TWM569051U - Array substrate and display - Google Patents
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Abstract
一種陣列基板，其包括無機膜層，表面設有若干個第一凹槽；以及金屬走線，位於所述第一凹槽內。上述陣列基板，無機膜層表面設有若干個第一凹槽，金屬走線位於第一凹槽內，使得金屬走線處的無機膜層變薄，彎曲應力減小；另一方面，第一凹槽能部分釋放陣列基板彎折時的彎曲應力；從而有效防止無機膜層因彎折而斷裂，進而有效防止金屬走線的斷裂，提高陣列基板的可靠性。
Description
本新型創作是有關於顯示技術領域，且特別是有關於一種陣列基板及顯示屏。 [相關申請案的交叉引用]
本申請案主張2017年11月30日在中國智慧財產局中申請的中國專利申請案第201721644649.2號的優先權的權益，所述申請案的揭露內容以全文引用的方式併入本文中。
顯示屏包括顯示區（AA區）以及非顯示區（非AA區），為了達到某些功能，會要求顯示屏的顯示區或非顯示區能夠彎折。例如為了實現窄邊框化，將非顯示區彎折到屏體的背面，從而減少邊框寬度。
但是，目前的顯示屏，在彎折過程中，金屬走線易斷裂，從而造成屏體不良。
本新型創作提供一種能夠有效防止金屬走線斷裂的陣列基板。
本新型創作的陣列基板，包括無機膜層以及金屬走線。無機膜層表面設有若干個第一凹槽。金屬走線位於第一凹槽內。陣列基板、無機膜層表面設有若干個第一凹槽，金屬走線位於第一凹槽內，使得金屬走線處的無機膜層變薄，彎曲應力減小；另一方面，第一凹槽能部分釋放陣列基板彎折時的彎曲應力；從而有效防止無機膜層因彎折而斷裂，進而有效防止金屬走線的斷裂，提高陣列基板的可靠性。
在本新型創作的一實施例中，上述的陣列基板具有非顯示區，所述非顯示區沿彎折線彎折，所述第一凹槽沿垂直於所述非顯示區彎折線的方向延伸且經過所述陣列基板的非顯示區彎折線。
在本新型創作的一實施例中，上述的第一凹槽的深度大於所述金屬走線的厚度，且小於所述無機膜層的厚度。
在本新型創作的一實施例中，上述的陣列基板還包括設置於所述第一凹槽內且形成於所述金屬走線表面的應力緩衝層。
在本新型創作的一實施例中，上述的應力緩衝層為光敏膠層或亞克力層。
在本新型創作的一實施例中，上述的無機膜層包括柵絕緣層、電介質層以及層間絕緣層，所述電介質層位於所述柵絕緣層和所述層間絕緣層之間；所述第一凹槽位於所述層間絕緣層的遠離所述電介質層的表面；所述柵絕緣層的靠近所述電介質層的表面設有若干個第二凹槽，所述陣列基板還包括位於所述第二凹槽內的輔助金屬走線層。
在本新型創作的一實施例中，上述的無機膜層上設有若干個凹坑，所述凹坑與所述第一凹槽具有間隔。
在本新型創作的一實施例中，上述的陣列基板還包括設置於所述第一凹坑內的第一填充層，所述第一填充層為軟質材料。
在本新型創作的一實施例中，上述的第二凹槽之間設有若干第二凹坑，所述第二凹坑位於所述柵絕緣層的靠近所述電介質層的表面，所述第二凹坑中填充有第二填充層。
在本新型創作的一實施例中，上述的第一凹坑位於所述層間絕緣層的遠離所述電介質層的表面。
本新型創作還提供一種顯示屏。
顯示屏，包括本新型創作提供的陣列基板。
上述顯示屏包括本新型創作提供的陣列基板，陣列基板的結構可以有效防止金屬走線的斷裂，從而能夠更好的保證訊號的傳遞，延長顯示屏的使用壽命。
為讓本新型創作的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
為了使本新型創作的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本新型創作進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本新型創作，並不用於限定本新型創作。
需要說明的是，當元件被稱為「設置於」另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是「連接」另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。本文所使用的術語「垂直的」、「水準的」、「左」、「右」以及類似的表述只是為了說明的目的，並不表示是唯一的實施方式。
除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬於本新型創作的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本新型創作的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在於限制本新型創作。本文所使用的術語「及/或」包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。
圖1至圖3示出了本新型創作實施例一提供的陣列基板200，包括顯示區210（即AA區），以及位於顯示區210外側的非顯示區220（即非AA區）。
其中，顯示區210（即AA區）為陣列基板100中與像素單元對應的區域，在顯示區210中設有薄膜晶體管以及電容器等用於驅動像素單元的電子元件。非顯示區220（即非AA區）位於顯示區210的一個側邊的外側。當然，非顯示區220也可以僅存在於顯示區210的任何一個或多個側邊的外側。
陣列基板200包括無機膜層以及金屬走線。其中，無機膜層表面設有若干個第一凹槽，金屬走線位於第一凹槽內。具體的，在陣列基板200的顯示區210上的無機膜層表面和非顯示區220上的無機膜層表面均可以設置第一凹槽，使得位於顯示區210和非顯示區220上的金屬走線均可以位於第一凹槽內。
第一凹槽使得金屬走線處的無機膜層變薄，彎曲應力減小；另一方面，第一凹槽能釋放陣列基板200彎折時的彎曲應力，從而有效防止無機膜層因彎折而斷裂，進而有效防止金屬走線的斷裂，提高陣列基板200的可靠性。
以下以非顯示區為例進行詳細說明。
本實施例中，非顯示區220向垂直且遠離無機膜層221具有第一凹槽2211的表面的方向彎折。具體地，如圖1所示，非顯示區220的彎折線如圖中虛線所示，非顯示區220沿彎折線彎折，且非顯示區220的彎折方向指向圖1所示非顯示區220的表面的反方向。
本實施例中，非顯示區220的彎折線平行於顯示區210和非顯示區220鄰接的側邊，且位於非顯示區220的靠近中間的位置。當然，非顯示區220的彎折線不限於此，還可以沿其他方向或位於其他位置，如與本實施例中的彎折線呈一定角度傾斜或平移。
本實施例中，第一凹槽2211沿垂直於非顯示區220彎折線的方向延伸，且經過非顯示區220的彎折線。如此，第一凹槽2211能釋放更多的彎曲應力，從而更有效的防止無機膜層221因彎折而斷裂，進而更有效的防止金屬走線223的斷裂。若第一凹槽2211不經過非顯示區220的彎折線，則非顯示區220彎折時，第一凹槽2211處不彎折，自然無彎曲應力，也就無需第一凹槽2211釋放彎曲應力，即失去了設置第一凹槽2211的作用，因此必須保證第一凹槽2211經過非顯示區220的彎折線，才能有效防止無機膜層221因彎折而斷裂。
當然，第一凹槽2211不限於沿垂直於非顯示區220的彎折線的方向延伸，還可以沿其他方向延伸或沿曲線延伸。
本實施例中，第一凹槽2211的深度大於所述金屬走線的厚度，且小於所述無機膜層的厚度，使得第一凹槽2211處的無機膜層221的厚度滿足無機膜層221彎曲時的應力不至使無機膜層221斷裂。
本實施例中，第一凹槽2211的截面呈半圓狀。半圓狀的凹槽為刻蝕工藝的自然形狀，無需特殊設計，工藝簡單。當然，第一凹槽2211的截面不限於呈半圓狀，還可以呈長方形、梯形等其它形狀。
本實施例中，第一凹槽2211的深度相同，製造簡單。需要說明的是，第一凹槽2211的深度可以根據彎曲位置處彎曲應力的不同進行設置，彎曲應力較大的位置第一凹槽2211的深度較深，彎曲應力較小的位置第一凹槽2211的深度較淺，即第一凹槽2211的深度可以不完全相同。
圖4和圖5示出了本新型創作實施例二提供的陣列基板，與陣列基板200不同的是，非顯示區230還包括設置於第一凹槽2311內且形成於金屬走線233表面的應力緩衝層235。
應力緩衝層235可以釋放非顯示區230彎折時的彎曲應力，從而有效防止無機膜層231因彎折而斷裂，進而有效防止金屬走線233的斷裂。
本實施例中，應力緩衝層235為有機緩衝層。具體的，應力緩衝層235由光敏膠或亞克力等柔性材料形成。
圖6示出了本新型創作實施例三提供的陣列基板，與陣列基板200不同的是，無機膜層241上設有若干個凹坑2413，凹坑2413與第一凹槽2411具有間隔。
凹坑2413可以在不改變無機膜層241厚度的情況下，增加了無機膜層241的應力釋放空間，防止無機膜層241的應力集中現象，從而防止無機膜層241的斷裂，進而有效防止金屬走線243斷裂。
進一步地，凹坑2413與第一凹槽2411具有間隔，從而防止相鄰的金屬走線243短路。
優選地，本實施例中，凹坑2413與第一凹槽2411的間距大於10微米。
本實施例中，凹坑2413位於兩個第一凹槽2411的中間位置。需要說明的是，凹坑2413的位置不限於此，也可以刻根據彎曲應力設置凹坑2413偏向某一個第一凹槽的位置，還可以位於第一凹槽2411的下方或其他位置。當金屬走線243上方還設有無機膜層時，還可以在第一凹槽2411的上方設置凹坑2413。
本實施例中，每兩個第一凹槽2411之間設有一個凹坑2413。當然，凹坑2413的個數不限於此，還可以在每兩個第一凹槽2411之間設置多個凹坑，或者每隔兩個第一凹槽2411設置一個凹坑，亦或者在第一凹槽2411的下方設置多個凹坑。
本實施例中，凹坑2413呈槽狀。當然，凹坑2413不限於槽狀，還可以呈圓柱狀或倒錐形等。
具體地，本實施例中，凹坑2413的橫截面呈三角形。當然，凹坑2413的截面不限於三角形，還可以是梯形或長方形等。
本實施例中，凹坑2413內設置有用以緩衝無機膜層彎曲應力的填充層247。
填充層247由軟質地材料形成，如有機材料等。填充層247可以釋放無機膜層241的彎曲應力，進一步防止無機膜層241因彎折而斷裂，進而有效防止金屬走線243的斷裂。
如圖7所述，本新型創作實施例四提供的陣列基板，與本新型創作實施例三提供的陣列基板不同的是，非顯示區250還包括輔助金屬走線層259。
具體地，無機膜層251包括柵絕緣層2512（GI層）、電介質層2514（CI）以及層間絕緣層2516（ILD層）。其中，電介質層2514位於柵絕緣層2512和層間絕緣層2516之間。第一凹槽2511位於層間絕緣層2516的遠離電介質層2514的表面。柵絕緣層2512的靠近電介質層2514的表面，設有若干個第二凹槽2515，輔助金屬走線層259位於第二凹槽2515內。
優選地，本實施例中，第二凹槽2515之間也設有若干個凹坑2513，即柵絕緣層2512的靠近電介質層2514的表面上設有若干個凹坑2513。為了防止沉積電介質層2514時，電介質層2514的材料沉積在柵絕緣層2512上的凹坑2513中，在柵絕緣層2512上的凹坑2513中設置有用於緩衝無機膜層251彎曲應力的填充層257，填充層257由軟質地材料形成，如有機材料等。填充層257可以釋放無機膜層251的彎曲應力，進一步防止無機膜層251因彎折而斷裂，進而有效防止金屬走線253的斷裂。
優選地，本實施例中，第一凹槽2511之間也設有若干個凹坑2513，即層間絕緣層2516的遠離電介質層2514的表面上設有若干個凹坑2513。更進一步地，層間絕緣層2516上的凹坑2513中也可以設置填充層257，以更好的釋放無機膜層251的彎曲應力，進一步防止無機膜層251因彎折而斷裂，進而更有效的防止金屬走線253的斷裂。
需要說明的是，層間絕緣層2516上的凹坑2513中也可以不設置填充層257，而柵絕緣層2512上的凹坑2513中必須設置填充層257，從而可以避免電介質層2514的材料沉積在柵絕緣層2512上的凹坑2513中。
優選地，顯示區中無機膜層和金屬走線的結構與非顯示區中無機膜層和金屬走線的結構相同。從而可以通過同一步工藝形成顯示區和非顯示區的無機膜層和金屬走線。
當然，若顯示區無需彎折時，也可以僅將非顯示區的無機膜層和金屬走線設置成本新型創作所提供的無機膜層和金屬走線的結構。
進一步地，當顯示區和非顯示區的彎折情況不同時，還可以根據顯示區和非顯示區的彎折情況，將其對應的無機膜層和金屬走線設置成本新型創作提供的任一種無機膜層和週邊金屬走線的結構。
本新型創作提供一種顯示屏，包括本新型創作提供的陣列基板。
需要說明的是，顯示屏除了陣列基板，還包括其它器件，其它器件的具體結構以及器件之間的連接關係均可以採用本領域技術人員所公知的結構，此處不再贅述。
本新型創作提供的陣列基板的結構可以有效防止金屬走線的斷裂，從而能夠更好的保證訊號的傳遞，延長顯示屏的使用壽命。
上述陣列基板，無機膜層表面設有若干個第一凹槽，金屬走線位於第一凹槽內，使得金屬走線處的無機膜層變薄，彎曲應力減小；另一方面，第一凹槽能部分釋放陣列基板彎折時的彎曲應力；從而有效防止無機膜層因彎折而斷裂，進而有效防止金屬走線的斷裂，提高陣列基板的可靠性。
以上所述實施例的各技術特徵可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特徵所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特徵的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的範圍。
以上所述實施例僅表達了本新型創作的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但並不能因此而理解為對本新型創作的專利範圍的限制。應當指出的是，對於本領域的普通技術人員來說，在不脫離本新型創作構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬於本新型創作的保護範圍。因此，本新型創作專利的保護範圍應以所附專利範圍為准。
200‧‧‧陣列基板
210‧‧‧顯示區
220、230、240、250‧‧‧非顯示區
221、231、241、251‧‧‧無機膜層
2211、2311、2411、2511‧‧‧第一凹槽
223、233、243、253‧‧‧金屬走線
235‧‧‧應力緩衝層
2413、2513‧‧‧凹坑
247、257‧‧‧填充層
2512‧‧‧柵絕緣層
2514‧‧‧電介質層
2515‧‧‧第二凹槽
2516‧‧‧層間絕緣層
259‧‧‧金屬走線層
210‧‧‧顯示區
220、230、240、250‧‧‧非顯示區
221、231、241、251‧‧‧無機膜層
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2514‧‧‧電介質層
2515‧‧‧第二凹槽
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259‧‧‧金屬走線層
圖1為本新型創作實施例一的陣列基板的俯視圖。 圖2為圖1所示陣列基板的非顯示區沿A-A向的截面示意圖。 圖3為圖2所示陣列基板的非顯示區彎曲時沿B-B向的截面示意圖。 圖4為本新型創作實施例二的陣列基板的非顯示區的截面示意圖。 圖5為圖4所示的陣列基板的非顯示區彎曲時沿C-C向的截面示意圖。 圖6為本新型創作實施例三的陣列基板的非顯示區的截面示意圖。 圖7為本新型創作實施例四的陣列基板的非顯示區的截面示意圖。
Claims (10)
- 一種陣列基板，包括： 無機膜層，所述無機膜層表面設有若干個第一凹槽；以及 金屬走線，所述金屬走線位於所述第一凹槽內。
- 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中所述陣列基板具有非顯示區，所述非顯示區沿彎折線彎折，所述第一凹槽沿垂直於所述非顯示區彎折線的方向延伸且經過所述陣列基板的非顯示區彎折線。
- 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中所述第一凹槽的深度大於所述金屬走線的厚度，且小於所述無機膜層的厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中，還包括設置於所述第一凹槽內且形成於所述金屬走線表面的應力緩衝層。
- 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中，所述無機膜層包括柵絕緣層、電介質層以及層間絕緣層，所述電介質層位於所述柵絕緣層和所述層間絕緣層之間；所述第一凹槽位於所述層間絕緣層的遠離所述電介質層的表面；所述柵絕緣層的靠近所述電介質層的表面設有若干個第二凹槽，所述陣列基板還包括位於所述第二凹槽內的輔助金屬走線層。
- 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中，所述無機膜層上設有若干個第一凹坑，所述第一凹坑與所述第一凹槽具有間隔。
- 如申請專利範圍第6項所述的陣列基板，還包括設置於所述第一凹坑內的第一填充層，所述第一填充層為軟質材料。
- 如申請專利範圍第5項所述的陣列基板，其中，所述第二凹槽之間設有若干第二凹坑，所述第二凹坑位於所述柵絕緣層的靠近所述電介質層的表面，所述第二凹坑中填充有第二填充層。
- 如申請專利範圍第6項所述的陣列基板，其中，所述第一凹坑位於所述層間絕緣層的遠離所述電介質層的表面。
- 一種顯示屏，包括申請專利範圍第1至9任一項所述的陣列基板。
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