CN113410408B - 显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及显示装置。显示面板包括：衬底；像素定义层，设置于衬底一侧，像素定义层包括开口区和至少部分地围绕开口区的非开口区；光提取层，位于像素定义层背离衬底的一侧，光提取层包括第一提取层和第二提取层，第一提取层位于非开口区，第一提取层包括主提取结构和辅助提取结构，主提取结构包括朝向开口区的第一内表面；辅助提取结构与第一内表面连接；辅助提取结构的光稳定性大于主提取结构的光稳定性。通过具备更高光稳定性的辅助提取结构来防止主提取结构的边缘与像素定义层出现明显的翘曲或孔洞，同时在制作第二提取层时，避免第二提取层的材料进入主提取结构与像素定义层之间，从而提高光提取层的光提取能力。

Description

显示面板及显示装置

技术领域

本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

光提取层用于提高显示面板中OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）发光器件的发光效率。如何提高显示面板的光提取层的光提取能力成为亟待解决的问题。

发明内容

本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置，能够降低高折射率材料进入低折射率层与显示层之间的可能性。

第一方面，本申请提供一种显示面板，包括：衬底；像素定义层，设置于衬底一侧，像素定义层包括开口区和至少部分地围绕开口区的非开口区；光提取层，位于像素定义层背离衬底的一侧，光提取层包括第一提取层和第二提取层，第一提取层位于非开口区，第一提取层包括主提取结构和辅助提取结构，主提取结构包括朝向开口区的第一内表面；辅助提取结构与第一内表面连接；辅助提取结构的光稳定性大于主提取结构的光稳定性。

第二方面，本申请提供一种显示装置，包括本申请第一方面的显示面板。

本申请实施例提供的显示面板及显示装置，通过具备更高光稳定性的辅助提取结构来防止主提取结构的边缘与像素定义层出现明显的翘曲或孔洞，同时在制作第二提取层时，避免第二提取层的材料进入主提取结构与像素定义层之间，从而提高光提取层的光提取能力。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为相关技术制作第一提取层的示意图。

图2为相关技术中对第一提取层曝光进行图案化的示意图。

图3为在相关技术中完成第一提取层后的示意图。

图4为相关技术制作第二提取层后的示意图。

图5为本申请的一个实施例的显示面板示意图。

图6为图5中A-A截面的剖视图。

图7为本申请的一个实施例的光提取层与像素定义层的示意图。

图8为本申请另一个实施例的光提取层与像素定义层的示意图。

图9为光提取层和像素定义层的光路示意图。

图10为光提取层和像素定义层的尺寸示意图。

图11为本申请的一个实施例中第一提取层的光路示意图。

图12为图11的实施例中，调整辅助提取结构后，第一提取层的光路示意图。

图13为本申请一个实施例中发光器件的排布示意图。

图14为本申请的一个实施例中显示面板包括第一器件、第二器件和第三器件时的结构示意图。

图15为本申请的另一个实施例中显示面板包括第一器件、第二器件和第三器件时的结构示意图。

附图中：

100、显示面板；

110、衬底；

120、阵列层；

130、平坦化层；

140、发光器件层；141、阳极；142、有机发光层；143、阴极；144、空穴传输层；145、电子传输层；146、像素定义层；147、像素定义开口；148、发光器件；148A、第一器件；148B、第二器件；148C、第三器件；

150、光提取层；151、第一提取层；152、第二提取层；153、主提取结构；154、辅助提取结构；155、第一内表面；156、第二内表面；157、第一子面；158、第二子面；

160、开口结构；

170、封装层；

AA、显示区；NA、非显示区；B、开口区；NB、非开口区。

具体实施方式

下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本申请的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请的更好的理解。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将结合附图对实施例进行详细描述。

诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。

另外，本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

应理解，在本申请实施例中，“与A相应的B”表示B与A相关联，根据A可以确定B。但还应理解，根据A确定B并不意味着仅仅根据A确定B，还可以根据A和/或其它信息确定B。

相关技术中，通常会采用光提取层来提高显示面板的光线利用率。为了实现光提取效果，会采用高折射率的第二提取层覆盖带有开口且低折射率的第一提取层的形式。

图1为相关技术制作第一提取层的示意图。图2为相关技术中对第一提取层曝光进行图案化的示意图。图3为在相关技术中完成第一提取层后的示意图。图4为相关技术制作第二提取层后的示意图。

申请人发现，在制作光提取层时，参考图1，会先将第一提取层151的材料覆盖显示层。第一提取层151通常采用负性光阻材料，光稳定性较差，通过光照去除材料来实现第一提取层的图案化。需要说明的是，材料的光稳定性指的是，材料在光照作用下引发化学反应的难易程度。材料的光稳定性越弱，材料在光照下越容易发生反应。参考图2，在对应像素定义层140的像素定义开口对应位置，对第一提取层151的材料进行曝光处理，使得第一提取层151对应像素定义开口的位置的材料被消耗，形成与像素定义开口对应的开口结构。此时在曝光区域的边缘处（开口结构的边缘处）会出现材料收缩的情况，因此第一提取层151与下方膜层的连接性能变差，可能会出现材料分离的情况，甚至出现孔洞等情况。参考图3，当完成第一提取层151的图案化处理过程后，开口结构边缘的材料会进一步收缩，甚至会出现翘曲的情况，使得第一提取层151与下方的膜层之间出现缝隙或孔洞。参考图4，在制作第二提取层152时，需要上第二提取层152覆盖第一提取层151的方式，因此会采用流体固化的形式来制作，因为第一提取层151在开口结构的边缘会存在缝隙或孔洞，第二提取层152的高折射率材料会进入第一提取层151与下方膜层之间的缝隙处，从而降低光提取层的光提取能力，严重的会导致光提取层失效。

鉴于上述问题，申请人提出了一种显示面板及显示装置，使第一提取层包括主提取结构和辅助提取结构，辅助提取结构的光稳定性大于主提取结构。主提取结构使得第一提取层具备光提取能力。由于辅助提取结构的光稳定性更大，辅助提取结构更难以产生翘曲或孔洞，因此辅助提取结构能够紧密覆盖主提取结构开口边缘的位置，防止第二提取层的材料进入主提取结构开口边缘可能产生的缝隙或孔洞中，从而使光提取层具备良好的光提取能力。

图5为本申请的一个实施例的显示面板示意图。图6为图5中A-A截面的剖视图。图7为本申请的一个实施例的光提取层与像素定义层的示意图。

参考图5、图6和图7，本申请实施例提供了一种显示面板100，包括：衬底110；像素定义层140，设置于衬底110一侧，像素定义层包括开口区B和至少部分地围绕开口区B的非开口区NB；光提取层150，位于像素定义层背离衬底110的一侧，光提取层150包括第一提取层151和第二提取层152，第一提取层151位于非开口区NB，第一提取层151包括主提取结构153和辅助提取结构154，主提取结构153包括朝向开口区B的第一内表面155；辅助提取结构154与第一内表面155连接；辅助提取结构154的光稳定性大于主提取结构153的光稳定性。

需要说明的是，显示面板100采用可以为液晶显示面板或有机发光二极管显示面板。本申请实施例中，以有机发光二极管显示面板为例进行说明。

继续参考图5，显示面板100划分为显示区AA和非显示区NA。

继续参考图6，显示面板100还包括阵列层120、发光器件层140和封装层170。阵列层120位于衬底110上。发光器件层140位于阵列层120背离衬底110的一侧。封装层170位于发光器件层140背离阵列层120的一侧。发光器件层140包括发光器件148，发光器件148位于显示区AA内。

具体地，继续参考图6，衬底110可以由诸如玻璃、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)或玻璃纤维增强塑料(FRP)等聚合物材料形成。衬底110可以是透明的、半透明的或不透明的。本申请实施例中的衬底110还可以为柔性基板，由厚度较薄的聚合物形成，例如聚酰亚胺。基板还可以包括缓冲层，缓冲层可以包括多层无机、有机层层叠结构，以阻挡氧和湿气，防止湿气或杂质通过基板扩散，并且在基板的上表面上提供平坦的表面，具体结构本申请不再赘述。

具体地，继续参考图6，阵列层120包括多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)以及由薄膜晶体管构成像素电路，用于控制发光器件148。本申请实施例以顶栅型的薄膜晶体管为例进行的结构说明。阵列层120包括用于形成薄膜晶体管的有源层，有源层包括通过掺杂N型杂质离子或P型杂质离子而形成的源极区域和漏极区域，在源极区域和漏极区域之间区沟道区域；位于有源层上的栅极绝缘层；位于栅极绝缘层上的薄膜晶体管的栅极。位于栅极上的层间绝缘层，层间绝缘层可以由氧化硅或氮化硅等的绝缘无机层形成，可选择地，层间绝缘层可以由绝缘有机层形成。薄膜晶体管的源电极和漏电极位于层间绝缘层上。源电极和漏电极分别通过接触孔电连接(或结合)到源极区域和漏极区域，接触孔是通过选择性地去除栅绝缘层和层间绝缘层而形成的。

可选地，阵列层120还包括钝化层（图中未示出），位于薄膜晶体管上。具体地，钝化层位于源电极和漏电极上。钝化层可以由氧化硅或氮化硅等的无机层形成或者由有机层形成。

可选地，继续参考图6，显示面板100还包括位于阵列层120上的平坦化层130。平坦化层130可以包括压克力、聚酰亚胺(PI)或苯并环丁烯(BCB)等的有机层，平坦化层130具有平坦化作用。

继续参考图6，发光器件148可以为有机发光二极管（OLED），以下以OLED发光器件为例进行说明，在本申请的其他实施例中，发光器件148也可以为无机发光二极管（LED）。

具体地，继续参考图6，发光器件层140位于平坦化层130上，发光器件148为OLED，发光器件148包括阳极141、覆盖阳极141的像素定义层146、有机发光层142和阴极143。沿背离衬底110的方向阳极141、有机发光层142和阴极143依次设置。阳极141包括与像素单元一一对应的阳极图案，阳极图案通过平坦化层130上的过孔与薄膜晶体管的源电极或漏电极连接。像素定义层146位于阳极141背离阵列层120的一侧。像素定义层146可以由诸如聚酰亚胺(PI)、聚酰胺、苯并环丁烯(BCB)、压克力树脂或酚醛树脂等的有机材料形成，或由诸如SiN_x的无机材料形成。

继续参考图6和图7，像素定义层146包括开口区B和至少部分地围绕开口区B的非开口区NB。非开口区NB能够对光线进行遮挡，从而通过开口区B来定义像素。开口区B包括多个像素定义开口147，像素定义开口147暴露阳极141。像素定义层146覆盖阳极图案的边缘。有机发光层142至少部分填充在像素定义开口147内，并与阳极141接触。像素定义开口147内的有机发光层142形成一个最小的发光器件148，每个发光器件148根据不同的有机发光层142能够发出不同颜色的光线，每个发光器件148和像素电路共同构成子像素，多个子像素形成像素单元，多个像素单元进行画面的显示。

可选地，继续参考图6，有机发光层142可使用喷墨印刷或喷嘴印刷或蒸镀等方法形成于像素定义层146的像素定义开口147内。阴极143可以通过蒸镀的方式形成于有机发光层142上。可选地，阴极143整面覆盖有机发光层142、像素定义层146。

可选地，继续参考图6，发光器件层140还包括空穴传输层144和电子传输层145，其中，空穴传输层144位于阳极141背离衬底110的一侧表面上，有机发光层142位于空穴传输层144背离阳极141的一侧表面上，电子传输层145位于有机发光层142背离空穴传输层144的一侧表面上。空穴传输层144位于阳极141和有机发光层142之间，用于增强阳极141的空穴注入和传输至有机发光层142的能力，电子传输层145位于有机发光层142和阴极143之间，用于增强阴极143的电子注入和传输至有机发光层142的能力。由此可使空穴和电子较多的注入有机发光层142，进而提高复合效率，达到提高有机发光层142的发光效率的效果。

可选地，该显示面板100还可以包括空穴注入层和电子注入层(图中未示出)；空穴注入层位于空穴传输层144背离有机发光层142的一侧表面上，即位于阳极141和空穴传输层144之间；电子注入层位于电子传输层145背离有机发光层142的一侧表面上，即位于阴极143和电子传输层145之间。

继续参考图6，封装层170可以为薄膜封装层，薄膜封装层位于发光器件层140背离阵列层120的一侧。薄膜封装层包封显示层，即薄膜封装层的四周边缘与阵列层120接触，将发光部件密封起来。可选地，薄膜封装层完全覆盖整个显示区AA，并且由显示区AA延伸至非显示区NA，在非显示区NA中与阵列层120接触。

继续参考图6和图7，光提取层150位于像素定义层146背离衬底110的一侧，具体地，可以位于封装层170背离衬底110的一侧。第一提取层151的主提取结构153围绕开口区B，使得第一提取层151形成具有一定厚度的开口结构160。由于主提取结构153围绕开口区B，因此主提取结构153形成的开口结构160与开口区B相对应。在制备第二提取层152后，开口结构160中也填充第二提取层152的材料。主提取结构153的第一内表面155为该开口结构160的内侧壁。一部分从开口区B射出的光线除了直接通过开口结构160射出并用于发光外，还有一部分从开口区B射出的光线射入主提取结构153，并在第一内表面155反射，也能够从开口结构160射出，从而使更多的光线从开口结构160射出，即实现光提取过程。此外，由于主提取结构153的折射率小于第二提取层152的折射率，光线在经由开口结构160射向第一内表面155时，由于全反射效应，会有更多的光线反射，即具备更好的光提取能力。

辅助提取结构154与第一内表面155连接，在制备第二提取层152以前，先将辅助提取层设置在第一内表面155处。由于辅助提取结构154的光稳定性大于主提取结构153的光稳定性。在制备第二提取层152时，辅助提取结构154不会出现明显的翘曲。辅助提取结构154能够将主提取结构153的边缘固定，防止在制备第二提取层152时，主提取结构153的边缘明显地翘起。即使主提取结构153在开口区B的边缘处略微翘起，辅助提取结构154也能够对翘曲处进行遮挡，防止第二提取层152的材料进入主提取结构153的翘曲处，使光提取层150具备较高的光提取能力。需要说明的是，辅助提取结构154，可以覆盖整个第一内表面155，也可以只覆盖第一内表面155的一部分。其中，主提取结构153靠近下方膜层的边缘处必须被辅助提取结构154覆盖。

进一步地，主提取结构153的折射率小于或等于辅助提取结构154的折射率；辅助提取结构154的折射率小于第二提取层152的折射率。在主提取结构153形成的开口结构160处，沿垂直于第一内表面155方向，辅助提取结构154位于第二提取层152和主提取结构153之间，且沿背离主提取结构153的方向，主提取结构153、辅助提取结构154和第二提取层152，折射率依次增加。当光线从开口区B射向第一内表面155时，光线在第二提取层152和辅助提取结构154的交界面处、以及辅助提取结构154和主提取结构153的交界面处（第一内表面155），光线都从高折射率材料射向低折射率材料，从而满足全反射的条件。

辅助提取结构154的材料为无机材料，优选地，采用二氧化硅材料。既能够满足折射率位于主提取结构153的折射率和第二提取层152折射率之间，又具备良好的光稳定性，不会在开口区B产生明显的空洞或翘曲。

图8为本申请另一个实施例的光提取层与像素定义层的示意图。

进一步地，继续参考图8，第一内表面155包括沿背离衬底110方向依次设置的第一子面157和第二子面158，辅助提取结构154覆盖第一子面157并且暴露第二子面158。辅助提取结构154只覆盖第一内表面155的一部分，即只覆盖主提取结构153可能出现空洞或翘曲的边角处。此时，沿显示面板100的厚度方向，辅助提取结构154的厚度小于主提取结构153的厚度，即减少辅助提取结构154覆盖的第一内表面155的范围。射向第一内表面155的光线一部分直接射向第一内表面155，另一部分经由辅助提取结构154照射在第一内表面155上。由于辅助提取结构154的透光率无法达到100%，因此辅助提取结构154会对光线造成损失。通过减少辅助提取结构154覆盖的第一内表面155的范围，能够减少辅助提取结构154对光线造成的损失，从而提高光提取能力。需要说明的是，辅助提取结构154除了覆盖一部分第一内表面155以外，必然也会覆盖一部分下方的膜层，例如覆盖一部分像素定义层146上方的封装层170。但是辅助提取结构154不会完全覆盖第一提取层151的开口结构160，即当第二提取层152覆盖并填充开口结构160后，直接与第一提取层151下方的膜层接触。

进一步地，继续参考图8，辅助提取结构154包括朝向开口区B的第二内表面156；沿背离衬底110的方向，第一内表面155和第二内表面156均朝背离开口区B方向倾斜；第一内表面155与显示面板100所在平面形成的锐角大于第二内表面156与显示面板100所在平面形成的锐角。当制备第二提取层152后，第二提取层152覆盖辅助提取结构154，第二内表面156即为第二提取层152与辅助提取结构154的交界面。第二内表面156与第一内表面155的第二子面158共同围绕开口区B（像素定义开口147），并形成第一提取层151的开口结构160。当相对垂直于显示面板100所在平面的方向倾斜射出开口区B的光线射向第二内表面156时，由于第一内表面155与显示面板100所在平面形成的锐角大于第二内表面156与显示面板100所在平面形成的锐角，因此该光线在第二内表面152上的入射角更大，该光线更容易发生全反射，光提取的能力也更高。而由于辅助提取结构154覆盖第一子面157和第一提取层151下方的膜层，因此辅助提取结构154，不会对第一提取层151的开口结构160的出光侧的开口大小产生明显的影响。

图9为光提取层和像素定义层的光路示意图。

参考图9，当光线以相对显示面板100所在平面较大的倾斜角度射向第二内表面156时，光线也会满足全反射的条件。由于第一内表面155与显示面板100所在平面形成的锐角大于第二内表面156与显示面板100所在平面形成的锐角，使得第二内表面156的全反射条件对应的光线相对于第一内表面155的全反射条件对应的光线的倾斜角度更大，从而使更多的光线能够发生全反射，进而从第一提取层151的开口结构160射出，进一步提高光提取能力。

可选地，继续参考图9，像素定义开口147在显示面板100所在平面的投影位于辅助提取结构154在显示面板100所在平面的投影以外。第一提取层151的开口结构160比像素定义开口147大，使得从像素定义开口147垂直于显示面板100所在平面射出的光线能够直接从第一提取层151的开口结构160射出，而相对于显示面板100所在平面倾斜的光线照射在第一内表面155上，并经过第一内表面155的反射同样从第一提取层151的开口结构160射出，使得光提取层150具备良好的光提取能力。

图10为光提取层和像素定义层的尺寸示意图。

优选地，参考图10，第一内表面155与显示面板100所在平面形成的锐角θ1大于或等于80°；第二内表面156与显示面板100所在平面形成的锐角θ2小于80°且大于等于50°。由于主提取结构153的光稳定性差，因此第一内表面与显示面板100所在平面形成的锐角较大，第一内表面155更接近于与显示面板100所在平面垂直，为了方便加工，使得第一内表面155与显示面板100所在平面形成的锐角θ₁大于或等于80°，优选为85°。为了保证光提取层150具备良好的光提取能力，第二内表面156与显示面板100所在平面形成的锐角小于80°。主提取结构153的形状尺寸确定的情况下，第二内表面156与显示面板100所在平面形成的锐角过小，会使得辅助提取结构154靠近衬底110的一端的面积过大，即第一提取层151的开口结构160的尺寸过小，影响光提取层150的光提取能力。因此，第二内表面156与显示面板100所在平面形成的锐角θ2小于80°且大于等于50°，优选为70°至55°。

进一步地，辅助提取结构154沿显示面板100的厚度方向的高度H₂，满足：

其中，H₁为主提取结构153沿显示面板100的厚度方向的高度，D为第二内表面156 在显示面板100所在平面的投影的宽度，θ₁为第一内表面155与显示面板100所在平面的锐 角。由于辅助提取结构154会对光线造成损耗，因此使

能够在保证光提取层 150具备良好光提取能力的前提下，减少辅助提取层对光提取能力的影响。

结构相同的主提取结构153和辅助提取结构154对应的光提取层150的光提取能力相同。针对不同的发光器件148，相同的光提取能力产生的光提取效果可能不同，因此需要通过调整光提取层150的光提取能力，使得不同的发光器件148的光提取效果一致，以使不同的发光器件148的亮度一致。本申请实施例中，至少有两种方式可以调整光提取层150的光提取能力，包括：调整第二内表面156与显示面板100所在平面的锐角的大小；调整辅助提取结构154靠近衬底110的一端的面积的大小。

图11为本申请的一个实施例中第一提取层的光路示意图。图12为图11的实施例中，调整辅助提取结构后，第一提取层的光路示意图。

参考图11和图12，针对相同的主提取结构153，当第二内表面156与显示面板100所在平面的锐角越小，和/或，辅助提取结构154靠近衬底110的一端的面积越大，原本从第一提取层151的开口结构160照射在第二内表面156上的光线会从第二内表面156的下方射入辅助提取结构154，从而使原本能够被第二内表面156反射并提取的光线无法提取，即光提取层150的光提取能力越弱。

图13为本申请一个实施例中发光器件的排布示意图。

参考图13，在本申请的一个实施例中，显示面板100还包括发光器件层140，位于像素定义层146背离衬底110的一侧；发光器件层140包括与开口区B一一对应设置的多个发光器件148，发光器件148包括发光颜色不同的第一器件148A、第二器件148B和第三器件148C。示例性地，发光颜色不同的第一器件148A、第二器件148B和第三器件148C可以依次为红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件。每个发光器件148均对应设有主提取结构153和辅助提取结构154，其中每个发光器件148对应的主提取结构153为同层结构，每个发光器件148对应的辅助提取结构154为同层结构，第二提取层152覆盖整个主提取结构153和辅助提取结构154。针对相同的光提取能力，光提取层150对第一器件148A、第二器件148B和第三器件148C的光提取效果各不相同，会导致第一器件148A、第二器件148B和第三器件148C的发光亮度不同。为了使第一器件148A、第二器件148B和第三器件148C的发光亮度一致，需要通过调整主提取结构153和辅助提取结构154，来使第一器件148A、第二器件148B和第三器件148C的发光亮度一致。

以调整第二内表面156与显示面板100所在平面的锐角的大小为例，进行说明。

图14为本申请的一个实施例中显示面板包括第一器件、第二器件和第三器件时的结构示意图。

参考图14，第一器件148A对应的辅助提取结构154的第二内表面156与显示面板100所在平面的锐角为第一夹角α₁，第二器件148B对应的辅助提取结构154的第二内表面156与显示面板100所在平面的锐角为第二夹角α₂，第三器件148C对应的辅助提取结构154的第二内表面156与显示面板100所在平面的锐角为第三夹角α₃；第一夹角α₁、第二夹角α₂和第三夹角α₃互不相等。

具体地，继续参考图14，第一器件148A的发光面积与第二器件148B的发光面积的比值大于第一阈值，第一阈值大于等于1；第一夹角α₁大于第二夹角α₂。光提取层150主要对相对于显示面板100所在平面倾斜的光线进行提取，以提高显示面板100的亮度。当发光器件148的发光面积越小，倾斜的光线占据从像素定义层146射出的光线的比例越高，因此光提取层150对发光器件148的光提取效果越明显。当第一器件148A的发光面积明显大于第二器件148B的发光面积，即第一器件148A的发光面积与第二器件148B的发光面积的比值大于第一阈值时，光提取层150对第二器件148B的光提取效果更好，因此需要降低光提取层150对第二器件148B的光提取效果，使光提取后，二者的亮度一致。示例性地，第一阈值大于等于1，优选为1.1-2。

示例性地，继续参考图14，当第一器件148A发出红光、第二器件148B发出绿光时，由于第二器件148B的面积通常明显小于第一器件148A的面积，因此在光提取能力一致的情况下，第二器件148B的光提取效果更好。使第一夹角α₁大于第二夹角α₂，能够降低第二器件148B对应的主提取结构153和辅助提取结构154的光提取能力，使得光提取后的第一器件148A和第二器件148B的发光亮度一致。

进一步地，继续参考图14，第一器件148A的发光面积与第三器件148C的发光面积比值小于等于第二阈值且大于等于第三阈值，第二阈值小于第一阈值，第三阈值小于第二阈值，第三阈值小于等于1；第一器件148A发出光线的波长大于第三器件148C发出的光线的波长；第一夹角α₁小于第三夹角α₃。当第一器件148A的发光面积与第三器件148C的发光面积接近，即第一器件148A的发光面积与第三器件148C的发光面积比值小于等于第二阈值且大于等于第三阈值时，发光面积对光提取层150的光提取效果的影响基本一致。此时，第一器件148A的光线波长大于第三器件148C的光线波长，光提取层150对第一器件148A的光提取效果更好，因此需要降低光提取层150对第一器件148A的光提取效果，使光提取后，二者的亮度一致。示例性地，第二阈值小于第一阈值，第三阈值小于第二阈值，第三阈值小于等于1，例如第二阈值可以为1.1，第三阈值可以为0.9。

示例性地，继续参考图14，当第一器件148A发出红光，第三器件148C发出蓝光时，由于第一器件148A的发光面积和第三器件148C的发光面积基本一致，因此在光提取能力一致的情况下，第一器件148A的光提取效果更好。使第一夹角α₁小于第三夹角α₃，能够降低第一器件148A对应的主提取结构153和辅助提取结构154的光提取能力，使得光提取后的第一器件148A和第三器件148C的发光亮度一致。

需要说明的是，发明人经过研究发现，光线颜色影响全反射角度，全反射角度的变化会影响角度差值对应范围内的倾斜光线的提取效果；发光的面积会增加所有倾斜光线的提取效果。因此优先考虑发光器件148的发光面积对光提取效果的影响，在发光器件148的发光面积相同的情况下，再考虑发光器件148的光线波长对光提取效果的影响。

图15为本申请的另一个实施例中显示面板包括第一器件、第二器件和第三器件时的结构示意图。

本申请的另一个实施例中，参考图15，通过调整辅助提取结构154靠近衬底110的一端的面积的大小，来调整光提取层150对发光器件148的光提取效果。第一器件148A对应的辅助提取结构154靠近衬底110的一端的面积为第一面积S₁，第二器件148B对应的辅助提取结构154靠近衬底110的一端的面积为第二面积S₂，第三器件148C对应的辅助提取结构154靠近衬底110的一端的面积为第三面积S₃；第一面积S₁、第二面积S₂和第三面积S₃互不相等。

具体地，继续参考图15第一器件148A的发光面积与第二器件148B的发光面积的比值大于第一阈值，第一阈值大于等于1；第一面积S₁大于第二面积S₂。当第一器件148A的发光面积明显大于第二器件148B的发光面积，即第一器件148A的发光面积与第二器件148B的发光面积的比值大于第一阈值时，光提取层150对第一器件148A的光提取效果更好，因此需要降低光提取层150对第一器件148A的光提取效果，使光提取后，二者的亮度一致。示例性地，第一阈值大于等于1，优选为1.1-2。

示例性地，当第一器件148A发出红光、第二器件148B发出绿光时，由于第二器件148B的面积通常明显小于第一器件148A的面积，因此在光提取能力一致的情况下，第一器件148A的光提取效果更好，使第一面积S₁大于第二面积S₂，能够降低第一器件148A对应的主提取结构153和辅助提取结构154的光提取能力，使得光提取后的第一器件148A和第二器件148B的发光亮度一致。

进一步地，继续参考图15，第一器件148A的发光面积与第三器件148C的发光面积比值小于等于第二阈值且大于等于第三阈值，第二阈值小于第一阈值，第三阈值小于第二阈值，第三阈值小于等于1；第一器件148A发出光线的波长大于第三器件148C发出的光线的波长；第一面积S₁小于第三面积S₃。当第一器件148A的发光面积与第三器件148C的发光面积接近时，发光面积对光提取层150的光提取效果的影响基本一致。此时，第一器件148A的光线波长大于第三器件148C的光线波长，光提取层150对第一器件148A的光提取效果更好，因此需要降低光提取层150对第一器件148A的光提取效果，使光提取后，二者的亮度一致。示例性地，第二阈值小于第一阈值，第三阈值小于第二阈值，第三阈值小于等于1，例如第二阈值可以为1.1，第三阈值可以为0.9。

示例性地，当第一器件148A发出红光，第三器件148C发出蓝光时，由于第一器件148A的发光面积和第三器件148C的发光面积基本一致，因此在光提取能力一致的情况下，第一器件148A的光提取效果更好。使第一面积S₁小于第三面积S₃，能够降低第一器件148A对应的主提取结构153和辅助提取结构154的光提取能力，使得光提取后的第一器件148A和第三器件148C的发光亮度一致。

本申请实施例还提供了一种显示装置。显示装置包括上述任一个实施例提供的显示面板100。本申请实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有现实功能的产品或部件。

可选地，显示装置还包括触控面板，触控面板位于像素定义层146与光提取层150之间。需要说明的是触控面板与像素定义层146的开口区B对应的区域透明。

综上所述，本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置，通过具备更高光稳定性的辅助提取结构来防止主提取结构的边缘翘曲或出现孔洞，同时在制作第二提取层时，避免第二提取层的材料进入主提取结构与像素定义层之间，从而提高光提取层的光提取能力。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

衬底；

像素定义层，设置于所述衬底一侧，所述像素定义层包括开口区和至少部分地围绕所述开口区的非开口区；

光提取层，位于所述像素定义层背离所述衬底的一侧，所述光提取层包括第一提取层和第二提取层，所述第一提取层位于所述非开口区，所述第一提取层包括主提取结构和辅助提取结构，所述主提取结构包括朝向所述开口区的第一内表面；所述辅助提取结构与所述第一内表面连接；

所述辅助提取结构的光稳定性大于所述主提取结构的光稳定性；

所述辅助提取结构包括朝向所述开口区的第二内表面；

沿背离所述衬底的方向，所述第一内表面和所述第二内表面均朝背离开口区方向倾斜；所述第一内表面与所述显示面板所在平面形成的锐角大于所述第二内表面与所述显示面板所在平面形成的锐角。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述主提取结构的折射率小于或等于所述辅助提取结构的折射率；所述辅助提取结构的折射率小于所述第二提取层的折射率。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述辅助提取结构的材料为二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述开口区包括像素定义开口；所述像素定义开口在所述显示面板所在平面的投影位于所述辅助提取结构在所述显示面板所在平面的投影以外。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一内表面包括沿背离所述衬底方向依次设置的第一子面和第二子面，所述辅助提取结构覆盖所述第一子面并且暴露所述第二子面。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一内表面与所述显示面板所在平面形成的锐角大于或等于80°；

所述第二内表面与所述显示面板所在平面形成的锐角小于80°且大于等于50°。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助提取结构沿所述显示面板的厚度方向的高度H₂，满足：

其中，H₁为所述主提取结构沿所述显示面板的厚度方向的高度，D为所述第二内表面在所述显示面板所在平面的投影的宽度，θ₁为所述第一内表面与所述显示面板所在平面的锐角。

8.根据权利要求1所述显示面板，其特征在于，还包括发光器件层，位于所述像素定义层背离所述衬底的一侧；

所述发光器件层包括与所述开口区一一对应设置的多个发光器件，所述发光器件包括发光颜色不同的第一器件、第二器件和第三器件；

所述第一器件对应的所述辅助提取结构的所述第二内表面与所述显示面板所在平面的锐角为第一夹角，所述第二器件对应的所述辅助提取结构的所述第二内表面与所述显示面板所在平面的锐角为第二夹角，所述第三器件对应的所述辅助提取结构的所述第二内表面与所述显示面板所在平面的锐角为第三夹角；

所述第一夹角、所述第二夹角和所述第三夹角互不相等。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一器件的发光面积与所述第二器件的发光面积的比值大于第一阈值，所述第一阈值大于等于1；

所述第一夹角大于所述第二夹角。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第一器件的发光面积与所述第三器件的发光面积比值小于等于第二阈值且大于等于第三阈值，所述第二阈值小于所述第一阈值，所述第三阈值小于所述第二阈值，所述第三阈值小于等于1；所述第一器件发出光线的波长大于所述第三器件发出的光线的波长；

所述第一夹角小于所述第三夹角。

11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括发光器件层，位于所述像素定义层背离所述衬底的一侧；

所述发光器件层包括与所述开口区一一对应设置的多个发光器件，所述发光器件包括发光颜色不同的第一器件、第二器件和第三器件；

所述第一器件对应的所述辅助提取结构靠近所述衬底的一端的面积为第一面积，所述第二器件对应的所述辅助提取结构靠近所述衬底的一端的面积为第二面积，所述第三器件对应的所述辅助提取结构靠近所述衬底的一端的面积为第三面积；

所述第一面积、所述第二面积和所述第三面积互不相等。

12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述第一器件的发光面积与所述第二器件的发光面积的比值大于第一阈值，所述第一阈值大于等于1；

所述第一面积大于所述第二面积。

13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述第一器件的发光面积与所述第三器件的发光面积比值小于等于第二阈值且大于等于第三阈值，所述第二阈值小于所述第一阈值，所述第三阈值小于所述第二阈值，所述第三阈值小于等于1；所述第一器件发出光线的波长大于所述第三器件发出的光线的波长；

所述第一面积小于所述第三面积。

14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至13任一所述的显示面板。

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