WO1993013578A1 - Semiconductor laser device - Google Patents

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WO1993013578A1
WO1993013578A1 PCT/JP1989/000303 JP8900303W WO9313578A1 WO 1993013578 A1 WO1993013578 A1 WO 1993013578A1 JP 8900303 W JP8900303 W JP 8900303W WO 9313578 A1 WO9313578 A1 WO 9313578A1
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semiconductor laser
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groove
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Seiichi Miyazawa
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Seiichi Miyazawa
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    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
    • H01S5/3432—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs the whole junction comprising only (AI)GaAs

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor laser device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor laser with high efficiency and a simplified method of manufacturing the same.
  • FIG. 6 (a) is a schematic configuration diagram of a conventional semiconductor laser
  • FIG. 6 (b) is a graph showing a refractive index distribution thereof.
  • a buffer layer 2 of about 0.5 ⁇ in thickness of ⁇ —Ga As is formed on a substrate 1 of n—Ga As, and further a thickness of 1.5 ⁇ m is formed.
  • the current injected from the electrode 7 spreads before reaching the electrode 8. For example, if the electrode 7 is about 5 ⁇ » the current spreads as shown by the arrow 9 and the current required for oscillation also becomes large (about 150 to 200 ⁇ ).
  • the refractive index n of the active layer is about 3.65 and the refractive index n of the cladding layer is about 3-4, Light can be confined in the vertical direction by the cladding layers 2 and 5, but light cannot be confined in the horizontal direction. This has the disadvantage that the spread of light is increased and the differential quantum effect is reduced.
  • FIG. 7 and FIG. 8 are schematic configuration diagrams of a conventional example proposed to solve the above-mentioned disadvantages of the semiconductor laser, respectively.
  • an n-buffer layer 12 on an n-type substrate 11, an n-buffer layer 12, an n-cladding layer 13, a non-doped active layer 14, and a P-cladding layer 15 are formed.
  • the distance 21 between the current block layer 16 and the active layer 14 is set to the distance at which light is absorbed by the current block layer 16.
  • the light emitting portion is limited only to the opening of the current block layer 16.
  • laser oscillation can be generated at a low threshold value (typically 30 to 40 mA).
  • the distance 21 is 0.4 / xm
  • the thickness of the current block layer 16 and the carrier concentration are 0.6 ra and 6 ⁇ 10 cm, respectively. 3.
  • the carrier concentration of the p-layers 15 and 17 is 1 ⁇ 10 cm 3 .
  • the opening of the current block layer 16 is 3 pm wide.
  • a GaAs current block layer 41, a contact layer 37, and electrodes 40 and 38 are formed. Even in this conventional example, the current is
  • New paper The light is confined at the opening of the flow block layer 41 (arrow 39), and there is also a difference in the refractive index in the horizontal direction due to the step, so that light is confined in the step and achieves high efficiency. be able to.
  • a defect may be generated by the etching, or a defect may be generated due to adhesion of dust or the like when taken out of the deposition chamber.
  • the conventional semiconductor laser has the drawback that, when trying to achieve current confinement and light confinement, the manufacturing becomes complicated and difficult, the manufacturing yield decreases, and the reliability becomes insufficient. Was.
  • An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional drawbacks.
  • An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor laser which is excellent in current confinement and light confinement and can easily manufacture a highly reliable semiconductor laser. Offer
  • a semiconductor laser device is characterized in that a semiconductor layer, which is a substrate on which various semiconductor layers are stacked, has a trapezoidal groove or projection extending in the resonator direction, At least one of the semiconductor layers located upstream of the active layer in the current path flowing when a forward bias voltage is applied contains an amphoteric impurity.
  • Si is an n-type impurity in GaAs. This is because if Si enters the position of Ga in the (001) plane, that is, the state in which As appears stably on the surface, it becomes n-type.
  • the groove is formed on the (01) plane of the GaAs substrate and a groove or projection is formed along the axis, the Ga is stably formed on the slope. There is. This is the G a plane where S ⁇ easily enters the position of A s, and in this case it becomes P-type.
  • the angle formed by the (01) plane and the slope is about 20 to 25 degrees or more. When the angle between the (001) plane and the slope is less than about 20 degrees, As A becomes a stable plane.
  • ⁇ Cho 10> appears when a groove, protrusion, or ridge is created on the axis
  • the plane is usually called the A plane, whereas the plane where A s formed along the ⁇ 110> axis is stable is called the B plane.
  • a groove or a protrusion having an angle of 20 to 25 degrees or more with the (001) plane is provided on the GaAs substrate, and the Si
  • FIGS. 1 to 5 are cross-sectional views showing the configuration of each embodiment of the semiconductor laser device
  • FIGS. 6 to 8 are cross-sectional views showing the configuration of a conventional example.
  • a groove extending along the ⁇ 110> axis is formed on the (001) plane by jet etching.
  • ... S i dove G a a s a is Ba Tsu off ⁇ layer 5 2, thickness 1 2 tm of B e doped Alpha Alpha 0 of im 5 G a o .5 A s Lower cladding layer 53, 60 A thick non-doped layer ⁇ ⁇ ⁇ .! G a 0.9 As 5 As non-doped layer, thick non-doped layer a £ 0. 3 G a 0.
  • the upper cladding layer 55 which is AA 0 5 G a 0 5 As
  • the contact layer 56 which is Sn-doped G a As, having a thickness of 0.5 itm, are sequentially stacked.
  • a p-type electrode 58 made of r / Au and an n-type electrode 57 made of AuGeNiZAu are formed at both ends.
  • the groove formed in the substrate 51 has a flat portion which is a bottom surface (001), the depth and the width of the bottom portion are both 1.0 / tlD, and the slope and the bottom surface of the groove are formed. The angle 0 between them is about 5 5. It is. On this groove
  • the current when a forward bias voltage is applied to the n-type electrode 57 and the p-type electrode 58 is as indicated by the arrow 59. Since the carrier flows through the slope 60, the carrier is concentrated on the active layer 54 corresponding to the position of the groove.
  • the bottom surface of the groove is flat in this embodiment.
  • the groove is V-shaped and the bottom is pointed, there is a high possibility that crystals growing on the bottom will be seen.
  • the crystallinity of the portion corresponding to the bottom surface was excellent, and efficient light emission was performed.
  • the active layer is curved, a semiconductor laser having an excellent light confinement effect was obtained.
  • This crystal was grown by vacuum evaporation, especially MBE.
  • two cladding layers are provided, and not only the buffer layer but also the cladding layer is used to provide a larger current confinement effect than the embodiment shown in FIG. It is intended.
  • a groove similar to that of the embodiment shown in FIG. 1 is formed on the (0 0 1) plane along the ⁇ 1 1 0> axis with a thickness of 0.5 on the P-GaAs substrate 61. . is 5 G a 0. 5 a s - ⁇ ⁇ of S i de one Bed G a a s a is Nono * Tsu off ⁇ layer 6 2, thickness 1 0 xi ra of S i de one-flop a £ o First lower cladding layer 63, Be dove A £ 0.5 wm thick. .
  • S G a 0. 5 A s a is the second lower class head layer 6 4, active layer 6 5 have the same multiple quantum well in the embodiment shown in FIG. 1, the thickness of 1. 5 / xm
  • New paper An upper cladding layer 66 of AA o.5 G ao.5 As, and a contact layer 76 of Sn doping G a As of 0.5 fjim thickness are sequentially laminated. This then forms a 1 1 0 € / / 1 ⁇ 1 / / 11 of 11-inch electrodes 6 8, C r / a u of P-type electrode 6 9 at both ends.
  • the slope portion 70 deposited on the slope of the groove in the buffer layer 62 and the first lower clad No. 63 becomes P-type as in the case of the first embodiment. Therefore, when a forward bias voltage is applied to the n-type electrode 68 and the p-type electrode 69, a current flows as indicated by an arrow 71.
  • the width of the groove formed in the substrate 61 is preferably equal to or less than 10 .O ffl, more preferably equal to or less than 5.O it m, and is 3.0 O ⁇ m in this embodiment.
  • the depth of the groove is 2.
  • an end face is prevented from being broken by providing an optical guide layer and diffusing light.
  • a buffer 82 which is a Si-dove GAs having a thickness of 0.5 im, is formed on a P-GaAs substrate 81 on which grooves similar to those of the embodiment shown in FIG. 1 are formed.
  • thickness 1. 5 um of B e doped AA o. 4 G a 0 6 a s a lower class head layer 8 3, the thickness of 0. l it m Roh emissions dope G a a s a is active ⁇ 8 4, 0.3 tm Sn doped ⁇ . ⁇ . 3 'G a 0.7
  • a light guide sliver 8 5 1.2 jitm Sn doped ⁇ 0 . 4 G a 0.
  • n-type electrode 88 made of AuGe / NiAu and a P-type electrode 89 made of Cr / Au are provided.
  • the width of the bottom of the groove was 1.0 O jttm and the depth was 1.5 m.
  • the angle 0 between the (001) plane and the slope is approximately 55 in wet etching.
  • another drawing method Ail, CS, etc.
  • an arbitrary angle can be selected.
  • New paper The current confinement in the thick embodiment is similar to that of the first embodiment.
  • the light emitted flows as in 90, and the generated light is concentrated in the central curved portion of the activated slaughter 84.
  • the optical guide layer 85 is provided, end face destruction is prevented.
  • the embodiment shown in FIG. 4 uses an n-type substrate to provide a current confinement region on the active layer side of the active layer.
  • the (01) plane is the upper surface. 10> The height present in the axial direction 2. The width of the OitiBt upper surface 6.
  • the trapezoidal protrusion of Oitia is formed by the wet etching method On the n-GaAs substrate 101, a buffer layer with a thickness of 0-5 S and an Sn dove G a As
  • a p-type electrode 107 made of Cr / Au and an n-type electrode 108 made of AuGe / NiZAu are provided at both ends. .
  • a current confinement layer is provided above and below the active layer to further enhance the current confinement effect, and light is provided on the guide layer to prevent end face breakdown. It is intended.
  • a trapezoidal projection with a cross section of trapezoidal shape with a thickness of 4.0 ⁇ m and an upper surface of 4.0 wm is formed on an n-GaAs substrate 121 formed by a dot etching method to a thickness of 0.5 ⁇ m.
  • a buffer layer 122 which is a Sn doped GaAs of ⁇ , a 311 dove with a thickness of 0.8111. . 5 G a 0.5 first lower portion Kura head layer 1 2 3 a A s, a thickness of 0.5 to S i de one-flop A o.
  • 5 A s a is second Lower cladding layer 124, light guide layer 125 with 0.3 wm thick Sn wire A £ 0.3 G a o.5
  • Fig. 1 active layer 1 2 6 is a multi-quantum well having the same configuration as the embodiment shown in FIG, thickness 1.
  • O m of B e de one Bed a 0. 5 G a 0. 5 a s der Ru upper class head layer 1 2 7, Ru S i dove a £ 0. 5 G a 0. 5 a s a is a current confinement layer 1 2 8, S i dove G a a s der thickness 0. 5 / ⁇ ⁇
  • Contact layers 1 2 9 are laminated in this order, and a P-type electrode 13 0 made of CrZAu and an n-type electrode 13 1 made of Au I have.
  • the slopes 13 3 and 13 4 corresponding to the slopes of the protrusions of the cladding layer 124, the current constriction layer 128 and the contact layer 1 229 where Si is doped are P-type. Therefore, when a forward bias voltage is applied to the P-type electrode 130 and the n-type electrode 131, the current flows as shown by 132.
  • the substrate of this example was formed by a vacuum evaporation method.
  • the growth temperature of this city-out is Ri 4 5 0 ° C Der, growth rate at J AS4 Bruno J Ga ⁇ 2, G a A s was 1 um Bruno h.
  • the height of the protrusion formed on the substrate is described as 1.0 m.
  • the temperature at which the substrate is grown is reduced. When the temperature is low, about 1. Om is sufficient, but when the growth temperature is high, 2-0 to 3. ⁇ or more is required.
  • the grooves or protrusions formed on the substrate are the grooves or protrusions formed on the substrate.
  • the present invention has the following advantages by being configured as described above.

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Description

明 細 書
半導体レーザ装置
本発明は半導体レーザ装置およびその製造方法に関し、 特に効 率の良い半導体レーザと、 その簡略化された製造方法に関する。
[従来の技術]
第 6図 （ a ) は、 従来の半導体レーザの概略的構成図、 第 6図 ( b ) は、 その屈折率の分布を示すグラフである。
同図において、 n — G a A s の基板 1 上に、 厚さ 0. 5 μ πι程 度の η — G a A s のバッ フ ァ層 2 を形成し、 さ らに厚さ 1 . 5 μ ιη の n — A ^ x G a y A s ( x = 0 . 3 ， y = 0 . 7 ) のクラ ッ ド層 3を形成する。
次に、 厚さ 0 . Ι μ ιπ のノ ン ドーブ G a A s の活性層 4、 厚さ 1 . 5 /x m の p - A £ x G a y A s ( x = 0. 3 , y = 0. 7 ) のクラ ッ ド層 5、 さ らに厚さ 0 · 5 μ ιη の p— G a A s のコ ンタ ク 卜層 6、 最後に A u — G eの電極 7および A u— S nの電極 8 を形成する。
このよ う な構成を有する半導体レーザに電圧を印加すると、 電 極 7 よ り注入された電流が電極 8に到達するまでに広がってしま う。 たとえば、 電極 7が 5 μ π»程度とすると 、 電流は矢印 9のよ う に広が り 、 発振に必要と される電流も大き く なる （ 1 5 0〜 2 0 0 πιΑ 程度） 。
さ らに、 この従来例では、 同図 （ b ) に示すよ うに、 活性層の 屈折率 nが 3 . 6 5程度、 クラ ッ ド層の屈折率 nが 3 - 4程度で あるために、 縦方向にはクラ ッ ド層 2および 5 によって光の閉じ 込めができるが、 横方向の光の閉じ込めができない。 このために 光の広がり が大き く な り 、 微分量子効果の低下等を招来するとい う欠点を有していた。
新た な用紙 第 7図および第 8図は、 各々半導体レーザの上記欠点を解消す るために提案された従来例の概略的構成図である。
第 7図において、 n型基板 1 1 上に nバッ フ ァ層 1 2、 nクラ ッ ド層 1 3、 ノ ン ドープ活性層 1 4、 Pクラ ッ ド層 1 5が形成さ れ、 さ らに部分的に開口された n — G a A s の電流ブロ ッ ク層 1 6、 pクラ ッ ド層 1 7、 P コ ンタク ト層 1 8および電極 1 9， 2 0が形成されている。
このような構成において、 電圧を印加すると、 電極 1 9から電 極 2 0へ電流が流れる。 その際、 .電流ブロ ッ ク層 1 6の部分は電 流が流れにく いために、 電流は矢印 2 2のように電流ブロ ッ ク層 1 6の開口部に集中する。
さらに、 活性層 1 4からの光のしみ出しを考慮して、 電流プロ ッ ク層 1 6 と活性層 1 4 との距離 2 1 を電流ブロ ッ ク層 1 6での 光の吸収を生ずる距離に設定すると、 電流プロ ッ ク層 1 6の開口 部のみに発光部が制限される。 これによつて低いしきい値 （代表 的には 3 0〜 4 0 m A ) でレーザ発振を生じさせる こ とができ る。
上記レーザ構造の具体的数値と しては、 距離 2 1 が 0. 4 /x m、 電流プロ ッ ク層 1 6の厚さおよびキヤ リ ァ濃度が各々 0. 6 ra および 6 X 1 0 cm— 3、 p クラ ッ ド層 1 5および 1 7のキャ リ ア濃 度が 1 X 1 0 cm 3である。 また電流ブロ ッ ク層 1 6の開口部は 3 p. m幅である。
第 8図に示す半導体レーザでは、 段差を設けた n基板 3 1 上 に、 nバッ ファ層 3 2、 クラ ッ ド層 3 3、 ノ ン ドーブ活性層 3 4、 pクラ ッ ド層 3 5および 3 6、 開口部を有する n—
G a A s の電流ブロ ッ ク層 4 1 、 コ ンタク ト層 3 7および電極 4 0 , 3 8が形成されている。 この従来例においても、 電流は電
新たな用紙 流ブロ ッ ク層 4 1 の開口部に集中し （矢印 3 9 ) 、 また段差によ つて横方向にも屈折率の差があるために、 光は段差部に閉じ込め られ、 高い効率を達成するこ と ができ る。
[発明が解決し ょ う とする課題]
しかしながら、 上記従来の半導体レーザでは、 電流ブロ ッ ク 層 （ 1 6 , 4 1 ) を製造するために、 まず、 n — G a A s層を全 面に形成した後で、 開口部を化学エッチング等によ り形成する必 要がある。
このために、 エッチ ングによって欠陥が発生し、 あるは堆積室 の外に取り 出す際のゴミ等の付着によって欠陥が発生する可能性 がある。
更に、 活性層 （ 1 4 ， 3 4 ) の近傍に電流ブロ ッ ク層 （ 1 6 , 4 1 ) を設けるために、 上記エッチングを精度良く 制御するこ と が必要となる。 特に、 第 8図に示すレーザでは、 傾斜を設けてい るために、 エ ッ チ ングの制御が困難となっている。 第 7 ， 8図に 示すレーザは、 層 1 6 ， 4 1 によ り電流のブロ ッ ク と屈折率変化 を与え、 発光部の制御を図っている。 と ころが、 電流ブロ ッ ク層 】 6 ， 4 1 を形成するためには 2回成長を行なう必要があり 、 ェ 程が複雑と な り 、 ゴミ等のために欠陥が発生しやすいという問題 を生ずる。
このよ う に、 従来の半導体レーザでは、 電流の狭窄および光の 閉じ込めを達成しょ う とすると、 製造が複雑かつ困難となり 、 製 造歩留りが低下し、 信頼性も不充分になる という欠点を有してい た。
本発明は、 上記従来の欠点を解決しょ う とするものであり 、 そ の目的は、 電流狭窄および光の閉じ込めに優れ、 かつ信頼性の高 い半導体レーザを容易に製造できる半導体レーザの製造方法を提
新た な用紙 供することにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するために、 本発明の半導体レーザ装置は、 各 種半導体層を積層する基板である半導体層が共振器方向に延在す る断面台形状の溝または突起を有し、 電極に順バイ アス電圧を印 加したときに流れる電流経路の活性層上流部に位置する半導体層 の少なく と も一層が両性不純物を含んでいる。
〔作用]
両性不純物である S i 不純物の ドープによる G a A sの p， n 制御についで以下に記述する。
通常 S i は G a A s では n型の不純物の不純物である。 これは ( 0 0 1 ) 面、 つま り A sが安定に表面にあらわれる状態におい て G aの位置に S i が入る と n型となるからである。 と ころが、 G a A s基板の （ 0 0 1 ) 面上にく丁 1 0 >軸に沿って溝または 突起を作ったときに形成される斜面には G aが安定に表面に出る 場合がある。 これが A s の位置に S ί が入りやすい G a面で、 こ の場合には P型となる。 この G aが安定な面になるための条件は ( 0 0 1 ) 面と斜面のなす角度が約 2 0〜 2 5度以上であるこ と が必要となる。 （ 0 0 1 ) 面と斜面のなす角度が約 2 0度以下の 場合にはぼぼ A s が安定な面となる。
上記のような S i ドープ G a A s が面方位によ り変化する報告 は、 "H.Nobu ara.O.Wada and Y. Fujii SLOPE ANGLE INFLUENCE ON SILICON DOPING IN AlGaAs /GaAs BE-GRO N ON STEPPED SURFACE OF (100) GaAs SUBSTRATE, Electronics Letters 21,35 (1987)" 等の文献に紹介されている。 （ 0 0 1 ) 面上に
<丁 1 0 >軸に溝または突または起を作成した場合にあらわれる
新たな用紙 面を通常 A面と呼ばれ、 これに対し < 1 1 0 〉軸に沿って形成さ れる A s が安定となる面は B面と呼ばれている。
したがって、 G a A s基板上に （ 0 0 1 ) 面とのなす角が 2 0 〜 2 5度以上の溝または突起を設け、 この上に S i ドーブ
G a A s を成長させた場合には （ 0 0 1 ) 面上に形成された部分 は n型とな り 、 斜面上に形成された部分は P型となる。
図面の簡単な説明
第 1 図ないし第 5図は半導体レーザ装置の各実施例の構成を示 す断面図、 第 6図ないし第 8図は従来例の構成を示す断面図であ る。
(実施例）
第 1 図に示す実施例は、 （ 0 0 1 ) 面上に < 1丁 0 〉軸に¾っ て延在する溝がゥェ ッ トエッチングによ って形成された P — G a A s基板 5 1 の上に、 厚さ 0 . 5 |im の S i ドーブ G a A s であるバ ッ フ ァ層 5 2 、 厚さ 1 . 2 t m の B e ドープ Α Α 0. 5 G a ο.5 A s である下部クラ ッ ド層 5 3 、 厚さ 6 0 Aのノ ン ドー プ Α ϋ ο. ! G a 0. 9 A s 5曆をゥエル層と し、 厚さ のノ ン ドープ A £ 0.3 G a 0. 7 A s 4層をバリ ア層と し、 それらが交 互に積層された多層量子井戸 （ M Q W ) である活性屠 5 4、 厚さ 1 . 5 /L m の S n ド一ブ A A 0 5 G a 0 5 A sである上部クラッ ド層 5 5 、 厚さ 0 . 5 it m の S n ドープ G a A sであるコンタク ト麿 5 6 を順に積層し、 A u G eノ N i Z A uでできた n型電極 5 7 と じ r / A uででき た p型電槿 5 8を両端に形成したもので ある。 基板 5 1 に形成された溝は底面 （ 0 0 1 ) 面である平坦な 部分を有していて、 深さおよび底面部の幅はともに 1 . 0 /t lD で あり 、 溝の斜面と底面とのなす角 0 は約 5 5 。である。 この溝上
新た な用紙 に S i ドーブ G a A s を成長させると前述した作用によ り斜面上 に形成される部分 6 0のみが p型となり （ 0 0 1 ) 面上に形成さ れるものは n型となる。
ノヽ'ッ フ ァ層 5 2 の斜面部分 6 0 のみが p型となる と n型電極 5 7、 P型電極 5 8 に順バイ アス電圧を印加したと きの電流は矢 印 5 9のように斜面部分 6 0を通って流れるため、 溝部の位置に 対応する部分の活性層 5 4にキ ヤ リ ァが集中する。
本実施例で溝部の底面を平坦と した理由は、 溝を V字状と し、 底部をとがったものとする と、 その上に成長する結晶がみだれる 可能性が大きいためである。 溝部の底面を平坦なものとするこ と によ り 、 底面に対応する部分の結晶性が優れたものとなり 、 効率 の良い発光が行なわれた。 さらに、 活性層がわん曲しているこ と から光閉じ込め効果に優れた半導体レーザができた。
今回の結晶は真空蒸着法、 特に M B E法を用いて成長させた。 基板温度は 4 0 0 °C〜 8 0 0 °C、 飛来する分子比 J AS4 ノ J ea〜 2、 成長速度は l ii m Z h ( G a A s ) であった。
第 2図に示す実施例は、 クラッ ド層を 2つ設け、 バッ フ ァ層の みでなく 、 クラ ッ ド層をも利用して第 1 図に示した実施例よ り も 大きな電流狭窄効果を図ったものである。
―
( 0 0 1 ) 面上に < 1 1 0 >軸に沿って第 1 図に示した実施例 と同様の溝が形成された P — G a A s基板 6 1 の上に厚さ 0. 5 ίΐ πι の S i ド一ブ G a A s であるノヽ *ッ フ ァ層 6 2 、 厚さ 1 . 0 xi raの S i ド一プ A £ o - 5 G a 0. 5 A s である第 1 の下部クラ ヅ ド層 6 3、 厚さ 0. 5 w m の B e ドーブ A £。. s G a 0.5 A sで ある第 2の下部クラ ッ ド層 6 4、 第 1 図に示した実施例と同様の 多層量子井戸である活性層 6 5 、 厚さ 1 . 5 /x m の S n ドーブ
新たな用紙 A A o. 5 G a o. 5 A s である上部ク ラ ッ ド層 6 6 、 厚さ 0 . 5 fji m の S n ド一プ G a A s である コンタク ト層 7 6 を順に積層 し、 この後、 11 0 € // 1^ 1 // 11の 11型電極 6 8、 C r / A u の P型電極 6 9 を両端に形成している。
バッ フ ァ層 6 2 、 第 1 の下部クラ ッ ド曆 6 3のう ちの溝の斜面 上に堆積される斜面部 7 0 は第 1 の実施例の場合と同様に P型と なる。 このため、 n型電極 6 8 と p型電極 6 9に順バイアス電圧 を印加した場合に電流は矢印 7 1 のよ う に流れる。
基板 6 1 に形成する溝の幅は 1 0 . O ffl 以下、 さらに言えば 5 . O it m 以下が好ま しく 、 本実施例においては 3 . O ^m であ る。 また、 溝の深さは 2 . である。
第 3図に示す実施例は、 光ガイ ド層を設けて光を拡散させるこ とによ り端面破壊の防止を図ったものである。
第 1 図に示した実施例と同様の溝が形成された P - G a A s基 板 8 1 上に、 厚さ 0 . 5 i m の S i ドーブ G A sであるバ ヅ フ ァ曆 8 2 、 厚さ 1 . 5 um の B e ドープ A A o. 4 G a 0 6 A sで ある下部クラ ッ ド層 8 3 、 厚さ 0 . l it m のノ ン ドープ G a A s である活性曆 8 4、 厚さ 0 . 3 ;t m の S n ドープ Α Α ο. 3' G a 0. 7 A s である光ガイ ド屠 8 5 、 厚さ 1 . 2 jitm の S n ドー プ Α ϋ 0.4 G a 0. β A s である上部ク ラ ッ ド曆 8 6、 厚さ 0 . 3 H の S n ドープ G a A s である コ ンタ ク ト層 8 7 を順に積層 し、 両端に A u G e / N i A uででき た n型電極 8 8 、 C r / A uでできた P型電極 8 9 を設けている。
术実施例では、 溝の底部の幅は 1 . O jttm であり深さは 1 . 5 m であった。 （ 0 0 1 ) 面と斜面のなす角 0 はウエッ トエッチ ングでは約 5 5 。と なるが、 他の ド ライュツチング法 （ A il ， C S. 等） を用いれば任意の角度が選られる。 新た な用紙 太実施例における電流狭窄は第 1 の実施例と同様にバッファ層
8 2の斜面部 9 1 によって行なわれており 、 n型電柽 88、 p型 電接 & 9 に躓バイアス電圧を印加したと きに流れる電流は矢印
9 0のよう に流れ、 発生する光は活性屠 8 4の中央のわん曲した 部分に集中する。 また、 このとき、 光ガイ ド層 8 5が設けられて いるために端面破壊が防止されている。
第 4図に示す実施例は、 n型基板を使用することにより、 電流 狭窄領域を活性屠上部のェビタキシャル層側に設けたものであ る。
( 0 0 1 ) 面である上面にく丁 1 0 >軸方向に廷在する高さ 2 . O itiB t 上面の幅 6 . O itia の断面台形状の突起がウエッ ト エッチング法によ り 形成された n - G a A s 基板 1 0 1 の上に は、 厚さ 0 - 5 ϋ の S n ドーブ G a A s であるバッファ層
1 0 2 , 厚さ 1 - 5 ;tffl の S n ドーブ A £ 0.3 G a 0.7 A sであ る下部ク ラ ウ ド曆 1 0 3 、 ノ ン ドーブ G a A sである活性層
1 0 4、 B e ド一プ Α ϋ 0- 3 G a 0. 7 A s である上部ク ラ ウ ド層 1 0 5 、 厚さ 0 . 5 m の S i ドーブ G a A sであるコンタク ト
1 0 6 とが顺に積層し、 両端に C r /A uでできた p型電柽 1 0 7、 A u G e / N i ZA uでできた n型電極 1 0 8を設けて いる。
コンタク ト曆 1 0 6の突起部の斜面に対応する斜面部 1 0 9の みが P型に形成されるため P型電植 1 0 7、 n型電極 1 0 8に 躓次バイアス電圧を印加したときの電流は矢印 1 1 0のように流 れる。
なお、 术実施例においてはェビタキシャル曆は真空蒸着法によ り成長させた。 基板瘟度は 7 0 0 、 飛来する分子比 J AS4 /
新たな用紙 J Ga〜 2 、 G a A s での成長速度は Ι μ ιη / hであった。
第 5図に示す実施例は、 電流狭窄層を活性層の上下に設けるこ とによって、 さ らに電流狭窄効果を增すこ とを図り、 かつ、 光が ガイ ド層を設けて端面破壊の防止を図ったものである。
( 0 0 1 ) 面である上面 <丁 1 0 〉軸方向に延在する高さ
1 . Ο μ ιπ 、 上面の幅 4. 0 w m の断面台形状の突起がゥ ヱ ッ 卜 エッチング法によ り形成された n— G a A s基板 1 2 1 上に、 厚 さ 0. 5 μ ιη の S n ドープ G a A s であるバッ フ ァ層 1 2 2 、 厚 さ 0 . 8 111 の 3 11 ドーブ八 £。.5 G a 0.5 A s である第 1 の下 部クラ ッ ド層 1 2 3、 厚さ 0 . 5の S i ド一プ A o. s G a 0.5 A s である第 2の下部クラ ッ ド層 1 2 4、 厚さ 0. 3 w m の S n ド一ブ A £ 0. 3 G a o.5 A s である光ガイ ド層 1 2 5、 第 1 図、 第 2図に示した実施例と同様の構成の多層量子井戸である活性層 1 2 6、 厚さ 1 . O m の B e ド一ブ A 0.5 G a 0.5 A s であ る上部クラ ッ ド層 1 2 7、 厚さ 0. 5 /χ πι の S i ドーブ A £ 0.5 G a 0. 5 A s である電流狭窄層 1 2 8、 S i ドーブ G a A s であ るコ ンタク 卜層 1 2 9 を順に積層し、 両端に C r ZA uでできた P型電極 1 3 0、 A u G eノ N i ノ A uでできた n型電極 1 3 1 を設けている。
S i を ドーブしたクラ ッ ド層 1 2 4、 電流狭窄層 1 2 8、 コ ン タク 卜層 1 2 9の突起部の斜面に対応する斜面部 1 3 3， 1 3 4 は P型となるために P型電極 1 3 0、 n型電極 1 3 1 に順バイ ァ ス電圧を印加したと きの電流は 1 3 2 のよ うに流れる。
本実施例の基板の形成は真空蒸着法によ り行なった。 このと き の成長温度は 4 5 0 °Cであ り 、 J AS4 ノ J Ga〜 2、 G a A s での 成長速度は 1 u mノ hであった。
新た な用紙 本実施例では基板に形成される突起の高さは 1 . 0 m と して 説明したが、 コ ンタク ト層 1 2 9の斜面に p型領域を形成する場 合、 基板を成長させる温度が低い場合には 1 . O m程度でも良 いが、 成長させる温度が高い場合には 2 - 0〜 3. Ο μ πι以上が 必要となる。
各実施例において、 基板上に形成する溝または突起は
( 0 0 1 ) 面上に <丁 1 0 >軸に沿つて延在するものと して説明 したが、 かならずしも完全に一致する必要はなく 、 <丁 1 0 >軸 から ± 1 5 。以内であればよい。 また、 半導体の種類では
A ^ G a A s Z G a A s系についてのみ記載している力 5、 条件に よっては I n P、 A G a I n P、 I n G a A s P等にも応用可 能である。
[発明の効果〕
本発明は、 以上説明したように構成することによ り、 以下に記 載するような効果を奏する。
基板に断面台形状の溝.または突起を有するものを用い、 両性不 純物を含む半導体層を用いたこ とによ り、 電流狭窄効果に優れ、 光閉じ込め効果に優れた半導体レーザ装置を作成することができ る効果がある。
新たな用紙

Claims

請求の範囲
1. n型電極 （ 5 7 , 6 8 , 8 8， 1 0 8 , 1 3 1 ) と P型電 極 （ 5 8， 6 9， 8 9， 1 0 7 , 1 3 0 ) との間の各種半導体層 を積層する基板と なる半導体層 （ 5 1 ， 6 1 ， 8 1 ， 1 0 1 ，
1 2 1 ) が共振器方向に延在する断面台形状の溝または突起を有 し、 順方向バイ アス電圧を印加したと きに流れる電流経路の活性 層 （ 5 4， 6 5 , 8 4， 1 0 4 , 1 2 6 ) 上流側に位置する半導 体層の少な く と も一層が両性不純物を含んだ半導体層 （ 5 2 ， 6 2， 6 3， 8 2 , 1 0 6 , 1 2 4 , 1 2 8 , 1 2 9 ) であるこ とを特徴とする半導体レーザ装置。
2. 前記基板が有する断面台形状の溝または突起が基板の
( 0 0 1 ) 面状に <丁 1 0 >軸方向に沿って形成されている請求 の範囲第 1項記載の半導体レーザ装置。
新た な用紙
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940005764B1 (ko) * 1991-02-06 1994-06-23 삼성전자 주식회사 레이저 다이오드 어레이 및 그 제조방법
DE69102263T2 (de) * 1991-03-11 1994-12-08 Ibm Halbleiteranordnung mit einer auf einem strukturierten Substrat aufgewachsenen Schichtstruktur.
DE69330845T2 (de) * 1992-03-26 2002-04-04 Canon Kk Methoden für das Wachstum von Verbindungshalbleiterschichten
DE69323127T2 (de) * 1992-08-10 1999-07-22 Canon Kk Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren
JPH0661583A (ja) * 1992-08-11 1994-03-04 Sony Corp 半導体レーザ
JPH06302908A (ja) * 1993-04-15 1994-10-28 Fujitsu Ltd 半導体レーザ
US5546418A (en) * 1993-07-28 1996-08-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser having a flat groove for selected crystal planes
US5400356A (en) * 1994-06-28 1995-03-21 Xerox Corporation Index-guided laser on grooved (001) substrate
US5814839A (en) * 1995-02-16 1998-09-29 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light-emitting device having a current adjusting layer and a uneven shape light emitting region, and method for producing same
US7073020B1 (en) * 1999-01-04 2006-07-04 Emc Corporation Method for message transfer in computer storage system
JP2000323789A (ja) * 1999-05-11 2000-11-24 Nec Corp 窓型半導体レーザおよびその製造方法
US8299479B2 (en) * 2010-03-09 2012-10-30 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Light-emitting devices with textured active layer
US9042417B2 (en) * 2012-11-13 2015-05-26 Sifotonics Technologies Co., Ltd. Photonic device structure and fabrication method thereof
JP6251934B2 (ja) * 2013-07-30 2017-12-27 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体レーザの製造方法
CN112349738A (zh) * 2020-10-27 2021-02-09 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体器件及其形成方法、图像传感器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62265787A (ja) * 1986-05-14 1987-11-18 Omron Tateisi Electronics Co 半導体レーザおよびその製造方法
JPS6324692A (ja) * 1986-07-17 1988-02-02 Fujitsu Ltd 多機能半導体装置の製造方法
JPS6356981A (ja) * 1986-08-28 1988-03-11 Sony Corp 化合物半導体レ−ザ−

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5723292A (en) * 1980-07-16 1982-02-06 Sony Corp Semiconductor laser device and manufacture thereof
JPS5724591A (en) * 1980-07-21 1982-02-09 Sharp Corp Manufacture of semiconductor laser device
JPS58207690A (ja) * 1982-05-28 1983-12-03 Nec Corp 埋め込み形半導体レ−ザ
JPS60186082A (ja) * 1985-01-30 1985-09-21 Hitachi Ltd 半導体レーザ
US4839307A (en) * 1986-05-14 1989-06-13 Omron Tateisi Electronics Co. Method of manufacturing a stripe-shaped heterojunction laser with unique current confinement
EP0261262B1 (en) * 1986-09-23 1992-06-17 International Business Machines Corporation Transverse junction stripe laser
US4932033A (en) * 1986-09-26 1990-06-05 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor laser having a lateral p-n junction utilizing inclined surface and method of manufacturing same
US4785457A (en) * 1987-05-11 1988-11-15 Rockwell International Corporation Heterostructure semiconductor laser

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62265787A (ja) * 1986-05-14 1987-11-18 Omron Tateisi Electronics Co 半導体レーザおよびその製造方法
JPS6324692A (ja) * 1986-07-17 1988-02-02 Fujitsu Ltd 多機能半導体装置の製造方法
JPS6356981A (ja) * 1986-08-28 1988-03-11 Sony Corp 化合物半導体レ−ザ−

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