DE102011003852A1 - Kontaktsystem mit einem Verbindungsmittel und Verfahren - Google Patents

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electrically
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conductive layer
thermally conductive
electrical connection
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English (en)
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Ulrich Schaaf
Ruben Wahl
Andreas Kugler
Metin Koyuncu
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Robert Bosch GmbH
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Robert Bosch GmbH
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Kontaktsystem. Das Kontaktsystem umfasst wenigstens ein insbesondere elektronisches Bauelement. Das Bauelement weist wenigstens einen elektrischen Anschluss auf. Das Kontaktsystem weist wenigstens eine elektrisch leitfähige Schicht auf. Der Anschluss des Bauelements und die elektrisch leitfähige Schicht sind mittels eines elektrisch leitfähigen Verbindungsmittels miteinander verbunden. Erfindungsgemäß ist das elektrisch leitfähige Verbindungsmittel mittels eines thermischen Spritzverfahrens erzeugt.

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung betrifft ein Kontaktsystem. Das Kontaktsystem umfasst wenigstens ein insbesondere elektronisches Bauelement. Das Bauelement weist wenigstens einen elektrischen Anschluss und/oder ein Gehäuse, insbesondere ein elektrisch isoliertes Gehäuse auf. Das Kontaktsystem weist wenigstens eine elektrische und/oder wärmeleitfähige Schicht auf. Der Anschluss des Bauelements und/oder das Bauelement, insbesondere das Gehäuse des Bauelements, und die elektrisch und/oder wärmeleitfähige Schicht sind mittels eines elektrischen und/oder wärmeleitfähigen Verbindungsmittels miteinander verbunden.
  • Bei aus dem Stand der Technik bekannten Kontaktsystemen, insbesondere wenigstens ein- oder mehrschichtige Leiterplatten, besteht das Problem, dass beim elektrischen Verbinden von Anschlüssen des Bauelements mit der elektrisch leitfähigen Schicht beispielsweise mittels eines Lötprozesses oder eines galvanischen Verbindungselements, sowohl der wenigstens eine elektrische Anschluss, als auch die elektrisch leitfähige Schicht galvanisch vorbehandelt sein muss, damit ein Verbindungsmittel, insbesondere ein Lot, die Galvanische Verbindung oder ein elektrisch leitfähiger Klebstoff wenigstens einen Anschluss mit der elektrisch leitfähigen Schicht verbinden kann.
  • Aus der DE 101 53 482 ist ein Verfahren zum Behandeln einer Leiterbahn mit einem thermischen Spritzverfahren bekannt, bei dem die Leiterbahn mit einer korrosionsfesten metallischen Schicht beschichtet wird.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Erfindungsgemäß ist das elektrische und/oder wärmeleitfähige Verbindungsmittel mittels eines thermischen Spritzverfahrens erzeugt. Durch das thermische Spritzverfahren kann das Verbindungsmittel vorteilhaft aus einem Material gebildet sein, welches sich von einem herkömmlichen Lot oder einem galvanischen Verbindungsmittel, beispielweise einer Wrap-Verbindung, unterscheidet. Vorteilhaft kann das Verbindungsmittel aus einem homogenen Material gebildet sein. Weiter vorteilhaft kann mittels des thermischen Spritzverfahrens während des Verbindens eine Oxidschicht insbesondere von dem elektrischen Anschluss und/der elektrisch leitfähigen Schicht entfernt werden, sodass zum elektrischen Verbinden eine Anwendung eines herkömmlichen Flussmittels oder Ätzprozesses zum elektrischen Kontaktieren nicht notwendig wird.
  • Beispiele für ein thermisches Spritzverfahren sind Plasmaspritzen, APS-Plasmaspritzen (APS = Atmospherical-Plasma-Spray), HVOF-Hochgeschwindigkeits-Flammspritzen (HVOF = High-Velocity-Oxy-Fuel), HVFSF-Suspensions-Flammspritzen (HVFSF = High-Velocity-Fuel-Suspensed-Flamespray) oder Kaltgasspritzen.
  • Das Verbindungsmittel ist bevorzugt ein elektrisch leitfähiges Metall oder eine elektrisch leitfähige Legierung zueinander verschiedener Metalle. Im Wesentlichen sind derartige Metalle und Legierungen auch wärmeleitfähig. Ein beispielhaftes Metall ist Kupfer oder Aluminium. Das Verbindungsmittel umfasst bevorzugt Kupfer. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Verbindungsmittel Aluminium.
  • In einer vorteilhaften Ausführungsform des Kontaktsystems ist der elektrische Anschluss und/oder das Bauelement, insbesondere ein Gehäuse des Bauelements, durch einen Durchbruch in der elektrisch leitfähigen Schicht hindurch mittels des insbesondere elektrisch leitfähigen Verbindungsmittels mit der elektrisch leitfähigen Schicht verbunden. Vorteilhaft kann nämlich mittels des thermischen Spritzverfahrens insbesondere ein elektrischer Anschluss mit der elektrisch leitfähigen Schicht durch einen schmalen Spalt oder ein kleines Loch verbunden werden, wohingegen beispielsweise ein elektrisches Lot in einem Lötwellenbad nicht eindringen kann. Ein beispielhafter Durchmesser für einen Durchbruch beträgt zwischen 10 und 50 Mikrometer, bevorzugt zwischen 20 und 40 Mikrometer, bevorzugt zwischen 20 und 30 Mikrometer.
  • Bei einem thermischen Kontaktieren des Bauelements, insbesondere eines elektrisch isolierenden Gehäuses oder einer elektrisch isolierenden Hülle des Bauelements, ist das Verbindungsmittel bevorzugt wärmeleitend ausgebildet und verbindet das Bauelement mit der elektrisch leitfähigen Schicht wärmeleitend. Die elektrisch leitfähige Schicht – beispielsweise Kupfer – ist bevorzugt wärmeleitend ausgebildet, so dass die Wärme aus dem Bauelement über das Verbindungsmittel in die Schicht abgeführt werden kann. Die Wärme kann von der Schicht an eine Umgebung oder an eine weitere Komponente, beispielsweise einen Kühlkörper abgegeben werden. Ebenso denkbar ist, dass diese weitere Komponente die wärmeleitende Schicht selbst ausbildet, so dass das Bauelement mit der Komponente unmittelmittelbar thermisch kontaktiert ist.
  • Unabhängig von dem Kontaktsystem, bei dem ein elektrischer Anschluss des Bauelements mit der elektrisch leitfähigen Schicht verbunden ist, kann bei einem Kontaktsystem das Bauelement mittels des mittels thermischen Spritzens erzeugten Verbindungsmittels mit der wärmeleitfähigen oder zusätzlich elektrisch leitfähigen Schicht verbunden sein.
  • Die Verbindung des Bauelements, bevorzugt eines elektrisch isolierenden Teils des Bauelements z. B. das Gehäuse und/oder eines Teils des Bauelements, das keinen elektrischen Anschluss bildet, mit der Schicht erfolgt bevorzugt mittels des Verbindungsmittels durch einen Durchbruch in der Schicht.
  • Weiter vorteilhaft kann so die elektrische Verbindung, insbesondere das elektrisch leitfähige Verbindungsmittel durch eine Schicht gebildet sein, welche ausgehend vom elektrischen Anschluss durch den Durchbruch hindurch bis zur elektrisch leitfähigen Schicht gelangt. Im Falle der Verbindung von dem Bauelement oder einem Gehäuse des Bauelements bis hin zur elektrisch und/oder wärmeleitfähigen Schicht kann vorteilhaft Wärme von dem Bauelement beziehungsweise Gehäuse über das Verbindungsmittel in die elektrisch und/oder wärmeleitfähige Schicht geleitet werden. Dazu kann das Verbindungsmittel – beispielsweise ein Metall – vorteilhaft wärmeleitend oder elektrisch leitfähig und wärmeleitend ausgebildet sein. Denkbar ist auch ein wärmeleitfähiges Verbindungsmittel, das elektrisch isolierend ausgebildet ist, beispielsweise Siliziumdioxid oder Aluminiumoxid, insbesondere Keramik.
  • So kann vorteilhaft Material zum Erzeugen des elektrischen Verbindungsmittels eingespart werden. In einer anderen Ausführungsform kann mittels des thermischen Spritzverfahrens auch ein elektrisch leitfähiges Verbindungsmittel erzeugt werden, welches den Durchbruch oder den zuvor beschriebenen Spalt vollständig ausfüllt.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform sind das Material des elektrischen Anschlusses und das Material der elektrisch leitfähigen Schicht zueinander verschieden. Vorteilhaft braucht nämlich der elektrisch leitfähige Anschluss zum Verbinden mit der elektrisch leitfähigen Schicht mittels des thermischen Spritzverfahrens keine gesonderte mittels beispielsweise Galvanisieren aufgebrachte Zwischenschicht, damit beispielsweise mittels eines Lötvorgangs ein elektrisches Verbindungsmittel sowohl mit dem elektrischen Anschluss als auch mit der elektrisch leitfähigen Schicht eine innige Verbindung eingeht. Mittels des thermischen Spritzverfahrens kann nämlich während des Erzeugens des elektrischen Verbindungsmittels sowohl eine Oxidschicht auf dem Anschluss als auch auf der elektrisch leitfähigen Schicht entfernt werden, als auch zueinander verschiedene Materialien miteinander verbunden werden, wobei das elektrische Verbindungsmittel sowohl mit dem elektrischen Anschluss, beispielsweise Aluminium, als auch mit der elektrisch leitfähigen Schicht, beispielsweise Kupfer, eine innige Verbindung eingeht. Beispielhafte Kombinationen von Materialien sind Kupfer oder Aluminium, insbesondere eine Aluminiumlegierung für die elektrisch leitfähige Schicht, und Zinn, Kupfer, Gold oder Silber für das Material des elektrischen Anschlusses.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform des Kontaktsystems ist das Bauelement zwischen der elektrisch leitfähigen Schicht und einer elektrisch isolierenden Schicht eingeschlossen, insbesondere einlaminiert. Bevorzugt ist die elektrisch isolierende Schicht eine faserverstärkte Trägerschicht, insbesondere eine glasfaserverstärkte Epoxidharzschicht. In einer anderen Ausführungsform ist die elektrisch isolierende Schicht durch eine Kunststofffolie, insbesondere eine Polypropylen, Polyethylen oder eine andere Folie gebildet. So können die elektronischen Bauelemente zwischen die elektrisch leitfähige Schicht und die elektrisch isolierende Schicht, insbesondere vor Verschmutzung oder äußerer Einwirkung eingeschlossen sein, wobei die elektrisch isolierende Schicht bevorzugt eine Trägerschicht zum mechanischen Tragen des Kontaktsystems, bevorzugt als Bestandteil einer Schaltungsanordnung, dient.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist das Bauelement wenigstens teilweise in ein Polymer eingeschlossen, insbesondere mittels eines Mold-Verfahrens eingeschmolzen. Das Polymer ist beispielsweise ein Polyacrylat, Polypropylen, Polyamid, Epoxidharz oder ein vergleichbarer Kunststoff.
  • Mittels des Polymers kann vorteilhaft eine Trägerschicht zum mechanischen Tragen des Kontaktsystems gebildet sein. Weiter vorteilhaft kann das Kontaktsystem, bevorzugt als Bestandteil einer Schaltungsanordnung, mittels des Polymers in einen Gehäuseblock – insbesondere vor äußerer Einwirkung geschützt – eingeschlossen sein.
  • In einer vorteilhaften Ausführungsform kontaktiert das elektrisch leitfähige Verbindungsmittel den elektrischen Anschluss unmittelbar. So braucht der elektrische Anschluss vorteilhaft nicht – beispielsweise mittels eines galvanischen Prozesses – mit einer Verbindungsschicht überzogen sein, um mit der elektrisch leitfähigen Schicht beispielsweise mittels Löten verbunden zu werden.
  • Ein Verbindungsprozess zum elektrischen Verbinden des elektrischen Anschlusses mit der elektrisch leitfähigen Schicht erfordert somit vorteilhaft keinen Einsatz eines zusätzlichen Brückenmaterials zwischen dem elektrischen Anschluss und dem Verbindungsmittel. Weiter vorteilhaft kein Ätzen oder Galvanisieren zum Erzeugen einer Brückenschicht aus dem Brückenmaterial, welche ausgebildet ist, ein Material des elektrisch leitfähigen Anschlusses des Bauelements mit einem anderen Material, nämlich dem Material der elektrisch leitfähigen Schicht elektrisch zu verbinden.
  • Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum elektrischen Verbinden wenigstens eines elektrischen Anschlusses eines insbesondere elektronischen Bauelements und/oder eines derartigen Bauelements, insbesondere ein elektrisch isoliertes Gehäuse oder Hülle des Bauelements, mit wenigstens einer elektrischen und/oder wärmeleitfähigen Schicht. Die elektrische und/oder wärmeleitfähige Schicht ist beispielsweise eine Schicht zum Bilden wenigstens einer Leiterbahn des Kontaktsystems. Eine wärmeleitende Schicht weist zumindest einen flächigen Bereich zur zumindest mittelbaren Abgabe der Wärme an die angrenzende Umgebung, insbesondere die Umgebungsatmosphäre oder einen Kühlkörper auf. Die wärmeleitende Schicht kann bevorzugt auch als ein an das Bauelement angrenzende Komponente, insbesondere als ein Kühlkörper, vorgesehen sein. Das Kontaktsystem ist beispielsweise eine ein- oder mehrschichtig ausgebildete Leiterplatte, bevorzugt als Bestandteil einer Schaltungsanordnung.
  • Bevorzugt wird der elektrische Anschluss und/oder das Bauelement, insbesondere das elektrische isolierte Gehäuse oder Hülle des Bauelements mit der elektrischen und/oder wärmeleitfähigen Schicht mittels eines elektrischen und/oder wärmeleitfähigen Verbindungsmittels verbunden. Das elektrische und/oder wärmeleitfähige Verbindungsmittel wird bevorzugt mittels eines thermischen Spritzverfahrens erzeugt.
  • In einer bevorzugten Variante des Verfahrens wird der elektrische Anschluss und/oder das Bauelement oder ein Gehäuse des Bauelements durch einen Durchbruch in der elektrischen und/oder wärmeleitfähigen Schicht hindurch mittels des elektrischen und/oder wärmeleitfähigen Verbindungsmittels mit der elektrischen und/oder wärmeleitfähigen Schicht verbunden. Im Falle der Verbindung von dem Bauelement oder Gehäuse des Bauelements bis hin zur wärmeleitfähigen Schicht kann vorteilhaft Wärme von dem Gehäuse über das Verbindungsmittel in die wärmeleitfähige Schicht abgeführt werden.
  • Bevorzugt sind das Material des elektrischen Anschlusses bzw. des Gehäuses und das Material der elektrischen und/oder wärmeleitfähigen Schicht zueinander verschieden. Weiter bevorzugt kontaktiert das Material den elektrischen Anschluss und/oder die elektrisch leitfähige Schicht unmittelbar.
  • Das unmittelbare Kontaktieren bedeutet, dass der elektrische Anschluss und/oder das Gehäuse bevorzugt wenigstens in einem zum Verbundenwerden mit dem Material ausgebildeten Bereich bevorzugt massiv aus einem vorbestimmten Material, beispielsweise Aluminium, gebildet ist. Die elektrisch und/oder wärmeleitfähige Schicht ist bevorzugt in einem Bereich, welcher zum Verbundenwerden mit dem Material ausgebildet ist, massiv aus einem vorbestimmten Material, beispielsweise Kupfer, gebildet.
  • In einer vorteilhaften Ausführungsvariante des Verfahrens wird das Bauelement zwischen die elektrisch leitfähige Schicht und eine elektrisch isolierende Schicht eingeschlossen, insbesondere einlaminiert, nachdem der elektrische Anschluss mittels des elektrisch leitfähigen Verbindungsmittels mit der elektrisch leitfähigen Schicht verbunden worden ist. So kann vorteilhaft eine tragfähige Struktur erzeugt werden, nachdem die elektrischen Anschlüsse mit wenigstens einem Bereich oder einem Teil der elektrisch leitfähigen Schicht, beispielsweise mit einer Leiterbahn, verbunden worden sind. Die Erfindung wird nun im Folgenden anhand von Figuren und weiteren Ausführungsbeispielen beschrieben. Weitere vorteilhafte Ausführungsvarianten ergeben sich aus den in den abhängigen Ansprüchen angegebenen Merkmalen sowie aus den in den Figuren beschriebenen Merkmalen.
  • 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zum Erzeugen eines Kontaktsystems. Bei dem Verfahren wird in einem Schritt 70 ein Klebemittel, insbesondere Klebstoff, in diesem Ausführungsbeispiel ein Klebemittel 12 und 14 jeweils in Form eines Tropfens auf eine elektrisch leitfähige Folie 10, zuvor auch elektrisch leitfähige Schicht genannt, aufgebracht. Die Folie ist beispielsweise eine Kupferfolie. Beispielsweise kann das Klebemittel, in diesem Beispiel die Klebemittel 12 und 14, mittels einer Maske auf die Kupferfolie 10 aufgedruckt werden oder auf die Kupferfolie 10 aufgespritzt werden. Das Klebemittel kann – anders als in 1 dargestellt, durch eine selbstklebende Folie gebildet sein. Das Klebemittel kann beispielsweise ein lösungsmittelhaltiges Klebemittel sein, welches seine Viskosität nach Verdampfen des Lösungsmittels ändert oder ein heißschmelzendes Klebemittel. Beispielsweise ist das Klebemittel ein Epoxidharzklebstoff, welcher ausgebildet ist, in Abhängigkeit von Wärmeeinwirkung oder Ultraviolettstrahlung auszuhärten, insbesondere zu polymerisieren.
  • Die Klebemittel 12 und 14 enthalten jeweils Festkörper, welche in diesem Ausführungsbeispiel kugelförmig ausgebildet sind. Die Festkörper 16 und 18 sind beispielhaft bezeichnet. In einem Verfahrensschritt 71 werden elektronische Bauteile, in diesem Ausführungsbeispiel ein integrierter Schaltkreis 20 und ein integrierter Schaltkreis 22, mittels des Klebemittels 14 beziehungsweise 12 mit der Kupferfolie 10 verklebt. Der integrierte Schaltkreis 20 wird dazu auf das Klebemittel 14 aufgedrückt. Der integrierte Schaltkreis 20 lässt sich dabei so weit mit der Kupferfolie 10 zusammenbringen, bis der integrierte Schaltkreis 20 auf die Festkörper, in diesem Ausführungsbeispiel auf die Festkörper umfassend den Festkörper 18 trifft und nicht mehr weiter an die Kupferfolie angedrückt werden kann. Dargestellt ist auch der integrierte Schaltkreis 22, welcher auf das Klebemittel 12 aufgedrückt worden ist. Das Klebemittel 12 umfasst in diesem Ausführungsbeispiel auch Festkörper, von denen der Festkörper 16 beispielhaft dargestellt ist.
  • In einem Schritt 72 werden die integrierten Schaltkreise 20 und 22 mittels eines Laminats, beispielsweise einer Laminatfolie 30 als elektrisch isolierende Schicht zusammen mit der Kupferfolie 10 einlaminiert. Die integrierten Schaltkreise 20 und 22 sind nach dem Einlaminieren wenigstens vor mechanischer Einwirkung geschützt. Durch die Laminatfolie 30 kann vorteilhaft ein Schaltungsträger gebildet sein, in welchen die Schaltkreise 20 und 22 integriert sind.
  • Unabhängig oder zusätzlich zu dem Laminieren mittels der Laminatfolie 30 können die integrierten Schaltkreise 20 und 22 auch mittels eines Mold-Verfahrens mittels einer Mold-Masse eingebettet, beispielsweise eingeschmolzen oder eingespritzt werden. Die integrierten Schaltkreise sind so weitergeschützt sein.
  • Der integrierte Schaltkreis 20 weist elektrische Anschlüsse auf, wobei ein elektrischer Anschluss 24 beispielhaft bezeichnet ist. Die elektrischen Anschlüsse sind beispielsweise wenigstens in einem zum Verbinden mit einer elektrischen Leiterbahn vorgesehenen Bereich beispielsweise aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung gebildet.
  • Der integrierte Schaltkreis 22 weist – wie der integrierte Schaltkreis 20 – elektrische Anschlüsse auf, von denen der elektrische Anschluss 26 beispielhaft bezeichnet ist. Die elektrischen Anschlüsse des integrierten Schaltkreises 22 weisen in einem Bereich zum elektrischen Verbinden mit einer Leiterbahn beispielsweise Aluminium auf.
  • In einem Verfahrensschritt 73 werden – beispielsweise mittels eines Lasers – Aussparungen 40, 42, 44 und 46 durch die Kupferfolie 10 und die Klebemittel 12 und 14 hindurch gebohrt. Die Aussparungen 40, 42, 44 und 46 reichen jeweils bis zu einem elektrischen Anschluss eines integrierten Schaltkreises hin. Die Aussparung 40 erstreckt sich bis zu dem Anschluss 24. Die Aussparung 44 erstreckt sich bis zu dem Anschluss 26.
  • In einem Verfahrensschritt 74 werden dann die zuvor gebohrten Aussparungen mittels eines thermischen Spritzverfahrens, beispielsweise mittels eines Plasmaspray-Verfahrens, mittels eines elektrisch leitfähigen Materials als Verbindungsmittel – beispielsweise einer Legierung umfassend Kupfer und/oder Aluminium – wenigstens teilweise aufgefüllt und so eine elektrische Verbindung erzeugt. So ist dann ein Beispiel für ein vorab erwähntes Kontaktsystem gebildet, bei dem die Anschlüsse jeweils mit einer Folie, insbesondere mit einem Flächenabschnitt der Folie – beispielsweise einer Leiterbahn – elektrisch verbunden sind.
  • Eine Plasmaspray-Düse 60 ist beispielsweise dargestellt, aus der elektrisch leitfähiges Material in diesem Ausführungsbeispiel in Form von elektrisch leitfähigen Spraypartikeln in die Aussparung 40 gespritzt wird, wo sich die Spraypartikel zu einem elektrisch leitfähigen Verbindungsmittel zusammenfügen und so das elektrisch leitfähige Verbindungsmittel 50 bilden. Die Spraypartikel sind bevorzugt als Nanopartikel ausgebildet. Dadurch bedingt können auch kleinste Aussparungen mit dem Verbindungsmittel ausgefüllt werden.
  • Die elektrisch leitfähige Folie 10 ist so mittels des Verbindungsmittels 50 elektrisch leitend mit dem Anschluss 24 verbunden. Vorteilhaft wird während des elektrischen Verbindens des Anschlusses 24 mit der Folie 10 sowohl vom elektrischen Anschluss 24 als auch von der Folie 10 störende Oxide und/oder Kontaminationen mit anderen Stoffen entfernt, sodass auf ein Flussmittel oder Beschichtungen mit einem bereits erwähnten Brückenmaterial zum elektrischen Verbinden des elektrischen Anschlusses 24 mit der Folie 10 verzichtet werden kann.
  • In einem Verfahrensschritt 75 werden dann – beispielsweise mittels eines Lasers – Vertiefungen und/oder Aussparungen in die elektrisch leitfähige Folie 10 geschnitten, sodass elektrisch leitfähige Leiterbahnen gebildet sind, welche jeweils Verbindungsleitungen eines elektrischen Schaltkreises oder einer Schaltungsanordnung bilden können. Dieser Verfahrenschritt zum Bilden von Leiterbahnen kann auch vor dem Kontaktieren, beispielsweise mittels Fotostrukturieren erfolgen. Das Fotostrukturieren umfasst beispielsweise ein Aufbringen eines Photolacks, Belichten mit einer Maske, Entfernen des Photolacks an den belichteten Flächenbereichen und Ätzen der elektrisch leitfähigen Schicht an den belichteten Flächenbereichen.
  • Die Aussparungen 47 und 49 zum Erzeugen von elektrischen Verbindungen, insbesondere von Leiterbahnen sind beispielhaft bezeichnet.
  • Dargestellt ist auch eine Folie 11, beispielsweise eine Kupferfolie, welche mit einem Laminat gebildet durch die Laminatfolie 30 verbunden ist und sich in diesem Ausführungsbeispiel parallel zur Folie 10 erstreckt.
  • Die Folien 10 und 11 schließen somit die Laminatfolie 30 mit den integrierten Schaltkreisen 20 und 22 zwischen einander ein.
  • In einem Verfahrensschritt sind in diesem Ausführungsbeispiel Aussparungen 41 und 43 – beispielsweise mittels eines Lasers – gebohrt, welche durch die Folie 11 hindurch und weiter durch die Laminatfolie 30 hindurch bis hin zu einem Gehäuse des integrierten Schaltkreises 20 reichen. Mittels der Aussparungen 41 und 43 kann Wärme von dem integrierten Schaltkreis 20 abgeführt werden.
  • Zum Abführen der Wärme von dem integrierten Schaltkreis können – wie am Beispiel des integrierten Schaltkreises 22 dargestellt – mittels eines thermischen Spritzverfahrens die Aussparungen, welche durch die Folie 11 hindurch und weiter durch die Laminatfolie 30 hindurch zu einem Gehäuse des integrierten Schaltkreises 22 reichen, mittels eines wärmeleitfähigen Materials als Verbindungsmittel wenigstens teilweise ausgefüllt werden, sodass die Folie 11 mittels des thermisch leitfähigen Materials mit dem Gehäuse des integrierten Schaltkreises 22 verbunden ist. So kann vorteilhaft Wärme von dem integrierten Schaltkreis 22 an die Folie 11 abgeführt werden.
  • In dem Verfahrensschritt 75 ist ein zweischichtiger Aufbau eines Kontaktsystems dargestellt, umfassend zwei Schichten, jeweils gebildet durch eine Folie, nämlich die Folien 10 und 11. Denkbar ist auch ein Kontaktsystem mit mehr als zwei Schichten als Bestandteil einer Schaltungsanordnung.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 10153482 [0003]

Claims (10)

  1. Kontaktsystem (74, 75) umfassend wenigstens ein insbesondere elektronisches Bauelement (20, 22), wobei das Bauelement (20, 22) wenigstens einen elektrischen Anschluss (24, 26) aufweist, und das Kontaktsystem (74, 75) wenigstens eine elektrisch und/oder wärmeleitfähige Schicht (10, 11) aufweist, wobei der Anschluss (24, 26) des Bauelements (20, 22) und/oder das Bauelement, insbesondere ein elektrisch isoliertes Gehäuse des Bauelements, und die elektrisch und/oder wärmeleitfähige Schicht (10, 11) mittels eines elektrisch und/oder wärmeleitfähigen Verbindungsmittels (50, 52, 54, 56, 57, 59) miteinander verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass das elektrisch und/oder wärmeleitfähige Verbindungsmittel (50, 52, 54, 56, 57, 59) mittels eines thermischen Spritzverfahrens (60, 62) erzeugt ist.
  2. Kontaktsystem (74, 75) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische Anschluss (24, 26) des Bauelements und/oder das Bauelement, insbesondere das Gehäuse der Bauelements, durch einen Durchbruch (40, 42, 44, 46) in der elektrisch und/oder wärmeleitfähigen Schicht (10, 11) hindurch mittels dem elektrisch und/oder wärmeleitfähigen Verbindungsmittels (50, 52, 54, 56, 57, 59) mit der elektrisch und/oder wärmeleitfähigen Schicht (10, 11) verbunden ist.
  3. Kontaktsystem (74, 75) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Material des elektrischen Anschlusses (24, 26) und das Material der elektrisch leitfähigen Schicht (10, 11) zueinander verschieden sind.
  4. Kontaktsystem (74, 75) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauelement (20, 22) zwischen die elektrisch und/oder wärmeleitfähige Schicht (10, 11) und eine elektrisch isolierende Schicht (30) eingeschlossen ist.
  5. Kontaktsystem (74, 75) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauelement (20, 22) wenigstens teilweise in ein Polymer eingeschlossen, insbesondere eingeschmolzen ist.
  6. Kontaktsystem (74, 75) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das elektrische und/oder wärmeleitende Verbindungsmittel (50, 52, 54, 56, 57, 59) den elektrischen Anschluss (24, 26) und/oder das Bauelement, insbesondere das Gehäuse, unmittelbar kontaktiert.
  7. Verfahren (70, 71, 72, 73, 74, 75) zum elektrischen und/oder thermischen Verbinden wenigstens eines elektrischen Anschlusses (24, 26) eines insbesondere elektronischen Bauelements (20, 22) und/oder des Bauelements, insbesondere einem elektrisch isolierten Gehäuses des Bauelements, mit wenigstens einer elektrisch und/oder wärmeleitfähigen Schicht (10, 11), dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische Anschluss (24, 26) und/oder das Bauelement mit der elektrisch und/oder wärmeleitfähigen Schicht (10, 11) mittels eines elektrisch und/oder wärmeleitfähigen Verbindungsmittels (50, 52, 54, 56, 57, 59) verbunden wird, wobei das elektrisch und/oder wärmeleitfähige Verbindungsmittel (50, 52, 54, 56, 57, 59) mittels eines thermischen Spritzverfahrens (60, 62) erzeugt wird.
  8. Verfahren (70, 71, 72, 73, 74, 75) nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische Anschluss (24, 26) und/oder das Gehäuse des Bauelements (20, 22) durch einen Durchbruch (40, 41, 42, 43, 44, 46) in der elektrisch und/oder wärmeleitfähigen Schicht (10, 11) hindurch mittels des elektrisch und/oder wärmeleitfähigen Verbindungsmittels (50, 52, 54, 56, 57, 59) mit der elektrisch und/oder wärmeleitfähigen Schicht (10, 11) verbunden wird.
  9. Verfahren (70, 71, 72, 73, 74, 75) nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Material des elektrischen Anschlusses (24, 26) und das Material der elektrisch leitfähigen Schicht (10) zueinander verschieden sind.
  10. Verfahren (70, 71, 72, 73, 74, 75) nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauelement (20, 22) zwischen die elektrisch leitfähige Schicht (10) und eine elektrisch isolierende Schicht (30) eingeschlossen wird, nachdem der elektrische Anschluss (24, 26) mittels des elektrisch leitfähigen Verbindungsmittels (50, 52, 54, 56, 57, 59) mit der elektrisch leitfähigen Schicht (10) verbunden ist.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015096946A3 (de) * 2013-12-27 2015-11-19 Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh Verfahren zur herstellung eines chipmoduls
US10568210B2 (en) 2015-09-02 2020-02-18 At & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Electronic device with embedded electronic component

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10153482A1 (de) 2001-10-30 2003-05-22 Leoni Ag Verfahren zum Behandeln eines elektrischen Leiters

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG139594A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-29 Micron Technology Inc Microelectronic devices and methods for manufacturing microelectronic devices
SG166773A1 (en) * 2007-04-24 2010-12-29 United Test & Assembly Ct Lt Bump on via-packaging and methodologies
DE102007029422A1 (de) * 2007-06-26 2009-01-08 Behr-Hella Thermocontrol Gmbh Thermische Kontaktierung eines Leistungsbauelements auf einem Schaltungsträger durch Kaltgasspritzen
DE102007044754A1 (de) * 2007-09-19 2009-04-09 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Baugruppe sowie elektronische Baugruppe

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10153482A1 (de) 2001-10-30 2003-05-22 Leoni Ag Verfahren zum Behandeln eines elektrischen Leiters

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015096946A3 (de) * 2013-12-27 2015-11-19 Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh Verfahren zur herstellung eines chipmoduls
US10354971B2 (en) 2013-12-27 2019-07-16 PAC Tech—Packaging Technologies GmbH Method for producing a chip module
US10568210B2 (en) 2015-09-02 2020-02-18 At & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Electronic device with embedded electronic component

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