UA7501A1 - Спосіб формування контактів до приладів на гарячих електронах на основі напівпровідників типу а в - Google Patents
Спосіб формування контактів до приладів на гарячих електронах на основі напівпровідників типу а вInfo
- Publication number
- UA7501A1 UA7501A1 UA4715623A UA4715623A UA7501A1 UA 7501 A1 UA7501 A1 UA 7501A1 UA 4715623 A UA4715623 A UA 4715623A UA 4715623 A UA4715623 A UA 4715623A UA 7501 A1 UA7501 A1 UA 7501A1
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- temperature
- semiconductors
- contacts
- formation
- devices
- Prior art date
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Спосіб включає очищення поверхні напівпровідника за допомогою імпульсної фотонної обробки, формування контактного, бар’єрного та технологічного шарів та термообробку при температурі вищої за точку плавлення контактного шару, які проводяться в єдиному технологічному циклі. Бар'єрний шар формують шляхом послідовного нанесення його товщиною 20 - 50 нм, термообробки при температурі на 50 - 150 К вищої за температуру плавлення контактного шару не меншого 60 с, доопилення до товщини 100 - 200 нм при температурі підкладки при доопиленні на 150 -250 К вищої за температуру плавлення контактного шару.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
UA4715623A UA7501A1 (uk) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | Спосіб формування контактів до приладів на гарячих електронах на основі напівпровідників типу а в |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
UA4715623A UA7501A1 (uk) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | Спосіб формування контактів до приладів на гарячих електронах на основі напівпровідників типу а в |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
UA7501A1 true UA7501A1 (uk) | 1995-09-29 |
Family
ID=74556556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
UA4715623A UA7501A1 (uk) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | Спосіб формування контактів до приладів на гарячих електронах на основі напівпровідників типу а в |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
UA (1) | UA7501A1 (uk) |
-
1989
- 1989-07-10 UA UA4715623A patent/UA7501A1/uk unknown
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0299087B1 (en) | Semiconductor device and method of fabricating the same | |
FR2413791A1 (fr) | Fabrication de piles solaires | |
JPS5599722A (en) | Preparation of semiconductor device | |
UA7501A1 (uk) | Спосіб формування контактів до приладів на гарячих електронах на основі напівпровідників типу а в | |
TW345743B (en) | Method for forming side contact of semiconductor device | |
ATE19712T1 (de) | Verfahren zum herstellen einer isolierschicht zwischen metallisierungsebenen von integrierten halbleiterschaltungen. | |
MY121209A (en) | Semiconductor device and production thereof. | |
JPS57207377A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS5331964A (en) | Production of semiconductor substrates | |
JPS5764927A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS6468976A (en) | Manufacture of semiconductor radiation detector | |
TW324836B (en) | The manufacturing process of self-aligned silicide, CMP, self-aligned silicide semiconductor | |
SE8008879L (sv) | Halvledaranordning | |
JPS5629383A (en) | Manufacture of tunnel-junction type josephson element | |
JPS6482548A (en) | Formation of interconnection pattern | |
JP2688369B2 (ja) | ジョセフソン接合素子の製造方法 | |
JPS524170A (en) | Manufacturing process of semiconductor element | |
JPS5234685A (en) | Semiconductor luminous element and its manufacturing process | |
JPS647518A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS6410667A (en) | Manufacture of bipolar transistor | |
JPS57199251A (en) | Semiconductor device | |
EP0402128A3 (en) | Method of forming an oxide superconductor/semiconductor junction | |
KR970052829A (ko) | 반도체 소자의 금속층간 절연막 제조 방법 | |
JPS5740980A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS5567153A (en) | Preparation of semiconductor device |