RU2016127322A - Способ получения карбида бора плазмохимическим методом - Google Patents
Способ получения карбида бора плазмохимическим методом Download PDFInfo
- Publication number
- RU2016127322A RU2016127322A RU2016127322A RU2016127322A RU2016127322A RU 2016127322 A RU2016127322 A RU 2016127322A RU 2016127322 A RU2016127322 A RU 2016127322A RU 2016127322 A RU2016127322 A RU 2016127322A RU 2016127322 A RU2016127322 A RU 2016127322A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- boron carbide
- plasma
- producing boron
- chemical
- deposition
- Prior art date
Links
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 title claims 4
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 4
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims 2
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/991—Boron carbide
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Claims (2)
1. Способ получения карбида бора плазмохимическим синтезом в высокочастотном разряде в реакторе, содержащем электроды, выполненные в виде подложек для осаждения карбида бора, при этом синтез проводят при мощности разряда 500 Вт в плазме атмосферного давления при подаче в реактор потоков водорода, фторида бора и метана при общей скорости потоков 1000 см3/мин и при соотношении потоков H2:BF3, равном 2,6, и соотношении потоков BF3:CH4, равном 5,5.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что температура электродов при осаждении карбида бора составляет 800-1200°C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016127322A RU2648421C2 (ru) | 2016-07-06 | 2016-07-06 | Способ получения карбида бора плазмохимическим методом |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016127322A RU2648421C2 (ru) | 2016-07-06 | 2016-07-06 | Способ получения карбида бора плазмохимическим методом |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2016127322A true RU2016127322A (ru) | 2018-01-10 |
| RU2648421C2 RU2648421C2 (ru) | 2018-03-26 |
Family
ID=60965264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016127322A RU2648421C2 (ru) | 2016-07-06 | 2016-07-06 | Способ получения карбида бора плазмохимическим методом |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2648421C2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110092382A (zh) * | 2018-01-28 | 2019-08-06 | 大连天宏硼业有限公司 | 一种碳化硼去除游离碳工艺 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4295890A (en) * | 1975-12-03 | 1981-10-20 | Ppg Industries, Inc. | Submicron beta silicon carbide powder and sintered articles of high density prepared therefrom |
| CA1236853A (en) * | 1975-12-03 | 1988-05-17 | Frederick G. Stroke | SUBMICRON .beta. SILICON CARBIDE POWDER AND SINTERED ARTICLES OF HIGH DENSITY PREPARED THEREFROM |
| US4895628A (en) * | 1985-02-12 | 1990-01-23 | The Dow Chemical Company | Process for the preparation of submicron-sized boron carbide powders |
| JPS6345111A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-02-26 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 新規炭化ホウ素の製造法 |
| JP2561866B2 (ja) * | 1990-01-16 | 1996-12-11 | 理化学研究所 | 炭化ホウ素の微粒子製造方法 |
| UA82066C2 (ru) * | 2004-11-15 | 2008-03-11 | Институт проблем материаловедения им. И.М. Францевича | Способ получения мелкодисперсного порошка карбида бора |
| US7635458B1 (en) * | 2006-08-30 | 2009-12-22 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Production of ultrafine boron carbide particles utilizing liquid feed materials |
| US7438880B2 (en) * | 2006-12-20 | 2008-10-21 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Production of high purity ultrafine metal carbide particles |
| UA82800C2 (ru) * | 2007-04-16 | 2008-05-12 | Nat Metallurgical Academy Ukraine | Способ получения карбида бора |
| RU2550848C2 (ru) * | 2013-04-01 | 2015-05-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет" | Способ получения карбида бора |
| RU2576041C2 (ru) * | 2013-12-20 | 2016-02-27 | Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина" | Способ получения полидисперсного порошка карбида бора |
-
2016
- 2016-07-06 RU RU2016127322A patent/RU2648421C2/ru active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110092382A (zh) * | 2018-01-28 | 2019-08-06 | 大连天宏硼业有限公司 | 一种碳化硼去除游离碳工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2648421C2 (ru) | 2018-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MX2016009778A (es) | Soplete de plasma. | |
| RU2016148886A (ru) | Свч-плазменный реактор для изготовления синтетического алмазного материала | |
| JP2010209330A5 (ru) | ||
| SG196762A1 (en) | High pressure, high power plasma activated conformal film deposition | |
| WO2012112584A3 (en) | Atomic layer deposition using radicals of gas mixture | |
| GB2548501A (en) | Highly twinned, oriented polycrystalline diamond film and method of manufacture thereof | |
| GB201205801D0 (en) | Process | |
| JP2013229608A5 (ru) | ||
| JP2020507922A5 (ru) | ||
| GB201019967D0 (en) | Low work function diamond surface and radiation energy converters using same | |
| JP2015512858A5 (ru) | ||
| EP3061845A3 (en) | Metal organic chemical vapor deposition apparatus for solar cell | |
| JP2012182447A5 (ja) | 半導体膜の作製方法 | |
| RU2011144413A (ru) | Способ получения графеновой пленки | |
| PH12018500025A1 (en) | Method for producing cobalt powder | |
| SG10201909284PA (en) | Residue free oxide etch | |
| RU2016127322A (ru) | Способ получения карбида бора плазмохимическим методом | |
| JP2016082010A5 (ru) | ||
| MX2016001066A (es) | Metodos y sistemas para generar especies de fluoruro reactivas a partir de un precursor gaseoso en una formacion subterranea para su estimulacion. | |
| MY171867A (en) | Polycrystalline silicon deposition method | |
| MX2017000426A (es) | Metodo para producir fluoruro de hidrogeno. | |
| JP2011109076A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| RU2012135387A (ru) | Способ микроволновой конверсии метан-водяной смеси в синтез-газ | |
| RU2012153091A (ru) | Способ осаждения нитрида кремния на кремниевую подложку | |
| CN106087039A (zh) | 一种碳化硅外延炉的配件处理方法 |