Integrierte ikromechaniεche Sensorvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung.
Die Erfindung betrifft eine integrierte ikromechanische Sensorvorrichtung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung.
Mikromechanische Sensoren finden zunehmend Eingang in alle Bereiche der Technik, z. B. in Navigationssysteme und Kraft¬ fahrzeuge, insbesondere in Verbindung mit Sicherheitssyste¬ men. Einen großen Teil derartiger Sensoren bilden Druck- und Beschleunigungssensoren. Gefragt sind zuverlässige, kleine, einfach herzustellende und dabei preiswerte Sensoren mit ei¬ ner hohen Meßgenauigkeit und einer guten Proportionalität zwischen Meßgröße und Ausgangssignal.
Die meisten heute verwendeten Druck- oder Beschleunigungs- Sensoren werden feinmechanisch oder mittels KOH-Ätztechnik auf Siliziu basiε (bulk-micromachining) hergestellt. Die Auswertung des bislang meist mittels des Piezoeffekts er¬ zeugten Sensorsignals erfolgt getrennt vom Sensor. Der Trend geht jedoch zum intelligenten Sensor, bei dem der Sensor so- wie die Schaltung zur Auswertung des Sensorsignals und gege¬ benenfalls eine Testschaltung auf Basis der Siliziumplanar- technologie auf einem Chip integriert sind. Die Auswertung des piezoresistiven oder kapazitiven Sensorsignals sowie die Linearisierung und Verstärkung erfolgen mit Halbleiter- Schaltkreisen bekannter Technologien. Ein derartiger Sensor ist beispielsweise aus der Veröffentlichung F. Goodenough: Airbags Boom When IC Accelerometer Sees 50 G, Electronic De¬ sign, August 8, 1991, pp. 45-56 bekannt.
Während konventionell hergestellte mikromechanische Sensoren relativ groß, teuer und ungenau sind, beschreibt die vorste¬ hend genannte Veröffentlichung eine verbesserte Ausführungs-
form. Dieser bekannte sogenannte oberflächen-mikromechaniεche Sensor (surface micromachining) benötigt, wie insbesondere aus der diesbezüglichen weiteren Veröffentlichung: Analog Devices Combines Micromachining and BICMOS, Se iconductor International, Okt. 1991 hervorgeht, zu seiner Herstellung 21 Masken, nämlich 6 Masken für den Sensorprozeß und 15 Masken für einen 4 μ -BICMOS-Prozeß. Das zur Ausbildung des kapazitiven Sensors kammförmige Sensorelement besteht aus einem 2μm-dicken Polysiliziumelement und ist über Federn, die ebenfalls aus Polysilizium sind, mit der Substratoberfläche verbunden.
Das Herstellverfahren für den bekannten Sensor ist außeror¬ dentlich aufwendig und teuer. Darüberhinaus ist unsicher, ob die für die mechanisch bewegten Teile des Sensors verwendeten Polysiliziumschichten eine ausreichende mechanische Langzeitstabilität aufweisen. Neben dieser möglichen zeitli¬ chen Degradation sind die mechanischen Eigenschaften wie der Elastizitätsmodul oder intrinsischer Streß von Polysilizium sensibel von den jeweiligen Prozeßbedingungen während der Herstellung abhängig. Die thermische Ausheilung des intrin- sischen Stresses erfordert im Herstellungsprozeß zusätzliche Temperschritte, was sich nachteilig auf die gleichzeitig in dem Sensor integrierte elektronische Schaltung auswirkt. Zu- dem sind im Herstellungsprozeß zusätzliche Abscheidungen von Halbleiterschichten notwendig. Bei einem denkbaren Einsatz von modernen Sub-μm-BICMOS-Schaltungen für die Auswerte¬ schaltung des Sensors ist es aufgrund der dabei verwendeten niedrigen Prozeßtemperaturen nicht mehr möglich, streßfreie Polysiliziumschichten herzustellen.
Die nachveröffentlichte DE-A-43 09 917 beschreibt die Verwendung einer einkristallinen Siliziumschicht mit einer darüberliegenden Siliziumnitridschicht.
Die Erfindung sieht eine integrierte mikromechanische Sen¬ sorvorrichtung vor,bei der ein Körper mit einem Substrat, mit
einer darüber angeordneten einkristallinen Siliziumschicht und mit einer in einem vorgegebenen Bereich dazwischen angeordneten isolierenden Schicht gebildet ist, bei der die Siliziumschicht Gräben von ihrer Oberfläche bis zu ihrer unteren Grenzfläche aufweist, bei der in der Siliziumschicht die Seitenwände der Gräben und die der unteren Grenzfläche der Siliziumschicht zugeordnete Zone der Siliziumschicht eine erste vorgegebene Dotierung haben und die Siliziumschicht zumindest in einem Teilbereich eine zweite vorgegebene Dotierung aufweist, bei der eine Transistoranordnung in einem ersten Bereich der
Siliziumschicht über der isolierenden Schicht vorgesehen ist und bei der eine Sensoranordnung in einem zweiten Bereich der Siliziumschicht vorgesehen ist, in dem zumindest teilweise keine isolierende Schicht vorhanden ist.
Ein Verfahren zur Herstellung einer integrierten mikromecha¬ nischen Sensorvorrichtung sieht folgende Schritte vor:
Bilden eines Grundkörpers mit einer auf einem Substrat angeordneten isolierenden Schicht und einer darüber an¬ geordneten einkristallinen Siliziumschicht, wobei die Siliziumschicht eine vorgegebene Dotierung aufweist,
Ätzen von Gräben in der Siliziumschicht bis auf die Oberfläche der isolierenden Schicht,
Dotieren der Grabenwände,
Erzeugen einer Transistoranordnung in einem ersten Be¬ reich der Siliziumschicht und
Entfernen der isolierenden Schicht unter einem zweiten Bereich der Siliziumschicht.
Nach dem Dotieren der Grabenwände können die Gräben mit einer isolierenden Oxidschicht aufgefüllt werden. Vorzugsweise werden die Gräben jedoch nach ihrer Herstellung mit einem dotierenden Oxid (dotierende Isolierschicht) aufgefüllt, das als Dotierquelle für die nachfolgende Dotierung der Graben¬ wände dient. Das Oxid in den Gräben wird unter dem zweiten Bereich der Siliziumschicht in Verbindung mit der isolieren¬ den Schicht wieder entfernt.
Der gemäß der Erfindung hergestellte Sensor enthält einkri¬ stallines Silizium. Er vermeidet die Verwendung von Polysi¬ liziumschichten für die mechanisch bewegten Teile, da für diese Teile einkristallines Silizium verwendet wird. Einkri¬ stallines Silizium besitzt genau bekannte mechanische Eigen- schaften, die nicht von den jeweiligen Parametern des Her- stellungsprozesses abhängen. Zudem sind die mechanischen Ei¬ genschaften keiner zeitlichen Degradation unterworfen, so daß die Langzeitstabilität sehr groß ist.
Die Erfindung hat den weiteren Vorteil, daß sie unter Ver¬ wendung bekannter und verfügbarer Grabenätz- und Auffüllver¬ fahren in vollem Umfang VLSI-kompatibel ist. Weiterhin ist die erfindungsgemäße Sensorvorrichtung mechanisch robust, da sich die beweglichen Teile in der Siliziumschicht befinden und nicht auf der Chipoberfläche. Da die Elektroden des Sen¬ sors senkrecht zur Chipoberfläche stehen ergibt sich eine hohe spezifische Kapazität (Packungsdichte) des Sensors. Gleichzeitig wird das Sticking-Problem, d. h. eine Adhäsion von Flächen beim oder nach einem Spülvorgang entschärft, da die Steifigkeit der Sensorvorrichtung senkrecht zur Schwin¬ gungsrichtung sehr groß ist.
Schließlich bietet die erfindungsgemäße Sensorvorrichtung den erheblichen Vorteil, daß bei der Verwendung eines bipolaren oder eines BICMOS-Prozesses die Maskenzahl zur Herstellung der Sensorvorrichtung gegenüber einem Standardprozeß in diesen Technologien nicht erhöht wird.
Ausgestaltungen der Erfindung sind in Unteransprüchen ge¬ kennzeichnet.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Figuren der Zeich¬ nung näher erläutert, von denen
Figuren 1 bis 5 Querschnitte durch eine erfindungsge äße
Vorrichtung bei verschiedenen Herstellverfahrensschritten zeigen und
Figur 6 eine Draufsicht auf eine kapazitive Sensoranordnung zeigt.
Figur 1 zeigt einen bei der Herstellung der integrierten mi¬ kromechanischen Sensorvorrichtung gebildeten Grundkörper 10. Auf einem Substrat 1 ist eine isolierende Schicht 2 und auf dieser isolierenden Schicht eine einkristalline Silizium¬ schicht 3 angeordnet. Das Substrat kann ebenfalls aus Sili- ziu bestehen. Typischerweise wird die Dicke der isolierenden Schicht 2 zwischen 0,5 und 1 um gewählt, während die Schichtdicke der Siliziumschicht 3 z. B. zwischen 5 und 20 μm betragen kann. Die Kristallorientierung und Dotierung des Substrats ist beliebig. Die Orientierung und Dotierung der Siliziumschicht 3 entspricht der bei der Herstellung der Sensorvorrichtung und deren Halbleiterschaltungsanordnung verwendeten Basistechnologie.
Im Ausführungsbeispiel gemäß Figur 1 ist die der isolierenden Schicht 2 bzw. die der unteren Granzfl che der Silizium¬ schicht zugewandte Seite der Siliziumschicht 3 n+-dotiert, während die von der isolierenden Schicht 2 abgewandte Ober¬ flächenzone der Siliziumschicht n~-dotiert ist. Die Dotierung der Siliziumschicht 3 ist für das eigentliche Sensorelement nicht notwendig, sondern richtet sich ausschließlich nach der Technologie, die für die integrierte Schaltungsanordnung verwendet werden soll.
Der Grundkörper gemäß Figur 1 kann z. B. eine DWB-Scheibe sein, wobei DWB Direct-Wafer-Bonding bedeutet. Derartige Scheiben sind aus zwei Halbleiterscheiben zusammengeklebt und lassen sich mit hoher Qualität mit den in Figur 1 gezeigten Schichtdicken und Dotierungen am Markt erwerben. Eine weitere Möglichkeit zur Herstellung des in Figur 1 gezeigten Grundkörpers ist die Verwendung des sogenannten SIMOX- Verfahrens (I. Rüge, H. Mader: Halbleiter-Technologie, Springer-Verlag, 3. Auflage, 1991, Seite 237). Dabei wird eine isolierende Schicht aus Siliziumoxid durch tiefe Ionen¬ implantation von Sauerstoffatomen in einkristallines Silizium gebildet. Daran kann sich ein Epitaxieschritt anschließen. Eine dritte Möglichkeit zur Herstellung des Grundkörpers gemäß Figur 1 macht von der Rekristallisation Gebrauch, bei der eine über einer einkristallinen Siliziumschicht und einer darauf angeordneten Siliziumoxidschicht zunächst amorph oder polykristallin abgeschiedene Siliziumschicht durch Aufschmelzen mit einem Laserstrahl rekristallisiert wird.
In einem nächsten Schritt werden in die einkristalline Sili¬ ziumschicht 3 Gräben bis auf die Oberfläche der isolierenden Schicht 2 geätzt, beispielsweise durch eine anisotrope Trockenätzung. Anschließend werden die Gräben mit einem do- tierenden Isolierstoff aufgefüllt. Im Ausführungsbeispiel gemäß Figur 2 kann Phosphorglas (PSG) oder Borphosphorglas (BPSG) verwendet werden. Die Erzeugung derartiger Glas- schichten ist beispielsweise aus D. Widmann, H. Mader, H. Friedrich: Technologie hochintegrierter Schaltungen, Sprin- ger-Verlag, 1988, Seite 80 ff. bekannt. Bei einer entspre¬ chenden Temperaturbehandlung diffundieren Phosphor und gege¬ benenfalls Bor aus dem Phosphorglas in das Silizium der Gra¬ benwände der Siliziumschicht 3 ein. Damit ergibt sich die in Figur 2 gezeigte Struktur, bei der die isolierende Schicht 2 und die dotierende Isolierschicht 4 am Fuß der zuvor geätzten Gräben aufeinanderstoßen. Die Grabenwände sind entsprechend der an der isolierenden Schicht 2 angrenzenden Zone der
Siliziumschicht 3 dotiert, d. h. im Ausführungsbeispiel n+- dotiert.
Durch das Ätzen von Gräben in der Siliziumschicht und das Dotieren der Grabenwände werden sowohl der Bereich SB, in dem der eigentliche Sensor vorgesehen ist, als auch der Bereich TB, in dem die elektronische Auswerteschaltung, zumindest aber eine Transistoranordnung für die Verarbeitung des Sensorsignals vorgesehen ist, strukturiert und gegeneinander isoliert. Der Bereich TB beinhaltet eine oder mehrere iso¬ lierte Wannen, in die je nach Vorgabe CMOS-, Bipolar- oder sonstige Bauelemente eingebaut werden. Wenn die im Bereich TB zu realisierende Transistoranordnung z. B. ein bipolarer Transistor ist, ist mit der in Figur 2 gezeigten Struktur des Bereichs TB bereits eine vergrabene Kollektorzone und ein niederohmiger Kollektor-Anschluß in Form der dotierten Grabenwände erzeugt. Gegenüber Anordnungen aus dem Stand der Technik erfordert die Erzeugung der in Figur 2 gezeigten Struktur keine separaten Masken- und Dotierungsprozesse für die vergrabene Zone, für einen Kanalstopper und für einen Kollektor. Ein Epitaxieprozeß kann ebenfalls entfallen.
Ausgehend von der Struktur der Figur 2 wird anschließend eine Transistoranordnung in dem Bereich TB erzeugt. Diese Transistoranordnung kann mit einem standardmäßigen bipolaren oder BICMOS-Prozeß hergestellt werden. Beispiel für derartige Prozesse sind z. B. aus der vorgenannten Veröffentlichung Widmann/Mader/Friedrich: Technologie hochintegrierter Schaltungen bekannt. Bei einer bipolaren Transistorstruktur kann z. B., ausgehend von Figur 2, zunächst die Basiszone, bei einem BICMOS-Prozeß zunächst die p-bzw. n-Wanne erzeugt werden.
Selbstverständlich ist es möglich, ausgehend von der Struktur der Figur 2 auch eine MOS-Tranεistoranordnung in dem
Grundkörper zu realisieren. Auch in diesem Fall beginnt der
standardmäßige Prozeß mit der Erzeugung einer p- bzw. n-Wanne in dem für die Transistorstrukturen vorgesehenen Bereich TB.
Während der Erzeugung der Transistoranordnung wird der Be- reich SB, der für das Sensorelement vorgesehen ist, durch eine entsprechende Maske abgedeckt. Gemäß Figur 3 ergibt sich z. B. ein bipolarer Transistor, dessen Kollektor C nie- derohmig über die vergrabene Zone BL und die hochdotierten niederohmigen Grabenwände CA mit dem Kollektoranschluß K verbunden sind. Die p-dotierte Basis ist mit dem Basisan¬ schluß B verbunden. Entsprechend ist der Emitteranschluß E über der hochdotierten n++-Zone angeordnet. Basis-, Emitter- und Kollektorbereiche des Transistors sind über Isolations¬ zonen II bis 13, vorzugsweise aus Siliziumoxid Siθ2, gegen- einander isoliert. Anschließend wird über der gesamten An¬ ordnung eine Passivierungsschicht P aufgebracht. Beispiels¬ weise kann die Passivierungsschicht aus Siliziumnitrid Si3N4 bestehen.
Im Anschluß an die Erzeugung der Transistoranordnung wird die Passivierungsschicht P über dem Sensorbereich SB mit Hilfe einer Lackmaske FM entfernt und danach zunächst der dotierende Isolierstoff 4 in den Gräben des Sensorbereichε und danach die isolierende Schicht 2 zumindeεt in Teilzonen deε Sensorbereichs SB entfernt. Dies kann z. B. durch einen naßchemischen oder einen Trocken-Ätzprozeß erfolgen. Die isolierende Schicht 2 wird dabei unter den beweglichen Elek¬ troden des Senεorelements vollständig und unter den nicht beweglichen Elektroden des Sensorelementε nicht vollständig entfernt, so daß letztere weiterhin mechanisch mit dem Substrat 1 verbunden sind.
Figur 4 zeigt eine Anordnung nach dem Entfernen deε Isolier¬ stoffs 4 und der isolierenden Schicht 2 neben und unter den beweglichen Elektroden BEI, BE2 des Sensorbereichε SB, wäh¬ rend unter den feεten Elektroden FEI, FE2 und FE3 die iso¬ lierende Schicht 2 noch teilweise vorhanden ist. In der An-
Ordnung gemäß Figur 4 iεt der Transistorbereich TB anders als in Figur 3 strukturiert. Während sich an den Dotierungs- verhältniεεen der Siliziumεchicht 3 in der Anordnung der Fi¬ gur 4 gegenüber der Figur 2 nichtε verändert hat, iεt im Tranεistorbereich der Figur 4 zum Rand des Sensorbereichs hin eine Oxidschicht 5 vorgesehen. Der Transistorbereich ist mit einer Passivierungsschicht P und einer über dieser liegenden Lackmaske FM abgedeckt.
Um ein möglicherweise bei der Entfernung der isolierenden Schicht 2 unter dem Bereich der beweglichen Elektroden BEi auftretendes Adhäsionsproblem (Sticking) zu lösen, können sublimierende Chemikalien, z. B. Cyclohexan oder Dichlorben- zol verwendet werden.
Im Anschluß an das geschilderte Entfernen der isolierenden Schicht wird die Maske FM entfernt.
Figur 5 zeigt Querschnitte durch eine Sensorstruktur, die in Figur 6 in Draufsicht dargestellt ist. Es handelt sich um einen Beschleunigungεεensor, der ein bewegliches Masεeteil M hat, daε über Federelemente Fl, F2 und weitere nicht darge- εtellte Federelemente an der Siliziumεchicht 3 aufgehängt ist. Das Masseteil M hat fingerförmige bewegliche Elektroden BE10, BE11 und BEli, die frei in Bereiche zwischen festen Elektroden FE10 bis FE13 sowie FEli, hineinragen. Zwischen den beweglichen Elektroden BEi und den festen Elektroden FEi sind, da die Grabenwände der Elektroden hochdotiert sind, Kapazitäten gebildet, die in Figur 6 und in Figur 5a rein symbolisch dargestellt sind. Figur 5a zeigt dabei einen Schnitt entlang der Linie A-A und Figur 5b einen Schnitt entlang der Linie B-B, die in Figur 6 eingezeichnet sind. Um bei der Herεtellung deε Senεorteilε die iεolierende Schicht unter dem Masseteil zuverläεεig entfernen zu können, enthält daε Masseteil M Löcher L. Grundsätzlich sind die Löcher je¬ doch nicht zwingend erforderlich. In Figur 6 ist der Bereich der Sondermaske, die für die Erzeugung der Sensorstrukturen
verwendet wird, skizziert. Innerhalb des durch die Sonder¬ maske SM definierten Bereichs erfolgt das Entfernen deε do¬ tierenden Isolierstoffs aus den Gräben und der isolierenden Schicht neben und unterhalb der beweglichen Elektroden, des Masεeteilε und der Federn vollεtändig.
Figur 5c zeigt das mit der Sensorεtruktur von Figur 5a und b bzw. Figur 6 erhaltene Erεatzεchaltbild. Die beweglichen Elektroden BEi, d.h. BElOi biε BEli εind über daε Masseteil M und die Feder Fi mit einem Anschluß BEA verbindbar. Die feεten Elektroden εind paarweiεe mit Anεchlüεsen AE und CE verbunden, die den festen Platten eines Kondenεatorε ent¬ sprechen. Die beweglichen Elektroden bilden eine bewegliche Platte des Kondensatorε, εo daß Figur 5c einen Differential- kondenεator darεtellt.
Aus den Zwischenräumen ZR zwischen zwei festen Elektroden, Figur 5a, kann der dotierende Isolierstoff entfernt werden. Es iεt jedoch auch möglich, daß die Zwiεchenräume ZR der fe- εten Elektroden und die darunterliegende iεolierende Schicht, die den jeweiligen feεten Elektroden zugewandt iεt, erhalten bleiben. Vorauεεetzung iεt eine andere Maεke, mit der εich nur die iεolierende Schicht und der dotierende Iεolierstoff unterhalb und zwischen den beweglichen Elektroden entfernen lasεen.
Die feεten Elektroden können alternativ zu der Struktur von Figur 5 bzw. Figur 6 in ähnlicher Weise wie in der zuvor zi¬ tierten Veröffentlichung Electronic Design mit dem Substrat 1 bzw. der isolierenden Schicht 2 mechanisch verbunden sein.
Die Befestigung über einen Anker hat freitragende Elektroden zur Konsequenz, was bedeutet, daß die festen Elektroden hin¬ sichtlich auf sie wirkender Beεchleunigungskräfte ausreichend biegesteif sein müssen, damit zusätzliche Meßfehler nicht negativ auf die Meßgenauigkeit wirken.
Die in Figur 6 dargestellte Sensoranordnung reagiert senεibel auf Bewegungen deε Masseteils in der angedeuteten Pfeil- richtung. Die zulässige Auslenkung der fingerförmigen kapa¬ zitiven beweglichen Elektroden beträgt weniger als der Spaltabεtand zu einer feεten Elektrode, d. h. weniger alε etwa lμm. Vorzugεweiεe iεt deεhalb die Auεwerteschaltung der Sensorvorrichtung als Regelkreis derart ausgestaltet, daß eine Regelεpannung einer Auεlenkung deε Maεseteils in dem Sinne entgegenwirkt, daß die durch den Differentialkondensa- tor gebildeten Teilkapazitäten jeweilε gleich sind. Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß es ein Nullpunktverfahren ist und deshalb in der Regel genauer ist als ein absolutes Ver¬ fahren zur Bestimmung der Kapazitätεänderungen.
Eine zweidimenεionale Beschleunigungsmesεung ist möglich, wenn zwei Sensoranordnungen gemäß Figur 5 bzw. Figur 6 ver¬ wendet werden, die zueinander um 90°versetzt sind. Die Schwingungsrichtung der jeweiligen Masεeteile liegt dabei in der Schwingungsrichtung der Chipebene in zwei zueinander senkrechten Richtungen. Die beschriebene Technik läßt sich in ähnlicher Weise auf die Herstellung von Differenzdruck¬ sensoren anwenden.
Die Erfindung hat folgende Vorteile:
Das Sensormasseteil, die Elektroden und der Biegebalken, d. h. die Aufhängefedern des Sensorε beεtehen auε Monoεilizium, εo daß für die beweglichen Teile die von Polyεilizium her bekannten Verbiegungen und Spannungen entfallen.
Maεεeteil des Sensors und die Federkonεtante deε Biegebalkenε εowie bei einem kapazitiven Senεor die Senεorkapazität εind unabhängig voneinander einεteilbar, εo daß εich gut Senεorarrayε realiεieren laεεen. Die Senεoranordnung erlaubt eine hohe Packungsdichte des Sensorε, da die Elektroden εenkrecht zur Chipoberfläche εtehen, so daß sich eine große kapazitive Fläche erzielen läßt. Die Steifigkeit der Elek-
troden senkrecht zur Schwingungsrichtung ist sehr groß, da das Widerεtandεmoment proportional zur 3. Potenz der Elek¬ trodendicke ist. Aus diesem Grund tritt gegebenenfalls kein Adhäsionε- bzw. Stickingproblem auf, εo daß gegenwirkende Chemikalien nicht erforderlich εind.
Da sich die beweglichen Teile des Senεors im Silizium bzw. in der Siliziumεchicht befinden und nicht auf der Chipoberfläche ist der Sensor mechanisch außerordentlich robust. Durch die Anordnung der Elektroden und des Masseteilε in der Chipebene ist außerdem automatisch eine Überlastsicherung in der Chipebene gegeben.
Bei Verwendung eines bipolaren oder eines BICMOS-Standard- prozesseε alε Basistechnologie für die Auswerteschaltung des intelligenten Sensorε wird die Maεkenzahl nicht erhöht. Da¬ durch lassen sich erhebliche Kosten sparen und der Herstel- lungεprozeß inεgeεa t vereinfachen.
Grundεätzlich iεt daε erfindungεgemäße Verfahren bzw. die
Senεorvorrichtung kombinierbar mit allen bekannten Technolo¬ gien. Inεbesondere ist die Sensorvorrichtung VLSI-kompatibel, εo daß Strukturbreiten unter lum erzielt werden können. Verwendung bei der Herεtellung können deεhalb die auε der Halbleitertechnologie bekannten Grabenätz- und Auffüllver¬ fahren sowie die üblichen Halbleiterverfahren finden.