CN203466206U - 晶体硅光伏组件 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种晶体硅光伏组件,包括光伏玻璃、前层胶膜、间隔阵列布置的若干晶体硅电池片、后层胶膜和光伏背板,光伏玻璃、前层胶膜、晶体硅电池片、后层胶膜和光伏背板依次层叠胶合,所述光伏玻璃为高透射玻璃,在位于相邻二个晶体硅电池片之间的光伏玻璃中设置有一对漫反射部和一对折射部,一对漫反射部位于一对折射部之间,入射光线经漫反射部反射后射到折射部,再经折射部折射后射到晶体硅电池片上。本实用新型所述的晶体硅光伏组件,大大提高了光子的利用率及晶体硅光伏组件的输出功率,晶体硅光伏组件的光电转换效率高。

Description

晶体硅光伏组件
技术领域
本实用新型涉及光伏技术领域,尤其涉及一种晶体硅光伏组件。
背景技术
太阳能是人类取之不尽、用之不竭的可再生能源,不会产生任何的环境污染,在太阳能的有效利用中,光伏技术已逐步进入人们的日常生活,其中,广泛应用的晶体硅太阳能电池就是利用晶体硅光伏组件吸收光能、发生光电转换从而产生电能。目前所使用的晶体硅光伏组件包括光伏玻璃、前层胶膜、间隔阵列布置的若干晶体硅电池片、后层胶膜和光伏背板,光伏玻璃、前层胶膜、若干晶体硅电池片、后层胶膜和光伏背板依次层叠胶合,光线从光伏玻璃 射入,入射到电池片上的光被利用,入射到相邻电池片间隙中的光线没有得到利用,这直接影响了光子的利用率,光伏组件的输出功率不理想。
实用新型内容
本实用新型所需解决的技术问题是:提供一种可提高光子利用率的晶体硅光伏组件。 
为解决上述问题,本实用新型采用的技术方案是:所述的晶体硅光伏组件,包括光伏玻璃、前层胶膜、间隔阵列布置的若干晶体硅电池片、后层胶膜和光伏背板,光伏玻璃、前层胶膜、晶体硅电池片、后层胶膜和光伏背板依次层叠胶合,所述光伏玻璃为高透射玻璃,在位于相邻二个晶体硅电池片之间的光伏玻璃中设置有一对漫反射部和一对折射部,一对漫反射部位于一对折射部之间,入射光线经漫反射部反射后射到折射部,再经折射部折射后射到晶体硅电池片上。 
进一步地,前述的晶体硅光伏组件,其中,所述的折射部与晶体硅电池片的边缘齐平。
进一步地,前述的晶体硅光伏组件,其中,所述的漫反射部与光伏玻璃底面倾角为60°,折射部与光伏玻璃底面垂直。
本实用新型的有益效果是:晶体硅光伏组件面向太阳工作时,光线从光伏玻璃射入,入射到晶体硅电池片上的光被利用,入射到相邻晶体硅电池片间隙中的光线经漫反射部发生反射后射到折射部,并通过折射部折射后射到晶体硅电池片上,这样大大提高了光子的利用率及晶体硅光伏组件的输出功率,晶体硅光伏组件的光电转换效率高。
附图说明
图1是本实用新型所述的晶体硅光伏组件的结构示意图。
图2是相邻晶体硅电池片之间的光线反射及折射路线示意图。
具体实施方式
下面结合附图及优选实施例对本实用新型所述的技术方案作进一步详细的说明。
如图1和图2所示,本实施例所述的晶体硅光伏组件,包括光伏玻璃1、前层胶膜2、间隔阵列布置的若干晶体硅电池片3、后层胶膜4和光伏背板5,光伏玻璃1、前层胶膜2、晶体硅电池片3、后层胶膜4和光伏背板5依次层叠胶合,并在层压机中的高温真空环境下进行胶粘固化,而后在晶体硅光伏组件四周安装固定边框6。所述光伏玻璃1为高透射玻璃,在位于相邻二个晶体硅电池片3之间的光伏玻璃中设置有一对漫反射部11和一对折射部12,一对漫反射部11位于一对折射部12之间,入射光线经漫反射部11反射后射到折射部12,再经折射部12折射后射到晶体硅电池片3上;所述的折射部12与晶体硅电池片3的边缘齐平;本实施例中,所述的漫反射部11与光伏玻璃1的底面倾角为60°,折射部12与光伏玻璃1的底面垂直。
晶体硅光伏组件面向太阳工作时,光线从光伏玻璃1射入,入射到晶体硅电池片3上的光被利用,入射到相邻晶体硅电池片3间隙中的光线经漫反射部11发生反射后射到折射部12,并通过折射部12折射后射到晶体硅电池片3上,充分利用到了射入到相邻晶体硅电池片3间隙的光线,这样大大提高了光子的利用率及晶体硅光伏组件的输出功率,晶体硅光伏组件的光电转换效率高。

Claims (3)

1.晶体硅光伏组件,包括光伏玻璃、前层胶膜、间隔阵列布置的若干晶体硅电池片、后层胶膜和光伏背板,光伏玻璃、前层胶膜、晶体硅电池片、后层胶膜和光伏背板依次层叠胶合,其特征在于:所述光伏玻璃为高透射玻璃,在位于相邻二个晶体硅电池片之间的光伏玻璃中设置有一对漫反射部和一对折射部,一对漫反射部位于一对折射部之间,入射光线经漫反射部反射后射到折射部,再经折射部折射后射到晶体硅电池片上。
2.按照权利要求1所述的晶体硅光伏组件,其特征在于:所述的折射部与晶体硅电池片的边缘齐平。
3.按照权利要求1或2所述的晶体硅光伏组件,其特征在于:所述的漫反射部与光伏玻璃底面倾角为60°,折射部与光伏玻璃底面垂直。
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GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP03 Change of name, title or address

Address after: North West yangshe town Suzhou City, Jiangsu province 215600 Zhangjiagang Economic Development Zone Suzhou ikang Photoelectric Technology Co. Ltd.

Patentee after: SUZHOU AIKANG PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY CO., LTD.

Address before: 215600, Jiangsu Zhangjiagang Jiangsu Economic Development Zone Jintang road Suzhou Suzhou Kang Photovoltaic Technology Co., Ltd.

Patentee before: Suzhou Suncome Solar Science & Technology Co., Ltd.

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Granted publication date: 20140305

Effective date of abandoning: 20160810

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