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Diese
Erfindung bezieht sich auf Winkelgeschwindigkeitssensoren, im Folgenden
auch als Winkelgeschwindigkeitsmesser bezeichnet, und insbesondere
auf ein Verfahren zur Herstellung eines Winkelgeschwindigkeitsmessers.
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Es
gibt einen beachtlichen Bedarf an Winkelgeschwindigkeitsmessern
für eine
Vielfalt von elektronischen Messsystemen. Zum Beispiel benötigen Sicherheitssysteme
in Fahrzeugen zur Vermeidung von Verletzungen während eines Überschlags
oder Schleudersysteme Vorrichtungen, um die Änderungsrate einer axialen
Ausrichtung des Fahrzeugs zu ermitteln. Aktuelle Sensoren, die geeignete
Signale für
solche Systeme bereitstellen, sind teuer herzustellen, da sie eine
komplexe Bauweise und eine entsprechend teure Fertigungstechnik
erfordern.
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Einige
Vorrichtungen des Standes der Technik setzen die elektrostatische
Erregung eines Elements und die Erfassung einer durch den Coriolis-Effekt
verursachten Kapazitätsänderung
bei Bewegung des Elements ein. Diese Vorrichtungen wurden im Wesentlichen
unter Verwendung von Silizium-auf-Isolator-Halbleiterscheiben oder
Polysilizium hergestellt. Die Beschränkungen dieser Anordnungen
bestehen darin, dass die Silizium-Halbleiterscheiben extrem teuer
sind, oder dass die Polysilizium-Vorrichtungen von schlechter Herstellungsqualität sind und
ungleichmäßige Eigenschaften
und eingebaute Spannungen aufweisen, die bewirken können, dass
unbeabsichtigte Eigenschaften, insbesondere bei irgendwelchen Federelementen,
auftreten.
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Die
vorliegende Erfindung ist darauf gerichtet, einige der Probleme
des Standes der Technik, sowohl bezüglich der Kosten als auch der
Herstellungseinfachheit, zu überwinden.
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UA-A-5635639
offenbart einen Winkelgeschwindigkeitsmesser, der keine in eine
Vertiefung eingesiegelten Elemente aufweist, die durch anodisches
Bonden ausgebildet wurden.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Winkelgeschwindigkeitsmessers
bereitgestellt, das die folgenden Schritte aufweist:
Herstellen
von Bauteilen des Winkelgeschwindigkeitsmessers auf einem Silizium-Substrat,
wobei die Bauteile eine oder mehrere Massen, einen Haltesteg und
verdeckte Leiterbahnen umfassen;
Bereitstellen einer Erfassungseinrichtung;
dadurch gekennzeichnet, dass:
p-Kontakte zu den verdeckten
Leiterbahnen durch die Schritte des Aufbringens einer Fotolack-Maske auf
eine Oberfläche
des Substrats; des Implantierens von Ionen in das Substrat bei Aussparungen
in der Fotolack-Maske; und des Diffundierens der Ionen in das Substrat
bereitgestellt werden; wobei das Verfahren ferner die folgenden
Schritte aufweist:
Abscheiden von Metallverbindungen auf dem
p-Kontakt;
Abscheiden von Metallverbindungen auf einer ersten Glasplatte;
und
Versiegeln
der Bauteile in einer Vertiefung zwischen der ersten Glasplatte
und einer zweiten Glasplatte durch anodisches Bonden.
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Die
Erfindung ermöglicht
es daher, Winkelgeschwindigkeitsmesser unter Verwendung von preiswerten
Silizium-Halbleiterscheiben herzustellen.
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Die
Erfassungseinrichtung sind vorzugsweise Elektroden, die durch die
Metallabscheidung auf der Glasplatte ausgebildet wurden.
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Vorzugsweise
liegen die Massen, der Steg und die Substrate in im Wesentlichen
parallelen Ebenen und das Verfahren weist ferner den Schritt eines asymmetrischen Ätzens des
Steges auf, sodass dieser bei Verwendung eine Tendenz aufweist,
sich in eine Richtung zu biegen, die sowohl parallele als auch zu
den parallelen Ebenen senkrechte Komponenten aufweist.
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Das
Verfahren kann ferner den Schritt der Ausbildung einer n-Epitaxie-Schicht über den
verdeckten Leiterbahnen aufweisen, um die Leiterbahnen vor dem anodischen
Bonden zu schützen.
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Das
Substrat ist vorzugsweise ein p-Einkristall-Silizium-Substrat.
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Die
verdeckten Leiterbahnen werden vorzugsweise durch die folgenden
Schritte hergestellt:
Aufbringen einer Fotolack-Maske auf eine
Oberfläche
des Substrats;
Implantieren von Ionen in das Substrat bei Aussparungen
in der Fotolack-Maske;
Diffundieren der Ionen in das Substrat.
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Vorzugsweise
weist der Schritt des anodischen Bondens ferner die Bereitstellung
einer Passivierungsschicht auf dem Substrat auf.
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Das
Verfahren kann ferner den Schritt der Ausrichtung des Substrats
und der ersten Glasplatte aufweisen, sodass die ersten und zweiten
Elektroden einen oder mehrere Kondensatoren ausbilden.
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Ein
Beispiel der vorliegenden Erfindung wird nun mit Bezug auf die anliegenden
Zeichnungen beschrieben, in denen:
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1 eine
schematische Draufsicht einer gemäß dem Prozess der vorliegenden
Erfindung hergestellten Vorrichtung ist;
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2 ein
schematischer Querschnitt einer Silizium-Halbleiterscheibe nach einem ersten
Schritt im Prozess der Erfindung ist;
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3 ein
schematischer Querschnitt der Halbleiterscheibe von 2 nach
einem zweiten Prozessschritt ist;
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4 ein
schematischer Querschnitt der Halbleiterscheibe von 3 nach
einem dritten Prozessschritt ist;
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5 ein
schematischer Querschnitt einer Halbleiterscheibe gemäß 4 nach
einem vierten Prozessschritt ist;
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6 ein
schematischer Querschnitt der Halbleiterscheibe von 5 nach
einem fünften
Prozessschritt ist;
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7 ein
schematischer Querschnitt der Halbleiterscheibe von 6 nach
einem sechsten Prozessschritt ist;
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8 ein
schematischer Querschnitt der Silizium-Halbleiterscheibe von 7 nach
einem siebten Prozessschritt ist;
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9 ein
schematischer Querschnitt der Silizium-Halbleiterscheibe von 8 nach
einem achten Prozessschritt ist;
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10 ein
schematischer Querschnitt der Halbleiterscheibe von 9 nach
einem neunten Prozessschritt ist;
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11 ein
schematischer Querschnitt der Halbleiterscheibe von 10 nach
einem zehnten Prozessschritt ist;
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12 ein
schematischer Querschnitt der Halbleiterscheibe von 11 nach
einem elften Prozessschritt ist;
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13 ein
schematischer Querschnitt einer oberen Glasscheibe ist, die während eines
zwölften Prozessschritts
ausgebildet wurde;
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14 ein
schematischer Querschnitt der Halbleiterscheibe von 12 und
der Scheibe von 13 nach einem dreizehnten Prozessschritt
ist; und
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15 ein
schematischer Querschnitt der Anordnung von 14 nach
einem fünfzehnten
Prozessschritt ist.
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Ein
Winkelgeschwindigkeitsmesser 1 wird mittels Mikrobearbeitung
einer Siliziummasse hergestellt. Der Winkelgeschwindigkeitsmesser 1 weist zwei
Siliziummassen 20 auf, die durch einen Haltesteg, der in
diesem Beispiel im Wesentlichen in der Ebene des Substrats liegt,
verbunden sind. Die Massen 20 und der Steg sind angeordnet,
um eine Tendenz aufzuweisen, sich in eine Richtung zu biegen, die
weder senkrecht noch parallel zur Ebene eines Substrats 3 ist.
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Wenn
daher eine elektrostatische Erregung auf die Massen 20 in
einer zur Ebene des Substrats 3 senkrechten Richtung aufgebracht
wird, schwingen die Massen 20 im Wesentlichen parallel
zur Ebene des Substrats 3. Dies führt dazu, dass die Massen 20 ein
relativ großes
Kreiselmoment erfahren, wenn der Winkelgeschwindigkeitsmesser einer
Drehung in der Ebene des Substrats 3 ausgesetzt ist. Die
durch das Kreiselmoment hervorgerufene Drehung ist daher im Vergleich
zu Vorrichtungen des Standes der Technik, die eine unterschiedliche
Geometrie aufweisen, relativ groß, und eine kapazitive Änderung,
die durch die Drehung hervorgerufen wird, kann einfacher erfasst werden.
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Die
Erregung tritt im Allgemeinen bei einer Resonanzfrequenz für die beabsichtigte
Bewegung auf, die üblicherweise
im Bereich von 4–10
kHz liegt. Die Silizium-Massen 20 und ihre Aufnahmeanordnung
sind zwischen zwei Glasplatten 18, 19 versiegelt,
nämlich
einer oberen und einer unteren Glasplatte. Die obere Glasplatte 18 ist
mit einem Metallmuster versehen, das Kondensator-Elektroden 21 zur
Erfassung der Schwingungen definiert. Die Erfassungsschwingung ist
eine winkelförmige
Schwingung außerhalb
einer Ebene, die kapazitiv zwischen den Elektrode 21 auf
der in 13 gezeigten oberen Glasplatte 18 und
den Massen 20 erfasst wird.
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Winkelgeschwindigkeitsmesser
können
verschiedenartige Geometrien und Bauformen aufweisen, und mit Bezug
auf 1 weist ein Winkelgeschwindigkeitsmesser 1 die
schematisch gezeigte Geometrie und Bauform auf.
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Der
erste Schritt beim Herstellungsprozess (Prozessschritt 1) dient
dazu, eine Ausnehmung 2 auf einer Vorderseite 4 einer
Silizium-Halbleiterscheibe 3 zu definieren, die als Luftspalt
für eine
Anzahl von Abtast-Kondensatoren und als erforderlicher Abstand in
Presskontakt- und den Drahtbond-Feldbereichen
dient. Eine erste Fotolack-Maskenschicht wird auf die Silizium-Halbleiterscheibe 3 aufgebracht,
die danach durch ein reaktives Ionen-Ätzen (RIE) behandelt wird,
um eine Ausnehmung auszubilden, die eine Tiefe von ein paar μm aufweist. 2 veranschaulicht
einen schematischen Querschnitt der Silizium-Halbleiterscheibe 3 nach
dem Prozessschritt 1 entlang der in 1 gezeigten
Linie AB.
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Es
kann erkannt werden, dass eine Ausnehmungstiefe von z. B. 2 μm in Kombination
mit Kondensator-Elektroden, die eine Dicke von 1 μm aufweisen,
zu einem nominalen Kondensator-Spalt von 1 μm führt. Selbstverständlich kann
ein Spalt mit einer unterschiedlichen Abmessung benötigt werden.
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Der
Prozessschritt 2 dient dazu, die Dicke der Massen 20, der
Federn, einen dünnen
Auflagesockel und eine n-Wanne zu definieren, die die verdeckten
p-Leiterbahnen isoliert, die später
ausgebildet werden. Die Massen 20 werden durch ein Phosphorimplantat
definiert, das tief eindiffundiert ist, um die exakte Dicke zu erzielen.
Die übliche
Dicke kann im Bereich von 10–20 μm liegen.
Der durch diese Phosphordiffusion und das p-Substrat ausgebildete p-n-Übergang
wird während
einem nachfolgenden Nass-Ätzprozess
in Sperrrichtung vorgespannt, um dadurch die Dicke der Massen 20 elektrochemisch auszubilden.
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Siliziumoxid
wird thermisch gezüchtet
und unter Verwendung einer Standard-Photolithographie und einer
zweiten Maskenschicht mit einem Muster versehen. Das Siliziumoxid
wird durch Ätzen
in einer HF-basierten Lösung
mit einem Muster versehen und als Maske für den Implantationsprozess
verwendet. Auf die Vorderseite 4 wird Phosphor implantiert
und die Rückseite 5 wird
mit Bor implantiert, um den Reihenwiderstand der Halbleiterscheibe 3 zu
reduzieren. Der Phosphor wird bis zu einer vorgegebenen Dicke diffundiert
und das Oxid wird erneut oxidiert, um eine flache Ausnehmung in
der Silizium-Halbleiterscheibe 3 zur
Mustererkennung zu erzeugen.
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Der
letzte Schritt in diesem Arbeitsablauf besteht darin, das Siliziumoxid
auf der Vorderseite 4 der Halbleiterscheibe 3 abzuätzen. Das
Oxid auf der Rückseite 5 der
Halbleiterscheibe 3 wird nicht geätzt, da es als mechanischer
Schutz für
die nachfolgende Bearbeitung verwendet wird. Ein vereinfachter schematischer
Querschnitt nach diesem Prozessschritt ist in 3 gezeigt.
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Der
Prozessschritt 3 dient dazu, p-Leiterbahnen 7 vorzusehen,
um die Drahtbond-Felder über
die Presskontakte, die nach einem späteren Schritt des anodischen
Bondens erhalten werden, mit ihren entsprechenden Elektroden zu
verbinden. Das p-Diffusionsmuster
wird durch eine dritte Fotolack-Maskenschicht definiert und die
Leiterbahnen 7 werden durch die Bor-Implantation, gefolgt von einer thermischen
Diffusion, bereitgestellt. Die Implantation wird durchgeführt und
der Fotolack wird abgelöst.
Das Bor wird danach bis zur vorgegebenen Dicke diffundiert. Schließlich wird
das Oxid auf der Vorderseite der Halbleiterscheibe in gepuffertem
HF abgeätzt.
Ein schematischer Querschnitt der Halbleiterscheibe 3 nach
dem Prozessschritt 3 ist in 4 gezeigt.
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Der
Prozessschritt 4 dient dazu, eine n-Epitaxialschicht 8 auf
der vorderen Oberfläche 4 der Halbleiterscheibe 3 aufzuwachsen,
um die Leiterbahnen 7 einzugraben. Eine n-Einkristall-Siliziumsschicht 8 wird
epitaxial auf der gesamten vorderen Oberfläche 4 der Halbleiterscheibe 3 aufwachsen
gelassen. Ein schematischer Querschnitt der Halbleiterscheibe nach
dem Prozessschritt 4 ist in 5 gezeigt.
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Es
sollte vermerkt werden, dass sich diese Epitaxialschicht zu der
Dicke der Masse und der Federelemente hinzuaddiert. Die Dicke der
Federn, ebenso wie der Massen, wird durch die Diffusion in Prozessschritt
2 und die Dicke der Epitaxialschicht definiert.
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Der
Prozessschritt 5 dient dazu, einen Bereich der Federn zu ätzen, um
einen asymmetrischen Feder-Querschnitt zu erzielen. Eine Einbuchtung 10 in
der oberen Oberfläche
der asymmetrischen Federn wird durch ein Nassätzen oder ein Trockenätzen, wie
in den Darstellungen ersichtlich, ausgebildet. Dies verändert die
Steifigkeit der Federn, um einen Schwachpunkt an einem bestimmten
Winkel zur Hauptebene der Federn zu bilden. Dieser Winkel beträgt üblicherweise
4 Grad.
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Zuerst
wird eine Oxid-Maskenschicht 9 thermisch aufgewachsen.
Dieses Oxid wird auf der vorderen Oberfläche 4 unter Verwendung
einer vierten Maskenschicht mit einem Muster versehen. Danach wird
das Nassätzen
oder ein Trockenätzen
unter Verwendung eines anisotropen Ätzprozesses durchgeführt, um
die Einbuchtung 10 auszubilden. Ein schematischer Querschnitt
der Halbleiterscheibe 3 nach dem Prozessschritt 5 ist in 6 gezeigt.
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Der
Prozessschritt 6 dient dazu, eine elektrische Verbindung durch die
Epitaxialschicht 8 zu den verdeckten Leiterbahnen 7 bereitzustellen.
Kontakte 13 werden durch eine Bor-Implantation mit einem Fotolack als
Maskenmaterial hergestellt, der unter Verwendung einer fünften Maskenschicht
mit einem Muster versehen wird. Die Implantation wird üblicherweise
durch eine dünne
Siliziumoxidschicht 11 durchgeführt. Nach der Implantation
wird der Fotolack abgelöst.
Danach wird Bor bis zur vorgegebenen Dicke diffundiert, um die verdeckten
p-Leiterbahnen zu kontaktieren. Ein schematischer Querschnitt der Halbleiterscheibe 3 nach
diesem Prozessschritt 6 ist in 7 gezeigt.
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Der
Prozessschritt 7 dient dazu, den Kontaktwiderstand zur n-Epitaxialschicht 8 zu
reduzieren, den elektrischen Metallkontakt zu den n-Bereichen zu
verbessern und den elektromechanischen Ätz-Stoppprozess zu verbessern.
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Eine
flache Phosphor-Implantationsschicht 14 wird unter Verwendung
einer sechsten Fotolack-Maske vorgesehen. Nach der Implantation
wird der Fotolack abgelöst
und die n+-Implantationsschicht 14 geglüht. Ein
schematischer Querschnitt der Halbleiterscheibe 3 nach
diesem Prozessschritt 7 ist in 8 gezeigt.
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Der
Prozessschritt 8 dient dazu, Kontaktlöcher 15 für die Metallkontakte 13 herzustellen.
Die Kontaktlöcher 15 werden
unter Verwendung eines siebten Fotolacks und einer Siliziumoxid-Maskenschicht
definiert, die in einer HF-basierten
Lösung
geätzt
wird. Ein schematischer Querschnitt der Halbleiterscheibe 3 nach
diesem Prozessschritt 8 ist in 9 gezeigt.
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Der
Prozessschritt 9 dient dazu, Metall für die Verbindungen abzuscheiden
und zu mustern und dazu, einen ohmschen Kontakt sowohl zu den p-
als auch n-Diffusionsschichten sicherzustellen. Eine hochreine Aluminiumschicht 16 wird
unter Vakuum in den Kontaktlöchern 15 abgeschieden.
Ein Fotolack wird verwendet, um das Aluminium unter Verwendung einer
achten Maskenschicht mit einem Muster zu versehen. Das Aluminium
wird durch einen Nass-Ätzprozess
geätzt.
Ein schematischer Querschnitt der Halbleiterscheibe 3 nach
diesem Prozessschritt 9 ist in 10 gezeigt.
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Der
Prozessschritt 10 dient dazu, die hintere Oberfläche 5 mit Siliziumoxid,
das als Maske für
das Nassätzen
des Siliziums verwendet wird, mit einem Muster zu versehen und das Ätzen durchzuführen, um
Membrane (in der Dicke der Massen-Diffusion) und dünne Sockel
zu erhalten.
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Das
Silizium wird durch ein anisotropes Ätzen von der hinteren Oberfläche 5 geätzt. Die
Dicke der Massen und der Federn wird durch ein elektrochemisches
Passivierungsverfahren gesteuert/geregelt. Der Ätzstopp wird durch Aufbringen
einer Sperrvorspannung auf die p-n-Übergänge zwischen dem p-Substrat
und der n-Epitaxialschicht oder der n-Wanne erreicht.
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Die
Oxiddefinition der hinteren Oberfläche wird durch eine neunte
Maskenschicht bereitgestellt. Ein Fotolack wird als Musterdefinition
für das
Oxid verwendet, das danach durch RIE oder ein Nassätzen in
einer HF-basierten Lösung
geätzt
wird. Der Fotolack wird vor dem Nassätzen der Siliziummasse entfernt.
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Die
Dicke der Federelemente, der Massen und der dünnen Sockel, einschließlich der
Dicke der Epitaxialschicht, wird üblicherweise im Bereich von 12–30 μm liegen.
Ein schematischer Querschnitt der Halbleiterscheibe 3 nach
diesem Prozessschritt 10 ist in 11 gezeigt.
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Der
Prozessschritt 11 beginnt mit der Entfernung des Oxids in den Bereichen
des anodischen Bondens und auf den freien Massen- und Federanordnungen.
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Ein
späteres
dreilagiges anodisches Bonden im Prozessschritt 13 besteht aus dem
Bonden von Glas auf das blanke Silizium oder das dünne Oxid
auf beiden Seiten der Silizium-Halbleiterscheibe 3.
Die Siliziumoxid-Passivierungsschicht wird daher von den Glas-Befestigungsbereichen
entfernt. Das Muster dieses Bereichs wird durch eine zehnte Fotolack- Maskenschicht definiert.
Das Oxid wird in einer HF-basierten Lösung geätzt.
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Der
Prozessschritt 11 fährt
mit dem Lösen der
Massen und der Federelemente des Winkelgeschwindigkeitsmessers/Sensors
und dem Freilegen der Drahtbond-Verbindungsbereiche durch Perforieren
der Membrane fort. Die Massen und Federn werden durch Perforieren
der Membrane mit RIE gelöst. Der Ätzbereich
wird durch eine elfte Fotolack-Maske definiert. Nach dem Ätzen wird
der Fotolack abgelöst.
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Es
sollte vermerkt werden, dass die Massen und die Federn alle die
gleiche Dicke aufweisen, die durch die Summe der Massen-Diffusion und die
Epitaxialschicht 8 definiert ist. Ein schematischer Querschnitt
der Halbleiterscheibe 3 nach diesem Prozessschritt 11 ist
in 12 gezeigt.
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Der
Prozessschritt 12 dient dazu, ein Muster auf der oberen Glasplatte 18 für das Metall
für die Drahtbond-Verbindungsbereiche,
Verbindungen, die Elektroden 21 der Erfassungskondensatoren
und die Erregungselemente abzuscheiden.
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Zuerst
wird eine dünne
Klebeschicht eines geeigneten Materials abgeschieden. Danach wird hochreines
Aluminium unter Vakuum auf der oberen Glasplatte 18 abgeschieden.
Ein Fotolack wird verwendet, um das Aluminium unter Verwendung einer zwölften Maskenschicht
mit einem Muster zu versehen. Das Aluminium wird geätzt. Ein
schematischer Querschnitt der oberen Glasplatte 18 nach
diesem Prozessschritt 12 ist in 13 gezeigt.
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Der
Prozessschritt 13 dient dazu, den Sensorspalt, die Presskontakte
bereitzustellen und die mechanische Vertiefungsanordnung hermetisch
zu versiegeln.
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Das
dreilagige anodische Bonden wird verwendet, um die Silizium-Halbleiterscheibe
zwischen der oberen Glasplatte 18 und einer unteren Glasplatte 19 zu
versiegeln, um eine mechanisch steife Struktur und eine Unterdruck-
(Vakuum-) Atmosphäre
für den
Winkelgeschwindigkeitsmesser zu erhalten. Die Sägeschritte, die nötig sind,
um die Drahtbond-Verbindungsbereiche
freizusetzen, werden nach dem anodischen Bonden durchgeführt. Die
Silizium-Halbleiterscheibe 3 wird zwischen den zwei Glasplatten 18, 19 platziert
und die mit einem Muster versehene obere Glasplatte 18 wird
ausgerichtet und unter Verwendung einer Bond-Ausrichtungsvorrichtung
auf die Silizium-Halbleiterscheibe gebondet. Die zwei Glas-Silizium-Verbindungen
werden gleichzeitig anodisch gebondet. Ein schematischer Querschnitt
der Einheit nach diesem Prozessschritt 13 ist in 14 gezeigt.
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Der
Prozessschritt 14 dient dazu, die Drahtbond-Verbindungsbereiche zu lösen und
freizulegen. Die Drahtbond-Verbindungsbereiche
werden durch Sägen
entlang von geritzten Linien des unteren Glases gelöst und freigelegt.
Schlieslich dient der Prozessschritt 15 dazu, die Sensor-Plättchen zu
lösen. Die
Sensor-Plättchen
werden durch Sägen
entlang den geritzten Linien des unteren Glases gelöst. Ein schematischer
Querschnitt der Einheit nach diesem Prozessschritt 15 ist in 15 gezeigt.
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In
einem alternativen Beispiel werden die Ausnehmungen, die im ersten
Schritt des oben beschriebenen Prozesses im Siliziumssubstrat 3 ausgebildet
wurden, in der Glasplatte 18 ausgebildet. Es können auch
verschiedenartige Dicken für
die Masse und die Federelemente gewählt werden.
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Die
durch ein Kreiselmoment verursachte Drehung kann alternativ durch
eine piezoelektrische Einrichtung erfasst werden. Obwohl dann die
Kondensatorelektroden nicht benötigt
werden würden, bleiben
viele der oben genannten Schritte die gleichen. Insbesondere werden
das anodische Bonden und die Vorbereitungsschritte vor dem Bonden
angewendet.
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Im
Allgemeinen erfordert das obige Herstellungsverfahren weitaus weniger
Schritte als die Prozesse des Standes der Technik, was die Herstellung einfacher
und billiger macht. Außerdem
werden von der Innenseite der Vertiefung zur Außenseite durch die verdeckten
Leiterbahnen Verbindungen mit geringer Kapazität bereitgestellt. Dies verhindert,
dass ein teureres Silizium-auf-Isolator-Substrat benötigt wird und
minimiert die parasitäre
Kapazität.