TWM643781U

TWM643781U - 增層電路板

Info

Publication number: TWM643781U
Application number: TW112202354U
Authority: TW
Inventors: 李家銘
Original assignee: 李蕙如
Priority date: 2023-03-16
Filing date: 2023-03-16
Publication date: 2023-07-11

Abstract

一種增層電路板，包括：一基底層，該基底層具有多個定位靶通孔；一基底電路層，形成於該基底層上；一絕緣膠層，接觸該基底電路層並具有多個分別在一厚度方向上對應於該些定位靶通孔的絕緣膠靶窗，該些絕緣膠靶窗的輪廓分別大於其所對應的定位靶通孔的輪廓；以及一增層電路層，是由一銅箔層、一化鍍銅層及一電鍍銅層組成並設於該絕緣膠層上，該銅箔層具有多個分別在該厚度方向上對應於該些定位靶通孔的銅箔靶窗，該些銅箔靶窗的輪廓分別大於其所對應的定位靶通孔的輪廓，且該化鍍銅層及該電鍍銅層均未遮蔽該些銅箔靶窗及絕緣膠靶窗。

Description

增層電路板

本新型是關於一種電路板。

電路板製程中，為了確保導通孔及電路圖形化的精準度，會在電路板鑽設多個定位孔以利機器視覺定位電路板的位置。現有技術的定位孔長期存在著「層誤差」的問題，這是因為，電路板製程中包括多次增層製程，每完成一次增層製程，就會在最頂層再次鑽設定位孔；然而，最頂層的定位孔與前一層的定位孔無可避免地會因鑽孔設備、X光定位設備的機械公差而無法完全對齊，亦即，現有技術無法確保不同層的定位孔的位置毫無誤差，從而產生了定位孔的「層誤差」，而一旦原本用來做為機器視覺定位用的定位孔本身都存在誤差，那麼以此為定位基準的導通孔的形成、電路圖形化處理也必然存在誤差。電路板所具有的層數越多，所累積的層誤差也會越大。現有技術的層誤差問題對電路板製程的精度與良率造成了不利的影響。

有鑑於此，本新型之主要目的在於提供一種能避免層誤差的增層電路板。

為了達成上述的目的，本新型提供一種具有較佳定位精度的增層電路板，包括：一基底層，該基底層具有多個定位靶通孔；一基底電路層，形成於該基底層上；一絕緣膠層，接觸該基底電路層並具有多個分別在一厚度方向上對應於該些定位靶通孔的絕緣膠靶窗，該些絕緣膠靶窗的輪廓分別大於其所對應的定位靶通孔的輪廓；以及一增層電路層，是由一銅箔層、一化鍍銅層及一電鍍銅層組成並設於該絕緣膠層上，該銅箔層具有多個分別在該厚度方向上對應於該些定位靶通孔的銅箔靶窗，該些銅箔靶窗的輪廓分別大於其所對應的定位靶通孔的輪廓，且該化鍍銅層及該電鍍銅層均未遮蔽該些銅箔靶窗及絕緣膠靶窗。

本新型的有益功效在於，無論經過幾次增層製程，所有新增的層都會開設靶窗(包括銅箔靶窗及絕緣膠靶窗)，並且，這些靶窗的輪廓都比其對應的定位靶通孔的輪廓還要大，從而在製作導通孔及後續圖形化處理的過程中，讓機器視覺定位時一律以基底層的定位靶通孔做為定位基準點，從而不存在層誤差，能提高電路板的精度與良率。

1:電路板半成品

2:基底層

3:基底電路層

4:增層電路層

2A、2B:定位靶通孔

20:背膠銅箔

21:銅箔層

211:銅箔靶窗

212:開窗

22:絕緣膠層

221:絕緣膠靶窗

23:保護膜

25:導通孔

31:化鍍銅層

32:電鍍銅層

D:厚度方向

第1、2、5至12圖是本新型第一實施例的製程示意圖。

第3圖為背膠銅箔的剖面示意圖。

第4圖為真空壓膜的製程設備示意圖。

以下通過第1、2、5至12圖說明本新型的第一實施例的製備過程。需說明的是，一個增層電路板可通過增層製程製備而具有多層電路層，相鄰電路層之間以介電層間隔，各介電層會被形成若干導通孔，導通孔內鍍有銅而使相鄰電路層電性連接。所述增層製程是指在電路板半成品上形成新的電路層及介電層的製程，其包含以下步驟：

步驟1：如第1圖所示，提供一電路板半成品1，該電路板半成品包括一基底層2及一基底電路層3，基底層2例如為但不限於FR-4基板，基底電路層3是形成於基底層2上的經圖形化處理的導電材質，例如銅，基底電路層3可依電路板製程中的常規圖形化處理而形成。與現有技術不同的地方在於，基底層2具有多個定位靶通孔2A、2B，其中定位靶通孔2A為鏤空的，因此可將定位靶通孔2A理解為一種「通孔靶」；另一方面，定位靶通孔2B則完整填塞有樹脂，因此可將定位靶通孔2B理解為一種「樹脂靶」。在本實施例中，一部分定位靶通孔2A為通孔靶，另一部分定位靶通孔2B則為樹脂靶。在其他可能的實施方式中，所有的定位靶通孔都為通孔靶。在其他可能的實施方式中，所有的定位靶通孔則全部為樹脂靶。所述通孔靶例如可以鑽孔機在基底層2鑽孔形成，而樹脂靶則是在鑽孔機鑽出通孔靶後，再於通孔靶中完整填塞樹脂而形成。定位靶通孔的直徑可為但不限於0.5-3mm。

步驟2：如第2、3圖所示，利用真空壓膜整平機以真空壓膜方式將原呈收捲狀的背膠銅箔20貼附於電路板半成品1，請進一步參考第4圖，背膠銅箔20具有一銅箔層21及一絕緣膠層22，絕緣膠層22塗布於銅箔層21上，且基底電路層3接觸絕緣膠層22但不接觸銅箔層21。當背膠銅箔20貼附前，還可進一步包括一保護膜23貼附於絕緣膠層22相反於銅箔層21的一面，用以避免絕緣膠層22污損或沾黏。如第3圖所示，保護膜23在背膠銅箔20貼附於電路板半成品1之前被移除。在步驟2中，絕緣膠層22處於半固化狀態(B-stage)，其具有指觸乾燥性，但有機分子間未完全交聯。

步驟3：如第5圖所示，在銅箔層21形成多個分別在一厚度方向D上對應於該些定位靶通孔2A、2B的銅箔靶窗211，該些銅箔靶窗211的輪廓分別大於其所對應的定位靶通孔2A、2B，所述輪廓的差異需足以實現以機器視覺辨識定位靶通孔2A、2B的輪廓，例如，銅箔靶窗211的直徑是其所對應的定位靶通孔2A、2B的直徑的1.5倍以上。

步驟4：如第6圖所示，將絕緣膠層22中在厚度方向D上對應於該些銅箔靶窗211的部分移除而形成多個分別在厚度方向D上對應於該些定位靶通孔2A、2B的絕緣膠靶窗221，該些絕緣膠靶窗221的輪廓分別大於其所對應的定位靶通孔2A、2B的輪廓，並且，絕緣膠靶窗221與銅箔靶窗211的輪廓通常是一致的。視製程選擇，步驟3、4可以不同的方法完成。例如，可使用雷射鑽孔機在一次鑽孔工序中依序形成所述銅箔靶窗211及絕緣膠靶窗221。或者，可以先形成所述銅箔靶窗211後，再於後續工序形成所述絕緣靶窗221。選擇性地，形成絕緣膠靶窗221後，可對絕緣膠層22進行熱固化及/或光固化處理，使絕緣膠層22完全交聯固化。

步驟5：利用該些定位靶通孔2A、2B中的至少一部分做為機器視覺影像的定位基準點對電路板半成品1進行第一次定位。做為機器視覺影像辨識用的定位基準點，定位靶通孔2A、2B的數量通常大於3個，使運算設備能以這些定位基準點求得一個圓，並以其圓心確定電路板半成品的位置。所述第一次定位可以包括下列子步驟：(1)移動電路板半成品的載台而使電路板半成品對齊加工機、(2)移動加工機以對齊電路板半成品、或者(3)加工機與電路板半成品的載台均分別移動而使加工機與電路板半成品彼此對齊。如第7、8圖所示，於第一次定位後，在銅箔層21形成多個開窗212，並將絕緣膠層22中在厚度方向上對應於該些開窗212的部分移除而形成多個導通孔25，從而裸露出一部分基底電路層3。本步驟中所使用的加工機是指為了形成所述開窗212而使用到的至少一部分設備，例如雷射鑽孔機或曝光製程所使用的曝光機。在可能的實施方式中，所述開窗212及導通孔25是以雷射鑽孔機依序形成。

步驟5之後，可以接續進行導通孔的鍍銅處理及電路圖形化處理，上述處理視定位靶通孔的類型可以有不同的製備過程。

當定位靶通孔為通孔靶時(即圖中的定位靶通孔2A)，在步驟5後更可包含下列步驟：

步驟6-1：如第9圖所示，在電路板半成品1上依序形成一化鍍銅層31及一電鍍銅層32，其中，定位靶通孔2A為通孔靶，因此其並未被化鍍銅層31及電鍍銅層32完全填滿，化鍍銅層31及電鍍銅層32僅形成於定位靶通孔2A的孔壁。相較於定位靶通孔2A的直徑通常大於0.5mm，甚至大於1mm，化鍍銅層31及電鍍銅層32的總厚度通常小於50μm，因此對於定位靶通孔2A的輪廓影響輕微，不至於妨礙後續機器視覺的定位。

步驟7-1：利用該些未被完全填滿的定位靶通孔2A的至少一部分做為機器視覺影像的定位基準點對電路板半成品進行第二次定位，第二次定位的實際製作方式與第一次定位雷同，在此不另贅述。如第11圖所示，第二次定位後，對銅箔層21、化鍍銅層31及電鍍銅層32進行圖形化處理而形成一增層電路層4，增層電路層4中的電路可通過該些導通孔25中的化鍍銅層31及電鍍銅層32而與基底電路層3中的電路形成電性連接，所述圖形化處理的方式可為但不限於常規的貼附光刻膜、曝光、顯影、鹼性蝕刻、移除光刻膜的方式實現。並且，在上述圖形化處理的過程中，也會一併移除在銅箔靶窗211及絕緣膠靶窗221以及定位靶通孔2A孔壁上的化鍍銅層及電鍍銅層，從而還原銅箔靶窗211及絕緣膠靶窗221以及定位靶通孔2A的原始輪廓。

另一方面，當定位靶通孔為樹脂靶時(即圖中的定位靶通孔2B)，在步驟5後更可包含下列步驟：

步驟6-2：如第9圖所示，在該電路板半成品1上依序形成一化鍍銅層31及電鍍銅層32，其中，定位靶通孔2B會被化鍍銅層31及電鍍銅層32所覆蓋。

步驟6-2-1：如第10圖所示，將該些銅箔靶窗211及該些絕緣膠靶窗221中的化鍍銅層及電鍍銅層移除(例如使用雷射鑽孔機或進行銅蝕刻處理)而使該些定位靶通孔2B露出，以利後續機器視覺的定位。

步驟7-2：如第11圖所示，利用該些露出的定位靶通孔2B中的至少一部分做為機器視覺影像的定位基準點對該電路板半成品1進行第二次定位，於第二次定位後對銅箔層21、化鍍銅層31及電鍍銅層32進行圖形化處理而形成一增層電路層4，增層電路層4中的電路可通過該些導通孔25中的化鍍銅層31及電鍍銅層32而與基底電路層3中的電路形成電性連接。

由此，可以完成一個完整的增層製程而形成一個增層電路板(其可為下一個增層製程所使用的電路板半成品)，具體而言，第11圖所示的增層電路板具有基底層2、基底電路層3、絕緣膠層22及增層電路層4，基底電路層3形成於基底層2上，且基底層2具有多個定位靶通孔2A、2B，絕緣膠層22接觸基底電路層3並具有多個分別在厚度方向上對應於該些定位靶通孔2A、2B的絕緣膠靶窗221，增層電路層4是由銅箔層21、化鍍銅層31及電鍍銅層32組成並設於絕緣膠層22上，銅箔層21具有多個分別在厚度方向上對應於該些定位靶通孔2A、2B的銅箔靶窗211，且化鍍銅層31及電鍍銅層32均未遮蔽該些銅箔靶窗211及絕緣膠靶窗221。

由於導通孔及增層電路層的製備過程是分別通過第一、第二次定位對電路板半成品1進行準確的定位，因此其定位精準度佳，後續可再依圖12圖所示開啟一個新的增層製程，從步驟1開始依序重複前述各步驟，再次開設銅箔靶窗及絕緣膠靶窗，且每次製備導通孔及增層電路層時均可使用位於基底層2的定位靶通孔做為機器視覺影像的定位基準點，從而能夠避免現有電路板增程製程中長期存在的層誤差。

需說明的是，上述實施例的揭示內容中，基於精簡說明的目的，在一個電路板半成品中同時使用了通孔靶及樹脂靶，因此實際上步驟6-1與步驟6-2是同時進行的，步驟7-1與步驟7-2也是同時進行的。在其他可能的實施方式中，由於電路板半成品可能完全使用通孔靶或完全使用樹脂靶，故步驟6-1及7-1的這一組步驟與步驟6-2、6-2-1及7-2的這一組步驟可以擇一省略；更具體地說，當電路板半成品完全使用通孔靶做為定位靶通孔時，步驟6-2、6-2-1及7-2的這一組步驟將被省略；反之，當電路板半成品完全使用樹脂靶做為定位靶通孔時，步驟6-1及7-1的這一組步驟將被省略。