TWI842781B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI842781B
TWI842781B TW108142308A TW108142308A TWI842781B TW I842781 B TWI842781 B TW I842781B TW 108142308 A TW108142308 A TW 108142308A TW 108142308 A TW108142308 A TW 108142308A TW I842781 B TWI842781 B TW I842781B
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金起範
孫正河
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南韓商三星顯示器有限公司
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Abstract

提供一種顯示裝置。顯示裝置具備：子像素，其包括第一電極、發光層及第二電極；像素定義膜，其定義所述子像素；第一全反射層，其與所述像素定義膜重疊；第二全反射層，其配置於所述第一全反射層上；及平坦化膜，其配置於所述第二全反射層上；所述平坦化膜的折射率大於所述第二全反射層的折射率，所述第二全反射層的折射率大於所述第一全反射層的折射率。

Description

顯示裝置
本發明涉及顯示裝置。
隨著訊息化社會的發展，對用於顯示影像的顯示裝置的要求正在以多樣形態增加。因此，最近正在利用諸如液晶顯示裝置(LCD：Liquid Crystal Display)、電漿顯示裝置(PDP：Plasma Display Panel)、有機發光顯示裝置(OLED：Organic Light Emitting Display)的多種顯示裝置。
在顯示裝置中，有機發光顯示裝置作為本身發光型，與液晶顯示裝置(LCD)相比，視野角、對比度等優秀，不需要另外的背光，可實現輕薄型，具有在耗電方面有利的優點。另外，有機發光顯示裝置可以實現直流低電壓驅動，反應速度快，特別是具有製造費用低廉的優點。
有機發光顯示裝置包括發出光的有機發光元件或對有機發光元件進行劃分的像素定義膜。有機發光元件包括正電極、電洞傳輸層(hole transporting layer)、有機發光層(organic light emitting layer)、電子傳輸層(electron transporting layer)及負電極。此時，如果向正電極施加高電位電壓，向負電極施加低電位電壓，則電洞和電子分別藉由電洞傳輸層和電子傳輸層而向有機發光層移動，在有機發光層複合而發光。
另一方面，從有機發光元件發光的光的一部分向有機發光顯示裝置的並非上部方向的側面方向行進，此時，無法向顯示裝置的上部方向出光而會損失。當提高從有機發光元件發光的光的出光效率時，不僅可以延長有機發光元件的壽命，還可以降低有機發光顯示裝置的耗電。
本發明要解決的課題旨在提供一種能夠提高出光效率的顯示裝置。
本發明的課題不限定於以上提及的課題，未提及的其他要解決的技術課題是所述技術領域具有通常知識者可以從以下記載明確理解的。
旨在解決所述課題的一個實施例的顯示裝置具備：子像素，其包括第一電極、發光層及第二電極；像素定義膜，其定義所述子像素；第一全反射層，其與所述像素定義膜重疊；第二全反射層，其配置於所述第一全反射層上；及平坦化膜，其配置於所述第二全反射層上；所述平坦化膜的折射率大於所述第二全反射層的折射率，所述第二全反射層的折射率大於所述第一全反射層的折射率。
所述平坦化膜的最大厚度可以厚於所述第一全反射層的最大厚度，所述第一全反射層的最大厚度可以厚於所述第二全反射層的最大厚度。
所述第一全反射層可以不與所述子像素重疊。
可以還具備配備於所述子像素的第二電極和所述像素定義膜上的封裝膜，所述第一全反射層可以配置於所述封裝膜上，所述第二全反射層可以配置於未被所述第一全反射層覆蓋的所述封裝膜上。
可以還具備配置於所述封裝膜與所述第一全反射層之間的緩衝層。
所述第一全反射層可以在平面上包圍所述子像素。
可以還具備與所述像素定義膜重疊的觸摸電極。
所述觸摸電極可以不與所述第一全反射層重疊。
所述第二全反射層可以覆蓋所述觸摸電極。
所述第一全反射層可以覆蓋所述觸摸電極。
所述第一全反射層可以包括在平面上露出所述子像素的開口區域。
可以還具備覆蓋所述觸摸電極的觸摸絕緣層，所述第一全反射層可以配置於所述觸摸絕緣層上。
可以還具備與所述像素定義膜重疊的第三全反射層，在平面上，所述第一全反射層可以在平面上包圍所述子像素，所述第三全反射層可以包圍所述第一全反射層。
可以還具備配置於所述第三全反射層上的第四全反射層，所述第四全反射層的折射率可以大於所述第三全反射層的折射率。
可以還具備配置於所述子像素的第二電極與所述像素定義膜上的封裝膜，所述第一全反射層和所述第三全反射層可以配置於所述封裝膜上，所述第二全反射層可以配置於所述第三全反射層和未被所述第一全反射層和所述第三全反射層覆蓋的所述封裝膜上。
可以還具備與所述像素定義膜重疊的觸摸電極。
所述觸摸電極可以不與所述第一全反射層及所述第三全反射層重疊。
所述第二全反射層可以覆蓋所述觸摸電極。
所述第三全反射層可以覆蓋所述第一觸摸電極。
可以還具備覆蓋所述觸摸電極的觸摸絕緣層，所述第一全反射層和所述第三全反射層可以配置於所述觸摸絕緣層上。
所述第一全反射層可以包括與所述子像素鄰接的第一傾斜面，所述第二全反射層可以包括配置於所述第一傾斜面上的第二傾斜面，所述第一傾斜面的傾斜角度定義為第一傾角，所述第二傾斜面的傾斜角度定義為第二傾角，被所述第一全反射層全反射的光的出光角度與被所述第二全反射層全反射的光的出光角度分別越大，則所述第一傾角和所述第二傾角會分別越大。
所述第一全反射層可以包括與所述子像素鄰接的第一傾斜面，所述第二全反射層可以包括配置於所述第一傾斜面上的第二傾斜面，所述第一傾斜面的傾斜角度定義為第一傾角，所述第二傾斜面的傾斜角度定義為第二傾角，被所述第二全反射層折射後被所述第一全反射層全反射的光的出光角度越大，則所述第一傾角與所述第二傾角會分別越小。
其他實施例的具體事項包含於詳細說明及圖式中。
根據一個實施例的顯示裝置，子像素的光中向並非上部方向的側面方向行進的光，可以在第二全反射層的第三傾斜面全反射或在第一全反射層的第一傾斜面全反射，或在第二全反射層的第三傾斜面折射後在第一全反射層的第一傾斜面全反射而向上部方向行進。因此，可以提高子像素的光的出光效率，因此，不僅可以延長有機發光元件的壽命，而且可以降低有機發光顯示裝置的耗電。
實施例的效果不限於以上舉例的內容，本說明書中包含更多樣的效果。
10:顯示裝置
100:顯示面板
110:掃描驅動部
120:薄膜電晶體
121:主動層
122:閘電極
123:源電極
124:汲電極
130:閘極絕緣膜
140:層間絕緣膜
150:保護膜
160:平坦化膜
170:發光元件
171:第一電極
172:有機發光層
173:第二電極
180:像素定義膜
190:封裝膜
200:顯示驅動電路
210:第一全反射層
220:第二全反射層
230:高折射平坦化膜
240:第三全反射層
250:第四全反射層
300:電路板
400:觸摸驅動電路
BA:彎曲區域
BE:連接電極
BF1:第一緩衝膜
BF2:第二緩衝膜
BP:第三子像素
D1、D2、D3、D4:厚度
DA:顯示區域
DL:數據線
DLL:連接線
DP:顯示焊墊
DU:顯示單元
EML:發光元件層
GL1:第一保護線
GL2:第二保護線
GL3:第三保護線
GL4:第四保護線
GL5:第五保護線
GP:第二子像素
GRL1:第一接地線
GRL2:第二接地線
GRL3:第三接地線
L1:第一光
L2:第二光
L3:第三光
MA:主區域
NDA:非顯示區域
OA、OA2:開口區域
P:像素
PA:凸出區域
PDA:焊墊區域
PL:電源線
RE:感知電極
RL:感知線
RP:第一子像素
SCL:掃描控制線
SL:掃描縣
SS1:第一傾斜面
SS2:第二傾斜面
SS3:第三傾斜面
SS4:第四傾斜面
SUB1:基板
TDU:觸摸感知單元
TE:驅動電極
TFEL:薄膜封裝層
TFTL:薄膜電晶體層
TINS:觸摸絕緣膜
TL1:第一驅動線
TL2:第二驅動線
TP1:第一觸摸焊墊
TP2:第二觸摸焊墊
TPA:觸摸周邊區域
TRL:全反射層
TSA:觸摸感測器區域
TSL:觸摸感測器層
UP1:第一上面
UP2:第二上面
UP3:第三上面
UP4:第四上面
VL:法線
W1、W3:寬度
θ1:第一傾角
θ11:第一出光角度
θ12:第二出光角度
θ13:第三出光角度
θ2:第二傾角
θ3:第三傾角
第1圖是一個實施例的顯示裝置的立體圖。
第2圖是一個實施例的顯示裝置的立體圖。
第3圖是顯示第2圖的I-I’的一個示例的剖面圖。
第4圖是詳細顯示第3圖的顯示單元的一個示例的一個示例圖。
第5圖是詳細顯示圖3的觸摸感知單元的一個示例的一個示例圖。
第6圖作為第5圖的A區域的一個示例，是顯示第4圖的子像素和第5圖的驅動電極的一個示例的俯視圖。
第7圖是顯示第6圖的Ⅱ-Ⅱ’的一個示例的剖面圖。
第8圖是顯示第6圖的Ⅱ-Ⅱ’的又一示例的剖面圖。
第9圖是詳細顯示第7圖的B區域的一個示例的剖面圖。
第10圖是顯示用於輸出第二光的高折射平坦化層各折射率的不同出光角度下第二全反射層的第二傾角的圖表。
第11圖是顯示用於輸出第二光的第二全反射層各折射率的不同高折射平坦化層折射率下第二全反射層第二傾角的最小角度的圖表。
第12圖是顯示用於輸出第三光的第二全反射層各第二傾角的不同出光角度下第一全反射層第一傾角的一個示例的圖表。
第13圖是顯示用於輸出第三光的第二全反射層各第二傾角的不同出光角度下第一全反射層第一傾角的另一示例的圖表。
第14圖是詳細顯示第7圖的B區域的又一示例的剖面圖。
第15圖是詳細顯示第7圖的B區域的又一示例的剖面圖。
第16圖作為第5圖的A區域的又一示例，是顯示第4圖的子像素和第5圖的第一觸摸金屬層的又一示例的俯視圖。
第17圖是顯示第16圖的Ⅲ-Ⅲ’的一個示例的剖面圖。
第18圖是顯示第16圖的Ⅲ-Ⅲ’的另一示例的剖面圖。
第19圖作為第5圖的A區域的又一示例，是顯示第4圖的子像素與第5圖的第一觸摸金屬層的又一示例的俯視圖。
第20圖是顯示第19圖的Ⅳ-Ⅳ’的一個示例的剖面圖。
第21圖作為第5圖的A區域的又一示例，是顯示第4圖的子像素與第5圖的第一觸摸金屬層的又一示例的俯視圖。
第22圖是顯示第21圖的V-V’的一個示例的剖面圖。
第23圖是顯示第21圖的V-V’的另一示例的剖面圖。
如果參照後面與圖式一同詳細敘述的實施例，本發明的優點及特徵以及達成其的方法將更加明確。但是，本發明並非限定於以下公開的實施例，可以以互不相同的多樣形態體現，不過，本實施例提供用於使本發明的公開更完整，向本發明所屬技術領域具有通常知識者完整地告知發明的範疇，本發明只由申請專利範圍的範疇所定義。
指稱元件(elements)或層在其他元件或層之“上(on)”的情形，全部包括在其他元件緊上面或中間插入有其他層或其他元件的情形。在通篇說明書中，相同參照符號指稱相同構成要素。在用於說明實施例的圖式中公 開的形狀、大小、比率、角度、個數等只是示例性的，因而並非本發明限定於圖示的事項。
雖然為了敘述多樣構成要素而使用了“第一”、“第二”等，但這些構成要素當然不由這些術語所限定。這些術語只用於將一個構成要素區別於其他構成要素。因此，下面言及的第一構成要素在本發明的技術思想內，當然也可以是第二構成要素。
本發明多個實施例的各個特徵可以部分地或全體地相互結合或組合，可以在技術上多樣地聯動及驅動，各實施例既可以相互獨立實施，也可以因相關關係而一同實施。
下面參照圖式，對具體實施例進行說明。
第1圖是一個實施例的顯示裝置的立體圖。第2圖是一個實施例的顯示裝置的立體圖。
在本說明書中，“上部”、“頂部”、“上面”以顯示面板100為基準，是指上部方向，即Z軸方向，“下部”、“底部”、“下面”以顯示面板100為基準，是指下部方向，即Z軸方向的相反方向。另外，“左”、“右”、“上”、“下”是指當在平面中觀察顯示面板100時的方向。例如，“左”是指X軸方向的相反方向，“右”是指X軸方向，“上”是指Y軸方向，“下”是指Y軸方向的相反方向。
如果參照第1圖及第2圖，顯示裝置10作為顯示活動影像或靜止影像的裝置，不僅是行動電話(mobile phone)、智慧型手機(smart phone)、平板電腦(tablet personal computer)及智慧型手錶(smart watch)、手錶手機(watch phone)、移動通訊終端、電子記事簿、電子書、PMP(portable multimedia player，可攜式多媒體播放器)、導航儀、UMPC(Ultra Mobile PC，超級移動電腦)等可攜電子設備，還可以用作電視機、筆記型電腦、顯示器、廣告牌、物聯網(internet of things、IOT)等多樣製品的顯示畫面。顯示裝置10可以為有機發光顯示裝置、液晶顯示裝置、電漿顯示裝置、場致發射顯示裝置、電泳顯示裝置、電潤濕顯示裝置、量子點發光顯示裝置及微型LED顯示裝置中任意一種。下面以顯示裝置10是有機發光顯示裝置的情形為中心進行說明，但本發明不限於此。
一個實施例的顯示裝置10包括顯示面板100、顯示驅動電路200、電路板300及觸摸驅動電路400。
顯示面板100可以包括主區域MA和從主區域MA的一側凸出的凸出區域PA。
主區域MA可以以具有第一方向(X軸方向)的短邊和與第一方向(X軸方向)交叉的第二方向(Y軸方向)的長邊的矩形形態的平面形成。第一方向(X軸方向)的短邊與第二方向(Y軸方向)的長邊相交的角(corner)可以以具有預定曲率的方式圓圓地形成或以直角形成。顯示裝置10的平面形態不限定於四邊形，可以以其他多邊形、圓形或橢圓形形成。主區域MA可以平坦地形成，但不限定於此，可以包括在左右側末端形成的曲面部。此時，曲面部可以具有既定曲率或具有變化的曲率。
主區域MA可以包括形成有像素並顯示影像的顯示區域DA、作為顯示區域DA周邊區域的非顯示區域NDA。
在顯示區域DA，不僅是像素，還可以配置有連接於像素的掃描線、數據線及電源線。當主區域MA包括曲面部時，顯示區域DA可以配置於曲面部。此時，在曲面部也可以呈現顯示面板100的影像。
非顯示區域NDA可以定義為從顯示區域DA外側至顯示面板100邊緣的區域。在非顯示區域NDA，可以配置有用於向掃描線接入掃描訊號的掃描驅動部、連接數據線與顯示驅動電路200的連接線。
凸出區域PA可以從主區域MA的一側凸出。例如，凸出區域PA可以如第2圖所示，從主區域MA的下側凸出。凸出區域PA的第一方向(X軸方向)的長度，可以小於主區域MA的第一方向(X軸方向)的長度。
凸出區域PA可以包括彎曲區域BA和焊墊區域PDA。此時，焊墊區域PDA可以配置於彎曲區域BA的一側，主區域MA可以配置於彎曲區域BA的另一側。例如，焊墊區域PDA可以配置於彎曲區域BA的下側，主區域MA可以配置於彎曲區域BA的上側。
顯示面板100可以柔韌地形成，以便可以折彎、打彎、彎曲、折疊、捲曲。因此，顯示面板100可以在彎曲區域BA向厚度方向(Z軸方向)彎曲。此時，在顯示面板100彎曲前，顯示面板100的焊墊區域PDA的一面朝向上部，但在顯示面板100彎曲後，顯示面板100的焊墊區域PDA的一面朝向下部。因此，由於焊墊區域PDA配置於主區域MA的下部，因而可以與主區域MA重疊。
在顯示面板100的焊墊區域PDA，可以配置有電連接顯示驅動電路200與電路板300的焊墊。
顯示驅動電路200輸出用於驅動顯示面板100的訊號和電壓。例如，顯示驅動電路200可以向數據線供應數據電壓。另外，顯示驅動電路200可以向電源線供應電源電壓，向掃描驅動部供應掃描控制訊號。顯示驅動電路200可以以積體電路(integrated circuit，IC)形成，以COG(chip on glass，玻璃覆晶)方式、COP(chip on plastic，塑料覆晶)方式或超音波接合方式，在焊墊區域PDA中加裝於顯示面板100上，但不限定於此。例如，顯示驅動電路200可以加裝於電路板300上。
焊墊可以包括電連接於顯示驅動電路200的顯示焊墊和電連接於觸摸線的觸摸焊墊。
電路板300可以利用各向異性導電膜(anisotropic conductive film)附著於焊墊上。因此，電路板300的引線可以電連接於焊墊。電路板300可以是諸如可撓性印刷電路板(flexible prinited circuit board)、印刷電路板(printed circuit board)或覆晶薄膜(chip on film)的可撓性薄膜(flexible film)。
觸摸驅動電路400可以連接於顯示面板100的觸摸感測器層TSL的觸摸電極。觸摸驅動電路400向觸摸感測器層TSL的觸摸電極接入驅動訊號，測量觸摸電極的靜電容量值。驅動訊號可以是具有多個驅動脈衝的訊號。觸摸驅動電路400不僅可以根據靜電容量值，判斷是否觸摸輸入，而且可以算出觸摸輸入的觸摸坐標。
觸摸驅動電路400可以配置於電路板300上。觸摸驅動電路400可以以積體電路(IC)形成，加裝於電路板300上。
第3圖是顯示第2圖的I-I’的一個示例的剖面圖。
如果參照第3圖，顯示面板100可以包括：具有基板SUB1、在基板SUB1上配置的薄膜電晶體層TFTL、發光元件層EML及薄膜封裝層TFEL的顯示單元DU；具有觸摸感測器層TSL和全反射層TRL的觸摸感知單元TDU。
基板SUB1可以由玻璃、石英或高分子樹脂等絕緣物質構成。作為高分子物質的示例，可以有聚醚碸(polyethersulphone：PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate：PA)、聚芳酯(polyarylate：PAR)、聚醚醯亞胺(polyetherimide：PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene napthalate：PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terepthalate：PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide：PPS)、聚丙烯酯(polyallylate)、聚醯亞胺(polyimide：PI)、聚碳酸酯(polycarbonate：PC)、三乙酸纖維素(cellulose triacetate：CAT)、乙酸丙酸纖維素(cellulose acetate propionate：CAP)或他們的組合。或者，基板SUB1也可以包括金屬材質的物質。
基板SUB1可以為硬(rigid)性基板或可彎曲(bending)、折疊(folding)、卷取(rolling)等的可撓性(flexible)基板。在基板SUB1為可撓性基板的情況下，可以以聚醯亞胺形成，但並非限定於此。
薄膜電晶體層TFTL可以配置於基板SUB1上。在薄膜電晶體層TFTL，不僅是像素各自的薄膜電晶體，而且可以形成有掃描線、數據線、電源線、掃描控制線及連接焊墊與數據線的路由線等。薄膜電晶體可以分別包括閘電極、半導體層、源電極及汲電極。掃描驅動部110如第4圖所示，當在顯示面板100的非顯示區域NDA形成時，掃描驅動部110可以包括薄膜電晶體。
薄膜電晶體層TFTL可以配置於顯示區域DA與非顯示區域NDA。具體而言，薄膜電晶體層TFTL的像素各自的薄膜電晶體、掃描線、數據線及電源線可以配置於顯示區域DA。薄膜電晶體層TFTL的掃描控制線與連接線可以配置於非顯示區域NDA。
在薄膜電晶體層TFTL上，可以配置有發光元件層EML。發光元件層EML可以包括：像素，其包括第一電極、發光層及第二電極；像素定義膜，其定義像素。發光層可以是包含有機物質的有機發光層。此時，發光層可以包括電洞傳輸層(hole transporting layer)、有機發光層(organic light emitting layer)及電子傳輸層(electron transporting layer)。如果藉由薄膜電晶體層TFTL的薄膜電晶體向第一電極施加預定電壓，向第二電極施加負極電壓，則電洞和電子分別藉由電洞傳輸層和電子傳輸層向有機發光層移動，在有機發光層相互複合而發光。發光元件層EML的像素可以配置於顯示區域DA。
在發光元件層EML上可以配置有薄膜封裝層TFEL。薄膜封裝層TFEL發揮防止氧氣或水分浸透發光元件層EML的作用。為此，薄膜封裝層TFEL可以包括至少一個無機膜。無機膜可以為氮化矽層、氮氧化矽層、氧化矽層、氧化鈦層或氧化鋁層，但不限定於此。另外，薄膜封裝層TFEL發揮保護發光元 件層EML不受諸如灰塵的異物質影響的作用。為此，薄膜封裝層TFEL可以包括至少一個有機膜。有機膜可以為丙烯酸樹脂(acryl resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚醛樹脂(phenolic resin)、聚醯氨樹脂(polyamide resin)或聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)，但不限定於此。
薄膜封裝層TFEL可以在顯示區域DA和非顯示區域NDA全部配置。具體而言，薄膜封裝層TFEL可以配置得覆蓋顯示區域DA和非顯示區域NDA的發光元件層EML，覆蓋非顯示區域NDA的薄膜電晶體層TFTL。
在薄膜封裝層TFEL上，可以配置有觸摸感測器層TSL。觸摸感測器層TSL直接配置於薄膜封裝層TFEL上，從而與包括觸摸感測器層TSL在內的另外的觸摸面板附著於薄膜封裝層TFEL上的情形相比，具有可以減小顯示裝置10厚度的優點。
觸摸感測器層TSL可以包括用於以靜電容量方式感知使用者觸摸的觸摸電極和連接焊墊與觸摸電極的觸摸線。例如，觸摸感測器層TSL可以以自電容(self-capacitance)方式或互電容(mutual capacitance)方式，感知使用者的觸摸。
觸摸感測器層TSL的觸摸電極如第5圖所示，可以在重疊於顯示區域DA的觸摸感測器區域TSA配置。觸摸感測器層TSL的觸摸線如第5圖所示，可以在重疊於非顯示區域NDA的觸摸周邊區域TPA配置。
在觸摸感測器層TSL上，可以配置有全反射層TRL。全反射層TRL是在發光元件層EML的光中，使向顯示面板100側面方向而非上部方向(Z軸方向)行進的光全反射以便向顯示面板100上部方向(Z軸方向)行進的層。在第3圖中，示例性圖示了在全反射層TRL作為另外的層而在觸摸感測器層TSL上形成的情形，但不限定於此。例如，觸摸感測器層TSL和全反射層TRL可以以一層形成。
在全反射層TRL上，可以追加配置有覆蓋窗口，此時，全反射層TRL和覆蓋窗口可以借助於諸如OCA(optically clear adhesive)薄膜的透明黏合構件而附著。
第4圖是詳細顯示第3圖的顯示單元的一個示例的一個示例圖。
在第4圖中，為了說明的便利，只圖示了顯示單元DU的像素P、掃描線SL、數據線DL、電源線PL、掃描控制線SCL、掃描驅動部110、顯示驅動電路200及顯示焊墊DP。
如果參照第4圖，掃描線SL、數據線DL、電源線PL及像素P配置於顯示區域DA。掃描線SL可以沿第一方向(X軸方向)並排地形成，數據線DL可以沿與第一方向(X軸方向)交叉的第二方向(Y軸方向)並排地形成。電源線PL可以包括沿第二方向(Y軸方向)與數據線DL並排地形成的至少一條線和從所述至少一條線沿第一方向(X軸方向)分支的多條線。
像素P可以連接於掃描線SL中至少任意一個、數據線DL中任意一個及電源線PL。像素P分別可以包括薄膜電晶體、有機發光二極體及電容器，其中，所述薄膜電晶體包括驅動電晶體和至少一個開關電晶體。像素P在分別從掃描線SL接入掃描訊號時，接受施加數據線DL的數據電壓，根據向閘電極施加的數據電壓，向有機發光二極體供應驅動電流，從而可以發光。
掃描驅動部110藉由至少一個掃描控制線SCL，連接於顯示驅動電路200。因此，掃描驅動部110可以接受輸入顯示驅動電路200的掃描控制訊號。掃描驅動部110根據掃描控制訊號，生成掃描訊號，供應給掃描線SL。
在第4圖中，示例性圖示了掃描驅動部110在顯示區域DA左外側的非顯示區域NDA形成的情形，但不限定於此。例如，掃描驅動部110可以在顯示區域DA的左外側和右外側的非顯示區域NDA形成。
顯示驅動電路200連接到顯示焊墊DP，接受輸入數字影像數據和定時訊號。顯示驅動電路200將數字影像數據變換成模擬正極性/負極性數據電壓，藉由連接線DLL供應到數據線DL。另外，顯示驅動電路200生成並供應用於藉由掃描控制線SCL控制掃描驅動部110的掃描控制訊號。根據掃描驅動部110的掃描訊號，選擇將供應數據電壓的像素P，向選擇的像素P供應數據電壓。顯示驅動電路200可以以積體電路(IC)形成，以COG(chip on glass，玻璃覆晶)方式、COP(chip on plastic，塑料覆晶)方式或超音波接合方式附著於基板SUB1上。
第5圖是詳細顯示第3圖的觸摸感知單元的一個示例的一個示例圖。
在第5圖中，為了說明的便利，只圖示了觸摸電極TE、RE、觸摸線TL、RL及觸摸焊墊TP。
如果參照第5圖，觸摸感知單元TDU包括用於感知使用者觸摸的觸摸感測器區域TSA和在觸摸感測器區域TSA周邊配置的觸摸周邊區域TPA。觸摸感測器區域TSA可以重疊於顯示單元DU的顯示區域DA，觸摸周邊區域TPA可以重疊於顯示單元DU的非顯示區域NDA。
觸摸電極TE、RE可以配置於觸摸感測器區域TSA。觸摸電極TE、RE可以包括沿第一方向(X軸方向)電連接的感知電極RE和沿與第一方向(X軸方向)交叉的第二方向(Y軸方向)電連接的驅動電極TE。另外，在第5圖中雖然示例性圖示了感知電極RE和驅動電極TE以菱形形態的平面形態形成的情形，但不限定於此。
感知電極RE與驅動電極TE為了防止在他們的交叉區域相互短路(short circuit)，沿第二方向(Y軸方向)彼此鄰接的驅動電極TE可以藉由連接電極BE而電連接。此時，驅動電極TE和感知電極RE可以配置於一層，連接電極 BE可以配置於與驅動電極TE和感知電極RE不同的層。另外，沿第一方向(X軸方向)電連接的感知電極RE與沿第二方向(Y軸方向)電連接的驅動電極TE彼此電氣絕緣。
觸摸線TL、RL可以配置於觸摸周邊區域TPA。觸摸線TL、RL可以包括連接於感知電極RE的感知線RL、連接於驅動電極TE的第一驅動線TL1和第二驅動線TL2。
在觸摸感測器區域TSA右側配置的感知電極RE可以連接於感知線RL。例如，在沿第一方向(X軸方向)電連接的感知電極RE中，在右側末端配置的感知電極可以連接於感知線RL。感知線RL可以連接於第一觸摸焊墊TP1。因此，觸摸驅動電路400可以電連接於感知電極RE。
在觸摸感測器區域TSA的下側配置的驅動電極TE可以連接於第一驅動線TL1，在觸摸感測器區域TSA的上側配置的驅動電極TE可以連接於第二驅動線TL2。例如，在沿第二方向(Y軸方向)電連接的驅動電極TE中，在下側末端配置的驅動電極TE可以連接於第一驅動線TL1，在上側末端配置的驅動電極TE可以連接於第二驅動線TL2。第二驅動線TL2可以經由觸摸感測器區域TSA的左外側，在觸摸感測器區域TSA的上側連接於驅動電極TE。第一驅動線TL1和第二驅動線TL2可以連接於第二觸摸焊墊TP2。因此，觸摸驅動電路400可以電連接於驅動電極TE。
觸摸電極TE、RE可以以互電容方式或自電容方式驅動。首先，當觸摸電極TE、RE以互電容方式驅動時，藉由第一驅動線TL1和第二驅動線TL2向驅動電極TE供應驅動訊號，對在感知電極RE與驅動電極TE的交叉區域形成的互電容進行充電。然後，藉由感知線RL測量感知電極RE的充電變化量，根據感知電極RE的充電變化量，判斷觸摸輸入與否。驅動訊號可以是具有多個驅動脈衝的訊號。
其次，當觸摸電極TE、RE以自電容方式驅動時，藉由第一驅動線TL1、第二驅動線TL2及感知線RL，向驅動電極TE和感知電極RE全部供應驅動訊號，對驅動電極TE和感知電極RE的自電容進行充電。然後，藉由第一驅動線TL1、第二驅動線TL2及感知線RL，測量驅動電極TE與感知電極RE的自電容的充電變化量，根據自電容的充電變化量，判斷觸摸輸入與否。
驅動電極TE、感知電極RE及連接電極BE如第5圖所示，可以以網形態的電極形成。包括驅動電極TE和感知電極RE的觸摸感測器層TSL如第3圖所示直接在薄膜封裝層TFEL上形成時，由於發光元件層EML的第二電極與觸摸感測器層TSL的驅動電極TE或感知電極RE之間的距離近，因而在發光元件層EML的第二電極與觸摸感測器層TSL的驅動電極TE或感知電極RE之間，寄生電容(parasitic capacitance)會形成得非常大。因此，為了減小所述寄生電容，驅動電極TE和感知電極RE與以諸如ITO或IZO的透明氧化物導電層的非圖案電極形成的情形相比，如第5圖所示，較佳以網形態的電極形成。
在感知線RL中最外側配置的感知線RL的外側，可以配置有第一保護線GL1。另外，在第一保護線GL1的外側，可以配置有第一接地線GRL1。即，在感知線RL中右側末端配置的感知線RL的右側，可以配置有第一保護線GL1，在第一保護線GL1的右側，可以配置有第一接地線GRL1。
在感知線RL中最內側配置的感知線RL與第一驅動線TL1中右側末端配置的第一驅動線TL1之間，可以配置有第二保護線GL2。另外，第二保護線GL2可以配置於第一驅動線TL1中右側末端配置的第一驅動線TL1與第二接地線GRL2之間。進而，第三保護線GL3可以配置於感知線RL中最內側配置的感知線RL與第二接地線GRL2之間。第二接地線GRL2可以連接於第一觸摸焊墊TP1中最左側配置的第一觸摸焊墊與第二觸摸焊墊TP2中最右側配置的第二觸摸焊墊。
在第二驅動線TL2中最外側配置的第二驅動線TL2的外側，可以配置有第四保護線GL4。另外，在第四保護線GL4的外側，可以配置有第三接地線GRL3。即，在第二驅動線TL2中左側和上側末端配置的第二驅動線TL2的左側和上側，可以配置有第四保護線GL4，在第四保護線GL4的左側和上側，可以配置有第三接地線GRL3。
在第二驅動線TL2中最內側配置的第二驅動線TL2的內側，可以配置有第五保護線GL5。即，第五保護線GL5可以配置於第二驅動線TL2中右側末端配置的第二驅動線TL2與觸摸電極TE、RE之間。
根據第5圖所示的實施例，第一接地線GRL1、第二接地線GRL2及第三接地線GRL3可以在顯示面板100的上側、左側及右側的最外側配置。另外，向第一接地線GRL1、第二接地線GRL2及第三接地線GRL3施加接地電壓。因此，在從外部接入靜電時，靜電可以向第一接地線GRL1、第二接地線GRL2及第三接地線GRL3放電。
另外，根據第5圖所示的實施例，第一保護線GL1配置於在最外側配置的感知線RL與第一接地線GRL1之間，因而可以發揮使在最外側配置的感知線RL受第一接地線GRL1電壓變化的影響實現最小化的作用。第二保護線GL2配置於在最內側配置的感知線RL與在最外側配置的第一驅動線TL1之間。因此，第二保護線GL2可以發揮使在最內側配置的感知線RL與在最外側配置的第一驅動線TL1受電壓變化的影響實現最小化的作用。第三保護線GL3配置於在最內側配置的感知線RL與第二接地線GRL2之間，因而可以發揮使在最內側配置的感知線RL受第二接地線GRL2電壓變化的影響實現最小化的作用。第四保護線GL4配置於在最外側配置的第二驅動線TL2與第三接地線GRL3之間，因而可以發揮使第二驅動線TL2受第三接地線GRL3電壓變化的影響實現最小化的作用。第五保護線GL5配置於在最內側配置的第二驅動線TL2與觸摸電極TE、RE之間，因而 可以發揮使最內側配置的第二驅動線TL2與觸摸電極TE、RE受到的相互影響實現最小化的作用。
當觸摸電極TE、RE以互電容方式驅動時，在第一保護線GL1、第二保護線GL2、第三保護線GL3、第四保護線GL4及第五保護線GL5，可以接入接地電壓。另外，當觸摸電極TE、RE以自電容方式驅動時，在第一保護線GL1、第二保護線GL2、第三保護線GL3、第四保護線GL4及第五保護線GL5，可以接入與向第一驅動線TL1、第二驅動線TL2及感知線RL接入的驅動訊號相同的驅動訊號。
第6圖是顯示第4圖的子像素與第5圖的第一觸摸金屬層的一個示例的俯視圖。
如果參照第6圖，子像素可以包括第一子像素RP、第二子像素GP及第三子像素BP。第一子像素RP可以分別顯示第一色，第二子像素GP可以分別顯示第二色，第三子像素BP可以分別顯示第三色。第一色可以為紅色，第二色可以為綠色，第三色可以為藍色，但不限定於此。
顯示面板100可以按像素P單位，進行白色漸變表現。一個第一子像素RP、兩個第二子像素GP及一個第三子像素BP可以定義為一個像素P。另外，定義為一個像素P的第一子像素RP、第二子像素GP及第三子像素BP如第6圖所示，可以配置成菱形形態。
在顯示面板100中，第一子像素RP的個數與第三子像素BP的個數可以相同。在顯示面板100中，第二子像素GP的個數可以為第一子像素RP的個數的兩倍，為第三子像素BP的個數的兩倍。另外，在顯示面板100中，第二子像素GP的個數可以同第一子像素RP的個數與第三子像素BP的個數之和相同。
在第6圖中，示例性圖示了第一子像素RP、第二子像素GP及第三子像素BP在平面上觀察時以菱形形態形成的情形，但本發明的實施例不限定於 此。即，第一子像素RP、第二子像素GP及第三子像素BP在平面上觀察時，也可以以矩形或正方形形態形成，除四邊形之外，也可以以其他多邊形、圓形或橢圓形形成。另外，第一子像素RP的形態、第二子像素GP的形態及第三子像素BP的形態可以彼此相異。
在第6圖中，示例性圖示了在平面上觀察時，第一子像素RP的大小、第二子像素GP的大小及第三子像素BP的大小彼此相同的情形，但本發明實施例不限定於此。即，當在平面上觀察時，第一子像素RP的大小、第二子像素GP的大小及第三子像素BP的大小可以彼此相異。例如，當在平面上觀察時，第一子像素RP的大小可以大於第二子像素GP的大小，第三子像素BP的大小可以大於第二子像素GP的大小。另外，當在平面上觀察時，第一子像素RP的大小可以與第三子像素BP的大小實質上相同或小於第三子像素BP的大小。
第一全反射層210不與第一子像素RP、第二子像素GP及第三子像素BP重疊。第一全反射層210分別可以配置得在平面上觀察時，包圍各個子像素RP、GP、BP。
第一全反射層210的平面形態可以依存於子像素RP、GP、BP的形態。例如，當第一子像素RP的形態、第二子像素GP的形態及第三子像素BP的形態相同時，包圍第一子像素RP的第一全反射層210的形態、包圍第二子像素GP的第一全反射層210的形態及包圍第三子像素BP的第一全反射層210的形態可以相同。或者，當第一子像素RP的形態、第二子像素GP的形態及第三子像素BP的形態彼此相異時，包圍第一子像素RP的第一全反射層210的形態、包圍第二子像素GP的第一全反射層210的形態及包圍第三子像素BP的第一全反射層210的形態可以彼此相異。
當在平面上觀察時，第一全反射層210的大小可以依存於子像素RP、GP、BP的大小。例如，當在平面上觀察時，第一子像素RP的大小、第二 子像素GP的大小及第三子像素BP的大小相同時，包圍第一子像素RP的第一全反射層210的大小、包圍第二子像素GP的第一全反射層210的大小及包圍第三子像素BP的第一全反射層210的大小可以相同。或者，當在平面上觀察時，第一子像素RP的大小、第二子像素GP的大小及第三子像素BP的大小相異時，包圍第一子像素RP的第一全反射層210的大小、包圍第二子像素GP的第一全反射層210的大小及包圍第三子像素BP的第一全反射層210的大小可以彼此相異。
驅動電極TE當在平面上觀察時，可以包圍第一全反射層210地配置。驅動電極TE不與第一子像素RP、第二子像素GP及第三子像素BP重疊。另外，驅動電極TE不與第一全反射層210重疊。驅動電極TE可以以網(mesh)形態形成，配置於子像素RP、GP、BP之間。因此，可以防止子像素RP、GP、BP各自的開口區域因驅動電極TE而減小。另外，可以減小驅動電極TE與第二電極173間的重疊面積，因而可以減小驅動電極TE與第二電極173間的寄生電容。另一方面，感知電極RE可以與驅動電極TE實質上相同地形成，因而省略對感知電極RE的詳細說明。
第7圖是顯示第6圖的Ⅱ-Ⅱ’的一個示例的剖面圖。
如果參照第7圖，在基板SUB1上形成有薄膜電晶體層TFTL。薄膜電晶體層TFTL包括薄膜電晶體120、閘極絕緣膜130、層間絕緣膜140、保護膜150及平坦化膜160。
在基板SUB1的一面上可以形成有第一緩衝膜BF1。第一緩衝膜BF1為了保護薄膜電晶體120和發光元件層EML的有機發光層172不受藉由易於透濕的基板SUB1浸透的水分影響，可以在基板SUB1的一面上形成。第一緩衝膜BF1可以由交替層疊的多個無機膜構成。例如，第一緩衝膜BF1可以以由氮化矽層、氮氧化矽層、氧化矽層、氧化鈦層及氧化鋁層中一種以上的無機膜交替層疊的多重膜形成。第一緩衝膜BF1可以省略。
在第一緩衝膜BF1上形成有薄膜電晶體120。薄膜電晶體120包括主動層121、閘電極122、源電極123及汲電極124。在第9圖中，示例性圖示了薄膜電晶體120以閘電極122位於主動層121上部的上部閘極(頂閘極，top gate)方式形成的情形，但需要注意的是並不限定於此。即，薄膜電晶體120也可以以閘電極122位於主動層121下部的下部閘極(底閘極，bottom gate)方式或閘電極122位於主動層121的上部和下部的雙閘極(double gate)方式形成。
在第一緩衝膜BF1上形成有主動層121。主動層121可以包括多晶矽、單晶矽、低溫多晶矽、非晶矽或氧化物半導體。例如，氧化物半導體可以包括含有銦、鋅、鎵、錫、鈦、鋁、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鎂(Mg)等的二元化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)、四元化合物(ABxCyDz)。例如，主動層121可以包括ITZO(包括銦、錫、鈦的氧化物)或IGZO(包括銦、鎵、錫的氧化物)。在緩衝膜與主動層121之間，可以形成有用於阻斷入射到主動層121的外部光的遮光層。
在主動層121上可以形成有閘極絕緣膜130。閘極絕緣膜130可以以無機膜形成，例如可以以氮化矽層、氮氧化矽層、氧化矽層、氧化鈦層或氧化鋁層形成。
在閘極絕緣膜130上，可以形成有閘電極122和閘極線。閘電極122與閘極線可以以由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)及銅(Cu)中任意一種或他們的合金構成的單一層或多重層形成。
在閘電極122與閘極線上，可以形成有層間絕緣膜140。層間絕緣膜140可以以無機膜形成，例如可以以氮化矽層、氮氧化矽層、氧化矽層、氧化鈦層或氧化鋁層形成。
在層間絕緣膜140上，可以形成主動電極123和汲電極124。源電極123和汲電極124可以分別藉由貫通閘極絕緣膜130和層間絕緣膜140的接觸孔而連接於主動層121。源電極123和汲電極124可以以由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)及銅(Cu)中任意一種或他們的合金構成的單一層或多重層形成。
在源電極123和汲電極124上，可以形成有用於使薄膜電晶體120絕緣的保護膜150。保護膜150可以以無機膜形成，例如可以以氮化矽層、氮氧化矽層、氧化矽層、氧化鈦層或氧化鋁層形成。
在保護膜150上，可以形成有用於使因薄膜電晶體120導致的錯層變得平坦的平坦化膜160。平坦化膜160可以以丙烯酸樹脂(acryl resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚醛樹脂(phenolic resin)、聚醯氨樹脂(polyamide resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)等有機膜形成。
在薄膜電晶體層TFTL上形成有發光元件層EML。發光元件層EML包括發光元件170和像素定義膜180。
發光元件170和像素定義膜180在平坦化膜160上形成。發光元件170分別可以包括第一電極171、有機發光層172及第二電極173。
第一電極171可以在平坦化膜160上形成。第一電極171藉由貫通保護膜150和平坦化膜160的接觸孔，連接於薄膜電晶體120的源電極123。
在以有機發光層172為基準向第二電極173方向發光的上部發光(top emission)結構中，第一電極171可以以諸如鋁與鈦的層疊結構(Ti/Al/Ti)、鋁與ITO的層疊結構(ITO/Al/ITO)、APC合金及APC合金與ITO的層疊結構(ITO/APC/ITO)的高反射率的金屬物質形成。APC合金是銀(Ag)、鈀(Pd)及銅(Cu)的合金。
在以有機發光層172為基準向第一電極171方向發光的下部發光(bottom)結構中，第一電極171可以以能夠使光透過的諸如ITO、IZO的透明金屬物質(TCO，Transparent Conductive Material)或諸如鎂(Mg)、銀(Ag)或鎂(Mg)與銀(Ag)合金的半透過金屬物質(Semi-transmissive Conductive Material)形成。此時，當第一電極171以半透過金屬物質形成時，可以借助於微腔(micro cavity)而提高出光效率。
像素定義膜180為了發揮作為定義子像素RP、GP、BP的像素定義膜作用，可以在平坦化膜160上以劃分第一電極171的方式形成。像素定義膜180可以覆蓋第一電極171邊緣地形成。像素定義膜180可以以丙烯酸樹脂(acryl resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚醛樹脂(phenolic resin)、聚醯氨樹脂(polyamide resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)等有機膜形成。
子像素RP、GP、BP代表分別由第一電極171、有機發光層172及第二電極173依次層疊，來自第一電極171的電洞與來自第二電極173的電子在有機發光層172相互複合而發光的區域。子像素RP、GP、BP可以分別包括發光元件170。
在第一電極171和像素定義膜180上形成有有機發光層172。有機發光層172可以包含有機物質，發出預定顏色的光。例如，有機發光層172可以包括電洞傳輸層(hole transporting layer)、有機物質層及電子傳輸層(electron transporting layer)。此時，第一子像素RP的有機發光層172可以發出第一色的光，第二子像素GP的有機發光層172發出第二色的光，第三子像素BP的有機發光層172發出第三色的光。第一色可以為紅色，第二色可以為綠色，第三色可以為藍色，但不限定於此。
或者，子像素RP、GP、BP各自的有機發光層172可以發出白色光，此時，第一子像素RP可以與第一色的彩色濾光層重疊，第二子像素GP可以與第二色的彩色濾光層重疊，第三子像素BP可以與第三色的彩色濾光層重疊。
第二電極173在有機發光層172上形成。第二電極173可以覆蓋有機發光層172地形成。第二電極173可以是在子像素RP、GP、BP共同形成的共同層。在第二電極173上，可以形成有覆蓋層(capping layer)。
在上部發光結構中，第二電極173可以以能夠使光透過的諸如ITO、IZO的透明金屬物質(TCO，Transparent Conductive Material)或諸如鎂(Mg)、銀(Ag)或鎂(Mg)與銀(Ag)合金的半透過金屬物質(Semi-transmissive Conductive Material)形成。此時，當第二電極173以半透過金屬物質形成時，可以借助於微腔(micro cavity)而提高出光效率。
在下部發光結構中，第二電極173可以以諸如鋁與鈦的層疊結構(Ti/Al/Ti)、鋁與ITO的層疊結構(ITO/Al/ITO)、APC合金及APC合金與ITO層疊結構(ITO/APC/ITO)的高反射率的金屬物質形成。APC合金是銀(Ag)、鈀(Pd)及銅(Cu)的合金。
在發光元件層EML上形成有薄膜封裝層TFEL。薄膜封裝層TFEL包括封裝膜190。
封裝膜190配置於第二電極173上。封裝膜190為了防止氧氣或水分浸透有機發光層172和第二電極173，可以包括至少一個無機膜。另外，封裝膜190為了保護發光元件層EML不受諸如灰塵的異物質影響而可以包括至少一個有機膜。例如，封裝膜190可以包括在第二電極173上配置的第一無機膜、在第一無機膜上配置的有機膜、在有機膜上配置的第二無機膜。第一無機膜和第二無機膜可以以氮化矽層、氮氧化矽層、氧化矽層、氧化鈦層或氧化鋁層形成，但不限定於此。有機膜可以以丙烯酸樹脂(acryl resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、 酚醛樹脂(phenolic resin)、聚醯氨樹脂(polyamide resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)等形成，但不限定於此。
在薄膜封裝層TFEL上形成有第二緩衝膜BF2。第二緩衝膜BF2可以由交替層疊的多個無機膜構成。例如，第二緩衝膜BF2可以以由氮化矽層、氮氧化矽層、氧化矽層、氧化鈦層及氧化鋁層中一種以上的無機膜交替層疊的多重膜形成。第二緩衝膜BF2可以省略。
在第二緩衝膜BF2上形成有觸摸感測器層TSL。觸摸感測器層TSL如第5圖所示，可以包括驅動電極TE、感知電極RE、連接電極BE、第一驅動線TL1、第二驅動線TL2、感知線RL、保護線GL1、GL2、GL3、GL4、GL5及接地線GRL1、GRL2、GRL3。在第7圖中，為了說明的便利，只示例性圖示了觸摸感測器層TSL的驅動電極TE。
在第二緩衝膜BF2上形成有驅動電極TE。另外，在封裝膜190上，除驅動電極TE之外，可以配置有感知電極RE、第一驅動線TL1、第二驅動線TL2、感知線RL、保護線GL1、GL2、GL3、GL4、GL5及接地線GRL1、GRL2、GRL3。即，除連接電極BE之外的驅動電極TE、感知電極RE、第一驅動線TL1、第二驅動線TL2、感知線RL、保護線GL1、GL2、GL3、GL4、GL5及接地線GRL1、GRL2、GRL3可以配置於相同層，以相同的物質構成。驅動電極TE、感知電極RE、第一驅動線TL1、第二驅動線TL2、感知線RL、保護線GL1、GL2、GL3、GL4、GL5及接地線GRL1、GRL2、GRL3可以以諸如鋁與鈦的層疊結構(Ti/Al/Ti)、鋁與ITO的層疊結構(ITO/Al/ITO)、APC合金及APC合金與ITO的層疊結構(ITO/APC/ITO)形成，但本發明的實施例不限定於此。
在驅動電極TE上形成有觸摸絕緣膜TINS。觸摸絕緣膜TINS可以以無機膜形成，例如可以以氮化矽層、氮氧化矽層、氧化矽層、氧化鈦層或氧化鋁層形成。
在觸摸絕緣膜TINS上，可以形成有第5圖所示的連接電極BE。連接電極BE可以分別藉由貫通觸摸絕緣膜TINS的接觸孔而連接於驅動電極TE。借助於連接電極BE，沿第二方向(Y軸方向)配置的驅動電極TE可以電連接。連接電極BE可以以諸如鋁與鈦的層疊結構(Ti/Al/Ti)、鋁與ITO的層疊結構(ITO/Al/ITO)、APC合金及APC合金與ITO的層疊結構(ITO/APC/ITO)形成，但本發明的實施例不限定於此。
另一方面，在第7圖中，示例性圖示了驅動電極TE、感知電極RE、第一驅動線TL1、第二驅動線TL2、感知線RL、保護線GL1、GL2、GL3、GL4、GL5及接地線GRL1、GRL2、GRL3在第二緩衝膜BF2上形成，連接電極BE在觸摸絕緣膜TINS上形成的情形，但本發明的實施例不限定於此。例如，連接電極BE可以在第二緩衝膜BF2上形成，驅動電極TE、感知電極RE、第一驅動線TL1、第二驅動線TL2、感知線RL、保護線GL1、GL2、GL3、GL4、GL5及接地線GRL1、GRL2、GRL3可以在觸摸絕緣膜TINS上形成。
全反射層TRL配置於觸摸感測器層TSL上。全反射層TRL是使來自子像素RP、GP、BP的光中向側面方向而非上部方向(Z軸方向)行進的光全反射而向上部方向(Z軸方向)行進的層。全反射層TRL可以包括第一全反射層210、第二全反射層220及高折射平坦化膜230。
第一全反射層210可以配置於觸摸絕緣膜TINS上。第一全反射層210與像素定義膜180重疊，不與子像素RP、GP、BP重疊。第一全反射層210可以包括與各個子像素RP、GP、BP鄰接的第一傾斜面SS1、與第一傾斜面SS1相向的第二傾斜面SS2及連接第一傾斜面SS1與第二傾斜面SS2的第一上面UP1。第一全反射層210的第一傾斜面SS1可以為第一全反射層210的內側面，第二傾斜面SS2可以為第一全反射層210的外側面。
第一全反射層210的第一傾斜面SS1的第一傾角θ1可以為90度以下，因此，第一全反射層210的第一傾斜面SS1可以以正圓錐形成。第一傾角θ1作為第一傾斜面SS1的傾斜角度，是指觸摸絕緣膜TINS與第一全反射層210的第一傾斜面SS1構成的角度。
第一全反射層210可以以有機膜形成，或以包含無機顆粒的有機膜形成。有機膜可以是丙烯酸樹脂(acryl resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚醛樹脂(phenolic resin)、聚醯氨樹脂(polyamide resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)，但不限定於此。無機顆粒可以為金屬顆粒(particle)，但不限定於此。
第一全反射層210的厚度D1越厚，越可以提高子像素RP、GP、BP的光中被第一全反射層210的第一傾斜面SS1全反射而向上部方向(Z軸方向)行進的光的比率。因此，為了提高子像素RP、GP、BP的光的出光效率，第一全反射層210的厚度D1可以以1.5μm以上形成，較佳以大致3μm形成。
第二全反射層220可以配置於第一全反射層210上。第二全反射層220與像素定義膜180重疊，不與子像素RP、GP、BP重疊。第二全反射層220可以包括在第一傾斜面SS1上配置的第三傾斜面SS3、在第二傾斜面SS2上配置的第四傾斜面SS4、在第一上面UP1上配置的第二上面UP2。第二上面UP2可以連接第三傾斜面SS3與第四傾斜面SS4。第二全反射層220的第三傾斜面SS3可以為第二全反射層220的內側面，第四傾斜面SS4可以為外側面。
第二全反射層220的第三傾斜面SS3的第二傾角θ2可以為90度以下，因此，第二全反射層220的第三傾斜面SS3可以以正圓錐形成。第二傾角θ2作為第三傾斜面SS3的傾斜角度，是指觸摸絕緣膜TINS與第二全反射層220的第三傾斜面SS3構成的角度。
第二全反射層220可以以無機膜、有機膜及包含無機顆粒的有機膜形成。無機膜可以是氮化矽層、氮氧化矽層、氧化矽層、氧化鈦層或氧化鋁 層，但不限定於此。有機膜可以為丙烯酸樹脂(acryl resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚醛樹脂(phenolic resin)、聚醯氨樹脂(polyamide resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)，但不限定於此。無機顆粒可以為金屬顆粒(particle)，但不限定於此。
為了使子像素RP、GP、BP的光在第一全反射層210的第一傾斜面SS1全反射而向上部方向(Z軸方向)行進，較佳為第二全反射層220的折射率大於第一全反射層210的折射率。
當第二全反射層220的厚度D2形成得與第一全反射層210的厚度D1相同或厚於第一全反射層210的厚度時，在子像素RP、GP、BP的光中，在第二全反射層220的第三傾斜面SS3折射後在第一全反射層210的第一傾斜面SS1全反射而向上部方向(Z軸方向)行進的光的比率會降低。因此，較佳為第二全反射層220的厚度D2薄於第一全反射層210的厚度D1。第一全反射層210的厚度D1可以指第一全反射層210的最大厚度，第二全反射層220的厚度D2可以指第二全反射層220的最大厚度。
在第7圖中，示例性圖示了第二全反射層220配置於第一全反射層210的第一傾斜面SS1、第二傾斜面SS2及第一上面UP1上的情形，但本發明的實施例不限定於此。第二全反射層220可以只配置於第一全反射層210的第一傾斜面SS1和第二傾斜面SS2上。
第二全反射層220如第8圖所示，可以以覆蓋未被第一全反射層210覆蓋的觸摸絕緣膜TINS的方式形成。此時，第二全反射層220可以無需另外的遮罩步驟地形成，因而具有能夠減小製造費用的優點。
高折射平坦化膜230可以如第7圖所示，在觸摸絕緣膜TINS與第二全反射層220上形成，或如第8圖所示，在第二全反射層220上形成。高折射平坦化膜230發揮使因第一全反射層210和第二全反射層220引起的錯層實現平坦化 的作用。為此，較佳為高折射平坦化膜230的厚度D3形成得比第一全反射層210的厚度D1更厚。例如，高折射平坦化膜230的厚度D3可以以大致5μm形成。高折射平坦化膜230的厚度D3可以指高折射平坦化膜230的最大厚度。
高折射平坦化膜230可以以有機膜形成，或以包含無機顆粒的有機膜形成。有機膜可以為丙烯酸樹脂(acryl resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚醛樹脂(phenolic resin)、聚醯氨樹脂(polyamide resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)，但不限定於此。無機顆粒可以為金屬顆粒(particle)，但不限定於此。
為了使子像素RP、GP、BP的光在第二全反射層220的第二傾斜面SS2全反射而向上部方向(Z軸方向)行進，較佳為高折射平坦化膜230的折射率大於第二全反射層220的折射率。
根據第7圖所示的實施例，子像素RP、GP、BP的光中向側面方向而非上部方向行進的光，可以在第二全反射層220的第三傾斜面SS3全反射，或在第一全反射層210的第一傾斜面SS1全反射，或在第二全反射層220的第三傾斜面SS3折射後在第一全反射層210的第一傾斜面SS1全反射而向上部方向行進。因此，可以提高子像素RP、GP、BP的光的出光效率，因此，不僅可以延長有機發光元件的壽命，而且可以降低有機發光顯示裝置的耗電。
第9圖是詳細顯示第7圖的B區域的一個示例的剖面圖。
如果參照第9圖，第一光L1是在觸摸絕緣膜TINS與高折射平坦化膜230的界面以第一出光角度θ11出光並在第一全反射層210的第一傾斜面SS1全反射的光。第二子像素GP的有機發光層172的光，因觸摸絕緣膜TINS與高折射平坦化膜230間的折射率差異而可以在觸摸絕緣膜TINS與高折射平坦化膜230的界面折射。因此，第一出光角度θ11是指在觸摸絕緣膜TINS與高折射平坦化膜230的界面，沿上部方向垂直繪製的法線VL與第一光L1構成的角度。
第二光L2是在觸摸絕緣膜TINS與高折射平坦化膜230的界面以第二出光角度θ12出光並在第二全反射層220的第三傾斜面SS3全反射的光。第二出光角度θ12是指在觸摸絕緣膜TINS與高折射平坦化膜230的界面，沿上部方向垂直繪製的法線VL與第二光L2構成的角度。
第一出光角度θ11可以如數學式1所示算出，第二出光角度θ12可以如數學式2所示算出。
Figure 108142308-A0305-02-0031-1
Figure 108142308-A0305-02-0031-2
在第10圖中，顯示了根據數學式2算出的第二全反射層220的第二傾角θ2下的第二出光角度θ12。在第10圖中，x軸代表第二全反射層220的第二傾角θ2，y軸代表第二出光角度θ12。
另一方面，由於高折射平坦化膜230的折射率高，因而在第一全反射層210的第一傾斜面SS1全反射的第一光L1與在第二全反射層220的第三傾斜面SS3全反射的第二光L2會在入射到高折射平坦化膜230時或從高折射平坦化膜230出射時折射，因而第一出光角度θ11與第二出光角度θ12如第10圖所示，會根據高折射平坦化膜230的折射率而變更。即，高折射平坦化膜230的折射率越高，則第一出光角度θ11與第二出光角度θ12會越高。
如第10圖所示，第二全反射層220的第二傾角θ2越大，則第二出光角度θ12越大。另外，當第二全反射層220的第二傾角θ2與第二全反射層220的折射率既定時，如第10圖所示，高折射平坦化膜230的折射率越大，則第二出光角度θ12越大。即，高折射平坦化膜230的折射率與第二全反射層220的折射 率之間的差異越大，則第二出光角度θ12越大。例如，如果參照第10圖，在第二全反射層220的第二傾角θ2為75°、第二全反射層220的折射率為1.5的情況下，當高折射平坦化膜230的折射率為1.8時，第二出光角度θ12可以大致為30°，與此相比，當高折射平坦化膜230的折射率為1.55時，第二出光角度θ12大致為26°。
與第10圖類似，第一全反射層210的第一傾角θ1越大，則第一出光角度θ11越大。另外，在第一全反射層210的第一傾角θ1與第一全反射層210的折射率既定的情況下，第二全反射層220的折射率越大，則第一出光角度θ11越大。第二全反射層220的折射率與第一全反射層210的折射率之間的差異越大，則第一出光角度θ11越大。
因此，在第一全反射層210的第一傾角θ1與第二全反射層220的第二傾角θ2實質上相同、第一全反射層210與第二全反射層220間的折射率差異同第二全反射層220與高折射平坦化膜230間的折射率差異實質上相同的情況下，第一出光角度θ11與第二出光角度θ12可以實質上相同。
進而，用於輸出第二光L2的第二全反射層220的第二傾角θ2的最小角度如第11圖所示，會因第二全反射層220與高折射平坦化膜230間的折射率差異而變更。具體而言，第二全反射層220與高折射平坦化膜230間的折射率差異越小，則用於輸出第二光L2的第二全反射層220的第二傾角θ2的最小角度會越大。
與第11圖類似，第一全反射層210與第二全反射層220間的折射率差異越小，則用於輸出第一光L1的第一全反射層210的第一傾角θ1的最小角度會越大。
第三光L3是在觸摸絕緣膜TINS與高折射平坦化膜230的界面以第三出光角度θ13出光並在第二全反射層220的第三傾斜面SS3折射後在第一全反 射層210的第一傾斜面SS1全反射的光。第三出光角度θ13是指在觸摸絕緣膜TINS與高折射平坦化膜230的界面，沿上部方向垂直繪製的法線VL與第三光L3構成的角度。
第三出光角度θ13、第一全反射層210的第一傾角θ1及第二全反射層220的第二傾角θ2可以如數學式3所示進行定義。
Figure 108142308-A0305-02-0033-3
在數學式3中，n2指第二全反射層220的折射率，n3指高折射平坦化膜230的折射率。
在第12圖中，顯示出根據數學式3算出的第二全反射層220的各第二傾角θ2的第三出光角度θ13下的第一全反射層210的第一傾角θ1。在第12圖中，x軸代表第三出光角度θ13，y軸代表第一全反射層210的第一傾角θ1。
如第12圖及第13圖所示，第一全反射層210的第一傾角θ1越大，則第三出光角度θ13越小。另外，如第12圖及第13圖所示，第二全反射層220的第二傾角θ2越大，則第三出光角度θ13越小。
另外，如第12圖及第13圖所示，第一全反射層210與第二全反射層220間的折射率差異和第二全反射層220與高折射平坦化膜230間的折射率差異越大，則第三出光角度θ13越小。例如，如第12圖所示，在第一全反射層210的折射率為1.5、第二全反射層220的折射率為1.65、高折射平坦化膜230的折射率為1.8的情況下，當第一全反射層210的第一傾角θ1為75°、第二全反射層220的第二傾角θ2為75°時，第三出光角度θ13可以大致為43°。與此相比，如第13圖所示，在第一全反射層210的折射率為1.5、第二全反射層220的折射率為1.6、高折射平坦化膜230的折射率為1.7的情況下，當第一全反射層210的第一傾角θ1 為75°、第二全反射層220的第二傾角θ2為75°時，第三出光角度θ13可以大致為40°。
第14圖是詳細顯示第7圖的B區域的又一示例的剖面圖。
如果參照第14圖，第一全反射層210的第一傾角θ1可以大於第二全反射層220的第二傾角θ2。第一全反射層210的第一傾角θ1越大，則第一光L1的第一出光角度θ11越大，如第10圖所示，第二全反射層220的第二傾角θ2越大，則第二光L2的第二出光角度θ12越大。因此，當第一全反射層210與第二全反射層220間的折射率差異同第二全反射層220與高折射平坦化膜230間的折射率差異實質上相同時，第一全反射層210的第一傾角θ1大於第二全反射層220的第二傾角θ2，因此，第一出光角度θ11可以大於第二出光角度θ12。
另外，第一全反射層210的第一傾角θ1越大，則第三光L3的第三出光角度θ13越小，第二全反射層220的第二傾角θ2越大，則第三出光角度θ13越小。因此，在第一全反射層210與第二全反射層220間的折射率差異同第二全反射層220與高折射平坦化膜230間的折射率差異實質上相同的情況下，在如第14圖所示的實施例中，第二全反射層220的第二傾角θ2小於第9圖所示的實施例，因而在第14圖所示的實施例中，第三光L3的第三出光角度θ13可以大於第9圖所示的實施例。
例如，如果參照第12圖，在第一全反射層210的折射率為1.5、第二全反射層220的折射率為1.65、高折射平坦化膜230的折射率為1.8、第一全反射層210的第一傾角θ1為75°、第二全反射層220的第二傾角θ2為70°的情況下，第三出光角度θ13可以大致為45°。與此相比，在第一全反射層210的折射率為1.5、第二全反射層220的折射率為1.65、高折射平坦化膜230的折射率為1.8、第一全反射層210的第一傾角θ1為75°、第二全反射層220的第二傾角θ2為75°的情況下，第三出光角度θ13可以大致為42°。
另外，第一全反射層210與第二全反射層220間的折射率差異和第二全反射層220與高折射平坦化膜230間的折射率差異越大，則第三光L3的第三出光角度θ13越小。例如，如果參照第12圖，在第一全反射層210的折射率為1.5、第二全反射層220的折射率為1.65、高折射平坦化膜230的折射率為1.8、第一全反射層210的第一傾角θ1為75°、第二全反射層220的第二傾角θ2為70°的情況下，第三出光角度θ13可以大致為45°。與此相比，在第一全反射層210的折射率為1.5、第二全反射層220的折射率為1.6、高折射平坦化膜230的折射率為1.7、第一全反射層210的第一傾角θ1為75°、第二全反射層220的第二傾角θ2為70°的情況下，第三出光角度θ13可以大致為42°。
第15圖是詳細顯示第7圖的B區域的又一示例的剖面圖。
如果參照第15圖，第一全反射層210的第一傾角θ1可以小於第二全反射層220的第二傾角θ2。第一全反射層210的第一傾角θ1越大，則第一光L1的第一出光角度θ11越大，如第10圖所示，第二全反射層220的第二傾角θ2越大，則第二光L2的第二出光角度θ12越大。因此，在第一全反射層210與第二全反射層220間的折射率差異同第二全反射層220與高折射平坦化膜230間的折射率差異實質上相同的情況下，第一全反射層210的第一傾角θ1小於第二全反射層220的第二傾角θ2，因此，第一出光角度θ11會小於第二出光角度θ12。
另外，第一全反射層210的第一傾角θ1越大，則第三光L3的第三出光角度θ13越小，第二全反射層220的第二傾角θ2越大，則第三光L3的第三出光角度θ13越小。因此，在第一全反射層210與第二全反射層220間的折射率差異同第二全反射層220與高折射平坦化膜230間的折射率差異實質上相同的情況下，在第15圖所示的實施例中，第一全反射層210的第一傾角θ1小於第9圖所示的實施例，因此，在第15圖所示的實施例中，第三光L3的第三出光角度θ13會大於第9圖所示的實施例。
例如，如果參照第12圖，在第一全反射層210的折射率為1.5、第二全反射層220的折射率為1.65、高折射平坦化膜230的折射率為1.8、第一全反射層210的第一傾角θ1為70°、第二全反射層220的第二傾角θ2為75°的情況下，第三出光角度θ13可以大致為49°。與此相比，在第一全反射層210的折射率為1.5、第二全反射層220的折射率為1.65、高折射平坦化膜230的折射率為1.8、第一全反射層210的第一傾角θ1為75°、第二全反射層220的第二傾角θ2為75°的情況下，第三出光角度θ13可以大致為43°。
另外，第一全反射層210與第二全反射層220間的折射率差異和第二全反射層220與高折射平坦化膜230間的折射率差異越大，則第三光L3的第三出光角度θ13越小。例如，如果參照第12圖，在第一全反射層210的折射率為1.5、第二全反射層220的折射率為1.65、高折射平坦化膜230的折射率為1.8、第一全反射層210的第一傾角θ1為70°、第二全反射層220的第二傾角θ2為75°的情況下，第三出光角度θ13可以大致為49°。與此相比，在第一全反射層210的折射率為1.5、第二全反射層220的折射率為1.6、高折射平坦化膜230的折射率為1.7、第一全反射層210的第一傾角θ1為70°、第二全反射層220的第二傾角θ2為75°的情況下，第三出光角度θ13可以大致為47°。
正如在第9圖至第15圖中所作的考查，第一光L1的第一出光角度θ11、第二光L2的第二出光角度θ12、第三光L3的第三出光角度θ13，可以根據第一全反射層210的第一傾角θ1、第二全反射層220的第二傾角θ2、第一全反射層210的折射率、第二全反射層220的折射率及高折射平坦化膜230的折射率而確定。藉由事先實驗，在預先適當地設置第一全反射層210的第一傾角θ1、第二全反射層220的第二傾角θ2、第一全反射層210的折射率、第二全反射層220的折射率及高折射平坦化膜230的折射率的情況下，可以提高第一光L1、第二光L2及第三光L3的比率，因此，可以提高子像素RP、GP、BP的光的出光效率。 因此，不僅可以延長有機發光元件的壽命，而且可以降低有機發光顯示裝置的耗電。
第16圖是顯示第4圖的子像素與第5圖的第一觸摸金屬層的又一示例的俯視圖。
第16圖所示的實施例在第一全反射層210與驅動電極TE重疊地配置方面，與第6圖所示的實施例存在差異。
如果參照第16圖，第一全反射層210當在平面上觀察時，不與第一子像素RP、第二子像素GP及第三子像素BP重疊。第一全反射層210當在平面上觀察時，可以包括露出子像素RP、GP、BP的開口區域OA。
開口區域OA的平面形態可以依存於子像素RP、GP、BP的形態。例如，在第一子像素RP的形態、第二子像素GP的形態及第三子像素BP的形態相同的情況下，露出第一子像素RP的開口區域OA的形態、露出第二子像素GP的開口區域OA的形態及露出第三子像素BP的開口區域OA的形態可以相同。或者，在第一子像素RP的形態、第二子像素GP的形態及第三子像素BP的形態彼此相異的情況下，露出第一子像素RP的開口區域OA的形態、露出第二子像素GP的開口區域OA的形態及露出第三子像素BP的開口區域OA的形態可以彼此相異。
當在平面上觀察時，開口區域OA的大小會依存於子像素RP、GP、BP的大小。例如，當在平面上觀察時，在第一子像素RP的大小、第二子像素GP的大小及第三子像素BP的大小相同的情況下，露出第一子像素RP的開口區域OA的大小、露出第二子像素GP的開口區域OA的大小及露出第三子像素BP的開口區域OA的大小可以相同。或者，當在平面上觀察時，在第一子像素RP的大小、第二子像素GP的大小及第三子像素BP的大小彼此相異的情況下，露出第一 子像素RP的開口區域OA的大小、露出第二子像素GP的開口區域OA的大小及露出第三子像素BP的開口區域OA的大小可以彼此相異。
第一全反射層210可以與驅動電極TE重疊。感知電極RE可以與驅動電極TE實質上相同地形成，因此，第一全反射層210可以與感知電極RE重疊。另外，連接電極BE與驅動電極TE及感知電極RE重疊，因而第一全反射層210可以與連接電極BE重疊。
第17圖是顯示第16圖的Ⅲ-Ⅲ’的一個示例的剖面圖。
第17圖所示的實施例在第一全反射層210包括對露出各個子像素RP、GP、BP的開口區域OA進行定義的第一傾斜面SS1和第一全反射層210覆蓋驅動電極TE地形成方面，與第7圖所示的實施例存在差異。
如果參照第17圖，第一全反射層210如第17圖所示，除露出各個子像素RP、GP、BP的開口區域OA外，可以覆蓋驅動電極TE與觸摸絕緣膜TINS地形成。
另一方面，在第17圖中，示例性圖示了第二全反射層220配置於第一全反射層210的第一傾斜面SS1和第一上面UP1上的情形，但本發明的實施例不限定於此。即，第二全反射層220可以配置於第一全反射層210和未被第一全反射層210覆蓋而露出的觸摸絕緣膜TINS上。
第18圖是顯示第16圖的Ⅲ-Ⅲ’的另一示例的剖面圖。
第18圖所示的實施例在省略觸摸絕緣膜TINS且觸摸感測器層TSL與全反射層TRL由一層形成方面，與第17圖所示的實施例存在差異。
如果參照第18圖，在驅動電極TE上，形成有第一全反射層210。在第一全反射層210上可以形成有連接電極BE。在連接電極BE上，可以形成有第二全反射層220。連接電極BE可以分別藉由貫通第一全反射層210的接觸孔而 連接於驅動電極TE。借助於連接電極BE，沿第二方向(Y軸方向)配置的驅動電極TE可以電連接。
另一方面，在第18圖中，示例性圖示了驅動電極TE、感知電極RE、第一驅動線TL1、第二驅動線TL2、感知線RL、保護線GL1、GL2、GL3、GL4、GL5及接地線GRL1、GRL2、GRL3在第二緩衝膜BF2上形成，連接電極BE在第一全反射層210上形成的情形，但本發明的實施例不限定於此。例如，連接電極BE可以在第二緩衝膜BF2上形成，驅動電極TE、感知電極RE、第一驅動線TL1、第二驅動線TL2、感知線RL、保護線GL1、GL2、GL3、GL4、GL5及接地線GRL1、GRL2、GRL3可以在第一全反射層210上形成。
另一方面，在第18圖中，示例性圖示了第二全反射層220配置於第一全反射層210的第一傾斜面SS1與第一上面UP1上的情形，但本發明的實施例不限定於此。即，第二全反射層220可以配置於第一全反射層210和未被第一全反射層210覆蓋而露出的觸摸絕緣膜TINS上。
第19圖是顯示第4圖的子像素與第5圖的第一觸摸金屬層的又一示例的俯視圖。
第19圖所示的實施例當在平面上觀察時，在第三全反射層240包圍第一全反射層210地配置方面，與第6圖所示的實施例存在差異。
如果參照第19圖，第三全反射層240不與第一子像素RP、第二子像素GP及第三子像素BP重疊。第三全反射層240當在平面上觀察時，可以分別包圍各個子像素RP、GP、BP地配置。另外，第三全反射層240當在平面上觀察時，可以分別包圍各個第一全反射層210地配置。另外，驅動電極TE當在平面上觀察時，可以包圍第三全反射層240地配置。驅動電極TE不與第三全反射層240重疊。
第三全反射層240的平面形態會依存於子像素RP、GP、BP的形態。例如，在第一子像素RP的形態、第二子像素GP的形態及第三子像素BP的形態相同的情況下，包圍第一子像素RP的第三全反射層240的形態、包圍第二子像素GP的第三全反射層240的形態及包圍第三子像素BP的第三全反射層240的形態可以相同。或者，在第一子像素RP的形態、第二子像素GP的形態及第三子像素BP的形態彼此相異的情況下，包圍第一子像素RP的第三全反射層240的形態、包圍第二子像素GP的第三全反射層240的形態及包圍第三子像素BP的第三全反射層240的形態可以彼此相異。
當在平面上觀察時，第一全反射層210的大小會依存於子像素RP、GP、BP的大小。例如，當在平面上觀察時，在第一子像素RP的大小、第二子像素GP的大小及第三子像素BP的大小相同的情況下，包圍第一子像素RP的第三全反射層240的大小、包圍第二子像素GP的第三全反射層240的大小及包圍第三子像素BP的第三全反射層240的大小可以相同。或者，當在平面上觀察時，在第一子像素RP的大小、第二子像素GP的大小及第三子像素BP的大小彼此相異的情況下，包圍第一子像素RP的第三全反射層240的大小、包圍第二子像素GP的第三全反射層240的大小及包圍第三子像素BP的第三全反射層240的大小可以彼此相異。
第20圖是顯示第19圖的Ⅳ-Ⅳ’的一個示例的剖面圖。
第20圖所示的實施例在追加配置有第三全反射層240方面，與圖7所示的實施例存在差異。
如果參照第20圖，第三全反射層240可以配置於觸摸絕緣膜TINS上。第三全反射層240與像素定義膜180重疊，不與子像素RP、GP、BP重疊。第三全反射層240可以包括與第一全反射層210的第二傾斜面SS2鄰接的第五傾斜面SS5、與第五傾斜面SS5相向的第六傾斜面SS6及連接第五傾斜面SS5與第六傾 斜面SS6的第三上面UP3。第三全反射層240的第五傾斜面SS5可以為第三全反射層240的內側面，第六傾斜面SS6可以為第三全反射層240的外側面。
第三全反射層240的第五傾斜面SS5的第三傾角θ3可以為90度以下，因此，第三全反射層240的第五傾斜面SS5可以以正圓錐形成。第三傾角θ3作為第五傾斜面SS5的傾斜角度，是指觸摸絕緣膜TINS與第三全反射層240的第五傾斜面SS5所構成的角度。
第三全反射層240可以以有機膜形成，或以包含無機顆粒的有機膜形成。有機膜可以為丙烯酸樹脂(acryl resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚醛樹脂(phenolic resin)、聚醯氨樹脂(polyamide resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)，但不限定於此。無機顆粒可以為金屬顆粒(particle)，但不限定於此。
第三全反射層240的厚度D4越厚，則子像素RP、GP、BP的光中在第三全反射層240的第五傾斜面SS5全反射而向上部方向行進的光的比率會越高。因此，為了提高子像素RP、GP、BP的光的出光效率，第三全反射層240的厚度D4可以以1.5μm以上形成，較佳為大致以3μm形成。第三全反射層240的厚度D4可以與第一全反射層210的厚度D1實質上相同。另外，第三全反射層240的寬度W3可以與第一全反射層210的寬度W1實質上相同，但本發明的實施例不限定於此。
第四全反射層250可以配置於第三全反射層240上。第四全反射層250與像素定義膜180重疊，不與子像素RP、GP、BP重疊。第四全反射層250可以包括在第五傾斜面SS5上配置的第七傾斜面SS7、在第六傾斜面SS6上配置的第八傾斜面SS8、在第三上面UP3上配置的第四上面UP4。第四上面UP4可以連接第七傾斜面SS7與第八傾斜面SS8。第四全反射層250的第三傾斜面SS3可以為第二全反射層220的內側面，第四傾斜面SS4可以為外側面。
第四全反射層250的第七傾斜面SS7的第四傾角θ4可以為90度以下，因此，第四全反射層250的第七傾斜面SS7可以以正圓錐形成。第四傾角θ4作為第七傾斜面SS7的傾斜角度，是指觸摸絕緣膜TINS與第四全反射層250的第七傾斜面SS7構成的角度。
第四全反射層250可以以無機膜、有機膜及包含無機顆粒的有機膜形成。無機膜可以為氮化矽層、氮氧化矽層、氧化矽層、氧化鈦層或氧化鋁層，但不限定於此。有機膜可以為丙烯酸樹脂(acryl resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚醛樹脂(phenolic resin)、聚醯氨樹脂(polyamide resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)，但不限定於此。無機顆粒可以為金屬顆粒(particle)，但不限定於此。
為了使子像素RP、GP、BP的光在第三全反射層240的第五傾斜面SS5全反射而向上部方向行進，較佳為第四全反射層250的折射率大於第三全反射層240的折射率。
在第四全反射層250的厚度D5形成得與第三全反射層240的厚度D4相同或厚於第三全反射層240的厚度D4的情況下，在子像素RP、GP、BP的光中，在第四全反射層250的第七傾斜面SS7折射後在第三全反射層240的第五傾斜面SS5全反射而向上部方向(Z軸方向)行進的光的比率會下降。因此，較佳為第四全反射層250的厚度D5薄於第三全反射層240的厚度D4。第四全反射層250的厚度D5可以與第二全反射層220的厚度D2實質上相同。
在第20圖中，示例性圖示了第四全反射層250配置於第三全反射層240的第五傾斜面SS5、第六傾斜面SS6及第三上面UP3上的情形，但本發明的實施例不限定於此。第四全反射層250可以只配置於第三全反射層240的第五傾斜面SS5和第六傾斜面SS6上。
第四全反射層250如第8圖所示，可以形成得覆蓋未被第一全反射層210和第三全反射層240覆蓋的觸摸絕緣膜TINS。此時，第二全反射層220和第四全反射層250可以以一層而無需另外的遮罩步驟地形成，因而具有可以減小製造費用的優點。
高折射平坦化膜230如第20圖所示，可以在觸摸絕緣膜TINS、第二全反射層220及第四全反射層250上形成。或者，在第二全反射層220和第四全反射層250以一層而無需另外的遮罩步驟地形成的情況下，高折射平坦化膜230可以在第二全反射層220和第四全反射層250上形成。高折射平坦化膜230發揮使因第一全反射層210、第二全反射層220、第三全反射層240及第四全反射層250引起的錯層實現平坦化的作用。為此，較佳為高折射平坦化膜230的厚度D3形成得厚於第三全反射層240的厚度D4。
為了使子像素RP、GP、BP的光在第二全反射層220的第二傾斜面SS2全反射而向上部方向(Z軸方向)行進，較佳為高折射平坦化膜230的折射率大於第二全反射層220的折射率及第四全反射層250的折射率。
根據第20圖所示的實施例，子像素RP、GP、BP的光中向側面方向而非上部方向行進的光，與第7圖所示的實施例相比，可以追加地在第四全反射層250的第七傾斜面SS7全反射，或在第三全反射層240的第五傾斜面SS5全反射，或在第四全反射層250的第七傾斜面SS7折射後，在第三全反射層240的第五傾斜面SS5全反射而向上部方向行進。因此，可以進一步提高子像素RP、GP、BP的光的出光效率，因此，不僅可以進一步延長有機發光元件的壽命，而且可以進一步降低有機發光顯示裝置的耗電。
另外，子像素RP、GP、BP的光中被第三全反射層240的第五傾斜面SS5全反射的光、被第四全反射層250的第七傾斜面SS7全反射的光及被第四全反射層250的第七傾斜面SS7折射後被第三全反射層240的第五傾斜面SS5全反射 的光，根據與結合第9圖至第15圖進行說明的第一光L1、第二光L2及第三光L3實質上相同的原理而被全反射，因而省略對此的詳細說明。
另一方面，在第20圖中，示例性圖示了第二全反射層220只配置於第一全反射層210上、第四全反射層250只配置於第三全反射層240上的情形，但本發明的實施例不限定於此。即，第二全反射層220和第四全反射層250可以以一層形成，配置於第一全反射層210、第三全反射層240及未被第一全反射層210和第三全反射層240覆蓋而露出的觸摸絕緣膜TINS上。此時，以一層形成的第二全反射層220和第四全反射層250可以覆蓋驅動電極TE。
第21圖是顯示第4圖的子像素與第5圖的第一觸摸金屬層的又一示例的俯視圖。
第21圖所示的實施例在第三全反射層240與驅動電極TE重疊地配置方面，與第6圖所示的實施例存在差異。
如果參照第21圖，第三全反射層240當在平面上觀察時，不與第一子像素RP、第二子像素GP及第三子像素BP重疊。第三全反射層240當在平面上觀察時，可以包括露出子像素RP、GP、BP和第一全反射層210的開口區域OA2。
開口區域OA2的平面形態會依存於子像素RP、GP、BP的形態。另外，當在平面上觀察時，開口區域OA2的大小會依存於子像素RP、GP、BP的大小。
第三全反射層240可以與驅動電極TE重疊。感知電極RE可以與驅動電極TE實質上相同地形成，因此，第三全反射層240可以與感知電極RE重疊。另外，連接電極BE如第5圖所示，與驅動電極TE及感知電極RE重疊，因此，第一全反射層210可以與連接電極BE重疊。
第22圖是顯示第21圖的V-V’的一個示例的剖面圖。
第22圖所示的實施例，在第三全反射層240包括對露出各個子像素RP、GP、BP的開口區域OA進行定義的第五傾斜面SS5和第三全反射層240覆蓋驅動電極TE地形成方面，與第20圖所示的實施例存在差異。
如果參照第22圖，第三全反射層240如第22圖所示，除露出各個子像素RP、GP、BP的開口區域OA之外，可以覆蓋驅動電極TE和觸摸絕緣膜TINS地形成。
另一方面，在第22圖中，示例性圖示了第二全反射層220只配置於第一全反射層210、第四全反射層250只配置於第三全反射層240上的情形，但本發明的實施例不限定於此。即，第二全反射層220和第四全反射層250可以以一層形成，配置於第一全反射層210、第三全反射層240及未被第一全反射層210和第三全反射層240覆蓋而露出的觸摸絕緣膜TINS上。第23圖是顯示圖21的V-V’的另一示例的剖面圖。
第23圖所示的實施例，在省略了觸摸絕緣膜TINS且觸摸感測器層TSL與全反射層TRL以一層形成方面，與第22圖所示的實施例存在差異。
如果參照第23圖，在驅動電極TE上形成有第三全反射層240。在第三全反射層240上，可以形成有連接電極BE。在連接電極BE上，可以形成有第四全反射層250。連接電極BE分別可以藉由貫通第三全反射層240的接觸孔而連接於驅動電極TE。借助於連接電極BE而沿第二方向(Y軸方向)配置的驅動電極TE可以電連接。
另一方面，在第23圖中，示例性圖示了驅動電極TE、感知電極RE、第一驅動線TL1、第二驅動線TL2、感知線RL、保護線GL1、GL2、GL3、GL4、GL5及接地線GRL1、GRL2、GRL3在第二緩衝膜BF2上形成，連接電極BE在第三全反射層240上形成的情形，但本發明的實施例不限定於此。例如，連接電極BE可以在第二緩衝膜BF2上形成，驅動電極TE、感知電極RE、第一驅動 線TL1、第二驅動線TL2、感知線RL、保護線GL1、GL2、GL3、GL4、GL5及接地線GRL1、GRL2、GRL3可以在第三全反射層240上形成。
另一方面，在第23圖中，示例性圖示了第二全反射層220只配置於第一全反射層210上、第四全反射層250只配置於第三全反射層240上的情形，但本發明的實施例不限定於此。即，第二全反射層220和第四全反射層250可以以一層形成，配置於第一全反射層210、第三全反射層240及未被第一全反射層210和第三全反射層240覆蓋而露出的觸摸絕緣膜TINS上。
以上參照圖式，說明了本發明的實施例，但本發明所屬技術領域具有通常知識者可以理解，在不變更本發明的技術思想或必要特徵的情況下，可以以其他具體形態實施。因此，以上記述的實施例在所有方面應理解為只是示例性而非限定性的。
BP:第三子像素
GP:第二子像素
RP:第一子像素
TE:驅動電極
210:第一全反射層

Claims (22)

  1. 一種顯示裝置，其包括：子像素，包括第一電極、發光層及第二電極；像素定義膜，定義該子像素；第一全反射層，與該像素定義膜重疊；第二全反射層，配置於該第一全反射層上；以及平坦化膜，配置於該第二全反射層上，其中該平坦化膜的折射率大於該第二全反射層的折射率，該第二全反射層的折射率大於該第一全反射層的折射率，且其中該平坦化膜的最大厚度厚於該第一全反射層的最大厚度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該第一全反射層的最大厚度厚於該第二全反射層的最大厚度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該第一全反射層不與該子像素重疊。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其進一步具備配備於該子像素的第二電極和該像素定義膜上的封裝膜，該第一全反射層配置於該封裝膜上，該第二全反射層配置於未被該第一全反射層覆蓋的該封裝膜上。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的顯示裝置，其進一步具備配置於該封裝膜與該第一全反射層之間的緩衝層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該第一全反射層在平面上包圍該子像素。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其進一步具備與該像素定義膜重疊的觸摸電極。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的顯示裝置，其中，該觸摸電極不與該第一全反射層重疊。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中，該第二全反射層覆蓋該觸摸電極。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的顯示裝置，其中，該第一全反射層覆蓋該觸摸電極。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的顯示裝置，其中，該第一全反射層包括在平面上露出該子像素的開口區域。
  12. 如申請專利範圍第7項所述的顯示裝置，其進一步具備覆蓋該觸摸電極的觸摸絕緣層，該第一全反射層配置於該觸摸絕緣層上。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其進一步具備與該像素定義膜重疊的第三全反射層，在平面上，該第一全反射層在平面上包圍該子像素，該第三全反射層包圍該第一全反射層。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的顯示裝置，其進一步具備配置於該第三全反射層上的第四全反射層，該第四全反射層的折射率大於該第三全反射層的折射率。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的顯示裝置，其進一步具備配 置於該子像素的第二電極與該像素定義膜上的封裝膜，該第一全反射層和該第三全反射層配置於該封裝膜上，該第二全反射層配置於該第三全反射層和未被該第一全反射層與該第三全反射層覆蓋的該封裝膜上。
  16. 如申請專利範圍第13項所述的顯示裝置，其進一步具備與該像素定義膜重疊的觸摸電極。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的顯示裝置，其中，該觸摸電極不與該第一全反射層及該第三全反射層重疊。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的顯示裝置，其中，該第二全反射層覆蓋該觸摸電極。
  19. 如申請專利範圍第16項所述的顯示裝置，其中，該第三全反射層覆蓋該觸摸電極。
  20. 如申請專利範圍第16項所述的顯示裝置，其進一步具備覆蓋該觸摸電極的觸摸絕緣層，該第一全反射層和該第三全反射層配置於該觸摸絕緣層上。
  21. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該第一全反射層包括與該子像素鄰接的第一傾斜面，該第二全反射層包括配置於該第一傾斜面上的第二傾斜面，該第一傾斜面的傾斜角度定義為第一傾角，該第二傾斜面的傾斜角度定義為第二傾角，被該第一全反射層全反射的光的出光角度與被該第二全反射層全反射的光的出光角度分別越大，則該第一傾角和該第二傾角 分別越大。
  22. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該第一全反射層包括與該子像素鄰接的第一傾斜面，該第二全反射層包括配置於該第一傾斜面上的第二傾斜面，該第一傾斜面的傾斜角度定義為第一傾角，該第二傾斜面的傾斜角度定義為第二傾角，被該第二全反射層折射後被該第一全反射層全反射的光的出光角度越大，則該第一傾角與該第二傾角分別越小。
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