TWI835506B - 相機模組封裝結構 - Google Patents
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 12
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本申請提供一種相機模組封裝結構，包括柔性電路板、嵌入式印刷電路板和晶片級封裝相機模組。本申請採用非流動底部填充劑，簡化了工藝流程，且所述非流動底部填充劑的熱固化時間短，有利於保護半導體元器件，提高其使用壽命。另外，所述非流動底部填充劑可用於回流焊步驟，適用範圍更廣。本申請通過設置異方性導電膠，可使晶片級封裝相機模組與柔性電路板之間形成垂直導通、橫向絕緣的穩定結構。
Description
本申請涉及一種相機模組封裝結構。
相機模組加工的核心技術是封裝工藝，目前有四種主流的封裝技術，即CSP(Chip Scale Package，晶片級封裝)、COB(Chip on Board，板上封裝)、COF(Chip on FPC，覆晶薄膜)和FC(Flip Chip，倒裝晶片)。CSP中，晶圓背面延伸線路後一般會製作球柵陣列(Ball Grid Array，BGA)。CSP的優點包括封裝後的晶片尺寸與晶粒大小相當，適合應用於可攜式電子產品(例如，手機等)。
底部填充劑(Underfill，一種化學膠水，主要成分為環氧樹脂)現已廣泛用於晶片背面的BGA，以提高晶片焊接於電路板後跌落時的可靠性。但是，現有的使用Underfill製程太繁瑣冗長，且所需使用的設備也多。
有鑑於此，本申請提出一種相機模組封裝結構，以簡化工藝流程。
本申請一實施方式提供一種相機模組封裝結構，其包括：柔性電路板；嵌入式印刷電路板，所述嵌入式印刷電路板與所述柔性電路板通過異方性導電膠電連接；和晶片級封裝相機模組，所述晶片級封裝相機模組設於所述嵌入式印刷電路板背離所述柔性電路板的一側，所述晶片級封裝相機模組與所述嵌入式印刷電路板之間通過非流動底部填充劑連接。
一種實施方式中，所述非流動底部填充劑包括助焊劑和底部填充劑。
一種實施方式中，所述底部填充劑包括環氧樹脂。
一種實施方式中，所述晶片級封裝相機模組包括基板、感光晶片、紅外濾光片和封裝部。所述基板包括相對設置的第一表面和第二表面，所述感光晶片設於所述第一表面。所述封裝部設於所述第一表面並包覆所述感光晶片，所述紅外濾光片設於所述封裝部上並與所述感光晶片相對設置。
一種實施方式中，所述基板的所述第二表面設有球柵陣列。
一種實施方式中，所述晶片級封裝相機模組還包括被動元件。所述被動元件設於所述第一表面，所述被動元件被所述封裝部包覆。
一種實施方式中，所述晶片級封裝相機模組還包括設置在所述封裝部上的鏡頭單元，所述鏡頭單元包括鏡頭和音圈馬達。
一種實施方式中，所述感光晶片包括感光區和非感光區，所述紅外濾光片與所述感光區相對設置。
一種實施方式中，所述感光晶片通過金屬導線與所述基板電連接。
一種實施方式中，所述封裝部的材質包括固化膠。
本申請採用非流動底部填充劑，其在前期充當助焊劑角色，在回焊爐中轉換成黏合劑進行底部填充，回流焊過程可同時完成焊球焊接和所述非流動底部填充劑的固化。由於省略了施加助焊劑和去除助焊劑等步驟，進而簡化了工藝流程，且所述非流動底部填充劑的熱固化時間短，有利於保護半導體元器件，提高其使用壽命。另外，所述非流動底部填充劑可用於回流焊步驟，適用範圍更廣。並且，本申請通過設置異方性導電膠，可使晶片級封裝相機模組與柔性電路板之間形成垂直導通、橫向絕緣的穩定結構。
100:相機模組封裝結構
10:柔性電路板
30:嵌入式印刷電路板
50:晶片級封裝相機模組
20:異方性導電膠
40:非流動底部填充劑
51:基板
52:感光晶片
53:紅外濾光片
54:封裝部
55:被動元件
56:鏡頭單元
57:鏡頭
58:音圈馬達
60:金屬導線
70:球柵陣列
511:第一表面
512:第二表面
521:感光區
522:非感光區
圖1為本申請一實施方式提供的相機模組封裝結構的分解結構示意圖。
圖2為圖1所示的相機模組封裝結構的晶片級封裝相機模組的剖面示意圖。
除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬於本申請實施例的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中所使用的術語只是為了描述具體的實施方式的目的，不是旨在於限制本申請實施例。
將理解，當一層被稱為“在”另一層“上”時，它可以直接在該另一層上或者可以在其間存在中間層。相反，當一層被稱為“直接在”另一層“上”時，不存在中間層。
這裡參考剖面圖描述本申請的實施例，這些剖面圖是本申請理想化的實施例(和中間構造)的示意圖。因而，由於製造工藝和/或公差而導致的圖示的形狀不同是可以預見的。因此，本申請的實施例不應解釋為限於這裡圖示的區域的特定形狀，而應包括例如由於製造而產生的形狀的偏差。圖中所示的區域本身僅是示意性的，它們的形狀並非用於圖示裝置的實際形狀，並且並非用於限制本申請的範圍。
下面結合附圖，對本申請的一些實施方式作詳細說明。在不衝突的情況下，下述的實施方式及實施方式中的特徵可以相互組合。
請參閱圖1和圖2，本申請一實施例提供一種相機模組封裝結構100，其包括柔性電路板10、嵌入式印刷電路板30和晶片級封裝相機模組50。所述嵌入式印刷電路板30與所述柔性電路板10通過異方性導電膠20電連接。所述嵌入式印刷電路板30指的是，其上的被動元件(Passive Components，也即無源
元件，例如電容、電阻等)嵌入至電路板內部的結構，如此，能縮小電路板尺寸，有利於降低整體的相機模組封裝結構100的尺寸。所述晶片級封裝相機模組50設於所述嵌入式印刷電路板30背離所述柔性電路板10的一側，所述晶片級封裝相機模組50與所述嵌入式印刷電路板30之間通過非流動底部填充劑40連接。
底部填充劑(Underfill)的應用原理是利用毛細作用使得膠水迅速流過BGA晶片底部，從而對BGA晶片進行底部填充，然後利用加熱對膠水進行固化，將BGA底部空隙大面積(一般覆蓋80%以上)填充滿從而達到加固的目的，增強BGA晶片與其連接的電路板之間的抗跌落性能。底部填充劑的結合過程一般為：施加助焊劑、熱壓、去除助焊劑、施加底部填充劑、熱壓等。本申請採用非流動底部填充劑40(No-flow Underfill)，其在前期充當助焊劑角色，在回焊爐中轉換成黏合劑進行底部填充。所述非流動底部填充劑40可在焊球貼片前點好，回流焊過程可同時完成焊球焊接和所述非流動底部填充劑40的固化。由於不需要助焊劑從而可省略施加助焊劑和去除助焊劑等步驟，進而簡化了工藝流程，且所述非流動底部填充劑40的熱固化時間短，有利於保護半導體元器件，提高其使用壽命。另外，所述非流動底部填充劑40可用於回流焊步驟，適用範圍更廣。
異方性導電膠20(Anisotropic Conductive Film，ACF)以高品質的樹脂及導電粒子組合而成，主要用於連接需要互相導通的基材與線路，具有上下垂直(Z軸)電氣導通、左右平面(X、Y軸)絕緣的特性，並且具有優良的防濕、接著功能。ACF可通過Bonding機台壓合(溫度約為150~200℃)，但因為還有回流焊製程，本申請所述異方性導電膠20需選擇可耐高溫(250℃以上)的異方性導電膠，能經受回流焊的爐溫溫度(峰值約250~260℃)。本申請通過設置異方性導電膠20，可使晶片級封裝相機模組50與柔性電路板(FPC)10之間
形成垂直導通、橫向絕緣的穩定結構，解決了FPC等元器件無法通過高溫鉛錫焊接而完成線路連接的問題。
一些實施例中，所述非流動底部填充劑40包括助焊劑和底部填充劑。所述助焊劑可為本領域常規或非常規的助焊劑，本申請並不作限制。例如，助焊劑可為含有無機酸的助焊劑，其主要成分為鹽酸、氫氟酸等；助焊劑也可為含有無機鹽的助焊劑，其主要成分為氯化鋅、氯化銨等。
進一步地，所述底部填充劑可為但不限於環氧樹脂。
如圖2所示，一些實施例中，所述晶片級封裝相機模組50包括基板51、感光晶片52、紅外濾光片53和封裝部54。所述基板51可為本領域習知的印刷電路板(PCB)，所述基板51包括相對設置的第一表面511和第二表面512。
所述感光晶片52設於所述第一表面511，且大致位於所述第一表面511的中間位置。所述感光晶片52用於獲取外接影像，具體可為COMS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS，互補金屬氧化物半導體)感光晶片。
進一步地，所述感光晶片52可包括感光區521和非感光區522，感光區521大致位於所述感光晶片52的中部，其餘部分則構成非感光區522。所述感光晶片52可通過金屬導線60與所述基板51電連接。具體的，所述金屬導線60的一端可以焊接在感光晶片52的非感光區522的焊墊(圖未示)上，另一端焊接於基板51的電路上，從而形成電連接。所述金屬導線60可為但不限於金線、銀線等。
所述封裝部54設於所述第一表面511並包覆所述感光晶片52。可以理解，所述封裝部54對金屬導線60也形成了包覆，從而有利於防止金屬導線60的斷裂及氧化。所述紅外濾光片53設於所述封裝部54上並與所述感光晶片52相對設置。具體的，所述紅外濾光片53與所述感光晶片52的感光區521相對設置。
一些實施例中，所述紅外濾光片53直接固定在封裝部54上，即，在填充膠水或注塑膠形成封裝部54時，將紅外濾光片53放置在與感光晶片52的感光區521上方對應的位置上，在膠體固化的同時使紅外濾光片53黏接在封裝部54上。也即，一些實施例中，所述封裝部54由固化膠固化而成，所述固化膠可為但不限於紫外固化膠等。
如圖2所示，一些實施例中，所述晶片級封裝相機模組50還包括被動元件55。所述被動元件55設於所述第一表面511，大致位於所述基板51的端部區域。所述被動元件55被所述封裝部54包覆，使所述被動元件55不易脫落。所述被動元件55可為但不限於電阻、電容等元器件。
如圖2所示，一些實施例中，所述晶片級封裝相機模組50還包括設置在所述封裝部54上的鏡頭單元56。所述鏡頭單元56包括鏡頭57和音圈馬達58，所述鏡頭單元56可通過音圈馬達58黏接在所述封裝部54背離所述基板51的表面。
如圖1和圖2所示，一些實施例中，所述基板51的第二表面512設有球柵陣列(BGA)70。球柵陣列70中的各焊球可作為電路的I/O端與印刷電路板(PCB)互連。
本申請採用非流動底部填充劑40(No-flow Underfill)，其在前期充當助焊劑角色，在回焊爐中轉換成黏合劑進行底部填充，回流焊過程可同時完成焊球焊接和所述非流動底部填充劑40的固化。由於省略了施加助焊劑和去除助焊劑等步驟，進而簡化了工藝流程，且所述非流動底部填充劑40的熱固化時間短，有利於保護半導體元器件，提高其使用壽命。另外，所述非流動底部填充劑40可用於回流焊步驟，適用範圍更廣。並且，本申請通過設置異方性導電膠20，可使晶片級封裝相機模組50與柔性電路板(FPC)10之間形成垂直導通、橫向絕緣的穩定結構。
以上說明是本申請一些具體實施方式，但在實際的應用過程中不能僅僅局限於這些實施方式。對本領域的普通技術人員來說，根據本申請的技術構思做出的其他變形和改變，都應該屬於本申請的保護範圍。
100:相機模組封裝結構
10:柔性電路板
20:異方性導電膠
30:嵌入式印刷電路板
40:非流動底部填充劑
50:晶片級封裝相機模組
70:球柵陣列
Claims (9)
- 一種相機模組封裝結構，其改良在於，包括：柔性電路板；嵌入式印刷電路板，所述嵌入式印刷電路板與所述柔性電路板通過異方性導電膠電連接；和晶片級封裝相機模組，所述晶片級封裝相機模組設於所述嵌入式印刷電路板背離所述柔性電路板的一側，所述晶片級封裝相機模組與所述嵌入式印刷電路板之間通過非流動底部填充劑連接，所述晶片級封裝相機模組靠近所述嵌入式印刷電路板的表面設有球柵陣列。
- 如請求項1所述之相機模組封裝結構，其中，所述非流動底部填充劑包括助焊劑和底部填充劑。
- 如請求項2所述之相機模組封裝結構，其中，所述底部填充劑包括環氧樹脂。
- 如請求項1所述之相機模組封裝結構，其中，所述晶片級封裝相機模組包括基板、感光晶片、紅外濾光片和封裝部；所述基板包括相對設置的第一表面和第二表面，所述感光晶片設於所述第一表面，所述封裝部設於所述第一表面並包覆所述感光晶片，所述紅外濾光片設於所述封裝部上並與所述感光晶片相對設置。
- 如請求項4所述之相機模組封裝結構，其中，所述晶片級封裝相機模組還包括被動元件，所述被動元件設於所述第一表面，所述被動元件被所述封裝部包覆。
- 如請求項4所述之相機模組封裝結構，其中，所述晶片級封裝相機模組還包括設置在所述封裝部上的鏡頭單元，所述鏡頭單元包括鏡頭和音圈馬達。
- 如請求項4所述之相機模組封裝結構，其中，所述感光晶片包括感光區和非感光區，所述紅外濾光片與所述感光區相對設置。
- 如請求項4所述之相機模組封裝結構，其中，所述感光晶片通過金屬導線與所述基板電連接。
- 如請求項4所述之相機模組封裝結構，其中，所述封裝部的材質包括固化膠。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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