UA98747C2 - Спосіб одержання високочистого кремнію - Google Patents
Спосіб одержання високочистого кремнію Download PDFInfo
- Publication number
- UA98747C2 UA98747C2 UAA201109562A UAA201109562A UA98747C2 UA 98747 C2 UA98747 C2 UA 98747C2 UA A201109562 A UAA201109562 A UA A201109562A UA A201109562 A UAA201109562 A UA A201109562A UA 98747 C2 UA98747 C2 UA 98747C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- silicon
- monoxide
- carbon
- hydrogen
- mixture
- Prior art date
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 68
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 title abstract description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 89
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 67
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 18
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 claims abstract description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000008187 granular material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 abstract description 2
- -1 hydrogen monoxide Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 239000006004 Quartz sand Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004157 plasmatron Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108091006503 SLC26A1 Proteins 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007713 directional crystallization Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 1
- 239000003345 natural gas Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Винахід належить до способів одержання високочистого кремнію відновленням діоксиду кремнію. Спосіб може бути використаний для створення електронних пристроїв різного призначення, у тому числі в енергетиці для виробництва елементів сонячних батарей. В основу винаходу поставлена задача удосконалення способу одержання високочистого кремнію, в якому в результаті використання суміші діоксиду кремнію, насиченого вуглецем, і кремнію, і виділення монооксиду кремнію в твердому стані, забезпечується більш глибоке очищення кремнію і за рахунок цього підвищується якість і розширюється сфера його використання в різних галузях техніки. Суміш частинок діоксиду кремнію, насиченого вуглецем, і кремнію розміром 0,1-, взятими в стехіометричному співвідношенні, з бункера живильником завантажують на термообробку в термокамеру, з'єднану з вакуумним агрегатом, куди подають аргон. В умовах вакууму при температурах 1200-1600 °С отримують монооксиди вуглецю і кремнію. Одержану газову суміш з термокамери подають на охолодження до температур 750-800 °С у гартівний пристрій і розділювальний пристрій, при цьому отримують монооксид кремнію в твердому стані. Монооксид вуглецю через газовий затвор разом з летючими домішками фосфору видаляють з процесу, а монооксид кремнію в твердому стані осаджують на фільтрі в розділювальному пристрої, з нього живильником монооксид кремнію направляють в збірник монооксиду, куди подають водень компресором. Утворену суміш водню і монооксиду кремнію після підживлення воднем направляють спочатку в нагрівач, де нагрівають до температури 1050-1100С, а потім в апарат киплячого шару частинок кремнію. В апараті к�
Description
Винахід належить до способів одержання високочистого кремнію відновленням діоксиду кремнію. Спосіб може бути використаний для створення електронних пристроїв різного призначення, у тому числі в енергетиці для виробництва елементів сонячних батарей.
Відомий спосіб одержання високочистого кремнію (Патент США Ме3010797 С1. 23-203.5 1961 р.), згідно якого елементарний кремній отримують шляхом відновлення воднем монооксиду кремнію, який в свою чергу, одержують під вакуумом при взаємодії діоксиду кремнію і кремнію при температурах 1200-1400 "С. Для взаємодії з монооксидом кремнію використовують водень, що пройшов через стінку паладієвої труби, в якій він перебуває під тиском 5-20атм. Швидкість одержання кремнію у відомому способі залежить від швидкості дифузії водню через стінку паладієвої труби і тому низька.
Відомий також тристадійний спосіб одержання мульти- і монокристалічного кремнію (Заявка на винахід РФ Ме99127636/12 МПК СЗОВ 29/06 2001 р.). На першій стадії цього способу кварц відновлюють кремнієм до газоподібного монооксиду кремнію, на другій стадії газоподібний монооксид відновлюють дрібнодисперсним вуглецем (сажею) до елементарного кремнію і на третій стадії - одержаний рідкий кремній в пічних умовах піддають спрямованій кристалізації з отриманням мульти- і монокристалічного кремнію. Цей спосіб вимагає підвищених енерговитрат і викликає труднощі при видаленні надлишкового вуглецю в готовому продукті.
Найбільш близьким до винаходу, що заявляється, є технічне рішення за патентом Росії
Мо2367600 МПК СО18 33/023 2008 р. Двостадійний спосіб одержання кремнію здійснюють в газовій фазі в потоці водню під впливом електричної дуги постійного струму. На першій стадії діоксид кремнію поміщають в зону дугового розряду з температурою вище 2500 С, де він швидко дисоціює на газоподібний монооксид кремнію і кисень. Кисень одразу реагує з воднем, утворюючи воду, а монооксид кремнію транспортують у реактор відновлення. Відновлення монооксиду кремнію до елементарного кремнію проводять атомарним воднем, який отримують із звичайного водню під дією високої температури і випромінювання електричної дуги. Спосіб дозволяє забезпечити продуктивність по кремнію 5 кг/год., при ступені вилучення кремнію з 5іОг2 до 96 95.
У відомому способі процес ведуть з використанням двох плазмотронів, що вимагає значних енерговитрат, тому що одержання монооксиду кремнію здійснюють шляхом дисоціації діоксиду
Зо кремнію при температурі вище 2500 "С, можлива ерозія електродів плазмотрона, що може призвести до збільшення частки домішок в готовому продукті.
В основу винаходу поставлена задача вдосконалення способу одержання високочистого кремнію, в якому в результаті використання суміші діоксиду кремнію, насиченого вуглецем і кремнію, і виділення монооксиду кремнію в твердому стані, забезпечується більш глибоке очищення кремнію і за рахунок цього підвищується якість і розширюється сфера його використання в різних галузях техніки.
Поставлена задача вирішена завдяки тому, що в способі одержання високочистого кремнію, що включає одержання монооксиду кремнію з діоксиду кремнію з подальшим відновленням до елементарного кремнію воднем, згідно з пропозицією, монооксид кремнію одержують шляхом нагрівання у вакуумі до температури 1200-1600 С суміші діоксиду кремнію, насиченого вуглецем, і кремнію, взятими в стехіометричному співвідношенні, потім охолоджують до температури нижче 1000 "С, виділяють з газової фази у вигляді твердих частинок, які змішують з воднем, і одержану пилогазову суміш нагрівають і вдувають в киплячий шар частинок кремнію, де при температурі 1200-1300 "С на поверхні частинок, через які пропускають електричний струм, осаджують елементарний кремній.
Додатковою відмінністю є те, що для одержання монооксиду кремнію використовують діоксид кремнію, насичений вуглецем, з вмістом вуглецю 5-10 95 мас.
Другою додатковою відмінністю є те, що газову суміш, яка виходить з киплячого шару, піддають очищенню від води, змішують з частками монооксиду кремнію, підживлюють воднем і повертають у киплячий шар.
При одержанні монооксиду кремнію шляхом нагрівання вихідної суміші діоксиду кремнію, насиченого вуглецем, і кремнію у вакуумі при температурах 1200-1600 "С утворюється твердий залишок, що містить вуглець, сліди карбіду кремнію і домішки бору. Цей залишок періодично видаляють. Домішки фосфору знаходяться в газоподібному стані, тому запропонованим способом передбачено охолодження газової суміші до температур 750-800 "С, при цьому монооксид кремнію виділяють в твердому вигляді, осаджують на фільтрі і збирають до збірника монооксиду кремнію. Гази, що містять монооксид вуглецю, аргон і домішки фосфору видаляють з процесу. Таким чином, відбувається глибоке очищення кремнію від домішок. Для зменшення втрат кремнію на стадії осадження елементарного кремнію передбачений рецикл по газу, що бо збільшує ступінь вилучення кремнію.
На кресленні представлена технологічна схема одержання кремнію високої чистоти запропонованим способом.
Суміш часток діоксиду кремнію, насиченого вуглецем, і кремнію розміром 0,1-0,3 мм, взятими в стехіометричному співвідношенні, з бункера 1 живильником 2 завантажують на термообробку в термокамеру 3, з'єднану з вакуумним агрегатом 4, куди подають аргон з балона 5. В умовах вакууму при температурах 1200-1600 "С одержують монооксиди вуглецю і кремнію.
Одержану газову суміш з термокамери подають на охолодження до температур 750-800 С в гартівний пристрій 6 і розділювальний пристрій 7, при цьому отримують монооксид кремнію в твердому стані. Монооксид вуглецю через газовий затвор 8 разом з летючими домішками фосфору видаляють з процесу, а монооксид кремнію в твердому стані осаджують на фільтрі в розділювальному пристрої 7, з нього живильником 9 монооксид кремнію направляють в збірник монооксиду 10, куди подають водень компресором 11. Утворену суміш водню і монооксиду кремнію, після підживлення воднем з балона 12, направляють спочатку в нагрівач 13, де нагрівають до температури 1050-1100 "С, а потім в апарат киплячого шару частинок кремнію 14.
За допомогою газового перемикача 15 газову суміш з апарату киплячого шару, оминаючи збірник монооксиду кремнію 10, направляють в нагрівач. В апараті киплячого шару 14 осаджують високочистий кремній із газової суміші монооксиду кремнію і водню під дією мікророзрядів та температури. Для підведення електричного струму в апарат киплячого шару і в термокамеру використовують джерела живлення 16. З газової суміші, яка виходить з апарату киплячого шару, воду відокремлюють конденсатором 17.
Приклад 1 (за прототипом)
Обидва реактора герметизують, вакумують до залишкового тиску 102 мм рт.ст. і продувають аргоном протягом 20 хв. В обох реакторах проходить запуск електричної дуги. Для цього рухомий електрод (анод) замикають з катодом і вмикають джерело живлення кожного електрода. Після режиму короткого замикання (підпалення дуги) рухомий електрод висувають на відстань 15 см від катода, створюючи всередині реактора зону горіння дуги. Після прогрівання протягом 15 хв. в перший реактор з дозатора безперервно подають порошок діоксиду кремнію, а з блоку підготовки газів - чистий водень. Утворений монооксид кремнію разом з надлишком водню транспортують у другий реактор, де відновлюють до кремнію.
Зо Витрата 5іО: в робочому режимі складає близько 200 г/хв.
Щоб ініціювати процес осадження кремнію з суміші монооксиду кремнію з воднем, у другий реактор через спеціальний штуцер подають газ метан в заданому обсязі. Відновлений кремній у рідкому стані збирають в тиглі-приймачі, звідки його порційно вивантажують. Параметри одержаного кремнію представлені в таблиці.
Приклад 2 (за запропонованим способом)
На лабораторній установці, зібраній за схемою, представленій на кресленні, виконана серія дослідів 3 одержання кремнію високої чистоти. У якості вихідних матеріалів використовували кварцовий пісок виробництва З АТ "Новоселівський гірничо-збагачувальний комбінат" марки
ОвС-015-1 ГОСТ 22551-77.
Кварцовий пісок, з вмістом 5іС» - 99,67 96, попередньо насиченим вуглецем, шляхом піролізу природного газу в киплячому шарі до вмісту вуглецю в шихті - З 9о мас. і кристалічний кремній у вигляді гранул з вмістом кремнію 99,995, завантажують на нагрівання в попередньо вакуумовану термокамеру, куди подають аргон зі швидкістю 0,4 л/хв. Частинки суміші мали розмір 0,1-0,3 мм. Газову суміш з термокамери направляють на охолодження в гартівний пристрій і далі в розділювальний пристрій, де відокремлюють тверді частинки монооксиду кремнію на фільтрі і направляють їх до збірника монооксиду кремнію, куди компресором подають водень, що циркулює в системі: апарат киплячого шару - конденсатор - збірник монооксиду - нагрівач - апарат киплячого шару. Циркуляція водню дозволяє звести до мінімуму втрати кремнію у вигляді монооксиду кремнію. Пилогазову суміш нагрівають у нагрівачі і вдувають в киплячий шар частинок кремнію, де на частинках киплячого шару осаджують елементарний кремній.
Приклад 3. Як у прикладі 2, але вміст вуглецю в шихті 5 9о мас.
Приклад 4. Як у прикладі 2, але вміст вуглецю в шихті 7 9о мас.
Приклад 5. Як у прикладі 2, але вміст вуглецю в шихті 10 95 мас.
Приклад 6. Як у прикладі 2, але вміст вуглецю в шихті 13 Фо мас.
Технічні характеристики зразків високочистого кремнію, отриманого за відомим способом (прототип) та запропонованим способом, представлені в таблиці.
Таблиця 1
Результати проведених дослідів
Заявлений спосіб.
Параметри Од. вим. | Прототип Вміст вуглецю в шихті, о мас.
Вмістсумидомішок. | ррт | 89 / 8 | 6 | 7 | 6 | 8
Вміст вуглецю в кремнії 0,5-0,8
Ступінь вилучення кремнію з о/, 95-96 92 97 94 5ІО»г
Як бачимо з таблиці 1, сума домішок в одержаному кремнії при вмісті вуглецю в шихті 5- 10 95 мас. менша, а ступінь вилучення кремнію вищий, ніж у прототипі. При вмісті вуглецю в шихті менше 5 95 спостерігається різке зменшення ступеня вилучення кремнію, що пов'язано з частковим спіканням шихти, порушенням її газопроникності. Збільшення вмісту вуглецю більше 95 також призводить до зменшення ступеня вилучення кремнію. При цьому збільшується частка твердого залишку, який поряд з вуглецем містить карбід кремнію. Оптимальний вміст вуглецю в шихті 5-10 Фо мас. 10
Таблиця 2
Вплив температури на склад газової фази 1100 1200 1400 1600 1700
Вміст монооксиду кремнію, 95 об. 5 | 20 | 40 | во | ги х Оплавлення шихти
Як бачимо з таблиці 2, оптимальний температурний діапазон - 1200-1600 "С. При 11007 утворення монооксиду кремнію мінімальне. При 1700 "С відбувається розплавлення шихти, що призводить до зупинки процесу.
Таблиця З
Залежність швидкості осадження кремнію від температури
Температура киплячого шару, "С 1100 1200 1300 1400
Швидкість осадження кремнію, г/хв.
При 1100 С осадження кремнію мінімальне. При 1400 "С порушується гідродинаміка киплячого шару через утворення агрегатів часток кремнію, тому оптимальний температурний діапазон процесу осадження кремнію - 1200-1300 "С.
Таблиця 4
Вплив температури охолодження на вміст монооксиду кремнію в газі після термокамери
Температура охолодження, Сб 1 900 | 1000 1100
Вміст БІО, 95 об. 717775 | 7 | во
При температурі охолодження газової суміші 900 С основна маса монооксиду кремнію перебуває в твердому стані і тільки 595 об. монооксиду кремнію - у вигляді газу. При температурах 1000-1100 "С монооксид кремнію перебуває в газоподібному стані. Тому температура охолодження газової суміші повинна бути менше 1000 "С (800-900 С).
Порівняння запропонованого способу з прототипом вказує наступні переваги: 1) запропонований спосіб дозволяє одержати кремній більш високої якості (зменшений вміст домішок); 2) запропонований спосіб дозволяє збільшити ступінь вилучення кремнію.
Таким чином, одержання кремнію запропонованим способом дає можливість прискорити утворення монооксиду кремнію, завдяки використанню діоксиду кремнію, насиченого вуглецем, позбавитися від домішок бору та фосфору і одержати гранули високочистого кремнію шляхом осадження елементарного кремнію в киплячому шарі з газової фази.
Claims (2)
1. Спосіб одержання високочистого кремнію, що включає одержання монооксиду кремнію з діоксиду кремнію з подальшим відновленням монооксиду кремнію до елементарного кремнію воднем, який відрізняється тим, що монооксид кремнію одержують шляхом нагрівання у вакуумі до температури 1200-1600 "С суміші діоксиду кремнію, насиченого вуглецем, і кремнію, взятими в стехіометричному співвідношенні, потім охолоджують до температури нижче 1000 "С, виділяють з газової фази у вигляді твердих частинок, які змішують з воднем, і одержану пилогазову суміш нагрівають і вдувають в киплячий шар частинок кремнію, де при температурі 1200-1300 "С на поверхні частинок, через які пропускають електричний струм, осаджують елементарний кремній.
2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що для одержання монооксиду кремнію використовують діоксид кремнію, насичений вуглецем, з вмістом вуглецю 5-10 95 мас.
З. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що газову суміш, яка виходить з киплячого шару, піддають очищенню від води, змішують з частинами монооксиду кремнію, підживлюють воднем і повертають у киплячий шар.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAA201109562A UA98747C2 (uk) | 2011-07-29 | 2011-07-29 | Спосіб одержання високочистого кремнію |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAA201109562A UA98747C2 (uk) | 2011-07-29 | 2011-07-29 | Спосіб одержання високочистого кремнію |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA98747C2 true UA98747C2 (uk) | 2012-06-11 |
Family
ID=50847075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UAA201109562A UA98747C2 (uk) | 2011-07-29 | 2011-07-29 | Спосіб одержання високочистого кремнію |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA98747C2 (uk) |
-
2011
- 2011-07-29 UA UAA201109562A patent/UA98747C2/uk unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101504247B1 (ko) | 마이크로웨이브 플라즈마를 이용한 흑연 정제장치 및 정제방법 | |
| RU2008140743A (ru) | Способ получения кремния для фотоэлементов и других применений | |
| WO2015131755A1 (zh) | 一种碳化硅的制备方法 | |
| KR101290659B1 (ko) | 열플라즈마를 이용한 산화규소분말의 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 산화규소분말 | |
| JP6065007B2 (ja) | 金属ケイ素及び多孔質炭素の製造方法 | |
| WO2017012281A1 (zh) | 一种等离子化学气相合成法制备纳米石墨烯粉体的方法 | |
| RU2367600C1 (ru) | Способ получения кремния высокой чистоты | |
| KR20110112223A (ko) | 실리콘 및 탄화규소의 제조방법 및 제조장치 | |
| CN114260458A (zh) | 一种超细高纯球形镁粉末制备装置和方法 | |
| KR20120082925A (ko) | 탄수화물의 열분해 방법 | |
| JP2010100508A (ja) | 高純度シリコンの製造方法 | |
| CN102101671B (zh) | 一种采用含镁化合物去除工业硅中硼磷杂质的方法 | |
| CN101181997A (zh) | 一种金属硅材料的制备方法 | |
| RU2327639C2 (ru) | Способ получения кремния высокой чистоты | |
| UA98747C2 (uk) | Спосіб одержання високочистого кремнію | |
| CN102674366A (zh) | 一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备 | |
| CN113518502A (zh) | 一种基于等离子电离快速制备硫等离子体的方法 | |
| RU2385291C1 (ru) | Способ получения кристаллического кремния высокой чистоты (варианты) | |
| JP2011073896A (ja) | カルシウムシアナミドを含む粉体、該粉体の製造方法及びその装置 | |
| RU2648421C2 (ru) | Способ получения карбида бора плазмохимическим методом | |
| RU2483130C1 (ru) | Способ получения изотопно-обогащенного германия | |
| CN110980767B (zh) | 一种氰氨化钙的合成方法 | |
| CN113735096B (zh) | 一种艾奇逊炉芯石墨粉制备超高纯碳粉的方法 | |
| WO2009065444A1 (en) | A method of producing polycrystalline and single crystal silicon | |
| RU2648436C2 (ru) | Способ получения порошка кремния высокой чистоты из смеси диоксида кремния и алюминия |