TWM567476U - Improved structure of lead frame with lines - Google Patents
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Abstract
一種具線路之導線架改良結構,包括有:一導線架、一平台及一線路層。該導線架上具有一金屬邊框、複數聯結桿、一晶片座及貫穿區域,該些聯結桿與該金屬邊框及該晶片座連結,該平台設於該導線架的該貫穿區域;該平台設有複數溝槽,該些溝槽一端與金屬邊框相鄰,另一端與晶片座相鄰,該些溝槽上各具有一貫穿孔,該些貫穿孔貫穿該平台的正面及背面,使該平台正面及背面的該些溝槽相通。該線路層設於該平台正面及背面的該些溝槽及該些貫穿孔中。其中,在該線路層設於該些溝槽時,位於該些溝槽的外端部的複數條的導電線一端未與該金屬邊框電性連結。
Description
本創作係有關一種導線架,尤指一種沒有電性連結部連結金屬邊框與複數導電線的導線架改良結構。
已知,目前的IC半導體晶片在封裝製作時,先製作一導線架100(如圖1a、1b),該導線架100具有一金屬邊框101、複數聯結桿102、一晶片座103及一貫穿區域104,該些聯結桿與該金屬邊框101及該晶片座103連結。於該貫穿區域104的第一貫穿區域1041、第二貫穿區域1042及第三貫穿區域1043中填滿塑膠材料,以形成一平台。在於該平台200的該正面上具有複數個溝槽201,該些溝槽201上各具有一貫穿孔(圖中未示),該些貫穿孔貫穿該平台200的該正面及該背面。該線路層300設於該些溝槽201及該些貫穿孔中,該線路層300的複數導電線301一端透過電性連結部302與該金屬邊框101電性連結,使該些導電線301可以導電,以進行後續的加工的化鍍銀後,再電鍍銅的製程。
由於上述的線路層300在化學沉積電鍍時,必須多花該些電性連結部302化學沉積的時間,將導致在化學沉積電鍍的時間過長,造成製作導線架的生產時間也相對延長。
因此,本創作之主要目的,在於解決傳統缺失,本創作提一個在導線架的線路層製作完成後,使複數個導電線未與該金屬邊框電性連
結,也無需進行後續的電鍍製程,使製作更佳簡單,也使製作成本大幅降低,製作良率提昇。
本創作之另一目的,在於平台上製作線路層,可以使該導線架的設計彈性大,讓該線路層可以隨時做設計變更及線路層之間的線間距可以縮的更小外。
為達上述之目的,本創作提供一種具線路之導線架改良結構,包括有:一導線架、一平台及一線路層。該導線架上具有一金屬邊框、複數聯結桿、一晶片座及貫穿區域,該些聯結桿與該金屬邊框及該晶片座連結,該貫穿區域包含有一第一貫穿區域,該第一貫穿區域位於該晶片座的四邊。該平台設於該導線架的該貫穿區域的第一貫穿區域中;該平台的正面及背面上設有複數溝槽,該些溝槽具有一外端部及一內端部,該外端部與該金屬邊框相鄰,該內端部與該晶片座相鄰,該些溝槽的外端部上各具有一貫穿孔,該些貫穿孔以貫穿該平台的正面及背面,使該平台正面及背面的該些溝槽相通。該線路層設於該平台正面及背面的該些溝槽及該些貫穿孔中。其中,在該線路層設於該些溝槽時,位於該些溝槽的外端部的複數條的導電線一端未與該金屬邊框電性連結。
在本創作之一實施例中,該導線架為銅金屬材質。
在本創作之一實施例中,該平台該塑膠。
在本創作之一實施例中,該塑膠為環氧樹脂封裝材料。
在本創作之一實施例中,該線路具有複數條的導電線、複數個導電部及複數個焊墊部。
在本創作之一實施例中,該些導電部位於該些貫穿孔中,該些導電部一端與該平台正面的該些導電線電性連結,該些導電部的一端與該平台背面的該些焊墊部電性連結。
在本創作之一實施例中,該貫穿區域更包含有一第二貫穿區域及一第三貫穿區域;該第二貫穿區域位於該晶片座上,該第三貫穿區域位於該金屬邊框的四個邊角上。
習知
100‧‧‧導線架
101‧‧‧金屬邊框
102‧‧‧聯結桿
103‧‧‧晶片座
104‧‧‧貫穿區域
1041‧‧‧第一貫穿區域
1042‧‧‧第二貫穿區域
1043‧‧‧第三貫穿區域
200‧‧‧平台
201‧‧‧溝槽
300‧‧‧線路層
301‧‧‧導電線
302‧‧‧電性連結部
本創作
10‧‧‧導線架結構
1‧‧‧導線架
11‧‧‧金屬邊框
12‧‧‧聯結桿
13‧‧‧晶片座
14‧‧‧貫穿區域
141‧‧‧第一貫穿區域
142‧‧‧第二貫穿區域
143‧‧‧第三貫穿區域
2‧‧‧平台
21‧‧‧溝槽
211‧‧‧外端部
212‧‧‧內端部
22‧‧‧貫穿孔
3‧‧‧線路層
31‧‧‧導電線
32‧‧‧導電部
33‧‧‧焊墊部
圖1a,係傳統的導線架外觀示意圖;圖1b,係圖1a的局部放大示意圖;圖2,係本創作之具線路之導線架的金屬框架外觀示意圖;圖3,係圖2的背面示意圖;圖4,係本創作之具線路的導線架上形成平台的正面示意圖;圖5,係圖4的背面示意圖;圖6,係本創作之平台的正面上製作溝槽及貫穿孔示意圖;圖7,係圖6的溝槽局部放大示意圖;圖8,係本創作之平台上的溝槽及貫穿孔製作線路示意圖;圖9,係圖8的背面示意圖;圖10,係圖8的側剖視示意圖。
茲有關本創作之技術內容及詳細說明,現在配合圖式說明如下:請參閱圖2、3,係本創作之具線路之導線架的金屬邊框外觀及圖2的背面示意圖。如圖所示:本創作之具線路之導線架改良結構,係將一金屬板先沖壓成型一導線架結構10,該導線架結構10上具有一導線架1,導線架1具有一金屬邊框11、複數聯結桿(Tie bar)12、一晶片座13及一貫穿區域14,該些聯結桿12與該金屬邊框11及該晶片座13連結,該貫穿區域14包含有一第一貫穿區域141、一第二貫穿區域142及一第三貫穿區域143。該第一貫穿區域141位於該晶片座13的四邊,該第二貫穿區域142位於該晶片座13上,該第三貫穿區域143
位於該金屬邊框11的四個邊角上。在本圖式中,該導線架1為銅金屬材質。
請參閱圖4、5,係本創作之具線路的導線架上形成平台的正面及圖4的背面示意圖。如圖所示:在上述製作完成的導線架1上利用射出或熱壓技術將塑膠成型於該貫穿區域14的第一貫穿區域141、該第二貫穿區域142及該第三貫穿區域143中形成有一塑膠的平台2。在本圖式中,該塑膠為環氧樹脂封裝材料(Epoxy Molding Compound,EMC)。
請參閱圖6、7,係本創作之平台的正面上製作溝槽及貫穿孔及圖6的溝槽局部放大示意圖。如圖所示:在該平台2成型於該金屬邊框11後,利用雷射光雕機(圖中未示)於該平台2的正面及背面上進行光蝕刻,在光蝕刻後於該平台2的正面及背面上形成有複數溝槽21,該些溝槽21具有一外端部211及一內端部212,該外端部211與該金屬邊框11相鄰,該內端部212與該晶片座13相鄰,該些溝槽21的外端部211上各具有一貫穿孔22。該些貫穿孔22以貫穿該平台2的正面及背面,使該平台2正面及背面的該些溝槽21相通。
請參閱圖8、9、10,係本創作之平台上的溝槽及貫穿孔製作線路及圖8的背面與圖8的側剖視示意圖。如圖所示:在上述該平台2的該些溝槽21及該些貫穿孔22製作完成後,於該些溝槽21及該些貫穿孔22中進行薄膜沉積技術,在薄膜沉積過程中使金屬材料沉積在該些溝槽21及該些貫穿孔22裡形成一線路層3,該線路層3包含有複數條導電線(相當於傳統的引腳)31、複數個導電部32及複數個焊墊部33。
該些導電部32位於該些貫穿孔22中,該些導電部32一端與該平台2正面的該些導電線31電性連結,該些導電部32的一端與該平台2背面的該些焊墊部33電性連結。
在該平台2上製作線路層3,除了可以使該導線架1設計彈性大,讓該線路層3可以隨時做設計變更及線路層3之間的線間距可以縮的更小外。在於該線路層3製作完成後,位於該些溝槽21的外端部211上的該些導電線31未與該金屬邊框11電性連結,也無需進行後續的電鍍製程,使製作更加簡單,也使製作成本大幅降低,製作良率提昇。
惟以上所述僅為本創作之較佳實施例,非意欲侷限本創作的專利保護範圍,故舉凡運用本創作說明書或圖式內容所為的等效變化,均同理皆包含於本創作的權利保護範圍內,合予陳明。
Claims (7)
- 一種具線路之導線架改良結構,包括有:一導線架,其上具有一金屬邊框、複數聯結桿、一晶片座及貫穿區域,該些聯結桿與該金屬邊框及該晶片座連結,該貫穿區域包含有一第一貫穿區域,該第一貫穿區域位於該晶片座的四邊;一平台,係設於該導線架的該貫穿區域的第一貫穿區域中;該平台的正面及背面上設有複數溝槽,該些溝槽具有一外端部及一內端部,該外端部與該金屬邊框相鄰,該內端部與該晶片座相鄰,該些溝槽的外端部上各具有一貫穿孔,該些貫穿孔以貫穿該平台的正面及背面,使該平台正面及背面的該些溝槽相通;一線路層,係設於該平台正面及背面的該些溝槽及該些貫穿孔中;其中,在該線路層設於該些溝槽時,位於該些溝槽的外端部的複數條的導電線一端未與該金屬邊框電性連結。
- 如申請專利範圍第1項所述之具線路之導線架改良結構,其中,該導線架為銅金屬材質。
- 如申請專利範圍第1項所述之具線路之導線架結構,其中,該平台該塑膠。
- 如申請專利範圍第3項所述之具線路之導線架結構,其中,該塑膠為環氧樹脂封裝材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之具線路之導線架結構,其中,該線路具有複數條的導電線、複數個導電部及複數個焊墊部。
- 如申請專利範圍第5項所述之具線路之導線架結構,其中,該些導電部位於該些貫穿孔中,該些導電部一端與該平台正面的該些導電線電性連結,該些導電部的一端與該平台背面的該些焊墊部電性連結。
- 如申請專利範圍第1項所述之具線路之導線架結構,其中,該貫穿區域更包含有一第二貫穿區域及一第三貫穿區域;該第二貫穿區域位於該晶片座上,該第三貫穿區域位於該金屬邊框的四個邊角上。
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