CN113272988A - 显示装置 - Google Patents
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- CN113272988A CN113272988A CN201980088239.XA CN201980088239A CN113272988A CN 113272988 A CN113272988 A CN 113272988A CN 201980088239 A CN201980088239 A CN 201980088239A CN 113272988 A CN113272988 A CN 113272988A
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- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 35
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 818
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 41
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 23
- 101100336288 Mus musculus Nr3c1 gene Proteins 0.000 description 17
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 14
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 9
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 9
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 9
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 9
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 9
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 7
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 102100036790 Tubulin beta-3 chain Human genes 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 101000713575 Homo sapiens Tubulin beta-3 chain Proteins 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
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- H—ELECTRICITY
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
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- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
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- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
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- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
提供了一种显示装置。该显示装置被提供有：包括第一电极、发光层和第二电极的子像素；限定子像素的像素限定层；与像素限定层重叠的第一全反射层；被布置在第一全反射层上的第二全反射层；以及被布置在第二全反射层上的平坦化层，其中，平坦化层的折射率大于第二全反射层的折射率，并且第二全反射层的折射率大于第一全反射层的折射率。
Description
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
随着信息社会发展，对于用于显示图像的显示装置的需求正在以各种形式增长。因此，正在利用诸如液晶显示器、等离子体显示面板和有机发光显示器的各种显示装置。
在显示装置之中，作为自发光显示装置的有机发光显示器具有比液晶显示器更好的视角和对比度。因为有机发光显示器无需单独的背光，所以它们可以制作得轻而薄，并且在功耗方面是有利的。此外，有机发光显示器可以以直流低电压驱动并且具有快速响应速度以及特别是低制造成本的优点。
有机发光显示器包括发射光的有机发光元件和限定有机发光元件的像素限定层。有机发光元件包括阳极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极。在此情况下，当高电势电压被施加到阳极并且低电势电压被施加到阴极时，空穴和电子分别穿过空穴传输层和电子传输层而移动到有机发光层，并且在有机发光层中复合在一起以发光。
从有机发光元件发射的光的一部分在有机发光显示器的横向方向而不是朝上方向上传播。在此情况下，光的该部分可损耗而不在有机发光显示器的朝上方向上输出。提高从有机发光元件发射的光的输出效率不仅可增加了有机发光元件的寿命，而且也可减小有机发光显示器的功耗。
发明内容
技术问题
本公开的方面提供了一种可以提高光输出效率的显示装置。
然而，本公开的方面不限于本文所阐述的方面。本公开的以上和其他方面将通过参照以下给出的本公开的详细描述而对于本公开所属领域的普通技术人员而言变得更明显。
技术方案
根据本公开的方面，提供了一种显示装置，包括：子像素，该子像素包括第一电极、发光层和第二电极；像素限定层，该像素限定层限定子像素；第一全反射层，该第一全反射层与像素限定层重叠；第二全反射层，该第二全反射层被布置在第一全反射层上；以及平坦化层，该平坦化层被布置在第二全反射层上，其中，平坦化层的折射率大于第二全反射层的折射率，并且第二全反射层的折射率大于第一全反射层的折射率。
平坦化层的最大厚度可以大于第一全反射层的最大厚度，并且第一全反射层的最大厚度大于第二全反射层的最大厚度。
第一全反射层可以不与子像素重叠。
显示装置可以进一步包括封装层，该封装层被布置在像素限定层和子像素的第二电极上。第一全反射层可以被布置在封装层上，并且第二全反射层可以被布置在未被第一全反射层覆盖的封装层上。
显示装置可以进一步包括缓冲层，该缓冲层被布置在封装层和第一全反射层之间。
第一全反射层可以在平面图中围绕子像素。
显示装置可以进一步包括触摸电极，该触摸电极与像素限定层重叠。
触摸电极可以不与第一全反射层重叠。
第二全反射层可以覆盖触摸电极。
第一全反射层可以覆盖触摸电极。
第一全反射层可以在平面图中包括暴露子像素的开口区域。
显示装置可以进一步包括触摸绝缘层，该触摸绝缘层覆盖触摸电极，其中，第一全反射层被布置在触摸绝缘层上。
显示装置可以进一步包括第三全反射层，该第三全反射层与像素限定层重叠，其中，第一全反射层在平面图中围绕子像素，并且第三全反射层在平面图中围绕第一全反射层。
显示装置可以进一步包括第四全反射层，该第四全反射层被布置在第三全反射层上，其中，第四全反射层的折射率大于第三全反射层的折射率。
显示装置可以进一步包括封装层，该封装层被布置在像素限定层和子像素的第二电极上，其中，第一全反射层和第三全反射层被布置在封装层上，并且第二全反射层被布置在第三全反射层以及未被第一全反射层和第三全反射层覆盖的封装层上。
显示装置可以进一步包括触摸电极，该触摸电极与像素限定层重叠。
触摸电极可以不与第一全反射层和第三全反射层重叠。
第二全反射层可以覆盖触摸电极。
第三全反射层可以覆盖触摸电极。
显示装置可以进一步包括触摸绝缘层，该触摸绝缘层覆盖触摸电极，其中，第一全反射层和第三全反射层被布置在触摸绝缘层上。
第一全反射层可以包括与子像素邻近的第一倾斜表面，并且第二全反射层可以包括被布置在第一倾斜表面上的第二倾斜表面。第一倾斜表面的倾角可以被定义为第一锥角，第二倾斜表面的倾角可以被定义为第二锥角，并且第一锥角和第二锥角中的每一个可以随着由第一全反射层全反射的光的输出角和由第二全反射层全反射的光的输出角中的每一个增大而增大。
第一全反射层可以包括与子像素邻近的第一倾斜表面，并且第二全反射层可以包括被布置在第一倾斜表面上的第二倾斜表面。第一倾斜表面的倾角可以被定义为第一锥角，第二倾斜表面的倾角可以被定义为第二锥角，并且第一锥角和第二锥角中的每一个可以随着由第二全反射层折射并且随后由第一全反射层全反射的光的输出角增大而减小。
本公开的其他细节包括在详细说明书和附图中。
有益效果
在根据实施例的显示装置中，子像素的光之中的在横向方向而不是朝上方向上传播的光可以从第二全反射层的第三倾斜表面全反射、可以从第一全反射层的第一倾斜表面全反射或者可以从第二全反射层的第三倾斜表面折射并且随后从第一全反射层的第一倾斜表面全反射以在朝上方向上传播。因此，可以提高子像素的光输出效率，从而增加有机发光元件的寿命并且减小有机发光显示器的功耗。
然而，本公开的效果不限于前述效果，并且各种其他效果包括在本说明书中。
附图说明
图1是根据实施例的显示装置的透视图；
图2是根据实施例的显示装置的平面图；
图3是图示图2的I-I’的示例的截面图；
图4是详细图示图3的显示单元的示例的示例性视图；
图5是详细图示图3的触摸感测单元的示例的示例性视图；
图6是图示图5的区域A的示例、具体地图示图4的子像素和图5的驱动电极的示例的平面图；
图7是图示图6的II-II’的示例的截面图；
图8是图示图6的II-II’的另一示例的截面图；
图9是详细图示图7的区域B的示例的截面图；
图10是图示第二全反射层的第二锥角相对于用于输出第二光的高折射平坦化层的每个折射率的输出角的图；
图11是图示第二全反射层的第二锥角的最小角相对于用于输出第二光的第二全反射层的每个折射率的高折射平坦化层的折射率的图；
图12是图示第一全反射层的第一锥角相对于用于输出第三光的第二全反射层的每个第二锥角的输出角的示例的图；
图13是图示第一全反射层的第一锥角相对于用于输出第三光的第二全反射层的每个第二锥角的输出角的另一示例的图；
图14是详细图示图7的区域B的另一示例的截面图；
图15是详细图示图7的区域B的另一示例的截面图；
图16是图示图5的区域A的另一示例、具体地图示图4的子像素和图5的第一触摸金属层的另一示例的平面图；
图17是图示图16的III-III’的示例的截面图；
图18是图示图16的III-III’的另一示例的截面图；
图19是图示图5的区域A的另一示例、具体地图示图4的子像素和图5的第一触摸金属层的另一示例的平面图；
图20是图示图19的IV-IV’的示例的截面图；
图21是图示图5的区域A的另一示例、具体地图示图4的子像素和图5的第一触摸金属层的另一示例的平面图；
图22是图示图21的V-V’的示例的截面图；并且
图23是图示图21的V-V’的另一示例的截面图。
具体实施方式
本发明的优点和特征以及实现它们的方法将参照稍后与附图一起详细描述的实施例而变得明显。然而，本发明不限于以下所公开的实施例，而是将以各种不同形式实现。提供本发明以向拥有本发明的人充分告知本发明的范围，并且本发明仅由权利要求的范围限定。
当元件或层被称作在另一元件或层“上”时，它包括其中另一层或另一元件直接插入另一元件上或在另一元件中间的所有情况。贯穿说明书，相同的附图标记指代相同的元件。用于描述实施例的附图中所公开的形状、尺寸、比率、角度、数量等是示例性的，并且本发明不限于所图示的内容。
尽管第一和第二等用于描述各种部件，但是不言而喻，这些部件不受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个部件与另一部件。因此，不言而喻，以下提及的第一部件在本发明的技术构思内可以是第二部件。
本发明的各个实施例的特征中的每一个可以部分地或完全地组合或彼此组合，技术上各种互锁和驱动是可能的，并且每个实施例可以相对于彼此独立地实现。你也可以一起实现。
下文中，将参照附图描述特定实施例。
图1是根据实施例的显示装置的透视图。图2是根据实施例的显示装置的平面图。
在本说明书中，“上方”、“顶部”和“上表面”指的是从显示面板100的朝上方向，也就是说，Z轴方向，并且“下方”、“底部”和“下表面”指的是从显示面板100的朝下方向，也就是说，与Z轴方向相反的方向。此外，“左”、“右”、“上”和“下”指的是当在平面中观看显示面板100时的方向。例如，“左”指的是与X轴方向相反的方向，“右”指的是X轴方向，“上”指的是Y轴方向，并且“下”指的是与Y轴方向相反的方向。
参照图1和图2，显示装置10是用于显示运动图像或静止图像的装置。显示装置10可以用作诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置和超移动PC(UMPC)的便携式电子装置中以及诸如电视机、笔记本计算机、监视器、广告牌和物联网(IoT)装置的各种产品中的显示屏。显示装置10可以是有机发光显示器、液晶显示器、等离子体显示面板、场发射显示器、电泳显示器、电润湿显示器、量子点发光显示器和微发光二极管(LED)显示器中的任意一个。以下将主要描述其中显示装置10是有机发光显示器的情况，但是本公开不限于此。
根据实施例的显示装置10包括显示面板100、显示驱动电路200、电路板300和触摸驱动电路400。
显示面板100可以包括主区域MA和从主区域MA的一侧突出的突出区域PA。
主区域MA可以形成为具有在第一方向(X轴方向)上的短边和在与第一方向(X轴方向)交叉的第二方向(Y轴方向)上的长边的矩形平面。在第一方向(X轴方向)上延伸的短边与在第二方向(Y轴方向)上延伸的长边相交处的每个拐角可以以预定曲率倒圆或者可以是直角。显示装置10的平面形状不限于四边形形状，但是也可以是其他多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。主区域MA可以形成为平坦的。然而，本公开的实施例不限于此，并且主区域MA也可以包括形成在其左端部和右端部处的弯曲部分。在此情况下，弯曲部分可以具有恒定曲率或变化曲率。
主区域MA可以包括其中形成像素以显示图像的显示区域DA以及被布置在显示区域DA周围的非显示区域NDA。
在显示区域DA中，不仅像素，而且连接到像素的扫描线、数据线和电源线可以被布置。当主区域MA包括弯曲部分时，显示区域DA可以被布置在弯曲部分中。在此情况下，显示面板100的图像也可以在弯曲部分中看到。
非显示区域NDA可以被定义为从显示区域DA的外侧延伸到显示面板100的边缘的区域。用于将扫描信号传送到扫描线的扫描驱动器以及将数据线和显示驱动电路200连接的链路线可以被布置在非显示区域NDA中。
突出区域PA可以从主区域MA的一侧突出。例如，如图2中所图示，突出区域PA可以从主区域MA的下侧突出。突出区域PA在第一方向(X轴方向)上的长度可以小于主区域MA在第一方向(X轴方向)上的长度。
突出区域PA可以包括弯折区域BA和焊盘区域PDA。在此情况下，焊盘区域PDA可以被布置在弯折区域BA的一侧，并且主区域MA可以被布置在弯折区域BA的另一侧。例如，焊盘区域PDA可以被布置在弯折区域BA的下侧，并且主区域MA可以布置在弯折区域BA的上侧。
显示面板100可以形成为柔性的以便它可以弯曲、弯折、折叠或卷曲。因此，显示面板100可以在厚度方向(Z轴方向)上在弯折区域BA中弯折。在此情况下，在显示面板100弯折之前显示面板100的焊盘区域PDA的表面面朝上，而在显示面板100弯折之后显示面板100的焊盘区域PDA的表面面朝下。因此，因为焊盘区域PDA被布置在主区域MA下方，所以它可以被主区域MA重叠。
电连接到显示驱动电路200和电路板300的焊盘可以被布置在显示面板100的焊盘区域PDA上。
显示驱动电路200输出用于驱动显示面板100的信号和电压。例如，显示驱动电路200可以将数据电压供应到数据线。此外，显示驱动电路200可以将电源电压供应到电源线并且将扫描控制信号供应到扫描驱动器。显示驱动电路200可以形成为集成电路并且使用玻璃上芯片(COG)方法、塑料上芯片(COP)方法或超声接合方法安装在显示面板100上。然而，本公开的实施例不限于此。例如，显示驱动电路200可以安装在电路板300上。
焊盘可以包括电连接到显示驱动电路200的显示焊盘以及电连接到触摸线的触摸焊盘。
电路板300可以使用各向异性导电膜附接到焊盘上。因此，电路板300的引线可以电连接到焊盘。电路板300可以是柔性印刷电路板、印刷电路板、或诸如膜上芯片的柔性膜。
触摸驱动电路400可以连接到显示面板100的触摸传感器层TSL的触摸电极。触摸驱动电路400将驱动信号传送到触摸传感器层TSL的触摸电极并且测量触摸电极的电容值。驱动信号中的每一个可以是具有多个驱动脉冲的信号。触摸驱动电路400不仅可以确定触摸是否已经输入，而且也可以基于电容值而计算触摸已经输入处的触摸坐标。
触摸驱动电路400可以被布置在电路板300上。触摸驱动电路400可以形成为集成电路并且安装在电路板300上。
图3是图示图2的I-I’的示例的截面图。
参照图3，显示面板100可以包括具有基板SUB、被布置在基板SUB上的薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML和薄膜封装层TFEL的显示单元DU以及具有触摸传感器层TSL和全反射层TRL的触摸感测单元TDU。
基板SUB可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料制成。聚合物材料可以是例如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、多芳基化合物(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚对萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酸酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(CAT)、醋酸丙酸纤维素(CAP)或其组合。可替代地，基板SUB可以包括金属材料。
基板SUB可以是刚性基板，或者是可以弯折、折叠或卷曲的柔性基板。当基板SUB是柔性基板时，它可以由但不限于聚酰亚胺(PI)制成。
薄膜晶体管层TFTL可以被布置在基板SUB上。在薄膜晶体管层TFTL中，不仅像素的各自薄膜晶体管，而且扫描线、数据线、电源线、扫描控制线以及连接焊盘和数据线的路由线可以形成。薄膜晶体管中的每一个可以包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极。当扫描驱动器110如图4中所图示形成在显示面板100的非显示区域NDA中时，它可以包括薄膜晶体管。
薄膜晶体管层TFTL可以被布置在显示区域DA和非显示区域NDA中。具体地，薄膜晶体管层TFTL的像素的各自薄膜晶体管、扫描线、数据线和电源线可以被布置在显示区域DA中。薄膜晶体管层TFTL的扫描控制线和链路线可以被布置在非显示区域NDA中。
发光元件层EML可以被布置在薄膜晶体管层TFTL上。发光元件层EML可以包括像素和限定像素的像素限定层，每个像素包括第一电极、发光层和第二电极。发光层可以是包括有机材料的有机发光层。在此情况下，发光层可以包括空穴传输层、有机发光层和电子传输层。当预定电压通过薄膜晶体管层TFTL的薄膜晶体管被施加到第一电极并且阴极电压被施加到第二电极时，空穴和电子分别穿过空穴传输层和电子传输层而移动到有机发光层，并且在有机发光层中复合在一起以发光。发光元件层EML的像素可以被布置在显示区域DA中。
薄膜封装层TFEL可以被布置在发光元件层EML上。薄膜封装层TFEL防止氧气或湿气渗透到发光元件层EML中。为此，薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机层。无机层可以是但不限于氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。此外，薄膜封装层TFEL保护发光元件层EML免受诸如灰尘的外来物质影响。为此，薄膜封装层TFEL可以包括至少一个有机层。有机层可以是但不限于丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂。
薄膜封装层TFEL可以被布置在显示区域DA和非显示区域NDA两者中。具体地，薄膜封装层TFEL可以覆盖显示区域DA和非显示区域NDA的发光元件层EML，并且可以覆盖非显示区域NDA的薄膜晶体管层TFTL。
触摸传感器层TSL可以被布置在薄膜封装层TFEL上。因为触摸传感器层TSL直接被布置在薄膜封装层TFEL上，所以与当包括触摸传感器层TSL的单独触摸面板附接到薄膜封装层TFEL上时相比，可以减小显示装置10的厚度。
触摸传感器层TSL可以包括用于以电容方式感测用户的触摸的触摸电极以及连接焊盘和触摸电极的触摸线。例如，触摸传感器层TSL可以以自电容方式或互电容方式感测用户的触摸。
触摸传感器层TSL的触摸电极可以如图5中所图示被布置在与显示区域DA重叠的触摸传感器区域TSA中。触摸传感器层TSL的触摸线可以如图5中所图示被布置在与非显示区域NDA重叠的触摸外围区域TPA中。
全反射层TRL可以被布置在触摸传感器层TSL上。全反射层TRL是将在发光元件层EML的光之中在显示面板100的横向方向而不是朝上方向(Z轴方向)上传播的光完全反射以便光可以在显示面板100的朝上方向(Z轴方向)上传播的层。尽管全反射层TRL在图3中形成为在触摸传感器层TSL上的单独层，但是本公开的实施例不限于此。例如，触摸传感器层TSL和全反射层TRL可以形成为一个层。
覆盖窗可以额外地被布置在全反射层TRL上。在此情况下，全反射层TRL和覆盖窗可以由诸如光学透明粘合剂(OCA)膜的透明粘合构件接合在一起。
图4是详细图示图3的显示单元的示例的示例性视图。
在图4中，为了方便描述，仅图示显示单元DU的像素P、扫描线SL、数据线DL、电源线PL、扫描控制线SCL、扫描驱动器110、显示驱动电路200和显示焊盘DP。
参照图4，扫描线SL、数据线DL、电源线PL和像素P被布置在显示区域DA中。扫描线SL可以在第一方向(X轴方向)上彼此平行形成，并且数据线DL可以在与第一方向(X轴方向)交叉的第二方向(Y轴方向)上彼此平行形成。电源线PL可以包括在第二方向(Y轴方向)上平行于数据线DL形成的至少一条线，以及在第一方向(X轴方向)上从该至少一条线分支的多条线。
像素P中的每一个可以连接到扫描线SL中的至少任意一条、数据线DL中的任意一条以及电源线PL。像素P中的每一个可以包括：包括驱动晶体管和至少一个开关晶体管的薄膜晶体管、有机发光二极管以及电容器。像素P中的每一个可以当从扫描线SL传送扫描信号时接收数据线DL的数据电压，并且可以根据被施加到栅电极的数据电压而将驱动电流供应到有机发光二极管，从而发光。
扫描驱动器110通过至少一条扫描控制线SCL连接到显示驱动电路200。因此，扫描驱动器110可以接收显示驱动电路200的扫描控制信号。扫描驱动器110根据扫描控制信号产生扫描信号并且将扫描信号供应到扫描线SL。
尽管在图5中扫描驱动器110形成在显示区域DA的左侧外部的非显示区域NDA中，但是本公开的实施例不限于此。例如，扫描驱动器110可以形成在显示区域DA的左侧和右侧外部的非显示区域NDA中。
显示驱动电路200连接到显示焊盘DP以接收数字视频数据和时序信号。显示驱动电路200将数字视频数据转换为模拟正/负数据电压并且通过链路线LL将数据电压供应到数据线DL。此外，显示驱动电路200产生用于控制扫描驱动器110的扫描控制信号，并且通过扫描控制线SCL将所产生的扫描控制信号供应到扫描驱动器110。要被供应有数据电压的像素P由扫描驱动器110的扫描信号选择，并且数据电压被供应到所选择的像素P。显示驱动电路200可以形成为集成电路并且可以使用COG方法、COP方法或超声接合方法附接到基板SUB上。
图5是详细图示图3的触摸感测单元的示例的示例性视图。
在图5中，为了方便描述，仅图示触摸电极TE和RE、触摸线TL和RL以及触摸焊盘TP。
参照图5，触摸感测单元TDU包括用于感测用户的输入的触摸感测器区域TSA以及被布置为围绕触摸传感器区域TSA的触摸外围区域TPA。触摸传感器区域TSA可以与显示单元DU的显示区域DA重叠，并且触摸外围区域TPA可以与显示单元DU的非显示区域NDA重叠。
触摸电极TE和RE可以被布置在触摸传感器区域TSA中。触摸电极TE和RE可以包括在第一方向(X轴方向)上电连接的感测电极RE，以及在与第一方向(X轴方向)交叉的第二方向(Y轴方向)上电连接的驱动电极TE。此外，尽管感测电极RE和驱动电极TE在图5中在平面图中以菱形形状形成，但是本公开的实施例不限于此。
为了防止感测电极RE和驱动电极TE在它们交叉处彼此短路，在第二方向(Y轴方向)上彼此邻接的驱动电极TE可以通过连接电极BE电连接。在此情况下，驱动电极TE和感测电极RE可以被布置在一个层上，并且连接电极BE可以被布置在与驱动电极TE和感测电极RE不同的层上。此外，在第一方向(X轴方向)上电连接的感测电极RE与在第二方向(Y轴方向)上电连接的驱动电极TE彼此电绝缘。
触摸线TL和RL可以被布置在触摸外围区域TPA中。触摸线TL和RL可以包括连接到感测电极RE的感测线RL以及连接到驱动电极TE的第一驱动线TL1和第二驱动线TL2。
被布置在触摸传感器区域TSA的右侧的感测电极RE可以连接到感测线RL。例如，在第一方向(X轴方向)上电连接的感测电极RE之中的最右侧的感测电极可以连接到感测线RL。感测线RL可以连接到第一触摸焊盘TP1。因此，触摸驱动电路400可以电连接到感测电极RE。
被布置在触摸传感器区域TSA下侧的驱动电极TE可以连接到第一驱动线TL1，并且被布置在触摸传感器区域TSA上侧的驱动电极TE可以连接到第二驱动线TL2。例如，在第二方向(Y轴方向)上电连接的驱动电极TE之中的最下侧的驱动电极TE可以连接到第一驱动线TL1，并且最上侧的驱动电极TE可以连接到第二驱动线TL2。第二驱动线TL2可以经由触摸传感器区域TSA的左侧外部而连接到触摸传感器区域TSA的上侧的驱动电极TE。第一驱动线TL1和第二驱动线TL2可以连接到第二触摸焊盘TP2。因此，触摸驱动电路400可以电连接到驱动电极TE。
触摸电极TE和RE可以以互电容方式或自电容方式驱动。首先，当触摸电极TE和RE以互电容方式驱动时，驱动信号通过第一驱动线TL1和第二驱动线TL2被供应到驱动电极TE，以对形成在感测电极RE和驱动电极TE交叉处的互电容进行充电。随后，通过感测线RL测量感测电极RE的电荷改变量，并且根据感测电极RE的电荷改变量而确定触摸是否已经输入。驱动信号中的每一个可以是具有多个驱动脉冲的信号。
第二，当触摸电极TE和RE以自电容方式驱动时，驱动信号通过第一驱动线TL1、第二驱动线TL2和感测线RL被供应到所有驱动电极TE和感测电极RE，以对驱动电极TE和感测电极RE的自电容进行充电。随后，通过第一驱动线TL1、第二驱动线TL2和感测线RL测量驱动电极TE和感测电极RE的自电容的电荷改变量，并且根据自电容的电荷改变量而确定触摸是否已经输入。
驱动电极TE、感测电极RE和连接电极BE可以如图5中所图示形成为网格形状的电极。当包括驱动电极TE和感测电极RE的触摸传感器层TSL如图3中所图示直接形成在薄膜封装层TFEL上时，发光元件层EML的第二电极与触摸传感器层TSL的驱动电极TE或感测电极RE之间的距离是小的。因此，非常大的寄生电容可以形成在发光元件层EML的第二电极与触摸传感器层TSL的驱动电极TE或感测电极RE之间。因此，为了减小寄生电容，驱动电极TE和感测电极RE可以如图5中所图示形成为诸如ITO或IZO的透明氧化物导电层的网格形状的电极而不是非图案化的电极。
第一保护线GL1可以被布置在感测线RL之中的最外侧的感测线RL外部。此外，第一接地线GRL1可以被布置在第一保护线GL1外部。也就是说，第一保护线GL1可以被布置在感测线RL之中的最右侧的感测线RL的右侧，并且第一接地线GRL1可以被布置在第一保护线GL1的右侧。
第二保护线GL2可以被布置在感测线RL之中的最内侧的感测线RL和第一驱动线TL1之中的最右侧的第一驱动线TL1之间。此外，第二保护线GL2可以被布置在第一驱动线TL1之中的最右侧的第一驱动线TL1和第二接地线GRL2之间。此外，第三保护线GL3可以被布置在感测线RL之中的最内侧的感测线RL和第二接地线GRL2之间。第二接地线GRL2可以连接到第一触摸焊盘TP1之中的最左侧的第一触摸焊盘以及第二触摸焊盘TP2之中的最右侧的第二触摸焊盘。
第四保护线GL4可以被布置在第二驱动线TL2之中的最外侧的第二驱动线TL2外部。此外，第三接地线GRL3可以被布置在第四保护线GL4外部。也就是说，第四保护线GL4可以被布置在第二驱动线TL2之中的最左侧的第二驱动线TL2和最上侧的第二驱动线TL2的左侧和上侧，并且第三接地线GRL3可以被布置在第四保护线GL4的左侧和上侧。
第五保护线GL5可以被布置在第二驱动线TL2之中的最内侧的第二驱动线TL2内部。也就是说，第五保护线GL5可以被布置在第二驱动线TL2之中的最右侧的第二驱动线TL2与触摸电极TE和RE之间。
根据图5中所图示的实施例，第一接地线GRL1、第二接地线GRL2和第三接地线GRL3被布置在显示面板100的最上侧、最左侧和最右侧。此外，接地电压被施加到第一接地线GRL1、第二接地线GRL2和第三接地线GRL3。因此，当从外部施加静电时，它可以放电到第一接地线GRL1、第二接地线GRL2和第三接地线GRL3。
此外，根据图5中所图示的实施例，因为第一保护线GL1被布置在最外侧的感测线RL和第一接地线GRL1之间，所以它可以最小化第一接地线GRL1的电压改变对于最外侧的感测线RL的影响。第二保护线GL2被布置在最内侧的感测线RL和最外侧的第一驱动线TL1之间。因此，第二保护线GL2可以最小化最内侧的感测线RL和最左侧的第一驱动线TL1的电压改变对于彼此的影响。因为第三保护线GL3被布置在最内侧的感测线RL和第二接地线GRL2之间，所以它可以最小化第二接地线GRL2的电压改变对于最内侧的感测线RL的影响。因为第四保护线GL4被布置在最外侧的第二驱动线TL2和第三接地线GRL3之间，所以它可以最小化第三接地线GRL3的电压改变对于第二驱动线TL2的影响。因为第五保护线GL5被布置在最内侧的第二驱动线TL2与触摸电极TE和RE之间，所以它可以最小化最内侧的第二驱动线TL2与触摸电极TE和RE对于彼此的影响。
当触摸电极TE和RE以互电容方式驱动时，接地电压可以被施加到第一保护线GL1、第二保护线GL2、第三保护线GL3、第四保护线GL4和第五保护线GL5。此外，当触摸电极TE和RE以自电容方式驱动时，与传送到第一驱动线TL1、第二驱动线TL2和感测线RL的驱动信号相同的驱动信号可以传送到第一保护线GL1、第二保护线GL2、第三保护线GL3、第四保护线GL4和第五保护线GL5。
图6是图示图4的子像素和图5的第一触摸金属层的示例的平面图。
参照图6，子像素可以包括第一子像素RP、第二子像素GP和第三子像素BP。第一子像素RP中的每一个可以显示第一颜色，第二子像素GP中的每一个可以显示第二颜色，并且第三子像素BP中的每一个可以显示第三颜色。第一颜色可以是红色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是蓝色，但是本公开的实施例不限于此。
显示面板100可以以像素P为单位表现白灰度。一个第一子像素RP、两个第二子像素GP和一个第三子像素BP可以被定义为一个像素P。此外，被定义为一个像素P的第一子像素RP、第二子像素GP和第三子像素BP可以如图6中所图示以菱形形状被布置。
在显示面板100中，第一子像素RP的数量与第三子像素BP的数量可以相等。在显示面板100中，第二子像素GP的数量可以是第一子像素RP的数量的两倍并且可以是第三子像素BP的数量的两倍。此外，在显示面板100中，第二子像素GP的数量可以等于第一子像素RP的数量与第三子像素BP的数量之和。
在图6中，当在平面图中观看时，第一子像素RP、第二子像素GP和第三子像素BP以菱形形状形成。然而，本公开的实施例不限于此。也就是说，当在平面图中观看时，第一子像素RP、第二子像素GP和第三子像素BP也可以以矩形形状或方形形状形成，或者可以以矩形形状以外的多边形形状或者以圆形形状或椭圆形形状形成。此外，第一子像素RP的形状、第二子像素GP的形状以及第三子像素BP的形状可以彼此不同。
在图6中，当在平面图中观看时，第一子像素RP的尺寸、第二子像素GP的尺寸和第三子像素BP的尺寸彼此相同。然而，本公开的实施例不限于此。也就是说，当在平面图中观看时，第一子像素RP的尺寸、第二子像素GP的尺寸和第三子像素BP的尺寸也可以彼此不同。例如，当在平面图中观看时，第一子像素RP的尺寸可以大于第二子像素GP的尺寸，并且第三子像素BP的尺寸可以大于第二子像素GP的尺寸。此外，当在平面图中观看时，第一子像素RP的尺寸可以基本上与第三子像素BP的尺寸相同，或者可以小于第三子像素BP的尺寸。
第一全反射层210不与第一子像素RP、第二子像素GP和第三子像素BP重叠。当在平面图中观看时，第一全反射层210可以分别围绕子像素RP、GP和BP。
第一全反射层210的平面形状可以取决于子像素RP、GP和BP的形状。例如，当第一子像素RP的形状、第二子像素GP的形状和第三子像素BP的形状相同时，围绕第一子像素RP的第一全反射层210的形状、围绕第二子像素GP的第一全反射层210的形状和围绕第三子像素BP的第一全反射层210的形状可以相同。可替代地，当第一子像素RP的形状、第二子像素GP的形状和第三子像素BP的形状彼此不同时，围绕第一子像素RP的第一全反射层210的形状、围绕第二子像素GP的第一全反射层210的形状和围绕第三子像素BP的第一全反射层210的形状可以彼此不同。
当在平面图中观看时，第一全反射层210的尺寸可以取决于子像素RP、GP和BP的尺寸。例如，当第一子像素RP的尺寸、第二子像素GP的尺寸和第三子像素BP的尺寸在平面图中基本上相同时，围绕第一子像素RP的第一全反射层210的尺寸、围绕第二子像素GP的第一全反射层210的尺寸和围绕第三子像素BP的第一全反射层210的尺寸可以相同。可替代地，当第一子像素RP的尺寸、第二子像素GP的尺寸和第三子像素BP的尺寸在平面图中彼此不同时，围绕第一子像素RP的第一全反射层210的尺寸、围绕第二子像素GP的第一全反射层210的尺寸和围绕第三子像素BP的第一全反射层210的尺寸可以彼此不同。
当在平面图中观看时，驱动电极TE可以围绕第一全反射层210。驱动电极TE不与第一子像素RP、第二子像素GP和第三子像素BP重叠。此外，驱动电极TE不与第一全反射层210重叠。驱动电极TE可以以网格形状形成并且被布置在子像素RP、GP和BP之间。因此，可以防止由驱动电极TE减小子像素RP、GP和BP中的每一个的开口面积。此外，因为可以减小驱动电极TE和第二电极173之间的重叠面积，所以可以减小驱动电极TE和第二电极173之间的寄生电容。感测电极RE可以与驱动电极TE基本上相同地形成，并且因此省略感测电极RE的详细描述。
图7是图示图6的II-II’的示例的截面图。
参照图7，薄膜晶体管层TFTL形成在基板SUB上。薄膜晶体管层TFTL包括薄膜晶体管120、栅极绝缘层130、层间绝缘层140、保护层150和平坦化层160。
第一缓冲层BF1可以形成在基板SUB的表面上。第一缓冲层BF1可以形成在基板SUB的表面上以保护薄膜晶体管120和发光元件层EML的有机发光层172免受穿过易受湿气渗透的基板SUB引入的湿气的影响。第一缓冲层BF1可以由交替堆叠的多个无机层构成。例如，第一缓冲层BF1可以是其中选自氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或多个无机层交替堆叠的多层。可以省略第一缓冲层BF1。
薄膜晶体管120形成在第一缓冲层BF1上。薄膜晶体管120中的每一个包括有源层121、栅电极122、源电极123和漏电极124。在图9中，薄膜晶体管120中的每一个形成为其中栅电极122位于有源层121上方的顶栅型。然而，应该注意，本公开的实施例不限于此。也就是说，薄膜晶体管120中的每一个也可以形成为其中栅电极122位于有源层121下方的底栅型，或者其中栅电极122位于有源层121上方和下方两者的双栅型。
有源层121形成在第一缓冲层BF1上。有源层121可以包括多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。氧化物半导体的示例可以包括包含铟、锌、镓、锡、钛、铝、铪(Hf)、锆(Zr)、镁(Mg)等的二元化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)和四元化合物(ABxCyDz)。例如，有源层121可以包括ITZO(包含铟、锡和锌的氧化物)或IGZO(包含铟、镓和锌的氧化物)。阻光层可以形成在缓冲层和有源层121之间以阻挡外部光进入有源层121。
栅绝缘层130可以形成在有源层121上。栅绝缘层130可以由诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层制成。
栅电极122和栅极线可以形成在栅绝缘层130上。栅电极122和栅极线中的每一个可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)中的任意一个或多个以及其合金所制成的单层或多层。
层间绝缘膜140可以形成在栅电极122和栅极线上。层间绝缘膜140可以由诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层制成。
源电极123和漏电极124可以形成在层间绝缘膜140上。源电极123和漏电极124中的每一个可以通过穿透栅绝缘层130和层间绝缘膜140的接触孔而连接到有源层121。源电极123和漏电极124中的每一个可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)中的任意一个或多个以及其合金所制成的单层或多层。
用于将薄膜晶体管120绝缘的保护层150可以形成在源电极123和漏电极124上。保护层150可以由诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层制成。
平坦化层160可以形成在保护层150上以平坦化由于薄膜晶体管120引起的台阶。平坦化层160可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层制成。
发光元件层EML形成在薄膜晶体管层TFTL上。发光元件层EML包括发光元件170和像素限定层180。
发光元件170和像素限定层180形成在平坦化层160上。发光元件170中的每一个可以包括第一电极171、有机发光层172和第二电极173。
第一电极171可以形成在平坦化层160上。第一电极171通过穿透保护层150和平坦化层160的接触孔而连接到薄膜晶体管120的源电极123。
在其中光从有机发光层172朝向第二电极173发射的顶发射结构中，第一电极171可以由具有高反射率的金属材料制成，具有高反射率的金属材料诸如铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、或者APC合金和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/APC/ITO)。APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。
在其中光从有机发光层172朝向第一电极171发射的底发射结构中，第一电极171可以由诸如ITO或IZO的能够透射光的透明导电材料(TCO)或者诸如镁(Mg)、银(Ag)或者Mg和Ag的合金的半透射导电材料制成。在此情况下，当第一电极171由半透射导电材料制成时，可以由微腔提高光输出效率。
像素限定层180可以形成在平坦化层160上以将第一电极171与另一个第一电极171隔开，以便用作用于限定子像素RP、GP和BP的像素限定层。像素限定层180可以覆盖第一电极171的边缘。像素限定层180可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层制成。
子像素RP、GP和BP中的每一个是其中第一电极171、有机发光层172和第二电极173顺序地堆叠以使来自第一电极171的空穴和来自第二电极173的电子在有机发光层172中复合在一起以发光的区域。子像素RP、GP和BP中的每一个可以包括发光元件170。
有机发光层172形成在第一电极171和像素限定层180上。有机发光层172可以包括有机材料以发射预定颜色的光。例如，有机发光层172可以包括空穴传输层、有机材料层和电子传输层。在此情况下，第一子像素RP的有机发光层172可以发射第一颜色的光，第二子像素GP的有机发光层172可以发射第二颜色的光，并且第三子像素BP的有机发光层172可以发射第三颜色的光。第一颜色可以是红色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是蓝色，但是本公开的实施例不限于此。
可替代地，子像素RP、GP和BP中的每一个的有机发光层172可以发射白光。在此情况下，第一子像素RP可以与第一颜色的滤色器层重叠，第二子像素GP可以与第二颜色的滤色器层重叠，并且第三子像素BP可以与第三颜色的滤色器层重叠。
第二电极173形成在有机发光层172上。可以形成第二电极173以覆盖有机发光层172。第二电极173可以是对于子像素RP、GP和BP共同形成的公共层。覆盖层可以形成在第二电极173上。
在顶发射结构中，第二电极173可以由诸如ITO或IZO的能够透射光的透明导电材料(TCO)或者诸如镁(Mg)、银(Ag)或者Mg和Ag的合金的半透射导电材料制成。当第二电极173由半透射导电材料制成时，可以由微腔提高光输出效率。
在底发射结构中，第二电极173可以由具有高反射率的金属材料制成，具有高反射率的金属材料诸如铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、或者APC合金和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/APC/ITO)。APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。
薄膜封装层TFEL形成在发光元件层EML上。薄膜封装层TFEL包括封装层190。
封装层190被布置在第二电极173上。封装层190可以包括至少一个无机层以防止氧气或湿气渗透到有机发光层172和第二电极173中。此外，封装层190可以包括至少一个有机层以保护发光元件层EML免受诸如灰尘的外来物质的影响。例如，封装层190可以包括被布置在第二电极173上的第一无机层、被布置在第一无机层上的有机层以及被布置在有机层上的第二无机层。第一无机层和第二无机层可以由但不限于氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层制成。有机层可以由但不限于丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等制成。
第二缓冲层BF2形成在薄膜封装层TFEL上。第二缓冲层BF2可以由交替堆叠的多个无机层构成。例如，第二缓冲层BF2可以是其中选自氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或多个无机层交替堆叠的多层。可以省略第二缓冲层BF2。
触摸传感器层TSL形成在第二缓冲层BF2上。触摸传感器层TSL可以如图5中所图示包括驱动电极TE、感测电极RL、连接电极BE、第一驱动线TL1、第二驱动线TL2、感测线RL、保护线GL1至GL5以及接地线GRL1至GRL3。在图7中，为了方便描述，仅图示触摸传感器层TSL的驱动电极TE。
驱动电极TE形成在第二缓冲层BF2上。除了驱动电极TE之外，感测电极RE、第一驱动线TL1、第二驱动线TL2、感测线RL、保护线GL1至GL5以及接地线GRL1至GRL3可以被布置在封装层190上。也就是说，除了连接电极BE之外，驱动电极TE、感测电极RE、第一驱动线TL1、第二驱动线TL2、感测线RL、保护线GL1至GL5以及接地线GRL1至GRL3可以被布置在同一层上并且可以由相同材料制成。驱动电极TE、感测电极RE、第一驱动线TL1、第二驱动线TL2、感测线RL、保护线GL1至GL5以及接地线GRL1至GRL3可以由但不限于铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、或者APC合金和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/APC/ITO)制成。
触摸绝缘层TINS形成在驱动电极TE上。触摸绝缘层TINS可以由诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层制成。
图5中所图示的连接电极BE可以形成在触摸绝缘层TINS上。连接电极BE中的每一个可以通过穿透触摸绝缘层TINS的接触孔而连接到驱动电极TE。被布置在第二方向(Y轴方向)上的驱动电极TE可以由连接电极BE电连接。连接电极BE可以由但不限于铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、或者APC合金和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/APC/ITO)制成。
在图7中，驱动电极TE、感测电极RE、第一驱动线TL1、第二驱动线TL2、感测线RL、保护线GL1至GL5以及接地线GRL1至GRL3形成在第二缓冲层BF2上，并且连接电极BE形成在触摸绝缘层TINS上。然而，本公开的实施例不限于此。例如，连接电极BE可以形成在第二缓冲层BF2上，并且驱动电极TE、感测电极RE、第一驱动线TL1、第二驱动线TL2、感测线RL、保护线GL1至GL5以及接地线GRL1至GRL3可以形成在触摸绝缘层TINS上。
全反射层TRL被布置在触摸传感器层TSL上。全反射层TRL是将来自子像素RP、GP和BP的光之中的在横向方向而不是朝上方向(Z轴方向)上传播的光全反射的层，以使光可以在朝上方向(Z轴方向)上传播。全反射层TRL可以包括第一全反射层210、第二全反射层220和高折射平坦化层230。
第一全反射层210可以被布置在触摸绝缘层TINS上。第一全反射层210与像素限定层180重叠并且不与子像素RP、GP和BP重叠。第一全反射层210可以包括与子像素RP、GP和BP中的每一个邻近的第一倾斜表面SS1、面对第一倾斜表面SS1的第二倾斜表面SS2以及连接第一倾斜表面SS1和第二倾斜表面SS2的第一上表面US1。第一全反射层210的第一倾斜表面SS1可以是第一全反射层210的内表面，并且第二倾斜表面SS2可以是第一全反射层210的外表面。
第一全反射层210的第一倾斜表面SS1的第一锥角θ1可以是90度或更小。因此，第一全反射层210的第一倾斜表面SS1可以是规则的锥形。第一锥角θ1是第一倾斜表面SS1的倾角并且表示由触摸绝缘层TINS与第一全反射层210的第一倾斜表面SS1所形成的角。
第一全反射层210可以由有机层制成，或者可以由包括无机颗粒的有机层制成。有机层可以是但不限于丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂。无机颗粒可以是但不限于金属颗粒。
第一全反射层210的厚度D1越大，子像素RP、GP和BP的光之中的从第一全反射层210的第一倾斜表面SS1全反射以在朝上方向(Z轴方向)上传播的光的比例越高。因此，为了提高子像素RP、GP和BP的光输出效率，第一全反射层210的厚度D1可以是1.5μm或更大，优选地，可以是大约3μm。
第二全反射层220可以被布置在第一全反射层210上。第二全反射层220与像素限定层180重叠，并且不与子像素RP、GP和BP重叠。第二全反射层220可以包括被布置在第一倾斜表面SS1上的第三倾斜表面SS3、被布置在第二倾斜表面SS2上的第四倾斜表面SS4以及被布置在第一上表面US1上的第二上表面US2。第二上表面US2可以连接第三倾斜表面SS3和第四倾斜表面SS4。第二全反射层220的第三倾斜表面SS3可以是第二全反射层220的内表面，并且第四倾斜表面SS4可以是外表面。
第二全反射层220的第三倾斜表面SS3的第二倾角θ2可以是90度或更小。因此，第二全反射层220的第三倾斜表面SS3可以是规则的锥形。第二锥角θ2是第三倾斜表面SS3的倾角并且表示由触摸绝缘层TINS与第二全反射层220的第三倾斜表面SS3所形成的角。
第二全反射层220可以由无机层、有机层、或者包括无机颗粒的有机层制成。无机层可以是但不限于氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。有机层可以是但不限于丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂。无机颗粒可以是但不限于金属颗粒。
第二全反射层220的折射率可以大于第一全反射层210的折射率，以使子像素RP、GP和BP的光可以从第一全反射层210的第一倾斜表面SS1全反射以在朝上方向(Z轴方向)上传播。
当第二全反射层220的厚度D2等于第一全反射层210的厚度D1或者大于第一全反射层210的厚度时，在子像素RP、GP和BP的光之中的从第二全反射层220的第三倾斜表面SS3折射并且随后从第一全反射层210的第一倾斜表面SS1全反射以在朝上方向(Z轴方向)上传播的光的比例可能减小。因此，第二全反射层220的厚度D2可以小于第一全反射层210的厚度D1。第一全反射层210的厚度D1可以表示第一全反射层210的最大厚度，并且第二全反射层220的厚度D2可以表示第二全反射层220的最大厚度。
尽管在图7中第二全反射层220被布置在第一全反射层210的第一倾斜表面SS1、第二倾斜表面SS2和第一上表面US1上，但是本公开的实施例不限于此。第二全反射层220也可以仅被布置在第一全反射层210的第一倾斜表面SS1和第二倾斜表面SS2上。
第二全反射层220可以如图8中所图示形成为覆盖未被第一全反射层210覆盖的触摸绝缘层TINS。在此情况下，因为可以形成第二全反射层220而不采用单独的掩模工艺，所以可以减小制造成本。
高折射平坦化层230可以如图7中所图示形成在触摸绝缘层TINS和第二全反射层220上，或者可以如图8中所图示形成在第二全反射层220上。高折射平坦化层230用于平坦化由第一全反射层210和第二全反射层220形成的台阶。为此，高折射平坦化层230的厚度D3可以大于第一全反射层210的厚度D1。例如，高折射平坦化层230的厚度D3可以是大约5μm。高折射平坦化层230的厚度D3可以表示高折射平坦化层230的最大厚度。
高折射平坦化层230可以由有机层制成，或者可以由包括无机颗粒的有机层制成。有机层可以是但不限于丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂。无机颗粒可以是但不限于金属颗粒。
高折射平坦化层230的折射率可以大于第二全反射层220的折射率，以使子像素RP、GP和BP的光可以从第二全反射层220的第二倾斜表面SS2全反射以在朝上方向(Z轴方向)上传播。
根据图7中所图示的实施例，在子像素RP、GP和BP的光之中的在横向方向而不是朝上方向(Z轴方向)上传播的光可以从第二全反射层220的第三倾斜表面SS3全反射、可以从第一全反射层210的第一倾斜表面SS1全反射、或者可以从第二全反射层220的第三倾斜表面SS3折射并且随后从第一全反射层210的第一倾斜表面SS1全反射以在朝上方向上传播。因此，能够提高子像素RP、GP和BP的光输出效率，从而增加有机发光元件的寿命并且减小有机发光显示器的功耗。
图9是详细图示图7的区域B的示例的截面图。
参照图9，第一光L1是在触摸绝缘层TINS和高折射平坦化层230之间的界面处以第一输出角θ11输出并且随后从第一全反射层210的第一倾斜表面SS1全反射的光。第二子像素GP的有机发光层172的光可能由于触摸绝缘层TINS和高折射平坦化层230之间的折射率的差而在触摸绝缘层TINS和高折射平坦化层230之间的界面处折射。因此，第一输出角θ11指的是在触摸绝缘层TINS和高折射平坦化层230之间的界面处由垂直向上绘制的法线VL与第一光L1所形成的角。
第二光L2是在触摸绝缘层TINS和高折射平坦化层230之间的界面处以第二输出角θ12输出并且随后从第二全反射层220的第三倾斜表面SS3全反射的光。第二输出角θ12指的是在触摸绝缘层TINS和高折射平坦化层230之间的界面处由垂直向上绘制的法线VL与第二光L2所形成的角。
第一输出角θ11可以如等式1中所计算，并且第二输出角θ12可以如等式2中所计算：
图10图示相对于由等式2所计算的第二全反射层220的第二锥角θ2的第二输出角θ12。在图10中，x轴表示第二全反射层220的第二锥角θ2，并且y轴表示第二输出角θ12。
同时，因为高折射平坦化层230的折射率是高的，所以从第一全反射层210的第一倾斜表面SS1全反射的第一光L1和从第二全反射层220的第三倾斜表面SS3全反射的第二光L2可以当它们进入高折射平坦化层230或从高折射平坦化层230离开时被折射。因此，第一输出角θ11和第二输出角θ12可以如图10中所图示根据高折射平坦化层230的折射率而改变。也就是说，第一输出角θ11和第二输出角θ12可以随着高折射平坦化层230的折射率增大而增大。
如图10中所图示，当第二全反射层220的第二锥角θ2增大时，第二输出角θ12增大。此外，当第二全反射层220的第二锥角θ2和第二全反射层220的折射率恒定时，第二输出角θ12如图10中所图示随着高折射平坦化层230的折射率增大而增大。也就是说，当高折射平坦化层230的折射率和第二全反射层220的折射率之间的差增大时，第二输出角θ12增大。例如，参照图10，如果第二全反射层220的第二锥角θ2是75度，并且第二全反射层220的折射率是1.5，则当高折射平坦化层230的折射率是1.8时，第二输出角θ12是大约30度。另一方面，当高折射平坦化层230的折射率是1.55时，第二输出角θ12可以是大约26度。
类似于图10，当第一全反射层210的第一锥角θ1增大时，第一输出角θ11增大。此外，当第一全反射层210的第一锥角θ1和第一全反射层210的折射率恒定时，第一输出角θ11随着第二全反射层220的折射率增大而增大。当第二全反射层220的折射率和第一全反射层210的折射率之间的差增大时，第一输出角θ11增大。
因此，当第一全反射层210的第一锥角θ1基本上等于第二全反射层220的第二锥角θ2、并且第一全反射层210和第二全反射层220之间的折射率的差基本上等于第二全反射层220和高折射平坦化层230之间的折射率的差时，第一输出角θ11和第二输出角θ12可以基本上相等。
此外，用于输出第二光L2的第二全反射层220的第二锥角θ2的最小角度可以如图11中所图示根据第二全反射层220和高折射平坦化层230之间的折射率的差而改变。具体地，用于输出第二光L2的第二全反射层220的第二锥角θ2的最小角度可以随着第二全反射层220和高折射平坦化层230之间的折射率的差减小而增大。
类似于图11，用于输出第一光L1的第一全反射层210的第一锥角θ1的最小角度可以随着第一全反射层210和第二全反射层220之间的折射率的差减小而增大。
第三光L3是在触摸绝缘层TINS和高折射平坦化层230之间的界面处以第三输出角θ13输出、从第二全反射层220的第三倾斜表面SS3折射并且随后从第一全反射层210的第一倾斜表面SS1全反射的光。第三输出角θ13指的是在触摸绝缘层TINS和高折射平坦化层230之间的界面处由垂直向上绘制的法线VL与第三光L3所形成的角。
第三输出角θ13、第一全反射层210的第一锥角θ1以及第二全反射层220的第二锥角θ2可以如等式3所定义：
其中，n2表示第二全反射层220的折射率，并且n3表示高折射平坦化层230的折射率。
图12图示第一全反射层210的第一锥角θ1相对于由等式3所计算的第二全反射层220的每个第二锥角θ2的第三输出角θ13。在图12中，x轴表示第三输出角θ13，并且y轴表示第一全反射层210的第一锥角θ1。
如图12和图13中所图示，当第一全反射层210的第一锥角θ1增大时，第三输出角θ13减小。此外，如图12和图13中所图示，当第二全反射层220的第二锥角θ2增大时，第三锥角θ13减小。
此外，如图12和图13中所图示，当第一全反射层210和第二全反射层220之间的折射率的差以及第二全反射层220和高折射平坦化层230之间的折射率的差增大时，第三输出角θ2减小。例如，如图12中所图示，当第一全反射层210的折射率是1.5、第二全反射层220的折射率是1.65、高折射平坦化层230的折射率是1.8、第一全反射层210的第一锥角θ1是75度并且第二全反射层220的第二锥角θ2是75度时，第三输出角θ13可以是大约43度。另一方面，如图13中所图示，当第一全反射层210的折射率是1.5、第二全反射层220的折射率是1.6、高折射平坦化层230的折射率是1.7、第一全反射层210的第一锥角θ1是75度并且第二全反射层220的第二锥角θ2是75度时，第三输出角θ13可以是大约40度。
图14是详细图示图7的区域B的另一示例的截面图。
参照图14，第一全反射层210的第一锥角θ1可以大于第二全反射层220的第二锥角θ2。当第一全反射层210的第一锥角θ1增大时，第一光L1的第一输出角θ11增大。如图10中所图示，当第二全反射层220的第二锥角θ2增大时，第二光L2的第二输出角θ12增大。因此，当第一全反射层210和第二全反射层220之间的折射率的差基本上等于第二全反射层220和高折射平坦化层230之间的折射率的差时，因为第一全反射层210的第一锥角θ1大于第二全反射层220的第二锥角θ2，所以第一输出角θ11可以大于第二输出角θ12。
此外，当第一全反射层210的第一锥角θ1增大时，第三光L3的第三输出角θ13减小。当第二全反射层220的第二锥角θ2增大时，第三输出角θ13减小。因此，当第一全反射层210和第二全反射层220之间的折射率的差基本上等于第二全反射层220和高折射平坦化层230之间的折射率的差时，因为第二全反射层220的第二锥角θ2在图14中所图示的实施例中比在图9中所图示的实施例中小，所以第三光L3的第三输出角θ13在图14中所图示的实施例中可以比在图9中所图示的实施例中大。
例如，参照图12，当第一全反射层210的折射率是1.5、第二全反射层220的折射率是1.65、高折射平坦化层230的折射率是1.8、第一全反射层210的第一锥角θ1是75度并且第二全反射层220的第二锥角θ2是70度时，第三输出角θ13可以是大约45度。另一方面，当第一全反射层210的折射率是1.5、第二全反射层220的折射率是1.65、高折射平坦化层230的折射率是1.8、第一全反射层210的第一锥角θ1是75度并且第二全反射层220的第二锥角θ2是75度时，第三输出角θ13可以是大约42度。
此外，当第一全反射层210和第二全反射层220之间的折射率的差以及第二全反射层220和高折射平坦化层230之间的折射率的差增大时，第三光L3的第三输出角θ13减小。例如，参照图12，当第一全反射层210的折射率是1.5、第二全反射层220的折射率是1.65、高折射平坦化层230的折射率是1.8、第一全反射层210的第一锥角θ1是75度并且第二全反射层220的第二锥角θ2是70度时，第三输出角θ13可以是大约45度。另一方面，当第一全反射层210的折射率是1.5、第二全反射层220的折射率是1.6、高折射平坦化层230的折射率是1.7、第一全反射层210的第一锥角θ1是75度并且第二全反射层220的第二锥角θ2是70度时，第三输出角θ13可以是大约42度。
图15是详细图示图7的区域B的另一示例的截面图。
参照图15，第一全反射层210的第一锥角θ1可以小于第二全反射层220的第二锥角θ2。当第一全反射层210的第一锥角θ1增大时，第一光L1的第一输出角θ11增大。如图10中所图示，当第二全反射层220的第二锥角θ2增大时，第二光L2的第二输出角θ12增大。因此，当第一全反射层210和第二全反射层220之间的折射率的差基本上等于第二全反射层220和高折射平坦化层230之间的折射率的差时，因为第一全反射层210的第一锥角θ1小于第二全反射层220的第二锥角θ2，所以第一输出角θ11可以小于第二输出角θ12。
此外，当第一全反射层210的第一锥角θ1增大时，第三光L3的第三输出角θ13减小。当第二全反射层220的第二锥角θ2增大时，第三光L3的第三输出角θ13减小。因此，当第一全反射层210和第二全反射层220之间的折射率的差基本上等于第二全反射层220和高折射平坦化层230之间的折射率的差时，因为第一全反射层210的第一锥角θ1在图15中所图示的实施例中比在图9中所图示的实施例中小，所以第三光L3的第三输出角θ13在图15中所图示的实施例中可以比在图9中所图示的实施例中大。
例如，参照图12，当第一全反射层210的折射率是1.5、第二全反射层220的折射率是1.65、高折射平坦化层230的折射率是1.8、第一全反射层210的第一锥角θ1是70度并且第二全反射层220的第二锥角θ2是75度时，第三输出角θ13可以是大约49度。另一方面，当第一全反射层210的折射率是1.5、第二全反射层220的折射率是1.65、高折射平坦化层230的折射率是1.8、第一全反射层210的第一锥角θ1是75度并且第二全反射层220的第二锥角θ2是75度时，第三输出角θ13可以是大约43度。
此外，当第一全反射层210和第二全反射层220之间的折射率的差以及第二全反射层220和高折射平坦化层230之间的折射率的差增大时，第三光L3的第三输出角θ13减小。例如，参照图12，当第一全反射层210的折射率是1.5、第二全反射层220的折射率是1.65、高折射平坦化层230的折射率是1.8、第一全反射层210的第一锥角θ1是70度并且第二全反射层220的第二锥角θ2是75度时，第三输出角θ13可以是大约49度。另一方面，当第一全反射层210的折射率是1.5、第二全反射层220的折射率是1.6、高折射平坦化层230的折射率是1.7、第一全反射层210的第一锥角θ1是70度并且第二全反射层220的第二锥角θ2是75度时，第三输出角θ13可以是大约47度。
如图9至图15中所述，第一光L1的第一输出角θ11、第二光L2的第二输出角θ12和第三光L3的第三输出角θ13可以由第一全反射层210的第一锥角θ1、第二全反射层220的第二锥角θ2、第一全反射层210的折射率、第二全反射层220的折射率和高折射平坦化层230的折射率确定。如果第一全反射层210的第一锥角θ1、第二全反射层220的第二锥角θ2、第一全反射层210的折射率、第二全反射层220的折射率和高折射平坦化层230的折射率预先通过预备试验而适当地设置，则第一光L1、第二光L2和第三光L3的比例可以增大，从而提高子像素RP、GP和BP的光输出效率。因此，这不仅可以增加有机发光元件的寿命，而且也可以减小有机发光显示器的功耗。
图16是图示图4的子像素和图5的第一触摸金属层的另一示例的平面图。
图16中所图示的实施例与图6中所图示的实施例的不同之处在于，第一全反射层210与驱动电极TE重叠。
当在平面图中观看时，参照图16，第一全反射层210不与第一子像素RP、第二子像素GP和第三子像素BP重叠。当在平面图中观看时，第一全反射层210可以包括暴露子像素RP、GP和BP的开口区域OA。
开口区域OA的平面形状可以取决于子像素RP、GP和BP的形状。例如，当第一子像素RP的形状、第二子像素GP的形状和第三子像素BP的形状相同时，暴露第一子像素RP的开口区域OA的形状、暴露第二子像素GP的开口区域OA的形状和暴露第三子像素BP的开口区域OA的形状可以相同。可替代地，当第一子像素RP的形状、第二子像素GP的形状和第三子像素BP的形状彼此不同时，暴露第一子像素RP的开口区域OA的形状、暴露第二子像素GP的开口区域OA的形状和暴露第三子像素BP的开口区域OA的形状可以彼此不同。
当在平面图中观看时，开口区域OA的尺寸可以取决于子像素RP、GP和BP的尺寸。例如，当第一子像素RP的尺寸、第二子像素GP的尺寸和第三子像素BP的尺寸在平面图中相同时，暴露第一子像素RP的开口区域OA的尺寸、暴露第二子像素GP的开口区域OA的尺寸和暴露第三子像素BP的开口区域OA的尺寸可以相同。可替代地，当第一子像素RP的尺寸、第二子像素GP的尺寸和第三子像素BP的尺寸在平面图中彼此不同时，暴露第一子像素RP的开口区域OA的尺寸、暴露第二子像素GP的开口区域OA的尺寸和暴露第三子像素BP的开口区域OA的尺寸可以彼此不同。
第一全反射层210可以与驱动电极TE重叠。因为感测电极RE可以与驱动电极TE基本上相同地形成，所以第一全反射层210可以与感测电极RE重叠。此外，因为连接电极BE与驱动电极TE和感测电极RE重叠，所以第一全反射层210可以与连接电极BE重叠。
图17是图示图16的III-III’的示例的截面图。
图17中所图示的实施例与图7中所图示的实施例的不同之处在于，第一全反射层210包括限定了暴露子像素RP、GP和BP中的每一个的开口区域OA的第一倾斜表面SS1并且第一全反射层210形成为覆盖驱动电极TE。
参照图17，第一全反射层210可以形成为覆盖驱动电极TE和触摸绝缘层TINS，除了如图17中所图示暴露子像素RP、GP和BP中的每一个的开口区域OA之外。
尽管在图17中第二全反射层210被布置在第一全反射层220的第一倾斜表面SS1和第一上表面US1上，但是本公开的实施例不限于此。也就是说，第二全反射层210也可以被布置在第一全反射层220以及在未被第一全反射层220覆盖的情况下而暴露的触摸绝缘层TINS上。
图18是图示图16的III-III’的另一示例的截面图。
图18中所图示的实施例与图17中所图示的实施例的不同之处在于，省略了触摸绝缘层TINS，并且因此，触摸传感器层TSL和全反射层TRL形成为一个层。
参照图18，第一全反射层210形成在驱动电极TE上。连接电极BE可以形成在第一全反射层210上。第二全反射层220可以形成在连接电极BE上。连接电极BE中的每一个可以通过穿透第一全反射层210的接触孔而连接到驱动电极TE。被布置在第二方向(Y轴方向)上的驱动电极TE可以由连接电极BE电连接。
在图18中，驱动电极TE、感测电极RE、第一驱动线TL1、第二驱动线TL2、感测线RL、保护线GL1至GL5以及接地线GRL1至GRL3形成在第二缓冲层BF2上，并且连接电极BE形成在第一全反射层210上。然而，本公开的实施例不限于此。例如，连接电极BE可以形成在第二缓冲层BF2上，并且驱动电极TE、感测电极RE、第一驱动线TL1、第二驱动线TL2、感测线RL、保护线GL1至GL5以及接地线GRL1至GRL3可以形成在第一全反射层210上。
尽管在图18中第二全反射层210被布置在第一全反射层220的第一倾斜表面SS1和第一上表面US1上，但是本公开的实施例不限于此。也就是说，第二全反射层210也可以被布置在第一全反射层220以及在未被第一全反射层220覆盖的情况下而暴露的触摸绝缘层TINS上。
图19是图示图4的子像素和图5的第一触摸金属层的另一示例的平面图。
图19中所图示的实施例与图6中所图示的实施例的不同之处在于，当在平面图中观看时，第三全反射层240围绕第一全反射层210。
参照图19，第三全反射层240不与第一子像素RP、第二子像素GP和第三子像素BP重叠。当在平面图中观看时，第三全反射层240可以分别围绕子像素RP、GP和BP。此外，当在平面图中观看时，第三全反射层240可以分别围绕第一全反射层210。此外，当在平面图中观看时，驱动电极TE可以围绕第三全反射层240。驱动电极TE不与第三全反射层240重叠。
第三全反射层240的平面形状可以取决于子像素RP、GP和BP的形状。例如，当第一子像素RP的形状、第二子像素GP的形状和第三子像素BP的形状相同时，围绕第一子像素RP的第三全反射层240的形状、围绕第二子像素GP的第三全反射层240的形状和围绕第三子像素BP的第三全反射层240的形状可以相同。可替代地，当第一子像素RP的形状、第二子像素GP的形状和第三子像素BP的形状彼此不同时，围绕第一子像素RP的第三全反射层240的形状、围绕第二子像素GP的第三全反射层240的形状和围绕第三子像素BP的第三全反射层240的形状可以彼此不同。
当在平面图中观看时，第一全反射层210的尺寸可以取决于子像素RP、GP和BP的尺寸。例如，当第一子像素RP的尺寸、第二子像素GP的尺寸和第三子像素BP的尺寸在平面图中相同时，围绕第一子像素RP的第三全反射层240的尺寸、围绕第二子像素GP的第三全反射层240的尺寸和围绕第三子像素BP的第三全反射层240的尺寸可以相同。可替代地，当第一子像素RP的尺寸、第二子像素GP的尺寸和第三子像素BP的尺寸在平面图中彼此不同时，围绕第一子像素RP的第三全反射层240的尺寸、围绕第二子像素GP的第三全反射层240的尺寸和围绕第三子像素BP的第三全反射层240的尺寸可以彼此不同。
图20是图示图19的IV-IV’的示例的截面图。
图20中所图示的实施例与图7中所图示的实施例的不同之处在于，额外地布置了第三全反射层240。
参照图20，第三全反射层240可以被布置在触摸绝缘层TINS上。第三全反射层240与像素限定层180重叠，并且不与子像素RP、GP和BP重叠。第三全反射层240可以包括与第一全反射层210的第二倾斜表面SS2邻近的第五倾斜表面SS5、面对第五倾斜表面SS5的第六倾斜表面SS6以及连接第五倾斜表面SS5和第六倾斜表面SS6的第三上表面US3。第三全反射层240的第五倾斜表面SS5可以是第三全反射层240的内表面，并且第六倾斜表面SS6可以是第三全反射层240的外表面。
第三全反射层240的第五倾斜表面SS5的第三锥角θ3可以是90度或更小。因此，第三全反射层240的第五倾斜表面SS5可以是规则的锥形。第三锥角θ3是第五倾斜表面SS5的倾角并且表示由触摸绝缘层TINS与第三全反射层240的第五倾斜表面SS5所形成的角。
第三全反射层240可以由有机层制成，或者可以由包括无机颗粒的有机层制成。有机层可以是但不限于丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂。无机颗粒可以是但不限于金属颗粒。
第三全反射层240的厚度D4越大，子像素RP、GP和BP的光之中的从第三全反射层240的第五倾斜表面SS5全反射以在朝上方向上传播的光的比例越高。因此，为了提高子像素RP、GP和BP的光输出效率，第三全反射层240的厚度D4可以是1.5μm或更大，优选地，可以是大约3μm。第三全反射层240的厚度D4可以基本上等于第一全反射层210的厚度D1。此外，第三全反射层240的宽度W3可以基本上等于第一全反射层210的宽度W1。然而，本公开的实施例不限于此。
第四全反射层250可以被布置在第三全反射层240上。第四全反射层250与像素限定层180重叠，并且不与子像素RP、GP和BP重叠。第四全反射层250可以包括被布置在第五倾斜表面SS5上的第七倾斜表面SS7、被布置在第六倾斜表面SS6上的第八倾斜表面SS8以及被布置在第三上表面US3上的第四上表面US4。第四上表面US4可以连接第七倾斜表面SS7和第八倾斜表面SS8。第四全反射层250的第三倾斜表面SS3可以是第二全反射层220的内表面，并且第四倾斜表面SS4可以是外表面。
第四全反射层250的第七倾斜表面SS7的第四锥角θ4可以是90度或更小。因此，第四全反射层250的第七倾斜表面SS7可以是规则的锥形。第四锥角θ4是第七倾斜表面SS7的倾角并且表示由触摸绝缘层TINS与第四全反射层250的第七倾斜表面SS7所形成的角。
第四全反射层250可以由无机层、有机层、或者包括无机颗粒的有机层制成。无机层可以是但不限于氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。有机层可以是但不限于丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂。无机颗粒可以是但不限于金属颗粒。
第四全反射层250的折射率可以大于第三全反射层240的折射率，以使子像素RP、GP和BP的光可以从第三全反射层240的第五倾斜表面SS5全反射以在朝上方向上传播。
当第四全反射层250的厚度D5等于第三全反射层240的厚度D4或者大于第三全反射层240的厚度D4时，在子像素RP、GP和BP的光之中的从第四全反射层250的第七倾斜表面SS7折射并且随后从第三全反射层240的第五倾斜表面SS5全反射以在朝上方向(Z轴方向)上传播的光的比例可以减小。因此，第四全反射层250的厚度D5可以小于第三全反射层240的厚度D4。第四全反射层250的厚度D5可以基本上等于第二全反射层220的厚度D2。
尽管在图20中第四全反射层250被布置在第三全反射层240的第五倾斜表面SS5、第六倾斜表面SS6和第三上表面US3上，但是本公开的实施例不限于此。第四全反射层250也可以仅被布置在第三全反射层240的第五倾斜表面SS5和第六倾斜表面SS6上。
第四全反射层250可以如图8中所图示形成为覆盖未被第一全反射层210和第三全反射层240覆盖的触摸绝缘层TINS。在此情况下，因为第二全反射层220和第四全反射层250可以形成为一个层而不采用单独的掩模工艺，所以可以减小制造成本。
高折射平坦化层230可以如图20中所图示形成在触摸绝缘层TINS、第二全反射层220和第四全反射层250上。可替代地，当第二全反射层220和第四全反射层250形成为一个层而不采用单独的掩模工艺时，高折射平坦化层230可以形成在第二全反射层220和第四全反射层250上。高折射平坦化层230用于平坦化由第一全反射层210、第二全反射层220、第三全反射层230和第四全反射层250形成的台阶。为此，高折射平坦化层230的厚度D3可以大于第三全反射层240的厚度D4。
高折射平坦化层230的折射率可以大于第二全反射层220的折射率和第四全反射层250的折射率，以使子像素RP、GP和BP的光可以从第二全反射层220的第二倾斜表面SS2全反射以在朝上方向(Z轴方向)上传播。
根据图20中所图示的实施例，与图7中所图示的实施例相比，在子像素RP、GP和BP的光之中的在横向方向而不是朝上方向上传播的光可以额外地从第四全反射层250的第七倾斜表面SS7全反射、可以从第三全反射层240的第五倾斜表面SS5全反射、或者可以从第四全反射层250的第七倾斜表面SS7折射并且随后从第三全反射层240的第五倾斜表面SS5全反射以在朝上方向上传播。因此，可以进一步提高子像素RP、GP和BP的光输出效率，从而进一步增加有机发光元件的寿命并且进一步减小有机发光显示器的功耗。
此外，在子像素RP、GP和BP的光之中的由第三全反射层240的第五倾斜表面SS5全反射的光、由第四全反射层250的第七倾斜表面SS7全反射的光、以及由第四全反射层250的第七倾斜表面SS7折射并且随后由第三全反射层240的第五倾斜表面SS5全反射的光通过与结合图9至图15描述的第一光L1、第二光L2和第三光L3基本上相同的原理而全反射，并且因此，省略其详细描述。
尽管在图20中第二全反射层210仅被布置在第一全反射层220上并且第四全反射层250仅被布置在第三全反射层240上，但是本公开的实施例不限于此。也就是说，第二全反射层220和第四全反射层250也可以形成为一个层并且被布置在第一全反射层220、第三全反射层240以及在未被第一全反射层220和第三全反射层240覆盖的情况下而暴露的触摸绝缘层TINS上。在此情况下，形成为一个层的第二全反射层220和第四全反射层250可以覆盖驱动电极TE。
图21是图示图4的子像素和图5的第一触摸金属层的另一示例的平面图。
图21中所图示的实施例与图6中所图示的实施例的不同之处在于，第三全反射层240与驱动电极TE重叠。
参照图21，当在平面图中观看时，第三全反射层240不与第一子像素RP、第二子像素GP和第三子像素BP重叠。当在平面图中观看时，第三全反射层240可以包括暴露子像素RP、GP和BP以及第一全反射层210的开口区域OA。
开口区域OA的平面形状可以取决于子像素RP、GP和BP的尺寸。此外，当在平面图中观看时，开口区域OA的尺寸可以取决于子像素RP、GP和BP的尺寸。
第三全反射层240可以与驱动电极TE重叠。因为感测电极RE可以与驱动电极TE基本上相同地形成，所以第三全反射层240可以与感测电极RE重叠。此外，因为连接电极BE如在图5中与驱动电极TE和感测电极RE重叠，所以第一全反射层210可以与连接电极BE重叠。
图22是图示图21的V-V’的示例的截面图。
图22中所图示的实施例与图20中所图示的实施例的不同之处在于，第三全反射层240包括限定了子像素RP、GP和BP中的每一个的开口区域OA的第五倾斜表面SS5并且第三全反射层240形成为覆盖驱动电极TE。
参照图22，第三全反射层240可以形成为覆盖驱动电极TE和触摸绝缘层TINS，除了如图22中所图示的暴露子像素RP、GP和BP中的每一个的开口区域OA之外。
尽管在图22中第二全反射层210仅被布置在第一全反射层220上并且第四全反射层250仅被布置在第三全反射层240上，本公开的实施例不限于此。也就是说，第二全反射层220和第四全反射层250也可以形成为一个层并且被布置在第一全反射层220、第三全反射层240以及在未被第一全反射层220和第三全反射层240覆盖的情况下而暴露的触摸绝缘层TINS上。图23是图示图21的V-V’的另一示例的截面图。
图23中所图示的实施例与图22中所图示的实施例的不同之处在于，省略了触摸绝缘层TINS，并且因此，触摸传感器层TSL和全反射层TRL形成为一个层。
参照图23，第三全反射层240形成在驱动电极TE上。连接电极BE可以形成在第三全反射层240上。第四全反射层250可以形成在连接电极BE上。连接电极BE中的每一个可以通过穿透第三全反射层240的接触孔而连接到驱动电极TE。被布置在第二方向(Y轴方向)上的驱动电极TE可以由连接电极BE连接。
在图23中，驱动电极TE、感测电极RE、第一驱动线TL1、第二驱动线TL2、感测线RL、保护线GL1至GL5以及接地线GRL1至GRL3形成在第二缓冲层BF2上，并且连接电极BE形成在第三全反射层240上。然而，本公开的实施例不限于此。例如，连接电极BE可以形成在第二缓冲层BF2上，并且驱动电极TE、感测电极RE、第一驱动线TL1、第二驱动线TL2、感测线RL、保护线GL1至GL5以及接地线GRL1至GRL3可以形成在第三全反射层240上。
尽管在图23中第二全反射层210仅被布置在第一全反射层220上并且第四全反射层250仅被布置在第三全反射层240上，但是本公开的实施例不限于此。也就是说，第二全反射层220和第四全反射层250也可以形成为一个层并且被布置在第一全反射层220、第三全反射层240以及在未被第一全反射层220和第三全反射层240覆盖的情况下而暴露的触摸绝缘层TINS上。
尽管为了说明的目的已经描述了本发明的优选实施例，但是本领域技术人员将认识到，在不脱离如所附权利要求中所公开的本发明的范围和精神的情况下，各种修改、添加和替换是可能的。
Claims (22)
1.一种显示装置，包括：
子像素，所述子像素包括第一电极、发光层和第二电极；
像素限定层，所述像素限定层限定所述子像素；
第一全反射层，所述第一全反射层与所述像素限定层重叠；
第二全反射层，所述第二全反射层被布置在所述第一全反射层上；以及
平坦化层，所述平坦化层被布置在所述第二全反射层上，
其中，所述平坦化层的折射率大于所述第二全反射层的折射率，并且所述第二全反射层的所述折射率大于所述第一全反射层的折射率。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述平坦化层的最大厚度大于所述第一全反射层的最大厚度，并且所述第一全反射层的所述最大厚度大于所述第二全反射层的最大厚度。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一全反射层不与所述子像素重叠。
4.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括封装层，所述封装层被布置在所述像素限定层和所述子像素的所述第二电极上，其中，所述第一全反射层被布置在所述封装层上，并且所述第二全反射层被布置在未被所述第一全反射层覆盖的所述封装层上。
5.根据权利要求4所述的显示装置，进一步包括缓冲层，所述缓冲层被布置在所述封装层和所述第一全反射层之间。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一全反射层在平面图中围绕所述子像素。
7.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括触摸电极，所述触摸电极与所述像素限定层重叠。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述触摸电极不与所述第一全反射层重叠。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二全反射层覆盖所述触摸电极。
10.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一全反射层覆盖所述触摸电极。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一全反射层在平面图中包括暴露所述子像素的开口区域。
12.根据权利要求7所述的显示装置，进一步包括触摸绝缘层，所述触摸绝缘层覆盖所述触摸电极，其中，所述第一全反射层被布置在所述触摸绝缘层上。
13.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括第三全反射层，所述第三全反射层与所述像素限定层重叠，其中，所述第一全反射层在平面图中围绕所述子像素，并且所述第三全反射层在平面图中围绕所述第一全反射层。
14.根据权利要求13所述的显示装置，进一步包括第四全反射层，所述第四全反射层被布置在所述第三全反射层上，其中，所述第四全反射层的折射率大于所述第三全反射层的折射率。
15.根据权利要求13所述的显示装置，进一步包括封装层，所述封装层被布置在所述像素限定层和所述子像素的所述第二电极上，其中，所述第一全反射层和所述第三全反射层被布置在所述封装层上，并且所述第二全反射层被布置在所述第三全反射层以及未被所述第一全反射层和所述第三全反射层覆盖的所述封装层上。
16.根据权利要求13所述的显示装置，进一步包括触摸电极，所述触摸电极与所述像素限定层重叠。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述触摸电极不与所述第一全反射层和所述第三全反射层重叠。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第二全反射层覆盖所述触摸电极。
19.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第三全反射层覆盖所述触摸电极。
20.根据权利要求16所述的显示装置，进一步包括触摸绝缘层，所述触摸绝缘层覆盖所述触摸电极，其中，所述第一全反射层和所述第三全反射层被布置在所述触摸绝缘层上。
21.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一全反射层包括与所述子像素邻近的第一倾斜表面，并且所述第二全反射层包括被布置在所述第一倾斜表面上的第二倾斜表面，其中，所述第一倾斜表面的倾角被定义为第一锥角，所述第二倾斜表面的倾角被定义为第二锥角，并且所述第一锥角和所述第二锥角中的每一个随着由所述第一全反射层全反射的光的输出角和由所述第二全反射层全反射的光的输出角中的每一个增大而增大。
22.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一全反射层包括与所述子像素邻近的第一倾斜表面，并且所述第二全反射层包括被布置在所述第一倾斜表面上的第二倾斜表面，其中，所述第一倾斜表面的倾角被定义为第一锥角，所述第二倾斜表面的倾角被定义为第二锥角，并且所述第一锥角和所述第二锥角中的每一个随着由所述第二全反射层折射并且随后由所述第一全反射层全反射的光的输出角增大而减小。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2019-0001721 | 2019-01-07 | ||
| KR1020190001721A KR20200085968A (ko) | 2019-01-07 | 2019-01-07 | 표시 장치 |
| PCT/KR2019/016053 WO2020145506A1 (ko) | 2019-01-07 | 2019-11-21 | 표시 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113272988A true CN113272988A (zh) | 2021-08-17 |
Family
ID=71521317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201980088239.XA Pending CN113272988A (zh) | 2019-01-07 | 2019-11-21 | 显示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220077256A1 (zh) |
| KR (1) | KR20200085968A (zh) |
| CN (1) | CN113272988A (zh) |
| WO (1) | WO2020145506A1 (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN113838995A (zh) * | 2021-09-22 | 2021-12-24 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| WO2023193530A1 (zh) * | 2022-04-08 | 2023-10-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220023926A (ko) * | 2020-08-21 | 2022-03-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20220097681A (ko) | 2020-12-30 | 2022-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| CN113410408B (zh) * | 2021-06-02 | 2022-08-26 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| KR20230003683A (ko) | 2021-06-29 | 2023-01-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102158987B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2020-09-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| CN104269427B (zh) * | 2014-09-05 | 2017-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置 |
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-
2019
- 2019-01-07 KR KR1020190001721A patent/KR20200085968A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-11-21 WO PCT/KR2019/016053 patent/WO2020145506A1/ko active Application Filing
- 2019-11-21 US US17/421,196 patent/US20220077256A1/en active Pending
- 2019-11-21 CN CN201980088239.XA patent/CN113272988A/zh active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220077256A1 (en) | 2022-03-10 |
| WO2020145506A1 (ko) | 2020-07-16 |
| KR20200085968A (ko) | 2020-07-16 |
| TW202042387A (zh) | 2020-11-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |