TWM320275U - Heat-dissipation auxiliary board for high-speed drilling - Google Patents
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Description
'M320275 八、新型說明: 【新型所屬之技術領域】 本創作係有關-種使用在印刷電路板之鑽孔蓋板板材,尤指一種 .設有-複合材料層之高速鑽簡散熱辅助板材,其可在鑽孔加工中達 到研磨、潤滑鑽針及導熱之作用。 【先前技術】 近年來’隨著電子技術的日新月異,許多高科技產業的相繼問世, •使得更人性化’功能更佳的電子產品不斷地推陳出新,且這些電子產 品更不斷地朝向輕、薄、短、小的趨勢設計發展。各種電子產品均具 有至V主機板,其係由許多電子元件及電路板所構成,而電路板之 功能係在祕叙條連接各_子元件,使得·電子元件能夠彼 b电!·生連接*目剛最常見之電路板係為印刷電路板(p細d circuit Board: PCB) 〇 e印刷電路板能將電子零組件聯接在1,使其發揮整體功能,因 此疋所有電子資訊產品不可或缺的基本構成要件。由於印刷電路板設 …十品料料齊’不但直接鮮電子產品的可織,亦可左右系统產 •品的競爭力,耻PCB經常被稱為是「電子緒產品之母」或「3C 產業之基」。印刷f路板是以不導電材料所製成的平板,在此平板上通 书都.又。十有奴鑽孔以安裝晶片或其他電子元件。元件的孔有助於讓預 先定義在板社印製之麵路独電子方式連接域,將電子元件的 接腳牙過PCB後,再轉電性的金屬焊條獅在pcB而形成電路。 5 ,M320275 然,進行電路板鑽孔時,對於孔徑小的孔洞,相對地需採用較小 的鑽針,也因如此,斷針的發生是時而易見的。現今一般技術之印刷 電路板之鑽孔方法,係在印刷電路板上設有一紹材蓋板(參見第3圖广 —使鑽孔時,供鑽針緩衝及散熱,馳材蓋板—般係祕㈣、多孔纖 -維層以及潤滑層所組成。 此铭材蓋板在進行鑽孔時,由於該多孔纖維層為固態且不易溶 解在鑽孔過私中會產生砰屑於鑽孔中,造成斷針或造成印刷電路板 鲁鑽孔部份之内壁粗糙化。 由於該多孔纖維層在鑽頭的轉速提高以加快鑽孔速度時,無法有 效的將鑽針於高速雜下離生的熱能_,耻造賴針之使用壽 命減短。 再者’該銘材蓋板之銘箱層在鑽孔過程中由於鑽針潤滑不夠,鑽 孔時容易使金屬碎屑在高速下大量散落在印刷電路板上,若未處靴 淨’可能會造成印刷電路板在使用時電路短路,進而影響到產品信賴 胃度。 【新型内容】 本創作之主要目的係提供—種適用於印刷電路板鑽孔加工之高速 鑽孔用散熱輔助板材,其組成簡單,成本低廉。 本創作之又-目的係提供一種高速鑽孔用散熱辅助板材,其可於 鑽孔過程中同時研磨與潤滑鑽針。 本創作之再-目的係提供—種高速鑽細散熱_板材,可避免 6 M320275 鑽孔過程造成鑽孔部份之内壁粗糙或斷針情形。 本創作之再目的係提供一種高速鑽孔用散熱輔助板材,其可 效傳導鑽針之熱能。 ’ • 為達上述之目的’本創作高速鑽制散熱獅板材,包括一支韓 材、π合材料層與i滑層’其中該複合材料層係為包含奈米結構 粉,複合材料層係塗佈於該支翁上,_爾層塗佈於該複合材 料層上藉此使鑽孔加工時,鑽針可藉由上述之高速錢孔用散熱辅助 •板材達到研磨、潤滑鑽針及導熱之目的。 為便於對本創作能有更深人崎解,茲藉―實施例詳述於後: 【實施方式】 明 > 閱第1圖’圖示内容為本創作高速鑽孔用散熱輔助板材⑴之 -較佳實施例,其包含一支撐材(13)、一複合材料層(11)與一潤滑層 (12)〇 " 该複合材料層(11)係包含奈米結構粉,塗佈於該支撐材(13)上。在 ♦本創作之較佳實施例中,該奈米結構粉係為鹵化物或選自於包括二硫 -化鉬(MoS2)、二硒化鉬(M〇Se2)、二硫化鎢(Ws2)、二硒化鎢(WSe2)、 _二硫化銳(Nbs2)、二砸化銳(NbSe2)、二硫化组(TaS2)、二袖化组(TaSe2) 及二硫化鈦(TlS2)其中一種,而該鹵化物係選自於包括氟化鈽(CeF3)、 氣化録(Cdcy、氯化銘(C0C12)、氯化錯(ZrCl2)、氯化錯(pbcl2)。藉此 可將鑽孔加工所產生之熱能帶離,以減少鑽孔摩擦發熱而對印刷電路 板(2)材質產生影響並延長鑽針之使用壽命。 7 M320275 每 " 該潤滑層(12)係塗佈於前述之複合材料層(n)表面上,在本創作之 較佳實施例中,該潤滑層(12)係選自於包括脂肪醇聚合物、聚多醇脂 肪酸脂、酮與酸類之共聚合物和酮與酯類之共聚合物,並與界面活性 •劑合併使用,其中,該脂肪醇聚合物係為聚乙二醇、聚氧乙烷或聚乙 _烯醇其中一種;該聚多醇脂肪酸脂係硬脂酸、丙三醇硬脂酸酯或聚氧 乙烧其中-種;賴與酸類之躲合物贿乙烯咖各細、喻各曝 酸鈉、乙烯吡咯烷酮或乙烯醋酸酯共聚物其中一種;該酮與酯類之共 •聚合物係乙烯吼嘻細或甲基丙烯酸共聚物其中一種,而界面活性劑 可為磺基琥珀酸酯類、烷基磷酸酯塩、烷基醚硫酸塩、烷基磺酸塩、 烧基麵、烧細胺、?錄氧乙胸、聚聚氧乙湘旨等陰離子、陽離 子或非離子型其中一種者。 该支撐材(13)可為一塑料板材或一金屬箔板,本實施例以金屬箔 板作為-最佳實施方式,該支撐材⑽侧以支撐上述之複合材料層 (11)與潤滑層(12)。 鲁 因此’如第2圖所示,實施時’將前述完成之高速鑽孔用散熱輔 -助板材⑴置於印刷t路板⑵上,以進行鑽孔作業,當鑽孔裝置達到預 -定鑽孔位置時’即令鑽針⑷下降鑽孔,鑽針⑷下降後,經由本創作所 设之潤滑層(12),故可先使該鑽針(4)潤滑並緩衝貫穿之力道,以避免 孔偏或斷針’而騎⑷持續下降時,便會經過本創作所設之複合材料 層(11) ’其中該複合材料層(11)包含奈米結構粉,因奈米結構粉的特殊 結構’具有f子尺核應、宏觀量子随道效應、表面效應、體積效應 8 M320275 等四大效應’因此更具有潤滑抗磨之特性,故可同時研磨與潤滑鑽針 ⑷’使鑽針(4)保持銳利,並適時將鑽針⑷高速轉動所產生之熱能帶離。 當鑽針再持_下降時,便會經過本創作之支撐材(13)。在本創作 之較佳實施例中,該支撐材(13)係為一金屬箱板,當鑽針貫穿該支擇 材(13)時,有效減少金屬碎屑噴濺至四周。 因此,本創作具有以下之優點: I本創作提供-種適用於印刷電路板鑽孔加工之高速鑽孔用 ►散熱辅助板材,其組成簡單,成本低廉。 2·本創作提供-種高速鑽孔用散熱輔助板材,其複合材料層 a又有奈米結構粉,使可在鑽孔過程中同時研磨與潤滑鑽針。 3·本創作提供一種高速鑽孔用散熱輔助板材,該支撐材為_ 塑料板材日守,除可以有效降低製作成本外,其不導電之特 I*生可避免4用銘材蓋板於鑽孔加工時,掉落金屬碎屑所 .產生之短路問題,若本創作之支撐材選擇金屬猪板,鑽孔 可藉由本創作之潤滑層潤滑設計,達到良好之潤滑,使得 鑽孔時,有效減少金屬碎屑喷濺至四周。 紅上,依以上所揭示之說明與圖示,本創作確可達到創作之預期 目的,提供一種咼速鑽孔用散熱辅助板材,其可在鑽孔加工中具有導 熱散熱之作用。以上係就本創作之具體實施例及所運用之技術手段之 況明’根據本文的揭露或教導可衍生推導出若干的變化與修飾,若依 本創作之技術手丨又所作之等效變化,其所產生之作用仍未超出說明書 9 M320275 及圖式所/¾盖之貫質精神時,均應視為在本創作之技術範傳内。 【圖式簡單說明】 21圖係為本創作高速鑽孔用散熱辅助板材之剖示圖。 第2圖係為本創作高速鐵孔用散熱輔助板材置^ 孔時之使用狀態剖示圖。 P刷电路板J: 第3圖係為習用鑽孔蓋板之剖示圖。 【主要元件符號說明】 複合材料層11 支撐材13 習用鑽孔蓋板3 潤滑層32 鑽針4 高速鑽孔用散熱輔助板材1 潤滑層12 印刷電路板2 多孔纖維層31 鋁箔層33
Claims (1)
- M320275 九、申請專利範圍: 1· 一種南速鑽孔用散熱輔助板材,係用於印刷電路板上方以供鑽孔使 用’其包括: 一複合材料層’包含奈米結構粉,其中該奈米結構粉係為鹵化 物或選自於包括二硫化翻(M〇s2)、二石西化糾M〇Se2)、二硫化鎢 (WS2)、二砸化鶬(wse2)、二硫化鈮(NbS2)、二硒化鈮(NbSe2)、二硫 化鈕(TaS2)、二硒化钽(TaSeJ及二硫化鈦(TiS2)其中一種; 一支撐材,係供上述之複合材料層結合於上;以及 一潤滑層,係塗佈於上述複合材料層表面上; 藉此在印刷電路板之鑽孔加工中同時研磨、潤滑鑽針及導熱。 2·如申請範圍第1項所述之高速鑽孔用散熱輔助板材,其中該支撐材 為'一塑料。 3·如申清範圍第1項所述之高速鑽孔用散熱辅助板材,其中該支撐材 為一金屬箔板。 4·如申請範圍第1項所述之高速鑽孔用散熱辅助板材,其中該潤滑層 係送自於包括脂肪醇聚合物、聚多醇脂肪酸脂、酮與酸類之共聚合 物和酮與酯類之共聚合物,並與界面活性劑合併使用。 5·如申明範圍第4項所述之高速鑽孔用散熱辅助板材,其中該脂肪醇 聚合物係為聚乙二醇、聚氧乙烷或聚乙烯醇其中一種。 6·如申請範圍第4項所述之高速鑽孔用散熱辅助板材,其中該聚多醇 月曰肪酸脂係硬脂酸、丙三醇硬脂酸酯或聚氧乙烧其中一種。 11 M320275 7·如申清關第4彻述之高速鑽制散熱獅板材 ,其中該酮與酸 颂之/、來口物係聚乙烯吡咯烷酮、吡咯酮羧酸鈉、乙烯吡咯烷酮或 乙烯醋酸酯共聚物其中一種。 &如申—目第4項所述之高速鑽孔用散熱辅助板材 ,其中該酮與酯 類之共聚合物係乙烯吼咯烷酮或甲基丙烯酸共聚物其中一種。 9·如申^圍第4項所述之高麵孔肢熱獅板材,其巾該界面活 |±钟]可為飧基琥珀酸酯類、烷基磷酸酯塩、烷基醚硫酸塩、烷基磺 酉欠垣、烧基胺類、烷基醯胺、聚聚氧乙烯醚、聚聚氧乙烯酯等陰離 子、陽離子或非離子型其中一種者。 1〇·如申請範圍第1項所狀高速舰用散難祕材,其巾該複合材 料層係以塗佈方式結合於支撐材上。 11 ·如申請範圍第1項所述之高速鑽孔用散熱辅助板材,其中該齒化物 係選自於包括氟化飾(CeF3)、氯化鑛(cdci2)、氯化钻(c〇cl2)、氯化 錯(ZrCl2)及氯化錯(pbQj。 12
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