CN108780736B - 基板处理设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种基板处理设备，用于喷射源气体和反应气体，所述设备包括：第一排放管路，排出相比于源气体包含更多的反应气体的第一废气；第二排放管路，排出相比于源气体包含更多的反应气体的第二废气；捕获装置，安装在第一排放管路中；以及第三排放管路，连接到排放泵以排出穿过捕获装置的第一废气和穿过第二排放管路的第二废气。

Description

基板处理设备
技术领域
本发明涉及一种用于在基板上沉积薄膜的基板处理设备。
背景技术
通常，应该在基板表面上形成薄膜层、薄膜电路图案或光学图案，以制造太阳能电池、半导体装置、平板显示装置等。为此，执行半导体制造工艺，并且半导体制造工艺的示例包括：在基板上沉积包括特定材料的薄膜的薄膜沉积工艺；通过使用光敏材料选择性地曝光一部分薄膜的光学工艺；去除与选择性曝光部分相对应的薄膜以形成图案的蚀刻工艺等。
半导体制造工艺在基板处理设备内执行，该基板处理设备基于用于相应工艺的最佳环境而设计，近来，用于基于等离子体执行沉积或蚀刻工艺的基板处理设备被广泛使用。
基于等离子体的基板处理设备的示例包括用于通过使用等离子体形成薄膜的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、用于蚀刻和将薄膜图案化的等离子体蚀刻设备等。
图1是现有技术的基板处理设备的示意性侧视剖视图。
参照图1，现有技术的基板处理设备包括腔室10、等离子体电极20、基座30和气体分配装置40。
腔室10为基板处理工艺提供处理空间。在这种情况下，腔室10的两个底面均与泵送口12连通以排放处理空间。
等离子体电极20安装在腔室10上以密封处理空间。
等离子体电极20的一侧通过配合构件22电连接到射频(RF)电源24。在这种情况下，RF电源24产生RF电力并将RF电力供应给等离子体电极20。
此外，等离子体电极20的中心部分与供应用于基板处理工艺的源气体和反应气体的供气管26连通。
配合构件22连接在等离子体电极20和RF电源24之间，并且使源阻抗与从RF电源24供应给等离子体电极20的RF电力的负载阻抗相匹配。
基座30安装在腔室10中并支撑从外部载置的多个基板W。基座30是与等离子体电极20对置的对置电极，并且通过升高和降低基座30的升降轴32电接地。
用于加热被支撑的基板W的基板加热装置(未示出)内置在基座30中，并且基板加热装置加热基座30以加热被基座30支撑的基板W的底部。
升降轴32通过升降装置(未示出)在上下方向上升降。此时，升降轴32被波纹管34围绕，波纹管34密封升降轴32和腔室10的底面。
气体分配装置40以与基座30对置的方式安装在等离子体电极20的下方。在这种情况下，气体扩散空间42设置在气体分配装置40和等离子体电极20之间，从穿过等离子体电极20的供气管26供应的源气体和反应气体扩散到气体扩散空间42。气体分配装置40将源气体和反应气体经由与气体扩散空间42连通的多个气体分配孔44均匀地分配到处理空间的整个部分。
现有技术的基板处理设备将基板W载置到基座30上，加热载置到基座30上的基板W，将源气体和反应气体分配到腔室10的处理空间，并将RF电力供应给等离子体电极20以产生等离子体，从而在基板W上形成一定的薄膜。另外，在薄膜沉积工艺中分配到处理空间的源气体和反应气体流到基座30的边缘，并经由设置在处理腔室10的两个底面的每个底面中的泵送口12排出到处理腔室10的外部。
现有技术的基板处理设备具有以下问题。
首先，由于现有技术的基板处理设备通过化学气相沉积(CVD)工艺在基板W上形成特定的薄膜，因此薄膜的特性不均匀并且薄膜的质量难以控制，在上述的化学气相沉积(CVD)工艺中源气体和反应气体在处理空间中彼此混合并沉积在基板上，。
第二，在现有技术的基板处理设备中，在薄膜沉积工艺中使用的源气体和反应气体在混合的情况下经由泵送口12排放到外部。因此，在现有技术的基板处理设备中，在源气体和反应气体混合的混合气体排出的过程中由混合气体产生具有颗粒状态的颗粒，出于这个原因，产生的颗粒成为妨碍废气顺畅排出的因素，导致排放效率降低。另外，在现有技术的基板处理设备中，由于排放效率的降低，排放所花费的时间增加，出于这个原因，薄膜沉积工艺的处理时间延长。
发明内容
技术问题
因此，鉴于上述问题作出本发明，本发明的目的是提供一种基板处理设备，其中源气体和反应气体在处理空间中混合，从而解决控制薄膜的特性不均匀和薄膜质量的困难。
本发明旨在提供一种基板处理设备，其中源气体和反应气体在混合的情况下排出，从而防止由于颗粒的产生而导致排气效率降低并且防止在薄膜沉积工艺中处理时间延长。
技术方案
为了实现上述目的，源气体和反应气体被分配到根据本发明的基板处理设备，所述基板处理设备包括：第一排放管路，排放包括反应气体和多于所述反应气体的源气体的第一废气；第二排放管路，排放包括源气体和多于所述源气体的反应气体的第二废气；捕获装置，安装在第一排放管路中；以及第三排放管路，连接到排放泵以排放流经所述捕获装置的第一废气和流经所述第二排放管路的第二废气，其中，所述捕获装置捕获流入所述第一排放管路的源气体。
根据本发明的基板处理设备，其中，被分配源气体的腔室的区域不同于被分配反应气体的腔室的区域，或者源气体和反应气体以具有时间差的方式被分配，所述基板处理设备包括：第一排放管路，从所述腔室排出所述源气体；第二排放管路，与所述第一排放管路间隔开，以从所述腔室排出所述反应气体；第一收集单元，收集包括流入所述第一排放管路中的所述源气体的气体，从而用等离子体处理收集的气体；以及第二收集单元，收集包括流入所述第二排放管路的废气和流经所述第一收集单元的气体的气体。
根据本发明的基板处理设备，其中被分配源气体的腔室的区域不同于被分配反应气体的腔室的区域，或者源气体和反应气体以具有时差的方式分配，所述基板处理设备包括：第一排放管路，从所述腔室排出所述源气体；第二排放管路，与所述第一排放管路间隔开，以从所述腔室排出所述反应气体；第一收集单元，收集包括流入所述第一排放管路中的所述源气体的气体，从而用等离子体处理收集的气体；以及第二收集单元，收集包括流入所述第二排放管路中的废气以及通过流经所述第一收集单元而被等离子体激活的废气的混合气体的气体。
根据本发明的基板处理设备，其中，被分配源气体的腔室的区域不同于被分配反应气体的腔室的区域，或者所述源气体和所述反应气体以具有时间差的方式被分配，所述基板处理设备包括：第一排放管路，连接到腔室；第二排放管路，连接到第一排放管路并与第一排放管路间隔开；等离子体发生器，设置在第一排放管路中；以及第二收集单元，具有非等离子体方式，其中，流经所述等离子体发生器的第一废气和流经所述第二排放管路的第二废气混合并流入所述第二收集单元。
根据本发明的基板处理设备，其中，被分配源气体的腔室的区域不同于被分配反应气体的腔室的区域，或者所述源气体和所述反应气体以具有时间差的方式被分配，所述基板处理设备包括：第一排放管路，连接到所述腔室；第二排放管路，连接到所述第一排放管路并与所述第一排放管路间隔开；以及第二收集单元，具有非等离子体方式，其中，在所述第一排放管路中等离子体激活的第一废气和流经所述第二排放管路的第二废气混合并流入所述第二收集单元。
有益效果
根据本发明，可以获得以下效果。
实施本发明是为了降低源气体和反应气体在分配过程中混合的程度，从而提高薄膜质量特性的均匀性并提高薄膜质量的可控性。
由于实施本发明以降低源气体和反应气体在排放过程中混合的程度，因此可以通过防止由源气体产生颗粒来提高排放效率，而且缩短了排放所花费的时间，从而有助于缩短薄膜沉积工艺的处理时间。
附图说明
图1是现有技术的基板处理设备的示意性侧视剖视图；
图2是示意性示出根据本发明第一实施例的基板处理设备的框图；
图3是根据本发明第一实施例的基板处理设备的示意性立体图；
图4是根据本发明第一实施例的基板处理设备的示意性俯视图；
图5是根据本发明第一实施例的基板处理设备的示意性分解立体图；
图6是描述在根据本发明第一实施例的基板处理设备中通过使用吹扫气体独立地排出源气体和反应气体的实施例的示意性俯视图；
图7是描述在根据本发明的变型的第一实施例的基板处理设备中通过使用分隔构件独立地排出源气体和反应气体的实施例的示意性俯视图；
图8是根据本发明另一变型的第一实施例的基板处理设备的示意性分解立体图；
图9是描述在根据本发明的另一变型的第一实施例的基板处理设备中通过使用吹扫气体和分隔构件独立地排出源气体和反应气体的实施例的示意性俯视图；
图10是根据本发明第二实施例的基板处理设备的腔室的局部分解示意性立体图；
图11是沿着图10的线“A-A”剖开的剖视图，示出了根据本发明第二实施例的基板处理设备的发光单元的结构；
图12是图10的俯视剖视图；
图13是示出根据本发明的处理废气的方法的流程图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述根据本发明的基板处理设备的实施例。
第一实施例
参照图2至图4，根据本发明第一实施例的基板处理设备可以包括用于处理在基板处理单元100中产生的废气的气体处理单元200。在描述气体处理单元200之前，将在下面参照附图详细描述基板处理单元100。
基板处理单元100执行用于将薄膜沉积在基板W上的薄膜沉积工艺。例如，根据本发明的基板处理设备可以应用于用于通过使用等离子体形成薄膜的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备。
基板处理单元100通过使用等离子体来激活源气体和反应气体，并将激活的源气体和反应气体分配到基板W，由此在基板W上执行薄膜沉积工艺。基板处理单元100将源气体和反应气体分别分配到源气体分配区域120a和反应气体分配区域120b，源气体分配区域120a和反应气体分配区域120b在空间上彼此分离，从而在基板W上执行薄膜沉积工艺。因此，根据本发明第一实施例的基板处理设备防止源气体和反应气体在被分配的过程中相互混合，从而提高薄膜质量特性的均匀性并提高薄膜质量的可控性。基板处理单元100将源气体分配到源气体分配区域120a并将反应气体分配到反应气体分配区域120b。
基板处理单元100可包括处理室110、基板支撑部120、室盖130、源气体分配装置140、反应气体分配装置150以及吹扫气体分配单元160。
处理室110为基板处理工艺(例如，薄膜沉积工艺)提供处理空间。为此，处理室110包括底面和室侧壁，室侧壁垂直于底面设置以限定处理空间。
底板框架112可以安装在处理室110的底面上。底板框架112包括：导轨(未示出)，引导基板支撑部120的旋转；以及第一排放口114和第二排放口114’，用于将存在于处理空间中的废气泵送到外部。
第一排放口114和第二排放口114’可以以一定间隔安装在泵管(未示出)中，该泵管在底板框架112中以圆形带状邻近腔室侧壁设置，并且可以与处理空间连通。
基板支撑部120安装在处理室110的内部底面、即底板框架112上，并且支撑从外部基板载置设备(未示出)经由基板入口载置到处理空间中的至少一个基板W。
基板W所位于的多个基板定位区域(未示出)可以设置在基板支撑部120的顶部上。
基板支撑部120可以固定到或可移动地安装在底板框架112中。在这种情况下，如果基板支撑部120可移动地安装在底板框架112中，则基板支撑部120可以相对于底板框架112的中心部分沿特定方向(例如，逆时针方向)移动(即，旋转)。
室盖130安装在处理室110的上部以密封处理空间。另外，室盖130可拆卸地支撑源气体分配装置140、反应气体分配装置150以及吹扫气体分配单元160中的每一个。为此，室盖130包括盖框架131和第一模块安装部133、第二模块安装部135以及第三模块安装部137。
盖框架131设置成圆板形状并覆盖处理室110的上部，由此密封由处理室110提供的处理空间。
第一模块安装部133设置在盖框架131的一侧并且可拆卸地支撑源气体分配装置140。为此，第一模块安装部133包括多个第一模块安装孔133a，多个第一模块安装孔133a相对于盖框架131的中心点以一定间隔径向设置在盖框架131的一侧。多个第一模块安装孔133a中的每一个具有平面矩形形状并且穿过盖框架131。
第二模块安装部135设置在盖框架131的另一侧并且可拆卸地支撑反应气体分配装置150。为此，第二模块安装部135包括相对于盖框架131的中心点以一定间隔径向设置在盖框架131的另一侧的多个第二模块安装孔135a。多个第二模块安装孔135a中的每一个具有平面矩形形状并穿过盖框架131。
上述的多个第一模块安装孔133a和多个第二模块安装孔135a可以以在它们之间具有第三模块安装部137而彼此对称的方式设置在盖框架131中。
第三模块安装部137设置在第一模块安装部133和第二模块安装部135之间，并且设置在盖框架131的中心部分以可拆卸地支撑吹扫气体分配单元160。为此，第三模块安装部137包括以矩形形状设置在盖框架131的中心部分中的第三模块安装孔137a。
第三模块安装孔137a在第一模块安装部133和第二模块安装部135之间的空间穿过盖框架131的中心部分，因此设置成平面矩形形状。
在下文中，假设室盖130包括三个第一模块安装孔133a和三个第二模块安装孔135a，描述根据本发明第一实施例的基板处理设备。
源气体分配装置140可拆卸地安装在室盖130的第一模块安装部133中，并且将源气体分配到被基板支撑部120按顺序移动的基板W。也就是说，源气体分配装置140将源气体局部地向下地分配到限定在室盖130和基板支撑部120之间的空间中的多个源气体分配区域120a中的每一个，由此根据基板支撑部120的驱动将源气体分配到穿过多个源气体分配区域120a中的每一者的下部的基板W。为此，源气体分配装置140可以包括第一源气体分配模块140a至第三源气体分配模块140c，第一源气体分配模块140a至第三源气体分配模块140c分别可拆卸地安装在多个第一模块安装孔133a上并向下分配源气体。
第一源气体分配模块140a至第三源气体分配模块140c中的每一个可以包括气体分配框架、多个供气孔以及密封构件。
气体分配框架以盒形设置成具有底部开口并且可拆卸地插入第一模块安装孔133a中。气体分配框架包括接地板和接地侧壁，接地板通过螺栓在第一模块安装孔133a的附近可拆卸地安装到盖框架131上，接地侧壁从接地板的底边垂直地突出以提供气体分配空间并且插入第一模块安装孔133a中。气体分配框架通过室盖130的盖框架131电接地。
气体分配框架的底部、即、接地侧壁的底部设置在与室盖130的底部相同的线上，并且与由基板支撑部120支撑的基板W的顶部间隔开一定距离。
多个供气孔被设置成穿过气体分配框架的顶部、即接地板，并与设置在气体分配框架中的气体分配空间连通。多个供气孔将从外部气体供应设备(未示出)供应的源气体供应到气体分配空间，从而使源气体经由气体分配空间向下分配到源气体分配区域120a。从源气体分配装置140向下分配到源气体分配区域120a的源气体在从基板支撑部120的中心部分到设置在基板支撑部120的一侧的第一排放口114的方向上流动。
源气体包括将要沉积在基板W上的薄膜的主要材料，并且可以包括诸如硅(Si)、钛族元素(Ti、Zr、Hf等)、铝(Al)等的气体。例如，包含硅(Si)的源气体可以是硅烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)、丙硅烷(Si3H8)、正硅酸乙酯(TEOS)、二氯硅烷(DCS)、六氯硅烷(HCD)、三甲基氨基硅烷(tri-dimethylaminosilane)(TriDMAS)、三甲硅烷基(trisilylamine)(TSA)和/或类似物。基于将要沉积在基板W上的薄膜的沉积特性，源气体可以进一步包括非反应气体，例如氮气(N2)、氩气(Ar)、氙气(Ze)、氦气(He)等。
反应气体分配装置150可拆卸地安装在室盖130的第二模块安装部135中，并且将反应气体分配到由基板支撑部120依次移动的基板W。即，反应气体分配装置150将反应气体局部地向下地分配到多个反应气体分配区域120b中的每一个，反应气体分配区域120b中的每一个在空间上与源气体分配区域120a分离并且限定在室盖130和基板支撑部120之间的空间中，由此根据基板支撑部120的驱动将反应气体分配到穿过多个反应气体分配区域120b中的每一者的下部的基板W。为此，反应气体分配装置150可以包括分别可拆卸地安装在多个第二模块安装孔135a上并向下分配反应气体的第一反应气体分配模块150a至第三反应气体分配模块150c。
除了第一反应气体分配模块150a、第二反应气体分配模块150b和第三反应气体分配模块150c中的每一个可拆卸地安装在室盖130的第二模块安装孔135a上并将从外部气体供应设备(未示出)供应的反应气体向下分配到反应气体分配区域120b，第一反应气体分配模块150a、第二反应气体分配模块150b和第三反应气体分配模块150c中的每一个与第一源气体分配模块140a、第二源气体分配模块140b以及第三源气体分配模块140c中的每一个相同地配置。因此，关于源气体分配模块140a、140b和140c的描述适用于第一反应气体分配模块150a、第二反应气体分配模块150b和第三反应气体分配模块150c中的每一个的元件。
从反应气体分配装置150向下分配到反应气体分配区域120b的反应气体在从基板支撑部120的中心部分到设置在基板支撑部120的侧部上的第二排放口114’的方向上流动。
反应气体是包括将要沉积在基板W上的薄膜的一些材料并形成最终的薄膜的气体，并且可以包括氢气(H2)、氮气(N2)、氧气(O2)、二氧化氮(NO2)、氨(NH3)、水(H2O)、臭氧(O3)等。根据将要沉积在基板W上的薄膜的沉积特性，反应气体可以进一步包括非反应气体，例如，氮气(N2)、氩气(Ar)、氙气(Ze)、氦气(He)等。
源气体、或源气体和反应气体混合的第一废气可以经由第一排放口114排出。在这种情况下，第一废气中包含的源气体和反应气体的混合比可以处于源气体比反应气体混合更多的状态。反应气体、或源气体和反应气体混合的第二废气可以经由第二排放口114’排出。在这种情况下，第二废气中包含的反应气体和源气体的混合比可以处于反应气体比源气体混合更多的状态。
从源气体分配装置140分配的源气体的分配量和从反应气体分配装置150分配的反应气体的分配量可以设定为不同，因此，可以控制在基板W上彼此反应的源气体和反应气体的反应速度。在这种情况下，源气体分配装置140和反应气体分配装置150可以配置有具有不同面积的气体分配模块，或者可以配置有不同数量的气体分配模块。
吹扫气体分配单元160可拆卸地安装在室盖130的第三模块安装部137中，以将吹扫气体向下分配到处理室110的与源气体分配装置140和反应气体分配装置150之间的空间相对应的处理空间，从而形成用于在空间上分离源气体和反应气体的气体屏障。也就是说，吹扫气体分配单元160将吹扫气体向下分配到在室盖130和基板支撑部120之间的空间中限定的吹扫气体分配区域120c，以对应于源气体分配区域120a和反应气体分配区域120b之间的空间，因此形成气体屏障，从而降低源气体和反应气体在向下分配到基板W的中途彼此混合的程度。因此，基板处理单元100可以在空间上分离源气体分配区域120a和反应气体分配区域120b。吹扫气体可以包括非反应气体，例如氮气(N2)、氩气(Ar)、氙气(Ze)、氦气(He)等。
在吹扫气体分配单元160中设置吹扫气体分配空间，在吹扫气体分配空间中容纳从吹扫气体供应设备(未示出)供应的吹扫气体。吹扫气体分配单元160将从外部吹扫气体供应设备(未示出)供应的吹扫气体供应到吹扫气体分配空间，因此，吹扫气体经由吹扫气体分配空间向下分配到吹扫气体分配区域120c，以在源气体分配区域120a和反应气体分配区域120b之间形成气体屏障，并且还允许分别被分配到源气体分配区域120a和反应气体分配区域120b的源气体和反应气体中的每一者流到设置在基板支撑部120的侧部上的第一排放口114或第二排放口114’。
吹扫气体分配单元160比源气体分配装置140和反应气体分配装置150中的每一者相对更靠近基板支撑部120安装，并且将吹扫气体以比源气体和反应气体中的每一个到基板W的分配距离相对更近的分配距离(例如，源气体的分配距离的一半或更小)分配到吹扫气体分配区域120c，从而降低了源气体和反应气体在分配到基板W的中途彼此混合的程度。
吹扫气体分配单元160可以将吹扫气体以比源气体和反应气体的分配压力高的分配压力分配。
从吹扫气体分配单元160分配的吹扫气体允许源气体和反应气体中的每一个流到第一排放口114和第二排放口114’(参见图3)，由此降低源气体和反应气体在分配到基板W的中途彼此混合的程度。因此，根据基板支撑部120的驱动而移动的多个基板W中的每一个依次暴露于通过吹扫气体相互分离的源气体和反应气体中的每一个，因此，基于源气体和反应气体的反应通过原子层沉积(ALD)工艺而在每个基板W上沉积单层或多层薄膜。这里，薄膜可以是高k介电层、绝缘层、金属层等。
在源气体和反应气体彼此反应的情况下，可以通过使用等离子体激活源气体和反应气体，并分配源气体和反应气体。
使用等离子体的方法是使气体激活并允许气体具有增强的化学反应性的一般方法，并且气体被激活而产生包含离子、自由基、原子和分子的离解气体。离解气体用于各种工业和科学领域，包括半导体晶片、诸如粉末的固体材料和其他气体的处理，并且活性气体的特性和材料暴露于气体的条件根据领域大幅改变。
例如，等离子体源将具有充足电平的电位施加于等离子体气体(例如，O2、N2、Ar、NF3、H2和He)或气体的化合物以电离至少一部分气体，从而产生等离子体。等离子体可以通过包括DC放电、高频(RF)放电和微波放电的各种方法产生。
在根据本发明第一实施例的基板处理设备中，可以在上述实施例的源气体分配模块中另外设置等离子体电极(未示出)。
首先，根据将要沉积在基板上的薄膜的材料，将源气体激活并分配到基板。因此，根据本发明的源气体分配模块的每一个通过使用等离子体激活源气体并将激活的源气体分配到基板。
详细地，根据本发明的源气体分配模块的每一个可进一步包括等离子体电极，该等离子体电极插入并设置在气体分配空间中。
等离子体电极插入气体分配空间中，并且等离子体电极根据从等离子体电源单元(未示出)供应的等离子体电力，由供应到气体分配空间的源气体产生等离子体。
等离子体源可以是高频电力或射频(RF)电力，例如，低频(LF)电力、中频(MF)电力、高频(HF)电力或甚高频(VHF)电力。在这种情况下，LF电力可以具有3kHz至300kHz范围内的频率，MF电力可以具有300kHz至3MHz范围内的频率，HF功率可以具有3MHz至30MHz范围内的频率，并且VHF功率可以具有30MHz至300MHz范围内的频率。
参照图2和图4，气体处理单元200用于将源气体和反应气体从基板处理单元100排出到外部。气体处理单元200可以耦接到基板处理单元100，并且可以将存在于处理室110中的源气体和反应气体排出到外部。在薄膜沉积工艺完成之后，气体处理单元200可以从处理室110排出源气体和反应气体。
气体处理单元200可以从源气体分配区域120a和反应气体分配区域120b独立地排出源气体和反应气体。因此，根据本发明第一实施例的基板处理设备降低了源气体和反应气体以混合的状态从基板处理单元100排出的程度，从而减少了由于源气体和反应气体以混合的状态排出而产生的颗粒。
气体处理单元200可以包括第一排放管路210、第二排放管路220和第三排放管路240。
第一排放管路210用于从源气体分配区域120a排出第一废气。第一废气包括反应气体和多于反应气体的源气体。第一废气可以仅包括源气体而不包括反应气体。第一排放管路210可以耦接到处理室110以连接到处理室110的内部。第一排放管路210可以耦接到处理室110的底板框架112。
第一排放管路210可以耦接到处理室110以连接到第一排放口114。位于源气体分配区域120a中的第一废气可以从处理室110经由第一排放口114排出，并且可以通过沿第一排放管路210移动而排出到外部。
第一排放管路210可以包括：第一泵送装置(未示出)，产生用于从源气体分配区域120a排出第一废气的进气力和排出力；以及第一排出管(未示出)，提供第一废气流经的路径。
第二排放管路220用于从反应气体分配区域120b排出第二废气。第二废气包括源气体和多于源气体的反应气体。第二废气可以仅包括反应气体而不包括源气体。第二排放管路220可以耦接到处理室110以连接到处理室110的内部。第二排放管路220可以耦接到处理室110的底板框架112。第二排放管路220和第一排放管路210可以耦接到底板框架112，并且可以位于处理室110的底板框架112中彼此间隔开的位置。
第二排放管路220可以耦接到处理室110以连接到第二排放口114’。位于反应气体分配区域120b中的第二废气可以从处理室110经由第二排放口114’排出，并且可以通过沿第二排放管路220移动而排出到外部。
第二排放管路220可以包括：第二泵送装置(未示出)，产生用于从反应气体分配区域120b排出第二废气的进气力和排出力；以及第二排出管(未示出)，提供第二废气流经的路径。第二排出管和第一排出管可以分别包括：从单独的管分支并耦接到不同位置的一侧；以及接合到一个管的另一侧。洗涤器可以安装在第二排出管和第一排出管接合的部分中。
气体处理单元200可包括捕获装置230。
捕获装置230用于捕获和处理流到第一排放管路210的第一废气的源气体。捕获装置230可以裂解(crack)第一废气的源气体以捕获第一废气的源气体。在这样的过程中，捕获装置230可以将源气体裂解成颗粒状态，从而防止由于源气体流经第一排放管路210而在第一排放管路210中产生颗粒。因此，根据本发明第一实施例的基板处理设备防止由从基板处理单元100排出的源气体产生颗粒，从而提高了排放效率。因此，通过提高排放效率，根据本发明第一实施例的基板处理设备能够缩短排放花费的时间，从而有助于缩短薄膜沉积工艺的处理时间。
捕获装置230可以仅安装在第一排放管路210和第二排放管路220中的第一排放管路210中。因此，捕获装置230可以仅对从基板处理单元100排出的第一废气和第二废气中的第一废气执行捕获源气体的处理。因此，根据本发明第一实施例的基板处理设备可以获得以下效果。
首先，由于以使源气体和反应气体独立地排出的方式实施根据本发明第一实施例的基板处理设备，因此可以仅对作为颗粒产生的主要原因的第一废气执行源气体捕获处理。因此，根据本发明第一实施例的基板处理设备能够降低操作捕获装置230以防止颗粒产生所花费的操作成本和管理成本。
第二，在根据本发明第一实施例的基板处理设备中，由于捕获装置230仅对第一废气执行源气体捕获处理，因此，与捕获装置230对第一废气和第二废气混合的废气执行源气体捕获处理的情况相比，能够减少捕获装置230的气体处理量。因此，根据本发明第一实施例的基板处理设备能够减小捕获装置230的容量，因此，能够降低捕获装置230的制造成本，而且，捕获装置230可以小型化。
捕获装置230可以包括等离子体捕获器。
通过使用等离子体，等离子体捕获器能够防止由从基板处理单元100排出的源气体产生颗粒。等离子体捕获器通过使用等离子体，裂解从基板处理单元100排出的源气体，从而防止颗粒产生。例如，如果源气体是六氯化硅(Si2Cl6)，则等离子体捕获器通过使用等离子体将六氯化硅裂解成硅(Si)和氯(C1)，从而防止颗粒产生。
在此，基板处理单元100可以通过使用在排出工艺中不产生颗粒的反应气体来执行薄膜沉积工艺。例如，反应气体可以是氢气(H2)、氮气(N2)、氧气(O2)、二氧化氮(NO2)、氨(NH3)、水(H2O)和臭氧(O3)中的至少一种。因此，即使捕获装置230没有安装在第二排放管路220中，根据本发明第一实施例的基板处理设备也可以防止由反应气体中产生颗粒。此外，源气体甚至可以包含在流经第二排放管路220的第二废气中，但是由于源气体的量小，所以即使没有捕获装置230，也可以实施基于第二排放管路220的顺畅的排放。
第三排放管路240连接到排放泵300以排放经由第一排放管路210流经捕获装置230的第一废气、以及流经第二排放管路220的第二废气。因此，在源气体流经捕获装置230并被捕获之后，第一废气与流到第二排放管路220的第二废气结合的状态下，流到第一排放管路210的第一废气经由第三排放管路240传递到排放泵300。
第三排放管路240可以安装成，第三排放管路240的一侧将第一排放管路210和第二排放管路220连接到一个管，第三排放管路240的另一侧连接到排放泵300。
参照图2至图6，根据本发明第一实施例的基板处理设备可以通过使用吹扫气体在空间上将气体排出区域分离成第一气体排出区域和第二气体排出区域。
为此，吹扫气体分配单元160可以还将吹扫气体分配到气体排出区域GE(图6中示出)。气体排出区域GE设置在处理室110的内周表面110a和基板支撑部120的外周表面120d之间。吹扫气体分配单元160可以还将吹扫气体分配到气体排出区域GE，以在空间上将气体排出区域GE分离成第一气体排出区域GE1和第二气体排出区域GE2。第一排放管路210连接到第一气体排出区域GE1。第二排放管路220连接到第二气体排出区域GE2。
因此，第一废气经由第一气体排出区域GE1经由第一排放管路210排出到处理室110的外部。第二废气经由第二气体排出区域GE2经由第二排放管路220排出到处理室110的外部。
因此，根据本发明第一实施例的基板处理设备防止第一废气和第二废气在排出的中途彼此混合，从而增大用于减小从源气体产生的颗粒的阻力。
吹扫气体分配单元160可以实现为将吹扫气体分配到大于与基板支撑部120的直径相对应的区域的吹扫气体分配区域120c，从而还将吹扫气体分配到气体排出区域GE。吹扫气体分配单元160可以实现为将吹扫气体分配到与处理室110的内径相对应的吹扫气体分配区域120c。
第一排放口114可以设置在第一气体排出区域GE1中。第一排放口114可以设置在处理室110中，并且可以设置在第一气体排出区域GE1中。第一排放管路210可以通过第一排放口114连接到第一气体排出区域GE1。
第二排放口114’可以设置在第二气体排出区域GE2中。第二排放口114’可以设置在处理室110中，并且可以设置在第二气体排出区域GE2中。第二排放管路220可以经由第二排放口114’连接到第二气体排出区域GE2。
参照图2至图7，根据本发明的变型的第一实施例的基板处理设备可以实现为通过使用分隔构件在空间上将气体排出区域分离成第一气体排出区域和第二气体排出区域。
为此，基板处理单元100可以包括设置在气体排出区域GE中的分隔构件116。分隔构件116可以设置成在从处理室110的内周表面110a到基板支撑部120的外周表面120d的方向上突出。因此，分隔构件116可以将气体排出区域GE在空间上分离成第一气体排出区域GE1和第二气体排出区域GE2。
因此，通过使用分隔构件116而不使用吹扫气体，根据本发明的变型的第一实施例的基板处理设备能够防止第一废气和第二废气在排出的中途彼此混合，从而，与使用吹扫气体的情况相比，降低了操作成本。
分隔构件116可以耦接到处理室110，使得其一侧耦接到处理室110的内周表面110a，另一侧接触基板支撑部120的外周表面120d。分隔构件116可以设置成长方体形状，但是可以设置成能够使气体排出区域GE在空间上分离的另一形状，而不限于此。基板处理单元100可以包括多个分隔构件116。
参照图8和图9，根据本发明另一变型的第一实施例的基板处理设备可以实现为，通过使用吹扫气体和分隔构件将气体排出区域在空间上分离成第一气体排出区域和第二气体排出区域。
为此，基板处理单元100可以包括分隔构件116，分隔构件116设置成在从处理室110的内周表面110a到基板支撑部120的外周表面120d的方向上突出。吹扫气体分配单元160可以将吹扫气体分配到基板支撑部120的外周表面120d与分隔构件116之间的空间。因此，气体排出区域GE可以通过分隔构件116和吹扫气体的组合在空间上分离成第一气体排出区域GE1和第二气体排出区域GE2。
因此，根据本发明的另一变型的第一实施例的基板处理设备可以获得以下效果。
首先，与仅使用上述的吹扫气体的情况相比，根据本发明的另一变型的第一实施例的基板处理设备能够减小吹扫气体分配单元160要将吹扫气体分配到的区域的尺寸。这是因为不需要将吹扫气体分配到分隔构件116在空间上分离气体排出区域GE的部分。因此，根据本发明的另一变型的第一实施例的基板处理设备能够防止第一废气和第二废气在排出的中途彼此混合，而且，能够降低第一废气和第二废气彼此混合时花费的操作成本。
第二，与仅使用上述分隔构件的情况相比，根据本发明的另一变型的第一实施例的基板处理设备可以实现为使分隔构件116不接触基板支撑部120的外周表面120d。这是因为分隔构件116和基板支撑部120的外周表面120d通过吹扫气体在空间上彼此分离。因此，根据本发明的另一变型的第一实施例的基板处理设备能够防止分隔构件116接触基板支撑部120的外周表面120d时由于摩擦发生磨损、损坏和/或类似情况，由此降低分隔构件116和基板支撑部120的管理成本。
吹扫气体分配单元160可以实现为将吹扫气体分配到大于基板支撑部120的直径且小于处理室110的内径的吹扫气体分配区域120c，从而还将吹扫气体分配到气体排出区域GE。
第二实施例
首先，描述根据本发明第二实施例的基板处理设备。
图10是根据本发明第二实施例的基板处理设备的腔室的局部分解立体示意图。图11是沿图10的线“A-A”剖开的剖视图，图11示出了根据本发明第二实施例的基板处理设备的射出单元的结构。图12是图10的俯视剖视图。
基板S的处理可以包括在基板S上形成图案形状薄膜，例如电极或包括金属氧化物的介电层。
如图所示，根据本发明第二实施例的基板处理设备可以包括腔室310，在腔室310中设置有插入并处理诸如硅晶片或玻璃的基板S的空间。腔室310可包括主体311和盖315，主体311的上端面开口，并且主体311位于相对下侧，盖315耦接到主体311的开口的上端面，并且盖315位于相对上侧。
由于主体311和盖315彼此耦接并且分别位于下侧和上侧，因此，腔室310的底部对应于主体311的底部，腔室310的顶部对应于盖315。
基板入口311a可以设置在腔室310的侧表面中，基板S经由基板入口311a载置到腔室310中或者从腔室310卸载到外部，并且基板入口311a可以通过打开/关闭单元(未示出)打开或关闭。
安装并支撑基板S的基板支撑部320可以安装在腔室310的内部底部上。基板支撑部320可以包括：基座321，基座321位于腔室310中，并且基板S安装在基座321的顶部上；以及支撑轴325，支撑轴325耦接到基座321的底部，并且支撑轴325的下端暴露于腔室310的底部外侧。
用于加热基板S的诸如加热器的加热装置(未示出)可以安装在基座321的安装并支撑基板S的部分中，并且多个基板可以径向安装在基座321的顶部上并由其支撑。此外，对腔室310和支撑轴325之间的空间进行密封的诸如波纹管的密封模块可以安装在腔室310外部的支撑轴325的一部分中。
暴露于腔室310外部的支撑轴325的一部分可以连接到驱动器330，并且驱动器330可以升高和降低或旋转基板支撑部320。也就是说，驱动器330可以升高和降低或旋转支撑轴325从而升高和降低或旋转基座321。因此，安装在基座321上的基板S可以升高或降低，或者可以绕支撑轴325旋转。
为了在基板S上沉积薄膜，应该将工艺气体供应到腔室310。工艺气体可包括源气体和反应气体，源气体可以是沉积在基板S上的物质，并且反应气体可以是帮助源气体稳定地沉积在基板S上的物质。
为了将源气体和反应气体分配到安装在基板支撑部320上并由基板支撑部320支撑并进行旋转的基板S，用于分配源气体的第一分配单元341和用于分配反应气体的第二分配单元343可以分别安装在腔室310的顶部上。第一分配单元341可以将源气体分配到腔室310的第一区域310a，第二分配单元343可以将反应气体分配到腔室310的第二区域310b。在这种情况下，源气体可以是与胺键合的锆(Zr)，反应气体可以是O3。
此外，将吹扫气体分配到基板S的第三分配单元345可以在第一分配单元341和第二分配单元343之间安装在腔室310的顶部上，吹扫气体是诸如氩(Ar)等的惰性气体。
第三分配单元345可以将吹扫气体分配到第一区域310a和第二区域310b之间的空间从而在空间上分离第一区域310a和第二区域310b之间的空间。因此，防止从第一分配单元341分配并存在于第一区域310a中的源气体与从第二分配单元343分配并存在于第二区域310b中的反应气体混合。也就是说，吹扫气体执行气幕的功能。
第一分配单元341可以设置为多个，并且多个第一分配单元341可以以特定间隔设置。第二分配单元343可以设置为多个，并且多个第二分配单元343可以以特定间隔设置。因此，当基板S根据基板支撑部件320旋转而位于第一分配单元341和第二分配单元343下方时，源气体和反应气体依次被分配到基板S，并且通过源气体和反应气体之间的反应，在基板S上沉积薄膜。
第一分配单元341和第二分配单元343中的每一个可以设置为喷头等。为了将源气体和反应气体均匀地分配到基板S，可以在第一分配单元341和第二分配单元343中的每一者的底部设置多个分配孔。另外，为了将源气体和反应气体分配到基板S的整个表面，优选地，相对于基板支撑部320的中心，第一分配单元341和第二分配单元343中的每一者的半径方向长度比基板S的直径长。
产生等离子体状态的反应气体或产生等离子体状态的单独的流入气体的等离子体发生器351可以安装在腔室310的设置有第二分配单元343的顶部。此外，用于向等离子体发生器351施加射频(RF)电力等的电力装置353和用于匹配阻抗的匹配器355可以安装在腔室310的外部。电力装置353可以接地，等离子体发生器351可以通过使用电力装置353接地。
供应到腔室310的仅一部分源气体沉积在基板S上，并且仅一部分反应气体与源气体反应。因此，未沉积在基板S上的其他源气体、不与源气体反应的其他反应气体、以及在沉积工艺中产生的副产物应被排出到腔室310的外部。
根据本发明第二实施例的基板处理设备可以包括排出单元360，排出单元360用于将未沉积在基板S上的源气体、不与源气体反应的反应气体、以及副产物排放到腔室310的外部。排出单元360可包括第一排放管路361、第二排放管路363以及排放泵365。
第一排放管路361的一端可以与设置在第一区域310a的下侧上的腔室310的底部连通，第一排放管路361的另一端可以与排放泵365连通。另外，将在下面描述的第一收集单元371可以与第一排放管路361连通。因此，第一排放管路361可以将分配到第一区域310a的源气体的未沉积在基板S上的源气体、以及副产物排出到腔室310的外部，因此，排出的源气体和副产物可以流入到第一收集单元371。
第二排放管路363的一端可以与设置在第二区域310b的下侧上的腔室310的底部连通，第二排放管路363的另一端可以与排放泵365连通。在这种情况下，将在下面描述的第二收集单元375可以与第二排放管路363连通。
第一排放管路361的另一端可以与第二排放管路363的另一端连通并且可以与排放泵365连通。因此，从腔室310排出的源气体和副产物中的未被第一收集单元371收集的源气体和副产物可以流入第二收集单元375并且可以再次被处理。
排放泵365可以设置为真空泵等，并且，如上所述可以与第二排放管路363的另一端连通。因此，当排放泵363被驱动时，第一区域310a中的副产物和未沉积在基板S上的源气体经由第一排放管路361流入第一收集单元371中，第二区域310b中的副产物和未与源气体反应的反应气体经由第二排放管路363流入第二收集单元375中，并且未被第一收集单元371收集的副产物和源气体流入第二收集单元375中。
当从腔室310排出的源气体直接流入排放泵365时，源气体可以与排放泵365中产生的热量或经由第二排放管路363流到排放泵365的反应气体反应，因此，可以沉积在排放泵365的内表面上。因此，排放泵365可以被沉积在排放泵365上的源气体损坏。此外，根据该情况，源气体可以通过在排放泵365中产生的热量爆炸。
为了防止这样的问题，根据本发明第二实施例的基板处理设备可以包括用于收集以粉末状态流入第一排放管路361中的源气体和副产物的上述的第一收集单元371。
可以在第一收集单元371中设置多个竖直划分的空间，并且源气体和副产物可以按照最上部空间→中间空间→最下部空间的顺序流经空间。因此，流入第一收集单元371的源气体和副产物可以以粉末状态被第一收集单元371收集，并且未被第一收集单元371收集的源气体和副产物可以经由第二排放管路363流入第二收集单元375。
等离子体发生器373可以安装在第一收集单元371的最上部空间中，以便第一收集单元371收集粉末状态的源气体和副产物。等离子体发生器373可以产生流入的氧(O2)作为等离子体。因此，从腔室310排出的源气体和副产物可以与氧等离子体反应并且可以以粉末状态被收集。
在根据本发明第二实施例的基板处理设备中，未被第一收集单元371收集而排出的源气体和副产物流入第二收集单元375。因此，未被第一收集单元371收集的源气体和副产物和从第二区域310b中排出的反应气体和副产物可以在第二收集单元375中一起被处理。
此外，未被第一收集单元371收集的源气体和副产物和从第二区域310b中排出的反应气体和副产物可以以粉末状态被第二收集单元375收集，并且供应到第二分配单元343的O3可以分支并供应到第二收集单元375，以便第二收集单元375收集粉末状态的源气体、反应气体和副产物。
为了提供详细描述，可以安装用于将作为反应气体的O3供应到第二分配单元343的反应气体供应管线344，并且用于将O3供应到第二收集单元375的反应气体分支管线344a可以从其中分支，并且可以设置在反应气体供应管线344的一侧。因此，未被第一收集单元371收集的源气体和副产物以及从第二区域310b排出的反应气体和副产物可以与O3反应并且可以以粉末状态被第二收集单元375收集。
如图11中的实线所示，分支管线344a可以与第一排放管路361的另一端和排放泵365之间的、第二排放管路363的部分连通，并且如图11中的虚线所示，分支管线344a可以与第一排放管路361的另一端和腔室310之间的、第二排放管路363的部分连通。
通过基于被第一收集单元371和第二收集单元375收集的粉末的波数对吸收率进行分析而获得的结果，当等离子体发生器373产生氧等离子体并将氧等离子体供应到第一收集单元371时，未检测到键合到作为源气体的锆的胺，但是当氧等离子体没有被供应到第一收集单元371时，检测到胺。也就是说，可以看出，当通过使用氧等离子体处理流入第一收集单元371中的气体时，键合到锆的胺裂解。
从腔室310排出的胺键合的源气体和副产物被第一收集单元371和第二收集单元375收集两次，并且从腔室310排出的反应气体和副产物被第二收集单元375收集，由此从腔室310排出的源气体、反应气体和副产物基本上被收集。因此，从第二收集单元375排出的大部分气体是吹扫气体，并且一些副产物可能包含在排出的气体中。
在下文中，将描述根据本发明的废气处理方法的实施例。
图13是示出根据本发明的废气处理方法的流程图。
根据本发明的废气处理方法可以通过上述的根据本发明的基板处理设备来执行。在下文中，将参照图10至图13描述通过上述的根据本发明第二实施例的基板处理设备执行根据本发明的废气处理方法的情况。
首先，将基板S安装在基板支撑部320上，然后，使基板支撑部320旋转的同时，经由第三分配单元345分配吹扫气体。因此，腔室的第一区域310a和第二区域310b在空间上被吹扫气体分开。
随后，作为源气体的锆(Zr)被分配到腔室310的第一区域310a，并且作为反应气体的O3被分配到腔室310的第二区域310b，由此在基板S上沉积诸如高k介电层等的薄膜。因此，分配到腔室310的第一区域310a的一些源气体沉积在基板S上，而其他源气体不沉积在基板上。进一步，分配到腔室310的第二区域310b的一部分反应气体与源气体反应，而其他反应气体不与源气体反应。
因此，在腔室310的第一区域310a中存在未沉积在基板S上的源气体和在沉积工艺中产生的副产物，并且在腔室310的第二区域310b中存在不与源气体反应的反应气体和在沉积工艺中产生的副产物。
因此，如图13所示，在操作S110中，通过驱动排放泵365，可以提取分配到腔室310的第一区域310a但未沉积在基板S上的源气体以及在沉积工艺中产生的副产物，并将它们排出到第一排放管路361，并且可以提取分配到腔室310的第二区域310b但未与源气体反应的反应气体以及在沉积工艺中产生的副产物，并将它们排出到第二排放管路363。
当流入第一排放管路361的源气体和副产物、以及流入第二排放管路363的反应气体和副产物按原样流入排放泵365并排出时，源气体和/或类似物沉积在排放泵365的内表面上，因此，可能损坏排放泵365。
为了防止损坏，在操作S120中，可以在安装成与第一排放管路361连通的第一收集单元371中处理源气体和副产物。第一收集单元371可以通过使用氧(O2)等离子体处理源气体和副产物。因此，流入第一收集单元371的源气体和副产物可以以粉末状态被氧等离子体收集。
流入第一收集单元371的大部分源气体和副产物可能被第一收集单元371收集，或者一部分可能不被第一收集单元371收集。
随后，在操作S130中，未被第一收集单元371收集的源气体和副产物以及从腔室310的第二区域310b排出的反应气体和副产物可能被第二收集单元375收集，并且通过使用作为反应气体的O3，第二收集单元375可以收集流入的源气体、反应气体和副产物。
因此，流入第二收集单元375的源气体、反应气体和副产物可以以粉末状态被O3收集。
此外，在操作S140中，未被第二收集单元375收集而排出的气体可以流经排放泵365的内部并且可以排出。在这种情况下，从排放泵365排出的大部分气体可以是吹扫气体。
在根据本发明第二实施例的基板处理设备和废气的处理方法中，从腔室310排出的源气体和副产物用等离子体处理并以粉末状态被第一收集单元371收集。而且，未被第一收集单元371收集而排出的源气体和副产物以及从腔室310排出的反应气体和副产物以粉末状态被第二收集单元375收集。因此，防止源气体沉积在排放泵365上，由此防止排放泵365损坏。
此外，由于源气体不沉积在排放泵365上，因此完全消除了由排放泵365中产生的热量引起的源气体爆炸的风险。
在根据本发明第二实施例的基板处理设备中，源气体被分配到的腔室310的分配区域可以与反应气体被分配到的腔室310的分配区域不同，或者源气体和反应气体可以以具有时间差的方式被分配。而且，第二收集单元375可以收集通过流经第一收集单元371而已经被等离子体激活的废气的混合气体，并且第二收集单元375可以以非等离子方式收集气体。
本领域技术人员可以理解，本发明可以在不改变技术精神或基本特征的情况下以另一种详细形式实施。因此，应该理解，上述实施例从每个方面都是示例性的而非限制性的。应该理解，本发明的范围由下面描述的权利要求而不是详细描述来限定，并且权利要求的含义和范围以及从它们的等同概念推断出的所有变化或修改的形式都包括在本发明的范围内。

Claims (17)

1.一种基板处理设备，源气体和反应气体被分配到所述基板处理设备，所述基板处理设备包括：
第一排放管路，排放包括所述反应气体和多于所述反应气体的所述源气体的第一废气；
第二排放管路，排放包括所述源气体和多于所述源气体的所述反应气体的第二废气；
捕获装置，安装在所述第一排放管路中，用于捕获流入所述第一排放管路的所述源气体；
第三排放管路，连接到排放泵以排放流经所述捕获装置的所述第一废气和流经所述第二排放管路的所述第二废气；以及
基板处理单元，所述基板处理单元执行薄膜沉积工艺以在基板上沉积薄膜，所述薄膜沉积工艺将所述源气体和所述反应气体分别分配到在空间上彼此分离的源气体分配区域和反应气体分配区域，
所述基板处理单元包括：处理室，提供处理空间；基板支撑部，安装在所述处理室中用以支撑至少一个基板；以及吹扫气体分配单元，将吹扫气体分配到所述源气体分配区域与所述反应气体分配区域之间的空间，以在空间上分离所述源气体分配区域和所述反应气体分配区域，
所述吹扫气体分配单元还将所述吹扫气体分配到所述处理室的内周表面与所述基板支撑部的外周表面之间的气体排出区域，以将所述气体排出区域在空间上分离成第一气体排出区域和第二气体排出区域，
所述第一排放管路以连接到所述第一气体排出区域的方式与所述处理室耦接，并且
所述第二排放管路以连接到所述第二气体排出区域的方式与所述处理室耦接，
所述吹扫气体分配单元将吹扫气体分配到与所述处理室的内径相对应的吹扫气体分配区域，以在空间上分离与所述第一排放管路连接的所述第一气体排出区域和与所述第二排放管路连接的所述第二气体排出区域。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述捕获装置包括用于防止颗粒产生的等离子体捕获器。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理设备，其中，所述反应气体是氢气、氮气、氧气、二氧化氮、氨、水和臭氧中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，
所述处理室包括设置在所述第一气体排出区域中的第一排放口和设置在所述第二气体排出区域中的第二排放口，
所述第一排放管路经由所述第一排放口连接到所述第一气体排出区域，并且
所述第二排放管路经由所述第二排放口连接到所述第二气体排出区域。
5.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述吹扫气体分配单元以比所述源气体和所述反应气体的分配压力高的分配压力分配所述吹扫气体。
6.一种基板处理设备，其中，被分配源气体的腔室的区域不同于被分配反应气体的腔室的区域，或者所述源气体和所述反应气体以具有时间差的方式被分配，所述基板处理设备包括：
第一排放管路，从所述腔室排出所述源气体；
第二排放管路，与所述第一排放管路间隔开，以从所述腔室排出所述反应气体；
第一收集单元，收集包括流入所述第一排放管路中的所述源气体的气体从而用等离子体处理所收集的气体；
第二收集单元，收集包括流入所述第二排放管路的废气以及流经所述第一收集单元的气体的气体；以及
基板处理单元，所述基板处理单元执行薄膜沉积工艺以在基板上沉积薄膜，所述薄膜沉积工艺将所述源气体和所述反应气体分别分配到在空间上彼此分离的源气体分配区域和反应气体分配区域，
所述基板处理单元包括：处理室，提供处理空间；基板支撑部，安装在所述处理室中用以支撑至少一个基板；以及吹扫气体分配单元，将吹扫气体分配到所述源气体分配区域与所述反应气体分配区域之间的空间，以在空间上分离所述源气体分配区域和所述反应气体分配区域，
所述吹扫气体分配单元还将所述吹扫气体分配到所述处理室的内周表面与所述基板支撑部的外周表面之间的气体排出区域，以将所述气体排出区域在空间上分离成第一气体排出区域和第二气体排出区域，
所述第一排放管路以连接到所述第一气体排出区域的方式与所述处理室耦接，并且
所述第二排放管路以连接到所述第二气体排出区域的方式与所述处理室耦接，
所述吹扫气体分配单元将吹扫气体分配到与所述处理室的内径相对应的吹扫气体分配区域，以在空间上分离与所述第一排放管路连接的所述第一气体排出区域和与所述第二排放管路连接的所述第二气体排出区域。
7.根据权利要求6所述的基板处理设备，其中，氧等离子体流入所述第一收集单元。
8.根据权利要求6所述的基板处理设备，其中，
所述源气体是与胺键合的锆，并且
所述反应气体是臭氧。
9.一种基板处理设备，其中，被分配源气体的腔室的区域不同于被分配反应气体的腔室的区域，或者所述源气体和所述反应气体以具有时间差的方式被分配，所述基板处理设备包括：
第一排放管路，从所述腔室排出所述源气体；
第二排放管路，与所述第一排放管路间隔开，以从所述腔室排出所述反应气体；
第一收集单元，收集包括流入所述第一排放管路中的所述源气体的气体从而用等离子体处理所收集的气体；
第二收集单元，收集包括流入所述第二排放管路的废气以及通过流经所述第一收集单元已被等离子体激活的废气的混合气体的气体；以及
基板处理单元，所述基板处理单元执行薄膜沉积工艺以在基板上沉积薄膜，所述薄膜沉积工艺将所述源气体和所述反应气体分别分配到在空间上彼此分离的源气体分配区域和反应气体分配区域，
所述基板处理单元包括：处理室，提供处理空间；基板支撑部，安装在所述处理室中用以支撑至少一个基板；以及吹扫气体分配单元，将吹扫气体分配到所述源气体分配区域与所述反应气体分配区域之间的空间，以在空间上分离所述源气体分配区域和所述反应气体分配区域，
所述吹扫气体分配单元还将所述吹扫气体分配到所述处理室的内周表面与所述基板支撑部的外周表面之间的气体排出区域，以将所述气体排出区域在空间上分离成第一气体排出区域和第二气体排出区域，
所述第一排放管路以连接到所述第一气体排出区域的方式与所述处理室耦接，并且
所述第二排放管路以连接到所述第二气体排出区域的方式与所述处理室耦接，
所述吹扫气体分配单元将吹扫气体分配到与所述处理室的内径相对应的吹扫气体分配区域，以在空间上分离与所述第一排放管路连接的所述第一气体排出区域和与所述第二排放管路连接的所述第二气体排出区域。
10.根据权利要求9所述的基板处理设备，其中，氧等离子体流入所述第一收集单元。
11.根据权利要求9的基板处理设备，其中，
所述源气体是与胺键合的锆，并且
所述反应气体是臭氧。
12.一种基板处理设备，其中，被分配源气体的腔室的区域不同于被分配反应气体的腔室的区域，或者所述源气体和所述反应气体以具有时间差的方式被分配，所述基板处理设备包括：
第一排放管路，连接到所述腔室；
第二排放管路，连接到所述第一排放管路并与所述第一排放管路间隔开；
等离子体发生器，设置在所述第一排放管路中；
第二收集单元，具有非等离子体方式，其中流经所述等离子体发生器的第一废气和流经所述第二排放管路的第二废气混合并流入所述第二收集单元；以及
基板处理单元，所述基板处理单元执行薄膜沉积工艺以在基板上沉积薄膜，所述薄膜沉积工艺将所述源气体和所述反应气体分别分配到在空间上彼此分离的源气体分配区域和反应气体分配区域，
所述基板处理单元包括：处理室，提供处理空间；基板支撑部，安装在所述处理室中用以支撑至少一个基板；以及吹扫气体分配单元，将吹扫气体分配到所述源气体分配区域与所述反应气体分配区域之间的空间，以在空间上分离所述源气体分配区域和所述反应气体分配区域，
所述吹扫气体分配单元还将所述吹扫气体分配到所述处理室的内周表面与所述基板支撑部的外周表面之间的气体排出区域，以将所述气体排出区域在空间上分离成第一气体排出区域和第二气体排出区域，
所述第一排放管路以连接到所述第一气体排出区域的方式与所述处理室耦接，并且
所述第二排放管路以连接到所述第二气体排出区域的方式与所述处理室耦接，
所述吹扫气体分配单元将吹扫气体分配到与所述处理室的内径相对应的吹扫气体分配区域，以在空间上分离与所述第一排放管路连接的所述第一气体排出区域和与所述第二排放管路连接的所述第二气体排出区域。
13.根据权利要求12所述的基板处理设备，其中，所述等离子体发生器产生氧作为等离子体。
14.根据权利要求12所述的基板处理设备，其中，
所述源气体是与胺键合的锆，并且
所述反应气体是臭氧。
15.一种基板处理设备，其中，被分配源气体的腔室的区域不同于被分配反应气体的腔室的区域，或者所述源气体和所述反应气体以具有时间差的方式被分配，所述基板处理设备包括：
第一排放管路，连接到所述腔室；
第二排放管路，连接到所述第一排放管路并与所述第一排放管路间隔开；
第二收集单元，具有非等离子体方式，其中在所述第一排放管路中被等离子体激活的第一废气和流经所述第二排放管路的第二废气混合并流入所述第二收集单元；以及
基板处理单元，所述基板处理单元执行薄膜沉积工艺以在基板上沉积薄膜，所述薄膜沉积工艺将所述源气体和所述反应气体分别分配到在空间上彼此分离的源气体分配区域和反应气体分配区域，
所述基板处理单元包括：处理室，提供处理空间；基板支撑部，安装在所述处理室中用以支撑至少一个基板；以及吹扫气体分配单元，将吹扫气体分配到所述源气体分配区域与所述反应气体分配区域之间的空间，以在空间上分离所述源气体分配区域和所述反应气体分配区域，
所述吹扫气体分配单元还将所述吹扫气体分配到所述处理室的内周表面与所述基板支撑部的外周表面之间的气体排出区域，以将所述气体排出区域在空间上分离成第一气体排出区域和第二气体排出区域，
所述第一排放管路以连接到所述第一气体排出区域的方式与所述处理室耦接，并且
所述第二排放管路以连接到所述第二气体排出区域的方式与所述处理室耦接，
所述吹扫气体分配单元将吹扫气体分配到与所述处理室的内径相对应的吹扫气体分配区域，以在空间上分离与所述第一排放管路连接的所述第一气体排出区域和与所述第二排放管路连接的所述第二气体排出区域。
16.根据权利要求15所述的基板处理设备，其中，氧等离子体流入所述第一排放管路。
17.根据权利要求16所述的基板处理设备，其中，
所述源气体是与胺键合的锆，并且
所述反应气体是臭氧。
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