TWM307017U - Chemical vapor deposition system for processing flat panel display substrates - Google Patents
Chemical vapor deposition system for processing flat panel display substrates Download PDFInfo
- Publication number
- TWM307017U TWM307017U TW095207198U TW95207198U TWM307017U TW M307017 U TWM307017 U TW M307017U TW 095207198 U TW095207198 U TW 095207198U TW 95207198 U TW95207198 U TW 95207198U TW M307017 U TWM307017 U TW M307017U
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- chemical vapor
- processing chamber
- gas distribution
- plasma source
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
M307017 八、新型說明: 【新型所屬之技術領域】 本創作實施例大致關於清潔化學氣相沈積處理室之方 法。更明確而言,係關於清潔用於處理大型基材之化學氣 相沈積處理室的方法。 【先前技術】
在積體電路及半導體元件製造期間,化學氣相沈積 (CVD)為沈積材料以於基材上形成膜層的常用方法。化學 氣相沈積的實施通常係將氣體輸送至化學氣象沈積處理室 中基材支撐件上所支撐的基材。該等氣體係經由處理室中 的氣體輸送組件輸送至基材。 於化學氣相沈積期間,所沈積的材料也形成於處理室 之元件上。此沈積之材料會於後續製程期間剝落,並形成 會傷害或毀損處理室中基材元件的污染微粒。因此,常需 要週期性的清潔處理室。 目前,處理室清潔的一種方法係使用遠端電漿源。遠 端電漿源會在處理室外將清潔氣體解離為游離基(radicals) 或反應性物種。反應性物種會接著流入處理室以清潔處理 室。藉由遠端產生反應性物種,處理室内部並不會暴露於 需解離清潔氣體而又具潛在傷害的高位準電源下。 現已發現利用遠端電漿來源的處理室清潔通常因需依 據遠端電漿源而得的估計解離率故不具效率。遠端電漿所 產生的反應性物種會再結合形成分子,而因此較游離基不 5 M307017 具清潔效率。例如,清潔氣體nf3會產生氟游離基,在結 合後形成F 2。
再結合的程度可藉由比較化學氣相沈積處理室(自有 電漿電源啟動之遠端電漿源接收氣體)中所測得的壓力以 及化學氣相沈積處理室(自未啟動電漿電源之遠端電漿源 接收氣體)中所測得的壓力而估得。處理室中的壓力在遠端 電漿源啟動時應較高,即在電漿將一分子劈解為多個反應 性物種時會增加處理室壓力。例如,由於NF3解離為1個 氮原子及3個氟原子,故以啟動電漿電源解離NF3的方式 接收來自遠端電漿源之氣體的處理室,其壓力應為自遠端 電漿源接收未解離NF3之處理室壓力的四倍。然而,利用 現行遠端電漿源及化學氣相沈積處理室,以啟動電漿電源 以分解NF3的方式接收來自遠端電漿源之氣體的處理室壓 力僅約為以關閉電漿電源的方式自遠端電漿源接收未解離 NF3之處理室壓力的兩倍。因此,由於以啟動電漿電源方 式自遠端電漿源接收氣體之處理室壓力僅有預期壓力的 5 0%.,故會因反應性物種的再結合而使處理室中損失約 5 0%的反應性物種。 再結合的因素之一係化學氣相沈積處理室之氣體分配 組件僅提供有限的流動區域。氣體分配組件通常包含許多 非常小尺寸的孔洞,來自遠端電漿源的反應性物種必須通 過該孔洞才能進入處理室之製程區域。相較於較大區域, 如此小的區域中反應性物種極易撞擊並再結合。 因在結合所導致的低處理室清潔效率會增加清潔處理 6 M307017
室的所需時間,而減少了處理室基材產量並增加需清潔處 理室之清潔氣體的成本。為充分清潔處理室部件(例如處理 室的邊緣及彎角)所需的額外清潔時間也會導致處理室其 他部件的過度蝕刻。因此,業界對於較有效地利用遠端電 漿源清潔化學氣相沈積處理室的方法及設備仍存有需求。 更明確而言,業界對於較有效清潔化學氣相沈積處理室以 處理大型基材(例如1 0 0 0 m m X 1 0 0 0 m m或更大者,例如面板 顯示器)的方法及設備仍存有需求。 【新型内容】 本創作大致係提供一種用於清潔化學氣相沈積處理室 (例如用於處理大型基材(如面板顯示器)之化學氣相沈積 處理室)之方法及設備。於一實施例中,用於處理面板顯示 基材之化學氣相沈積裝置至少包含一化學氣相沈積處理 室,其包括一處理室本體、一基材支撐件以及一氣體分配 組件,其中該處理室本體係界定出一第一入口 ,其經配置 以經由氣體分配組件自遠端電漿源提供反應性物種至化學 氣相沈積處理室之製程區域,且該處理室本體可界定一或 多個入口,其經配置以自不同的遠端電漿源提供反應性物 種至化學氣相沈積處理室之製程區域,同時繞過氣體分配 組件。 於另一實施例中,用於處理面板顯示基材之化學氣相 沈積裝置包括一第一遠端電漿源及一連接至該遠端電漿源 之化學氣相沈積處理室,該化學氣相沈積處理室包括一處 7
M307017 至本體 基材支撐件以及一氣體分配組件,其中該 室本體係界定一第一入口,其經配置以經由氣體分配 件自第遠端電漿原提供反應性物種至該化學氣相沈積 理至之製程區域,且該處理室本體並界定一第二入口, 、二配置以自相同或不同的遠端地將源提供反應性物種至 予氣相沈積處理室之製程區域,同時繞過該氣體分配組4 於另一實施例中,用於處理面板顯示基材之化學氣 沈積裝置包括一第一遠端電漿源、一第二遠端電漿源、 連接該第一遠端電聚源及該第二遠端電漿源之第一化學 尤積處理至’該第一化學氣相沈積處理室包括一第一 理室本體、一第一基材支撐件以及一第一氣體分配組件 其中該第-處理室本體係界定一第一入口,其經配置以 由該第—氣體分配組件自第—遠端電漿原提供反應性物 至該第一化學氣相沈積處理室之製程區域,且該第一處 室本體並界定一第二入口,其經配置以自該第二遠端; 源提供反應性物種至該第一化學氣相沈積處理室之製 區,同時繞過該第一氣體分配組件。該化學氣相沈積裝 更包括一連接該第一遠端電漿源及該第二遠端電漿源之 二化學氣相沈積處理室。該第二化學氣相沈積處理室包 一第二處理室本體、一第二基材支撐件以及一第二氣體 配組件,其中該第二處理室本體係界定一第一入口,其 配置以經由該第二氣體分配組件自該第一遠端電漿源提 反應性物種至該第二化學氣相沈積處理室之製程區域, 該第二處理室本體並界定一第二入口 ,其經配置以自該 曰修正補充 處 組 處 其 化 卜。 相 氣 處 經 種 理 漿 程 置 第 括 分 經 供 且 第 8 M307017 二遠端電漿源提供反應性物種至該第二化學氣相沈積處理 室之製程區域,同時繞過該第二氣體分配組件。
於另一實施例中,清潔化學氣相沈積處理室之方法包 括:經由一第一入口(其係經配置以經由化學氣相沈積處理 室之氣體分配組件自遠端電漿源提供反應性物種至該化學 氣相沈積處理室之製程區域)自遠端電漿源將反應性物種 引入化學氣相沈積處理室;以及經由一第二入口(經配置以 自相同或不同遠端電漿源提供反應性物種至化學氣相沈積 處理室之製程區域,同時繞過該氣體分配組件)自相同或不 同遠端電漿源將反應性物種引入化學氣相沈積處理室之製 程區域。 【實施方式】 本創作該等實施例係提供一種化學氣相沈積裝置,其 包括一化學氣相沈積處理室,包括一第一入口 ,用以經由 該處理室之一氣體分配組件自遠端電漿源提供反應性物種 至該處理室之製程區域;以及一第二入口,用以自遠端電 漿源提供反應性物種至處理室之製程區域,而不會使反應 性物種流經氣體分配組件,亦即,同時繞過氣體分配組件。 第1圖係依據本創作實施例之電漿增強型化學氣相沈 積裝置2 0 0之概要截面圖。該電漿增強型化學氣相沈積裝 置2 00類似加州聖塔克拉拉美商應用材料之分公司AKT所 上市之電漿增強型化學氣相沈積裝置4300。依據本創作該 等實施例其他可潤飾之裝置包括3 5 0 0、5 5 0 0、1 0 K、1 5 K、 9 M307017 年月日修正補充
2 0K、25K以及40K處理室,也同樣由加州聖塔克拉拉美 商應用材料分公司AKT所上市。該裝置2 00通常包括一耦 接至先驅物供應器5 2之化學氣相沈積處理室2 0 3。該化學 氣相沈積處理室2 0 3具有數個側壁2 0 6、底部2 0 8以及一 蓋組件210,以界定出該處理室内之製程體積或區域212。 該製程區域212 —般係經由該等側壁206之一埠口(未示出) 做存取,以利基材2 4 0進出該化學氣相沈積處理室2 0 3的 移動。側壁206及底部208通常是由鋁、不鏽鋼或其他適 於製程之材料製成。該等側壁2 0 6可支撐一蓋組件2 1 0, 其包含一可將製程區域212耦接至排氣裝置(具有各種抽 氣元件,未示出)之抽氣空間214。該等側壁206、底部208 及蓋組件210可界定出該處理室本體202。
氣體入口導管或輸送管 42係延伸進入入口埠或處理 室本體202之中央蓋區的入口 280,並連結至各種氣體源。 先驅物供應器5 2包含沈積期間所用的先驅物。先驅物可為 氣體或液體。所用的特定先驅物係依據欲沈積至基材上之 材料而定。製程氣體係流經入口輸送管 42進到入口 280 並接著進入處理室 203。電性操作的閥門及流動控制機構 54可控制氣體自氣體供應器至入口 280的流動。 第二氣體供應裝置也經由入口輸送管 42連接至處理 室。該第二氣體供應裝置可供應用於清潔之氣體,例如移 除所沈積之材料、在處理室中一或多個化學氣相沈積製程 執行後的處理室内部。於某些情況中,第一及第二氣體供 應可相結合。 10 M307017 95. b, 31 年月 me補充 第二氣體供應裝置包括一清潔氣體(或液體)來源64, 例如三氟化氮(nitrogen trifluoride)或六氟化硫(sulfur hexafluoride); —遠端電漿源66,其係位於化學氣相沈積 處理室外側及一距離處;一電性操作閥及流動控制機構 70 ;以及一連接遠端電漿源至化學氣相沈積處理室203之 導管或輸送管77。前述配置可利用遠端電漿源使處理室内 部表面達清潔之效。
第二氣體供應裝置也包括一或多個額外氣體(或液體) 的一或多種來源72,例如氧氣或載氣。額外氣體係經由另 一閥門及流動控制機構73連接至遠端電漿源66。載氣可 協助遠端電漿源中產生之反應性物種傳送至沈積處理室, 且可為任一種與特定、現正使用之清潔製程相容的非反應 性氣體。例如,載氣可為氬、氮或氦氣。載氣也可協助清 潔製程或協助起始及/或穩定化學氣相沈積處理室中的電 漿。
亦可選擇的是,於輸送管77中設置流量限制器76。 流量限制器7 6可設於遠端電漿源6 6及沈積處理室2 0 3間 路徑中的任一位置。流量限制器76也容許遠端電漿源66 及沈積處理室203間存有壓力差。在氣體及電漿混合物離 開遠端電漿源6 6且進入沈積處理室2 0 3時,流量限制器 76也可做為氣體及電漿混合物的攪拌器。 閥門及流量控制機構70可以使用者選擇之流率自來 源54輸送氣體進入遠端電漿源66。遠端電漿源66可為 RF電漿源,例如感應耦合之遠端電漿源。該遠端電漿源 11
M307017 66可活化來自來源64之氣體或液體以形成反應性物種, 使之接著流經導管77及入口輸送管42,並經入口 280進 入沈積處理室。因此,入口 2 8 0係用以將反應性物種輸送 至化學氣相沈積處理室 2 0 3的内部區域,包括製程區域 212 °
蓋組件2 1 0可作為製程區域2 1 2的上方界線。蓋組件 210包括中心蓋區域205,其中界定有入口 280。該蓋組件 2 1 0 —般可移除或打開以對化學氣相沈積處理室2 0 3進行 維修。於一實施例中,該蓋組件2 1 0係由鋁製成。該蓋組 件210其中形成有一抽氣區域214,其耦接至一外部抽氣 裝置(未示出)。該抽氣空間214係用以連通氣體,並自製 程區域2 1 2均勻地處理副產物及排出化學氣相沈積處理室 203 ° 氣體分配組件2 1 8係耦接至蓋組件2 1 0之内側220。 該氣體分配組件2 1 8包括一氣體分配板2 5 8中之穿孔區域 216,氣體(包括遠端電漿源產生的反應性物種及用於化學 氣相沈積的製程氣體)則穿過該等孔洞送入製程區域 2 1 2。氣體分配板2 5 8的穿孔區域2 1 6係經配置,以使氣體 通過氣體分配組件2 1 8均勻分配進入製程體積2 1 2中。可 受惠於本創作之氣體分配板描述於200 1年 8月 3曰由 Keller等人所申請之美國專利申請序號第09/922,219號, 現領證成為美國專利第6,772,827號;2006年5月6曰由 Yim等人申請之美國專利申請第1 0/1 40,3 24號;以及2003 年1月 7曰由 Blonigan等人所申請之美國專利申請第 12 M307017 年月日修正補充 1 0/337,483號;2002年11月12日由White等人所領證之 美國專利第6,477,980號;以及2003年4月16曰由Choi 等人所申請之美國專利申請第1 0/4 1 7,5 92號,其等全文均 合併於此以供參考。
氣體分配板258通常係由不鏽鋼、鋁、電鍍鋁、鎳或 其他射頻導電材料。氣體分配板25 8係經配置以具有可維 持足夠平坦性及均句性的厚度,以不影響基材製程。於一 實施例中,氣體分配板25 8具有介約1.0英吋至約2.0英 口寸之厚度。
除入口 280外,處理室本體202包括一第二入口 282, 用以自遠端電漿源提供反應性物種。遠端電漿源可為相同 之遠端電漿源6 6,以通過入口 2 8 0經由氣體分配組件2 1 8 提供反應性物種至製程區域(如第1圖所示),或可為不同 之遠端電漿源(如第3圖所示及其相關描述)。第二入口 282 可經配置以自遠端電漿源提供反應性物種至處理室2 0 3之 製程區域2 1 2,同時繞過氣體分配組件2 1 8。換言之,第二 入口 2 8 2所提供的反應性物種並不通過氣體分配組件2 1 8 其穿通的氣體分配板25 8。第二入口可位於處理室本體202 之側壁206中氣體分配組件218下方,例如氣體分配板258 及基材支撐件224之間。來自遠端電漿源之氣體線284可 經由第二入口 2 8 2將反應性物種自遠端電漿源傳送至處理 室203之製程區域212。 一般而言,由遠端電漿源之氣體線77可設一轉向器 79。該轉向器79可將來自遠端電漿源66之反應性物種的 13 M307017 8. 31 年 月 &#正·;滴无 間的線路 第一部份經由轉向器79及處理室203間之線路42導引至 處理室203之第一入口 28〇,並將來自遠端電漿源之反應 性物種的第二部份經由轉向器79及處理室2〇3 284導引至第二入口 282。
該處理室203内中央處設有一經溫度控制之基材支撐 組件23 8。該支撐組件23 8於製程期間可支撐一基材24卜 於一實施例中,該基材支撐組件23 8包含一基材支撐件 224,其具有—鋁質本體,裝有至少一内嵌加熱器232。誃 設於支撐組件238中之加熱器232(例如電阻式加熱器)係 搞接至一選擇性的電源274,並可控制地加熱該支樓組件 238及其上之基材240至一預定溫度。
一般而言,支撐組件23 8具有一基材支撐件224,其 包括一下端及一上端234。該上端234可支撐基材24〇。該 下端226具有一相耦接之支柱。該支柱242可將支撐組件 238耦接至一升舉裝置(未示出,其可將支撐組件238移動 於一升高之製程位置(如圖所示)以及一降低位置(以利基 材傳送進出化學氣相沈積處理室203))之間。該支柱242 更具有一導管,以電性及熱耦合的方式延伸於支撐組件 238及裝置200的其他元件之間。 折箱(bell〇ws)246係輕接於支撐、址件238(或支柱242) 及化學沈積處理室203之底部2〇8之間。該折箱246可提 供製粒£域2 1 2級化學氣相沈積處理室2 〇 3外之大氣間的 真空密封,同時協助垂直移動支樓、組件238。 該支撐組件2 3 8通常予以接地,以使電源2 2 2供應至 14 M307017 95. 8, S i 年月日絛正補充 氣體分配組件21 8(位於蓋組件210及基材支撐組件23 8 (或 處理室蓋組件内或附近處的其他電極)之間)的RF電源可 激發支撐組件23 8及氣體分配組件2 1 8之間之製程區域中 的氣體。該支撐組件238另可支撐外接之遮蔽框248。一 般而言’遮蔽框248可避免基材240及支樓組件238邊緣 處的沈積’以使基材不會黏附至支撐組件2 3 8。該支樓組 件2 3 8具有數個穿通孔洞,以接收數個升舉銷2 5 〇。
第2圖為依據本創作另一實施例之電漿增強型化學氣 相沈積裝置201的概要截面圖。如第2圖所示,裝置201 類似第1圖之裝置2 0 0 (相同元件則標示與第1及2圖相同 之參考號)。然而,裝置201包括兩個入口 286、288,其 等經配置以自遠端電漿源提供反應性物種,同時繞過氣體 分配組件218;而第1圖之裝置200包括一入口 282,其經 配置以自遠端電漿源提供反應性物種,同時繞過該氣體分 配組件218。由遠端電漿源至入口 288之氣體線283可將 遠端電漿源的反應性物種經由入口 2 8 8傳送至處理室2 0 3 之製程區域。由遠端電漿源至入口 286之氣體線285可將 遠端電漿源的反應性物種經由入口 2 8 6傳送至處理室2 0 3 之製程區域。亦可選擇的是,裝置201也包括一第二流動 限制器7 5,以使遠端電漿源6 6及第一入口 2 8 0之間有一 選擇性的流動限制器7 6,且遠端電漿源6 6及入口 2 8 6、2 8 8 之間有另一選擇性之流動限制器7 5。流動限制器7 5及入 口 286、288之間的轉向器78可控制由遠端電漿源66至入 口 2 8 6、2 8 8之反應性物種的流動,以使反應性物種的一部 15 M307017 年 %充 分可經由入口 286提供至製程區域212,且反應性物種之 一部分可經由入口 288提供至製程區域。該等入口 286、 288可設於處理室本體202之側壁206處,即處理室另一 端。一般相信提供兩個相隔之入口 286、288可強化反應 性物種均勻分佈通過處理室。
第3圖係依據本創作另一實施例之電漿增強型化學氣 相沈積裝置209之概要截面圖。如第3圖所示,裝置209 與第1圖之裝置200類似(相同元件則標示與第1及3圖相 同之參考號)。然而,裝置2 0 9包括兩個遠端電漿源。如第 3圖概要所示,第一遠端電漿組件260包括遠端電漿源66 及相關之元件,例如流動控制機構70,73、氣體源64、72 且選擇性的流動限制器76係經由氣體線42連接至處理室 203 ;而第二遠端電漿組件260包括一遠端電漿源,經由氣 體線43連接至處理室。來自氣體線42之反應性物種則經 由入口 2 8 0引入處理室,且來自氣體線4 3之反應性物種則 經由入口 2 8 2引入處理室。由於反應性物種係由不同遠端 電漿源引至入口 280、282,故不一定需要轉向器來調整一 遠端電聚源及兩入口間的流動。 第4圖係依據本創作另一實施例之電漿增強型化學氣 相沈積裝置400的概要截面圖。裝置400包括一第一化學 氣相沈積處理室402、一第二化學氣相沈積處理室404、一 第一遠端電漿源406以及一第二遠端電漿源408。該化學 氣相沈積處理室402、第二化學氣相沈積處理室404、第一 遠端電漿源406及第二遠端電漿源408係大略描述於第4 16 M307017
圖中,且可能具有與第1-3圖所述相同或所有的化學 沈積處理室元件及遠端電漿源。遠端電漿源406可提 應性物種分別至處理室402、404之蓋區域414、416 入口 4 1 0、4 1 2。反應性物種係經由氣體分配組件424 進入處理室402、404之製程區域420、422。遠端電 4 0 8可提供反應性物種分別至處理室4 0 2、4 0 4之側壁 436中的入口 430、432。因此,來自遠端電漿源408 應性物種會繞過氣體分配組件4 2 4、4 2 6。 第4圖所示之電漿增強型化學氣相沈積裝置可減 理諸多處理室所需退端電衆源的數目。例如,雖然第 所示裝置中每一化學氣相沈積處理室皆包括兩個遠端 源’第4圖所示裝置係以兩個遠端電漿源提供清潔兩 學氣相沈積處理室之方法。第4圖所示裝置的該等處 之一者中可進行一沈積製程,而其他處理室則以兩遠 漿源進行清潔。在第一處理室中完成沈積製程後,兩 端電漿源可接著用以清潔該第一處理室,且另一處理 步進行沈積製程。 雖然第4圖之第一遠端電漿源可經由處理室之氣 配組件提供反應性物種至兩個處理室之製程區域,且 运電衆源可挺供反應性物種至兩處理室之製程區域 時繞過處理室之氣體分配組件,但於其他實施例中, 數目的遠端電衆源及處理室也可一起使用。例如,第 端電漿源可耦接至三個或更多處理室之第一入口 ,而 运端電蒙源可輕接至三個或更多處理室之第二入口。 厂 -V -,a·. ;-: 氣相 供反 中的 、426 漿源 434、 之反 少清 3圖 電漿 個化 理室 端電 個遠 室同 體分 第二 ,同 其他 一遠 第二 17 M307017 9& 8. 31 年月日修正補充
依據本創作實施例之電漿增強型化學氣相沈積 括一入口,其可將反應性物種引入化學氣相沈積處 製程區域,同時繞過化學氣相沈積處理室之氣體 件,本創作之該等實施例亦提供一種清潔電漿增強 氣相沈積裝置之方法,其包括將反應性物種自遠端 引至化學氣相沈積處理室之製程區域,同時繞過化 沈積處理室之氣體分配組件。來自相同或不同遠端 之反應性物種可經由獨立入口(經配置以經由氣體 件提供反應性物種至處理室之製程區域)引入處理室 反應性物種可利用標準遠端電漿源條件由習知 體組成,例如含鹵素氣體(如含氟氣體,諸如NF3, F SF6, C2F6, CC14, C2C16及其組合物)。化學氣相沈積 所提供的原位電源(in situ power),例如内部RF電 可於處理室清潔製程期間使用以藉由額外的分解4 如F 2物種)增強清潔率。
裝置包 理室之 分配組 型化學 電漿源 學氣相 電漿源 分配組 〇 清潔氣 ' 2 ? C F 4 5 處理室 源,也 分種(例 方式, 。較佳 可在繞 以第一 製程區 1至約 室之製 學氣相 率可約 藉由氣體分配組件提供至少部分反應性物種的 反應性物種便可清潔或至少部分清潔氣體分配組件 而言,大多數引入處理室之製程區域的反應性物種 過氣體分配組件的同時引入。例如,反應性物種可 流率經由第一入口及氣體分配組件引入處理室之 域,且反應性物種可以第二流率(大於第一流率約 1 0倍)經由第二入口(繞過氣體分配組件)引入處理 程區域。例如,對經改良之AKT 2 5K電聚增強型化 沈積處理室而言,第一流率約為2 slm,而第二、、穿 18 M307017
年
圖 創 應 為 1 0 s 1 m 〇 • 雖然反應性物種可經由氣體分配組件引入處理室 • 耘區《’同時繞過氣體分配組件將反應性物種引入處 之製程區$,反應性物種也可依序經由處理室中的不 引入。例如,反應性物種可經由第一入口及氣體分 件引入處理室之製程區域一第一時間段,即足以清潔 刀配組件之穿孔的時間I。可接著終止經由第一入口 • 應、性物種的流率,並將通過第二入口(繞過氣體分配 的反應性物種引入處理室之製程區域一段第二時間段 清潔處理室之其他元件。 、斤口人相彳5將絕大部分反應性物種提供至處理室同 過氣體分配組件的方式可增加處理室清潔效率,此73 應性物種流經氣體分配組件之小尺寸穿孔(如16密 減少了活性物種再結合的量。 雖…^述為本創作之實施例,但其他或更進一涉 ^亦可於不悖離本創作基本範圍下做潤飾,且其襄 ^ Φ附加申請專利範圍決定之。 【圖式簡單說明】 本創作述特徵及概述如上的更特定敘述可參 示更得以領會。然應注意的1,附加圖示僅用於 作般只鈀例,故不應視為本創作範圍之限制。 涵盍其他等效實施例。 第1圖係依據本創作實施例之電漿增強型化學 之製 理室 同入 配組 氣體 之反 組件) ,以 時繞 因反 爾)而 的實 ,圍應 附加 明本 創作 相沈 19
M307017 積裝置之概要截面圖。 第2圖係本創作另一實施例之電漿增強型化學氣相沈 積裝置的概要截面圖。 第3圖係依據本創作另一實施例之電漿增強型化學氣 相沈積裝置之概要截面圖。 第4圖係依據本創作另一實施例之電漿增強型化學氣 相沈積裝置之概要截面圖。
【主要元件符號說明】 42氣體入口導管或輸送管 52先驅物供應器 64來源 70電性操作閥門及流動空機構 73閥門及流動控制機構 76流動限制器 78轉向器 200電漿增強型化學氣相沈積裝置 202 處理室本體 205 中央蓋區域 208底部 210 蓋組件 214抽氣空間 218 氣體分配組件 222 電源 43氣體線 54電性操作閥門及流動控制機構 66遠端電漿源 72 —或多個來源 75流動限制器 77導管或輸送管 79轉向器 201電漿增強型化學氣相沈積裝置 203化學氣相沈積裝置 206 側壁 209電漿增強型化學氣相沈積裝置 212製程體積或區域 216穿孔區 220 内側 224基材支撐件 20 M307017 95. 8 年月 31 日修正補充* 226下端 228數個孔洞 232内嵌加熱器 234上端 238經溫度控制之基材支撐組件 240基材 242支柱 274電漿源
21
Claims (1)
- M307017 第f孓y 專利窠?厂年(匕月修重 Λ 年月日修正補充 十、申請專利範圍: 1. 一種用於處理面板顯示器基材之化學氣相沈積裝置,其 至少包含: 一化學氣相沈積處理室,其包括: 一處理室本體; 一基材支撐件;以及 一氣體分配組件; 其中該處理室本體係界定一第一入口,其經配 置以經由氣體分配組件自遠端電漿源提供反應性物種 至化學氣相沈積處理室之製程區域,且該處理室本體係 界定一或多個入口,經配置以自相同或不同遠端電漿源 提供反應性物種至化學氣相沈積處理室之製程區域,同 時繞過該氣體分配組件。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之化學氣相沈積裝置,其中 該第二入口係位於該處理室本體之一側壁中,介於氣體 分配組件及基材支撐件之間。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之化學氣相沈積裝置,其中 該第一入口係位於該處理室本體之蓋區域中。 4·如申請專利範圍第3項所述之化學氣相沈積裝置,其中 該第二入口係位於該處理室本體之一側壁中,位於該氣 22 M307017 9b. iO. 2〇 年月日修止補充 體分配組件下方。 5 .如申請專利範圍第1項所述之化學氣相沈積裝置,其中 該處理室本體係界定出一個以上之入口,其等經配置以 自相同或不同遠端電漿源提供反應性物種至化學氣相 沈積處理室之製程區域,同時繞過該氣體分配組件。 6. 如申請專利範圍第1項所述之化學氣相沈積裝置、其中 該處理室本體係界定兩個入口,其經配置以自相同或不 同遠端電漿源提供反應性物種至化學氣相沈積處理室 之製程區域,同時繞過該氣體分配組件,且該兩個入口 係位於化學氣相沈積處理室之相對側上。 7. —種用於處理面板顯示器基材之化學氣相沈積裝置,其 至少包含: 一第一遠端電漿源;以及 一化學氣相沈積處理室,其經連結至遠端電漿源, 該化學氣相沈積處理室包括: 一處理室本體; 一基材支撐件;以及 一氣體分配組件; 其中該處理室本體係界定一第一入口,其經配置 以經由氣體分配組件自第一遠端電漿源提供反應性物 23 M307017修正補充 種至化學氣相沈積處理室之製程區域,且該處理室本體 係界定一第二入口,經配置以自相同或不同遠端電漿源 提供反應性物種至化學氣相沈積處理室之製程區域,同 時繞過該氣體分配組件。 8. 如申請專利範圍第7項所述之化學氣相沈積裝置,其更 包括一流動限制器,其適於在該第一遠端電漿源及該化 學氣相沈積處理室之間提供一壓力差。 9. 如申請專利範圍第7項所述之化學氣相沈積裝置,其更 包括一第二遠端電漿源,連接至該化學氣相沈積處理 室,且其中該第二入口係經配置以自第二遠端電漿源提 供反應性物種至化學氣相沈積處理室之製程區域,同時 繞過該氣體分配組件。 1 〇.如申請專利範圍第7項所述之化學氣相沈積裝置,其中 該第二入口係經配置以自該第一遠端電漿源提供反應 性物種至該化學氣相沈積處理室之製程區域,同時繞過 該氣體分配組件。 1 1 .如申請專利範圍第7項所述之化學氣相沈積裝置,其更 包括於該第一遠端電漿源至該處理室本體之氣體線上 設一轉向器(d i v e r t e r),其中該轉向器係經配置以提供該 24 M307017 第一遠端電漿源所產生之反應性物種之一部分至該第 一入口,並提供該第一遠端電漿源所產生之反應性物種 之一部分至該第二入口。 1 2.如申請專利範圍第7項所述之化學氣相沈積裝置,其中 該處理室本體更界定一第三入口,其經配置以自相同或 不同遠端電漿源提供反應性物種至化學氣相沈積處理 室之製程區域,同時繞過該氣體分配組件,其中該第二 及第三入口係位於該化學氣相沈積處理室之相對側上。 1 3 · —種用於處理面板顯示器基材之化學氣相沈積裝置,其 至少包含: 一第一遠端電漿源; 一第二遠端電漿源; 一第一化學氣相沈積處理室,連接至該第一遠端電 漿源及該第二遠端電漿源,該第一化學氣相沈積處理室 至少包含: 一第一處理室本體; 一第一基材支撐件;以及 一第一氣體分配組件; 其中該處理室本體係界定一第一入口,其經配置 以經由該第一氣體分配組件自該第一遠端電漿源提供 反應性物種至該第一化學氣相沈積處理室之製程區 25 M307017 95. ΙΟ. 25 年月日修正補充 以 相 組 電 室 經 源 程 置 氣 組 其 理 係 分 域,且該第一處理室本體係界定一第二入口,經配置 自第二遠端電漿源提供反應性物種至該第一化學氣 沈積處理室之製程區域,同時繞過該第一氣體分配 件;以及 一第二化學氣相沈積處理室,連接至該第一遠端 漿源及該第二遠端電漿源,該第二化學氣相沈積處理 至少包括: 一第二處理室本體; 一第二基材支撐件;以及 一第二氣體分配組件; 其中該第二處理室本體係界定一第一入口,其 配置以經由該第二氣體分配組件自該第一遠端電漿 提供反應性物種至該第二化學氣相沈積處理室之製 區域;且該第二處理室本體係界定一第二入口,經配 以自第二遠端電漿源提供反應性物種至該第二化學 相沈積處理室之製程區域,同時繞過該第二氣體分配 件。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項所述之化學氣相沈積裝置, 中該第一處理室本體之該第二入口係位於該第一處 室本體之一側壁中,介於該第一氣體分配組件及該第 基材支撐件之間,且該第二處理室本體之該第二入口 位於該第二處理室本體之一側壁中,介於該第二氣體 26M307017 配組件及該第二基材支撐件之間。 1 5.如申請專利範圍第1 3項所述之化學氣相沈積裝置,其 更包含一流動控制器,介於各遠端電漿源及各處理室本 體之間。 27 31 31 日修正補克 M307017 七、指定代表圖: (一) 、本案指定代表圖為:第(1)圖。 (二) 、本代表圖之元件代表符號簡單說明: 42氣體入口導管或輸送管 52先驅物供應器 64 來源 70電性操作閥門及流動空機構 73閥門及流動控制機構 76流動限制器 78轉向器 200電漿增強型化學氣相沈積裝置 202處理室本體 205中央蓋區域 208底部 210 蓋組件 214抽氣空間 218 氣體分配組件 222 電源 226下端 232内嵌加熱器 23 8經溫度控制之基材支撐組件 242支柱 274 電漿源 43氣體線 54電性操作閥門及流動控制機構 66遠端電聚源 72 —或多個來源 75流動限制器 77導管或輸送管 79轉向器 201電漿增強型化學氣相沈積裝置 203化學氣相沈積裝置 206側壁 209電漿增強型化學氣相沈積裝置 212製程體積或區域 216 穿孔區 220 内側 224基材支撐件 228數個孔洞 234上端 240基材 4
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/139,349 US20060266288A1 (en) | 2005-05-27 | 2005-05-27 | High plasma utilization for remote plasma clean |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWM307017U true TWM307017U (en) | 2007-03-01 |
Family
ID=37461853
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW095207198U TWM307017U (en) | 2005-05-27 | 2006-04-27 | Chemical vapor deposition system for processing flat panel display substrates |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060266288A1 (zh) |
JP (1) | JP3123767U (zh) |
CN (1) | CN200996046Y (zh) |
TW (1) | TWM307017U (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI475130B (zh) * | 2012-03-30 | 2015-03-01 | Tes Co Ltd | 氣相沈積裝置 |
TWI568881B (zh) * | 2012-04-25 | 2017-02-01 | 應用材料股份有限公司 | 具有相異發射率之區域的面板 |
TWI631614B (zh) * | 2013-09-16 | 2018-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 氮化矽的選擇性蝕刻 |
TWI710023B (zh) * | 2013-07-19 | 2020-11-11 | 美商蘭姆研究公司 | 原位晶圓邊緣及背面電漿清洗用系統及方法 |
TWI731078B (zh) * | 2016-05-11 | 2021-06-21 | 美商蘭姆研究公司 | 下游反應器中之邊緣蝕刻率控制用可調整側邊氣體充氣部 |
Families Citing this family (166)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080050401A (ko) * | 2005-08-02 | 2008-06-05 | 매사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지 | Cvd/pecvd-플라즈마 챔버 내부의 표면 퇴적물을제거하기 위하여 플루오르화황을 이용한 원격 챔버 방법 |
US8709162B2 (en) * | 2005-08-16 | 2014-04-29 | Applied Materials, Inc. | Active cooling substrate support |
CN101999158A (zh) * | 2008-04-12 | 2011-03-30 | 应用材料股份有限公司 | 等离子体处理设备与方法 |
US20090258162A1 (en) * | 2008-04-12 | 2009-10-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing apparatus and method |
US7699935B2 (en) | 2008-06-19 | 2010-04-20 | Applied Materials, Inc. | Method and system for supplying a cleaning gas into a process chamber |
EP2311065B1 (en) * | 2008-07-09 | 2014-09-10 | TEL Solar AG | Remote plasma cleaning method and apparatus for applying said method |
US7967913B2 (en) * | 2008-10-22 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma clean process with cycled high and low pressure clean steps |
US8491720B2 (en) * | 2009-04-10 | 2013-07-23 | Applied Materials, Inc. | HVPE precursor source hardware |
US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
KR20120034341A (ko) * | 2010-10-01 | 2012-04-12 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판처리장치의 세정방법 |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
CN103348776B (zh) * | 2011-02-15 | 2017-06-09 | 应用材料公司 | 多区等离子体生成的方法和设备 |
US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
US8771536B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
US20140099794A1 (en) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Applied Materials, Inc. | Radical chemistry modulation and control using multiple flow pathways |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
TW201437423A (zh) * | 2013-02-21 | 2014-10-01 | Applied Materials Inc | 用於注射器至基板的空隙控制之裝置及方法 |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
US10170282B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Insulated semiconductor faceplate designs |
US9556507B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-01-31 | Applied Materials, Inc. | Yttria-based material coated chemical vapor deposition chamber heater |
US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
CN104299929A (zh) * | 2013-07-19 | 2015-01-21 | 朗姆研究公司 | 用于原位晶片边缘和背侧等离子体清洁的系统和方法 |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
US9236265B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
US9117855B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
US9263278B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dopant etch selectivity control |
US9190293B2 (en) | 2013-12-18 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Even tungsten etch for high aspect ratio trenches |
US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
JP5764228B1 (ja) * | 2014-03-18 | 2015-08-12 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9136273B1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Flash gate air gap |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9847289B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Protective via cap for improved interconnect performance |
US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
US20160032451A1 (en) * | 2014-07-29 | 2016-02-04 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma clean source feed between backing plate and diffuser |
US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
US9159606B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Metal air gap |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9165786B1 (en) | 2014-08-05 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures |
US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
US9355862B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Fluorine-based hardmask removal |
US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US20160138161A1 (en) * | 2014-11-19 | 2016-05-19 | Applied Materials, Inc. | Radical assisted cure of dielectric films |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
US11384432B2 (en) | 2015-04-22 | 2022-07-12 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber with funnel-shaped gas dispersion channel and gas distribution plate |
JP6560924B2 (ja) * | 2015-07-29 | 2019-08-14 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
EP3184666B1 (en) * | 2015-12-23 | 2018-06-13 | Singulus Technologies AG | System and method for gas phase deposition |
WO2017120241A1 (en) * | 2016-01-07 | 2017-07-13 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer etching system with remote plasma source and dc electrode |
US10770272B2 (en) | 2016-04-11 | 2020-09-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced anneal chamber for wafer outgassing |
JP6924775B2 (ja) | 2016-04-26 | 2021-08-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 排気堆積物の除去のための温度制御された遠隔プラズマ洗浄 |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
CN108878241B (zh) * | 2017-05-10 | 2021-03-02 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备和半导体设备的反应腔室的清理方法 |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
CN109868458B (zh) * | 2017-12-05 | 2021-12-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体设备的清洗系统及清洗方法 |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US11114283B2 (en) * | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US10751765B2 (en) | 2018-08-13 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma source cleaning nozzle for cleaning a gas distribution plate |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
CN111155072B (zh) * | 2018-11-08 | 2022-12-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 腔室用清洗装置及清洗方法、半导体处理设备 |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
US11776794B2 (en) | 2021-02-19 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck assembly for cryogenic applications |
US20230307216A1 (en) * | 2022-03-25 | 2023-09-28 | Applied Materials, Inc. | Enhanced chamber clean and recovery with dual flow path |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5158644A (en) * | 1986-12-19 | 1992-10-27 | Applied Materials, Inc. | Reactor chamber self-cleaning process |
US5015330A (en) * | 1989-02-28 | 1991-05-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film forming method and film forming device |
US5207836A (en) * | 1989-08-25 | 1993-05-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning process for removal of deposits from the susceptor of a chemical vapor deposition apparatus |
GB9207424D0 (en) * | 1992-04-04 | 1992-05-20 | British Nuclear Fuels Plc | A process and an electrolytic cell for the production of fluorine |
US5366585A (en) * | 1993-01-28 | 1994-11-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for protection of conductive surfaces in a plasma processing reactor |
EP0720680B1 (en) * | 1993-09-24 | 2002-06-05 | Csr Limited | Improvements in and relating to manhole cover frames |
US5454903A (en) * | 1993-10-29 | 1995-10-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma cleaning of a CVD or etch reactor using helium for plasma stabilization |
US5451784A (en) * | 1994-10-31 | 1995-09-19 | Applied Materials, Inc. | Composite diagnostic wafer for semiconductor wafer processing systems |
US5558717A (en) * | 1994-11-30 | 1996-09-24 | Applied Materials | CVD Processing chamber |
JP3400293B2 (ja) * | 1996-05-01 | 2003-04-28 | 株式会社東芝 | Cvd装置及びそのクリーニング方法 |
JP3217274B2 (ja) * | 1996-09-02 | 2001-10-09 | 株式会社日立製作所 | 表面波プラズマ処理装置 |
US5788778A (en) * | 1996-09-16 | 1998-08-04 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Deposition chamber cleaning technique using a high power remote excitation source |
US5882411A (en) * | 1996-10-21 | 1999-03-16 | Applied Materials, Inc. | Faceplate thermal choke in a CVD plasma reactor |
US5824375A (en) * | 1996-10-24 | 1998-10-20 | Applied Materials, Inc. | Decontamination of a plasma reactor using a plasma after a chamber clean |
US5844195A (en) * | 1996-11-18 | 1998-12-01 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma source |
US6055927A (en) * | 1997-01-14 | 2000-05-02 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Apparatus and method for white powder reduction in silicon nitride deposition using remote plasma source cleaning technology |
US6125859A (en) * | 1997-03-05 | 2000-10-03 | Applied Materials, Inc. | Method for improved cleaning of substrate processing systems |
US6026762A (en) * | 1997-04-23 | 2000-02-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for improved remote microwave plasma source for use with substrate processing systems |
US6274058B1 (en) * | 1997-07-11 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma cleaning method for processing chambers |
US6379575B1 (en) * | 1997-10-21 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Treatment of etching chambers using activated cleaning gas |
US6107192A (en) * | 1997-12-30 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Reactive preclean prior to metallization for sub-quarter micron application |
GB9904925D0 (en) * | 1999-03-04 | 1999-04-28 | Surface Tech Sys Ltd | Gas delivery system |
US6067999A (en) * | 1998-04-23 | 2000-05-30 | International Business Machines Corporation | Method for deposition tool cleaning |
US6176198B1 (en) * | 1998-11-02 | 2001-01-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for depositing low K dielectric materials |
US6374831B1 (en) * | 1999-02-04 | 2002-04-23 | Applied Materials, Inc. | Accelerated plasma clean |
US6255222B1 (en) * | 1999-08-24 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Method for removing residue from substrate processing chamber exhaust line for silicon-oxygen-carbon deposition process |
JP3310957B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2002-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR100338769B1 (ko) * | 1999-10-26 | 2002-05-30 | 윤종용 | 반도체 장치의 절연막 식각방법 |
KR100767762B1 (ko) * | 2000-01-18 | 2007-10-17 | 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 | 자가 세정을 위한 원격 플라즈마 소스를 구비한 cvd 반도체 공정장치 |
US6772827B2 (en) * | 2000-01-20 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
US6477980B1 (en) * | 2000-01-20 | 2002-11-12 | Applied Materials, Inc. | Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
US6432255B1 (en) * | 2000-01-31 | 2002-08-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhancing chamber cleaning |
KR100467082B1 (ko) * | 2000-03-02 | 2005-01-24 | 주성엔지니어링(주) | 반도체소자 제조장치 및 그 클리닝방법 |
US6362110B1 (en) * | 2000-03-30 | 2002-03-26 | Lam Research Corporation | Enhanced resist strip in a dielectric etcher using downstream plasma |
US6383257B1 (en) * | 2000-04-04 | 2002-05-07 | Air Products And Chemicals, Inc. | Reclamation and separation of perfluorocarbons using condensation |
US6437197B1 (en) * | 2000-04-27 | 2002-08-20 | Shell Oil Company | Process for catalytic hydroxylation of aromatic hydrocarbons |
US6569257B1 (en) * | 2000-11-09 | 2003-05-27 | Applied Materials Inc. | Method for cleaning a process chamber |
US6634313B2 (en) * | 2001-02-13 | 2003-10-21 | Applied Materials, Inc. | High-frequency electrostatically shielded toroidal plasma and radical source |
US20020144706A1 (en) * | 2001-04-10 | 2002-10-10 | Davis Matthew F. | Remote plasma cleaning of pumpstack components of a reactor chamber |
US6868856B2 (en) * | 2001-07-13 | 2005-03-22 | Applied Materials, Inc. | Enhanced remote plasma cleaning |
US6902629B2 (en) * | 2002-04-12 | 2005-06-07 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a process chamber |
US7008484B2 (en) * | 2002-05-06 | 2006-03-07 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for deposition of low dielectric constant materials |
US7270713B2 (en) * | 2003-01-07 | 2007-09-18 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas distribution plate assembly |
US6942753B2 (en) * | 2003-04-16 | 2005-09-13 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition |
-
2005
- 2005-05-27 US US11/139,349 patent/US20060266288A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-04-27 TW TW095207198U patent/TWM307017U/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-05-15 JP JP2006003622U patent/JP3123767U/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-26 CN CNU2006201176242U patent/CN200996046Y/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI475130B (zh) * | 2012-03-30 | 2015-03-01 | Tes Co Ltd | 氣相沈積裝置 |
TWI568881B (zh) * | 2012-04-25 | 2017-02-01 | 應用材料股份有限公司 | 具有相異發射率之區域的面板 |
TWI710023B (zh) * | 2013-07-19 | 2020-11-11 | 美商蘭姆研究公司 | 原位晶圓邊緣及背面電漿清洗用系統及方法 |
TWI631614B (zh) * | 2013-09-16 | 2018-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 氮化矽的選擇性蝕刻 |
TWI731078B (zh) * | 2016-05-11 | 2021-06-21 | 美商蘭姆研究公司 | 下游反應器中之邊緣蝕刻率控制用可調整側邊氣體充氣部 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3123767U (ja) | 2006-07-27 |
US20060266288A1 (en) | 2006-11-30 |
CN200996046Y (zh) | 2007-12-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWM307017U (en) | Chemical vapor deposition system for processing flat panel display substrates | |
CN111247269B (zh) | 介电膜的几何选择性沉积 | |
US10804144B2 (en) | Deposition of aluminum oxide etch stop layers | |
US10629429B2 (en) | Selective deposition of silicon oxide | |
KR102637938B1 (ko) | 칼코게나이드 재료를 캡슐화하기 위한 방법 | |
KR102542125B1 (ko) | 촉매 제어를 사용한 실리콘 옥사이드 상의 실리콘 나이트라이드의 선택적 증착 | |
KR102602830B1 (ko) | Ald 및 ale에 의해 컨포멀한 막들의 증착 | |
US9589790B2 (en) | Method of depositing ammonia free and chlorine free conformal silicon nitride film | |
KR101701024B1 (ko) | 컨포멀한 알루미늄 질화물을 위한 고 성장 레이트 프로세스 | |
US6450117B1 (en) | Directing a flow of gas in a substrate processing chamber | |
US7175713B2 (en) | Apparatus for cyclical deposition of thin films | |
KR100855597B1 (ko) | 육불화황 원격 플라즈마 소스 세정 | |
US20040200499A1 (en) | Backflush chamber clean | |
CN106575609A (zh) | 调节远程等离子源以获得具有可重复蚀刻与沉积率的增进性能 | |
US9502263B2 (en) | UV assisted CVD AlN film for BEOL etch stop application | |
JPH0969504A (ja) | 遠隔の励起源を用いる堆積チャンバーのクリーニング技術 | |
EP1164628A2 (en) | Processing system and method | |
CN108780736B (zh) | 基板处理设备 | |
TWI789450B (zh) | 電漿處理裝置 | |
US7581550B2 (en) | Method of cleaning reaction chamber using substrate having catalyst layer thereon | |
US20200047222A1 (en) | Remote plasma source cleaning nozzle for plasma enhanced cvd chambers | |
US10066293B2 (en) | Method of cleaning the filament and reactor's interior in FACVD | |
KR200429542Y1 (ko) | 평면 패널 디스플레이 기판 처리용 플라즈마 처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MK4K | Expiration of patent term of a granted utility model |