TWI846065B

TWI846065B - 電路板及電路板製造方法

Info

Publication number: TWI846065B
Application number: TW111136432A
Authority: TW
Inventors: 李明勳; 林辰恩
Original assignee: 新煒科技有限公司
Priority date: 2022-09-26
Filing date: 2022-09-26
Publication date: 2024-06-21
Also published as: TW202415173A

Abstract

本申請提供一種電路板，包括：主體基板，至少包括層疊設置的第一絕緣層及第一導電層，主體基板上開設有貫穿第一絕緣層的容納腔，第一導電層覆蓋容納腔；以及電容元件，設置於容納腔中，電容元件包括相對設置的兩個電極，兩個電極均與容納腔的腔體壁相鄰；其中，主體基板上還開設有貫穿第一導電層的複數導通孔，每一導通孔對應一個電極設置，且部分貫穿腔體壁與電極相對的部分，使得電極靠近第一導電層的一側及靠近腔體壁的一側均部分裸露；第一絕緣層靠近電極的部分設置有阻擋部，用於限制導通孔的深度。本申請還提供一種電路板製造方法。

Description

電路板及電路板製造方法

本申請涉及一種電路板及一種電路板製造方法。

隨著技術的發展及使用者的需求，對於電子設備輕薄化的要求越來越高，電路板作為電子設備的主要部件，如何減小電路板尺寸也隨之成為急需攻克的技術問題。舉例來說，印製電路板(Printed Circuit Board，PCB)，通常會在晶片周圍放置電容元件，從而導致PCB板的整體尺寸較大，近年來出現了將電容元件嵌入PCB板中的方案，藉由將電容元件嵌入PCB板的多層疊構內，以減小PCB板的尺寸。然而，目前的將電容元件嵌入PCB板的多層疊構內的方案，通常會加大電容元件及其電極的尺寸，以防止由於精度問題造成的良品率降低，且在開設導通孔的過程中，一旦出現由於精度問題造成的失誤，就會導致電容元件甚至整個PCB板的報廢，進而導致成本的增加。

本申請一方面提供一種電路板，包括：主體基板，至少包括層疊設置的第一絕緣層及第一導電層，所述主體基板上開設有貫穿所述第一絕緣層的容納腔，所述第一導電層覆蓋所述容納腔；以及電容元件，設置於所述容納腔中，所述電容元件包括相對設置的兩個電極，所述兩個電極均與所述容納腔的腔體壁相鄰；其中，所述主體基板上還開設有貫穿所述第一導電層的複數導通孔，每一所述導通孔對應一個所述電極設置，且部分貫穿所述腔體壁與所述電極相對的部分，使得所述電極靠近所述第一導電層的一側及靠近所述腔體壁的一側均部分裸露；所述第一絕緣層靠近所述電極的部分設置有阻擋部，用於限制所述導通孔的深度。

本申請實施例提供的電路板，藉由將連通電極的導通孔設置為使電極靠近第一導電層的一側及靠近腔體壁的一側均部分裸露，使得填充於導通孔內的導電材料可以與電極充分接觸，提高了電連接的穩定性；藉由設置第一絕緣層包括阻擋部，從而防止在開孔時無法控制導通孔的深度，從而避免導通孔過深或者孔徑過大，進而避免對電路板造成損壞，有利於提高電路板結構的穩定性，降低生產成本。

在一實施例中，所述導通孔內填充有導電材料，用於將所述電極與所述第一導電層電連接。

在一實施例中，所述導通孔橫截面的幾何中心位於所述電極與所述腔體壁的交界上。

在一實施例中，所述主體基板還包括複數導電層及複數絕緣層，所述複數導電層及所述複數絕緣層依次層疊設置，使得相鄰兩個所述導電層被所述絕緣層間隔開。

在一實施例中，所述複數導電層上均設置有電路走線，所述電路走線繞開所述容納腔設置。

在一實施例中，所述導通孔由雷射蝕刻而成，所述阻擋部的材料為金屬，用於阻擋所述雷射。

本申請另一方面提供一種電路板製造方法，包括：提供母板，所述母板至少包括第一絕緣層，所述第一絕緣層上設置有阻擋部；在所述母板上開設容納腔，所述容納腔貫穿所述第一絕緣層；在所述容納腔中放置電容元件，所述電容元件包括相對設置的兩個電極，使得所述兩個電極均與所述容納腔的腔體壁相鄰；設置第一導電層，所述第一導電層覆蓋所述容納腔；在所述母板上開設貫穿所述第一導電層的複數導通孔，每一所述導通孔對應一個所述電極設置，且部分貫穿所述腔體壁與所述電極相對的部分，使得所述電極靠近所述第一導電層的一側及靠近所述腔體壁的一側均部分裸露，且所述阻擋部經由所述導通孔裸露。

在一實施例中，所述提供母板的步驟包括：設置複數導電層及複數絕緣層，所述複數導電層及所述複數絕緣層依次層疊設置，使得相鄰兩個所述導電層被所述絕緣層間隔開。

在一實施例中，在所述母板上開設複數導通孔的步驟包括：在開設所述導通孔時，對準所述電極與所述腔體壁的交界，使得所述導通孔橫截面的幾何中心位於所述電極與所述腔體壁的交界上。

在一實施例中，在所述母板上開設複數導通孔的步驟包括：使用雷射蝕刻，貫穿所述第一導電層，直至所述雷射被所述阻擋部阻擋。

在一實施例中，在所述母板上開設貫穿所述第一導電層的複數導通孔的步驟之後，還包括：在所述導通孔中填充導電材料，使所述第一導電層與所述電極經由所述導電材料導通。

本申請實施例提供的電路板製造方法，藉由將連通電極的導通孔設置為使電極靠近第一導電層的一側及靠近腔體壁的一側均部分裸露，使得導通孔整體遠離電容元件，防止在開孔時由於精度問題破壞電容元件的電介質部分，從而避免由於誤差造成的電容元件的損壞，同時使得填充於導通孔內的導電材料可以與電極充分接觸，提高了電連接的穩定性；藉由設置第一絕緣層包括阻擋部，從而防止在開孔時無法控制導通孔的深度，從而避免導通孔過深或者孔徑過大，進而避免對電路板造成損壞，有利於提高電路板結構的穩定性，降低生產成本。

100:電路板

10:主體基板

11:導電層

111:第一導電層

12:容納腔

121:腔體壁

13:絕緣層

131:第一絕緣層

15:阻擋部

17:封裝層

20:導通孔

30:電容元件

31:電極

33:電介質部

50:導電材料

80:元器件

a:寬度

b:間距

c:孔徑

S1、S2、S3、S4、S5:步驟

圖1為本申請一實施例的電路板的結構示意圖。

圖2為圖1中電路板的II-II剖面圖。

圖3為本申請一實施例的電容元件與導通孔的俯視結構示意圖。

圖4為本申請一實施例的電容元件與導通孔的正視結構示意圖。

圖5為本申請一實施例的電路板製造方法的流程圖。

下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本申請的一部分實施例，而不是全部的實施例。

除非另有定義，本申請所使用的所有的技術和科學術語與屬於本申請的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。在本申請的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在於限制本申請。

為能進一步闡述本發明達成預定目的所採取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施方式，對本申請作出如下詳細說明。

本申請實施例提供一種電路板，請一併參閱圖1及圖2，電路板100包括：主體基板10、嵌設於主體基板10內部的電容元件30以及鋪設於主體基板10表面的元器件80。其中，主體基板10至少包括層疊設置的第一絕緣層131及第一導電層111，主體基板10上開設有貫穿第一絕緣層131的容納腔12，第一導電層111覆蓋容納腔12。電容元件30設置於容納腔12中，電容元件30包括相對設置的兩個電極31，兩個電極31均與容納腔12的腔體壁121相鄰。主體基板10上還開設有貫穿第一導電層111的導通孔20，每一導通孔20對應一個電極31設置，且部分貫穿腔體壁121與電極31相對的部分，使得電極31面向第一導電層111的一側及靠近腔體壁121的一側均有部分位於導通孔20中而由導通孔20裸露。第一絕緣層131靠近電極31的部分設置有阻擋部15，用於限制導通孔20的深度。

在本實施例中，主體基板10包括複數層疊設置的導電層11及絕緣層13，複數導電層11及複數絕緣層13依次層疊設置，使得相鄰兩個導電層11被絕緣層13間隔開。具體來說，主體基板10包括複數用於設置電路走線的導電層11，相鄰的導電層11之間藉由絕緣層13間隔開，從而避免短路。

在本實施中，複數導電層11上均設置有電路走線(圖未示)，電路走線相較於絕緣層13遠離容納腔12。具體來說，電路走線的佈線繞開容納腔12設置，且預留有緩衝空間，從而避免在開設容納腔12時由於精度問題造成斷路，以及避免與電容元件30導通。在其他實施例中，導電層11也可以直接由電路走線構成，並直接設置在絕緣層13上。

在本實施例中，導電層11與絕緣層13依次交疊形成層疊結構，第一導電層111位於層疊結構的最上方，第一絕緣層131位於層疊結構的中間位置，且被容納腔12貫穿。

在本實施例中，主體基板10還包括封裝層17，封裝層17設置於導電層11與絕緣層13構成的層疊結構的兩端，起到保護及絕緣的作用。

在本實施例中，第一絕緣層131與絕緣層13的材料相同，舉例來說，第一絕緣層131為兩層絕緣層13層疊設置而成，阻擋部15位於兩層絕緣層13之間。在其他實施例中，第一絕緣層131也可以為一層絕緣層13，阻擋部15與第一絕緣層131同層設置。

在本實施例中，導通孔20為雷射蝕刻而成的通孔，阻擋部15的材料的熔點高於導電層11及絕緣層13的材料的熔點。具體來說，阻擋部15的材料為銅箔，相較於導電層11及絕緣層13具有更高的熔點，因此在受到雷射蝕刻時，相較於受到雷射照射而熔化甚至汽化的導電層11及絕緣層13，阻擋部15不容易在雷射照射時熔化，從而起到阻擋雷射的作用，進而限制導通孔20的深度。在其他實施例中，阻擋部15也可以為鋁箔等其他金屬材料，或者其他不易被雷射蝕刻的材料。在其他實施例中，導通孔20也可以為其他方式開設的通孔，如機鑽開孔等，阻擋部15可以為銅箔或其他強度高於導電層11及絕緣層13的材料，如玻璃纖維等。本申請對導通孔20的開設方式及阻擋部15的具體材料不做限制，只要是能夠阻擋蝕刻的材料，均在本申請的保護範圍內。

在本實施例中，主體基板10可以為PCB板，也可以為柔性電路板(Flexible Printed Circuit，FPC)、剛性柔性電路板(Rigid Flex Printed Circuit，RFPC)或者陶瓷基板等。本申請對此不做限制，只要能夠實現在主體基板10中埋入電容元件30的電路板，均在本申請的保護範圍之內。

在本實施例中，容納腔12開設於主體基板10內，具體來說，容納腔12貫穿第一絕緣層131以及複數導電層11、複數絕緣層13，但容納腔12被第一導電層111覆蓋。

在本實施例中，容納腔12的尺寸略大於電容元件30，使得電容元件30與容納腔12之間具有一定的空隙，從而避免放入時由於置件誤差導致的碰撞，進而避免電容元件30的損壞。在其他實施例中，容納腔12的尺寸也可以正好匹配電容元件30，本申請對此不做限制。

在本實施例中，被容納腔12貫穿的第一絕緣層131、多層導電層11及多層絕緣層13共同組成一腔體壁121，阻擋部15裸露於腔體壁121上，從而與電容元件30相鄰，容納腔12在遠離第一導電層111的一側還形成有平行於第一導電層111的腔體底壁。

在本實施例中，電容元件30包括相對設置的兩個電極31以及位於兩個電極31之間的電介質部33，兩個電極31均與腔體壁121相鄰。

在本實施例中，導通孔20內填充有導電材料50，用於將電極31與第一導電層111電連接。具體來說，電容元件30藉由與第一導電層111電連接，從而構成電路回路，因此需要藉由導通孔20，來將電極31與第一導電層111電連接。

在本實施例中，導電材料50可以為藉由電鍍附著在導通孔20孔壁上的金屬材料，也可以為直接填充進導通孔20內的其他導電材料，本申請對此不做限制。

在本實施例中，導通孔20貫穿第一導電層111、複數導電層11、複數絕緣層13以及部分第一絕緣層131，從而使電容元件30的電極31裸露，導電材料50藉由導通孔20與電極31充分接觸。具體來說，導通孔20覆蓋電極31的一部分貫穿第一導電層111、複數導電層11以及複數絕緣層13，從而將電極31面向第一導電層111的一側部分裸露；導通孔20的另一部分貫穿第一導電層111、複數導電層11、複數絕緣層13以及部分第一絕緣層131，使得電極31面向腔體壁121的一側有部分未被第一導電層111、導電層11、絕緣層13以及第一絕緣層131覆蓋，從而使電極31面向腔體壁121的一側部分由導通孔20裸露。導電材料50藉由導通孔20，可以與電極31的兩側充分接觸，從而提高接觸面積，增強導通的性能。

在本實施例中，電容元件30為01005貼片封裝電容，具體來說，電容元件30的尺寸為長0.4mm，寬0.2mm，高0.2mm。其中電極31的尺寸為長0.1mm，寬0.2mm。在其他實施例中，電容元件30也可以為其他尺寸，本申請對此不做限制。下面將以電容元件30為01005貼片封裝電容時為例，對導通孔20及電容元件30的關係作示例性說明。

在本實施例中，請一併參閱圖3及圖4，電極31的寬度a為0.1mm，導通孔20與電介質部33之間的間距b為0.05mm，導通孔20的孔徑為0.1mm。具體來說，以習知之技術，在電路板100的製造過程中會出現距離上的誤差。其中，電容元件30的置件誤差最大為30μm，使用雷射開設導通孔20時的誤差最大為 20μm，也即在對應一個電極31開設導通孔20的過程中，整體的位置誤差約為50μm，因此，需要在選定導通孔20的開設位置時，預留緩衝的間距b，防止在開孔時遇到電介質部33，導致電容元件30的損壞。

在習知技術中，為了避免上述位置誤差，通常的方法是加大電極31的尺寸；同時，由於導通孔20通常僅使電極31面對第一導電層111的一側裸露，因此會限制雷射束的孔徑大小，從而藉由減小孔徑的方式增大導通孔20與電介質部33之間的距離。然而，由於增大了電極31的尺寸，通常需要進行訂製，且電極31尺寸較大同樣會限制電路板100中放置的電極31數量。

在本實施例中，由於導通孔20同時貫通腔體壁121，從而擴大電極31與導電材料50的接觸面積，因此在增強了電連接穩定性的同時，還不會限制雷射束的孔徑大小。當位置誤差為50μm時，為了確保導通孔20能夠貫穿腔體壁121，因此同樣需要預留50μm的距離，也即導通孔20的孔徑c為100μm。在其他實施例中，雷射束的孔徑c也可以大於100μm，本申請對此不做限制。

在本實施例中，當位置誤差為50μm時，導通孔20的孔徑可以為100μm，此時導通孔20橫截面的幾何中心位於電極31與腔體壁121的交界上。在另一實施例中，由於容納腔12的尺寸大於電容元件30的尺寸，因此電極31與腔體壁121之間存在間隙，此時導通孔20橫截面的幾何中心可以位於電極31與腔體壁121之間，也即位於所述間隙上。在其他實施例中，可能存在減小位置誤差的方法，此時導通孔20的孔徑可以小於100μm，為了確保導通孔20能夠同時裸露電極31的兩個側面，同樣可以設置導通孔20橫截面的幾何中心位於電極31與腔體壁121的交界上，或者位於電極31與腔體壁121之間。

在本實施例中，由於導通孔20會貫穿腔體壁121，若不限制導通孔20的深度，則容易導致開孔過深，由於使用雷射開孔，在開孔時孔徑的大小會隨著孔深的增加而增加，容易導致孔徑過大，進而導致電路板100的結構不穩定。因此，藉由設置阻擋部15，可以有效的限制導通孔20的深度，不僅可以防止導通孔20貫穿主體基板10，也可以限制孔徑c的大小。

本申請實施例還提供一種電路板製造方法，請參閱圖5，其包括：步驟S1：提供母板，所述母板至少包括第一絕緣層，所述第一絕緣層上設置有阻擋部；步驟S2：在所述母板上開設容納腔，所述容納腔貫穿所述第一絕緣層；步驟S3：在所述容納腔中放置電容元件，所述電容元件包括相對設置的兩個電極，使得所述兩個電極均與所述容納腔的腔體壁相鄰(即，所述兩個電極均朝向所述容納腔的腔體壁)；步驟S4：設置第一導電層，所述第一導電層覆蓋所述容納腔；步驟S5：在所述母板上開設貫穿所述第一導電層的複數導通孔，每一所述導通孔對應一個所述電極設置，且部分貫穿所述腔體壁與所述電極相對的部分，使得所述電極靠近所述第一導電層的一側及靠近所述腔體壁的一側均部分裸露，且所述阻擋部經由所述導通孔裸露。

在本實施例中，請一併參閱圖2及圖5，步驟S1具體包括：設置複數導電層11及複數絕緣層13，複數導電層11及複數絕緣層13依次層疊設置，使得相鄰兩個導電層11倍絕緣層13間隔開。具體來說，母板為導電層11與絕緣層13依次層疊鋪設而成，導電層11上包括電路走線(圖未示)，絕緣層13用於將相鄰導電層11之間的電路走線間隔開，從而避免短路。

在本實施例中，在設置導電層11時，可以提前設置電路走線的佈線繞開容納腔12的位置，從而避免在開設容納腔12時損傷電路走線，或者導致電路走線與電容元件30電連接。

在本實施例中，第一絕緣層131設置於相鄰兩個導電層11之間，具體來說，第一絕緣層131可以為兩層相鄰的絕緣層13，阻擋部15設置於相鄰兩側絕緣層13之間。在其他實施例中，第一絕緣層131還可以為一層絕緣層13，阻擋部15與第一絕緣層131同層設置。

在本實施例中，阻擋部15靠近容納腔12設置，具體來說，阻擋部15可以在待開設容納腔12的位置的邊緣設置，在開設容納腔12時，可以使阻擋部15恰好位於容納腔12的邊緣。在其他實施例中，阻擋部15也可以在鋪設時直接覆蓋待開設容納腔12的位置，在開設容納腔12的過程中將阻擋部15部分貫穿，並保留未覆蓋容納腔12的位置。本申請對阻擋部15的設置方式不做限制，只要能夠設置於靠近容納腔12的位置，均在本申請的範圍內。

在本實施例中，步驟S2具體可以藉由雷射打孔或鑽頭打孔的方式開設容納腔12，本申請對此不做限制。容納腔12的尺寸略大於電容元件30的尺寸，從而防止在放置電容元件30時產生碰撞。

在本實施例中，步驟S4具體為在放置完電容元件30後，繼續鋪設第一導電層111，從而覆蓋容納腔12及電容元件30，實現對電容元件30的嵌入。

在本實施例中，步驟S5具體為使用雷射蝕刻，從而貫穿第一導電層111及多層絕緣層13、多層導電層11，直至雷射被阻擋部15阻擋。具體來說，在使用雷射蝕刻形成導通孔20的過程中，藉由設置雷射的能量，使得雷射會蝕刻導電層11及絕緣層13，但不會蝕刻電極31及阻擋部15，從而使雷射蝕刻到阻擋部15時，不會繼續向下蝕刻，從而實現對導通孔20深度的控制。在其他實施例中，也可以藉由其他方式開設導通孔20，如使用鑽頭開孔等，本申請對此不做限制。

在本實施例中，步驟S5中，在開設導通孔20時，對準電極31與腔體壁121的交界，使得導通孔20橫截面的幾何中心位於電極31與腔體壁121的交界上。具體來說，由於在放置電容元件30及開設導通孔20時，均會產生距離上的誤差，因此，為了防止開設導通孔20時蝕刻電介質部33，以及確保導通孔20使電極31的兩側均部分裸露，可以在開設導通孔20時對準電極31與腔體壁121之間的交界，從而最大程度的避免誤差。在其他實施例中，也可以根據電容元件30的尺寸及蝕刻時雷射光束的孔徑調整開設導通孔時對準的位置。舉例來說，當電極31的尺寸較小時，可以將開設導通孔20時對準的位置向遠離電容元件30的方向移動，從而保證開設導通孔20時不會破壞電介質部33。

在本實施例中，導通孔20由雷射蝕刻而成，因此在進行對準時，可以直接將雷射聚焦到電極31與腔體壁121的交界處，或者使雷射投射在主體基板10上的光斑的幾何中心對準電極31與腔體壁121的交界。在其他實施例中，導通孔20可以藉由鑽頭開設，因此在進行對準時，可以將鑽頭的頂端對準電極31與腔體壁121的交界。本申請對開設導通孔20時的對準方式不做限制，只要能夠使開設後導通孔20橫截面的幾何中心位於電極31與腔體壁121的交界上，均在本申請的範圍內。

在本實施例中，在步驟S5之後，還包括：在導通孔20中填充導電材料50，使得第一導電層111與電極31經由導電材料50電導通。具體來說，導電材料50可以藉由電鍍的方式鍍到導通孔20的孔壁上，以及電極31相對於導通孔20裸露的兩側。在其他實施例中，也可以藉由直接填充如銀膠等流體材料的方式使第一導電層111與電極31導通，本申請對導電材料50的具體材料及設置方式不做限制。

本申請實施例提供的電路板100及電路板100製造方法，藉由設置導通孔20的位置，使得電極31面對第一導電層111的一側以及面對腔體壁121的一側均部分裸露，有利於擴大電連接時的接觸面積，從而提高電容元件30封裝的穩定性。藉由設置阻擋部15，可以控制導通孔20的孔深，從而防止導通孔20貫穿主體基板10，或者防止導通孔20的孔徑擴大。藉由設置導通孔20的位置，還可以減小電容元件30的尺寸，消除由於精度問題造成的對電容元件尺寸的限制，有利於擴大電容元件30的選取範圍，降低生產成本。

本領域具有通常知識者應當認識到，以上的實施方式僅是用來說明本發明，而並非用作為對本發明的限定，只要在本發明的實質精神範圍之內，對以上實施例所作的適當改變和變化都落在本發明要求保護的範圍之內。