RU2648421C2 - Способ получения карбида бора плазмохимическим методом - Google Patents

Способ получения карбида бора плазмохимическим методом Download PDF

Info

Publication number
RU2648421C2
RU2648421C2 RU2016127322A RU2016127322A RU2648421C2 RU 2648421 C2 RU2648421 C2 RU 2648421C2 RU 2016127322 A RU2016127322 A RU 2016127322A RU 2016127322 A RU2016127322 A RU 2016127322A RU 2648421 C2 RU2648421 C2 RU 2648421C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
boron carbide
boron
plasma
carbide
polycrystalline
Prior art date
Application number
RU2016127322A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2016127322A (ru
Inventor
Роман Алексеевич Корнев
Дмитрий Алексеевич Конычев
Петр Геннадьевич Сенников
Сергей Михайлович Зырянов
Original Assignee
Акционерное общество "Производственное объединение Электрохимический завод" (АО "ПО ЭХЗ")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество "Производственное объединение Электрохимический завод" (АО "ПО ЭХЗ") filed Critical Акционерное общество "Производственное объединение Электрохимический завод" (АО "ПО ЭХЗ")
Priority to RU2016127322A priority Critical patent/RU2648421C2/ru
Publication of RU2016127322A publication Critical patent/RU2016127322A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2648421C2 publication Critical patent/RU2648421C2/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90Carbides
    • C01B32/914Carbides of single elements
    • C01B32/991Boron carbide

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)

Abstract

Изобретение относится к получению поликристаллического карбида бора. Карбид бора получают плазмохимическим синтезом в высокочастотном разряде в реакторе, содержащем электроды, выполненные в виде подложек для осаждения карбида бора. Синтез проводят при мощности разряда 500 Вт в плазме атмосферного давления при подаче в реактор потоков водорода, фторида бора и метана. Соотношение потоков H2:BF3 составляет 2,6, соотношение потоков BF3:CH4 составляет 5,5. Предложенный способ позволяет получить в непрерывном режиме изотопные модификации поликристаллического карбида бора. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

Description

Заявляемое изобретение относится к области техники получения поликристаллических материалов и может быть использовано для получения поликристаллического карбида бора, в том числе обогащенного одним из его изотопов (например, бором-10).
Карбид бора обладает рядом полезных для технического применения свойств. Высокая твердость дает возможность использовать его в качестве режущего и абразивного инструмента для обработки других материалов. Химическое применение карбида бора определяется его использованием в качестве компонента смесей для диффузионного борирования сталей, результатом которого является повышение твердости и износостойкости поверхности стали со значительным увеличением срока службы изделий. Являясь термодинамически устойчивым соединением, карбид бора применяется в химическом машиностроении в качестве деталей различных агрегатов, работающих в контакте с агрессивными и одновременно абразивными средами. Бор природного изотопного состава содержит два изотопа: бор-10 (19,8%) и бор-11 (80,2%). Первый обладает максимальным из известных для различных нуклидов сечением захвата тепловых нейтронов причем при захвате нейтрона образуются два нерадиоактивных ядра (альфа-частица и литий-7), очень быстро тормозящиеся в среде, а проникающая радиация (гамма-кванты) при этом отсутствует в отличие от аналогичных реакций захвата нейтронов другими нуклидами. Поэтому бор в составе борной кислоты, карбида и других химических соединений применяется в атомных реакторах для регулирования реактивности, а также для биологической защиты от тепловых нейтронов. Кроме того, бор применяется в нейтрон-захватной терапии рака. Эффективность применения бора для указанных целей значительно повышается в случае повышения концентрации изотопа бор-10 (изотопного обогащения).
Известен способ получения карбида бора спеканием элементов (S. Т. Benton and R. David: ‘Methods for preparing boron carbide articles’, US patent no. 3914371, 1975). Способ может быть использован при получении изотопно-обогащенного карбида бора: как правило, используют элементный бор, полученный методом электролиза расплавленных солей (например, US 20100294670 А1). Недостатком способа является высокая стоимость используемого реагента - элементного бора. Еще одним недостатком способа является загрязнение материала примесями, вызванное высокой температурой проведения процесса: в случае метода горячего прессования 1800°C-2200°C.
Известен способ получения карбида бора, основанный на реакции карботермического восстановления борной кислоты или борного ангидрида (F. Schroll and A. Vogt: ‘Electrothermic production of boron carbide’ US patent no. 2163293, 1939). Синтез карбида бора протекает в дуге высокой интенсивности. Дуга постоянного тока протекает между графитовыми электродами. Недостатками способа являются высокая температура синтеза 2300-2500°C и значительные потери бора.
Известен еще один способ получения карбида бора, основанный на реакции карботермического восстановления борной кислоты графитом в печи Ачесона (R.R. Ridgway: ‘Boron carbide and the method of making the same’, US patent no. 1897214, 1933). Недостатками метода также являются высокая температура синтеза и потери бора.
Известен способ получения карбида бора, основанный на реакции карботермического восстановления оксида бора в газовой фазе (В.Z. Dacic, V. Jokanovic, В. Jokanovic and М.D. Dramicanin: ‘Thermodynamics of gas phase carbothermic reduction of boronanhydride’, J. Alloys Compd, 2006, 413, 198-205). К недостаткам метода относится высокая температура синтеза.
Известен способ получения карбида бора, основанный на реакции магний термического восстановления оксида бора в присутствии углерода (Е.G. Gray: ‘Process for the production of boron carbide’, US patent no. 2834651, 1958). К недостаткам метода следует отнести высокую температуру синтеза 1700°C и высокую стоимость магния.
Указанные выше методы относятся к типу «твердофазных». В то же время, если иметь в виду получение карбида бора, обогащенного изотопом бор-10, необходимо исходить из газообразного (летучего) соединения бора, для которого могут использоваться соответствующие известные способы изотопного обогащения (ректификация, центрифугирование). В этой связи представляют интерес методы получения карбида бора, основанные на химическом осаждении из газовой фазы.
Известен способ получения карбида бора химическим осаждением из газовой фазы, основанный на реакции между галогенидами бора и углеводородами в газовой фазе (US 3334967 A 1965). Осаждение карбида бора происходит на горячей подложке в температурном интервале 1800°C-2200°C и при давлении от 13 Па до 26,6 кПа. В качестве летучего углеводорода используется метан. Основным недостатком данного способа является высокая температура синтеза, приводящая к загрязнению карбида бора примесями. Другой недостаток способа связан с дополнительной сложностью аппаратного оформления процесса, проводимого при низком давлении.
Известен другой способ химического осаждения карбида бора из газовой фазы, основанный на реакции хлорида бора с метаном (Deshpande et al. Appl. Phys. Lett. 65 (14), 3 October 1994). В этом способе для активации реакции используется метод химического осаждения из газовой фазы с горячей нитью. Действие температуры подложки на примесный состав в этом методе сводится к минимуму. Недостатком метода, однако, остается ограничение на выбор летучего борсодержащего прекурсора и низкая производительность.
Известен еще способ химического осаждения карбида бора из газовой фазы, основанный на реакции хлорида бора с метаном в лазерном пучке (W.J. Lackey, D. Rosen, С.Е. Duty, D.L. Jean, S.N. Bondi and Т.N. Elkhatib: ‘Laser CVD system design operation, and modeling’, Ceram. Eng. Sci. Proa, 2002, 23, (4), 23-33). Недостатком метода является его сложное аппаратное оформление.
Наиболее близким к заявляемому способом получения карбида бора является восстановление галогенидов бора метаном в плазме высокочастотного разряда при атмосферном давлении (MacKinnon I.M. Wickens A.J. // Chem. and Ind. - 1973. - N 16. - P 800-801). Плазменная горелка представляла собой водоохлаждаемую кварцевую трубу. Максимальный выход хлорида бора в карбид бора составляет 95% и достигается при подаче BCl3 не более 20 л/мин, относительно высоком соотношении Н2:BCl3=8 и стехиометрическом соотношении между метаном и хлоридом СН4:BCl3=1:4. Мощность разряда составляла 30 кВт. Энерговклад при данных условиях на 1 моль газовой смеси составил 230 кДж/моль. Получаемый карбид представлял собой порошок со средним размером частиц 0,4 мкм. Недостатком способа является загрязнение целевого продукта примесями, поступающими из материала плазменной горелки, а также недолговременная работа плазменной горелки в результате использования водяного охлаждения.
Упомянутое решение взято в качестве прототипа.
В рассмотренных выше способах получения карбида бора химическим осаждением из газовой фазы в качестве исходного борсодержащего соединения применялся треххлористый бор. Для получения карбида бора, обогащенного изотопом бор-10, необходимо иметь треххлористый бор с соответствующей степенью обогащения. Известен метод его обогащения методом ректификации, который, однако, не позволяет достигать высоких степеней обогащения и характеризуется низкой производительностью. Применение для этого соединения центробежного метода обогащения может быть также недостаточно эффективным ввиду наличия у хлора нескольких изотопов. С другой стороны, наличие у бора химически устойчивого газообразного при обычных условиях фторида BF3 позволяет использовать для получения высоких концентраций изотопа бор-10 хорошо развитую «фторидную» технологию изотопного обогащения (фтор в отличие от хлора моноизотопен).
Однако способы синтеза карбида бора из фторида бора, в том числе изотопно-обогащенного в плазме высокочастотного разряда нам не были известны.
Задачей, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является разработка технологии прямого получения поликристаллического карбида бора, в том числе изотопно-обогащенного из его трифторида и метана плазмохимическим осаждением из газовой фазы. Другой задачей, на решение которой направлено изобретение, является снижение энергозатрат за счет создания высокочастотного разряда с достаточно высокой плотностью энергии, сохранение химической и изотопной чистоты получаемого поликристаллического карбида бора за счет того, что разряд локализован в объеме и не контактирует со стенками разрядной камеры, упрощение технологии синтеза карбида бора в том числе изотопно-обогащенного, а именно разработка плазмохимической технологии получения карбида бора при атмосферном давлении, что позволяет отказаться от применения дорогостоящего вакуумного оборудования.
Сущность изобретения заключается в том, что осаждение поликристаллического карбида бора ведут в высокочастотном разряде из водорода, фторида бора и метана на электродах, выполненных в виде подложек, контактирующих с концентрированной в малом объеме плазмой атмосферного давления. При этом разработаны условия осаждения поликристаллического карбида бора, а именно проведение процесса при давлении 70,7-100 кПа (0,7-1 атм), соотношении потоков H2:BF3 не менее 2,6 и BF3:CH4 от 5 до 6 и общей скорости потоков Н2, BF3 и СН4 - 1000 см3/мин. Мощность разряда составляет 500 Вт. Эти условия обеспечивают выход поликристаллического карбида бора 95% и энергозатраты, равные 10 кДж/моль.
Опытным путем было установлено, что при давлении менее 70,7 Па (0,7 атм) происходит снижение производительности образования карбида бора вследствие изменения условий существования разряда приблизительно в два раза. При давлении выше 100 кПа (1 атм) требуется увеличения подводимой к разряду мощности, что приводит к увеличению энергозатрат.
Опытным путем было установлено также, что проведение реакции при соотношении потоков Н2 и BF3 не менее 2,6 является оптимальным для максимально возможного выхода карбида бора (до 95%) и максимально возможной производительности способа (1 г/час). При соотношении потоков Н2 и менее 2,6 выход карбида бора снижается приблизительно в 2 раза, а при соотношении потоков Н2 и BF3 более 2,6 снижается производительность способа в два раза. Проведение реакции при соотношении потоков BF3 и СН4 менее 5 наблюдается образование свободного углерода в виде сажи, а при соотношении потоков BF3 и CH4 более 6 - резкое снижение выхода карбида бора.
Кроме того, опытным путем было установлено, что электроды, выполненные в виде подложек, образуют и удерживают в стационарном состоянии плазменный разряд атмосферного давления, который обеспечивает условия для образования поликристаллического карбида бора, в том числе обогащенного одним из изотопов бора, как на поверхности электродов в виде компактных поликристаллов. Опытным путем установлено, что температура электродов в процессе образования карбида бора составляет 800-1200°C. Ниже 800°C осаждения карбида бора на поверхности электродов не наблюдается. При температуре выше 1200°C происходит распыление осажденного материала с поверхности электрода.
Все упомянутые признаки являются существенными, так как каждый из них необходим, а вместе они достаточны для решения поставленной задачи - разработка технологии прямого получения поликристаллического карбида бора из его трифторида бора, в том числе обогащенного одним из изотопов бора, водорода и метана, плазмохимическим осаждением из газовой фазы. Для получения карбида бора, обогащенного изотопом бор-10, необходимо лишь заменить исходный фторид изотопно-обогащенным, предварительно пассивировав внутренние стенки аппаратуры этим газом во избежание изотопного разбавления.
Производительность предлагаемого способа составляет не менее 1 г/час и выход поликристаллического карбида бора 95% из его трифторида с энергозатратами 10 кДж/моль, в то время как в прототипе карбида бора природного состава получают из трихлорида бора с выходом 95% и энергозатраты составляют 230 кДж/моль.
В связи с вышеизложенным предлагаемую технологию можно рекомендовать для организации соответствующего производства.
Пример. Получение поликристаллического карбида бора природного изотопного состава. В реактор из кварцевого стекла помещаются соосные цилиндрические электроды сечением 10 мм на расстоянии 10 мм. Реактор откачивают до остаточного давления 0,1 Па, наполняют водородом и зажигают разряд. Подводимая мощность составляет 500 Вт. Образующаяся низкотемпературная плазма очищает внутреннюю поверхность реактора от влаги и других адсорбированных примесей. Затем, путем подачи водорода в реактор, разряд выводится на рабочее давление 100 кПа (атмосферное давление), после чего реализуют режим горения разряда в потоке водорода. При переходе к атмосферному давлению плазменный разряд сжимается и стабилизируется на концах электродов. После чего в реактор подают реакционную смесь - фторид бора, метан и водород в соотношении потоков водорода, фторида бора и метана 2,6:1,0:0,18 и общем расходе плазмообразующей смеси 500 см3/мин. Образование поликристаллического карбида бора происходит на нагретых до Т=900°C электродах, а также в объеме разряда. По окончании процесса синтеза в реактор подается инертный газ и гасится разряд. Реактор продувается потоком инертного газа, после чего открывается. Выгрузка образцов осуществляется в специально подготовленном боксе с инертной атмосферой. Скорость осаждения карбида бора составляет 1 г/ч. Содержание типичных примесей в полученном карбиде бора представлено в таблице 1.
Figure 00000001
Наряду с карбидом бора с бором природного изотопного состава таким образом можно получать и другие изотопные разновидности поликристаллического карбида бора.
Предложенный способ позволяет получать в непрерывном режиме изотопные модификации поликристаллического карбида бора в количестве, достаточном для их использования в вышеупомянутых областях науки и техники.

Claims (2)

1. Способ получения карбида бора плазмохимическим синтезом в высокочастотном разряде в реакторе, содержащем электроды, выполненные в виде подложек для осаждения карбида бора, при этом синтез проводят при мощности разряда 500 Вт в плазме атмосферного давления при подаче в реактор потоков водорода, фторида бора и метана при общей скорости потоков 1000 см3/мин и при соотношении потоков H2:BF3, равном 2,6, и соотношении потоков BF3:CH4, равном 5,5.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что температура электродов при осаждении карбида бора составляет 800-1200°C.
RU2016127322A 2016-07-06 2016-07-06 Способ получения карбида бора плазмохимическим методом RU2648421C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016127322A RU2648421C2 (ru) 2016-07-06 2016-07-06 Способ получения карбида бора плазмохимическим методом

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016127322A RU2648421C2 (ru) 2016-07-06 2016-07-06 Способ получения карбида бора плазмохимическим методом

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2016127322A RU2016127322A (ru) 2018-01-10
RU2648421C2 true RU2648421C2 (ru) 2018-03-26

Family

ID=60965264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016127322A RU2648421C2 (ru) 2016-07-06 2016-07-06 Способ получения карбида бора плазмохимическим методом

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2648421C2 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110092382A (zh) * 2018-01-28 2019-08-06 大连天宏硼业有限公司 一种碳化硼去除游离碳工艺

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4133689A (en) * 1975-12-03 1979-01-09 Ppg Industries, Inc. Submicron beta silicon carbide powder and sintered articles of high density prepared therefrom
US4295890A (en) * 1975-12-03 1981-10-20 Ppg Industries, Inc. Submicron beta silicon carbide powder and sintered articles of high density prepared therefrom
JPS6345111A (ja) * 1987-05-28 1988-02-26 Mitsui Toatsu Chem Inc 新規炭化ホウ素の製造法
US4895628A (en) * 1985-02-12 1990-01-23 The Dow Chemical Company Process for the preparation of submicron-sized boron carbide powders
JPH03215309A (ja) * 1990-01-16 1991-09-20 Rikagaku Kenkyusho 炭化ホウ素の微粒子製造方法
UA82066C2 (ru) * 2004-11-15 2008-03-11 Институт проблем материаловедения им. И.М. Францевича Способ получения мелкодисперсного порошка карбида бора
UA82800C2 (ru) * 2007-04-16 2008-05-12 Nat Metallurgical Academy Ukraine Способ получения карбида бора
US20080148905A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Cheng-Hung Hung Production of high purity ultrafine metal carbide particles
US20100003180A1 (en) * 2006-08-30 2010-01-07 Ppg Industries Ohio, Inc. Production of ultrafine boron carbide particles utilizing liquid feed materials
RU2550848C2 (ru) * 2013-04-01 2015-05-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет" Способ получения карбида бора
RU2576041C2 (ru) * 2013-12-20 2016-02-27 Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина" Способ получения полидисперсного порошка карбида бора

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4133689A (en) * 1975-12-03 1979-01-09 Ppg Industries, Inc. Submicron beta silicon carbide powder and sintered articles of high density prepared therefrom
US4295890A (en) * 1975-12-03 1981-10-20 Ppg Industries, Inc. Submicron beta silicon carbide powder and sintered articles of high density prepared therefrom
US4895628A (en) * 1985-02-12 1990-01-23 The Dow Chemical Company Process for the preparation of submicron-sized boron carbide powders
JPS6345111A (ja) * 1987-05-28 1988-02-26 Mitsui Toatsu Chem Inc 新規炭化ホウ素の製造法
JPH03215309A (ja) * 1990-01-16 1991-09-20 Rikagaku Kenkyusho 炭化ホウ素の微粒子製造方法
UA82066C2 (ru) * 2004-11-15 2008-03-11 Институт проблем материаловедения им. И.М. Францевича Способ получения мелкодисперсного порошка карбида бора
US20100003180A1 (en) * 2006-08-30 2010-01-07 Ppg Industries Ohio, Inc. Production of ultrafine boron carbide particles utilizing liquid feed materials
US20080148905A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Cheng-Hung Hung Production of high purity ultrafine metal carbide particles
UA82800C2 (ru) * 2007-04-16 2008-05-12 Nat Metallurgical Academy Ukraine Способ получения карбида бора
RU2550848C2 (ru) * 2013-04-01 2015-05-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет" Способ получения карбида бора
RU2576041C2 (ru) * 2013-12-20 2016-02-27 Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина" Способ получения полидисперсного порошка карбида бора

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Рахматуллин И.А. Получение ультрадисперсного карбида бора в сверхзвуковой струе электроразрядной плазмы. Дисс. на соиск. уч. степ. канд. тех. наук, Томск, 2015, гл. 3. *

Also Published As

Publication number Publication date
RU2016127322A (ru) 2018-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11072533B2 (en) Manufacture of tungsten monocarbide (WC) spherical powder
EP3106430B1 (en) Spherical boron nitride particles and production method thereof
Elagin et al. Aluminum nitride. Preparation methods
EP0209298A2 (en) Process for the preparation of submicron-sized titanium diboride powders
US11685664B2 (en) Method for producing tetrahydroborate and tetrahydroborate
JPS6330062B2 (ru)
US9862612B2 (en) Method for producing silicon metal and porous carbon
US20220204353A1 (en) Method for Synthesizing Ammonia, and Apparatus for Said Method
Zhou et al. A review on the methods of preparation of elemental boron
JPH01164795A (ja) ダイヤモンド粒子の合成方法
RU2648421C2 (ru) Способ получения карбида бора плазмохимическим методом
Liang et al. Low temperature synthesis of LiSi 2 N 3 nanobelts via molten salt nitridation and their photoluminescence properties
NO751762L (ru)
US20120063983A1 (en) Method for Synthesis of Boron Nitride Nanopowder
EP1848662A1 (en) Process for producing fluorine gas
Harbuck et al. Gas-phase production of titanium nitride and carbide powders
RU2593061C1 (ru) Способ получения ультрадисперсных порошков титана
Ikawa Vapor deposition of zirconium carbide-carbon composites by the iodide process
US11753306B2 (en) Preparation of metal diboride and boron-doped powders
HUT52738A (en) Process for production of betha silicium carbide
RU2327639C2 (ru) Способ получения кремния высокой чистоты
Lu et al. Production of fine titanium powder from titanium sponge by the shuttle of the disproportionation reaction in molten NaCl–KCl
Bao Low temperature synthesis of boron-based materials in molten salts
RU2811828C1 (ru) Способ получения нанодисперсного изотопно-модифицированного борида молибдена
RU2359905C1 (ru) Способ получения шихты для производства карбидокремниевой керамики твердофазным спеканием