TWI842574B - 多元合金膜、反射層及堆疊結構 - Google Patents
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Abstract
本發明有關於一種多元合金膜、反射層及堆疊結構。多元合金膜包含特定的組成元素，以提高多元合金膜之UVC反射率的熱穩定性。其次，反射層包含交替堆疊之多元合金膜及介電膜，並且多元合金膜的折射率與介電膜的折射率為不同，以提高反射層的反射率。再者，堆疊結構包含反射層及金屬層。堆疊結構可透過金屬層結合至基板，以應用於UVC發光元件。
Description
本發明係有關於一種多元合金膜、反射層及堆疊結構，且特別是有關於一種具有特定組成元素之多元合金膜、反射層及堆疊結構。
於固態照明之技術領域中，發光元件已發展成熟，且由可見光區擴張至深紫外光(DUV)區。深紫外光區包含紫外光B(UVB，波段在大於280 nm至等於320 nm)區及紫外光C(UVC，波段在等於200 nm至等於280 nm)區。發光元件包含基板、金屬層、反射層及晶粒。反射層通常使用金膜，此係由於金膜可藉由電鍍等簡單的製程沉積於金屬層上。金膜具有高導電性與高散熱性之優點，但金膜之UVC反射率很低(如小於30 %)，故降低反射層的光萃取效率。
另一種替代的反射層為鋁膜。鋁膜具有高反射率，但鋁膜的UVC反射率之熱穩定性很差，且鋁膜的耐腐蝕性亦差。詳述之，在發光元件之製程中，先在基板上依序沉積金屬層及反射層後，再進行覆晶封裝。於覆晶封裝期間，藉由對焊接材料之回焊處理，將晶粒結合至基板，其中回焊處理通常在約320℃下進行。
鋁膜經過回焊處理後，鋁膜的晶粒(grain)會成長變大，使鋁膜表面變得粗糙，導致其UVC反射率下降。再者，鋁膜的熱膨脹係數約為23.2×10
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-1，其與基板的熱膨脹係數(約8×10
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-1)匹配性不佳，故在回焊時，鋁膜容易破裂及/或從基板剝離。有鑑於此，亟需發展一種新的多元合金膜、反射層及堆疊結構，以改善習知的種種缺點。
有鑑於上述之問題，本發明之一態樣是在提供一種多元合金膜。包含特定的組成元素，以使多元合金膜有較佳的反射率，且在發光元件的應用上，有助於提升發光元件的可靠度。
本發明之另一態樣是在提供一種反射層。反射層包含交替堆疊之前述的多元合金膜及介電膜，以形成干涉式濾波器，從而使反射層能反射特定波長的光線，達到濾光的功能。
本發明之又一態樣是在提供一種堆疊結構。堆疊結構包含前述的反射層及金屬層。堆疊結構可透過金屬層結合至基板，以應用於UVC發光元件。
根據本發明之一態樣，提出一種多元合金膜。多元合金膜，包含如下式(1)所示之組成。
Al
wZn
xCo
yNi
zL
aY
b(1)
於式(1)中，L代表鑭系元素，Y代表錒系元素，w、x、y、z、a及b代表原子百分比(at.%)並滿足以下關係：6≦x≦25、6≦y≦25、6≦z≦25、0≦a≦1、0≦b≦1，且w＋x＋y＋z＋a＋b＝100。多元合金膜具有UVC反射率，且經退火處理後，多元合金膜之UVC反射率之變化量為大於-3.2至等於25 %，其中退火處理係於150℃至450℃處理1分鐘。
依據本發明之一實施例，w選擇性滿足以下關係：25≦w≦80。
依據本發明之另一實施例，x與y之比值為0.8至1.2。
依據本發明之又一實施例，在退火處理後，多元合金膜之表面粗糙度(Rq)之下降量為大於0nm至等於0.7 nm。
依據本發明之又一實施例，多元合金膜的熱膨脹係數為1×10
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本發明之另一態樣係提供一種反射層。反射層包含至少一前述之多元合金膜及至少一介電膜。至少一介電膜與至少一多元合金膜為交替堆疊。至少一多元合金膜的折射率與至少一介電膜的折射率為不同。
依據本發明之又一實施例，至少一多元合金膜之一者係介於至少一介電膜之二者之間。
依據本發明之又一實施例，至少一介電膜之一者係介於至少一多元合金膜之二者之間。
本發明之又一態樣係提供一種堆疊結構。堆疊結構包含如前述之反射層、金屬層及基板。反射層包含交替堆疊之至少一多元合金膜及至少一介電膜，且金屬層相鄰於至少一多元合金膜之一者但不相鄰至少一介電膜之一者。金屬層位於基板與至少一多元合金膜的前述者之間。
依據本發明之一實施例，至少一多元合金膜之熱膨脹係數與基板之熱膨脹係數之差值為小於或等於10×10
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應用本發明之多元合金膜、反射層及堆疊結構。多元合金膜包含特定的組成元素，以提高多元合金膜之UVC反射率的熱穩定性。
以下仔細討論本發明實施例之製造和使用。然而，可以理解的是，實施例提供許多可應用的發明概念，其可實施於各式各樣的特定內容中。所討論之特定實施例僅供說明，並非用以限定本發明之範圍。
本發明所稱之「UVC反射率的熱穩定性」係以多元合金膜於退火處理前後所量測之紫外光C(UVC)區之反射率的變化量(以退火處理前的UVC反射率為基準)進行評價。當UVC反射率的變化量為大於-3.2 %至等於25 %時，多元合金膜具有良好的UVC反射率的熱穩定性。例如，UVC反射率的變化量為-3.2 %，表示多元合金膜在退火處理後的UVC反射率略微降低；而UVC反射率的變化量為大於2 %，表示多元合金膜在退火處理後的UVC反射率提高。舉例而言，UVC區可包含200 nm至280 nm之波長範圍。
在一些實施例中，本發明所稱之「退火處理」係指於150℃至450℃加熱1分鐘。舉例而言，多元合金膜於150℃至450℃加熱1分鐘。如本案所屬技術領域中具有通常知識者所理解的，退火處理可如於320℃加熱1分鐘。
請參閱圖1，多元合金膜100具有四元至六元金屬元素，且包含如下式(1)所示之組成。
Al
wZn
xCo
yNi
zL
aY
b(1)
於上式(1)中，Al代表鋁元素，Zn代表鋅元素，Co代表鈷元素，Ni代表鎳元素，L代表鑭系元素，Y代表錒系元素。倘若多元合金膜100不具鋁元素、鋅元素、鈷元素及鎳元素，多元合金膜100經退火處理後，降低其UVC反射率的熱穩定性。當多元合金膜100具有鑭系元素及/或錒系元素時，可增加鋁的核子生成密度，進而增加微細的結晶粒並使組織微細化，故降低多元合金膜100的表面粗糙度(Rq)，以提高其UVC反射率的熱穩定性。
於式(1)中，w、x、y、z、a及b代表原子百分比(at.%)並滿足以下關係：6≦x≦25、6≦y≦25、6≦z≦25、0≦a≦1、0≦b≦1，且w＋x＋y＋z＋a＋b＝ 100。倘若w、x、y、z、a及b不滿足前述關係，多元合金膜100經退火處理後，降低其UVC反射率的熱穩定性。
具體而言，當多元合金膜100具有上式(1)所示之組成時，多元合金膜100具有良好的UVC反射率之熱穩定性，故於退火處理後，多元合金膜100之UVC反射率之變化量為大於-3.2 %至等於25 %。然而，習知的鋁膜UVC反射率之熱穩定性差，故經退火處理後，會使其UVC反射率大幅度下降(如小於或等於-3.2 %)。所以，本發明之多元合金膜100可避免前述之缺點，更適合應用於UVC發光元件的反射層。此外，當多元合金膜100具有上式(1)所示之組成時，更提升多元合金膜100的耐腐蝕性。
進一步，在一些實施例中，w可選擇性滿足以下關係：25≦w≦80。當w滿足前述之關係時，多元合金膜100的組織可藉由高溫細化。具體而言，經退火處理後，多元合金膜100的組織被細化，以降低多元合金膜100的表面粗糙度(Rq)，從而提高多元合金膜100之UVC反射率。
此外，在一些具體例中，x與y之比值可選擇性為0.8至1.2。當前述比值為0.8至1.2時，可使多元合金膜100的組織經退火處理後細化，並降低其表面粗糙度(Rq)，從而更提升多元合金膜100之UVC反射率的熱穩定性。此外，當x與y之比值為0.8至1.2時，可更提升多元合金膜100的耐腐蝕性。
舉例而言，在一些實施例中，在退火處理後，多元合金膜100之表面粗糙度(Rq)之下降量可大於0 nm至等於0.7 nm，且較佳可為0.2 nm至0.7 nm。當表面粗糙度(Rq)之下降量在前述之範圍內時，多元合金膜100的金相組織中之晶粒更細化，進而更提高多元合金膜100之UVC反射率的熱穩定性。
請參閱圖2，反射層200包含至少一前述之多元合金膜210及至少一介電膜220。多元合金膜210與介電膜220為交替堆疊。在一例子中，至少一介電膜220之一者可介於至少一多元合金膜210之二者之間。在一些實施例中，多元合金膜210及介電膜220的厚度可為相當，例如差異在5 nm以內。再者，多元合金膜210的厚度及介電膜220的厚度範圍可例如1 nm至800 nm、5 nm至500 nm、10 nm至800 nm、10 nm至600 nm或20 nm至600 nm。
交替堆疊的多元合金膜210與介電膜220可利用本發明所屬技術領域中具有通常知識者所慣用的製程所製得。舉例而言，化學氣相沉積(CVD)製程、原子層沉積(ALD)製程、分子束磊晶(MBE)製程、濺鍍、蒸鍍或其他適合的製程。此外，多元合金膜210可利用電化學沉積的製程形成。
反射層200可以利用光的干涉而具有濾光的功能。舉例而言，反射層200可包括兩層多元合金膜210及一層介電膜220，其中介電膜220夾置於這兩層多元合金膜210之間，以形成法布立-培若干涉儀(Fabry–Pérot interferometer)，從而使反射層200能反射特定波長的光線，達到濾光的功能。
一或多個多元合金膜210也可與其他一或多個膜層(例如介電膜220)交替堆疊，以形成法布立-培若干涉儀以外的其他種類的干涉式濾波器。此外，介電膜220的材料並無特別限制，可為習知介電材料，例如氧化矽、氮化矽及熔融矽，或可選擇性摻雜其他元素(如銦、錫等)。
承上，包含多元合金膜210之反射層200可應用於UVC發光元件的反射層。在一些實施例中，適合應用之UVC區域可選擇性為200 nm至280 nm、210 nm至270 nm、220 nm至280 nm或220 nm至270 nm之波長範圍。
請參閱圖3，堆疊結構300包含如前述之反射層310、金屬層320以及基板330。反射層310包含交替堆疊之至少一多元合金膜310A及至少一介電膜310B。金屬層320相鄰於至少一多元合金膜310A之一者但不相鄰至少一多介電膜310B之一者。換句話說，金屬層320設置於至少一多元合金膜310A之一者，但不相鄰至少一介電膜310B之一者。即，金屬層320設置於反射層310的最外側之多元合金膜310A。金屬層320則位於基板330與多元合金膜310A之間。也就是，金屬層320位於基板330與反射層310之間，且基板330未接觸多元合金膜310A之一側310S，但基板330接觸金屬層320之一側320S。
在一些具體例中，金屬層320的材料並無特別限制，可為習知具有高導電性及高散熱性之金屬材料。舉例而言，金、銅及銀等。
金屬層320之沉積可利用本發明所屬技術領域中具有通常知識者所慣用的製程進行。舉例而言，化學氣相沉積製程、原子層沉積製程、分子束磊晶製程、濺鍍、蒸鍍、電化學沉積製程或其他適合的製程。
在一實施例中，多元合金膜310A的熱膨脹係數可選擇性為1×10
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-1，且多元合金膜310A之熱膨脹係數與基板330之熱膨脹係數之差值可例如為小於或等於10×10
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-1，在後續回焊時，多元合金膜310A不易破裂及/或從基板330剝離。較佳地，多元合金膜310A與基板330之熱膨脹係數之差值可選擇性為小於7×10
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-1。此外，基板330之材料並無特別限制，可為習知材料，例如無機材料及/或有機材料。無機材料可選擇性包含氧化鋁、氧化矽、氮化鋁、碳化矽、氧化鈹，而由此所製得的基板可例如為陶瓷基板或藍寶石基板。有機材料可選擇性包含高分子，例如聚醯胺高分子、聚碳酸酯、聚乙烯對苯二甲酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或壓克力等。
在一些具體例中，基板330之外觀並無特別限制，可為碗杯狀，或者於基板330的表面上設有圖案，以更提升包含堆疊結構300之UVC發光元件的光萃取效率。
以下利用實施例以說明本發明之應用，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。
多元合金膜之製造
實施例1至實施例3之多元合金膜及比較例1之鋁膜分別對應利用含有如表1所示的金屬元素之靶材，以直流磁控濺鍍系統沉積於設置在碗杯的基板上之金膜上。實施例1至實施例3之多元合金膜的厚度為300 nm，且比較例1之鋁膜的厚度為300 nm。前述實施例1至3及比較例1之具體條件及評價結果如下表1至表2及圖4至圖7所示。此外，實施例4至實施例7之多元合金膜分別對應利用含有如表3所示的金屬元素之靶材，藉由與實施例1之相同方式進行沉積。
堆疊結構之製造
應用例1至應用例5之堆疊結構係先於平版式基板上鍍金膜，再利用前述實施例1的方式於金膜上依序沉積多元合金膜及介電膜，其中多元合金膜及介電膜的數量係依據下表4而定。
評價方式
1.反射率
利用市售紫外光-可見光-近紅外光分光光譜儀量測實施例1至實施例3之多元合金膜及比較例1之鋁膜的反射率，以及應用例1至5之堆疊結構的反射率。
2.表面粗糙度
利用原子力顯微鏡(AFM)個別量測實施例1至實施例3之多元合金膜及比較例1之鋁膜的表面粗糙度，其中以薄膜的輪廓曲線(圖未繪示)為粗糙度曲線，並採用均方根粗糙度(Rq)評估。
3.耐腐蝕性
將實施例1至實施例7之多元合金膜或比較例1之鋁膜置於3.5 wt. %的NaCl水溶液中，並藉由電化學方法進行耐腐蝕性試驗。電位掃描範圍是以開路電位(OCP)為基準，從-1伏特至2.5伏特，待測面積設定為1 cm
2，量測多元合金膜或鋁膜的電流，以獲得線性極化曲線，再獲得多元合金膜或鋁膜的腐蝕電位(E
corr)、崩潰電位(E
pit)及腐蝕電流密度(I
corr)。當E
pit與E
corr之差值愈大，代表此多元合金膜具有愈佳的長期耐腐蝕性。
表1
| 反射率的變化量 (%) | 退火溫度 (℃) | ||||||||||
| 200 | |||||||||||
| 波長 (nm) | |||||||||||
| 200 | 210 | 220 | 230 | 240 | 250 | 260 | 270 | 280 | |||
| 實施例1 | 多元 合金膜 | Al 65Zn 12Co 12Ni 11 | 1.6 | 12.0 | 16.1 | 18.9 | 17.2 | 16.8 | 16.0 | 16.0 | 15.5 |
| 實施例2 | Al 60Zn 13Co 13Ni 14 | 8.1 | 3.6 | 9.5 | 10.1 | 8.7 | 9.3 | 9.1 | 9.2 | 8.5 | |
| 實施例3 | Al 50Zn 17Co 16Ni 17 | 14.2 | 6.1 | 2.7 | 0.1 | -2.0 | -2.0 | -2.2 | -2.9 | -3.7 | |
| 比較例1 | 鋁膜 | -10.9 | -3.2 | -6.4 | -6.7 | -9.0 | -8.3 | -8.2 | -8.7 | -8.1 | |
| 反射率的變化量 (%) | 退火溫度 (℃) | ||||||||||
| 300 | |||||||||||
| 波長 (nm) | |||||||||||
| 200 | 210 | 220 | 230 | 240 | 250 | 260 | 270 | 280 | |||
| 實施例1 | 多元 合金膜 | Al 65Zn 12Co 12Ni 11 | -1.4 | 7.8 | 10.7 | 12.5 | 12.7 | 12.8 | 11.8 | 13.1 | 13.1 |
| 實施例2 | Al 60Zn 13Co 13Ni 14 | 9.7 | 10.1 | 13.3 | 11.7 | 10.4 | 12.3 | 11.0 | 11.9 | 11.3 | |
| 實施例3 | Al 50Zn 17Co 16Ni 17 | -24.3 | -0.3 | 0.5 | -0.5 | -0.2 | -1.9 | -2.2 | -3.1 | -1.8 | |
| 比較例1 | 鋁膜 | -10.7 | -10.0 | -9.6 | -10.7 | -10.5 | -10.6 | -10.2 | -10.7 | -10.5 | |
| 反射率的變化量 (%) | 退火溫度 (℃) | ||||||||||
| 400 | |||||||||||
| 波長 (nm) | |||||||||||
| 200 | 210 | 220 | 230 | 240 | 250 | 260 | 270 | 280 | |||
| 實施例1 | 多元 合金膜 | Al 65Zn 12Co 12Ni 11 | -5.8 | 14.5 | 5.4 | 12.7 | 10.6 | 8.5 | 9.5 | 9.6 | 10.9 |
| 實施例2 | Al 60Zn 13Co 13Ni 14 | 2.0 | -4.9 | 1.5 | 3.9 | 3.9 | 5.4 | 4.9 | 5.6 | 5.9 | |
| 實施例3 | Al 50Zn 17Co 16Ni 17 | 1.5 | -6.3 | -3.9 | -1.2 | -1.0 | -2.7 | -2.1 | -3.1 | -1.4 | |
| 比較例1 | 鋁膜 | -12.1 | -11.4 | -10.9 | -11.9 | -11.7 | -11.6 | -11.2 | -11.7 | -11.5 |
表2
| 表面粗糙度(Rq) (nm) | 退火處理前 | 退火溫度 (℃) | ||||
| 200 | 300 | 400 | ||||
| 實施例1 | 多元 合金膜 | Al 65Zn 12Co 12Ni 11 | 0.96 | 0.40 | 0.34 | 0.79 |
| 實施例2 | Al 60Zn 13Co 13Ni 14 | 0.42 | 0.19 | 0.19 | 0.35 | |
| 比較例1 | 鋁膜 | 2.89 | 2.99 | 5.29 | 5.48 |
請參閱表1至表2及圖4至圖7，相較於比較例1之鋁膜，實施例1至實施例3之多元合金膜具有適當含量的元素組成，以提高多元合金膜之UVC反射率的熱穩定性，故在退火處理後，多元合金膜的反射率變化小。此外，實施例1至實施例3之多元合金膜的熱膨脹係數為1×10
-6K
-1至10×10
-6K
-1。
表3
| E corr(V) | I corr(A/cm 2) | E pit與E corr之差值 | |||
| 實施例1 | 多元 合金膜 | Al 65Zn 12Co 12Ni 11 | -0.99 | 2.56 × 10 -6 | 0.91 |
| 實施例2 | Al 60Zn 13Co 13Ni 14 | -0.93 | 3.69 × 10 -6 | 0.81 | |
| 實施例3 | Al 50Zn 17Co 16Ni 17 | -0.88 | 4.51 × 10 -6 | 1.28 | |
| 實施例4 | Al 45Zn 16Co 19Ni 20 | -0.87 | 6.93 × 10 -6 | 1.30 | |
| 實施例5 | Al 36Zn 21Co 22Ni 21 | -0.80 | 8.14 × 10 -6 | 1.14 | |
| 實施例6 | Al 25Zn 25Co 25Ni 25 | -0.77 | 8.23 × 10 -6 | 1.47 | |
| 實施例7 | Al 81Zn 6Co 6Ni 7 | -1.06 | 3.66 × 10 -6 | 0.82 | |
| 比較例1 | 鋁膜 | -1.30 | 1.29 × 10 -6 | 0.46 |
請參閱表3，相較於比較例1之鋁膜，實施例1至實施例7之多元合金膜具有適當含量的元素組成且減少鋁的含量，故提升其耐腐蝕性。
應用例1，應用例2至5進一步使用介電膜，故提升堆疊結構的反射率。再者，隨著反射層(即交替堆疊之多元合金膜及介電膜)數量之增加，堆疊結構的反射率可更增加。
表4
備註：
1.多元合金膜之元素組成為Al
65Zn
12Co
12Ni
11，其折射率為0.65 nD至0.8 nD。
2.金膜的厚度為1 μm至5 μm。
3.「-」表示無資料。
| 應用例 | ||||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | ||
| 結構 | 基板 | 陶瓷基板 | ||||
| 金屬層 | 金膜 | 金膜 | 金膜 | 金膜 | 金膜 | |
| 多元合金膜 | 有無使用 | 有 | 有 | 有 | 有 | 有 |
| 厚度 (nm) | 300 | 300 | 28 | 300 | 15 | |
| 介電膜 | 有無使用 | 無 | 熔融矽 | 熔融矽 | 氮化矽 | 氮化矽 |
| 厚度 (nm) | - | 70 | 70 | 49 | 49 | |
| 折射率 (nD) | - | 1.49 | 1.49 | 2.2 | 2.2 | |
| 多元合金膜 | 有無使用 | 無 | 無 | 有 | 無 | 有 |
| 厚度 (nm) | - | - | 28 | - | 15 | |
| 介電膜 | 有無使用 | 無 | 無 | 熔融矽 | 無 | 氮化矽 |
| 厚度 (nm) | - | - | 70 | - | 49 | |
| 折射率 (nD) | - | - | 1.49 | - | 2.2 | |
| 試驗結果 | 反射率 (%) | 68~ 69 | 70.59~ 71.47 | 74.67~ 76.21 | 75.94~ 77.60 | 81.21~ 83.17 |
請參閱表4，相較於應用例1，應用例2至5進一步使用介電膜，故提升堆疊結構的反射率。再者，隨著反射層(即交替堆疊之多元合金膜及介電膜)數量之增加，堆疊結構的反射率可更增加。
綜上所述，本發明之多元合金膜包含特定的組成元素，以提高多元合金膜之UVC反射率的熱穩定性。其次，本發明之反射層包含交替堆疊之多元合金膜及介電膜，並且多元合金膜的折射率與介電膜的折射率為不同，以提高反射層的反射率。再者，本發明之堆疊結構包含反射層及金屬層。堆疊結構可透過金屬層結合至基板，以應用於UVC發光元件。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，在本發明所屬技術領域中任何具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100,210,310A:多元合金膜
200,310:反射層
220,310B:介電膜
300:堆疊結構
320:金屬層
330:基板
310S,320S:側
為了對本發明之實施例及其優點有更完整之理解，現請參照以下之說明並配合相應之圖式。必須強調的是，各種特徵並非依比例描繪且僅係為了圖解目的。相關圖式內容說明如下：
[圖1]係繪示根據本發明之一實施例的多元合金膜的示意圖。
[圖2]係繪示根據本發明之一實施例的反射層的示意圖。
[圖3]係繪示根據本發明之一實施例的堆疊結構的示意圖。
[圖4]係繪示根據本發明之實施例1的多元合金膜於不同溫度之退火處理後反射率的變化圖。
[圖5]係繪示根據本發明之實施例2的多元合金膜於不同溫度之退火處理後反射率的變化圖。
[圖6]係繪示根據本發明之實施例3的多元合金膜於不同溫度之退火處理後反射率的變化圖。
[圖7]係繪示鋁膜於不同溫度之退火處理後反射率的變化圖。
100:多元合金膜
Claims (10)
- 一種多元合金膜，包含如下式(1)所示之組成： Al wZn xCo yNi zL aY b(1) 於該式(1)中，L代表鑭系元素，Y代表錒系元素，w、x、y、z、a及b代表原子百分比(at.%)並滿足以下關係：6≦x≦25、6≦y≦25、6≦z≦25、0≦a≦1、0≦b≦1，且w＋x＋y＋z＋a＋b＝100；以及 該多元合金膜具有UVC反射率，於一退火處理後，該UVC反射率之變化量為大於-3.2 %至等於25 %，其中該退火處理係於150℃至450℃加熱1分鐘。
- 如請求項1所述之多元合金膜，其中該w更滿足以下關係：25≦w≦80。
- 如請求項1所述之多元合金膜，其中該x與該y之比值為0.8至1.2。
- 如請求項1所述之多元合金膜，其中在該退火處理後，該多元合金膜之表面粗糙度(Rq)之下降量為大於0 nm至等於0.7 nm。
- 如請求項1所述之多元合金膜，其中該多元合金膜的熱膨脹係數為1×10 -6K -1至10×10 -6K -1。
- 一種反射層，包含： 至少一如請求項1至5之任一項所述之多元合金膜；以及 至少一介電膜，其中該至少一介電膜與該至少一多元合金膜為交替堆疊， 其中該至少一多元合金膜的折射率與該至少一介電膜的折射率為不同。
- 如請求項6所述之反射層，其中該至少一多元合金膜之一者係介於該至少一介電膜之二者之間。
- 如請求項6所述之反射層，其中該至少一介電膜之一者係介於該至少一多元合金膜之二者之間。
- 一種堆疊結構，包含： 如請求項6至8之任一項所述之反射層，包含交替堆疊之至少一多元合金膜及至少一介電膜； 一金屬層，相鄰於該至少一多元合金膜之一者但不相鄰該至少一介電膜之一者；以及 一基板，其中該金屬層位於該基板與該至少一多元合金膜之該者之間。
- 如請求項9所述之堆疊結構，其中該至少一多元合金膜之一熱膨脹係數與該基板之一熱膨脹係數之一差值為小於或等於10×10 -6K -1。
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI842574B true TWI842574B (zh) | 2024-05-11 |
Family
ID=
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017134879A1 (ja) | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 株式会社コベルコ科研 | 紫外線反射膜およびスパッタリングターゲット |
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017134879A1 (ja) | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 株式会社コベルコ科研 | 紫外線反射膜およびスパッタリングターゲット |
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