TWM406805U - Solar cell - Google Patents

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TWM406805U
TWM406805U TW100200483U TW100200483U TWM406805U TW M406805 U TWM406805 U TW M406805U TW 100200483 U TW100200483 U TW 100200483U TW 100200483 U TW100200483 U TW 100200483U TW M406805 U TWM406805 U TW M406805U
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layer
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TW100200483U
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Chin-Yi Hung
Tsung-Lung Lee
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Pvnext Corp
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H406805 五、新型說明: 【新型所屬之技術領域】 本創作係關於一種太陽能電池,特別是關於一種具有可 使光在其内部進行多次反射結構之太陽能電池。 【先前技術】 現今,主流的太陽能電池技術係建立在矽晶(crystalline silicon)上。然而,單晶矽或多晶矽太陽能電池的成本高, 造成其單位發電成本偏高,故仍難以大規模地取代傳統、 對環境衝擊較大的發電方式。 此外,一種利用薄膜技術發展的太陽能電池為另一種替 代選擇。薄膜太陽能電池(thin filrn s〇iar cell)具有低成本 的優勢,但一般而言,其能源轉換效率低且耐用性較不足。 如今,有不同種類的半導體化合物被用來製作薄膜太陽能 電池,其中使用銅(Copper)銦(lndium)鎵(GaUium)硒 (Selenide)化合物之銅銦鎵硒太陽能薄膜電池(匚沿8行化 solar cells)是最具效率的一種。 CIGS薄膜太陽能電池擁有寬廣的吸收光譜,其電池轉換 率最高可達約19%。此外,CIGS太陽能電池也易於量產, 以及具有低材料成本等優點。。⑽A陽能電池所使用的 吸光材料為銅銦鎵砸化合物半導體。加3薄膜太陽能電 池的基本結構通常包括:基材、蓋板.,以及位於基材與蓋 板間之太陽能電池單元,並中* 一
丹甲太刼旎電池早元包括CIGS 光吸收層。 和與該入光面相對之内表面。 通常’蓋板包括一入光面 3 M406805 一般,蓋板為高透光性的玻璃,其入光面與内表面均為平 面。在使用時,太陽光從入光面進入CIGS薄膜太陽能電 池,部分光為CIGS光吸收層所吸收,而部分光則反射出 CIGS薄膜太陽能電池。由於反射& CIGS薄膜太陽能電池 無法再被吸收利肖,從而限帝j CIGS帛膜太陽能電池的效 • 率〇 • 【新型内容】 本創作一目的係為提高薄膜太陽能電池之效率。 籲 本創作一目的係以提高光線的吸收率,來達到提昇薄膜 太陽能電池之效率。 根據前述目的,本創作一實施例揭示一種太陽能電池, 其包含一基板、一光吸收層,以及一蓋板。光吸收層係設 置於基板上。蓋板具一表面及複數個凹槽,其中表面面向 該光吸收層,而該些凹槽排列在該表面上。 【實施方式】 圖1係本創作一實施例之太陽能電池丨之截面示意圖。 • 參照圖1所示,太陽能電池1包含一基板1 i、一第一封裝 材料12、一太陽能電池單元13、—第二封裝材料14,以 及一蓋板15。太陽能電池單元13夾設於蓋板15和基板“ 之間。第一封裝材料12黏接基板11與太陽能電池單元 13,而第二封裝材料14黏接太陽能電池單元13與蓋板 15。太陽能電池1可另包含一框膠材16,周設於太陽能電 池單元13’以密封太陽能電池1之周圍。 基板11可以不銹鋼或高分子材料製成,較佳地以玻璃製 4 A裝材料12用於結合基板11與太陽能電池單元 :第二封農材料14用於結合蓋板15與太陽能電池單元 第封裝材料12與第二封裝材料14包含熱塑型高分 材料纟實施例中,第一封裝材料12與第二封裝材料 \包含乙稀酷酸乙烯(ethylene vinyl acetate)。 “蓋板15可為鬲透光率(例如:大於㈣)的玻璃。較佳地, 盖板η可為低鐵玻璃(lowir〇n細)。低鐵玻璃一般又被 稱為超白玻璃(waterwhitegl吟其光吸收率(Hght orption)可低至〇 5%,其光反射率可至8%。 更佳地’蓋板15可為強化低鐵玻璃(low iron glass)。 圖2顯示本創作—實施例之太陽能電池單元以截面示 意圖。參照圖2所示’太陽能電池單元η包含背電極22、 光吸收層23、一緩衝層24 ' 一絕緣層25、一透明導電 層26 ’以及-上電極層27。背電極22包含金屬電極、透 明電極(包括氧化銦錫)或導電高分子。背電極22可以雜 方法或其他方式形成,厚度可約為都爪。光吸收層 23設置於基板"上,其厚度可約為15〜2 〇_。光吸收層 23可為銅銦鎵硒(CIGS)光吸收層或銅銦硒(cis)光吸收層。 光吸收層23可以共蒸鍍(c〇_evap〇rati〇n)、硒化 (selenizati〇n)、濺鍍(sputtering)、塗佈(c〇ating)、電沈積 (electrodeposition) ’ 或化學喷灑熱解法(chemical spary pyrolysis)等製作。緩衝層24可包含硫化鎘(Cds)或硫化辞 (ZnS)或一氧化欽,其厚度可約為〇.〇5 μη^絕緣層25包含 M406805 il化鋰(LiF)或氧化辞層(zn〇),絕緣声25 7认 曰 °』約0.1 μιη厚, 其可避免漏電流的叫透明導電層26可為透明導電氧化 物㈣nSparentC〇nductive〇xides),其可包含擦雜链之氧化 鋅或透明導電層,或導電高分子26之厚度可介於 0.545,之間。透明導電層 圖3為本創作一實施例之蓋板15之局部放大立體示音 圖。參照圖1與圖3所示,蓋板15包含一表面Η〗、一^ 光面152,以及複數個凹槽153。太陽光從入 太陽能電池1之内部。表面151相對於人光面152。表面 m面向光吸收層23(如圖】所示)。複數個凹槽⑸排列 在表面151上。複數個凹槽153可佈滿整個表面i5i。複 數個凹槽153可大小一致。複數個凹槽153可具相同形狀; 在本實施例中’凹槽153為四邊形。蓋板15包含壓花玻璃, 複數個凹槽153構成壓花玻璃上之凹凸圖案。在—實施例 中,入光面152可為平面。 立圖4為本創作另一實施例之蓋板15,之局部放大立體示 意圖。參照圖1與圖4所示’蓋板15,包含一表面ΐ5ι '一 入光面152’以及複數個凹# 153,。太陽光從入光面m 進入太陽能電池i之内部。表面151相對於人光面152。 表面⑸面向光吸收層23(如圖i所示)。複數個凹槽价 排列在表面151上。複數個凹槽153,可佈滿整個表面151。 複數個凹槽153’可大小一致。複數個凹槽153,可具相同形 狀;在本實施例中,凹槽153,為六邊形。蓋板15,包含壓花 玻璃,複數個凹槽153,構成壓花玻璃上之凹凸圖案。在2 6 M406805 實施例令,入光面152可為平面。 圖5例示本創作一實施例之蓋板 之纤人干立国. 、弟一封裝材料14 相,之;^ '照圖3與圖5所示’兩相鄰凹槽153為 相應之槽壁154所分隔。槽壁154具一頂面咖封 裝材料14黏著样卷工 弟一封 者槽壁154之頂面1541,藉此結合 太陽能電池單元丨3。太皆丨必 / 例雖以具方形凹槽153之蓋板 | -具其料狀凹槽之蓋板亦可以類似的 陽能電池單元13結合。 '、乂
圖6為本創作另一實施例之蓋板15與第二封裝材料μ 之結合示意圖。參照圖3與圖6所示,當蓋板15與第二封 裝材料14接合時,部分之第二封裝材料14可流入凹槽153 内,&成填充至少部分叫槽153内部空間,如圖6所示。 本實施例雖以具方形凹槽153之蓋板15為例,但具其他形 狀凹槽之蓋板亦可以類似的方式與太陽能電池單元13結 合0 圖7顯不在本創作一實施例之太陽能電池丨内部,產生 多次反射之示意圖。參照圖7所示’蓋板15之表面151 上形成複數個凹槽153,可使進入太陽能電池1之光線2 散射,以讓原本將被反射的光可進入光吸收層23。此外’ 具複數個凹槽153的表面15ι亦具有將向外的反射光3, 再-人反射回光吸收層23,而被光吸收層23所吸收。具複 數個凹槽153的表面151可讓在太陽能電池1内未被吸收 之光線’在其内部多次反射,使更多的光被光吸收層23 所吸收,讓太陽能電池1之效率因此提高。 M406805 經表1的實驗比較可證實:以前述創作概念所製作之太 陽能電池確可具有較高的轉換效率。 表1__ ,量轉換效率(Cell 〇/〇 11.08 11.29 ---k出最大功率 實施例 〇.9 比車交例__0.91
比較例之蓋板為一般平板玻璃(玻璃含鐵量約 而實施例之蓋板為低鐵壓花強化玻璃(玻璃 錢量<0.08%),強化方式包含物理及化學的強化,其中壓 化圖案之結構直徑或凹槽内徑(D)介於〇 lmm〜〇4mm ,且 其波形高度或凹#深度(H㈣·4mm。經實驗量測可發現, 使用低鐵壓花強化玻璃可讓薄膜太陽能電池之效率提高 2%。 冋 本創作之技術内容及技術特點巳揭示如上,然而熟悉本 項技術之人士仍可能基於本創作之教示及揭示而作種種不 背離本創作精神之替換及修飾。因此,本創作之保護範圍 應不限於實施例所揭示者,而應包括各種不背離本創作之 替換及修飾,並為以下之申請專利範圍所涵蓋。 【圖式簡單說明】 圖1係本創作一實施例之太陽能電池之截面示意圖; 圖2顯示本創作一實施例之太陽能電池單元之戴面示意 圖; 圓3為本創作—實施例之蓋板之局部放大立體示意圖; 圖4為本創作另一實施例之蓋板之局部放大立體示意 M406805 圖; 圖5例示本創作一實施例之蓋板與第二封裝材科之結舍 不意圖, 圖6為本創作另一實施例之蓋板與第二封裝材料之結合 示意圖;以及 圖7顯不在本創作一實施例之太陽能電池丨内部,產生 多次反射之示意圖。 【主要元件符號說明】 1 太陽能電池 2 光線 3 反射光 11 基板 12 第一封裝材料 13 太此電池單元 14 第二封裝材料 15 蓋板 15’蓋板 16 框膠材 22 背電極 23 光吸收層 24 緩衝層 25 絕緣層 26 透明導電層 27 上電極層 M406B05 151 表面 152 入光面 153 凹槽 1531 1凹槽 154 槽壁 1541 頂面 D 結構直徑 Η 波形高度

Claims (1)

  1. ^406805 六、申請專利範圍: I 一種太陽能電池,包含: 一基板; 一光吸收層,設置於該基板上;以及 一蓋板’具一表面及複數個凹槽,其中該矣 不1囬面向該 光吸收層,而該些凹槽排列在該表面上。 2.根據請求項1所述之太陽能電池,其中該凹槽之形狀為夕 邊形。 ”、夕
    根據請求項2所述之太陽能電池,其中該凹槽為六邊形 根據請求項2所述之太陽能電池,其中該凹槽為四邊妒。 根據請求項1所述之太陽能電池,更包含一封裝材料,其 中該封襞材料設置於該吸收層與該蓋板之間,且黏附該表 面0 6. 根據請求項5所述之太陽能電池,其中部分之該封裝材料 在該些凹槽之内。 7. 根據請求項5所述之太陽能電池,其中該封裝材料包含熱 塑型高分子材料。 8. 根據請求項5所述之太陽能電池,其中該封裝材料包含乙 烯醋酸乙稀。 9. 根據請求項丨所述之太陽能電池,其中該蓋板包含低鐵玻 璃。 10. 根據請求項丨所述之太陽能電池,其中該基板為玻璃基 板。 U.根據請求項1所述之太陽能電池,其中該光吸收層包含銅 11 M406.805 銦鎵碰層或銅銦础層。 12.根據請求項1所述之太陽能電池,其中該凹槽之内徑介於 0.1mm〜0.4mm,而該凹槽之深度小於0.4mm。
    12
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