RU2648421C2 - Способ получения карбида бора плазмохимическим методом - Google Patents
Способ получения карбида бора плазмохимическим методом Download PDFInfo
- Publication number
- RU2648421C2 RU2648421C2 RU2016127322A RU2016127322A RU2648421C2 RU 2648421 C2 RU2648421 C2 RU 2648421C2 RU 2016127322 A RU2016127322 A RU 2016127322A RU 2016127322 A RU2016127322 A RU 2016127322A RU 2648421 C2 RU2648421 C2 RU 2648421C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- boron carbide
- boron
- plasma
- carbide
- polycrystalline
- Prior art date
Links
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 60
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 239000000126 substance Substances 0.000 title abstract description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims abstract 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 15
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000000155 isotopic effect Effects 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-BJUDXGSMSA-N Boron-10 Chemical compound [10B] ZOXJGFHDIHLPTG-BJUDXGSMSA-N 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 6
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 3
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-3-nitro-5-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC(Cl)=CC(C(F)(F)F)=C1 ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 boron halides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005619 boric acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-IGMARMGPSA-N boron-11 atom Chemical compound [11B] ZOXJGFHDIHLPTG-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003889 chemical engineering Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-IGMARMGPSA-N lithium-7 atom Chemical compound [7Li] WHXSMMKQMYFTQS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 238000011275 oncology therapy Methods 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/991—Boron carbide
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к получению поликристаллического карбида бора. Карбид бора получают плазмохимическим синтезом в высокочастотном разряде в реакторе, содержащем электроды, выполненные в виде подложек для осаждения карбида бора. Синтез проводят при мощности разряда 500 Вт в плазме атмосферного давления при подаче в реактор потоков водорода, фторида бора и метана. Соотношение потоков H2:BF3 составляет 2,6, соотношение потоков BF3:CH4 составляет 5,5. Предложенный способ позволяет получить в непрерывном режиме изотопные модификации поликристаллического карбида бора. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.
Description
Заявляемое изобретение относится к области техники получения поликристаллических материалов и может быть использовано для получения поликристаллического карбида бора, в том числе обогащенного одним из его изотопов (например, бором-10).
Карбид бора обладает рядом полезных для технического применения свойств. Высокая твердость дает возможность использовать его в качестве режущего и абразивного инструмента для обработки других материалов. Химическое применение карбида бора определяется его использованием в качестве компонента смесей для диффузионного борирования сталей, результатом которого является повышение твердости и износостойкости поверхности стали со значительным увеличением срока службы изделий. Являясь термодинамически устойчивым соединением, карбид бора применяется в химическом машиностроении в качестве деталей различных агрегатов, работающих в контакте с агрессивными и одновременно абразивными средами. Бор природного изотопного состава содержит два изотопа: бор-10 (19,8%) и бор-11 (80,2%). Первый обладает максимальным из известных для различных нуклидов сечением захвата тепловых нейтронов причем при захвате нейтрона образуются два нерадиоактивных ядра (альфа-частица и литий-7), очень быстро тормозящиеся в среде, а проникающая радиация (гамма-кванты) при этом отсутствует в отличие от аналогичных реакций захвата нейтронов другими нуклидами. Поэтому бор в составе борной кислоты, карбида и других химических соединений применяется в атомных реакторах для регулирования реактивности, а также для биологической защиты от тепловых нейтронов. Кроме того, бор применяется в нейтрон-захватной терапии рака. Эффективность применения бора для указанных целей значительно повышается в случае повышения концентрации изотопа бор-10 (изотопного обогащения).
Известен способ получения карбида бора спеканием элементов (S. Т. Benton and R. David: ‘Methods for preparing boron carbide articles’, US patent no. 3914371, 1975). Способ может быть использован при получении изотопно-обогащенного карбида бора: как правило, используют элементный бор, полученный методом электролиза расплавленных солей (например, US 20100294670 А1). Недостатком способа является высокая стоимость используемого реагента - элементного бора. Еще одним недостатком способа является загрязнение материала примесями, вызванное высокой температурой проведения процесса: в случае метода горячего прессования 1800°C-2200°C.
Известен способ получения карбида бора, основанный на реакции карботермического восстановления борной кислоты или борного ангидрида (F. Schroll and A. Vogt: ‘Electrothermic production of boron carbide’ US patent no. 2163293, 1939). Синтез карбида бора протекает в дуге высокой интенсивности. Дуга постоянного тока протекает между графитовыми электродами. Недостатками способа являются высокая температура синтеза 2300-2500°C и значительные потери бора.
Известен еще один способ получения карбида бора, основанный на реакции карботермического восстановления борной кислоты графитом в печи Ачесона (R.R. Ridgway: ‘Boron carbide and the method of making the same’, US patent no. 1897214, 1933). Недостатками метода также являются высокая температура синтеза и потери бора.
Известен способ получения карбида бора, основанный на реакции карботермического восстановления оксида бора в газовой фазе (В.Z. Dacic, V. Jokanovic, В. Jokanovic and М.D. Dramicanin: ‘Thermodynamics of gas phase carbothermic reduction of boronanhydride’, J. Alloys Compd, 2006, 413, 198-205). К недостаткам метода относится высокая температура синтеза.
Известен способ получения карбида бора, основанный на реакции магний термического восстановления оксида бора в присутствии углерода (Е.G. Gray: ‘Process for the production of boron carbide’, US patent no. 2834651, 1958). К недостаткам метода следует отнести высокую температуру синтеза 1700°C и высокую стоимость магния.
Указанные выше методы относятся к типу «твердофазных». В то же время, если иметь в виду получение карбида бора, обогащенного изотопом бор-10, необходимо исходить из газообразного (летучего) соединения бора, для которого могут использоваться соответствующие известные способы изотопного обогащения (ректификация, центрифугирование). В этой связи представляют интерес методы получения карбида бора, основанные на химическом осаждении из газовой фазы.
Известен способ получения карбида бора химическим осаждением из газовой фазы, основанный на реакции между галогенидами бора и углеводородами в газовой фазе (US 3334967 A 1965). Осаждение карбида бора происходит на горячей подложке в температурном интервале 1800°C-2200°C и при давлении от 13 Па до 26,6 кПа. В качестве летучего углеводорода используется метан. Основным недостатком данного способа является высокая температура синтеза, приводящая к загрязнению карбида бора примесями. Другой недостаток способа связан с дополнительной сложностью аппаратного оформления процесса, проводимого при низком давлении.
Известен другой способ химического осаждения карбида бора из газовой фазы, основанный на реакции хлорида бора с метаном (Deshpande et al. Appl. Phys. Lett. 65 (14), 3 October 1994). В этом способе для активации реакции используется метод химического осаждения из газовой фазы с горячей нитью. Действие температуры подложки на примесный состав в этом методе сводится к минимуму. Недостатком метода, однако, остается ограничение на выбор летучего борсодержащего прекурсора и низкая производительность.
Известен еще способ химического осаждения карбида бора из газовой фазы, основанный на реакции хлорида бора с метаном в лазерном пучке (W.J. Lackey, D. Rosen, С.Е. Duty, D.L. Jean, S.N. Bondi and Т.N. Elkhatib: ‘Laser CVD system design operation, and modeling’, Ceram. Eng. Sci. Proa, 2002, 23, (4), 23-33). Недостатком метода является его сложное аппаратное оформление.
Наиболее близким к заявляемому способом получения карбида бора является восстановление галогенидов бора метаном в плазме высокочастотного разряда при атмосферном давлении (MacKinnon I.M. Wickens A.J. // Chem. and Ind. - 1973. - N 16. - P 800-801). Плазменная горелка представляла собой водоохлаждаемую кварцевую трубу. Максимальный выход хлорида бора в карбид бора составляет 95% и достигается при подаче BCl3 не более 20 л/мин, относительно высоком соотношении Н2:BCl3=8 и стехиометрическом соотношении между метаном и хлоридом СН4:BCl3=1:4. Мощность разряда составляла 30 кВт. Энерговклад при данных условиях на 1 моль газовой смеси составил 230 кДж/моль. Получаемый карбид представлял собой порошок со средним размером частиц 0,4 мкм. Недостатком способа является загрязнение целевого продукта примесями, поступающими из материала плазменной горелки, а также недолговременная работа плазменной горелки в результате использования водяного охлаждения.
Упомянутое решение взято в качестве прототипа.
В рассмотренных выше способах получения карбида бора химическим осаждением из газовой фазы в качестве исходного борсодержащего соединения применялся треххлористый бор. Для получения карбида бора, обогащенного изотопом бор-10, необходимо иметь треххлористый бор с соответствующей степенью обогащения. Известен метод его обогащения методом ректификации, который, однако, не позволяет достигать высоких степеней обогащения и характеризуется низкой производительностью. Применение для этого соединения центробежного метода обогащения может быть также недостаточно эффективным ввиду наличия у хлора нескольких изотопов. С другой стороны, наличие у бора химически устойчивого газообразного при обычных условиях фторида BF3 позволяет использовать для получения высоких концентраций изотопа бор-10 хорошо развитую «фторидную» технологию изотопного обогащения (фтор в отличие от хлора моноизотопен).
Однако способы синтеза карбида бора из фторида бора, в том числе изотопно-обогащенного в плазме высокочастотного разряда нам не были известны.
Задачей, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является разработка технологии прямого получения поликристаллического карбида бора, в том числе изотопно-обогащенного из его трифторида и метана плазмохимическим осаждением из газовой фазы. Другой задачей, на решение которой направлено изобретение, является снижение энергозатрат за счет создания высокочастотного разряда с достаточно высокой плотностью энергии, сохранение химической и изотопной чистоты получаемого поликристаллического карбида бора за счет того, что разряд локализован в объеме и не контактирует со стенками разрядной камеры, упрощение технологии синтеза карбида бора в том числе изотопно-обогащенного, а именно разработка плазмохимической технологии получения карбида бора при атмосферном давлении, что позволяет отказаться от применения дорогостоящего вакуумного оборудования.
Сущность изобретения заключается в том, что осаждение поликристаллического карбида бора ведут в высокочастотном разряде из водорода, фторида бора и метана на электродах, выполненных в виде подложек, контактирующих с концентрированной в малом объеме плазмой атмосферного давления. При этом разработаны условия осаждения поликристаллического карбида бора, а именно проведение процесса при давлении 70,7-100 кПа (0,7-1 атм), соотношении потоков H2:BF3 не менее 2,6 и BF3:CH4 от 5 до 6 и общей скорости потоков Н2, BF3 и СН4 - 1000 см3/мин. Мощность разряда составляет 500 Вт. Эти условия обеспечивают выход поликристаллического карбида бора 95% и энергозатраты, равные 10 кДж/моль.
Опытным путем было установлено, что при давлении менее 70,7 Па (0,7 атм) происходит снижение производительности образования карбида бора вследствие изменения условий существования разряда приблизительно в два раза. При давлении выше 100 кПа (1 атм) требуется увеличения подводимой к разряду мощности, что приводит к увеличению энергозатрат.
Опытным путем было установлено также, что проведение реакции при соотношении потоков Н2 и BF3 не менее 2,6 является оптимальным для максимально возможного выхода карбида бора (до 95%) и максимально возможной производительности способа (1 г/час). При соотношении потоков Н2 и менее 2,6 выход карбида бора снижается приблизительно в 2 раза, а при соотношении потоков Н2 и BF3 более 2,6 снижается производительность способа в два раза. Проведение реакции при соотношении потоков BF3 и СН4 менее 5 наблюдается образование свободного углерода в виде сажи, а при соотношении потоков BF3 и CH4 более 6 - резкое снижение выхода карбида бора.
Кроме того, опытным путем было установлено, что электроды, выполненные в виде подложек, образуют и удерживают в стационарном состоянии плазменный разряд атмосферного давления, который обеспечивает условия для образования поликристаллического карбида бора, в том числе обогащенного одним из изотопов бора, как на поверхности электродов в виде компактных поликристаллов. Опытным путем установлено, что температура электродов в процессе образования карбида бора составляет 800-1200°C. Ниже 800°C осаждения карбида бора на поверхности электродов не наблюдается. При температуре выше 1200°C происходит распыление осажденного материала с поверхности электрода.
Все упомянутые признаки являются существенными, так как каждый из них необходим, а вместе они достаточны для решения поставленной задачи - разработка технологии прямого получения поликристаллического карбида бора из его трифторида бора, в том числе обогащенного одним из изотопов бора, водорода и метана, плазмохимическим осаждением из газовой фазы. Для получения карбида бора, обогащенного изотопом бор-10, необходимо лишь заменить исходный фторид изотопно-обогащенным, предварительно пассивировав внутренние стенки аппаратуры этим газом во избежание изотопного разбавления.
Производительность предлагаемого способа составляет не менее 1 г/час и выход поликристаллического карбида бора 95% из его трифторида с энергозатратами 10 кДж/моль, в то время как в прототипе карбида бора природного состава получают из трихлорида бора с выходом 95% и энергозатраты составляют 230 кДж/моль.
В связи с вышеизложенным предлагаемую технологию можно рекомендовать для организации соответствующего производства.
Пример. Получение поликристаллического карбида бора природного изотопного состава. В реактор из кварцевого стекла помещаются соосные цилиндрические электроды сечением 10 мм на расстоянии 10 мм. Реактор откачивают до остаточного давления 0,1 Па, наполняют водородом и зажигают разряд. Подводимая мощность составляет 500 Вт. Образующаяся низкотемпературная плазма очищает внутреннюю поверхность реактора от влаги и других адсорбированных примесей. Затем, путем подачи водорода в реактор, разряд выводится на рабочее давление 100 кПа (атмосферное давление), после чего реализуют режим горения разряда в потоке водорода. При переходе к атмосферному давлению плазменный разряд сжимается и стабилизируется на концах электродов. После чего в реактор подают реакционную смесь - фторид бора, метан и водород в соотношении потоков водорода, фторида бора и метана 2,6:1,0:0,18 и общем расходе плазмообразующей смеси 500 см3/мин. Образование поликристаллического карбида бора происходит на нагретых до Т=900°C электродах, а также в объеме разряда. По окончании процесса синтеза в реактор подается инертный газ и гасится разряд. Реактор продувается потоком инертного газа, после чего открывается. Выгрузка образцов осуществляется в специально подготовленном боксе с инертной атмосферой. Скорость осаждения карбида бора составляет 1 г/ч. Содержание типичных примесей в полученном карбиде бора представлено в таблице 1.
Наряду с карбидом бора с бором природного изотопного состава таким образом можно получать и другие изотопные разновидности поликристаллического карбида бора.
Предложенный способ позволяет получать в непрерывном режиме изотопные модификации поликристаллического карбида бора в количестве, достаточном для их использования в вышеупомянутых областях науки и техники.
Claims (2)
1. Способ получения карбида бора плазмохимическим синтезом в высокочастотном разряде в реакторе, содержащем электроды, выполненные в виде подложек для осаждения карбида бора, при этом синтез проводят при мощности разряда 500 Вт в плазме атмосферного давления при подаче в реактор потоков водорода, фторида бора и метана при общей скорости потоков 1000 см3/мин и при соотношении потоков H2:BF3, равном 2,6, и соотношении потоков BF3:CH4, равном 5,5.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что температура электродов при осаждении карбида бора составляет 800-1200°C.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016127322A RU2648421C2 (ru) | 2016-07-06 | 2016-07-06 | Способ получения карбида бора плазмохимическим методом |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016127322A RU2648421C2 (ru) | 2016-07-06 | 2016-07-06 | Способ получения карбида бора плазмохимическим методом |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2016127322A RU2016127322A (ru) | 2018-01-10 |
RU2648421C2 true RU2648421C2 (ru) | 2018-03-26 |
Family
ID=60965264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2016127322A RU2648421C2 (ru) | 2016-07-06 | 2016-07-06 | Способ получения карбида бора плазмохимическим методом |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2648421C2 (ru) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110092382A (zh) * | 2018-01-28 | 2019-08-06 | 大连天宏硼业有限公司 | 一种碳化硼去除游离碳工艺 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4133689A (en) * | 1975-12-03 | 1979-01-09 | Ppg Industries, Inc. | Submicron beta silicon carbide powder and sintered articles of high density prepared therefrom |
US4295890A (en) * | 1975-12-03 | 1981-10-20 | Ppg Industries, Inc. | Submicron beta silicon carbide powder and sintered articles of high density prepared therefrom |
JPS6345111A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-02-26 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 新規炭化ホウ素の製造法 |
US4895628A (en) * | 1985-02-12 | 1990-01-23 | The Dow Chemical Company | Process for the preparation of submicron-sized boron carbide powders |
JPH03215309A (ja) * | 1990-01-16 | 1991-09-20 | Rikagaku Kenkyusho | 炭化ホウ素の微粒子製造方法 |
UA82066C2 (ru) * | 2004-11-15 | 2008-03-11 | Институт проблем материаловедения им. И.М. Францевича | Способ получения мелкодисперсного порошка карбида бора |
UA82800C2 (ru) * | 2007-04-16 | 2008-05-12 | Nat Metallurgical Academy Ukraine | Способ получения карбида бора |
US20080148905A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Cheng-Hung Hung | Production of high purity ultrafine metal carbide particles |
US20100003180A1 (en) * | 2006-08-30 | 2010-01-07 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Production of ultrafine boron carbide particles utilizing liquid feed materials |
RU2550848C2 (ru) * | 2013-04-01 | 2015-05-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет" | Способ получения карбида бора |
RU2576041C2 (ru) * | 2013-12-20 | 2016-02-27 | Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина" | Способ получения полидисперсного порошка карбида бора |
-
2016
- 2016-07-06 RU RU2016127322A patent/RU2648421C2/ru active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4133689A (en) * | 1975-12-03 | 1979-01-09 | Ppg Industries, Inc. | Submicron beta silicon carbide powder and sintered articles of high density prepared therefrom |
US4295890A (en) * | 1975-12-03 | 1981-10-20 | Ppg Industries, Inc. | Submicron beta silicon carbide powder and sintered articles of high density prepared therefrom |
US4895628A (en) * | 1985-02-12 | 1990-01-23 | The Dow Chemical Company | Process for the preparation of submicron-sized boron carbide powders |
JPS6345111A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-02-26 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 新規炭化ホウ素の製造法 |
JPH03215309A (ja) * | 1990-01-16 | 1991-09-20 | Rikagaku Kenkyusho | 炭化ホウ素の微粒子製造方法 |
UA82066C2 (ru) * | 2004-11-15 | 2008-03-11 | Институт проблем материаловедения им. И.М. Францевича | Способ получения мелкодисперсного порошка карбида бора |
US20100003180A1 (en) * | 2006-08-30 | 2010-01-07 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Production of ultrafine boron carbide particles utilizing liquid feed materials |
US20080148905A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Cheng-Hung Hung | Production of high purity ultrafine metal carbide particles |
UA82800C2 (ru) * | 2007-04-16 | 2008-05-12 | Nat Metallurgical Academy Ukraine | Способ получения карбида бора |
RU2550848C2 (ru) * | 2013-04-01 | 2015-05-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет" | Способ получения карбида бора |
RU2576041C2 (ru) * | 2013-12-20 | 2016-02-27 | Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина" | Способ получения полидисперсного порошка карбида бора |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Рахматуллин И.А. Получение ультрадисперсного карбида бора в сверхзвуковой струе электроразрядной плазмы. Дисс. на соиск. уч. степ. канд. тех. наук, Томск, 2015, гл. 3. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2016127322A (ru) | 2018-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11072533B2 (en) | Manufacture of tungsten monocarbide (WC) spherical powder | |
EP3106430B1 (en) | Spherical boron nitride particles and production method thereof | |
CA1290278C (en) | Process for the preparation of submicron-sized titanium diboride powders | |
Elagin et al. | Aluminum nitride. Preparation methods | |
US11685664B2 (en) | Method for producing tetrahydroborate and tetrahydroborate | |
JPS6330062B2 (ru) | ||
US9862612B2 (en) | Method for producing silicon metal and porous carbon | |
US20220204353A1 (en) | Method for Synthesizing Ammonia, and Apparatus for Said Method | |
Zhou et al. | A review on the methods of preparation of elemental boron | |
JPH01164795A (ja) | ダイヤモンド粒子の合成方法 | |
RU2648421C2 (ru) | Способ получения карбида бора плазмохимическим методом | |
Liang et al. | Low temperature synthesis of LiSi 2 N 3 nanobelts via molten salt nitridation and their photoluminescence properties | |
NO751762L (ru) | ||
US20120063983A1 (en) | Method for Synthesis of Boron Nitride Nanopowder | |
EP1848662A1 (en) | Process for producing fluorine gas | |
RU2593061C1 (ru) | Способ получения ультрадисперсных порошков титана | |
Harbuck et al. | Gas-phase production of titanium nitride and carbide powders | |
Ikawa | Vapor deposition of zirconium carbide-carbon composites by the iodide process | |
US11753306B2 (en) | Preparation of metal diboride and boron-doped powders | |
HUT52738A (en) | Process for production of betha silicium carbide | |
Lu et al. | Production of fine titanium powder from titanium sponge by the shuttle of the disproportionation reaction in molten NaCl–KCl | |
RU2327639C2 (ru) | Способ получения кремния высокой чистоты | |
Kana'an et al. | Chemical Reactions in Electric Discharges | |
Bao | Low temperature synthesis of boron-based materials in molten salts | |
RU2811828C1 (ru) | Способ получения нанодисперсного изотопно-модифицированного борида молибдена |