UA42887C2 - Схема керування для енергонезалежного напівпровідникового запам'ятовуючого пристрою - Google Patents

Схема керування для енергонезалежного напівпровідникового запам'ятовуючого пристрою

Info

Publication number
UA42887C2
UA42887C2 UA99126788A UA99126788A UA42887C2 UA 42887 C2 UA42887 C2 UA 42887C2 UA 99126788 A UA99126788 A UA 99126788A UA 99126788 A UA99126788 A UA 99126788A UA 42887 C2 UA42887 C2 UA 42887C2
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
nmoh
circuit
transistor
nonvolatile semiconductor
output
Prior art date
Application number
UA99126788A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Inventor
Томас Цеттлер
Original Assignee
Інфінеон Текнолоджіс Аг
Инфинеон Текнолоджис Аг
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Інфінеон Текнолоджіс Аг, Инфинеон Текнолоджис Аг filed Critical Інфінеон Текнолоджіс Аг
Publication of UA42887C2 publication Critical patent/UA42887C2/uk

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits

Abstract

Винахід стосується схеми керування для енергонезалежного напівпровідникового запам'ятовуючого пристрою. Схема управління для енергонезалежного напівпровідникового запам'ятовуючого пристрою (ЗП) містить схему (10) перетворення рівнів, що подає вихідне значення (В) і комплементарне до нього вихідне значення (ВН) на розрядну шину та/або шину слів напівпровідникового ЗП, причому між схемою (12) введення даних і схемою (10) перетворення рівнів вона містить схему-защіпку (11) для проміжного запам'ятовування даних, що підлягають запису у напівпровідниковий ЗП. Схема (12) введення даних складається із першого nМОН-транзистора, ввімкненого своїм каналом витік-стік між входом даних (ДАНІ) і першим виходом даних, і ввімкнених між масою і другим виходом даних, послідовно з'єднаних між собою другого і третього nМОН-транзисторів (nТ2, nТЗ), причому затвор другого nМОН-транзистора (nТ2) з'єднаний із затвором першого nМОН-транзистора (nТ1), а затвор третього nМОН-транзистора (nТЗ) з'єднаний з витоком (стоком) першого nМОН-транзистора (nТ1).
UA99126788A 1997-06-13 1998-06-08 Схема керування для енергонезалежного напівпровідникового запам'ятовуючого пристрою UA42887C2 (uk)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19725181A DE19725181A1 (de) 1997-06-13 1997-06-13 Ansteuerschaltung für nichtflüchtige Halbleiter-Speicheranordnung
PCT/DE1998/001560 WO1998058384A1 (de) 1997-06-13 1998-06-08 Ansteuerschaltung für nichtflüchtige halbleiter-speicheranordnung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA42887C2 true UA42887C2 (uk) 2001-11-15

Family

ID=7832475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UA99126788A UA42887C2 (uk) 1997-06-13 1998-06-08 Схема керування для енергонезалежного напівпровідникового запам'ятовуючого пристрою

Country Status (12)

Country Link
US (1) US6137315A (uk)
EP (1) EP0988633B1 (uk)
JP (1) JP3399547B2 (uk)
KR (1) KR20010013737A (uk)
CN (1) CN1124617C (uk)
AT (1) ATE201112T1 (uk)
BR (1) BR9810100A (uk)
DE (2) DE19725181A1 (uk)
ES (1) ES2157666T3 (uk)
RU (1) RU2221286C2 (uk)
UA (1) UA42887C2 (uk)
WO (1) WO1998058384A1 (uk)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19921868C2 (de) * 1999-05-11 2001-03-15 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Kontrolle von Zuständen einer Speichereinrichtung
US7440311B2 (en) * 2006-09-28 2008-10-21 Novelics, Llc Single-poly non-volatile memory cell
US7554860B1 (en) 2007-09-21 2009-06-30 Actel Corporation Nonvolatile memory integrated circuit having assembly buffer and bit-line driver, and method of operation thereof
EP2226788A4 (en) 2007-12-28 2012-07-25 Sharp Kk DISPLAY CONTROL, DISPLAY ARRANGEMENT AND DISPLAY CONTROL PROCEDURE
CN101849358A (zh) 2007-12-28 2010-09-29 夏普株式会社 半导体装置和显示装置
BRPI0819443A2 (pt) 2007-12-28 2015-05-05 Sharp Kk Circuito de acionamento da linha de capacitor de armazenamento e dispositivo de display
WO2009084272A1 (ja) 2007-12-28 2009-07-09 Sharp Kabushiki Kaisha 半導体装置及び表示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4599707A (en) * 1984-03-01 1986-07-08 Signetics Corporation Byte wide EEPROM with individual write circuits and write prevention means
US4716312A (en) * 1985-05-07 1987-12-29 California Institute Of Technology CMOS logic circuit
US4654547A (en) * 1985-06-28 1987-03-31 Itt Corporation Balanced enhancement/depletion mode gallium arsenide buffer/comparator circuit
FR2604554B1 (fr) * 1986-09-30 1988-11-10 Eurotechnique Sa Dispositif de securite pourla programmation d'une memoire non volatile programmable electriquement
JP2773786B2 (ja) * 1991-02-15 1998-07-09 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 書き込み電圧発生回路
JP3173247B2 (ja) * 1993-09-29 2001-06-04 ソニー株式会社 レベルシフタ
US5682345A (en) * 1995-07-28 1997-10-28 Micron Quantum Devices, Inc. Non-volatile data storage unit method of controlling same
JP3404712B2 (ja) * 1996-05-15 2003-05-12 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE19725181A1 (de) 1999-02-25
JP2001505350A (ja) 2001-04-17
US6137315A (en) 2000-10-24
CN1124617C (zh) 2003-10-15
ES2157666T3 (es) 2001-08-16
ATE201112T1 (de) 2001-05-15
EP0988633A1 (de) 2000-03-29
DE59800692D1 (de) 2001-06-13
CN1260901A (zh) 2000-07-19
RU2221286C2 (ru) 2004-01-10
KR20010013737A (ko) 2001-02-26
BR9810100A (pt) 2000-08-08
EP0988633B1 (de) 2001-05-09
JP3399547B2 (ja) 2003-04-21
WO1998058384A1 (de) 1998-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW325535B (en) Memory system and data transfer method
TW337018B (en) Semiconductor nonvolatile memory device
TW337046B (en) Semiconductor memory and the memory system
TW328598B (en) Non-volatile memory device and refreshing method
KR930018594A (ko) 반도체 기억 장치
WO2003025939A3 (en) Dynamic column block selection
JPH0256757B2 (uk)
KR960008824B1 (en) Multi bit test circuit and method of semiconductor memory device
ATE223105T1 (de) Mehrpegeldaten durch eine einzige eingangs- /ausgangspinne
EP0986066A3 (en) Ferroelectric memory and method of testing the same
UA42887C2 (uk) Схема керування для енергонезалежного напівпровідникового запам'ятовуючого пристрою
TW363189B (en) Semiconductor non-volatile memory apparatus and the computer system to make use of the apparatus
TW329050B (en) Non-Volatile Semiconductor Memory, and Method of Writing into the Same
TW326536B (en) Single-chip memory system having a page access mode
TW428101B (en) Synchronous semiconductor memory apparatus
BR9507465A (pt) Processo e dispositivo de circuito para controlar que uma informação digital que é inserida em e armazenada dentro de uma memória principal seja corretamente lida-emitida
KR950020127A (ko) 반도체 기억 회로 제어 방법
TW328596B (en) Semiconductor device having memorizing function and data reading method thereof
WO2002095592A3 (en) Method and apparatus to provide real-time access to flash memory features
KR960025787A (ko) 플래쉬 메모리 장치
WO2001075623A3 (en) Zero-latency-zero bus turnaround synchronous flash memory
KR960035285A (ko) 시리얼 억세스 메모리 제어 회로
EP0496002A4 (en) Register circuit
KR100222574B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 어드레스 버퍼회로
TW364271B (en) Memory circuit