UA42048C2 - Мон-пристрій включення високих напруг на напівпровідниковій інтегральній схемі - Google Patents
Мон-пристрій включення високих напруг на напівпровідниковій інтегральній схеміInfo
- Publication number
- UA42048C2 UA42048C2 UA97073951A UA97073951A UA42048C2 UA 42048 C2 UA42048 C2 UA 42048C2 UA 97073951 A UA97073951 A UA 97073951A UA 97073951 A UA97073951 A UA 97073951A UA 42048 C2 UA42048 C2 UA 42048C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- connector
- transistor
- transistors
- connection
- gate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/143—Detection of memory cassette insertion or removal; Continuity checks of supply or ground lines; Detection of supply variations, interruptions or levels ; Switching between alternative supplies
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/12—Programming voltage switching circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
- H03K17/102—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/693—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/356—Bistable circuits
- H03K3/356017—Bistable circuits using additional transistors in the input circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/356—Bistable circuits
- H03K3/356104—Bistable circuits using complementary field-effect transistors
- H03K3/356113—Bistable circuits using complementary field-effect transistors using additional transistors in the input circuit
- H03K3/356147—Bistable circuits using complementary field-effect transistors using additional transistors in the input circuit using pass gates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
МОН-пристрій включення високих напруг на напівпровідниковій інтегральній схемі, причому він містить перший транзистор, що розташований послідовно з другим транзистором між першим виводом для позитивних напруг і другим виводом для високої негативної напруги, третій транзистор, що розташований послідовно з четвертим транзистором між першим виводом та другим виводом, причому перший і третій транзистори з'єднані безпосередньо з першим виводом, виводи затворів другого і четвертого транзисторів з'єднані з другим виводом, вивід затвора першого транзистора з'єднаний з точкою, що утворює вихідний вивід з'єднання третього та четвертого транзисторів, вивід затвора третього транзистора з'єднаний з точкою з'єднання першого і другого транзисторів, причому п'ятий транзистор своєю навантажувальною ділянкою включений паралельно навантажувальній ділянці першого транзистора і вивід затвора цього п'ятого транзистора утворює керувальний вивід для вхідного сигналу, причому виконані в n-ванні транзистори та підкладка є р – провідними, причому транзистори мають такі параметри, що при подаванні позитивної напруги на перший вивід, негативної напруги на другий вивід та позитивної напруги на керувальний вивід спочатку точка з'єднання між першим та другим транзисторами підтягується до другого виводу.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19502116A DE19502116C2 (de) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | MOS-Schaltungsanordnung zum Schalten hoher Spannungen auf einem Halbleiterchip |
PCT/DE1995/001875 WO1996023356A1 (de) | 1995-01-24 | 1995-12-29 | Mos-schaltungsanordnung zum schalten hoher spannungen auf einem halbleiterchip |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
UA42048C2 true UA42048C2 (uk) | 2001-10-15 |
Family
ID=7752210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
UA97073951A UA42048C2 (uk) | 1995-01-24 | 1995-12-29 | Мон-пристрій включення високих напруг на напівпровідниковій інтегральній схемі |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5925905A (uk) |
EP (1) | EP0806083B1 (uk) |
JP (1) | JP2950999B2 (uk) |
KR (1) | KR100358255B1 (uk) |
CN (1) | CN1096146C (uk) |
AT (1) | ATE172068T1 (uk) |
DE (2) | DE19502116C2 (uk) |
ES (1) | ES2123300T3 (uk) |
IN (1) | IN186226B (uk) |
RU (1) | RU2137294C1 (uk) |
UA (1) | UA42048C2 (uk) |
WO (1) | WO1996023356A1 (uk) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2776144B1 (fr) * | 1998-03-13 | 2000-07-13 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit de commutation de signaux analogiques d'amplitudes superieures a la tension d'alimentation |
US6288603B1 (en) | 2000-06-16 | 2001-09-11 | Stmicroelectronics S.R.L. | High-voltage bidirectional switch made using high-voltage MOS transistors |
KR100393201B1 (ko) * | 2001-04-16 | 2003-07-31 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 낮은 온 저항과 높은 브레이크다운 전압을 갖는 고전압수평형 디모스 트랜지스터 |
KR100413590B1 (ko) * | 2001-10-16 | 2004-01-07 | 월드탑텍(주) | 소스전압 극성절환장치 |
JP3928938B2 (ja) * | 2002-05-28 | 2007-06-13 | シャープ株式会社 | 電圧変換回路および半導体装置 |
DE10246083B3 (de) * | 2002-09-27 | 2004-03-04 | Alpha Microelectronics Gmbh | Schaltungsanordnung zur Überbrückung hoher Spannungen mit einem Schaltsignal |
US6914791B1 (en) | 2002-11-06 | 2005-07-05 | Halo Lsi, Inc. | High efficiency triple well charge pump circuit |
US7829928B2 (en) * | 2006-06-26 | 2010-11-09 | System General Corp. | Semiconductor structure of a high side driver and method for manufacturing the same |
US8723578B1 (en) | 2012-12-14 | 2014-05-13 | Palo Alto Research Center Incorporated | Pulse generator circuit |
US9793881B2 (en) * | 2013-08-05 | 2017-10-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flip-flop with zero-delay bypass mux |
CN104579256B (zh) * | 2014-12-23 | 2017-05-24 | 昆山锐芯微电子有限公司 | 电平切换电路和电平切换装置 |
RU2601172C2 (ru) * | 2015-04-03 | 2016-10-27 | Акционерное Общество "Научно-Исследовательский Институт Микроэлектронной Аппаратуры "Прогресс" | Переключатель с высокой изоляцией |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1236069A (en) * | 1967-11-06 | 1971-06-16 | Hitachi Ltd | A bistable driving circuit |
US5077691A (en) * | 1989-10-23 | 1991-12-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Flash EEPROM array with negative gate voltage erase operation |
IT1239781B (it) * | 1990-05-08 | 1993-11-15 | Texas Instruments Italia Spa | Circuito e metodo per commutare selettivamente tensioni negative in circuiti integrati cmos |
JP2905666B2 (ja) * | 1992-05-25 | 1999-06-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置における内部電圧発生回路および不揮発性半導体記憶装置 |
US5335200A (en) * | 1993-01-05 | 1994-08-02 | Texas Instruments Incorporated | High voltage negative charge pump with low voltage CMOS transistors |
-
1995
- 1995-01-24 DE DE19502116A patent/DE19502116C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-12-26 IN IN1725CA1995 patent/IN186226B/en unknown
- 1995-12-29 JP JP8522534A patent/JP2950999B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-12-29 AT AT95942654T patent/ATE172068T1/de not_active IP Right Cessation
- 1995-12-29 EP EP95942654A patent/EP0806083B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-29 WO PCT/DE1995/001875 patent/WO1996023356A1/de active IP Right Grant
- 1995-12-29 CN CN95197783A patent/CN1096146C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-29 DE DE59503885T patent/DE59503885D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-29 KR KR1019970704993A patent/KR100358255B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-12-29 UA UA97073951A patent/UA42048C2/uk unknown
- 1995-12-29 ES ES95942654T patent/ES2123300T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-29 RU RU97114100A patent/RU2137294C1/ru not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-07-24 US US08/899,746 patent/US5925905A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0806083A1 (de) | 1997-11-12 |
KR19980701601A (ko) | 1998-05-15 |
US5925905A (en) | 1999-07-20 |
EP0806083B1 (de) | 1998-10-07 |
RU2137294C1 (ru) | 1999-09-10 |
ES2123300T3 (es) | 1999-01-01 |
IN186226B (uk) | 2001-07-14 |
JP2950999B2 (ja) | 1999-09-20 |
DE19502116C2 (de) | 1998-07-23 |
JPH10502786A (ja) | 1998-03-10 |
DE19502116A1 (de) | 1996-08-08 |
ATE172068T1 (de) | 1998-10-15 |
KR100358255B1 (ko) | 2003-01-15 |
DE59503885D1 (de) | 1998-11-12 |
CN1178040A (zh) | 1998-04-01 |
WO1996023356A1 (de) | 1996-08-01 |
CN1096146C (zh) | 2002-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4633106A (en) | MOS bootstrap push-pull stage | |
TW326109B (en) | Electric potential transfer semiconductor device | |
TW328641B (en) | Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same | |
EP1315169A3 (en) | Booster circuit for semiconductor device | |
IE811405L (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JPS55136726A (en) | High voltage mos inverter and its drive method | |
UA42048C2 (uk) | Мон-пристрій включення високих напруг на напівпровідниковій інтегральній схемі | |
EP1239591A3 (en) | Input circuit for an integrated circuit | |
TW325599B (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
RU95122707A (ru) | Усилитель для радиотелефона | |
US3991326A (en) | MISFET switching circuit for a high withstand voltage | |
WO1996016432A3 (en) | Channel or source/drain structure of mosfet and method for fabricating the same | |
KR890009000A (ko) | 디지탈 집적 회로 | |
JPS54148469A (en) | Complementary mos inverter circuit device and its manufacture | |
TW334627B (en) | Semiconductor integrated circuit | |
EP0377959A3 (en) | A method of driving a charge detection circuit | |
GB1204743A (en) | Integrated circuit amplifier | |
TW356621B (en) | Integrated circuit device having a biag circuit for an enhancement transistor circuit | |
US20040056305A1 (en) | Double gate transistor for low power circuits | |
TW348310B (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JPS57203334A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JPS5610958A (en) | Semiconductor circuit | |
JPH01276915A (ja) | 論理回路 | |
KR890001283A (ko) | 발생기 회로 | |
JPS5667962A (en) | Gate protection circuit of mos field effect transistor |