WO2019030254A1 - Verfahren zur herstellung eines leistungsmoduls - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines leistungsmoduls Download PDF

Info

Publication number
WO2019030254A1
WO2019030254A1 PCT/EP2018/071450 EP2018071450W WO2019030254A1 WO 2019030254 A1 WO2019030254 A1 WO 2019030254A1 EP 2018071450 W EP2018071450 W EP 2018071450W WO 2019030254 A1 WO2019030254 A1 WO 2019030254A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
spraying
thermal spraying
power module
connection
process step
Prior art date
Application number
PCT/EP2018/071450
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Stefan Kiefl
Matthias Neumeister
Markus Pfeifer
Stefan Stegmeier
Original Assignee
Siemens Aktiengesellschaft
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Aktiengesellschaft filed Critical Siemens Aktiengesellschaft
Publication of WO2019030254A1 publication Critical patent/WO2019030254A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/76—Apparatus for connecting with build-up interconnects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/76—Apparatus for connecting with build-up interconnects
    • H01L2224/7615—Means for depositing
    • H01L2224/76151—Means for direct writing
    • H01L2224/76155—Jetting means, e.g. ink jet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/821—Forming a build-up interconnect
    • H01L2224/82101—Forming a build-up interconnect by additive methods, e.g. direct writing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0263—High current adaptations, e.g. printed high current conductors or using auxiliary non-printed means; Fine and coarse circuit patterns on one circuit board
    • H05K1/0265—High current adaptations, e.g. printed high current conductors or using auxiliary non-printed means; Fine and coarse circuit patterns on one circuit board characterized by the lay-out of or details of the printed conductors, e.g. reinforced conductors, redundant conductors, conductors having different cross-sections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
    • H05K2203/1333—Deposition techniques, e.g. coating
    • H05K2203/1344—Spraying small metal particles or droplets of molten metal
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/17—Post-manufacturing processes
    • H05K2203/173—Adding connections between adjacent pads or conductors, e.g. for modifying or repairing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits

Definitions

  • the invention relates to a method for producing a power module.
  • connection technology provides ver ⁇ different ways to electrically connect two workpieces with each other, such as positive locking methods, such as rivets, or non-positive methods, for example ⁇ by clamping.
  • positive locking methods such as rivets
  • non-positive methods for example ⁇ by clamping.
  • connections such as load connections
  • a substrate for example conduction bonding, screwing, soldering, diffusion soldering, sintering, pressing, ultrasonic welding, laser welding, etc.
  • connection technology mean a com ⁇ plex manufacturing process and high costs.
  • At least one conductor track and at least one electrical connection are formed in a common process step by means of thermal spraying.
  • a basic idea of the invention is to realize the structure and Ver ⁇ bonding technique of a power module, in particular conductor tracks ⁇ , and the connection to the periphery, for example by means elekt ⁇ -driven terminals simultaneously.
  • the at least one electrical connection forms a connection of the power module to the periphery, so to external, ie not belonging to the power module, versor ⁇ disposal facilities or equipment.
  • electrical traces of the power module and electrical connections to the periphery of the power module are simultaneously, i. in one process step.
  • both the at least one printed conductor and the at least one connector with a high mechanical strength can be connected to other parts of the power module, in particular to a circuit carrier and / or components of the power module, since as a result of the thermal spraying at the same time both positive connections and cohesive Verbin ⁇ applications of applied by means of thermal spraying ma- terials and the circuit substrate and / or the components rea ⁇ lrack can be.
  • the method according to the invention is very cost-effective, since the production of the printed conductors and the connection of load connections takes place simultaneously.
  • the thermal spraying by means of sputtering from a melt, in particular by means of molten bath spraying.
  • the thermal sprue ⁇ hen by means of electric arc and / or gas discharge, in particular by means of arc spraying takes place, and / or plasma spraying.
  • the thermal spraying is preferably carried out with ⁇ means of gas expansion without combustion, in particular by means of cold gas spraying, and / or by means of combustion, in particular by means Drahtflammspritzens and / or Pulverflammspritzens and / or Hoch Anthonysflammspritzens and / or Detona ⁇ tionsspritzens.
  • the thermal spraying is preferably carried out by means of a focused energy beam, in particular by means ⁇ sondere Laserspritzens.
  • an electrically conductive material is preferably by means of thermal spraying formed, in particular at least one metal and / or at ⁇ least a semiconductor and / or at least one metal-ceramic compound and / or at least a material which by means of a further treatment step , in particular by means of Tem ⁇ peratureintrags and / or by irradiation with UV light, becomes electrically conductive.
  • a further treatment step in particular by means of Tem ⁇ peratureintrags and / or by irradiation with UV light, becomes electrically conductive.
  • a printed circuit board in particular a substrate, with one or more applied electronic components is used, and subsequently the common process step performed.
  • Particularly preferred is applied in the inventive method the common process step above an iso ⁇ lier für, preferably by means of spraying and / or printing and / or Dispensens and / or knife coating and / or laminating nierens.
  • connection parts and printed circuit board and / or further components and / or connecting elements are placed in such a way before the common process step is carried out that both the conductor tracks and the connecting parts can be connected simultaneously by means of thermal spraying.
  • a positive Verbin ⁇ dung in particular a mechanical interlocking, connection parts of An ⁇ and PCB, as well as of components and Lei ⁇ terplatte is achieved advantageously.
  • the insulating layer is formed with at least one polymer and / or siloxane and / or at least one ceramic.
  • the at least one connection is formed with a connection piece, which is contacted electrically by means of the thermal spraying. It is expedient or additional electrical components, in particular active or passive components, preferably sensors and / or capacitors, advantageously in the same process step, mechanically bonded by thermal spraying and / or electrically contacted.
  • the at least one connection is preferably formed with a connection surface, in particular of the connection piece as described above. The connection surface extends at least along a portion preferably obliquely or suitably pa ⁇ rallel to a flat side of the circuit board.
  • connection piece Due to the obliquely, at least not vertically, to the flat side of the circuit ⁇ oriented plate connection surface such material can be deposited on the connection surface, that the connection piece is not only materially connected to the circuit board, but at the same time by means of deposited on the connection surface material also a positive connection of the connecting piece to the circuit board and / or the power module is realized.
  • the inventive method is as described above, Runaway ⁇ leads by means of a multi-axis robot. Due to the use of a multi-axis robot, the inventive method with a high flexibi ⁇ formality can be performed. In particular, the thermal spraying can be carried out in the inventive method with wide limits arbitrary angles to other parts of the power module and with great spatial precision.
  • Fig. 1 shows a printed circuit board with copper conductor tracks
  • Components prior to a first step of the method according to the invention specific ⁇ matically in longitudinal section;
  • Fig. 3 shows the prepared Leis ⁇ processing module schematically in longitudinal section by a final step of the inventive method.
  • the printed circuit board 10 illustrated in FIG. 1 comprises a circuit carrier 20 in the form of a flat part made of ceramic with flat sides 30, 40 facing away from one another and parallel to one another.
  • the printed circuit board 10 forms a DCB substrate in the exemplary embodiment shown.
  • a first step of the method according to the invention areas of circuit substrate 20, copper interconnects 50 and devices 60 are provided with an insulation 70 in the form of an applied insulating layer.
  • the insulating layer is applied in the embodiment shown by means of printing ⁇ , but can be applied in other, not specifically illustrated embodiments by spraying and / or dispensing and / or doctoring and / or laminating.
  • the insulation 70 is made of a polymer.
  • the insulation 70 is made of one or more
  • thermal spraying is in the illustratedariessbei ⁇ game, the sputtering from a melt, the so-called
  • the thermal spraying by means of electric arc discharge or electric gas discharge, in particular arc spraying or plasma spraying, or by gas expansion without burning, especially cold gas spraying, or by combustion, in particular wire flame spraying or powder flame spraying or high-velocity flame spraying or Detonationsspritzen, or by means of a bundled energetic beam, in particular by means of laser spraying done.
  • the metal 80 applied by thermal spraying is in the illustrated embodiment copper or silver or gold or aluminum or nickel or tin or a mixture or an alloy of some of the aforementioned metals.
  • a semiconductor or a metal-ceramic compound or a material may be used, which by a subsequent treatment step, in ⁇ example, as a result of temperature or UV light , becomes electrically conductive.
  • conductive traces 82 are formed with the metal, which are positioned ⁇ placed on the insulation 70 and 70 connect cohesively during the thermal spraying with this isolation.
  • Lastan- conclusions 90, 100 electrically connected are inserted, for example, in a recess of the circuit carrier 20 (as shown in FIG. 2) or the load terminals 100 are on the copper conductor tracks 50 (as shown in Fig. 3).
  • the load terminals 90, 100 have in the embodiment shown Anitatis- surfaces 95, 105, which are not oriented perpendicular to the flat side 40 of the circuit substrate 20, but include the effect as a parallel to the flat side 40 of the circuit carrier oriented connection surface 105, or as one with the flat ⁇ page 40 of the circuit substrate 20 an angle enclosing connection surface 95 are present. In the latter case, the angle is about 45 degrees, but may also be smaller or larger. As a result of the sprayed metal 80, the Lastanschlüs ⁇ se 90 be positively clamped to the circuit board 20th
  • control connections can also be sprayed thermally in further exemplary embodiments that are not specifically illustrated.
  • further components of the power module in particular active or passive electronic components and / or sensors and / or capacitors, can be electrically contacted and mechanically connected in the same process step by means of thermal spraying. It is practical in these cases the control terminals and the other components on entspre ⁇ accordingly oriented integration areas.
  • a spray nozzle 120 is reciprocated over the circuit carrier 20. The orientation of the circuit substrate 20 is set by means of a multi-axis robot (not shown in the drawing) and changed as needed.

Abstract

Bei dem Verfahren zur Fertigung eines Leistungsmoduls werden mindestens eine Leiterbahn (82) und mindestens ein elektrischer Anschluss (90, 100) in einem gemeinsamen Prozessschritt mittels thermischen Sprühens gebildet.

Description

Beschreibung
Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls .
Die heutige Aufbau- und Verbindungstechnologie sieht ver¬ schiedene Möglichkeiten vor, zwei Werkstücke miteinander elektrisch zu verbinden, wie z.B. formschlüssige Methoden, etwa durch Nieten, oder kraftschlüssige Methoden, beispiels¬ weise durch Klemmung. In der Leistungselektronik wurden zahlreiche Möglichkeiten zum Aufbringen von Anschlüssen, etwa Lastanschlüssen, auf ein Substrat entwickelt, beispielsweise Leitkleben, Schrauben, Löten, Diffusionslöten, Sintern, Pressen, Ultraschallschweißen, Laserschweißen, etc. Die Herstellung des Substrats und die dann zu realisierende aufwändige Aufbau- und Verbindungstechnologie bedeuten jedoch einen kom¬ plexen Herstellungsprozess und hohe Kosten.
Es ist vor diesem Hintergrund Aufgabe der Erfindung, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls an¬ zugeben, welches gegenüber dem Stand der Technik verbessert ist .
Diese Aufgabe der Erfindung wird mit einem Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls mit den in Anspruch 1 angege¬ benen Merkmalen gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung sind in den zugehörigen Unteransprüchen, der nachfolgen- den Beschreibung und der Zeichnung angegeben.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Fertigung eines Leistungsmoduls werden mindestens eine Leiterbahn und mindestens ein elektrischer Anschluss, insbesondere ein Lastanschluss und/oder ein Steueranschluss , in einem gemeinsamen Prozessschritt mittels thermischen Sprühens gebildet. Ein Grundgedanke der Erfindung ist es, die Aufbau- und Ver¬ bindungstechnik eines Leistungsmoduls, insbesondere Leiter¬ bahnen, und die Anbindung zur Peripherie, etwa mittels elekt¬ rischer Anschlüsse, gleichzeitig zu realisieren.
Zweckmäßig bildet der mindestens eine elektrische Anschluss einen Anschluss des Leistungsmoduls an die Peripherie, also an externe, d.h. nicht zum Leistungsmodul gehörige, Versor¬ gungseinrichtungen oder Gerätschaften.
Vorteilhaft werden bei dem Verfahren gemäß der Erfindung elektrische Leiterbahnen des Leistungsmoduls und elektrische Anbindungen zur Peripherie des Leistungsmoduls gleichzeitig, d.h. in einem Prozessschritt, gefertigt.
Im Stand der Technik hingegen erfolgt nachteilig die Aufbringung von Anschlüssen nach der Herstellung der Aufbau- und Verbindungstechnik auf dem Substrat. Dieser zeitlich nachfolgende Prozessschritt resultiert in einem erhöhten Aufwand, so müssen etwa Druck ausgeübt und Temperatur beim Sinterprozess eingetragen werden oder aber es sind kostenträchtige Silberlote einzusetzen.
Mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens lassen sich die zu- mindest eine Leiterbahn und der zumindest eine Anschluss äu¬ ßerst temperaturstabil ausbilden, nämlich temperaturstabil bis zur Temperatur des Schmelzpunkts der angesprühten Leiterbahn . Zugleich lassen sich mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens sowohl die die zumindest eine Leiterbahn als auch der zumindest eine Anschluss mit einer hohen mechanischen Festigkeit an weitere Teile des Leistungsmoduls, insbesondere an einen Schaltungsträger und/oder Bauteile des Leistungsmoduls, an- binden, da infolge des thermischen Sprühens zugleich sowohl formschlüssige Verbindungen als auch stoffschlüssige Verbin¬ dungen des mittels des thermischen Sprühens aufgebrachten Ma- terials und des Schaltungsträgers und/oder der Bauteile rea¬ lisiert werden können.
Zudem ist das erfindungsgemäße Verfahren sehr kostengünstig, da die Fertigung der Leiterbahnen und der Anbindung von Lastanschlüssen gleichzeitig erfolgt.
Bei einer bevorzugten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens erfolgt das thermische Sprühen mittels Zerstäubens aus einer Schmelze, insbesondere mittels Schmelzbadspritzens . In einer weiteren erfindungsgemäßen Weiterbildung oder zusätzlich und ebenfalls bevorzugt erfolgt das thermische Sprü¬ hen mittels elektrischer Lichtbogen- und/oder Gasentladung, insbesondere mittels Lichtbogenspritzens, und/oder Plasma- spritzens. Bei einer weiteren erfindungsgemäßen Weiterbildung oder zusätzlich erfolgt das thermische Sprühen bevorzugt mit¬ tels Gasexpansion ohne Verbrennung, insbesondere mittels Kaltgasspritzens , und/oder mittels Verbrennung, insbesondere mittels Drahtflammspritzens und/oder Pulverflammspritzens und/oder Hochgeschwindigkeitsflammspritzens und/oder Detona¬ tionsspritzens . In einer weiteren erfindungsgemäßen Weiterbildung oder zusätzlich erfolgt das thermische Sprühen bevorzugt mittels eines gebündelten energetischen Strahls, insbe¬ sondere mittels Laserspritzens.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird vorzugsweise mittels des thermischen Sprühens ein elektrisch leitfähiges Material gebildet, insbesondere zumindest ein Metall und/oder zumin¬ dest ein Halbleiter und/oder zumindest eine Metall-Keramik- Verbindung und/oder zumindest ein Material, welches mittels eines weiteren Behandlungsschritts, insbesondere mittels Tem¬ peratureintrags und/oder mittels Bestrahlung mit UV-Licht, elektrisch leitfähig wird. In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen
Verfahrens wird zunächst eine Leiterplatte, insbesondere ein Substrat, mit einem oder mehreren aufgebrachten elektronischen Bauelementen herangezogen und nachfolgend wird der ge- meinsame Prozessschritt durchgeführt. Zweckmäßig trägt die Leiterplatte und/oder tragen das eine oder die mehreren Bau¬ elemente, insbesondere Halbleiterbauelemente, vor der Durch¬ führung des gemeinsamen Prozessschritts bereits eine Isolie- rung. Besonders bevorzugt wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren dem gemeinsamen Prozessschritt vorangehend eine Iso¬ lierschicht aufgebracht, bevorzugt mittels Sprühens und/oder Druckens und/oder Dispensens und/oder Rakelns und/oder Lami- nierens .
Zweckmäßig werden vor der Durchführung des gemeinsamen Prozessschritts Anschlussteile und Leiterplatte und/oder weitere Bauelemente und/oder Verbindungselemente derart platziert, dass sowohl die Leiterbahnen als auch die Anschlussteile gleichzeitig mittels thermischen Sprühens angebunden werden können. Hierbei wird vorteilhaft eine formschlüssige Verbin¬ dung, insbesondere eine mechanische Verklammerung, von An¬ schlussteilen und Leiterplatte sowie von Bauteilen und Lei¬ terplatte erreicht. Zugleich wird vorteilhaft eine Stoff- schlüssige Verbindung von Anschlussteilen und Leiterplatte, insbesondere eine metallurgische Verbindung, erreicht, wobei zudem eine elektrische Kontaktierung mittels der stoffschlüs¬ sigen Verbindung resultiert. Zweckmäßig wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren die Isolierschicht mit mindestens einem Polymer und/oder Siloxan und/oder mindestens einer Keramik gebildet.
Vorzugsweise wird bei dem Verfahren gemäß der Erfindung der mindestens eine Anschluss mit einem Anschlussstück gebildet, welcher mittels des thermischen Sprühens elektrisch kontaktiert wird. Zweckmäßig wird oder werden zusätzlich weitere elektrische Bauelemente, insbesondere aktive oder passive Bauelemente, vorzugsweise Sensoren und/oder Kondensatoren, vorteilhaft in demselben Prozessschritt, mittels thermischen Sprühens mechanisch angebunden und/oder elektrisch kontaktiert . Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird der mindestens eine Anschluss bevorzugt mit einer Anbindungsfläche, insbesondere des Anschlussstücks wie vorhergehend beschrieben, gebildet. Die Anbindungsfläche erstreckt sich dabei zumindest entlang eines Abschnitts vorzugsweise schräg oder geeigneterweise pa¬ rallel zu einer Flachseite der Leiterplatte. Aufgrund der schräg, zumindest nicht senkrecht, zur Flachseite der Leiter¬ platte orientierten Anbindungsfläche kann derart Material auf der Anbindungsfläche abgeschieden werden, dass das Anbin- dungsstück nicht allein stoffschlüssig an die Leiterplatte angebunden wird, sondern zugleich mittels des auf der Anbin- dungsfläche abgeschiedenen Materials auch eine formschlüssige Anbindung des Anbindungsstücks an die Leiterplatte und/oder das Leistungsmodul realisiert wird.
Idealerweise wird das erfindungsgemäße Verfahren wie es zuvor beschrieben ist, mittels eines Mehrachsenroboters durchge¬ führt. Infolge der Verwendung eines Mehrachsenroboters lässt sich das erfindungsgemäße Verfahren mit einer hohen Flexibi¬ lität durchführen. Insbesondere kann das thermische Sprühen bei dem erfindungsgemäßen Verfahren mit in weiten Grenzen beliebigen Winkeln zu übrigen Teilen des Leistungsmoduls und mit großer räumlicher Präzision erfolgen.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand in der Zeichnung darge¬ stellter Ausführungsbeispiele näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 eine Leiterplatte mit Kupferleiterbahnen und
Bauelementen vor einem ersten Verfahrensschritt des erfindungsgemäßen Verfahrens sche¬ matisch im Längsschnitt,
Fig. 2 die Leiterplatte gem. Fig. 1 mit einer an Lei¬ terplatte, Kupferleiterbahnen und Bauelementen aufgebrachten Isolation schematisch im Längsschnitt sowie
Fig. 3 das mittels eines letzten Schritts des erfin- dungsgemäßen Verfahrens hergestellte Leis¬ tungsmodul schematisch im Längsschnitt.
Die in Fig. 1 dargestellte Leiterplatte 10 umfasst einen Schaltungsträger 20 in Gestalt eines aus Keramik bestehenden Flachteils mit einander abgewandten und zueinander parallelen Flachseiten 30, 40. Die Leiterplatte 10 bildet im gezeigten Ausführungsbeispiel ein DCB-Substrat .
Auf einer Flachseite 40 des Schaltungsträgers 20 sind Kupfer- leiterbahnen 50 aufgebracht sowie Bauelemente 60 in Gestalt von IGBTs und Dioden und MOSFETs und Widerstände und Konden¬ satoren aufgebracht.
In einem ersten Schritt des erfindungsgemäßen Verfahrens wer- den Bereiche von Schaltungsträger 20, Kupferleiterbahnen 50 und Bauelementen 60 mit einer Isolation 70 in Gestalt einer aufgebrachten Isolierschicht versehen. Die Isolierschicht wird im gezeigten Ausführungsbeispiel mittels Druckens aufge¬ bracht, kann aber in weiteren, nicht eigens dargestellten Ausführungsbeispielen mittels Sprühens und/oder Dispensens und/oder Rakelns und/oder Laminierens aufgebracht werden. Im dargestellten Ausführungsbeispiel besteht die Isolation 70 aus einem Polymer. In weiteren, nicht eigens dargestellten Ausführungsbeispielen, welche im Übrigen dem gezeigten ent- sprechen, ist die Isolation 70 aus einem oder mehreren
Siloxan/en oder aus mindestens einer Keramik gebildet.
Nachfolgend werden in einem zweiten Schritt des erfindungsge¬ mäßen Verfahrens diejenigen Bereiche der Bauelemente 60, der Kupferleiterbahnen 50 und des Schaltungsträgers 20, welche nicht von der Isolation 70 bedeckt sind, mittels thermischen Sprühens von Metall elektrisch leitend kontaktiert. Das thermische Sprühen ist im dargestellten Ausführungsbei¬ spiel das Zerstäuben aus einer Schmelze, das sogenannte
Schmelzbadspritzen. In weiteren Ausführungsbeispielen, welche dem dargestellten Ausführungsbeispiel im Übrigen entsprechen, kann das thermische Sprühen mittels elektrischer Lichtbogenentladung oder elektrischer Gasentladung, insbesondere Lichtbogenspritzen oder Plasmaspritzen, oder mittels Gasexpansion ohne Verbrennen, insbesondere Kaltgasspritzen, oder mittels Verbrennung, insbesondere Drahtflammspritzen oder Pulver- flammspritzen oder Hochgeschwindigkeitsflammspritzen oder Detonationsspritzen, oder mittels eines gebündelten energetischen Strahls, insbesondere mittels Laserspritzens, erfolgen.
Das mittels thermischen Sprühens aufgebrachte Metall 80 ist im dargestellten Ausführungsbeispiel Kupfer oder Silber oder Gold oder Aluminium oder Nickel oder Zinn oder ein Gemisch oder eine Legierung von einigen der vorgenannten Metalle. Grundsätzlich kann in weiteren, nicht eigens dargestellten Ausführungsbeispielen, welche im Übrigen dem dargestellten entsprechen, stattdessen auch ein Halbleiter oder eine Metall-Keramik-Verbindung oder ein Material verwendet werden, welches durch einen nachfolgenden Behandlungsschritt, bei¬ spielsweise infolge Temperatureintrags oder infolge UV- Lichts, elektrisch leitfähig wird.
Mittels des thermischen Sprühens werden mit dem Metall 80 Leiterbahnen 82 gebildet, welche auf die Isolation 70 aufge¬ bracht sind und sich während des thermischen Sprühens mit dieser Isolation 70 Stoffschlüssig verbinden.
Zugleich werden mittels thermischen Sprühens nicht lediglich Bereiche der Bauelemente 60 und des Schaltungsträgers 20 und der Kupferleiterbahnen 50 miteinander elektrisch verbunden, sondern mittels thermischen Sprühens werden zugleich Lastan- Schlüsse 90, 100 elektrisch leitend angebunden. Dabei sind die Lastanschlüsse 90 beispielsweise in eine Vertiefung des Schaltungsträgers 20 (wie in Fig. 2 gezeigt) eingelegt oder die Lastanschlüsse 100 sind auf den Kupferleiterbahnen 50 (wie in Fig. 3 gezeigt) angeordnet. Die Lastanschlüsse 90, 100 weisen im dargestellten Ausführungsbeispiel Anbindungs- flächen 95, 105 auf, welche nicht senkrecht zur Flachseite 40 des Schaltungsträgers 20 orientiert sind, sondern beispiels- weise als parallel zur Flachseite 40 des Schaltungsträgers orientierte Anbindungsfläche 105 oder als eine mit der Flach¬ seite 40 des Schaltungsträgers 20 einen Winkel einschließende Anbindungsfläche 95 vorliegen. Im letzteren Falle beträgt der Winkel etwa 45 Grad, kann aber auch kleiner oder größer sein. Infolge des aufgesprühten Metalls 80 werden die Lastanschlüs¬ se 90 formschlüssig mit der Leiterplatte 20 verklammert.
Anstelle von Lastanschlüssen 90, 100 können in weiteren, nicht eigens dargestellten Ausführungsbeispielen auch Steuer- anschlüsse thermisch angesprüht werden. Zusätzlich können zugleich auch weitere Bauteile des Leistungsmoduls, insbesonde¬ re aktive oder passive elektronische Bauteile und/oder Senso¬ ren und/oder Kondensatoren, in demselben Prozessschritt mittels thermischen Sprühens elektrisch kontaktiert und mecha- nisch Angebunden werden. Zweckmäßig weisen in diesen Fällen auch die Steueranschlüsse und die weiteren Bauteile entspre¬ chend orientierte Anbindungsflächen auf. Zum thermischen Sprühen wird eine Sprühdüse 120 über den Schaltungsträger 20 hin und her bewegt. Die Orientierung des Schaltungsträgers 20 wird mittels eines Mehrachsenroboters (in der Zeichnung nicht dargestellt) eingestellt und bei Bedarf geändert.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Fertigung eines Leistungsmoduls, bei welchem mindestens eine Leiterbahn (82) und mindestens ein elektri- scher Anschluss, insbesondere ein Lastanschluss (90) und/oder ein Steueranschluss , in einem gemeinsamen Prozessschritt mit¬ tels thermischen Sprühens gebildet werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem das thermische Sprühen mittels Zerstäubens aus einer Schmelze, insbesondere mittels Schmelzbadspritzens, und/oder mittels elektrischer Lichtbogen- und/oder Gasentladung, insbesondere mittels
Lichtbogenspritzens, und/oder Plasmaspritzens und/oder mit¬ tels Gasexpansion ohne Verbrennung, insbesondere mittels Kaltgasspritzens , und/oder mittels Verbrennung, insbesondere mittels Drahtflammspritzens und/oder Pulverflammspritzens und/oder Hochgeschwindigkeitsflammspritzens und/oder Detona¬ tionsspritzens , und/oder mittels eines gebündelten energeti¬ schen Strahls, insbesondere mittels Laserspritzens, erfolgt.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem mittels des thermischen Sprühens ein elektrisch leitfähiges Material gebildet wird, insbesondere zumindest ein Metall (80) und/oder zumindest ein Halbleiter und/oder zumin- dest eine Metallkeramikverbindung oder zumindest ein Material, welches mittels eines weiteren Behandlungsschritts, ins¬ besondere Temperatureintrags oder Bestrahlung mit UV-Licht, elektrisch leitfähig wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem zunächst eine Leiterplatte (10) mit aufgebrachten elektronischen Bauelementen herangezogen wird und nachfolgend der gemeinsame Prozessschritt durchgeführt wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem dem gemeinsamen Prozessschritt vorangehend eine Iso¬ lierschicht (70) aufgebracht wird.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem die Isolierschicht (70) mittels Sprühens und/oder Druckens und/oder Dispensens und/oder Rakelns und/oder Lami- nierens aufgebracht wird.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem die Isolierschicht (70) mit mindestens einem Polymer und/oder Siloxan und/oder mindestens einer Keramik gebildet wird .
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem der mindestens eine Anschluss (90) mit einem An¬ schlussstück gebildet wird, welcher mittels des thermischen Sprühens elektrisch kontaktiert wird und vorzugsweise eines oder mehrere weitere Bauelemente des Leistungsmoduls mittels thermischen Sprühens elektrisch kontaktiert wird/werden.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem der mindestens eine Anschluss (90) mit einer Anbin- dungsfläche (95, 105), insbesondere des Anschlussstücks bei einem Verfahren nach Anspruch 8, gebildet wird, welche sich zumindest entlang eines Abschnitts schräg oder parallel zu einer Flachseite (30, 40) der Leiterplatte erstreckt.
10. Verfahren nach einem der vorgehenden Ansprüche, welches mittels eines Mehrachsenroboters durchgeführt wird.
PCT/EP2018/071450 2017-08-10 2018-08-08 Verfahren zur herstellung eines leistungsmoduls WO2019030254A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017213930.7A DE102017213930A1 (de) 2017-08-10 2017-08-10 Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls
DE102017213930.7 2017-08-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019030254A1 true WO2019030254A1 (de) 2019-02-14

Family

ID=63405158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2018/071450 WO2019030254A1 (de) 2017-08-10 2018-08-08 Verfahren zur herstellung eines leistungsmoduls

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102017213930A1 (de)
WO (1) WO2019030254A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021018713A1 (de) * 2019-07-26 2021-02-04 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum thermischen sprühen von leiterbahnen und elektronikmodul
WO2021018714A1 (de) * 2019-07-30 2021-02-04 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur fertigung einer leiterbahn mittels thermischen sprühens, zur fertigung eines elektronikmoduls und elektronikmodul
CN113678345A (zh) * 2019-04-08 2021-11-19 西门子股份公司 用于旋转电机的绕组头装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3678167A1 (de) 2019-01-07 2020-07-08 Siemens Aktiengesellschaft Elektrische schaltung mit geformter schaltungsträgerplatte und aufgebrachter leiterbahn

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003070524A1 (de) * 2002-02-22 2003-08-28 Leoni Ag Verfahren zum erzeugen einer leiterbahn auf einem trägerbauteil sowie trägerbauteil
DE102004047357A1 (de) * 2004-09-29 2006-04-06 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Elektrische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Anordnung
DE102011076773A1 (de) * 2011-05-31 2012-12-06 Continental Automotive Gmbh Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung
DE102015218842A1 (de) * 2015-09-30 2017-03-30 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Kontaktierung einer Kontaktfläche eines Halbleiterbauteils und Elektronikmodul

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19807202A1 (de) * 1998-02-20 1999-08-26 Zeiss Carl Jena Gmbh Verfahren und Anordnung zum Kontaktieren von elektronischen Bauelementen
DE10344121A1 (de) * 2003-09-24 2005-04-21 Daimler Chrysler Ag Leiterbahnträger

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003070524A1 (de) * 2002-02-22 2003-08-28 Leoni Ag Verfahren zum erzeugen einer leiterbahn auf einem trägerbauteil sowie trägerbauteil
DE102004047357A1 (de) * 2004-09-29 2006-04-06 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Elektrische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Anordnung
DE102011076773A1 (de) * 2011-05-31 2012-12-06 Continental Automotive Gmbh Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung
DE102015218842A1 (de) * 2015-09-30 2017-03-30 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Kontaktierung einer Kontaktfläche eines Halbleiterbauteils und Elektronikmodul

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113678345A (zh) * 2019-04-08 2021-11-19 西门子股份公司 用于旋转电机的绕组头装置
WO2021018713A1 (de) * 2019-07-26 2021-02-04 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum thermischen sprühen von leiterbahnen und elektronikmodul
WO2021018714A1 (de) * 2019-07-30 2021-02-04 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur fertigung einer leiterbahn mittels thermischen sprühens, zur fertigung eines elektronikmoduls und elektronikmodul

Also Published As

Publication number Publication date
DE102017213930A1 (de) 2019-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2019030254A1 (de) Verfahren zur herstellung eines leistungsmoduls
AT512525B1 (de) Leiterplatte, insbesondere für ein Leistungselektronikmodul, umfassend ein elektrisch leitfähiges Substrat
DE10306643B4 (de) Anordnung in Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul
DE102005047567B3 (de) Leistungshalbleitermodul mit Isolationszwischenlage und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2016016140A1 (de) Schaltungsträger, elektronische baugruppe, verfahren zum herstellen eines schaltungsträgers
EP1514459B1 (de) Metall-keramik-substrat für elektische schaltkreise- oder module, verfahren zum herstellen eines solchen substrates sowie modul mit einem solchen substrat
EP3955288A1 (de) Leistungsmodul mit einer verbindungsschicht aufweisend eine lotschicht und einen abstandshalter, elektrisches gerät mit dem leistungsmodul und verfahren zur herstellung des leistungsmoduls
EP3338302B1 (de) Schaltungsträger, leistungselektronikanordnung mit einem schaltungsträger
DE10103084B4 (de) Halbleitermodul und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0794847A1 (de) Verfahren zum bonden von drähten auf oxidationsempfindlichen, lötbaren metallsubstraten
DE19945794C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Metall-Keramik-Leiterplatte mit DurchKontaktierungen
DE102015218842A1 (de) Verfahren zur Kontaktierung einer Kontaktfläche eines Halbleiterbauteils und Elektronikmodul
DE2546443C3 (de) Zusammengesetzte Mikroschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung
WO2019007624A1 (de) Toleranzausgleichselement für schaltbilder
DE102012207560B4 (de) Verfahren zur herstellung und zum betrieb eines halbleitermoduls
WO2019057450A1 (de) Verfahren zur herstellung einer endoberfläche und leiterplatte
DE102011003852A1 (de) Kontaktsystem mit einem Verbindungsmittel und Verfahren
EP1085792B1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte sowie Leiterplatte
DE102016225246B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Komponente und elektronische Komponente
EP3678167A1 (de) Elektrische schaltung mit geformter schaltungsträgerplatte und aufgebrachter leiterbahn
DE102019206824A1 (de) Kontaktanordnung und Leistungsmodul
DE10224266A1 (de) Elektronische Baugruppe
DE102019211333A1 (de) Verfahren zur Fertigung einer Leiterbahn, zur Fertigung eines Elektronikmoduls und Elektronikmodul
DE102017215136A1 (de) Leistungsmodul, Leistungsmodulaggregat und Elektromotor
DE102014221306A1 (de) Schaltungsträger und Schaltungsmodul

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18759858

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18759858

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1