UA7501A1 - Спосіб формування контактів до приладів на гарячих електронах на основі напівпровідників типу а в - Google Patents

Спосіб формування контактів до приладів на гарячих електронах на основі напівпровідників типу а в

Info

Publication number
UA7501A1
UA7501A1 UA4715623A UA4715623A UA7501A1 UA 7501 A1 UA7501 A1 UA 7501A1 UA 4715623 A UA4715623 A UA 4715623A UA 4715623 A UA4715623 A UA 4715623A UA 7501 A1 UA7501 A1 UA 7501A1
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
temperature
semiconductors
contacts
formation
devices
Prior art date
Application number
UA4715623A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Inventor
Володимир Миколайович Іванов
Владимир Николаевич Иванов
Леонід Євгенійович Коваленко
Леонид Евгеньевич Коваленко
Василь Захарович Скакун
Василий Захарович Скакун
Original Assignee
Науково-Дослідний Інститут "Оріон"
Научно-Исследовательский Институт "Орион"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Науково-Дослідний Інститут "Оріон", Научно-Исследовательский Институт "Орион" filed Critical Науково-Дослідний Інститут "Оріон"
Priority to UA4715623A priority Critical patent/UA7501A1/uk
Publication of UA7501A1 publication Critical patent/UA7501A1/uk

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

Спосіб включає очищення поверхні напівпровідника за допомогою імпульсної фотонної обробки, формування контактного, бар’єрного та технологічного шарів та термообробку при температурі вищої за точку плавлення контактного шару, які проводяться в єдиному технологічному циклі. Бар'єрний шар формують шляхом послідовного нанесення його товщиною 20 - 50 нм, термообробки при температурі на 50 - 150 К вищої за температуру плавлення контактного шару не меншого 60 с, доопилення до товщини 100 - 200 нм при температурі підкладки при доопиленні на 150 -250 К вищої за температуру плавлення контактного шару.
UA4715623A 1989-07-10 1989-07-10 Спосіб формування контактів до приладів на гарячих електронах на основі напівпровідників типу а в UA7501A1 (uk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA4715623A UA7501A1 (uk) 1989-07-10 1989-07-10 Спосіб формування контактів до приладів на гарячих електронах на основі напівпровідників типу а в

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA4715623A UA7501A1 (uk) 1989-07-10 1989-07-10 Спосіб формування контактів до приладів на гарячих електронах на основі напівпровідників типу а в

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA7501A1 true UA7501A1 (uk) 1995-09-29

Family

ID=74556556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UA4715623A UA7501A1 (uk) 1989-07-10 1989-07-10 Спосіб формування контактів до приладів на гарячих електронах на основі напівпровідників типу а в

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA7501A1 (uk)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0299087B1 (en) Semiconductor device and method of fabricating the same
FR2413791A1 (fr) Fabrication de piles solaires
JPS5599722A (en) Preparation of semiconductor device
UA7501A1 (uk) Спосіб формування контактів до приладів на гарячих електронах на основі напівпровідників типу а в
TW345743B (en) Method for forming side contact of semiconductor device
ATE19712T1 (de) Verfahren zum herstellen einer isolierschicht zwischen metallisierungsebenen von integrierten halbleiterschaltungen.
MY121209A (en) Semiconductor device and production thereof.
JPS57207377A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5331964A (en) Production of semiconductor substrates
JPS5764927A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS6468976A (en) Manufacture of semiconductor radiation detector
TW324836B (en) The manufacturing process of self-aligned silicide, CMP, self-aligned silicide semiconductor
SE8008879L (sv) Halvledaranordning
JPS5629383A (en) Manufacture of tunnel-junction type josephson element
JPS6482548A (en) Formation of interconnection pattern
JP2688369B2 (ja) ジョセフソン接合素子の製造方法
JPS524170A (en) Manufacturing process of semiconductor element
JPS5234685A (en) Semiconductor luminous element and its manufacturing process
JPS647518A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS6410667A (en) Manufacture of bipolar transistor
JPS57199251A (en) Semiconductor device
EP0402128A3 (en) Method of forming an oxide superconductor/semiconductor junction
KR970052829A (ko) 반도체 소자의 금속층간 절연막 제조 방법
JPS5740980A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5567153A (en) Preparation of semiconductor device