säure-Lösung
8. Spülen in Wasser
9. Bilden der org. Schutzschicht 1 30 bis 50
10. Spülen in Wasser 11. Trocknen 5 bis 10 60 bis 80 Zum Bilden der organischen Schutzschicht wurde eine Lösung, enthaltend 10 g/1 2-n-Heptylbenzimidazol und 32 g/1 Ameisen¬ säure in Wasser, verwendet.
Ein Teil der Leiterplatten wurde anschließend bei Raumtempe¬ ratur ohne weitere Vorkehrungen gelagert. Ein weiterer Teil wurde zur Simulation der Aushärtebedingungen beim Kleben der Halbleiterschaltkreise 2 h lang bei 80 °C und ein dritter Teil 1 h lang bei 150 °C getempert.
Anschließend wurde ein AlSil-Bonddraht (Aluminium mit 1 % Si¬ lizium) mit einem Durchmesser von 30 μm auf die Kupfer¬ strukturen gebondet (Hersteller Heraeus, Hanau, DE) . Der Draht wies eine Festigkeit von 19 bis 21 cN Zerreißkraft bei einer 2 bis 5 %igen Dehnung auf.
Die einzelnen Bondverbindungen wurden mit einem manuellen Drahtbonder vom Typ MDB 11 (Hersteller Elektromat, Dresden, DE) durchgeführt. Es wurde ein Standardbondkeil vom Typ DS 3102.02-18 L (Elektromat, Dresden, DE) eingesetzt.
Bei konstanter Bondkraft von etwa 40 cN und einer Bondzeit von etwa 200 msec wurde die Ultraschalleistung in einem Be¬ reich von 550 bis 1000 Skalenteilen, entsprechend etwa 0,5 Watt bis 1 Watt, variiert. In der Abbildung sind Ergebnisse der einzelnen Untersuchungen als graphische Darstellung der Abhängigkeiten der mit dem Zugtest ermittelten Abreißkraft von der Ultraschalleistung bei konstanter Bondkraft und -zeit wiedergegeben. Kurve Fl gibt die mittlere Abreißkraft bei Bondverbindungen ohne weitere thermische Lagerung des Sub¬ strates vor dem Drahtbonden an, Kurve F2 die mittlere Abrei߬ kraft nach einer zwei Stunden langen thermischen Lagerung des Substrates vor dem Drahtbonden bei 80 °C und Kurve F3 die mittlere Abreißkraft nach einer eine Stunde langen thermi¬ schen Behandlung des Substrates vor dem Drahtbonden bei 150 °C.
Die Ergebnisse belegen, daß die mit den organischen Schutz¬ schichten versehenen Kupferstrukturen auf den Leiterplatten bondbar sind und die Drahtbrücken eine akzeptable Festigkeit aufweisen. Jeder in der Abbildung angegebene Meßpunkt liegt deutlich oberhalb der in der internationalen Standardvor¬ schrift MIL-STD-883C, Methode 2011 geforderten Mindestab- reißkraft an Drahtbrücken von 3 cN. Es traten keine Ausfälle beim Bonden auf.
Im Gegensatz dazu konnten nicht mit der organischen Schutz¬ schicht versehene Leiterplatten ohne unmittelbar vorangegan¬ gene Reinigung der Kupferoberflächen nicht bzw. nicht zuver¬ lässig gebondet werden, da die Festigkeit der Bondverbindun- gen vor allem bei den Substraten mit thermischer Beanspru¬ chung vor dem Drahtbonden nicht ausreichend war. Außerdem war die Ausbeute gering.
Beispiele 2 bis 8:
Unter den Bedingungen von Beispiel 1 wurde mit den folgenden Lösungen zur Bildung der organischen Schutzschichten gearbei- tet:
2. 10 g/1 2-n-Heptylbenzimidazol 33 g/1 Ameisensäure
1,0 g/1 Kupfer(II) Chlorid (CuCl2. 2 H20) in Wasser
3. 5 g/1 2-n-Heptylbenzimidazol 1 g/1 lH-Benzotriazol 1 g/1 Zinkacetat Dihydrat 33 g/1 Eisessig in Wasser
4. 5 g/1 2,4-Diisopropylimidazol 32 g/1 Eisessig in Wasser
4. 5 g/1 2, 4-Dimethylimidazol 5 g/1 2-n-Nonylbenzimidazol
1 g/1 Toluol-4-sulfonsäure Monohydrat 35 g/1 Ameisensäure in Wasser
5. 2- (1-Ethylpentyl-benzimidazol) 32 g/1 Eisessig in Wasser
6. 10 g/1 2-Phenylbenzimidazol
2 g/1 Ethylamin
60 ml/1 Salzsäure, 37 Gew.-%ig in Wasser
10 g/1 2-Phenylbenzimidazol 35 g/1 Eisessig in Wasser
8. 10 g/1 2-Ethylphenylbenzimidazol 1 g/1 Zinkacetat Dihydrat 33 g/1 Ameisensäure in Wasser
Es wurden einwandfreie Bondergebnisse auch nach einer Lage¬ rung der mit Bonddraht zu bestückenden Metalloberflächen bei erhöhter Temperatur erhalten.

Claims

Patentansprüche :
1. Verfahren zum Herrichten einer gleichermaßen zum Bonden von Drähten mittels Ultraschallschweißen und Löten geeigneten Oberfläche eines oxidationsempfindlichen Metallsubstrates, wobei vor dem Bonden mindestens an durch Bonddrähte zu kontaktierenden Bereichen die Oberfläche von Oxiden und/oder sonstigem organischem oder anorganischem Belag befreit und anschließend diese Oberfläche durch Kontaktieren mit einer Stickstoffverbindungen enthaltenden Lösung eine organische Schutzschicht von 50 - 500 nm Dicke aufgebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Me¬ tallsubstrate aus Kupfer oder Kupferlegierungen verwendet werden.
3. Verfahren zur Herstellung von mit auf Kupferstrukturen gelöteten gehäusten Bauelementen und mit direkt elektrisch leitend kontaktierten ungehausten Halbleiterschaltungen be¬ stückten Leiterplatten mit folgenden wesentlichen Verfahrens¬ schritten:
- Herstellen der Kupferstrukturen auf den Leiterplatten¬ oberflächen, - Entfernen von Oxiden und/oder sonstigem organischem oder anorganischem Belag von den Oberflächen und anschließendes Kontaktieren der Oberfläche mit einer StickstoffVerbindungen enthaltenden Lösung, bis eine organische Schutzschicht von 100 - 500 nm Dicke aufgebracht ist ,
- mechanisches Fixieren und Löten der gehäusten Bauele¬ mente auf den Leiterplattenoberflächen,
- Befestigen der ungehausten Halbleiterschaltungen auf den Leiterplattenoberflächen,
- elektrisches Kontaktieren von auf den ungehausten Halbleiterschaltungen vorgesehenen Bondinseln mit den Kupferstrukturen durch Preßschweißen von Drähten mit Ultraschall.
4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Stickstoffverbindungen Alkyl-, Aryl- oder Aralkylimidazole oder -benzimidazole mit Alkylresten mit mindestens drei Kohlenstoffatomen verwendet werden.
5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die die StickstoffVerbindungen enthalten¬ de Lösung einen pH-Wert unter 7, vorzugsweise zwischen 2 und
5, hat .
6. Verfahren zum Bonden von Drähten, gekennzeichnet durch einzelne oder alle neuen Merkmale und Kombinationen von offenbarten Merkmalen.
7. Verfahren zur Herstellung von mit auf Kupferstrukturen gelöteten gehäusten Bauelementen und mit direkt elektrisch leitend kontaktierten ungehausten Halbleiterschaltungen bestückten Leiterplatten, gekennzeichnet durch einzelne oder alle neuen Merkmale und Kombinationen von offenbarten Merkmalen.
PCT/DE1995/001755 1994-11-28 1995-11-28 Verfahren zum bonden von drähten auf oxidationsempfindlichen, lötbaren metallsubstraten WO1996016768A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP51806096A JPH10510098A (ja) 1994-11-28 1995-11-28 酸化しやすく鑞付け可能な金属サブストレート上に導線をボンディングするための方法
EP19950940154 EP0794847B1 (de) 1994-11-28 1995-11-28 Verfahren zum bonden von drähten auf oxidationsempfindlichen, lötbaren metallsubstraten
DE59502929T DE59502929D1 (de) 1994-11-28 1995-11-28 Verfahren zum bonden von drähten auf oxidationsempfindlichen, lötbaren metallsubstraten

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP4444388.9 1994-11-28
DE4444388A DE4444388A1 (de) 1994-11-28 1994-11-28 Verfahren zum Bonden von Drähten auf oxidationsempfindlichen, lötbaren Metallsubstraten

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1996016768A1 true WO1996016768A1 (de) 1996-06-06

Family

ID=6535703

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE1995/001755 WO1996016768A1 (de) 1994-11-28 1995-11-28 Verfahren zum bonden von drähten auf oxidationsempfindlichen, lötbaren metallsubstraten

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP0794847B1 (de)
JP (1) JPH10510098A (de)
AT (1) ATE168608T1 (de)
CA (1) CA2205966A1 (de)
DE (2) DE4444388A1 (de)
WO (1) WO1996016768A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001050517A1 (en) * 2000-01-04 2001-07-12 Multek Hong Kong Limited Semiconductor package and enhanced fbg manufacturing
DE10064691A1 (de) * 2000-12-22 2002-07-04 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiter-Chip und Kupferleiterbahnen auf dem Chip sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung
US7911061B2 (en) 2007-06-25 2011-03-22 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
CN103458606A (zh) * 2012-05-30 2013-12-18 江苏伟信电子有限公司 一种抗氧化pcb

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19849930C1 (de) * 1998-10-29 2000-09-07 Siemens Ag Elektrische Verbindungsanordnung
DE69827274D1 (de) * 1998-12-10 2004-12-02 Ibm Vorbehandlung von Kupfer zum Abscheiden eines Zinnlegierungslotes
US6358847B1 (en) 1999-03-31 2002-03-19 Lam Research Corporation Method for enabling conventional wire bonding to copper-based bond pad features
DE10027125A1 (de) 2000-05-31 2001-12-06 Wabco Gmbh & Co Ohg Elektrischer Steckkontakt
DE102005033469B4 (de) * 2005-07-18 2019-05-09 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleitermoduls
WO2012148967A2 (en) * 2011-04-25 2012-11-01 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning lead-frames to improve wirebonding process
DE102021116275B4 (de) 2021-06-23 2023-02-02 TE Connectivity Belgium B.V. Elektrische Leiteranordnung, Verfahren zum Schützen einer Verbindungsfläche zur Ultraschallverschweißung eines Leiterelementes vor Oxidation

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3716421A (en) * 1971-03-19 1973-02-13 Gte Sylvania Inc Compositions for improved solderability of copper
GB2104107A (en) * 1981-08-17 1983-03-02 Western Electric Co Corrosion inhibition of copper containing articles
EP0428383A1 (de) * 1989-11-13 1991-05-22 Shikoku Chemicals Corporation Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Kupfer und Kupferlegierungen
EP0513831A1 (de) * 1991-05-17 1992-11-19 Hitachi Telecom Technologies, Ltd. Verfahren zur Benützung von Lötflussmittel, gedruckte Schaltungsplatte und Verfahren zu seiner Herstellung
US5348590A (en) * 1992-08-31 1994-09-20 Hitachi, Ltd. Surface treating agent for copper or copper alloys
US5362334A (en) * 1993-12-23 1994-11-08 Macdermid, Incorporated Composition and process for treatment of metallic surfaces

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD136324A1 (de) * 1978-01-13 1979-06-27 Ruediger Uhlmann Bonden auf staerker oxydierenden anschlussflaechen
EP0364132A1 (de) * 1988-09-29 1990-04-18 Shikoku Chemicals Corporation Verfahren zur Herstellung eines Konversionsüberzuges auf Oberflächen aus Kupfer oder Kupferlegierungen
KR960008153B1 (ko) * 1989-10-03 1996-06-20 다찌바나 다이끼찌 금속 공작용 표면 처리제
TW217426B (de) * 1992-01-08 1993-12-11 Mekku Kk

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3716421A (en) * 1971-03-19 1973-02-13 Gte Sylvania Inc Compositions for improved solderability of copper
GB2104107A (en) * 1981-08-17 1983-03-02 Western Electric Co Corrosion inhibition of copper containing articles
EP0428383A1 (de) * 1989-11-13 1991-05-22 Shikoku Chemicals Corporation Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Kupfer und Kupferlegierungen
EP0513831A1 (de) * 1991-05-17 1992-11-19 Hitachi Telecom Technologies, Ltd. Verfahren zur Benützung von Lötflussmittel, gedruckte Schaltungsplatte und Verfahren zu seiner Herstellung
US5348590A (en) * 1992-08-31 1994-09-20 Hitachi, Ltd. Surface treating agent for copper or copper alloys
US5362334A (en) * 1993-12-23 1994-11-08 Macdermid, Incorporated Composition and process for treatment of metallic surfaces

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001050517A1 (en) * 2000-01-04 2001-07-12 Multek Hong Kong Limited Semiconductor package and enhanced fbg manufacturing
DE10064691A1 (de) * 2000-12-22 2002-07-04 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiter-Chip und Kupferleiterbahnen auf dem Chip sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung
US7911061B2 (en) 2007-06-25 2011-03-22 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
US8156643B2 (en) 2007-06-25 2012-04-17 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
CN103458606A (zh) * 2012-05-30 2013-12-18 江苏伟信电子有限公司 一种抗氧化pcb

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10510098A (ja) 1998-09-29
DE59502929D1 (de) 1998-08-27
ATE168608T1 (de) 1998-08-15
DE4444388A1 (de) 1996-05-30
EP0794847A1 (de) 1997-09-17
CA2205966A1 (en) 1996-06-06
EP0794847B1 (de) 1998-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3421989C2 (de)
DE10208635B4 (de) Diffusionslotstelle, Verbund aus zwei über eine Diffusionslotstelle verbundenen Teilen und Verfahren zur Herstellung der Diffusionslotstelle
DE3421988C2 (de)
EP0794847B1 (de) Verfahren zum bonden von drähten auf oxidationsempfindlichen, lötbaren metallsubstraten
CH652268A5 (de) Verfahren zur herstellung von gegen hitzeschockeinwirkung widerstandsfaehigen gedruckten schaltungen.
KR101689914B1 (ko) 주석 및 주석 합금의 무전해 도금 방법
WO2019030254A1 (de) Verfahren zur herstellung eines leistungsmoduls
DE19546569C2 (de) Lötverbindungsverfahren und Verwendung dieses Verfahrens zur Herstellung eines Leistungshalbleiters
EP2170026A1 (de) Metall-Keramik-Substrat für elektrische Schaltkreise- oder Module, Verfahren zum Herstellen eines solchen Substrates sowie Modul mit einem solchen Substrat
DE3828700C2 (de) Kupferplattierter Leiterrahmen für Halbleiter-Kunststoff-Gehäuse
DE102011076774A1 (de) Baugruppe mit einem Träger und einem Kühlkörper
DE3139168A1 (de) "strukturierte chemisch-reduktive metallabscheidung"
WO2001076334A1 (de) Verfahren zum erzeugen von lötfähigen und funktionellen oberflächen auf schaltungsträgern
DE4019915A1 (de) Verfahren und einrichtung zur herstellung einer verbindung zwischen einem bonddraht und einer metallischen kontaktflaeche
DE10222670B4 (de) Elektrische Vorrichtung, welche eine Mehrzahl von Metallkontaktstellen besitzt,auf die eine Metallverdrahtung gebondet ist, und ein Herstellungsverfahren davon
DE4402413C2 (de) Verfahren zum Elektroplattieren
WO1995026852A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer lötbaren metallisierungsschicht auf einer nichtlötbaren oberfläche
JPH09186161A (ja) 半導体装置のはんだバンプ形成方法
DE19631565A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Palladiumkontaktbumps auf Halbleiterschaltungsträgern
EP3647462A2 (de) Verfahren zum abscheiden einer metallschicht auf aluminium
WO2013098067A1 (de) Kontaktsystem mit einem verbindungsmittel und verfahren
EP2022591B1 (de) Verfahren zur Erzeugung einer lötfähigen metallischen Oberfläche und Lötverfahren
EP4311818A1 (de) Metall-keramik-substrat mit kontaktbereich
EP4311819A1 (de) Metall-keramik-substrat mit kontaktbereich
DE60224050T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Keramikschallplatte

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CA JP KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2205966

Country of ref document: CA

Kind code of ref document: A

Ref document number: 2205966

Country of ref document: CA

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1995940154

Country of ref document: EP

Ref document number: 1019970703554

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1995940154

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1019970703554

Country of ref document: KR

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1995940154

Country of ref document: EP

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: 1019970703554

Country of ref document: KR