TWI475130B - 氣相沈積裝置 - Google Patents

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TWI475130B
TWI475130B TW102105875A TW102105875A TWI475130B TW I475130 B TWI475130 B TW I475130B TW 102105875 A TW102105875 A TW 102105875A TW 102105875 A TW102105875 A TW 102105875A TW I475130 B TWI475130 B TW I475130B
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Hong Jun Sohn
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Tes Co Ltd
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Description

氣相沈積裝置
本發明是有關於一種氣相沈積裝置，且特別是有關於一種增加原料的沈積效率的氣相沈積裝置，提供處理氣體的穩定活化並且提供容易修改的氣體注入結構與幫浦結構。
一般來說，半導體製造方法包括微影(photographing)、蝕刻(etching)、清洗(cleaning)、氣相沈積(vapor deposition)等以製作積體電路裝置、液晶顯示(LCD)裝置、太陽能電池等。在高積集度用的金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)中，在半導體基材上形成絕緣膜以讓絕緣膜用於電晶體閘極且在基材上形成金屬膜以應用所需的電壓或電流來驅動元件。此時，在基材與金屬膜或絕緣膜之間的反應是非常重要的且微小反應決定了半導體元件的特性，因此要求在基材與金屬膜或絕緣膜之間界面的精確控制。
用於薄膜的電漿輔助化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)普遍地被使用。近來，許多關於原子層沈積(Atomic layer deposition，ALD)製程與製程裝置的研究與發展正進展。
在使用電漿以活化氣體的傳統氣相沈積裝置中，大型平板式電極，例如為基材支撐物或噴頭，被作為產生電漿用的電漿產生電極。在使用大型平板式電極的狀況下，應增加頻率以產生具有高密度的電漿。然而，頻率的增加會導致電極的電源突然損失。
為了解決上述的問題，各種修改處理氣體注入器與氣體活化單元的技術，例如用於處理氣體的活化的電漿電極被提出。韓國專利編號0760428揭露了一種氣相沈積裝置，其具有小的氣體入口以提供薄膜的均勻性質，且可增加原料的沈積效率並縮短清潔幫浦所需時間。
承如上述韓國專利中所論述的，仍需要發展增加沈積效率與提供一穩定氣體活化反應，例如為電漿反應，的注入器。
此外，如果能夠根據所欲加工的薄膜或基材的形式或氣體注入結構或幫浦結構的問題或故障的處理能力而對氣體注入結構或幫浦結構做簡單改良，則氣相沈積裝置的使用或維修則成為不可或缺的。
本發明被提出以解決上述問題並且本發明的目的是提供一種氣相沈積裝置，其可增加原料的沈積效率，確保穩定的氣體活化反應，例如為電漿反應並可容易地修改氣體注入結構與幫浦結構。
根據本發明藉由氣相沈積裝置實現本發明的目的，包括一反應腔室與被設置在反應腔室內並供應至少一處理氣體進入至反應腔室的一氣體供應組件，其中氣體供應組件包括至少一氣體供應通道，其供應處理氣體進入至反應腔室；與至少一氣體活化單元，其活化被供應通過多條氣體供應通道的至少其中之一的處理氣體。
此時，至少一處理氣體通過被形成在氣體供應通道的下部的注入切口或注入開孔，被注入於反應腔室內。
另外，氣體供應組件更包括至少一氣體排出通道以排出反應腔室內的氣體至反應腔室的一外部。
此時，氣體排出通道形成在鄰近於氣體供應組件內的氣體供應通道的一預定位置。
再者，氣體供應組件包括至少一氣體供應模組，其可拆卸地設置在反應腔室內且具有至少一氣體供應通道在其內。
此時，氣體排出通道被形成在一預定位置，且此預定位置鄰近於氣體供應模組內的氣體供應通道、且/或在多個互相鄰近的氣體供應模組之間，且/或在氣體供應模組與反應腔室的一側壁之間。
再者，氣體供應組件更包括一幫浦模組，其可拆卸地設置在多個互相鄰近的氣體供應模組之間的反應腔室內、或在氣體供應模組與反應腔室的一側壁之間，並具有氣體排出通道在其內。
此時，氣相沈積裝置更包括一開啟/關閉模組，其包括與 氣體供應通道流體連通並供應處理氣體至氣體供應通道的一氣體流入線路，以及與氣體排出通道流體連通且排出被引入通過氣體排出通道的氣體的一氣體流出線路。
再者，反應腔室具有一開口部，其中開啟/關閉模組設置在反應腔室上以開啟及封閉開口部。
另外，氣體供應通道形成於氣體供應模組以在反應腔室內沿著一第一方向注入處理氣體；氣體供應模組以及開啟/關閉模組的其中之一具有沿著第一方向的一導槽；以及氣體供應模組與開啟/關閉模組之其中另一具有嵌入於導槽的一導部，藉此氣體供應模組沿著第一方向滑動以可拆卸地設置在開啟/關閉模組上。
再者，氣體供應通道形成於氣體供應模組以在反應腔室內沿著一第一方向注入處理氣體；幫浦模組與開啟/模組的其中之一具有沿第一方向的一導槽；以及幫浦模組與開啟/關閉模組之其中另一具有嵌入於導槽的一導部，藉此幫浦模組沿著第一方向滑動以可拆卸地設置在開啟/關閉模組上。
再者，氣體供應通道形成於氣體供應模組內以在反應腔室內沿著一第一方向注入處理氣體；氣體供應模組與幫浦模組包括多個延伸的凸緣，其分別由接近開啟/關閉模組的邊緣區域的一外表面突出於第一方向的兩側；反應腔室的開口部的一內部具有讓延伸的凸緣抵靠於其上的一止擋部，以使氣體供應模組與幫浦模組定位在反應腔室內；並且當氣體供應模組與幫浦模組被嵌入穿過開口部，且這些延伸的凸緣懸掛於所述止擋部上時，開啟/關 閉模組封閉開口部以讓氣體供應模組與幫浦模組設置在反應腔室內。
此時，氣體活化單元可包括下面的其中之一：一電漿產生單元，其藉由產生電漿而活化處理氣體、一超高頻產生單元，其藉由應用超高頻至所述處理氣體而活化處理氣體、一紫外線輻射單元，其藉由輻射一紫外線至處理氣體而活化處理氣體、以及一雷射輻射單元，其藉由輻射一雷射光束至所述處理氣體而活化處理氣體。
再者，電漿產生單元包括一電漿電極，其設置於構成氣體供應通道的氣體供應模組的一側內；一電源供應線路，其形成於氣體供應模組以從外部供應電源至電漿電極；以及一接地電極，其形成於其內形成有電漿電極的氣體供應模組的另一側，且與電漿電極間隔開。
再者，電漿產生單元包括一電漿電極，其設置於氣體供應通道；一電源供應線路，其形成於氣體供應模組且由外部供應電源至電漿電極；以及一接地電極，其設置在形成氣體供應通道且其內設置有電漿電極的氣體供應模組內，且與電漿電極間隔開。
再者，這些接地電極設置於氣體供應模組的兩側，以使電漿電極設置於這些接地電極之間；以及電漿產生單元被設置在內的氣體供應通道包括一連接通道，其連接從一外部引入處理氣體的氣體流入線路；一電極通道，其引入在電漿電極與這些接地電極之間的處理氣體；以及一分流通道，其分歧連接通道且供應 處理氣體至各電極通道。
再者，電漿產生單元更包括一屏蔽件，其配置於電漿電極與氣體供應模組之間且將電漿電極自氣體供應模組電性屏蔽。
另外，至少一對相互鄰近的氣體供應模組被設置以互相間隔開，且其中氣體活化單元設置在反應腔室內以使氣體活化單元被設置於多個彼此互相間隔開的氣體供應模組之間的至少一部份。
再者，氣相沈積裝置更包括一單元支撐物，其設置於反應腔室內以支撐氣體活化單元並從反應腔室的一外部供應電源至氣體活化單元。
另外，具有氣體活化單元的多個氣體供應組件設置在反應腔室內以彼此互相間隔開並且面向基材，且其中氣相沈積裝置更包括至少一單元支撐物，其設置在反應腔室內以支撐至少一氣體活化單元並從反應腔室的一外部供應電源至氣體活化單元。
此時，氣體供應組件更包括至少一幫浦模組，其設置在這些互相鄰近的氣體供應模組之間且/或在氣體供應模組的一側，並具有一氣體排出通道以排出反應腔室內所含的氣體。
另外，至少一幫浦模組被設置以與氣體供應模組間隔開，以及氣體活化單元設置於多個隔開氣體供應模組與幫浦模組之間。
根據本發明所提供的一氣相沈積裝置，其增加原料的沈積效率，且穩定地產生一氣體活化反應，例如為電漿反應，並改 善氣體供應組件與氣體活化單元的結構。
再者，氣體供應模組及/或幫浦模組可拆卸地且單獨地設置在反應腔室內或開啟/關閉模組內，以使氣體注入結構的結構與氣體供應組件的幫浦結構能夠容易地修改。
此外，假使氣體注入結構或幫浦結構的其中一個故障的狀況下，替換對應的氣體供應模組或幫浦模組會免去替換全部氣體供應組件的問題，因此節省替換的費用。
1‧‧‧氣相沈積裝置
70‧‧‧單元支撐物
70a‧‧‧單元支撐物
71‧‧‧電源纜線
100‧‧‧反應腔室
110‧‧‧腔室體
120‧‧‧腔室蓋
121‧‧‧開口部
130‧‧‧開啟/關閉模組
140‧‧‧基材支撐物
300‧‧‧氣體供應組件
311‧‧‧氣體流入線路
311a‧‧‧氣體流入線路
311b‧‧‧氣體流入線路
312‧‧‧氣體流出線路
320‧‧‧氣體供應模組\第二氣體供應模組
321、331‧‧‧氣體供應通道
330‧‧‧氣體供應模組\第一氣體供應模組
330a‧‧‧第一氣體供應模組
331a‧‧‧氣體供應通道
331b‧‧‧連接通道
331c‧‧‧分流通道
331d‧‧‧電極通道
340‧‧‧幫浦模組
341‧‧‧氣體排出通道
341a‧‧‧氣體排出通道
350‧‧‧氣體活化單元/電漿產生單元
350a‧‧‧電漿產生單元
351‧‧‧電漿電極
351a‧‧‧電漿電極
352‧‧‧接地電極
352a‧‧‧接地電極
353‧‧‧電源供應線路
353a‧‧‧電源供應線路
354‧‧‧屏蔽件
354a‧‧‧屏蔽件
354c‧‧‧接地電極
360‧‧‧導槽
361‧‧‧導部
370‧‧‧止擋部
371‧‧‧延伸的凸緣
400‧‧‧氣體分散單元
500‧‧‧分散部件
510‧‧‧分散通道
520‧‧‧注入開孔
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
W‧‧‧基材
A、B‧‧‧區域
圖1為根據本發明一實施例的氣相沈積裝置的示意剖視圖。
圖2為根據本發明一實施例的氣體供應組件的立體圖。
圖3為沿著圖2的線III-III的剖視圖。
圖4與圖5為根據本發明一實施例顯示氣體供應組件可拆卸地設置在反應腔室內的兩個例子。
圖6為圖3的A區域的放大圖。
圖7為根據本發明的氣體供應組件的另一實施例。
圖8為根據本發明的氣體供應組件的又一實施例。
圖9為圖8的B區域的放大圖。
圖10為根據本發明的氣體供應組件的再一實施例。
圖11為根據本發明被形成在氣體供應組件的氣體供應通道下方的多個注入孔的一個例子。
圖12與圖13為根據本發明的氣體供應組件的又另二實施例。
圖14至圖16為根據本發明的單元支撐物的多個例子。
圖17為根據本發明的氣體供應組件的又另一實施例。
圖18為根據本發明的氣體供應組件的又另一實施例。
圖19為根據本發明的氣體供應組件的又另一實施例。
本發明是有關於一種氣相沈積裝置，包括一反應腔室與設置在反應腔室內並供應至少一處理氣體進入至反應腔室的一氣體供應組件，其中氣體供應組件包括至少一氣體供應通道，其供應處理氣體進入至反應腔室，以及至少一氣體活化單元，其活化被供應通過氣體供應通道中的多條氣體供應通道的至少其中之一條氣體供應通道的處理氣體。
下文，將參看附圖詳細說明本發明的多個實施例。
圖1為根據本發明一實施例的氣相沈積裝置1的剖視圖、圖2顯示根據本發明一實施例的氣體供應組件300與圖3顯示沿著圖2的線III-III的剖視圖。
請參考圖1至圖3，根據本發明一實施例的氣相沈積裝置1包括一反應腔室100與一氣體供應組件300。氣相沈積裝置1更可包括一開啟/關閉模組130，其開啟與封閉反應腔室100的頂部。
反應腔室100與外部隔絕並且因此提供一封閉的真空空間而讓在一基材W上加工形成薄膜(thin film)或膜(membrane)的薄 膜沈積製程在其中完成。此時，反應腔室100可包括一腔室體110，其具有開放的頂部並提供一反應區域、與開啟與封閉腔室體110的一腔室蓋120，以及其上裝設有基材(W)且被設置在腔室體110內的一基材支撐物140。腔室蓋120具有一開口部121(參閱圖5)，藉由開啟/關閉模組130被開啟與被封閉。
氣體供應組件300設置在反應腔室100內且供應至少一處理氣體進入至反應腔室100。此時，氣體供應組件300可包括至少一氣體供應通道321、331，其供應處理氣體進入至反應腔室100，與至少一氣體活化單元350，其活化被供應通過至少一氣體供應通道321、331的處理氣體。根據本發明的氣體活化單元350可包括至少一氣體排出通道341，將自反應腔室100而來的氣體排出至外部。
開啟/關閉模組130開啟與封閉腔室蓋120的開口部121。在此，開啟/關閉模組130具有將處理氣體由外部引進的氣體流入線路311，以及具有將自反應腔室100而來的氣體排出的氣體流出線路312。在此，氣體流入線路311與氣體供應模組320、330的氣體供應通道321、331流體連通，且氣體流出線路312與氣體排出通道341流體連通，在下文將更詳細論述。
在本發明一實施例中，氣體供應組件300的氣體供應模組320、330的至少其中一個具有氣體供應通道321、331與氣體排出通道341，且氣體供應模組320、330可拆卸地設置在反應腔室100內。
詳細地說，氣體供應模組320、330具有氣體供應通道321、331，其與開啟/關閉模組130的氣體流入線路311流體連通。因此，被供應通過氣體流入線路311的處理氣體通過氣體供應通道321、331被注入於反應腔室100內。兩個氣體供應模組320、330沿著基材W的傳送方向(下文稱為第二方向D2)設置，且各個氣體供應模組320、330具有兩條氣體供應通道321、331。然而，氣體供應模組320、330的數量或氣體供應通道321、331的數量並不限於上述。
承如上述，根據本發明氣體供應組件320、330可拆卸地設置在反應腔室100內。在本發明的一例中，氣體供應模組320、330可拆卸地設置在反應腔室100內及/或在開啟/關閉模組130內。亦即，各個氣體供應模組320、330是單獨的且可拆卸地設置在反應腔室100內及/或在開啟/關閉模組130內。
圖4為根據本發明的氣體供應模組320、330可拆卸地與開啟/關閉模組130接合的一例。如圖4所示，在沿著氣體供應模組320、330的第一方向(D1)上具有一對導槽360，以及在開啟/關閉模組130上形成與導槽360相配並且被嵌入於導槽360的一導部361。因此，當氣體供應模組320、330與開啟/關閉模組130接合時，開啟/關閉模組130的導部361以氣體供應模組320、330沿著第一方向(D1)滑入至開啟/關閉模組130的方式嵌入氣體供應模組320、330的導槽360中，因此氣體供應模組320、330與開啟/關閉模組130接合。
圖4為氣體供應模組320、330具有導槽360且開啟/關閉模組130具有嵌入於導槽360的導部361的一例。另外，氣體供應模組320、330可具有導部361，且開啟/關閉模組130可具有導槽360，以使氣體供應模組320、330沿著第一方向(D1)滑動以與開啟/關閉模組130接合。
圖5例式性地表示氣體供應模組320、330可拆卸地安裝在反應腔室100上。如圖5所示，氣體供應模組320、330可包括多個延伸的凸緣371，分別由接近開啟/關閉模組130(圖5的上方區域)的邊緣區域的外表面沿著第一方向(D1)突出。
再者，反應腔室100的開口部121的一內部具有止擋部370，且延伸的凸緣371抵靠在止擋部370上，以使氣體供應模組320、330定位於反應腔室100內。
因此，氣體供應模組320、330嵌入穿過開口部121，且延伸的凸緣371懸掛在止擋部370上。接著，開啟/關閉模組130封閉開口部121，且開啟/關閉模組130抵靠氣體供應模組320、330的頂部。藉此方式，氣體供應組件320、330設置在反應腔室100內，且氣體供應模組320、330為可拆卸的。
請再參考圖2與圖3，氣體排出通道341與氣體流出線路312流體連通以通過氣體流出線路312排出反應腔室100所含的氣體。在本發明的一例中，氣體排出通道341形成在幫浦模組340內。
幫浦模組340可拆卸地設置在反應腔室100內及/或在開 啟/關閉模組130內，以使幫浦模組340的氣體排出通道341與氣體流出線路312流體連通。在圖2與圖3中，提供兩個幫浦模組340且其中一個幫浦模組340設置在一對氣體供應模組320、330之間而另一個幫浦模組340設置在氣體供應模組320、330與腔室蓋120之間。
在此，對應於如上述圖4與圖5的氣體供模組320、330的設置方式，幫浦模組340可拆卸地設置在反應腔室100內及/或在開啟/關閉模組130內將不詳細描述。
同時，根據本發明一實施例的氣體活化單元350設置在形成於這些氣體供應模組320、330上的至少一個氣體供應通道331內，以使氣體活化單元350活化被注入通過對應的氣體供應通道331的處理氣體並轉換為一活化原子(activated atom)的狀態或一激化(radical)狀態。在圖2與圖3中，氣體活化單元350設置在一個氣體供應模組330上。下文將其上設置有氣體活化單元350的氣體供應模組330稱為"第一氣體供應模組330"，且將未有氣體活化單元350設置於其上的氣體供應模組320上的稱為"第二氣體供應模組320"。
此處，根據本發明一實施例的氣體活化單元350可為一電漿產生單元、一超高頻產生單元、一紫外線輻射單元與一雷射輻射單元的其中之一。
在電漿產生單元被實施為氣體活化單元350的狀況下，藉由從外部(如圖2所示)供應電源產生電漿在第一氣體供應模組 330的氣體供通道331內，且藉由電漿反應活化被供應通過氣體供應通道331的處理氣體，因此薄膜以順流的激化(downstreamed radical)被形成在基材(W)的表面上。
在此，被供應至電漿產生單元的電源可以是直流(DC)電源或是射頻(RF)電源，且用於氣體活化單元350的電漿產生單元將在下文更詳細論述。
在超高頻產生單元被實施為氣體活化單元350的狀況下，超高頻產生單元藉由具有超過109Hz的超高頻率活化處理氣體。若處理氣體注入通過氣體供應通道331且藉由超高頻單元應用超高頻率，處理氣體製造成一活化狀態或一激化狀態且接著順流以在基材(W)上形成薄膜。
再者，在紫外線輻射單元被實施為氣體活化單元350的狀況下，藉由輻射單元的紫外線輻射活化處理氣體且接著製造成於一激化狀態並順流以在基材(W)上形成薄膜。
在一個實施例中，輻射單元的紫外線可以不指向基材(W)。當基材(W)因為紫外線而可能變形或損壞時，可以防止輻射單元的紫外線指向基材(W)。
另外一方面，完整的反應可被輻射至基材(W)上的紫外線引發，其中此紫外線具有預定的波長以破壞預定的分子層與基材(W)之間的連結關係，或具有低於所述預定波長的波長，輻射單元的紫外線可指向基材(W)。
在雷射輻射單元被實施為氣體活化單元350的狀況下， 藉由雷射輻射單元的雷射光束活化處理氣體且接著製造以處於一激化狀態並順流在基材(W)上形成薄膜。
請參考圖6，電漿產生單元被實施為氣體活化單元350將在下文詳細地討論且氣體活化單元的參考符號350將被用以表示電漿產生單元。
圖6為圖3的A區域的放大圖。請參考圖6，根據本發明一實施例的電漿產生單元350可包括一電漿電極351、一電源供應線路353與一接地電極352。
電漿電極351設置於被形成在第一氣體供應模組330內的氣體供應通道331的內壁上，特別是在構成氣體通道331的第一氣體供應模組330的一側。電漿電極351由外部經由被形成在第一氣體供應模組330內與在開啟/關閉模組130內的電源供應線路353而具有電源。接地電極352設置於第一氣體供應模組330的氣體供應通道331的內壁上，特別是在第一氣體供應模組330的另一側，且如圖6所示接地電極352與電漿電極351被間隔開。
在圖6中，分開的接地電極352設置於第一氣體供應模組330的氣體供應通道331的內壁上。另外，第一氣體供應模組330可以替代接地電極352。在此，如圖6所示，在接地電極352被分離的狀況下，當顆粒污染接地電極352時，將容易替換或清潔接地電極352。
根據上述的結構，由其上設置有電漿產生單元350的第一氣體供應模組330的氣體供應通道331供應處理氣體，且電源 通過電源供應線路353被供應至電漿電極351。接著，在電漿電極351與接地電極352之間產生電漿反應且來自於氣體供應通道331的處理氣體被活化。
此時，可提供不同種類的處理氣體以形成薄膜。亦即，由其上設置有電漿產生單元350的第一氣體供應模組330的氣體供應通道331注入的處理氣體、由第一氣體供應模組330的另一個氣體供應通道331注入的處理氣體或由第二氣體供應模組320的氣體供應通道321注入的處理氣體可與另一個不同。
例如，根據原子層沈積(Atomic layer deposition，ALD)方法，藉由氣相沈積裝置1在基材(W)表面上形成薄膜的狀況下，來自於第二氣體供應模組320的氣體供應通道321的處理氣體可以是源前驅體(source precursor)且來自於另一氣體供應通道321的處理氣體可以是清洗氣體(purge gas)。另外，來自於其上設置有電漿產生單元350(即氣體活化單元350)的氣體供應模組330的氣體供應通道331的處理氣體可以是反應物前驅體(reactant precursor)。
此處，根據本發明一實施例的電漿產生單元350可包括一屏蔽件354，其配置於電漿電極351與氣體供應模組320、330之間。因此，電漿電極351電性間隔開氣體供應模組320、330以讓電漿電極351自氣體供應模組320、330電性屏蔽。
同時，圖7為根據本發明一實施例由上述實施例修改的氣體供應組件300的另一例。第一氣體供應模組330與第二氣體供應模組320彼此互相間隔開且第一氣體模組330與第二氣體模組320設置在反應腔室100 內。
在第一氣體供應模組330與第二氣體供應模組320之間的空間可以與氣體流出線路312流體連通以形成一氣體排出通道341a。因此，透過分離第一氣體供應模組330與第二氣體供應模組320可提供氣體排出通道341a而不需設置一額外的幫浦模組。
再者，如圖7所示，第一氣體供應模組330可由構成反應腔室100的腔室蓋120的內壁分離，且在第一氣體供應模組330與腔室蓋120的內壁之間的空間可與氣體流出線路312流體連通以形成氣體排出通道341a。在圖7中，在第一氣體供應模組330與第二氣體供應模組320之間的空間和在第一氣體供應模組330與腔室蓋120的內壁之間的空間一樣可分別地形成氣體排出通道341a。另外，只有兩個空間的其中一個可形成氣體排出通道341a。
圖8為根據本發明的氣體供應組件300的又另一例。在圖8中，氣體供應組件300僅具有一個第一氣體供應模組330a且在第一氣體供應模組330a與腔室蓋120的內壁之間的空間構成一氣體排出通道341a。
圖9為圖8的B區域的放大圖。請參考圖9，根據另一例的電漿產生單元350a可包括一電漿電極351a、一電源供應線路353a與一對接地電極352a。
電漿電極351a被設置以間隔開氣體供應通道331a的兩內壁。這些接地電極352a分別設置在氣體供應通道331a的各內壁上，且電漿電極351a在這對接地電極352a之間。
根據上述的結構，當由外部透過被形成在第一氣體供應模組330a內與開啟/關閉模組130內的電源供應線路353a供應電源時，在電漿電極351a與這對接地電極352a之間分別產生電漿反應。
此時，如圖8與圖9所示，第一氣體供應模組330a的氣體供應通道331a可包括一連接通道331b、一電極通道331d與一對分流通道331c。連接通道331b連接開啟/關閉模組130的氣體流入線路311。
如圖9所示，電漿電極351a設置在電極通道331d內且位在被電漿電極351a間隔開的這對接地電極352a之間並在電極通道331d的內壁上。
此時，這對分流通道331c分歧連接通道331b並分別連接電極通道331d。因此，從連接通道331b而來的處理氣體流動通過分流通道331c，且如圖9所示，處理氣體由各分流通道331c注入進入至這對接地電極352a與電漿電極351a之間的空間。因此，將處理氣體注入至在這對接地電極352a與電漿電極351a之間的空間，提高在電漿電極351a的兩側的電漿反應。
如圖8與圖9所示，電漿產生單元350a可包括一屏蔽件354a，其配置於電漿電極351a與第一氣體供應模組330a之間。因此，電漿電極351a與第一氣體供應模組330a電性分離且電漿電極351a自第一氣體供應模組330a電性屏蔽。
在上述的這些實施例中，氣體供應組件300被實施為可 被拆卸地設置在反應腔室100內的至少一氣體供應模組320、330。
圖10顯示根據本發明另一實施例的氣體供應組件。在圖10中，多條氣體供應通道321、331與多條氣體排出通道341形成在氣體供應組件300內。示於圖10中的排列方式對應於上述這些實施例在多個氣體供應模組320、330為一體成形的狀況下。
詳細地說，沿著基材(W)的傳遞方向，亦即沿著氣體供應組件300的第二方向(D2)提供多條氣體供應通道321、331，且在氣體供應組件300內接近於氣體供應通道321、331的一預定位置提供氣體排出通道341。
此時，這些氣體供應通道321、331與這些氣體排出通道341的結構對應於上述這些實施例的氣體供應模組320、330為一體成形的狀況。因此，詳細的論述將不討論。
在上述實施例中，氣體供應組件300的氣體供應通道321、331是以一切口形式沿著氣體供應模組320、330的表面的第一方向(D1)以注入處理氣體至基材(W)。
另外，圖11顯示氣體供應組件300的氣體供應通道331的底部，具有多個注入開孔520以將處理氣體注入至反應腔室100。另外，如圖10所示，具有這些注入開孔520的一分散部件500被安裝在氣體供應組件300的下部上以讓多個注入開孔520位於氣體供應通道331之下。
請參考圖10與圖11，分散部件500包括一分散通道510，其與氣體供應通道321流體連通。分散通道510與這些注入開孔 520流體連通。因此，由氣體供應通道321而來的處理氣體經由分散通道510與這些注入開孔520供應至基材(W)。
分散部件500可以採不覆蓋其上設置有氣體活化單元350的氣體供應通道321的底部的方式而安裝。這是因為，在藉由氣體活化單元350供應激化的狀況下，供應激化而沒有分散部500是較佳的。
當不設置分散部件500時，氣體供應通道321、331的底部具有切口形狀。當設置分散部件500時，通過注入開孔520供應氣體進入至基材(W)。
請參考圖12與圖13，根據另一實施例的氣體供應組件將詳細地在下面論述。
如圖12與圖13所示，氣體供應組件300包括注入處理氣體的多個氣體供應模組320，與設置至少一對互相鄰近的氣體供應模組以使這些氣體供應模組320互相間隔開。
在圖12中，氣體供應組件300包括兩個氣體供應模組320，且兩個氣體供應模組320互相間隔開設置。在圖13中，氣體供應組件300包括三個氣體供應模組320，且三個氣體供應模組320互相間隔開另一個設置。
在一例中，氣體供應組件300設置在反應腔室100的腔室蓋120內。如圖12與圖13所示，各氣體供應模組320可包括至少一氣體供應通道321以注入處理氣體進入至反應腔室100。
在圖12與圖13中，各氣體供應模組320具有兩條氣體 供應通道321。另外一方面，各氣體供應模組320可具有不同數量的氣體供應通道321且並不限於如圖12與圖13所繪示的數量。
根據在基材(W)上的薄膜形成製程，由各氣體供應模組320注入的處理氣體(下文稱為“第一處理氣體”)可被注入以製造不同處理氣體的組合。在一例中，氣體供應模組320的一條氣體供應通道321注入源氣體(或源前驅體)作為第一處理氣體且另一條氣體供應通道321注入清洗氣體作為第一處理氣體。
另外，一個氣體供應模組320的兩條氣體供應通道321可注入源氣體作為第一處理氣體，且另一個氣體供應模組320的兩條氣體供應通道321可注入清洗氣體作為第一處理氣體。亦即，用多個氣體供應模組320與各氣體供應模組320的至少一氣體供通道321製造待注入的第一處理氣體的各種組合。
同時，氣體活化單元350活化一第二處理氣體。至少一氣體活化單元350設置在反應腔室100內的這些間隔開的氣體供應模組320之間。圖12顯示一個氣體活化單元350設置於一對氣體供應模組320之間，且圖13顯示兩個氣體活化單元350設置於三個氣體供應模組320之間。
此時，根據本發明一實施例的氣相沈積裝置1可包括一單元支撐物70，其支撐氣體活化單元350以讓氣體活化單元350位在這些氣體供應模組350之間。圖14到圖16為根據本發明的單元支撐物70的多例。
請參考圖14，單元支撐物70夾持氣體活化單元350而同 時設置在反應腔室100的側壁上。在圖14中，多個基材(W)被排列在反應腔室100內且在反應腔室100內移動，以使它們在氣體供應組件300下連續的順序通過。
多個氣體供應模組320設置在反應腔室100的腔室蓋120內且在反應腔室100內持續被間隔開。如圖14所示，單元支撐物70設置在反應腔室100的側壁上，亦即在腔室體110的側壁上以夾持氣體活化單元350。單元支撐物70由反應腔室100的外部經由一電源纜線71具有電源且接著供應電源至氣體活化單元350。
在另一例中，如圖15與圖16所示，單元支撐物70a由反應腔室100的底部延伸以支撐氣體活化單元350。請參考圖15與圖16，多個基材支撐物140設置在反應腔室100內且各基材支撐物140支撐待加工的基材(W)。再者，一對被間隔開的氣體供應組件300設置在反應腔室100內。
如圖15與圖16所示，單元支撐物70a由反應腔室100的底部延伸進入至這些基材支撐物140之間的空間以支撐氣體活化單元350並由反應腔室100的外部提供氣體活化單元350的電源。
如圖16所示，在一對氣體供應組件300被間隔開的設置於反應腔室100的狀況下，單元支撐物70a位在這對互相面對的氣體供應組件300之間且單元支撐物70a支撐分別配置在這些氣體供應組件300內的這些氣體活化單元350。如圖15所示，單元支撐物70a與一對氣體活化單元350以T形狀形成。
承如上面解釋的，設置單元支撐物70a以支撐被間隔開且互相面對地設置於反應腔室100內的至少一氣體供應組件300。
如圖12與圖13所示，腔室蓋120可包括一開啟/關閉模組130以供應第一處理氣體與第二處理氣體至氣體供應模組320。
請參考圖12與圖13，開啟/關閉模組130具有一氣體流入線路311a(下文稱為“第一氣體流入線路”)，其與氣體供應模組320的各氣體供應通道321流體連通且由反應腔室100的外部供應第一處理氣體至各氣體供應通道321。承如上述，第一處理氣體可包括源氣體或清洗氣體。
另外，開啟/關閉模組130具有一氣體流入線路311b(下文稱為“第二氣體流入線路”)，其由外部供應第二處理氣體至具有氣體活化單元350的這些氣體供應模組320之間的空間。藉由氣體活化單元350活化第二處理氣體且接著以活化原子狀態或激化狀態順流至基材(W)。
根據本發明一實施例的氣相沈積裝置1的氣體活化單元350可以是一電漿產生單元、一超高頻產生單元、一紫外線輻射單元、一雷射輻射單元的其中之一。
如圖12所示，根據本發明一實施例在電漿產生單元被實施為氣體活化單元350的狀況下，藉由從單元支撐物70供應電源在電漿產生單元與這些氣體供應模組320之間的空間產生電漿，且活化被供應通過第二氣體流入線路311b的第二處理氣體，因此以順流的激化在基材(W)的表面上形成薄膜。
於此，由單元支撐物70被供應至電漿產生單元的電源可以是直流(DC)電源或射頻(RF)電源。這些間隔開的氣體供應模組320將是被設置在這些氣體供應模組320之間的電漿產生單元用的一接地電極。
在超高頻產生單元被實施為氣體活化單元350的狀況下，超高頻產生單元藉著具有超過109Hz的超高頻活化第二處理氣體。若第二處理氣體注入通過第二氣體流入線路311b且藉由超高頻產生單元應用超高頻率的話，第二處理氣體製作為一活化狀態或一激化狀態且接著順流在基材(W)形成薄膜。
再者，在紫外線輻射單元被實施為氣體活化單元350的狀況下，藉由輻射單元的紫外線輻射活化第二處理氣體且接著製作為處於一激化狀態並順流在基材(W)上形成薄膜。
在一例中，輻射單元的紫外線可以僅指向氣體供應模組320。當基材(W)因為照射紫外線而可能變形或損壞時，可防止輻射單元的紫外線指向基材(W)。
同時，完整的反應可被輻射至基材(W)上的紫外線引發，其中此紫外線具有預定的波長以破壞預定的分子層與基材(W)之間的連結關係，或具有低於所述預定波長的波長，輻射單元的紫外線可指向基材(W)。
在雷射輻射單元被實施為氣體活化單元350的狀況下，藉由雷射輻射單元的雷射光束活化第二處理氣體且接著製作為處於一激化狀態並順流地在基材(W)上形成薄膜。
氣體活化單元350的上部可包括一氣體分散單元400，其使得由開啟/關閉模組130的第二氣體流入線路311b的第二處理氣體被分散且接著朝向氣體供應模組320流動。圖12與圖13顯示氣體分散單元400是圓的形狀，但氣體分散單元400的橫斷面可以是三角形狀。
請參考圖17，根據另一實施例的氣相沈積裝置1將在下文論述。如圖17所示，根據本發明一實施例的氣體供應組件300可包括至少一幫浦模組340。幫浦模組340設置在這些氣體供應模組320之間及/或在氣體供應模組320的一側，且幫浦模組340可包括在其內的一氣體排出通道341以排出反應腔室100內所含的第一處理氣體及/或第二處理氣體。在一例中，圖17顯示一個幫浦模組340設置在兩個氣體供應模組320之間且與兩個氣體供應模組320間隔開。
開啟/關閉模組130具有排出處理氣體的一氣體流出線路312。開啟/關閉模組130的氣體流出線路312與幫浦模組340的氣體排出通道341流體連通且排出反應腔室100內所含的氣體至反應腔室100的外部。因此，藉由氣體供應組件300供應與排出氣體是可能的。
在圖17中，幫浦模組340與氣體供應模組320彼此間隔開地設置且在氣體供應模組320與幫浦模組340之間形成氣體活化單元350。在氣體供應模組320與幫浦模組340之間的空間將是用於注入第二處理氣體的氣體供應通道331。
因此，從開啟/關閉模組130的第二氣體流入線路311b到在氣體供應模組320與幫浦模組340之間的氣體供應通道331的第二處理氣體被活化。在電漿產生單元被實施為氣體活化單元350的狀況下，氣體供應模組320與幫浦模組340是用於電漿反應的接地電極。
根據本發明一實施例的氣相沈積裝置1在基材(W)的表面上形成一薄膜的狀況下，在基材(W)上製作薄膜的原子層沈積(ALD)將在下文論述。
首先，當至少一源前驅體作為第一處理氣體由氣體供應組件320的一條氣體供應通道321被注入時，化學吸附層(chemical adsorption layer)與物理吸附層(physical adsorption)形成在基材(W)的表面上。接著，惰性清洗氣體作為第一處理氣體由氣體供應模組320的另一條氣體供應通道321注入且通過氣體流出線路312被排出，藉此移除由源前驅體形成的物理吸收層。
反應前驅體(reaction precursor)作為第二處理氣體由開啟/關閉模組130的氣體流入線路311b被注入且接著藉由氣體活化單元350被活化。以激化形式的反應前驅體被傳送至基材(W)以形成化學吸收層與物理吸收層。接著，藉由注入清洗氣體與幫浦移除反應前驅體所形成的物理吸收層，且在基材(W)上形成薄膜。
圖17為顯示幫浦模組340設置在氣體供應組件300內的一例。圖18為修改圖17例的一實施例，在一對被間隔開的氣體供應模組320之間不形成氣體活化單元350，且通過與對應對的氣體供應模組320之間的空 間流體連通的開啟/關閉模組130的氣體流出線路312達到排出。氣體排出通道341設置在這些氣體供應模組320之間的空間內。
在上述的這些實施例中，氣體供應模組320及/或幫浦模組340可被實施為用於電漿反應的接地電極。同時，如圖19所示，可在鄰近電漿產生電極的氣體供應模組320的一內壁上提供一更遠的接地電極354c。因此，在氣體活化單元350之間以電漿產生電極與接地電極354c的形式產生電漿，且當接地電極354c被污染時，容易替換或清潔接地電極354c。
於此，本發明的這些較佳實施例已繪示與說明。顯而易見地，在不脫離本發明的精神與範圍的情況下，本領域所屬技術人員可做各種修改與變化。因此，本發明的確實範圍應由所附的申請專利範圍的技術精神定義且本發明涵蓋在所附的申請專利範圍內與其等同範圍內的修改與變化。
120‧‧‧腔室蓋
130‧‧‧開啟/關閉模組
311‧‧‧氣體流入線路
312‧‧‧氣體流出線路
320、330‧‧‧氣體供應模組
321、331‧‧‧氣體供應通道
340‧‧‧幫浦模組
341‧‧‧氣體排出通道
350‧‧‧氣體活化單元
353‧‧‧電源供應線路
A‧‧‧區域
D2‧‧‧第二方向

Claims (22)

  1. 一種氣相沈積裝置，包括：一反應腔室；以及一氣體供應組件，設置於所述反應腔室內且供應至少一處理氣體進入至所述反應腔室，其中所述氣體供應組件包括：至少一氣體供應通道，供應所述處理氣體進入至所述反應腔室；以及至少一氣體活化單元，活化被供應通過所述至少一氣體供應通道的所述處理氣體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的氣相沈積裝置，其中所述至少一處理氣體通過形成在所述氣體供應通道的下部的一注入切口或一注入開孔，被注入至所述反應腔室。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的氣相沈積裝置，其中所述氣體供應組件更包括至少一氣體排出通道，排出所述反應腔室內的氣體至所述反應腔室的一外部。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的氣相沈積裝置，其中所述氣體排出通道形成在鄰近於所述氣體供應組件內的所述氣體供應通道的一預定位置。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的氣相沈積裝置，其中所述氣體供應組件包括至少一氣體供應模組，可拆卸地設置在所述反應腔室內，且具有至少一氣體供應通道在其內。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的氣相沈積裝置，其中所述氣體排出通道形成在一預定位置，且此預定位置鄰近於所述氣體供應模組內的所述氣體供應通道、及/或在彼此互相鄰近的所述多個氣體供應模組之間，及/或在所述氣體供應模組和所述反應腔室的一側壁之間。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的氣相沈積裝置，其中所述氣體供應組件更包括一幫浦模組，可拆卸地設置在所述反應腔室內、在所述多個彼此互相鄰近的氣體供應模組之間或在所述氣體供應模組與所述反應腔室的一側壁之間，且具有所述氣體排出通道在其中。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的氣相沈積裝置，更包括一開啟/關閉模組，包括：一氣體流入線路，與所述氣體供應通道流體連通且供應所述處理氣體至所述氣體供應通道；以及一氣體流出線路，與所述氣體排出通道流體連通且排出被引入通過所述氣體排出通道的所述氣體。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的氣相沈積裝置，其中所述反應腔室包括一開口部，且其中所述開啟/關閉模組設置於所述反應腔室上以開啟及封閉所述開口部。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的氣相沈積裝置，其中所述氣體供應通道形成於所述氣體供應模組以沿著所述反應腔室的一第一方向注入所述處理氣體； 其中所述氣體供應模組所述開啟/關閉模組的其中之一具有沿著所述第一方向的一導槽；以及其中所述氣體供應模組與所述開啟/關閉模組之其中另一具有嵌入於所述導槽的一導部，藉此所述氣體供應模組沿著所述第一方向滑動以可拆卸地設置於所述開啟/關閉模組上。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的氣相沈積裝置，其中所述氣體供應通道形成於所述氣體供應模組以在所述反應腔室內沿著一第一方向注入所述處理氣體；其中所述幫浦模組與所述開啟/關閉模組的其中之一具有沿著所述第一方向的一導槽；以及其中所述幫浦模組與所述開啟/關閉模組的其中另一具有嵌入於所述導槽的一導部，藉此所述幫浦模組沿著所述第一方向滑動以可拆卸地設置於所述開啟/關閉模組上。
  12. 如申請專利範圍第9項所述的氣相沈積裝置，其中所述氣體供應通道形成在所述氣體供應模組內以在所述反應腔室內沿著一第一方向注入所述處理氣體；其中所述氣體供應模組與所述幫浦模組包括多個延伸的凸緣，分別由接近所述開啟/關閉模組的邊緣區域的一外表面突出於所述第一方向的兩側；其中所述反應腔室的所述開口部的一內部具有一止擋部，且所述多個延伸的凸緣依靠在所述止擋部上，以使所述氣體供應模組與所述幫浦模組定位於所述反應腔室內；以及 其中當所述氣體供應模組與所述幫浦模組被嵌入穿過所述開口部，且所述多個延伸的凸緣懸掛在所述止擋部上時，所述開啟/關閉模組封閉所述開口部以讓所述氣體供應模組與所述幫浦模組設置在所述反應腔室內。
  13. 如申請專利範圍第5項所述的氣相沈積裝置，其中所述氣體活化單元可包括下面的其中之一：一電漿產生單元，藉由產生電漿而活化所述處理氣體；一超高頻產生單元，藉由應用超高頻至所述處理氣體而活化所述處理氣體；一紫外線輻射單元，藉由輻射一紫外線至所述處理氣體而活化所述處理氣體；以及一雷射輻射單元，藉由輻射一雷射光束至所述處理氣體而活化所述處理氣體。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的氣相沈積裝置，其中所述電漿產生單元包括：一電漿電極，設置在構成所述氣體供應通道的所述氣體供應模組的一側內；一電源供應線路，形成於所述氣體供應模組以從外部供應電源至所述電漿電極；以及一接地電極，形成於其中有所述電漿電極形成的所述氣體供應模組的另一側，且由所述電漿電極間隔開。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的氣相沈積裝置，其中所述 電漿產生單元包括：一電漿電極，設置於所述氣體供應通道；一電源供應線路，形成於所述氣體供應模組且從外部供應電源至所述電漿電極；以及一接地電極，設置在形成所述氣體供應通道的所述氣體供應模組內，所述氣體供應模組中形成有所述電漿電極，而所述接地電極經由所述電漿電極間隔開。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的氣相沈積裝置，其中所述接地電極設置於所述氣體供應模組的兩側，以使所述電漿電極設置在所述多個接地電極之間；其中其內設置有所述電漿產生單元的所述氣體供應通道，包括：一連接通道，連接從一外部引入所述處理氣體進入的所述氣體流入線路；一電極通道，引入於所述電漿電極與所述多個接地電極之間的所述處理氣體；以及一分流通道，分歧所述連接通道且供應所述處理氣體至各電極通道。
  17. 如申請專利範圍第14項或第15項所述的氣相沈積裝置，其中所述電漿產生單元更包括一屏蔽件，配置在所述電漿電極與所述氣體供應模組之間且將所述電漿電極自所述氣體供應模組電性屏蔽。
  18. 如申請專利範圍第5項所述的氣相沈積裝置，其中至少一對相互鄰近的所述氣體供應模組互相間隔開的設置，且其中所述氣體活化單元設置在所述反應腔室內，以使所述氣體活化單元設置在所述多個彼此互相間隔開的氣體供應模組之間的至少一部份上。
  19. 如申請專利範圍第1項所述的氣相沈積裝置，更包括一單元支撐物，設置在所述反應腔室內以支撐所述氣體活化單元並從所述反應腔室的一外部供應電源至所述氣體活化單元。
  20. 如申請專利範圍第1項所述的氣相沈積裝置，其中具有所述氣體活化單元的多個氣體供應組件設置在所述反應腔室內以互相隔開並且面向一基材；以及其中所述氣相沈積裝置更包括至少一單元支撐物，設置在所述反應腔室內以支撐至少一氣體活化單元且從所述反應腔室的一外部供應電源至所述氣體活化單元。
  21. 如申請專利範圍第5項所述的氣相沈積裝置，其中所述氣體供應組件更包括至少一幫浦模組，設置在所述互相鄰近的多個氣體供應模組之間、且/或設置在所述氣體供應模組的一側，並具有一氣體排出通道以排出所述反應腔室內所含的氣體。
  22. 如申請專利範圍第21項所述的氣相沈積裝置，其中至少一幫浦模組設置且與所述氣體供應模組間隔開；以及其中所述氣體活化單元設置於所述多個間隔開的氣體供應模組與所述幫浦模組之間。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI241356B (en) * 2002-06-25 2005-10-11 Laserfront Technologies Inc Laser CVD device and laser CVD method
TWM307017U (en) * 2005-05-27 2007-03-01 Applied Materials Inc Chemical vapor deposition system for processing flat panel display substrates

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100470985B1 (ko) * 2003-12-30 2005-03-14 주식회사 에스에프에이 플라즈마 세정장치
KR100737753B1 (ko) * 2005-12-29 2007-07-10 세메스 주식회사 기판을 처리하는 장치 및 방법
KR101028408B1 (ko) * 2008-12-29 2011-04-13 주식회사 케이씨텍 가스분사 유닛 및 이를 구비하는 원자층 증착장치
KR101046119B1 (ko) * 2009-01-12 2011-07-01 삼성엘이디 주식회사 화학 기상 증착 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI241356B (en) * 2002-06-25 2005-10-11 Laserfront Technologies Inc Laser CVD device and laser CVD method
TWM307017U (en) * 2005-05-27 2007-03-01 Applied Materials Inc Chemical vapor deposition system for processing flat panel display substrates

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