WO1991001047A1 - Filtre de microbandes d'hyperfrequences du type a compensation thermique - Google Patents

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Hisao Banno
Masahiro Nishiki
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Ngk Spark Plug Co., Ltd.
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters
    • H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
    • H01P1/20336—Comb or interdigital filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/30—Auxiliary devices for compensation of, or protection against, temperature or moisture effects ; for improving power handling capability

Definitions

  • the present invention relates to a temperature-striped microwave stripping filter which can be used as a bandpass filter in the microphone mouth wave range, for example.
  • a microwave strip filter having one or a plurality of resonant conductors arranged in a predetermined pattern forming a resonator between a pair of dielectric ceramic substrates. That is, this type of microwave strip filter is, for example, one or a plurality of resonant conductors each having a length corresponding to a required resonant frequency on each of the inner surfaces of a pair of dielectric ceramic substrates facing each other. , A ground conductor is formed on the outer surface of each dielectric ceramic substrate, and a pair of dielectric ceramic substrates is formed on the inner surface of each dielectric ceramic substrate. Are laminated and fixed so that they polymerize with each other. Such a microwave strip strip filter is disclosed in, for example, U.S.
  • each dielectric ceramic substrate is made of BaO-Ti0 2 series, BaO-Ti0 2 rare earth series, or other ceramic material.
  • the present invention solves the above-mentioned drawbacks of the prior art and provides a microwave strip filter that compensates for temperature fluctuations that may occur during operation and reduces fluctuations in the resonance frequency. Has an aim.
  • a pair of dielectric substrates each having an earth electrode on the outer surface and, if necessary, an outer surface, are laminated and adhered to each other, and a stack of the pair of dielectric substrates.
  • a microwave strip line filter located between the surfaces and having a resonance electrode having a predetermined pattern, one of the pair of dielectric substrates is provided with a ceramic having a negative resonance frequency temperature coefficient.
  • a microwave stripline filter is provided, which is made of a ceramic material and the other dielectric material is made of a ceramic material having a positive temperature coefficient of resonance frequency. .
  • a pair of dielectric substrates can consist of a combination of materials with the same compositional formula and positive and negative temperature coefficients. Instead, a pair of dielectric substrates have different composition formulas. It can also consist of a combination of materials with positive and negative temperature coefficients.
  • the pair of dielectric substrates have the respective resonance frequency-temperature characteristics which are opposite to each other. c variations in resonant frequency caused by the change will be mutually compensated doctor each other, thus Fi le evening which can be stably operated without being affected by changes in temperature
  • FIG. 1 is a perspective view showing an assembled microstrip strip filter according to an embodiment of the present invention.
  • C FIG. 2 shows the microstrip strip filter of FIG.
  • FIG. 3 is a perspective view showing a state in which a pair of dielectric substrates that are configured is separated.
  • FIG. 3 is a temperature characteristic graph showing how the temperature coefficient of the resonance frequency in the microwave strip filter of the present invention changes with the temperature change.
  • the illustrated file consists of first and second dielectric substrates 1 and 2, and these dielectric substrates 1 and 2 are stacked and assembled together. Be done. Three resonant electrodes 3a, 3b, 3c; 4a, 4b, 4c having a length corresponding to a predetermined resonant frequency are formed on the inner surfaces of the dielectric substrates 1 and 2 facing each other in the same pattern. ing. External ground conductor layers 5 and 6 are formed on the outer and outer surfaces of the first and second dielectric substrates 1 and 2, respectively. In this case, the resonant electrodes 3a, 3b, 3c; 4a, 4b, 4c and the external ground conductor layers 5, 6 can be formed by a suitable method such as plating or vapor deposition.
  • each of the resonance electrodes 3a, 3b, 3c; 4a, 4b, 4e is connected to the external ground conductor layers 5, 6, and the other end of each resonance electrode is connected to the external ground conductor layer 5, 6 resonant electrodes 3a, 3b, 3c; 4a. 4b, 4c spaced from the edge of 6 and thus on the inner surface of each dielectric substrate 1, 2 are configured as an interdigital or comb type Has been done.
  • the resonance electrodes 3a and 3c respectively extend in the lateral direction and constitute the input-output terminal and the output terminal.
  • "These extension parts 3a ', 8c * are located in the cutout parts 5a, 5b provided in the outer ground conductor layer 5, and correspond to the second dielectric substrate 2 combined with the S part.
  • the input and output terminals 3a 'and 3c' are grounded. It is kept out of contact with the conductor layers 5 and 6 and can be easily connected to lead wires not shown. Is being done.
  • the first dielectric substrate 1 is made of a ceramic material with a negative temperature coefficient f of the resonance frequency as shown by the symbol in Fig. 3, and the second dielectric substrate 2 is the third dielectric substrate. As indicated by the symbol in the figure, the temperature coefficient of the resonance frequency is made of ceramic material with positive characteristics.
  • the composition formula (1) As the material of the first dielectric substrate 1, the composition formula
  • the relative dielectric constant is 78.6, and the temperature coefficient of the resonance frequency is ⁇ 9 ⁇ 0 C, the dielectric ceramic composition is used, and the material of the second dielectric substrate 2 is
  • the dielectric ceramic composition with a relative permittivity of 78.6 and a resonance frequency temperature coefficient f of +9 ppm Z ° C is used, and these materials are used in Figs. 1 and 2.
  • the structure shown in Fig. 2 was formed and laminated on each other to form a striped file. The characteristics of the stripline filter manufactured in this way were measured, and the relative permittivity of 78 or more and the near 0 as shown by the chain line in Fig. 3 were obtained. Ichira
  • the corrected temperature coefficient t is in the range of ⁇ 5 PPHI Z centered around 0, it is more effective than the conventional one.
  • first, may be combined by selecting a material having a predetermined temperature coefficient r f as f is obtained Te temperature coefficient of this range as the material of the second dielectric substrate ⁇ Therefore, the 1, the absolute value of f , which is the temperature coefficient of the second dielectric substrate, need not be equal.
  • the first dielectric substrate is made of a ceramic material having a negative temperature coefficient of resonance frequency *
  • the second dielectric substrate has a temperature coefficient of resonance frequency ⁇ , positive JP; but constituted by sera Mi click material having sex, using naturally Te temperature coefficient of resonant frequency in the first dielectric substrate, but the sera Mi click material having a positive property, the second It is also possible to use a ceramic material for the dielectric substrate of which the temperature coefficient of the resonance frequency is f .
  • the first and second dielectric substrates have the same composition formula and are made of a combination of materials having positive and negative temperature coefficients r f.
  • the resonance electrodes having a predetermined pattern are formed on the inner surfaces of the pair of dielectric substrates which face each other, and the pair of dielectric substrates are laminated on each other to form a solid electrode.
  • the present invention sandwiches the resonance electrodes having a predetermined pattern on the lamination surface of a pair of dielectric substrates which are laminated and fixed to each other. It should be understood that it can also be applied to microwave strip line filters with different structures.
  • the first and second dielectric substrates to be superposed on each other are formed by combining materials having different positive and negative characteristics of the temperature coefficient of the resonance frequency.
  • the mutual temperature dependences of the first and second dielectric substrates cancel each other out, and the temperature coefficient of the resonance frequency in the filter device can be as close to zero as possible.

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Description

明 細 書
温度捕償型マイクロ波ス ト リ ップライ ンフィ ル夕
技 術 分 野
本発明は例えばマイク口波範囲のバン ドパスフィ ル 夕と して利用され得る温度補償を施したマイクロ波ス ト リ ップライ ンフィ ノレ夕に関するものである。
背 景 技 術
従来、 一対の誘電体セラ ミ ック基板間に共振器を成 す所定のパターンに配置された一乃至複数個の共振導 体を設けたマイクロ波ス ト リ ップライ ンフィ ルタは公 知である。 すなわちこの種のマイクロ波ス ト リ ップラ イ ンフ ィ ルタは例えば一対の誘電体セラ ミ ッ ク基板の 対向する内面のそれぞれに所要の共振周波数に応じた 長さをもつ一乃至複数個の共振導体を形成し、 各誘電 体セラ ミ ツク基板の外表面にアース導体を形成し、 そ の一対の誘電体セラ ミ ッ ク基扳を、 各誘電体セラ ミ ッ ク基板の内面に形成した共振導体が相互に重合するよ う に積層し、 固着して構成されている。 このよ うなマ イクロ波ス ト リ ップライ ンフィ ルタは、 例えば米国特 許第 4 , 157 , 517 号明細書及び米国特許第 4 , 266， 206 号 明細書に開示されている。 また同様なス ト リ ップライ ンフ ィ ル夕の例しては米国特許第 4 , 785 . 271 号明細書 及び日本国公開特許公報昭 62— 263702に開示されたも のを挙げることができる。
このよ う なマイ クロ波ス ト リ ッ プライ ンフ ィ ノレ夕に おいては、 通常各誘電体セラ ミ ック基板は BaO- Ti02 系、 BaO- Ti02 一希土類系等のセラ ミ ック材料から成 つている。
しかしながら、 このような通常用いられているセラ ミ ック材料は、 共振周波数の温度係数が負の特性を有 するため、 温度の上昇につれて共振周波数が低下する という欠点があった。
そこで、 本発明は、 上記の従来技術の欠点を解消し て、 動作時に生じ得る温度の変動を補償し、 共振周波 数の変動を小さくできるマイクロ波ス ト リ ップライ ン フィ ルタを提供することを目的としている。
; 発 明 の 開 示
す わち、 本発明によれば、 それぞれ外表面及び必 要により外側面にアース電極を備え、 互いに積層され、 曙着される一対の誘電体基板と、 上記一対の誘電体基 板の積唐面間に位置し、 所定のパター ンをもつ共振電 極とを有するマイクロ波ス ト リ ップライ ンフィ ル夕に おいて、 一対の誘電体基板の一方を共振周波数の温度 係数が負のセラ ミ ック材料で構成し、 また他方の誘電 体棊扳を共振周波数の温度係数が正のセラ ミ ック材料 で構成したことを特徴とするマイクロ波ス ト リ ップラ ィ ンフ ィ ル夕が提供される。
—対の誘電体基板は、 同じ組成式をもち、 温度係数 が正負である材料の組合わせから成ることができる。 代わりに、 一対の誘電体基板は、 異なる組成式をも ち、 温度係数が正負である材料の組合わせから成るこ ともできる。
このように構成した本発明のマイクロ波ス ト リ ップ ライ ンフィ ルタにおいては、 一対の誘電体基板はそれ ぞれ逆の共振周波数 -温度特性を有し、 その結巣動作 時に生じ得る温度の変化に伴う共振周波数の変動は互 いに補償し合う ことになり、 従ってフィ ル夕は温度の 変化の影響を受けずに安定して作動することができる c
図面の簡単な説明
添付図面において、
第 1図は本発明の一実施例による組立てられたマイ クロ波ス ト リ ップライ ンフ ィ ル夕を示す斜視図である c 第 2図は第 1図のマイ クロ波ス ト リ ップライ ンフィ ルタを構成している一対の誘電体基板を分離した状態 で示す斜視図である。
第 3図は本発明のマイクロ波ス ト リ ップライ ンフ ィ ル夕における共振周波数の温度係数が温度の変化と共 にどのように変化するかを示す温度特性グラフである <
発明を実施するための最良の形態 以下添付図面を参照して本発明をさらに詳しく説明 する。
第 1図及び第 2図には本発明の一実施例によるマイ ク ロ波ス ト リ ッ プライ ンフ ィ ルタを示す。 図示フ ィ ル 夕は第 1及び第 2の誘電体基板 1、 2から成り、 これ らの誘電体基板 1、 2は互いに積層されて組み立てら れる。 各誘電体基板 1、 2の互いに対向する内表面に は所定の共振周波数に応じた長さをもつ三つの共振電 極 3a、 3b、 3c； 4a、 4b、 4cが同一のパターンで形成さ れている。 また、 第 1、 第 2の誘電体基板 1、 2の外 表面及び外側面にはそれぞれ外部アース導体層 5、 6 が形成されている。 この場合共振電極 3a、 3b、 3c； 4a、 4b、 4c及び外部アース導体層 5、 6の形成はメ ツキ、 蒸着等の適当な方法によつて行われ得る。
第 2図に示すように、 共振電極 3a、 3b、 3c； 4a, 4b、 4eの各々の一端は外部アース導体層 5、 6に接続され、 各共振電極の他端は外部アース導体層 5、 6の縁部か ら離間され、 従って各誘電体基板 1、 2の内表面にお ける三つの共振電極 3a、 3b、 3c； 4a. 4b、 4cはイ ンタ 一ディ ジタル型またはコム型に構成されている。
さらに、 第 1の誘電体基板 1の内表面に形成された 三つの共振電極のうちの共振電極 3a、 3cはそれぞれ入 -力端子及び出力端子を構成する横方向にのびた伸長部 3a ' 、 Se " を備え、 これらの伸長部 3a ' 、 8c * は外部 アース導体層 5に設けた切り欠き部 5a、 5bに位置し、 方、 Sいに組合される第 2の誘電体基板 2の対応す る部分は外部アース導体層 6と共に切り取られて凹部 6a、 Bbが形成され、 第 1、 第 2の誘電体基板 1、 2が 組合せられた時、 入力端子及び出力端子 3a ' 、 3c ' は アース導体層 5、 6と非接触状態に保たれるようにさ れ、 そして.図示してないリー ド線に容易に接続できる ようにされている。
第 1の誘電体基板 1は第 3図に記号ィで示すように 共振周波数の温度係数て f が負の特性をもつセラ ミ ツ ク材料から成り、 また第 2の誘電体基板 2は第 3図に 記号口で示すように共振周波数の温度係数て ， が正の 特性をもつセラ ミ ッ ク材料から成っている。
いま、 例えば第 1の誘電体基板 1の材料として 組成式
X BaO · y Ti 02 · z Nd2 03 + w Y 2 03
[ x - 18.1モル％、 y =10.8モル％、 z =71.1モル％、 w = 9.8 重量％]
で示され、 比誘電率が 78.6、 共振周波数の温度係数 て ， が- 9 ρριη 0 Cである誘電体セラ ミ ッ ク組成物を 用い、 また第 2の誘電体基板 2の材料として
組成式
BaO · y TiO 2 · z Nd2 03 + Y 2 03
[x = 18.0モル％、 y =11.6モル％、 ζ =70·4モル％、 w = 8.7 重量％]
で示され、 比誘電率が 78.6、 共振周波数の温度係数て f が + 9 ppm Z°Cである誘電体セラ ミ ツク組成物を用 い、 これらの材料を用いて第 1図及び第 2図に示す構 造に形成し、 相互に重ね合わせてス ト リ ップライ ンフ ィ ル夕を構成した。 こう して製作したス ト リ ップライ ンフィ ルタの特性を測定したところ、 総合的に 78以上 の比誘電率と第 3図に一点鎖線で示すよう な 0付近の 一ら—
温度係数て f をもつことが認められた。
ところで、 この種のフィ ル夕の実際の使用において は、 補正された温度係数て t が 0を中心と して ± 5 PPHI Zでの範囲にあれば、 従来のものに比べて有効で あるので、 第 1、 第 2の誘電体基板の材料としてはこ の範囲の温度係数て f が得られるように所定の温度係 数 r f をもつ材料を選択して組合わせることができる < 従って、 第 1、 第 2の誘電体基板の温度係数て f の絶 対値は等しくする必要はない。
図示実施例では第 1の誘電体基板を、 共振周波数の 温度係数て * が負の特性をもつセラ ミ ック材料で構成 し、 第 2の誘電体基板を、 共振周波数の温度係数 τ , が正の特;性をもつセラ ミ ック材料で構成しているが、 当然第 1の誘電体基板に共振周波数の温度係数て ， が 正の特性をもつセラ ミ ック材料を用い、 第 2の誘電体 基板に共振周波数の温度係数て f が負の特性をもつセ ラ ミ ツク材料を用いることもできる。
また、 上記の実施例では、 第 1、 第 2の誘電体基板 は同じ組成式で、 温度係数 r f が正負である材料の組 合わせから成っているが、 第 1、 第 2の誘電体基板は 異なる組成式をもち、 温度係数て f が正負である材料 を組合わせて構成することもできる。 '
さらに、 図示実施例では、 所定のパターンをもつ共 振電極を一対の誘電体基板の対向する内面にそれぞれ 形成し、 そして一対の誘電体基板を互いに積層し、 固 着することによつて互いに重合したフィ ル夕構造につ いて説明してきたが、 本発明は、 互いに積層し、 固着 される一対の誘電体基板の積層面に所定のパターンを もつ共振電極を挟持した構造のマイクロ波ス ト リ ップ ライ ンフィ ルタにも適用できることが理解されるべき である。
産業上の利用可能性
以上説明してきたように、 本発明によれば、 相互に 重ね合される第 1、 第 2の誘電体基板を、 共振周波数 の温度係数の正負特性の異なる材料を組合わせて構成 しているので、 第 1、 第 2の誘電体基板における相互 の温度依存性は相殺し合い、 フィ ルタ装置における共 振周波数の温度係数は可及的にゼロに近付けることが できる。 その結果温度の変化に対して安定した特性を もつス ト リ ップライ ンフィ ル夕を提供することができ o

Claims

請 求 の 範 囲
1 . そ ぞれ外表面及び必要により外側面にアース電 極を備え'、 互いに積層され、 固着される一対の誘電体 基板と、 上記一対の誘電体基板の積層面間に位置し、 所定のバタ一ンをもつ共振電極とを有するマイク口波 ス ト リ ップライ ンフィ ルタにおいて、 一対の誘電体基 板の一方を共：振周波数の温度係数が負のセラ ミ ック材 料で構成し、 また他方の誘電体基板を共振周波数の温 度係数が正のセラ ミ ッ ク材料で構成したことを特徴と するマイクロ波ス ト リ ップライ ンフィ ノレ夕。
2 . —対の誘電体基板が、 同じ組成式をもち、 温度係 数が正負である材料の組合わせから成る請求の範囲 1 に記載のマイ クロ波ス ト リ ップライ ンフィ ルタ。
3 . 一対.の誘電体基板が、 異なる組成式をもち、 温度 係数が正負である材料の組合わせから成る請求の範囲 1 に記載のマイ クロ波ス ト リ ップライ ンフィ ルタ。
PCT/JP1990/000871 1989-07-07 1990-07-06 Filtre de microbandes d'hyperfrequences du type a compensation thermique WO1991001047A1 (fr)

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