TW201536130A - 內建零件的配線基板及其製造方法 - Google Patents

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Daisuke Yamashita
Teruyuki Kobayashi
Takuya Torii
Masahiro Inoue
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Abstract

本發明提供一種內建零件的配線基板，其藉由防止芯基板與配線積層部之間的密接力的降低而有優異的可靠度。 內建零件的配線基板10係具備芯基板11、零件100、101、樹脂填充材93及配線積層部32。零件100、101係以將芯主面12與零件主面102朝同一側之狀態分別收容至複數個收容孔部90、91。樹脂填充材93係填充至收容孔部90、91的內壁面92與零件側面104之間的間隙。此外，芯基板11係具有位在相鄰收容孔部90、91間的橋部61及形成有背面側導體層81的外周部62。橋部61的厚度係比外周部62和背面側導體層81的合計厚度還小，橋部61的表面與配線積層部32之間的間隙係以樹脂填充材93的一部分填埋。

Description

內建零件的配線基板及其製造方法
本發明係有關於內部收容有電容器等零件的內建零件的配線基板及其製造方法。
近年來，作為電腦微處理器(processor)等使用的半導體積體電路元件(IC晶片；Integrated Circuit chip)日益高速化、高功能化，端子數跟著增加，使得端子間間距(pitch)有變窄的傾向。一般而言，在IC晶片的底面有許多端子密集地排列成陣列(array)狀，此種端子群係以覆晶(flip chip)的形態來與主機板(mother board)側的端子群連接。然而，因IC晶片側的端子群的端子間間距與主機板側的端子群的端子間間距有不小的差異，致難以直接將IC晶片連接於主機板上。因此，一般所採用的手法係製作出將IC晶片搭載至搭載IC晶片用配線基板上而成的封裝件(package)，再將該封裝件搭載至主機板上。此外，關於構成該種封裝件的搭載IC晶片用配線基板，為了謀求IC晶片的開關雜訊(switching noise)的降低和電源電壓的穩定化，有人提出了設置電容器的做法。就其一例而言，習知技術中有人提出了一種配線基板，係將電容器埋設在芯(core)基板內，並在芯基板的芯主 面及芯背面形成有積層層間絕緣層及導體層而成的增層(buildup layer)(參照例如下述之專利文獻1及2)。
此外，就上述的搭載IC晶片用配線基板而言，有人提出了一種配線基板，係在芯基板內埋設複數個電容器。以下，說明上述配線基板的一製造方法例。首先，準備樹脂材料製且具有複數個於芯主面201及芯背面202兩面開口的收容孔部203之芯基板204(參照第45圖)。另外，於大致整個芯主面201形成有主面側導體層205，於大致整個芯背面202形成有背面側導體層206。一併也準備具有電容器主面207及電容器背面208的電容器209(參照第45圖、第46圖)。接著，進行在芯背面202側黏貼黏著膠帶210的貼膠帶(taping)步驟，將收容孔部203的芯背面202側的開口預先予以密封(seal)。接著，進行將電容器209分別收容至複數個收容孔部203內的收容步驟，將各電容器209的電容器背面208黏貼至黏著膠帶210的黏著面而暫時予以固定(參照第45圖)。接著，進行將樹脂填充材21填充至收容孔部203的內壁面與電容器209的側面之間的間隙A1的填充步驟，然後令樹脂填充材211硬化收縮，藉此將電容器209固定住(參照第46圖)。接著，將黏著膠帶210剝離，然後對芯主面201側交替積層層間絕緣層及導體層而形成主面側增層，並且對芯背面202側交替積層層間絕緣層及導體層而形成背面側增層。如此一來，獲得所期望的配線基板。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本國特開2011-216740號公報(第1圖等)
專利文獻2：日本國特開2013-183029號公報(第1圖等)
然而，當埋設至芯基板204內的電容器209的個數變多，存在於相鄰收容孔部203間的芯基板204的橋(bridge)部212的寬度便會隨之縮小，導致於橋部212的芯背面202形成的背面側導體層206的寬度也縮小。如此一來，使背面側導體層206與黏著膠帶210之間的密接力降低，因此在將前述樹脂填充材211填充至間隙A1時，樹脂填充材211的一部分有可能會鑽入背面側導體層206與黏著膠帶210之間(參照第47圖的間隙A2)。此時，形成在橋部212的背面側導體層206會被樹脂填充材211所覆蓋，導致無法進行整個背面側導體層206表面的粗化。此外，在橋部212的芯背面202側會形成樹脂填充材211的凸起部分。如此一來，就算在芯背面202側形成了層間絕緣層，也無法讓層間絕緣層確實地密接於背面側導體層206的表面。因此，層間絕緣層與背面側導體層206的密接性出現問題，容易發生層間絕緣層的脫層(delamination)，因而有所製造的配線基板成為不良品、配線基板的可靠度降低之虞。
本發明乃係鑒於上述課題而研創，目的在於提供一種內建零件的配線基板及其製造方法，其藉由 防止芯基板與配線積層部之間的密接力的降低而有優異的可靠度。
作為用於解決上述課題的手段(手段1)，內建零件的配線基板係具備：芯基板，係具有芯主面及芯背面，並具有複數個於前述芯主面側及前述芯背面側兩面開口的收容孔部；複數個零件，係具有零件主面、零件背面及零件側面，且以將前述芯主面與前述零件主面朝同一側之狀態分別收容至複數個前述收容孔部；樹脂填充材，係填充至形成在前述芯基板的前述收容孔部的內壁面與前述零件側面之間的間隙；及配線積層部，係具有於前述芯背面上及前述零件背面上積層有層間絕緣層及導體層之構造；前述內建零件的配線基板的特徵為前述芯基板係具有橋部及外周部，該橋部係位在相鄰前述收容孔部間，該外周部係於前述芯背面有包圍複數個前述收容孔部及前述橋部的背面側導體層形成；前述橋部的厚度比前述外周部和前述背面側導體層的合計厚度還小，前述橋部的表面與前述配線積層部之間的間隙係以前述樹脂填充材的一部分填埋。
當在芯基板的整個芯背面形成有背面側導體層時，於使用樹脂填充材來固定零件時，樹脂填充材會鑽入形成在橋部的背面側導體層與配線積層部之間，而有配線積層部與背面側導體層間的密接性發生問題之虞。有鑒於此，在上述手段1的內建零件的配線基板中，係以包圍橋部的方式形成背面側導體層，於橋部並未 形成背面側導體層。在這樣的構造下，橋部的表面與配線積層部之間的間隙以樹脂填充材的一部分填埋，故上述的鑽入不易發生。因此，使芯基板與配線積層部確實密接，故能夠獲得可靠度優異的內建零件的配線基板。
此外，作為用於解決上述課題的其他手段(手段2)，內建零件的配線基板係具備：芯基板，係具有芯主面及芯背面，並具有複數個於前述芯主面側及前述芯背面側兩面開口的收容孔部；複數個零件，係具有零件主面、零件背面及零件側面，且以將前述芯主面與前述零件主面朝同一側之狀態分別收容至複數個前述收容孔部；樹脂填充材，係填充至形成在前述芯基板的前述收容孔部的內壁面與前述零件側面之間的間隙；及配線積層部，係具有於前述芯背面上及前述零件背面上積層有層間絕緣層及導體層之構造；前述內建零件的配線基板的特徵為前述芯基板係具有橋部及外周部，該橋部係位在相鄰前述收容孔部間，該外周部係於前述芯背面有包圍複數個前述收容孔部及前述橋部的背面側導體層形成；在前述橋部的前述芯背面，形成有獨立於前述背面側導體層且凸出至與背面側導體層的表面相同高度的島狀層；前述背面側導體層與前述島狀層之間的間隙係以前述樹脂填充材的一部分填埋。
當在芯基板的整個芯背面形成有背面側導體層時，於使用樹脂填充材來固定零件時，樹脂填充材會鑽入形成在橋部的背面側導體層與配線積層部之間，而有配線積層部與背面側導體層間的密接性發生問題 之虞。有鑒於此，在上述手段2的內建零件的配線基板中，係以包圍橋部的方式形成背面側導體層，並且在橋部形成有獨立於背面側導體層且凸出至與背面側導體層的表面相同高度的島狀層。在這樣的構造下，填充至收容孔部的內壁面與零件的零件側面之間的間隙的樹脂填充材的一部分會流入(退入)背面側導體層與島狀層之間的間隙，故上述的鑽入不易發生。因此，使芯基板與配線積層部確實密接，故能夠獲得可靠度優異的內建零件的配線基板。
此外，在上述手段1、2的內建零件的配線基板中，因防止了上述樹脂填充材的鑽入，故在橋部的芯背面側便不易形成樹脂填充材的突起部分。因此，能夠使與芯背面相接的配線積層部的表面變得平坦，從而使配線積層部的尺寸精度提升。此外，在上述手段1、2的內建零件的配線基板中，係在芯基板形成複數個收容孔部，一個收容孔部收容一個零件，故不用將各個收容孔部的開口面積擴大。因此，既增加零件的搭載數目，又能夠確保芯基板的強度。若是要在一個收容孔部收容複數個零件，收容孔部的開口面積便要變大，導致芯基板強度降低。
構成上述內建零件的配線基板的芯基板係形成為具有芯主面及位於該芯主面相反側的芯背面之板狀，且具有複數個用於收容零件的收容孔部。形成芯基板的材料並無特別限定，但較佳為以高分子材料為主體來形成芯基板。就用於芯基板的高分子材料的具體例 而言，例如有環氧(epoxy)樹脂、聚醯亞胺(polyimide)樹脂、雙馬來醯亞胺-三嗪(bismaleimide triazine)樹脂、聚苯醚(polyphenylene ether)樹脂等。此外亦可使用上述樹脂與玻璃纖維(玻璃織布、玻璃不織布)、聚醯胺(polyamide)纖維等有機纖維的複合材料。
此外，芯基板係具有位在相鄰收容孔部間的橋部及於芯背面有包圍複數個收容孔部及橋部的背面側導體層形成的外周部。另外，背面側導體層係能夠由具有導電性的金屬材料等來形成。就構成背面側導體層的金屬材料而言，例如可舉出銅、銀、鐵、鈷、鎳等，其中尤以由導電性高且價格低廉的銅來形成為佳。此外，背面側導體層係以藉由電鍍形成為佳。若採用上述方式，便能夠簡單且低成本地形成背面側導體層。但背面側導體層係亦可藉由印刷金屬膏(paste)來形成。另外，在上述手段1中，亦可為，背面側導體層係具有一個令複數個收容孔部的芯背面側開口露出並且令橋部的芯背面露出的貫通孔；且具備從貫通孔的開口端朝橋部伸出形成的伸出部；伸出部的前端部係具有俯視曲面形狀。若構成如上，則即使樹脂填充材受到熱應力，應力集中至伸出部(背面側導體層)的前端部的情形會因曲面狀的外表面而得以趨緩。因此，能夠確實防止樹脂填充材發生破裂(crack)。
複數個零件係具有零件主面、零件背面及零件側面，且以將芯主面與零件主面朝同一側之狀態分別收容至複數個收容孔部。零件的俯視形狀係能夠設定 為任意形狀，其中尤以具有複數個邊的俯視多角形狀為佳。就俯視多角形狀而言，例如能舉出俯視大致矩形狀、俯視大致三角形狀、俯視大致六角形狀等，其中尤以屬於一般形狀的俯視大致矩形的形狀為佳。此處，所謂的「俯視大致矩形狀」，並非僅指俯視呈完美的矩形狀，亦包括角部有倒角的形狀和邊的一部分形成為曲線的形狀。
另外，就較佳的零件而言，能舉出電容器、半導體積體電路元件(IC晶片)、以半導體製程(process)製造的MEMS(Micro Electro Mechanical Systems；微機電系統)元件等。
此外，就較佳的電容器的例子而言，能舉出具有隔著介電體層積層配置有複數個內部電極層之構造的晶片電容器、具有隔著介電體層積層配置有複數個內部電極層之構造且具備與複數個內部電極層連接的複數個通路(via)導體且複數個通路導體整體配置成陣列狀的通路陣列型(via array type)的電容器等。
就構成電容器的介電體層而言，可舉出陶瓷(ceramic)介電體層、樹脂介電體層、由陶瓷-樹脂複合材料構成的介電體層等。就內部電極層及通路導體而言，並未特別限定，但例如當介電體層為陶瓷介電體層時，內部電極層及通路導體可為金屬化(metallized)導體。另外，金屬化導體係藉由將含有金屬粉末的導體膏以習知的公知手法，例如以金屬化印刷法塗布後進行燒成來形成。
另外，在收容孔部的內壁面與零件側面之間隙係填充樹脂填充材。另外，樹脂填充材係能夠考慮絕緣性、耐熱性、耐溼性等後適當選擇。就形成樹脂填充材的高分子材料的較佳例而言，可舉出環氧樹脂、酚(phenol)樹脂、胺酯(urethane)樹脂、矽氧(silicone)樹脂、聚醯亞胺樹脂等。
構成上述內建零件的配線基板的配線積層部係具有在芯背面上及零件背面上積層有以高分子材料為主體的層間絕緣層及導體層之構造。雖然配線積層部(背面側配線積層部)係僅在芯背面上及零件背面上形成，但亦可進一步形成具有在芯主面上及零件主面上積層有層間絕緣層及導體層之構造的配線積層部(主面側配線積層部)。若構成如上，則不僅在背面側配線積層部能夠形成電路，在主面側配線積層部亦能夠形成電路，故能夠謀求內建零件的配線基板更進一步的高功能化。
層間絕緣層係能夠考慮絕緣性、耐熱性、耐溼性等後適當選擇。就用於形成層間絕緣層的高分子材料的較佳例而言，可舉出環氧樹脂、酚樹脂、胺酯樹脂、矽氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、雙馬來醯亞胺-三嗪樹脂、二甲苯(xylene)樹脂、聚酯(polyester)樹脂等熱硬化性樹脂、聚碳酸酯(polycarbonate)樹脂、丙烯酸(acrylic)樹脂、聚縮醛(polyacetal)樹脂、聚丙烯(polypropylene)樹脂等熱可塑性樹脂等。
另外，導體層係能夠由具有導電性的金屬材料等來形成。就構成導體層的金屬材料而言，例如可 舉出銅、銀、鐵、鈷、鎳等。其中尤以由導電性高且價格低廉的銅來形成導體層為佳。此外，導體層係以藉由電鍍形成為佳。若採用上述作法，便能夠簡單且低成本地形成導體層。但導體層係亦可藉由印刷金屬膏來形成。
此外，在上述手段2的內建零件的配線基板中，係在橋部的芯背面形成獨立於背面側導體層且凸出至與背面側導體層的表面相同高度的島狀層。此處，島狀層的俯視形狀係能夠設定為任意形狀，例如能舉出俯視矩形狀、俯視三角形狀、俯視圓形狀、俯視橢圓形狀、俯視十字狀等。此外，島狀層係能夠由樹脂材料、陶瓷材料及金屬材料等來形成，其中尤以金屬材料為佳。當使用金屬材料時，係能夠使用與構成背面側導體層的材料相同的材料(具有導電性的材料)，故能夠抑制內建零件的配線基板的製造成本。就該金屬材料的較佳例而言，例如可舉出銅、銀、鐵、鈷、鎳等，其中尤以由導電性高且價格低廉的銅來形成為佳。此外，就樹脂材料的較佳例而言，例如能舉出環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、雙馬來醯亞胺-三嗪樹脂、聚苯醚樹脂、酚樹脂等。此外亦可使用上述樹脂與玻璃纖維(玻璃織布、玻璃不織布)、聚醯胺纖維等有機纖維的複合材料。就陶瓷材料的較佳例而言，可舉出氧化鋁(alumina)、氮化鋁、氮化矽、氮化硼、氧化鈹(beryllia)、富鋁紅柱石(mullite)、玻璃陶瓷等。
另外，亦可為，在橋部的芯背面形成複數 個島狀層，相鄰島狀層間的區域係形成狹縫(slit)狀。若構成如上，便能夠使與各島狀層的前端面相接的配線積層部的表面及與背面側導體層的表面相接的配線積層部表面變得平坦，故而使配線積層部的尺寸精度更進一步提升。
此外，複數個島狀層係可沿與將收容孔部中心彼此連結的虛擬線正交之方向配置，亦可形成沿虛擬線平行延伸的細長形狀。此外，島狀層係可形成俯視曲線狀。若構成如上，則樹脂填充材的一部分係順暢地流入背面側導體層與島狀層之間隙，故上述的鑽入更加不易發生。此外，即使樹脂填充材受到熱應力，應力集中至島狀層的外周部的情形會因曲面狀的外表面而得以趨緩。因此，能夠確實防止樹脂填充材發生破裂。
另外，亦可為，在橋部形成有貫通芯主面及芯背面的通孔(through hole)導體；島狀層乃係與通孔導體的芯背面側端部電性連接之接墊。若構成如上，則能夠在橋部形成電路，故能夠謀求內建零件的配線基板的高功能化。此外，亦可為，在橋部的芯背面中不存在島狀層的非形成區域，設置有在芯背面中開口並且將相鄰收容孔部間連通的凹部。若構成如上，樹脂填充材除了流入背面側導體層與島狀層之間的間隙，亦流入(退入)凹部內，故上述的鑽入更加不易發生。
此外，作為用於解決上述課題的其他手段(手段3)，係上述手段1之內建零件的配線基板的製造方法，前述內建零件的配線基板的製造方法的特徵為含有 以下步驟：芯基板準備步驟，係準備前述芯基板；收容孔部形成步驟，係在前述芯基板準備步驟後，藉由形成複數個前述收容孔部而獲得具有前述外周部與前述橋部的前述芯基板；導體層形成步驟，係在前述收容孔部形成步驟後，藉由在前述外周部的前述芯背面形成前述背面側導體層而使前述橋部的厚度比前述外周部和前述背面側導體層的合計厚度還小；零件準備步驟，係準備前述複數個零件；收容步驟，係在前述導體層形成步驟及前述零件準備步驟後，將前述零件分別收容至複數個前述收容孔部內；填充步驟，係在前述收容步驟後，將樹脂填充材填充至前述收容孔部的內壁面與前述零件側面之間的間隙，並且以前述樹脂填充材的一部分覆蓋前述橋部的前述芯背面；及配線積層部形成步驟，係在前述填充步驟後，在覆蓋前述橋部的前述芯背面的前述樹脂填充材的表面上及前述零件背面上形成前述配線積層部。
當在芯基板的整個芯背面形成有背面側導體層時，於使用樹脂填充材來固定零件時，樹脂填充材會鑽入形成在橋部的背面側導體層與配線積層部之間，而有配線積層部與背面側導體層間的密接性發生問題之虞。有鑒於此，在上述手段3的內建零件的配線基板的製造方法中，導體層形成步驟中係以包圍橋部的方式形成背面側導體層，而使橋部的厚度比外周部和背面側導體層的合計厚度還小。在這樣的方式下，進行填充步驟，橋部的表面與配線積層部之間的間隙係以樹脂填充材 的一部分填埋，故上述的鑽入不易發生。因此，在進行配線積層部形成步驟時，芯基板與配線積層部確實密接，故能夠獲得可靠度優異的內建零件的配線基板。
此外，作為用於解決上述課題的其他手段(手段4)，係上述手段2之內建零件的配線基板的製造方法，前述內建零件的配線基板的製造方法的特徵為含有以下步驟：芯基板準備步驟，係準備前述芯基板；收容孔部形成步驟，係在前述芯基板準備步驟後，藉由形成複數個前述收容孔部而獲得具有前述外周部與前述橋部的前述芯基板；導體層形成步驟，係在前述收容孔部形成步驟後，在前述外周部的前述芯背面形成前述背面側導體層；島狀層形成步驟，係在前述收容孔部形成步驟後，在前述橋部的前述芯背面形成前述島狀層；零件準備步驟，係準備前述複數個零件；收容步驟，係在前述導體層形成步驟、前述島狀層形成步驟及前述零件準備步驟結束後，將前述零件分別收容至複數個前述收容孔部內；填充步驟，係在前述收容步驟後，將前述樹脂填充材填充至前述收容孔部的內壁面與前述零件側面之間的間隙，並且將前述樹脂填充材的一部分填充至前述背面側導體層與前述島狀層之間的間隙；及配線積層部形成步驟，係在前述填充步驟後，在填充至前述背面側導體層與前述島狀層之間的間隙的前述樹脂填充材的表面上及前述零件背面上，形成前述配線積層部。
當在芯基板的整個芯背面形成有背面側導體層時，於使用樹脂填充材來固定零件時，樹脂填充 材會鑽入形成在橋部的背面側導體層與配線積層部之間，而有配線積層部與背面側導體層間的密接性發生問題之虞。有鑒於此，在上述手段4的內建零件的配線基板的製造方法中，係進行以包圍橋部的方式形成背面側導體層的導體層形成步驟，並且進行在橋部形成獨立於背面側導體層且凸出至與背面側導體層的表面相同高度的島狀層的島狀層形成步驟。在這樣的方式下，於進行填充步驟時，填充至收容孔部的內壁面與零件側面之間隙的樹脂填充材的一部分會流入(退入)背面側導體層與島狀層之間的間隙，故上述的鑽入不易發生。因此，在進行配線積層部形成步驟時，芯基板與配線積層部確實密接，故能夠獲得可靠度優異的內建零件的配線基板。
此外，在上述手段3、4的內建零件的配線基板的製造方法中，於進行填充步驟時，因防止了上述樹脂填充材的鑽入，在橋部的芯背面側便不易形成樹脂填充材的突起部分。因此，能夠使形成在芯背面側的配線積層部的表面變得平坦，從而使配線積層部的尺寸精度提升。此外，在上述手段3、4的內建零件的配線基板的製造方法中，在收容孔部形成步驟中於芯基板形成複數個收容孔部，在收容步驟中一個收容孔部收容一個零件，故不用將各個收容孔部的開口面積擴大。因此，既增加零件的搭載數目，又能夠確保芯基板的強度。若是要在一個收容孔部收容複數個零件，收容孔部的開口面積便要變大，導致芯基板的強度降低。
以下，針對內建零件的配線基板的製造方 法進行說明。
在芯基板準備步驟中，係以習知的公知手法事先製備構成前述內建零件的配線基板的芯基板。另外，亦可為，在上述手段4的芯基板準備步驟中，係準備在芯背面黏貼有作為背面側導體層及島狀層的金屬箔之積層板；在導體層形成步驟及島狀層形成步驟中，係進行以下步驟：阻劑(resist)形成步驟，係在金屬箔的表面上形成電鍍阻劑，其中該電鍍阻劑係具有令複數個收容孔部及橋部露出之開口部、及被覆在橋部的芯背面上的作為島狀層的部位之被覆部；金屬箔去除步驟，係對金屬箔中從開口部露出的部分、即成為被覆部的外周側之部分進行蝕刻，藉此將金屬箔予以部分去除；及阻劑去除步驟，係在金屬箔去除步驟後，將電鍍阻劑去除。若採用如上方式，則在形成背面側導體層及島狀層時，不用重新準備用以形成背面側導體層及島狀層的材料，故能夠容易地形成背面側導體層及島狀層。
在接著的收容孔部形成步驟中，係形成複數個收容孔部，藉此獲得具有外周部與橋部的芯基板。在接著的導體層形成步驟中，係在外周部的芯背面形成背面側導體層。此處，在上述手段3中，係藉由在導體層形成步驟中在外周部的芯背面形成背面側導體層，而使橋部的厚度比外周部和背面側導體層的合計厚度還小。此外，在上述手段4中，係在收容孔部形成步驟後進行島狀層形成步驟，在橋部的芯背面形成島狀層。另外，亦可為，在島狀層形成步驟中係在橋部的芯背面形成複數 個島狀層；複數個島狀層係沿填充步驟中樹脂填充材流入背面側導體層與島狀層之間的間隙的方向延伸。若構成如上，樹脂填充材的一部分便會順暢地流入背面側導體層與島狀層之間隙，故上述的鑽入更加不易發生。
另外，亦可為，在上述手段3的芯基板準備步驟中，係準備在芯背面黏貼有作為背面側導體層的金屬箔之積層板；在上述手段3的導體層形成步驟中，係進行以下步驟：阻劑形成步驟，係在金屬箔的表面上形成電鍍阻劑，其中該電鍍阻劑係具有一個令複數個收容孔部與橋部的芯背面上的部位露出之開口部；金屬箔去除步驟，係對金屬箔中從開口部露出的部分進行蝕刻，藉此將金屬箔予以部分去除；阻劑去除步驟，係在金屬箔去除步驟後，將電鍍阻劑去除。若採用如上方式，則在形成背面側導體層時，不用重新準備用以形成背面側導體層的材料，故能夠輕易地形成背面側導體層。
此外，在零件準備步驟中，係以習知的公知手法事先製備構成前述內建零件的配線基板的複數個零件。接著，在收容步驟中，係將各零件收容至複數個收容孔部內。接著，在上述手段3的填充步驟中，係將樹脂填充材填充至收容孔部的內壁面與零件側面之間的間隙，並且以樹脂填充材的一部分覆蓋橋部的芯背面。此外，在上述手段4的填充步驟中，係將樹脂填充材填充至收容孔部的內壁面與零件側面之間的間隙，並且將樹脂填充材的一部分填充至背面側導體層與島狀層之間隙。
另外，在填充步驟結束的時點，若零件的 零件背面並未與覆蓋橋部的芯背面的樹脂填充材(尤其是手段4中填充至背面側導體層與島狀層之間隙的樹脂填充材)的表面齊平，則當在配線積層部形成步驟中形成配線積層部時，便無法使與零件背面和覆蓋芯背面的樹脂填充材的表面相接的配線積層部的表面平坦，導致內建零件的配線基板的尺寸精度降低。有鑒於此，上述手段3的收容步驟及填充步驟係亦可為將複數個收容孔部的芯背面側開口以具有黏著面的黏著膠帶封住，而以使黏著面係密接於在外周部的芯背面形成的背面側導體層但與橋部的芯背面分開之狀態進行；在填充步驟後將黏著膠帶去除。此外，上述手段4的收容步驟及填充步驟係亦可為將複數個收容孔部的芯背面側開口以具有黏著面的黏著膠帶封住，而以使黏著面密接於在外周部的芯背面形成的背面側導體層與在橋部的芯背面形成的島狀層之狀態進行；在填充步驟後將黏著膠帶去除。若採用如上方式，則在收容步驟中，零件的零件背面側係黏貼於黏著膠帶的黏著面而暫時固定，各零件的零件背面係與形成在芯背面的背面側導體層的表面齊平。尤其在上述的手段4中，因形成黏著膠帶由島狀層支撐的狀態，防止黏著膠帶的撓曲，故防止黏貼於黏著膠帶的黏著面的零件的位置精度降低。因此，能夠使與零件背面及背面側導體層的表面相接的配線積層部的表面變得平坦，從而使內建零件的配線基板的尺寸精度提升。
然後，在上述手段3的配線積層部形成步驟中，係在覆蓋橋部的芯背面的樹脂填充材的表面上及 零件背面上形成配線積層部。此外，在上述手段4的配線積層部形成步驟中，係在填充至背面側導體層與島狀層之間的間隙的樹脂填充材的表面上及零件背面上形成配線積層部。經由上述製程而製得內建零件的配線基板。
10、320、330、400‧‧‧內建零件的配線基板(配線基板)
11、221、251、252、261、271、281、291、331‧‧‧芯基板
12、273、332‧‧‧芯主面
13、224、263、274、283、333‧‧‧芯背面
32、362‧‧‧作為配線積層部的背面側增層
34、36、364、366‧‧‧層間絕緣層
42‧‧‧導體層
61、227、262、272、282、336‧‧‧橋部
62、337‧‧‧外周部
81、225、351‧‧‧背面側導體層
82、226‧‧‧貫通孔
83、228‧‧‧伸出部
90、91、222、223、292、293、321、322、334、335、401、402‧‧‧收容孔部
92、323、338、403‧‧‧收容孔部的內壁面
93、286、367‧‧‧樹脂填充材
95、369‧‧‧樹脂填充材的表面
100、101、324、325、370、371、404、405‧‧‧作為零件的晶片電容器
102、305、373‧‧‧作為零件主面的電容器主面
103、306、374‧‧‧作為零件背面的電容器背面
104、326、372、406‧‧‧作為零件側面的電容器側面
150、390‧‧‧作為積層板的覆銅積層板
152、392‧‧‧作為金屬箔的銅箔
170、386‧‧‧電鍍阻劑
171、384‧‧‧開口部
181、388‧‧‧黏著膠帶
241、253、254、264、265、277、284‧‧‧作為島狀層的背面側島狀層
275、387‧‧‧通孔導體
285‧‧‧凹部
301‧‧‧作為零件的陶瓷電容器
328、408‧‧‧作為樹脂填充材的層間絕緣層
385‧‧‧被覆部
C1、C2‧‧‧收容孔部的中心
L1‧‧‧虛擬線
S2‧‧‧背面側導體層與島狀層之間的間隙
T1‧‧‧橋部的厚度
T3‧‧‧外周部和背面側導體層的合計厚度
第1圖係顯示使本發明具體化的第1實施形態的配線基板之剖視概略圖。
第2圖係顯示芯基板及晶片電容器的底視概略圖。
第3圖係第2圖的A-A線剖視圖。
第4圖係第2圖的B-B線剖視圖。
第5圖係顯示晶片電容器的俯視概略圖。
第6圖係第5圖的C-C線剖視圖。
第7圖係第5圖的D-D線剖視圖。
第8圖係顯示芯基板準備步驟之剖視概略圖。
第9圖係顯示形成通孔導體及填充樹脂的步驟與收容孔部形成步驟之說明圖。
第10圖係顯示收容孔部形成步驟的芯基板之底視概略圖。
第11圖係顯示阻劑形成步驟(導體層形成步驟)之說明圖。
第12圖係顯示阻劑形成步驟(導體層形成步驟)的芯基板及電鍍阻劑之底視概略圖。
第13圖係顯示金屬箔去除步驟及阻劑去除步驟之說明圖。
第14圖係顯示金屬箔去除步驟及阻劑去除步驟的芯基板之底視概略圖。
第15圖係顯示黏貼黏著膠帶的步驟之說明圖。
第16圖係顯示收容步驟之說明圖。
第17圖係顯示收容步驟的芯基板及晶片電容器之俯視概略圖。
第18圖係顯示填充步驟之說明圖。
第19圖係顯示形成層間絕緣層及通路的步驟之說明圖。
第20圖係顯示形成導體層及通路導體的步驟之說明圖。
第21圖係顯示另一實施形態的芯基板及晶片電容器之底視概略圖。
第22圖係顯示另一實施形態的陶瓷電容器之剖視概略圖。
第23圖係顯示另一實施形態的配線基板之剖視概略圖。
第24圖係顯示使本發明具體化的第2實施形態的配線基板之剖視概略圖。
第25圖係顯示芯基板及晶片電容器之底視概略圖。
第26圖係第25圖的E-E線剖視圖。
第27圖係第25圖的F-F線剖視圖。
第28圖係顯示芯基板準備步驟之說明圖。
第29圖係顯示阻劑形成步驟(導體層形成步驟、島狀層形成步驟)之說明圖。
第30圖係顯示阻劑形成步驟(導體層形成步驟、島狀層形成步驟)的芯基板及電鍍阻劑之底視概略圖。
第31圖係顯示金屬箔去除步驟及阻劑去除步驟之說明圖。
第32圖係顯示金屬箔去除步驟及阻劑去除步驟的芯基板之底視概略圖。
第33圖係顯示黏貼黏著膠帶的步驟之說明圖。
第34圖係顯示收容步驟之說明圖。
第35圖係顯示收容步驟的芯基板及晶片電容器之俯視概略圖。
第36圖係顯示填充步驟之說明圖。
第37圖係顯示形成層間絕緣層及通路的步驟之說明圖。
第38圖係顯示另一實施形態的芯基板及晶片電容器之底視概略圖。
第39圖係顯示另一實施形態的芯基板之底視概略圖。
第40圖係顯示另一實施形態的芯基板之底視概略圖。
第41圖係顯示另一實施形態的芯基板之底視概略圖。
第42圖係顯示另一實施形態的芯基板之主要部分剖視圖。
第43圖係顯示另一實施形態的芯基板之主要部分剖視圖。
第44圖係顯示另一實施形態的配線基板之剖視概略圖。
第45圖係顯示習知技術的配線基板製造方法之說明圖。
第46圖係同一配線基板製造方法之說明圖。
第47圖係顯示習知技術的問題點之說明圖。
〔第1實施形態〕
以下，根據圖式詳細說明使本發明的內建零件的配線基板具體化的第1實施形態。
如第1圖所示，本實施形態的內建零件的配線基板10(以下，稱為「配線基板10」)乃係搭載IC晶片用的配線基板。配線基板10係由大致矩形板狀的芯基板11、於芯基板11的芯主面12(在第1圖中為上面)上形成的主面側增層31、及於芯基板11的芯背面13(在第1圖中為下面)上形成的背面側增層32(配線積層部)所組成。
主面側增層31係具有由熱硬化性樹脂(環氧樹脂)構成的兩層層間絕緣層33、35與由銅構成的導體層41交替積層而成之構造。在本實施形態中，主面側增層31的熱膨脹係數為10ppm/℃至60ppm/℃左右(具體而言為20ppm/℃左右)。另外，主面側增層31的熱膨脹係數係指30℃至玻璃轉化溫度(Tg)間的量測值的平均值。此外，在層間絕緣層33、35內係存在複數個分別藉由鍍銅而形成的主面側通路導體43。
如第1圖所示，在第2層的層間絕緣層35的 表面上，係有隔介主面側通路導體43而與導體層41電性連接的端子接墊(pad)44形成為陣列狀。本實施形態的端子接墊44乃係所謂的C4接墊(Controlled Collapsed Chip Connection Pad)。此外，層間絕緣層35係大致整個表面都由阻焊劑層50所覆蓋。在阻焊劑層50的預定處係形成有讓端子接墊44露出的開口部46。在端子接墊44的表面上係配設有複數個焊料凸塊(solder bump)45。
此外，各焊料凸塊45係與IC晶片21(半導體積體電路元件)的面連接端子22電性連接。本實施形態的IC晶片21乃係形成縱12.0mm×橫12.0mm×厚度0.9mm的俯視矩形狀之板狀物，由熱膨脹係數為3ppm/℃至4ppm/℃左右(具體而言為3.5ppm/℃左右)的矽所構成。另外，各端子接墊44及各焊料凸塊45係位在主面側增層31中的晶片電容器100、101上方之區域，該區域係作為IC晶片搭載區域23。IC晶片搭載區域23係設定在阻焊劑層50的表面38。
如第1圖所示，背面側增層32係具有與前述主面側增層31大致相同的構造。亦即，背面側增層32的熱膨脹係數為10ppm/℃至60ppm/℃左右(具體而言為20ppm/℃左右)，具有由熱硬化性樹脂(環氧樹脂)構成的兩層層間絕緣層34、36與由銅構成的導體層42交替積層而成之構造。另外，背面側增層32的熱膨脹係數係指30℃至玻璃轉化溫度(Tg)間的量測值的平均值。此外，在層間絕緣層34、36內係存在複數個分別藉由鍍銅而形成的背面側通路導體47。
此外，在第2層的層間絕緣層36的下表面上的複數處，係有隔介背面側通路導體47而與導體層42電性連接的接墊48形成為格子狀。此外，層間絕緣層36係大致整個下表面都由阻焊劑層51所覆蓋。在阻焊劑層51的預定處係形成有讓接墊48露出的開口部40。在接墊48的表面上係配設有用以達成與未圖示的主機板進行電性連接的複數個焊料凸塊49。藉由各焊料凸塊49來將第1圖所示的配線基板10安裝至未圖示的主機板上。
如第1圖至第4圖所示，本實施形態的芯基板11乃係縱25mm×橫25mm×厚度0.8mm的俯視大致矩形狀。芯基板11係由熱硬化性樹脂(環氧樹脂)構成，平面方向(XY方向)的熱膨脹係數為10ppm/℃至30ppm/℃左右(具體而言為18ppm/℃)。另外，芯基板11的熱膨脹係數係指0℃至玻璃轉化溫度(Tg)間的量測值的平均值。
此外，在芯基板11係有複數個通孔導體16以貫通芯主面12及芯背面13之方式形成。該通孔導體16係將芯基板11的芯主面12側與芯背面13側連接導通。另外，通孔導體16的內部係以例如環氧樹脂等填充樹脂17填埋。
如第1圖至第3圖所示，芯基板11係具有兩個於芯主面12側及芯背面13側兩面開口的收容孔部90、91。亦即，各收容孔部90、91乃係貫通孔。此外，各收容孔部90、91係形成長邊10mm×短邊8mm的俯視大致橢圓形狀。另外，芯基板11係具有位在相鄰收容孔部90、91間的橋部61及包圍各收容孔部90、91與橋部61的外周 部62。
此外，在外周部62的芯主面12係形成有由銅構成的主面側導體層71，在外周部62的芯背面13係形成有由銅構成的背面側導體層81。另外，主面側導體層71係與通孔導體16的上端電性連接，背面側導體層81係與通孔導體16的下端電性連接。亦即，通孔導體16係具有使主面側增層31與背面側增層32導通的功能。
如第1圖至第4圖所示，背面側導體層81係具有一個令各收容孔部90、91的芯背面13側開口露出並且令橋部61的芯背面13露出的貫通孔82。亦即，背面側導體層81乃係僅在外周部62的芯背面13形成的平坦(plain)狀導體，在橋部61的芯背面13則沒有形成。此外，貫通孔82的開口端係位在比收容孔部90、91的開口端更外周側。此外，背面側導體層81係具備一對從貫通孔82的開口端朝橋部61伸出形成的伸出部83。兩伸出部83係位在貫通孔82的開口端中的彼此相對側，朝接近彼此的方向伸出。此外，兩伸出部83的前端部係具有俯視曲面形狀。
另一方面，主面側導體層71係具有與前述背面側導體層81大致相同的構造。亦即，如第1圖、第3圖、第4圖、第17圖所示，主面側導體層71係具有一個令各收容孔部90、91的芯主面12側開口露出並且令橋部61的芯主面12露出的貫通孔72。亦即，主面側導體層71乃係僅在外周部62的芯主面12形成的平坦狀導體，在橋部61的芯主面12則沒有形成。此外，貫通孔72的開口端係 位在比收容孔部90、91的開口端更外周側。此外，主面側導體層71係具備一對從貫通孔72的開口端朝橋部61伸出形成的伸出部73。兩伸出部73係位在貫通孔72的開口端中的彼此相對側，朝接近彼此的方向伸出。此外，兩伸出部73的前端部係具有俯視曲面形狀。
另外，如第3圖所示，橋部61的厚度T1係相等於外周部62的厚度T2(具體而言為0.8mm)，因此橋部61的厚度T1係比外周部62和主面側導體層71和背面側導體層81的合計厚度還小。此外，橋部61的厚度T1係比外周部62和主面側導體層71的合計厚度還小，也比外周部62和背面側導體層81的合計厚度T3還小。
如第1圖至第4圖所示，在收容孔部90內係有晶片電容器100(零件)以埋設的狀態收容，在收容孔部91內係同樣有晶片電容器101(零件)以埋設的狀態收容。另外，關於各晶片電容器100、101，係以將芯基板11的芯主面12與電容器主面102朝同一側且將芯基板11的芯背面13與電容器背面103朝同一側之狀態收容。此外，晶片電容器100、101係配置在芯基板11中的IC晶片搭載區域23正下方之區域。
如第1圖、第2圖、第5圖至第7圖所示，晶片電容器100、101係具有一個屬於零件主面的電容器主面102(在第1圖中為上面)、一個屬於零件背面的電容器背面103(在第1圖中為下面)及四個屬於零件側面的電容器側面104。另外，在電容器主面102之上係形成有構成主面側增層31的層間絕緣層33，在電容器背面103之上係 形成有構成背面側增層32的層間絕緣層34。此外，晶片電容器100、101係具備隔著陶瓷介電體層105(介電體層)交替積層配置電源用內部電極層141(內部電極層)與接地(ground)用內部電極層142(內部電極層)而成的陶瓷燒結體106。本實施形態的陶瓷燒結體106乃係形成縱6.0mm×橫4.0mm×厚度0.8mm的俯視大致矩形狀之板狀物。亦即，陶瓷燒結體106的厚度係相等於芯基板11的厚度(0.8mm)。此外，陶瓷燒結體106的熱膨脹係數為8ppm/℃至12ppm/℃左右，具體而言為9.5ppm/℃左右。另外，陶瓷燒結體106的熱膨脹係數係指30℃至250℃間的量測值的平均值。此外，陶瓷介電體層105係由屬於高介電值陶瓷之一的鈦酸鋇的燒結體所構成，作為電源用內部電極層141及接地用內部電極層142間的介電體(絕緣體)發揮功能。電源用內部電極層141及接地用內部電極層142皆係以鎳為主成分形成的層，在陶瓷燒結體106的內部每間隔一層配置。
如第1圖、第2圖、第5圖至第7圖所示，於陶瓷燒結體106中的相對向的一對電容器側面104，係分別設有電源用電極111及接地用電極121。電源用電極111的電容器主面側端部112及電容器背面側端部113係分別位在電容器主面102上及電容器背面103上。同樣地，接地用電極121的電容器主面側端部122及電容器背面側端部123亦分別位在電容器主面102上及電容器背面103上。此外，電源用電極111係與複數個電源用內部電極層141連接，接地用電極121係與複數個接地用內部電極層142 連接。此外，電極111、121係以鎳為主材料形成，表面由未圖示的鍍銅層被覆。
例如，當自電極111、121側通電而施加電壓於電源用內部電極層141-接地用內部電極層142間時，例如正電荷便蓄積在電源用內部電極層141，例如負電荷便蓄積在接地用內部電極層142。如此一來，晶片電容器100、101便作為電容器發揮功能。
此外，晶片電容器100、101的電源用電極111係經介由主面側通路導體43、導體層41、端子接墊44及焊料凸塊45構成的電源導通路徑而與IC晶片21的面連接端子22電性連接。又，晶片電容器100、101的接地用電極121係經介由主面側通路導體43、導體層41、端子接墊44及焊料凸塊45構成的接地導通路徑而與IC晶片21的面連接端子22電性連接。如此一來，便能夠自晶片電容器100、101供給電源至IC晶片21。
如第1圖、第2圖所示，在收容孔部90的內壁面92與晶片電容器100的電容器側面104之間的間隙、收容孔部91的內壁面92與晶片電容器101的電容器側面104之間的間隙，係填充有由高分子材料(在本實施形態中為屬於熱硬化性樹脂的環氧樹脂)構成的樹脂填充材93。該樹脂填充材93係具有將各晶片電容器100、101固定於芯基板11之功能。此外，橋部61的芯主面12(表面)與構成主面側增層31的層間絕緣層33之間的間隙、橋部61的芯背面13(表面)與構成背面側增層32的層間絕緣層34之間的間隙，係以樹脂填充材93的一部分填埋。另外 ，在本實施形態中，收容孔部90、91的內壁面92與晶片電容器100、101的電容器側面104之間的間隙的大小係設定為1mm。此外，樹脂填充材93中的黏貼在橋部61的芯主面12上的部分之厚度及樹脂填充材93中的黏貼在橋部61的芯背面13上的部分之厚度係分別設定為50μm。
接著，說明本實施形態的配線基板10的製造方法。
首先，在芯基板準備步驟中，係以習知的公知手法事先製備芯基板11的中間製品。具體而言，係在基材151的芯主面12黏貼作為主面側導體層71的銅箔152並且在基材151的芯背面13黏貼作為背面側導體層81的銅箔152(金屬箔)而製備覆銅積層板150(參照第8圖)，以該覆銅積層板150作為芯基板11的中間製品。另外，本實施形態的基材151乃係形成縱400mm×橫400mm×厚度0.8mm的俯視矩形狀之板狀物。此外，所謂的芯基板11的中間製品，係指有複數個要作為芯基板11的區域沿平面方向縱橫排列之構造的多片用芯基板。
接著，使用鑽孔機對芯基板11(覆銅積層板150)進行開孔加工，於預定位置預先形成用以形成通孔導體16的貫通孔。接著，對包括貫通孔的內壁面、芯主面12及芯背面13在內的芯基板11的全部表面進行無電解鍍銅，然後，進行電解鍍銅。如此一來，便在貫通孔的內壁面形成作為通孔導體16的鍍層161(參照第9圖)。此外，也在芯主面12形成作為主面側導體層71的鍍層162，並且在芯背面13形成作為背面側導體層81的鍍層163( 參照第9圖)。然後，以絕緣樹脂材料(環氧樹脂)填埋作為通孔導體16的鍍層161的中空部，形成填充樹脂17(參照第9圖)。接著，按照習知的公知手法進行無電解鍍銅，藉此在鍍層162、163的表面形成鍍層164(參照第9圖)。
在芯基板準備步驟後的收容孔部形成步驟中，係使用銑削機(router)對芯基板11進行開孔加工，形成複數個收容孔部90、91(參照第9圖、第10圖)。在此時點，係獲得具有外周部62與橋部61的芯基板11。
在收容孔部形成步驟後的導體層形成步驟中，係在外周部62的芯主面12形成主面側導體層71，並且在外周部62的芯背面13形成背面側導體層81。具體而言，係進行鍍層162至164的蝕刻，以例如減成(subtractive)法對鍍層162至164進行圖案成形(patterning)。詳言之，首先，進行阻劑形成步驟，分別在芯主面12側的鍍層164的表面上及芯背面13側的鍍層164的表面上層疊乾膜(dry film)。接著，藉由對各乾膜進行曝光及顯影，形成具有一個開口部171的電鍍阻劑170(參照第11圖、第12圖)。另外，從在芯主面12側形成的電鍍阻劑170的開口部171，係有各收容孔部90、91、屬於橋部61的芯主面12上之部位的鍍層164全體、在外周部62的芯主面12上形成的鍍層164的一部分露出。此外，從在芯背面13側形成的電鍍阻劑170的開口部171，係有各收容孔部90、91、屬於橋部61的芯背面13上之部位的鍍層164全體、在外周部62的芯背面13上形成的鍍層164的一部分露出。在此狀態下，進行金屬箔去除步驟，對 鍍層162至164中從開口部171露出的部分進行蝕刻，藉此將銅箔152與鍍層162至164予以部分去除(參照第13圖、第14圖)。然後，進行阻劑去除步驟，將電鍍阻劑170剝離(去除)。如此一來，便在芯主面12上形成主面側導體層71，並且在芯背面13上形成背面側導體層81(參照第13圖、第14圖)。此時，橋部61的厚度T1(參照第3圖)係比外周部62和主面側導體層71的合計厚度還小，也比外周部62和背面側導體層81的合計厚度T3(參照第3圖)還小。此外，芯主面12側的鍍層164的一部分係成為覆蓋通孔導體16的芯主面12側的端面之蓋鍍層，芯背面13側的鍍層164的一部分係成為覆蓋通孔導體16的芯背面13側的端面之蓋鍍層。
此外，在零件準備步驟(電容器準備步驟)中，係以習知的公知手法事先製備兩個晶片電容器100、101。
晶片電容器100、101係以如下方式製作。亦即，形成陶瓷的生胚片(green sheet)，以網版(screen)印刷在該生胚片印刷內部電極用鎳膏並使之乾燥。如此一來，便形成之後作為電源用內部電極層141的電源用內部電極部及作為接地用內部電極層142的接地用內部電極部。接著，交替積層已形成有電源用內部電極部的生胚片與已形成有接地用內部電極部的生胚片，再於生胚片積層方向施加推壓力，藉此，使各生胚片一體化而形成生胚片積層體。
接著，在生胚片積層體的上表面上、下表 面上及側面上印刷鎳膏，以在生胚片積層體的側面側覆蓋各電極部的側端面之方式形成電源用電極111及接地用電極121。然後，進行生胚片積層體的乾燥，令各電極111、121某程度固化。接著，將生胚片積層體進行脫脂，再以預定溫度燒成預定時間。如此一來，鈦酸鋇及鎳膏的鎳便同時燒結，形成陶瓷燒結體106。接著，對所製得的陶瓷燒結體106所具有的各電極111、121進行無電解鍍銅(厚度10μm左右)。如此一來，便在各電極111、121上形成鍍銅層，晶片電容器100、101完成。
在導體層形成步驟及零件準備步驟後的收容步驟中，首先，以可剝離的黏著膠帶181將各收容孔部90、91的芯背面13側開口密封(參照第15圖)。此時，係形成黏著膠帶181的黏著面係密接於在外周部62的芯背面13形成的背面側導體層81但與橋部61的芯背面13分開之狀態。另外，黏著膠帶181係由支撐台(省略圖示)支撐著。接著，使用安裝(mount)裝置(YAMAHA發動機股份有限公司製)，以將芯主面12與電容器主面102朝同一側且將芯背面13與電容器背面103朝同一側之狀態，將晶片電容器100、101分別收容至各收容孔部90、91內(參照第16圖、第17圖)。此時，晶片電容器100、101係藉由電容器背面103黏貼在黏著膠帶181的黏著面而暫時固定。
在接著的填充步驟中，係使用分注裝置(dispenser)(Asymtek公司製)，在收容孔部90的內壁面92與晶片電容器100的電容器側面104之間的間隙、收容孔部91的內壁面92與晶片電容器101的電容器側面104之間 的間隙，填充熱硬化性樹脂製的樹脂填充材93(NAMIX股份有限公司製)(參照第18圖)。此時，橋部61的芯主面12及芯背面13以樹脂填充材93的一部分覆蓋。在填充步驟後的固定步驟中，係令樹脂填充材93硬化，藉此，將晶片電容器100、101固定在收容孔部90、91內。接著，在固定步驟後，將黏著膠帶181剝離(去除)。然後，進行導體層71、81的表面、覆蓋橋部61的芯主面12的樹脂填充材93的表面94、及覆蓋橋部61的芯背面13的樹脂填充材93的表面95等的粗化。
在固定步驟後的配線積層部形成步驟中，係根據習知的公知手法，在芯主面12之上形成主面側增層31，並且在芯背面13之上形成背面側增層32。具體而言，首先，在樹脂填充材93的表面94上及電容器主面102上被覆熱硬化性環氧樹脂，藉此形成層間絕緣層33(參照第19圖)。此外，在樹脂填充材93的表面95上及電容器背面103上被覆熱硬化性環氧樹脂，藉此形成層間絕緣層34(參照第19圖)。
接著，使用YAG雷射或二氧化碳雷射進行雷射開孔加工，在將形成主面側通路導體43的位置形成通路孔191，並且在將形成背面側通路導體47的位置形成通路孔192(參照第19圖)。具體而言，係形成貫通層間絕緣層33的通路孔191，讓構成晶片電容器100、101的電極111、121的表面(電容器主面102側的面)露出。此外，形成貫通層間絕緣層34的通路孔192，讓構成晶片電容器100、101的電極111、121的表面(電容器背面103側的面) 露出。接著，進行針對層間絕緣層33、34的表面上及通路孔191、192內面的無電解鍍銅，然後，形成蝕刻阻劑，接著進行電解鍍銅。接著，將蝕刻阻劑去除，進行軟蝕刻(soft etching)。如此一來，便在層間絕緣層33上使導體層41形成圖案，並且在層間絕緣層34上使導體層42形成圖案(參照第20圖)。與此同時，在各通路孔191、192的內部形成通路導體43、47。
接著，在層間絕緣層33上被覆熱硬化性環氧樹脂，進行雷射開孔加工，藉此，在要形成主面側通路導體43的位置形成具有通路孔(省略圖示)的層間絕緣層35。此外，在層間絕緣層34上被覆熱硬化性環氧樹脂，進行雷射開孔加工，藉此，在要形成背面側通路導體47的位置形成具有通路孔(省略圖示)的層間絕緣層36。接著，按照習知的公知手法進行電解鍍銅，在通路孔的內部形成通路導體43、47。與此同時，在層間絕緣層35、36上形成端子接墊44，並且在層間絕緣層35、36上形成接墊48。
接著，在層間絕緣層35、36上塗布感光性環氧樹脂，藉此形成阻焊劑層50、51。接著，於配置有預定之光罩(mask)的狀態下進行曝光及顯影，在阻焊劑層50、51形成開口部40、46。接著，在端子接墊44上形成焊料凸塊45，且在接墊48上形成焊料凸塊49。另外，此狀態之製品，係能作為有複數個要作為配線基板10的製品區域沿平面方向縱橫排列的多片用配線基板。接著，當對多片用配線基板進行分割，便可同時獲得多個屬 於單獨製品的配線基板10。
接著，將IC晶片21載置於構成配線基板10的主面側增層31的IC晶片搭載區域23。此時，係將IC晶片21側的面連接端子22的位置與各焊料凸塊45的位置對準。接著，將溫度加熱至220℃至240℃左右使各焊料凸塊45迴焊(reflow)，藉此將各焊料凸塊45與面連接端子22接合，而將配線基板10側與IC晶片21側電性連接。如此一來，IC晶片21便搭載至IC晶片搭載區域23(參照第1圖)。
因此，依據本實施形態，能夠獲得以下的功效。
(1)例如，如第47圖所示，當有背面側導體層206形成在橋部212的芯背面202，樹脂填充材211會鑽入背面側導體層206與黏著膠帶210之間，而有在芯背面202側形成的背面側增層與背面側導體層206間的密接性發生問題之虞。有鑒於此，在本實施形態的配線基板10中，係以包圍橋部61的方式形成背面側導體層81，於橋部61並未形成背面側導體層81。在這樣的方式下，橋部61的表面(芯背面13)與背面側增層32之間的間隙以樹脂填充材93的一部分填埋，故上述的鑽入不易發生。因此，使芯基板11與背面側增層32確實密接，故能夠獲得可靠度優異的配線基板10。
此外，因防止了上述樹脂填充材的鑽入，在橋部61的芯背面13側便不易形成樹脂填充材93的突起部分。因此，能夠使與芯背面13相接的背面側增層32( 阻焊劑層51)的表面39變得平坦，從而使背面側增層32的尺寸精度提升。
(2)在本實施形態中，並未在橋部61的芯背面13形成導體層(背面側導體層81)，故覆蓋芯背面13的樹脂填充材93與橋部61間的接觸面積變大而使兩者的密接強度提高，並且使樹脂填充材93與構成背面側增層32的層間絕緣層34之間的密接強度提高。如此一來，便使芯基板11與背面側增層32更加確實密接。再且，在本實施形態中，也未在橋部61的芯主面12形成導體層(主面側導體層71)，故覆蓋芯主面12的樹脂填充材93與橋部61間的接觸面積變大而使兩者的密接強度提高，並且使樹脂填充材93與構成主面側增層31的層間絕緣層33之間的密接強度提高。如此一來，便使芯基板11與主面側增層31更加確實密接。因此，能夠防止脫層等的發生，故能夠獲得可靠度更加優異的配線基板10。
(3)在本實施形態中，兩個晶片電容器100、101係配置在搭載於IC晶片搭載區域23的IC晶片21的正下方。因此，連接各晶片電容器100、101與IC晶片21的配線變短，從而防止配線的電感(inductance)成分的增加。因此，能夠確實地降低因各晶片電容器100、101而產生的IC晶片21的開關雜訊，並且能夠謀求電源電壓確實地穩定化。此外，能夠將侵入IC晶片21與各晶片電容器100、101之間的雜訊抑制到極小，故不會發生誤動作等不良情形，能夠獲得高可靠度。
另外，亦可將上述的第1實施形態變更如 下。
．上述的第1實施形態的收容孔部90、91乃係俯視大致橢圓形狀之孔。但如第21圖的芯基板221所示，收容孔部222、223亦可為四個角形成俯視曲線形狀的俯視大致正方形狀之孔。另外，此時較佳為，形成在芯背面224的背面側導體層225同樣具有一對從貫通孔226的開口端朝橋部227伸出形成的伸出部228，兩伸出部228的前端部具有俯視曲面形狀。
．上述的第1實施形態的主面側導體層71係僅在外周部62的芯主面12形成，在橋部61的芯主面12則未形成。同樣地，上述的第1實施形態的背面側導體層81係僅在外周部62的芯背面13形成，在橋部61的芯背面13則未形成。但主面側導體層71除了形成在外周部62的芯主面12，亦可形成在橋部61的芯主面12。
．在上述的第1實施形態中，係在兩個收容孔部90、91分別收容晶片電容器100、101，但亦可於芯基板11設置三個以上的收容孔部，在各收容孔部分別收容晶片電容器。
．在上述的第1實施形態中，係使用晶片電容器100、101作為收容至收容孔部90、91的零件。但如第22圖所示，亦可使用通路陣列型的陶瓷電容器301作為收容至收容孔部90、91的零件。另外，陶瓷電容器301係具有隔著陶瓷介電體層302交替積層配置電源用內部電極層303與接地用內部電極層304之構造。此外，在陶瓷電容器301係形成有將電容器主面305(零件主面)及電 容器背面306(零件背面)間連通的通路導體307、308。電源用通路導體307係貫通各電源用內部電極層303，將各電源用內部電極層303彼此電性連接。接地用通路導體308係貫通各接地用內部電極層304，將各接地用內部電極層304彼此電性連接。通路導體307、308整體配置成陣列狀。此外，在電容器主面305上係突出設置有主面側電源用電極309與主面側接地用電極310。主面側電源用電極309係與電源用通路導體307的電容器主面305側的端部連接，主面側接地用電極310係與接地用通路導體308的電容器主面305側的端部連接。此外，在電容器背面306係突出設置有背面側電源用電極311與背面側接地用電極312。背面側電源用電極311係與電源用通路導體307的電容器背面306側的端部連接，背面側接地用電極312係與接地用通路導體308的電容器背面306側的端部連接。另外，亦可使用IC晶片、DRAM、SRAM、暫存器(register)等作為收容至收容孔部90、91的零件。
．在上述的第1實施形態中，收容孔部90、91的內壁面92與晶片電容器100、101的電容器側面104之間的間隙係被樹脂填充材93所填埋。但如第23圖的配線基板320所示，亦可將收容孔部321、322的內壁面323與晶片電容器324、325(零件)的電容器側面326(零件側面)之間的間隙，以構成主面側增層327的層間絕緣層328的一部分填埋。亦即，層間絕緣層328係亦可具有作為樹脂填充材之功能。
．在上述的第1實施形態中，係針對一個IC 晶片21，電性連接有兩個晶片電容器100、101。但亦可在設定在主面側增層31的IC晶片搭載區域搭載兩個IC晶片，將兩個晶片電容器100、101分別電性連接至各IC晶片。
〔第2實施形態〕
以下，根據圖式詳細說明使本發明的內建零件的配線基板具體化的第2實施形態。此處，將以與前述第1實施形態不同的部分為中心進行說明。在本實施形態中，芯基板的構造等係與前述第1實施形態不同。
詳言之，如第24圖所示，本實施形態的內建零件的配線基板330(以下，稱為「配線基板330」)所具備的芯基板331係具有兩個於芯主面332側及芯背面333側兩面開口的收容孔部334、335。另外，芯基板331係具有位在相鄰收容孔部334、335間的橋部336及包圍各收容孔部334、335與橋部336的外周部337。
此外，如第24圖至第27圖所示，在外周部337的芯主面332係形成有由銅構成的主面側導體層341，在外周部337的芯背面333係形成有由銅構成的背面側導體層351。背面側導體層351係具有一個令各收容孔部334、335的芯背面333側開口露出並且令橋部336的芯背面333側露出的貫通孔352。背面側導體層351乃係僅在外周部337的芯背面333形成的厚度35μm的平坦狀導體，在橋部336的芯背面333則沒有形成。此外，貫通孔352的開口端係位在比收容孔部334、335的開口端更外周側。此外，背面側導體層351係具備一對從貫通孔352的開口端 朝橋部336伸出形成的伸出部353。兩伸出部353係位在貫通孔352的開口端中的彼此相對側，朝接近彼此的方向伸出。此外，兩伸出部353的前端部係具有俯視曲線狀。
另一方面，主面側導體層341係具有與前述背面側導體層351大致相同的構造。亦即，如第24圖、第26圖、第27圖、第35圖所示，主面側導體層341係具有一個令各收容孔部334、335的芯主面332側開口露出並且令橋部336的芯主面332側露出的貫通孔342。主面側導體層341乃係僅在外周部337的芯主面332形成的厚度35μm的平坦狀導體，在橋部336的芯主面332則沒有形成。此外，貫通孔342的開口端係位在比收容孔部334、335的開口端更外周側。此外，主面側導體層341係具備一對從貫通孔342的開口端朝橋部336伸出形成的伸出部343。兩伸出部343係位在貫通孔342的開口端中的彼此相對側，朝接近彼此的方向伸出。此外，兩伸出部343的前端部係具有俯視曲線狀。
如第24圖至第27圖所示，在橋部336的芯背面333係形成有複數個(在本實施形態中為3個)由銅構成的背面側島狀層241。各背面側島狀層241係形成長軸長0.6mm×短軸長0.1mm×厚度35μm的俯視橢圓形狀。各背面側島狀層241係形成沿連結相鄰收容孔部334、335中心C1、C2(參照第25圖)的虛擬線L1(參照第25圖)平行延伸的細長形狀，並且形成俯視曲線狀(有圓弧的形狀)。此外，各背面側島狀層241係獨立於背面側導體層351，且凸出至與背面側導體層351的表面相同高度(厚度)。 此外，各背面側島狀層241的前端面係抵接於構成背面側增層362(配線積層部)的層間絕緣層364。此外，各背面側島狀層241係沿與虛擬線L1正交之方向彼此以等間隔配置。相鄰背面側島狀層241間之區域及相鄰的伸出部353與背面側島狀層241之間的區域係形成狹縫狀。另外，相鄰背面側島狀層241間之間隙S1(參照第25圖、第27圖)的大小的最小值及伸出部353(背面側導體層351)與背面側島狀層241之間的間隙S2(參照第25圖、第27圖)的大小的最小值分別為35μm。
如第24圖、第26圖、第27圖、第35圖所示，在橋部336的芯主面332係形成有複數個(在本實施形態中為3個)由銅構成的主面側島狀層231。主面側島狀層231係具有與前述背面側島狀層241大致相同的構造。亦即，各主面側島狀層231係形成長軸長0.6mm×短軸長0.1mm×厚度35μm的俯視橢圓形狀。各主面側島狀層231係形成沿上述虛擬線L1平行延伸的細長形狀，並且形成俯視曲線狀(具有圓弧的形狀)。此外，各主面側島狀層231係獨立於主面側導體層341，且凸出至與主面側導體層341的表面相同高度(厚度)。此外，各主面側島狀層231的前端面係抵接於構成主面側增層361的層間絕緣層363。此外，各主面側島狀層231係沿與虛擬線L1正交的方向彼此以等間隔配置。相鄰主面側島狀層231間之區域及相鄰的伸出部343與主面側島狀層231之間的區域係形成狹縫狀。另外，相鄰主面側島狀層231間之間隙的大小的最小值及伸出部343(主面側導體層341)與主面側島狀層 231之間的間隙的大小的最小值分別為35μm。
如第24圖、第25圖所示，在收容孔部334的內壁面338與晶片電容器370(零件)的電容器側面372(零件側面)之間的間隙、收容孔部335的內壁面338與晶片電容器371(零件)的電容器側面372之間的間隙，係填充有由高分子材料(在本實施形態中為屬於熱硬化性樹脂的環氧樹脂)構成的樹脂填充材367。此外，橋部336的芯主面332(表面)與構成主面側增層361的層間絕緣層363之間的間隙、橋部336的芯背面333(表面)與構成背面側增層362的層間絕緣層364之間的間隙係以樹脂填充材367的一部分填埋。換言之，主面側導體層341與主面側島狀層231之間的間隙、背面側導體層351與背面側島狀層241之間的間隙S2係以樹脂填充材367的一部分填埋。另外，在本實施形態中，收容孔部334、335的內壁面338與晶片電容器370、371的電容器側面372之間的間隙的大小係設定為約1mm。此外，樹脂填充材367中的黏貼在橋部336的芯主面332上的部分之厚度及樹脂填充材367中的黏貼在橋部336的芯背面333上的部分之厚度係分別設定為35μm。
接著，說明本實施形態的配線基板330的製造方法。此處，芯基板準備步驟、導體層形成步驟、島狀層形成步驟、收容步驟、填充步驟及配線積層部形成步驟等係與前述第1實施形態不同。
詳言之，在芯基板準備步驟中，係在基材391的芯主面332黏貼作為主面側導體層341及主面側島 狀層231的銅箔392並且在基材391的芯背面333黏貼作為背面側導體層351及背面側島狀層241的銅箔392(金屬箔)而製備覆銅積層板390(參照第28圖)，以該覆銅積層板390作為芯基板331的中間製品。
接著，在收容孔部形成步驟後的導體層形成步驟中，係在外周部337的芯主面332形成主面側導體層341，並且在外周部337的芯背面333形成背面側導體層351。此外，在收容孔部形成步驟後的島狀層形成步驟中，係在橋部336的芯主面332形成複數個主面側島狀層231，並且在橋部336的芯背面333形成複數個背面側島狀層241。具體而言，係進行與前述第1實施形態的鍍層162、163、164相同的鍍層381、382、383的蝕刻，以例如減成法對鍍層381至383進行圖案成形。
詳言之，在導體層形成步驟及島狀層形成步驟中，首先，進行阻劑形成步驟，分別在芯主面332側的鍍層383的表面上及芯背面333側的鍍層383的表面上層疊乾膜。接著，藉由對各乾膜進行曝光及顯影，形成具有開口部384與被覆部385的電鍍阻劑386(參照第29圖、第30圖)。另外，從在芯主面332側形成的電鍍阻劑386的開口部384，係有各收容孔部334、335、橋部336、在外周部337的芯主面332上形成的鍍層383的一部分露出。此外，在芯主面332側形成的電鍍阻劑386的被覆部385係被覆橋部336的芯主面332上的作為主面側島狀層231的部位。另一方面，從在芯背面333側形成的電鍍阻劑386的開口部384，係有各收容孔部334、335、橋部336 、在外周部337的芯背面333上形成的鍍層383的一部分露出。此外，在芯背面333側形成的電鍍阻劑386的被覆部385係被覆橋部336的芯背面333上的作為背面側島狀層241的部位。
接著，進行金屬箔去除步驟，對鍍層381至383中從開口部384露出的部分、即成為被覆部385的外周側之部分進行蝕刻，藉此將銅箔392與鍍層381至383予以部分去除(參照第31圖、第32圖)。然後，進行阻劑去除步驟，將電鍍阻劑386剝離(去除)。如此一來，便在芯主面332上形成主面側導體層341及主面側島狀層231，並且在芯背面333上形成背面側導體層351及背面側島狀層241(參照第31圖、第32圖)。此時，芯主面332側的鍍層383的一部分係成為覆蓋通孔導體387的芯主面332側的端面之蓋鍍層，芯背面333側的鍍層383的一部分係成為覆蓋通孔導體387的芯背面333側的端面之蓋鍍層。
此外，在導體層形成步驟、島狀層形成步驟及零件準備步驟後的收容步驟中，首先，以可剝離的黏著膠帶388將各收容孔部334、335的芯背面333側開口密封(參照第33圖)。此時，成為在外周部337的芯背面333形成的背面側導體層351及在橋部336的芯背面333形成的背面側島狀層241係與黏著膠帶388的黏著面密接之狀態。另外，黏著膠帶388係由支撐台(省略圖示)支撐。接著，使用安裝裝置(YAMAHA發動機股份有限公司製)，以將芯主面332與電容器主面373(零件主面)朝同一側且將芯背面333與電容器背面374(零件背面)朝同一側之狀 態，將晶片電容器370、371分別收容至各收容孔部334、335內(參照第34圖、第35圖)。此時，晶片電容器370、371係藉由電容器背面374側黏貼在黏著膠帶388的黏著面而暫時固定。
在接著的填充步驟中，係使用分注裝置(Asymtek公司製)，在收容孔部334的內壁面338與晶片電容器370的電容器側面372之間的間隙、收容孔部335的內壁面338與晶片電容器371的電容器側面372之間的間隙，填充熱硬化樹脂製的樹脂填充材367(NAMIX股份有限公司製)(參照第25圖、第36圖)。此時，主面側導體層341與主面側島狀層231之間的間隙被樹脂填充材367的一部分填充，並且背面側導體層351與背面側島狀層241之間的間隙S2(參照第25圖、第27圖)被樹脂填充材367的一部分填充。另外，各主面側島狀層231係沿填充步驟中樹脂填充材367流入主面側導體層341與主面側島狀層231之間的間隙的方向延伸，因此樹脂填充材367係順暢地流入主面側導體層341與主面側島狀層231之間的間隙。此外，各背面側島狀層241係沿填充步驟中樹脂填充材367流入背面側導體層351與背面側島狀層241之間的間隙S2的方向延伸，故樹脂填充材367係順暢地流入背面側導體層351與背面側島狀層241之間的間隙S2。
在填充步驟後的固定步驟中，係令樹脂填充材367硬化，藉此，將晶片電容器370、371固定在收容孔部334、335內。接著，在固定步驟後，將黏著膠帶388剝離(去除)。然後，進行導體層341、351的表面、島狀 層231、241的表面、填充至主面側導體層341與主面側島狀層231之間的間隙的樹脂填充材367的表面368、及填充至背面側導體層351與背面側島狀層241之間隙S2的樹脂填充材367的表面369等的粗化。
在固定步驟後的配線積層部形成步驟中，首先，在填充至主面側導體層341與主面側島狀層231之間隙的樹脂填充材367的表面368上及電容器主面373之上被覆熱硬化性環氧樹脂，藉此形成層間絕緣層363(參照第37圖)。此外，在填充至背面側導體層351與背面側島狀層241之間隙S2的樹脂填充材367的表面369上及電容器背面374之上被覆熱硬化性環氧樹脂，藉此形成層間絕緣層364(參照第37圖)。然後，進行在層間絕緣層363、364上形成層間絕緣層365、366的步驟等，藉此，在芯主面332之上形成主面側增層361，並且在芯背面333之上形成背面側增層362，而獲得有複數個要作為配線基板330的製品區域沿平面方向縱橫排列的多片用配線基板。接著，當對多片用配線基板進行分割，便可同時獲得多個屬於單獨製品的配線基板330。
因此，依據本實施形態，除了前述第1實施形態的功效之外，還能獲得以下的功效。
(4)例如，如第45圖至第47圖所示，當有背面側導體層206形成在芯基板204的整個芯背面202，樹脂填充材211會鑽入背面側導體層206與黏著膠帶210之間，而有在芯背面202側形成的背面側增層與背面側導體層206之間的密接性發生問題之虞。有鑒於此，在本實施形 態的配線基板330中，係以包圍橋部336的方式形成背面側導體層351，並且在橋部336形成獨立於背面側導體層351的背面側島狀層241。在這樣的方式下，填充至收容孔部334、335的內壁面338與晶片電容器370、371的電容器側面372之間的間隙的樹脂填充材367的一部分會流入(退入)相鄰背面側島狀層241間之間隙S1(參照第25圖、第27圖)、背面側導體層351與背面側島狀層241之間的間隙S2(參照第25圖、第27圖)，故上述的鑽入不易發生。因此，使芯基板331與背面側增層362確實密接，故能夠獲得可靠度優異的配線基板330。換言之，若形成為樹脂填充材367的一部分流入間隙之構造，便能夠將配線圖案(島狀層)設置在橋部336，故配線的自由度變大。
(5)本實施形態的收容步驟及填充步驟係將收容孔部334的芯背面333側開口以黏著膠帶388封住，以黏著面密接於在外周部337的芯背面333形成的背面側導體層351與在橋部336的芯背面333形成的背面側島狀層241之狀態進行。因此，在收容步驟中，晶片電容器370、371的電容器背面374側係黏貼於黏著膠帶388的黏著面而暫時固定，各晶片電容器370、371所具備的電極375、376的電容器背面側端部377、378(參照第25圖)的表面係與形成在芯背面333的背面側導體層351的表面齊平。再且，因成為黏著膠帶388由背面側島狀層241支撐之狀態，防止黏著膠帶388的撓曲，故防止黏貼於黏著膠帶388的黏著面的晶片電容器370、371的位置精度降低。因此，能夠使與電容器背面374側及背面側導體層351的 表面相接的背面側增層362的表面360變得平坦，故而使配線基板330的尺寸精度提升。
(6)在本實施形態中，係在橋部336的芯背面333形成有配線圖案(背面側島狀層241)，故配線圖案(背面側導體層351、背面側島狀層241)與構成背面側增層362的層間絕緣層364間的接觸面積獲得確保而使兩者的密接強度提高。如此一來，便使芯基板331與背面側增層362確實密接。再且，在本實施形態中，係在橋部336的芯主面332也形成有配線圖案(主面側島狀層231)，故配線圖案(主面側導體層341、主面側島狀層231)與構成主面側增層361的層間絕緣層363間的接觸面積獲得確保而使兩者的密接強度提高。如此一來，便使芯基板331與主面側增層361確實密接。因此，能夠防止脫層等的發生，故能夠獲得可靠度更加優異的配線基板330。此外，因在橋部336的表面(芯主面332及芯背面333)設置了配線圖案，能夠使流入橋部336的表面與增層361、362之間的間隙的樹脂填充材367減少相應的量，故能夠抑制配線基板330的製造成本。
另外，亦可將上述的第2實施形態變更如下。
．上述的第2實施形態的收容孔部334、335乃係俯視大致橢圓形狀之孔。但如第38圖的芯基板291所示，收容孔部292、293亦可為四個角形成俯視曲線形狀的俯視大致正方形狀之孔。
．上述的第2實施形態的背面側島狀層241 係形成俯視橢圓形狀。但如第39圖、第40圖的芯基板251、252所示，島狀層係例如亦可為俯視矩形狀的背面側島狀層253，亦可為俯視圓形狀的背面側島狀層254。此外，如第41圖的芯基板261所示，亦可在橋部262的芯背面263形成有複數種島狀層(此處為俯視矩形狀的背面側島狀層264及俯視十字狀的背面側島狀層265)。
．如第42圖的芯基板271所示，亦可在橋部272形成有貫通芯主面273及芯背面274的通孔導體275。此時，主面側島狀層276係成為與通孔導體275的芯主面273側端部電性連接之接墊，背面側島狀層277係成為與通孔導體275的芯背面274側端部電性連接之接墊。若構成如上，便能夠在橋部272形成電路，故能夠謀求配線基板的高功能化。
．如第43圖的芯基板281所示，亦可在橋部282的芯背面283中不存在背面側島狀層284的非形成區域，設置有在芯背面283開口並且將相鄰收容孔部間連通的凹部285。若構成如上，則樹脂填充材286除了流入相鄰背面側島狀層284間之間隙、背面側導體層與背面側島狀層284之間的間隙，亦流入(退入)凹部285內，故上述的鑽入更加不易發生。
．在上述的第2實施形態中，係在橋部336的芯背面333形成有背面側島狀層241，在橋部336的芯主面332形成有主面側島狀層231。但主面側島狀層231亦可不形成(參照第44圖)。此外，此時，主面側導體層341係除了在外周部337的芯主面332形成，亦可在橋部336的芯 主面332形成。
．在上述的第2實施形態中，係同前述第1實施形態，在兩個收容孔部334、335分別收容晶片電容器370、371，但亦同樣能夠變更為在芯基板331設置三個以上的收容孔部，在各收容孔部分別收容晶片電容器之形態(參照第41圖)。
．在上述的第2實施形態中，係使用與前述第1實施形態相同的晶片電容器370、371作為收容至收容孔部334、335的零件。但在上述的第2實施形態中，亦同樣能夠使用第22圖中所示的通路陣列型的陶瓷電容器301作為收容至收容孔部334、335的零件。
．在上述的第2實施形態中，係具有與前述第1實施形態相同的構成，亦即具有將收容孔部334、335的內壁面338與晶片電容器370、371的電容器側面372之間的間隙以樹脂填充材367填埋之構成。但如第44圖的配線基板400所示，亦可構成為將收容孔部401、402的內壁面403與晶片電容器404、405(零件)的電容器側面406(零件側面)之間的間隙，以構成主面側增層407的層間絕緣層408的一部分填埋。亦即，層間絕緣層408係亦可具有作為樹脂填充材之功能。
．在上述的第2實施形態中，係同前述第1實施形態，針對一個IC晶片409，電性連接有兩個晶片電容器370、371。但亦可在設定在主面側增層361的IC晶片搭載區域410搭載兩個IC晶片，將兩個晶片電容器370、371分別電性連接至各IC晶片。
接著，將依據前述實施形態而掌握的技術性思想列舉於下。
(1)在前述手段1的內建零件的配線基板中，前述背面側導體層係形成在前述外周部的前述芯背面，但沒有形成在前述橋部的前述芯背面。
(2)在前述手段3的內建零件的配線基板的製造方法中，前述背面側導體層係具有一個令複數個前述收容孔部的前述芯背面側開口露出並且令前述橋部的前述芯背面露出的貫通孔，並具備從前述貫通孔的開口端朝前述橋部伸出形成的伸出部，前述伸出部的前端部係具有俯視曲面形狀。
(3)在前述手段3的內建零件的配線基板的製造方法中，在前述填充步驟後且前述配線積層部形成步驟前，進行令前述樹脂填充材硬化而固定前述零件的固定步驟。
(4)在前述手段2的內建零件的配線基板中，前述島狀層的前端面係抵接於前述配線積層部。
(5)在前記手段4的內建零件的配線基板的製造方法中，在前述填充步驟後且前述配線積層部形成步驟前，進行令前述樹脂填充材硬化而固定前述零件的固定步驟。
10‧‧‧內建零件的配線基板(配線基板)
11‧‧‧芯基板
12‧‧‧芯主面
13‧‧‧芯背面
16‧‧‧通孔導體
17‧‧‧填充樹脂
21‧‧‧IC晶片
22‧‧‧面連接端子
23‧‧‧IC晶片搭載區域
31‧‧‧主面側增層
32‧‧‧背面側增層
33,34,35,36‧‧‧層間絕緣層
38,39‧‧‧阻焊劑層的表面
40,46‧‧‧開口部
41,42‧‧‧導體層
43,47‧‧‧通路導體
44‧‧‧端子接墊
45,49‧‧‧焊料凸塊
48‧‧‧接墊
50,51‧‧‧阻焊劑層
61‧‧‧橋部
62‧‧‧外周部
71‧‧‧主面側導體層
72,82‧‧‧貫通孔
81‧‧‧背面側導體層
90,91‧‧‧收容孔部
92‧‧‧收容孔部的內壁面
93‧‧‧樹脂填充材
94,95‧‧‧樹脂填充材的表面
100,101‧‧‧晶片電容器
102‧‧‧電容器主面
103‧‧‧電容器背面
104‧‧‧電容器側面
106‧‧‧陶瓷燒結體
111‧‧‧電源用電極
121‧‧‧接地用電極

Claims (16)

  1. 一種內建零件的配線基板，係具備：芯基板，係具有芯主面及芯背面，並具有複數個於前述芯主面側及前述芯背面側兩面開口的收容孔部；複數個零件，係具有零件主面、零件背面及零件側面，且以將前述芯主面與前述零件主面朝同一側之狀態分別收容至複數個前述收容孔部；樹脂填充材，係填充至形成在前述芯基板的前述收容孔部的內壁面與前述零件側面之間的間隙；及配線積層部，係具有於前述芯背面上及前述零件背面上積層有層間絕緣層及導體層之構造；前述內建零件的配線基板的特徵為前述芯基板係具有橋部及外周部，該橋部係位在相鄰前述收容孔部間，該外周部係於前述芯背面有包圍複數個前述收容孔部及前述橋部的背面側導體層形成；前述橋部的厚度比前述外周部和前述背面側導體層的合計厚度還小；前述橋部的表面與前述配線積層部之間的間隙係以前述樹脂填充材的一部分填埋。
  2. 如請求項1之內建零件的配線基板，其中前述背面側導體層係具有一個令複數個前述收容孔部的前述芯背面側開口露出並且令前述橋部的前述芯背面露出的貫通孔； 且具備從前述貫通孔的開口端朝前述橋部伸出形成的伸出部；前述伸出部的前端部係具有俯視曲面形狀。
  3. 一種內建零件的配線基板，係具備：芯基板，係具有芯主面及芯背面，並具有複數個於前述芯主面側及前述芯背面側兩面開口的收容孔部；複數個零件，係具有零件主面、零件背面及零件側面，且以將前述芯主面與前述零件主面朝同一側之狀態分別收容至複數個前述收容孔部；樹脂填充材，係填充至形成在前述芯基板的前述收容孔部的內壁面與前述零件側面之間的間隙；及配線積層部，係具有於前述芯背面上及前述零件背面上積層有層間絕緣層及導體層之構造；前述內建零件的配線基板的特徵為前述芯基板係具有橋部及外周部，該橋部係位在相鄰前述收容孔部間，該外周部係於前述芯背面有包圍複數個前述收容孔部及前述橋部的背面側導體層形成；在前述橋部的前述芯背面，形成有獨立於前述背面側導體層且凸出至與背面側導體層的表面相同高度的島狀層；前述背面側導體層與前述島狀層之間的間隙係以前述樹脂填充材的一部分填埋。
  4. 如請求項3之內建零件的配線基板，其中在前述橋部的 前述芯背面形成複數個前述島狀層，相鄰前述島狀層間的區域係形成狹縫狀。
  5. 如請求項3或4之內建零件的配線基板，其中複數個前述島狀層係沿與將前述收容孔部中心彼此連結的虛擬線正交之方向配置。
  6. 如請求項5之內建零件的配線基板，其中複數個前述島狀層係形成沿前述虛擬線平行延伸的細長形狀。
  7. 如請求項3至6中任一項之內建零件的配線基板，其中前述島狀層係形成俯視曲線狀。
  8. 如請求項3至7中任一項之內建零件的配線基板，其中在前述橋部，形成有貫通前述芯主面及前述芯背面的通孔導體；前述島狀層乃係與前述通孔導體的前述芯背面側端部電性連接之接墊。
  9. 如請求項3至8中任一項之內建零件的配線基板，其中在前述橋部的前述芯背面中不存在前述島狀層的非形成區域，設置有在前述芯背面開口並且將相鄰前述收容孔部間連通的凹部。
  10. 一種內建零件的配線基板的製造方法，係請求項1或2之內建零件的配線基板的製造方法，前述內建零件的配線基板的製造方法的特徵為含有以下步驟：芯基板準備步驟，係準備前述芯基板；收容孔部形成步驟，係在前述芯基板準備步驟後，藉由形成複數個前述收容孔部而獲得具有前述外周部與前述橋部的前述芯基板； 導體層形成步驟，係在前述收容孔部形成步驟後，藉由在前述外周部的前述芯背面形成前述背面側導體層而使前述橋部的厚度比前述外周部和前述背面側導體層的合計厚度還小；零件準備步驟，係準備前述複數個零件；收容步驟，係在前述導體層形成步驟及前述零件準備步驟後，將前述零件分別收容至複數個前述收容孔部內；填充步驟，係在前述收容步驟後，將樹脂填充材填充至前述收容孔部的內壁面與前述零件側面之間的間隙，並且以前述樹脂填充材的一部分覆蓋前述橋部的前述芯背面；及配線積層部形成步驟，係在前述填充步驟後，在覆蓋前述橋部的前述芯背面的前述樹脂填充材的表面上及前述零件背面上形成前述配線積層部。
  11. 如請求項10之內建零件的配線基板的製造方法，其中在前述芯基板準備步驟中，係準備在前述芯背面黏貼有作為前述背面側導體層的金屬箔之積層板；在前述導體層形成步驟中，係進行以下步驟：阻劑形成步驟，係在前述金屬箔的表面上形成電鍍阻劑，其中該電鍍阻劑係具有一個令複數個前述收容孔部與前述橋部的前述芯背面上的部位露出之開口部；金屬箔去除步驟，係對前述金屬箔中從前述開口部露出的部分進行蝕刻，藉此將前述金屬箔予以部分 去除；及阻劑去除步驟，係在前述金屬箔去除步驟後，將前述電鍍阻劑去除。
  12. 如請求項10或11之內建零件的配線基板的製造方法，其中前述收容步驟及前述填充步驟係將複數個前述收容孔部的前述芯背面側開口以具有黏著面的黏著膠帶封住，而以使前述黏著面係密接於在前述外周部的前述芯背面形成的前述背面側導體層但與前述橋部的前述芯背面分開之狀態進行；在前述填充步驟後將前述黏著膠帶去除。
  13. 一種內建零件的配線基板的製造方法，係請求項3至9中任一項之內建零件的配線基板的製造方法，前述內建零件的配線基板的製造方法的特徵為含有以下步驟：芯基板準備步驟，係準備前述芯基板；收容孔部形成步驟，係在前述芯基板準備步驟後，藉由形成複數個前述收容孔部而獲得具有前述外周部與前述橋部的前述芯基板；導體層形成步驟，係在前述收容孔部形成步驟後，在前述外周部的前述芯背面形成前述背面側導體層；島狀層形成步驟，係在前述收容孔部形成步驟後，在前述橋部的前述芯背面形成前述島狀層；零件準備步驟，係準備前述複數個零件；收容步驟，係在前述導體層形成步驟、前述島狀 層形成步驟及前述零件準備步驟結束後，將前述零件分別收容至複數個前述收容孔部內；填充步驟，係在前述收容步驟後，將前述樹脂填充材填充至前述收容孔部的內壁面與前述零件側面之間的間隙，並且將前述樹脂填充材的一部分填充至前述背面側導體層與前述島狀層之間的間隙；及配線積層部形成步驟，係在前述填充步驟後，在填充至前述背面側導體層與前述島狀層之間的間隙的前述樹脂填充材的表面上及前述零件背面上，形成前述配線積層部。
  14. 如請求項13之內建零件的配線基板的製造方法，其中在前述芯基板準備步驟中，係準備在前述芯背面黏貼有作為前述背面側導體層及前述島狀層的金屬箔之積層板；在前述導體層形成步驟及前述島狀層形成步驟中，係進行以下步驟：阻劑形成步驟，係在前述金屬箔的表面上形成電鍍阻劑，其中該電鍍阻劑係具有令複數個前述收容孔部及前述橋部露出之開口部、及被覆前述橋部的前述芯背面上的作為前述島狀層的部位之被覆部；金屬箔去除步驟，係對前述金屬箔中從前述開口部露出的部分、即成為前述被覆部的外周側之部分進行蝕刻，藉此將前述金屬箔予以部分去除；及阻劑去除步驟，係在前述金屬箔去除步驟後，將前述電鍍阻劑去除。
  15. 如請求項13或14之內建零件的配線基板的製造方法，其中前述收容步驟及前述填充步驟係將複數個前述收容孔部的前述芯背面側開口以具有黏著面的黏著膠帶封住，而以前述黏著面密接於前述背面側導體層與前述島狀層之狀態進行；在前述填充步驟後將前述黏著膠帶去除。
  16. 如請求項13至15中任一項之內建零件的配線基板的製造方法，其中在前述島狀層形成步驟中，係在前述橋部的前述芯背面形成複數個前述島狀層；複數個前述島狀層係沿前述填充步驟中前述樹脂填充材流入前述背面側導體層與前述島狀層之間的間隙的方向延伸。
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