JP3495913B2 - 半導体装置実装用樹脂シート - Google Patents
半導体装置実装用樹脂シートInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置を回路
基板に実装する際に用いる半導体封止用樹脂シートに関
するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、半導体装置を回路基板上にベアチ
ップの状態で直接実装するフリップチップ接続は、半導
体装置の電極に形成された突起電極と対応する回路基板
の電極とを位置合わせし、加圧，加熱により電気的な接
続を行い、その後、半導体装置と回路基板の隙間に熱硬
化性あるいは光硬化性などの液体樹脂を注入し、樹脂硬
化を行うことで封止し、半導体装置と回路基板との機械
的接続をより強固にしていた。 【０００３】 図２１（ａ）〜（ｃ）は、従来のフリッ
プチップ接続方法の一例を示したものであり、１０は半
導体装置、１１は半導体装置上に形成された電極、１２
は金の突起電極、２０は回路基板、２１は回路基板上に
形成された電極、６０は封止樹脂である。 【０００４】 ここで、従来のフリップチップ接続工程
を説明する。まず、図２１（ａ）に示すように、半導体
装置１０の電極１１上にボールバンピング法あるいはめ
っき法によってＡｕの突起電極が形成され、必要に応じ
て該Ａｕ突起電極の高さを整えるためにレべリングが行
われる。 【０００５】 次に、図２１（ｂ）に示すように半導体
装置１０上の突起電極１２と回路基板２０上の電極２１
との位置合わせが行われ、半導体装置１０上の突起電極
１２と回路基板２０上の電極２１とが当接され、加圧，
加熱することによって電気的な接続が行われる。 【０００６】 最後に、図２１（ｃ）にあるように、半
導体装置１０と回路基板２０との隙間にディスペンサー
８０などを用いて液体樹脂６０が注入された後、加熱硬
化させて樹脂封止が完了する。 【０００７】しかしながら、このような従来のフリップ
チップ接続では次のような欠点を有する。 半導体装置と回路基板の電極との電気的接続工程と、
半導体装置と回路基板の隙間を封止する工程の２工程が
必要である。 【０００８】半導体装置を回路基板に電気的接続した
後に封止樹脂を半導体装置と回路基板との隙間に注入し
ようとすると、液体樹脂を滴下する領域が必要となり、
回路基板上に余分なスペースを必要とする。 【０００９】 （３）半導体装置と回路基板の隙間が２
０〜５０μｍと狭い場合には封止樹脂が内部まで十分に
流れ込まず、封止樹脂中に空気が残り、図２１のように
気泡７０が生じてしまう。この場合、半導体装置と回路
基板との隙間に閉じ込められた空気が内部に含まれる水
分を封止樹脂中に拡散させ、その結果、電気的接続を行
う電極部にまで水分が浸透し、電極間の絶縁信頼性に問
題が生じることがある。 【００１０】封止樹脂は半導体装置と回路基板との機
械的接続性を強化する効果もあるが、封止樹脂の接着面
積が気泡によって減少し、半導体装置と回路基板との機
械的接続強度が低減して熱応力や機械的応力に対する信
頼性に問題が生じる。 【００１１】これら〜の問題を解決するために、特
許第２６４７０４７号や特開平６−１０４３１１号公報
や特開平９−９７８１５号公報に記載の方法が知られて
いる。これらの発明は、封止用の絶縁性樹脂シートをフ
リップチップ接続時にあらかじめ介在させておいて、半
導体装置と回路基板との電気的接続工程と半導体装置と
回路基板との隙間の封止工程とを同時に行い、封止樹脂
中の気泡の巻き込み防止や工程の簡略化を図るものであ
る。 【００１２】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術には次のような問題があった。特開平６−１０４３
１１号公報や特開平９−９７８１５号公報などに記載の
方法で用いられている絶縁性樹脂シートは、半導体装置
の電極形成位置と対応した位置に、ほぼ電極サイズの微
細な孔を形成する工程が必要であり、また絶縁性樹脂シ
ートの貼り付け工程においても開けた孔と回路基板の電
極もしくは半導体装置の電極との位置合わせを精密に行
う必要があった。また、微細な孔開け加工が困難であ
り、半導体装置の電極ピッチが微細化すると、絶縁性樹
脂シートに形成される孔同士が結合してしまう惧れもあ
った。 【００１３】 また、別の手段として図２２に示すよう
に、半導体装置１０の電極群よりも内側の領域にシート
状の半導体装置用封止樹脂２２を貼付け、あるいは印刷
し、半導体装置１０と回路基板２０との接続時の加圧，
加熱工程によって樹脂２２を押し広げ、半導体装置の電
極接続部分まで流動させることで接続部分を封止しよう
としたが、加熱により軟化あるいは溶融した樹脂２２
は、表面積を最小にすべく円形に広がる為、図５に示す
ように半導体装置の辺の中央付近では樹脂のはみ出し量
が多くなるが、半導体装置の角付近は十分にはみ出さず
封止が不完全なものとなる。そのため、十分に封止され
なかった接続部の信頼性が劣る欠点を有している。ま
た、フリップチップ接続後にトランスファーモールドに
よりパッケージ化される場合においては、半導体装置１
０と回路基板２０の隙間にモールド樹脂が潜り込む為に
接続部分を破壊するなどの問題がある。 【００１４】さらに、特許第２６４７０４７号に記載の
方法では、中央部が最大の厚みを持つように隆起したシ
ート状の接着剤を用いることで、半導体装置と回路基板
の間に気泡を巻き込まなくしている。しかしながら、本
方法では半導体装置よりも大きなサイズのシートを用
い、半導体装置の突起電極と基板の電極間に樹脂を挟む
ため、接続信頼性を低下させてしまう。このようなこと
を避けるには、シート状の樹脂を電極より内側の領域の
みに配置すればよいが、この場合、前述のように、半導
体装置の角付近が十分に封止されない問題が生じてしま
う。 【００１５】 本発明は上記課題を解決するものであっ
て、半導体装置と回路基板の電気的接続と樹脂による機
械的接続を同時に行え、かつ、半導体装置を４隅まで完
全に封止することで信頼性を向上できる半導体装置実装
用樹脂シートを提供することを目的とする。 【００１６】 【課題を解決するための手段】本発明は、半導体装置と
回路基板との間に介在し、実装時の加熱により流動、変
形して前記半導体装置と前記回路基板とを機械的に接続
する半導体装置実装用樹脂シートにおいて、対角をなす
４隅の厚みを、折り曲げによって増大するための切り込
みが形成されてなることを特徴とする半導体装置実装用
樹脂シートである。なお、前記対角をなす４隅とは、樹
脂シートが矩形状のものであればその４隅のことをいう
が、これに限るものではなく、矩形状でない場合には樹
脂シートの中心から最も離れた対角をなす４隅をいう。 【００１７】 【００１８】 【００１９】 【００２０】 【００２１】 【００２２】 【００２３】 【００２４】 【００２５】 【発明の実施の形態】＜実施の形態１＞ 以下、本発明が基礎とする構成実施の形態について図面
を用いて説明する。図２は、実施の形態１に係るフリッ
プチップ実装構造を示す断面図である。このフリップチ
ップ実装構造では、半導体装置電極形成面の対向する２
辺に電極が形成されており、半導体装置１０上にあらか
じめ突起電極１２が形成されている。なお、ここでは、
Ａｕワイヤーを用いたボールバンピング法によって形成
したＡｕバンプを突起電極１２としている。もちろん、
電解及び無電解めっき法などによる突起電極形成も可能
である。 【００２６】半導体装置１０は、電極１１が形成された
面を回路基板２０と向かい合わせた状態つまりフェイス
ダウン形態で、回路基板２０上に形成された電極２１
（最表層がＡｕからなる）とＡｕ−Ａｕ固相拡散接合で
電気的に接続されている。また、半導体装置１０と回路
基板２０との間に介在する封止樹脂３２によりその接続
信頼性を向上させている。 【００２７】このような構成の半導体実装構造は、半導
体装置１０と回路基板２０とのＡｕ−Ａｕ固相拡散接合
と同時に、封止樹脂３２を半導体装置１０と回路基板２
０との間に流動させることで、半導体装置１０と回路基
板２０との機械的な接続及び封止を行う。以下に、本半
導体実装構造の形成工程について説明する。 【００２８】（ステップ１１）まず、図３にあるよう
に、ポリイミド基材の回路基板２０上の半導体装置搭載
領域で向かい合う２辺に存在する電極群２１により挟ま
れる領域２２（斜線部）に、低熱膨張率の硬化している
樹脂シート３０を貼り付ける。このとき、樹脂シート３
０は、半導体装置１０上の突起電極１２と回路基板２０
上の電極２１との電気的な接続を考慮して、回路基板２
０上に形成された電極２１を覆わないように配置するこ
とが望ましい。なお、樹脂シート３０は半導体装置実装
時に流動変形して、図２における封止樹脂３２となるも
のである。 【００２９】図１は、樹脂シート３０の拡大図（（ａ）
は断面図，（ｂ）は平面図）である。この図にあるよう
に、樹脂シート３０は、半導体装置１０の四つ角付近３
１（以下、厚膜部と記す）の厚みがそれ以外の部分より
も厚く形成されている。 【００３０】図２にあるように、半導体装置１０上に形
成した突起電極１２と回路基板２０の電極２１との接続
信頼性は、封止樹脂３２の密着力による機械的強度に保
護されている。封止樹脂３２により電極接続部分を十分
に覆うには、樹脂シート３０の中央部の厚さはフリップ
チップ実装後の半導体装置１０の電極形成面と回路基板
２０の表面とのギャップｈ１よりも５μｍ程度以上厚い
ものを使用することが望ましく、また、厚膜部３１は、
実装したときに封止樹脂３２が半導体装置１０からはみ
出して、その角を覆うように十分な厚さに形成すること
が望ましい。例えば、接続後のバンプ高さが３０μｍ程
度であれば、中央部の樹脂の厚みを３５〜４０μｍ程度
に、厚膜部３１の厚みを６０〜７０μｍに形成するのが
適当である。また、厚膜部３１の形成範囲は半導体装置
１０の大きさや電極１１の配置により適宜選択するが、
例えば、半導体装置１０の角を中心とする半径５０〜５
００μｍ程度の範囲に形成する。 【００３１】樹脂シート３０の樹脂材料としては、加熱
により軟化あるいは溶融することで流動する特性を持つ
熱可塑性樹脂などであればよく、例えばエポキシやポリ
イミドなどを用いることができる。また、樹脂シート３
０は、接続信頼性を高めるために、適度な熱膨張率や弾
性率にコントロールすることが望ましい。熱膨張率は、
樹脂の種類によって様々であるが、概ね１０〜１００ｐ
ｐｍ／℃程度である。 【００３２】なお、本実施の形態では中央部の厚さ４０
μｍの樹脂シートを使用した。半導体装置の角付近に相
当する厚膜部３１（半導体装置のサイズが７×５ｍｍ程
度であれば、角から半径５００μｍ程度の範囲内で良
い）の厚みは、封止樹脂３２が十分に半導体装置１０よ
りはみ出してその角を覆うようにするために６０μｍと
した。また、樹脂シート３０の樹脂材料としてポリイミ
ドを用いたが、ポリイミドは耐熱性に優れるため、高温
での接合を必要とするＡｕ−Ａｕ接続には適している。
なお、ポリイミドシートの熱膨張率は３８ｐｐｍであっ
た。 【００３３】（ステップ１２）次に、図４のボンディン
グ工程断面図にあるように、突起電極１２の高さを約５
０μｍにレベリングした突起電極１２付きの半導体装置
１０の裏面をボンディング装置の半導体装置押圧具４０
で真空吸着し、半導体装置１０の突起電極１２とボンデ
ィングステージ６５上に配置した回路基板２０の電極２
１との位置合わせを行う。 【００３４】（ステップ１３）そして、半導体装置１０
を吸着した状態で半導体装置押圧具４０を５０μｍ／ｓ
以下の低速度で半導体装置押圧具４０を降下させる。こ
のとき、半導体装置１０の突起電極１２が最も突き出て
いるために、突起電極１２が最初に回路基板２０上の電
極２１に当接する。そして、この当接とほぼ同時に、半
導体装置押圧具４０及びボンディングステージ６５をパ
ルスヒート方式で加熱し始める。 【００３５】（ステップ１４）当接後、突起電極１２に
徐々に荷重を印加して、高さ約５０μｍの突起電極１２
を３０μｍ程度まで圧縮する。このとき、樹脂シート３
０に対しては、まず厚膜部３１を荷重し次いで中央部分
を荷重することになり、半導体装置押圧具４０からの加
熱によって樹脂シート３０を軟化しているため、樹脂シ
ート３１は半導体装置１０の電極形成面全面に押し広が
る。 【００３６】樹脂シート３１は、円形に広がろうとする
ため、厚膜部３１が形成されていないと（すなわち、樹
脂シート３１の厚さが均一に形成されていると）半導体
装置１０の辺の中央部付近では封止樹脂が大きくはみ出
すが角付近では封止樹脂が不足する（図５の上面図参
照）。しかしながら、本実施の形態では樹脂シート３１
はその角部が厚膜となっており、接続高さに比べて十分
に厚いため、半導体装置の角を覆うことが可能となる。 【００３７】（ステップ１５）続いて、接合部の温度を
３５０℃に保持して、半導体装置１０のＡｕ突起電極１
２と回路基板２０の電極２１の表面に形成したＡｕとの
接合によるＡｕ−Ａｕ固相拡散接合を行う。 【００３８】（ステップ１６）その後、温度降下するこ
とにより、流動し変形した樹脂シート３１を硬化して封
止樹脂３２として、実装工程を完了する。 【００３９】なお、このときの半導体装置１０の電極形
成面と回路基板２０との隙間は約３０μｍである。ま
た、封止樹脂３２の形状は図６の上面図のようになり、
完全に半導体装置の角部まで封止される。 【００４０】このとき、半導体装置１０と回路基板２０
との隙間は、１０〜１００ｐｐｍ程度の熱膨張率を有す
る封止樹脂３２で満たされており、接続工程の熱膨張し
た状態でＡｕ−Ａｕ接合を行って室温まで戻した時に
も、残留応力は信頼性に問題を与えない程度に低減でき
る。 【００４１】上記工程により最終的に図２で示したフリ
ップチップ実装構造体を得ることができる。この実装構
造体において、半導体装置１０上に封止樹脂ポッティン
グ４０することで図７に示す半導体パッケージを得るこ
とができる。また、また、上記実装構造体をトランスフ
ァーモールド法により樹脂モールド４１し、回路基板２
０にスルーホールを設け、該スルーホールに半田ボール
４２を形成することで図８の断面図に示す半導体パッケ
ージを得ることができる。また、図９に示すように、回
路基板２０の周縁部に形成された電極により外部電極４
３の取り出しを行い、ＬＣＣ（リードレスチップチャリ
ア）と呼ばれるものとすることも可能である。 【００４２】なお、本技術により得られたこれらの半導
体パッケージは、半導体装置のサイズに比べ、パッケー
ジのサイズがあまり大きくならない特徴を有する。これ
らパッケージ構造は一例であり、これらに限定されるも
のではない。 【００４３】また、本実施の形態では半導体装置の電極
が二辺に形成されている場合を説明したが、電極が三辺
あるいは四辺であっても同様の効果が得られ、二辺に限
定されるものではない。 【００４４】 ＜実施の形態２＞ 図１０は、実施の形態２の実装構造体を示す断面図であ
る。このフリップチップ実装構造体では、半導体装置１
０の電極形成面の２辺に形成された電極１１が、基板２
０上の半導体装置搭載領域の電極２１上にあらかじめ形
成されている突起電極１３と電気的に接続されている。
本実施の形態ではＡｕワイヤーを用いたボールバンピン
グ法によって形成したＡｕバンプを突起電極１３とし
た。半導体装置１０は、その電極形成面を基板２０と向
かい合わせた状態、つまりフェイスダウン形態で半導体
装置１０の表層Ａｌの電極と基板２０上に形成されたＡ
ｕの突起電極１３とのＡｕ−Ａｌ固相拡散接合で電気的
な接続を行っている。また、半導体装置１０と基板２０
との間に封止樹脂３２を介在させることで、接着力によ
りその接続信頼性を向上させるとともに、半導体装置１
０の封止を行っている。 【００４５】本実施の形態では、封止樹脂３２は後述す
る樹脂層２３及び樹脂シート３３が流動，変形，硬化す
ることで形成する。以下、図１０に示す実装構造体の製
造工程について説明する。 【００４６】（ステップ２１）まず、図１１の（ａ）断
面図，（ｂ）平面図に示すように、回路基板２０の半導
体装置１０が搭載される領域の、配線電極２４の形成部
よりも内側の領域で、半導体装置１０の四つ角付近に、
ポリイミドからなる樹脂層２３を形成する。樹脂層２３
は、半導体装置１０のサイズが１０×１０ｍｍ程度であ
れば、半導体装置１０の角から５００μｍ程度の範囲が
適当である。また、フリップチップ接続後の半導体装置
１０と回路基板２０の距離が４０μｍ程度であるため、
樹脂層２３の厚みを３０μｍとした。 【００４７】（ステップ２２）続いて、図１１（ａ）に
あるように、半導体装置１０の電極形成面上の２辺に形
成された配線電極群２４により囲まれた領域に、樹脂シ
ート３３を貼り付ける。このとき、半導体装置１０上の
電極１１と基板２０上の突起電極１３との電気的な接続
を考慮して、樹脂シート３３は、半導体装置１０上に形
成された電極１１を覆わないことが望ましい。 【００４８】半導体装置１０上に形成した電極１１と基
板２０の突起電極１３との接続信頼性は、封止樹脂材３
２の密着力による機械的強度に保護される。樹脂シート
３３の厚さはこの点を考慮して決定するが、例えば、フ
リップチップ実装後の半導体装置１０の電極形成面と基
板２０の表面とのギャップｈ２よりも５μｍ程度厚いも
のを使用する。本実施の形態では厚さ５０μｍの樹脂シ
ート３３を使用する。 【００４９】（ステップ２３） 次に、図１１（ａ）のボンディング工程断面図にあるよ
うに、半導体装置１０の裏面をボンディング装置の半導
体装置押圧具４０で真空吸着し、半導体装置１０の電極
１１とボンディングステージ６５上に配置した回路基板
２０の電極高さを約６０μｍにレベリングした突起電極
１３との位置合わせを行う。 【００５０】（ステップ２４）次に、半導体装置１０を
接近させていく場合には、５０μｍ／ｓ以下の低速度で
半導体装置押圧具４０を降下させる。このとき、最も突
き出ている突起電極１３が半導体装置１０上の電極１１
に当接する。そして、その当接とほぼ同時に半導体装置
押圧具４０及びボンディングステージ６５をパルスヒー
ト方式で加熱し始める。 【００５１】（ステップ２５）徐々に突起電極１３に荷
重を印加して、高さ約６０μｍであった突起電極１３を
４０μｍ程度まで圧縮する。このとき、回路基板２０上
に形成されたポリイミド樹脂層２３及びその上方の樹脂
シート３３に荷重を加わえることになるが、樹脂層２３
及び樹脂シート３３は加熱によって軟化しているため、
半導体装置１０の電極形成面全体に押し広がる。 【００５２】このとき樹脂シート３３は円形に広がろう
とするため、樹脂層２３がなければ、半導体装置１０の
辺の中央付近は大きく樹脂がはみ出すが、角付近は不足
する。しかしながら、樹脂層２３の上に樹脂シート３３
が供給されているために半導体装置１０の角付近の樹脂
は大きくはみ出し、十分に角まで覆うことが可能とな
る。 【００５３】（ステップ２６）続いて、接合部の温度を
３００℃に保持して、半導体装置１０のＡｌ電極１１と
基板２０のＡｕ突起電極１３との接合によるＡｕ−Ａｌ
固相拡散接合を行う。 【００５４】（ステップ２７）その後、温度降下すると
ともに樹脂シート３３，樹脂層２３の硬化がなされ封止
樹脂３２となり、実装工程を完了する。 【００５５】なお、このときの半導体装置１０の電極形
成面と基板２０との隙間は約４０μｍである。また、封
止樹脂３２の形状は図６の上面図のようになり、半導体
装置の角部まで完全に封止される。 【００５６】なお、本実施の形態では、回路基板にＡｕ
突起電極を形成し、半導体装置のＡｌ電極との接合する
場合を説明したが、電気的接続を行う突起電極として
は、半導体装置および基板の双方にＡｕあるいはＡｕ合
金の突起電極を形成してもよく、また半導体装置側には
Ａｕ突起電極を、基板側にははんだ突起電極を形成し
て、本実施例よりも低温での接合も可能である。 【００５７】また、本実施の形態では、半導体装置の電
極が二辺に形成されている場合を説明したが、電極が三
辺あるいは四辺であっても同様の効果が得られ、二辺に
限定されるものではない。 【００５８】さらに、本実施の形態により得られた実装
構造体も、実施の形態１と同様に樹脂モールドにより半
導体パッケージとすることが可能である。 【００５９】＜実施の形態３＞図１２は、本実施の形態
のフリップチップ実装構造体を示す図（（ａ）断面図，
（ｂ）平面図）である。本実装構造体は、半導体装置１
０の周囲に封止樹脂３２をせき止めるダム２４を有する
ものである。なお、封止樹脂３２は後述する樹脂３４が
流動，変形，硬化して形成されるものである。この実装
構造体は以下のようにして形成する。 【００６０】（ステップ３１）まず、回路基板２０の半
導体装置１０が搭載される領域よりも外側の領域で、半
導体装置を囲むようにポリイミドからなるダム２４を設
ける。ポリイミド２４の厚みは適宜選択すればよいが、
半導体装置１０の接続高さより高くし、封止樹脂３２の
流れを変える必要があることから１００μｍ程度とし
た。 【００６１】（ステップ３２）図１２にあるように、回
路基板２０の電極群２１により囲まれた領域に、樹脂３
４を印刷により供給する。このとき、半導体装置１０上
の電極１１と回路基板２０上の電極２１との電気的な接
続を考慮して、樹脂３４は回路基板２０の電極２１を覆
わないことが望ましい。半導体装置に形成されたＡｕか
らなる突起電極１２には、公知の方法によりＡｇやＰｄ
を含むような導電性ペースト１４が供給されている。 【００６２】（ステップ３３）次に、図１３のボンディ
ング工程断面図にあるように、半導体装置１０の裏面を
ボンディング装置の半導体装置押圧具４０により真空吸
着し、一定の厚みに制御された導電性ペーストに突起電
極１２を接触させることで突起電極１２上に導電性ペー
スト１４を供給する。 【００６３】（ステップ３４）続いて、半導体装置１０
の電極１１上に形成されたＡｕ突起電極１２とボンディ
ングステージ６５上に配置した基板２０の電極２１との
位置合わせを行う。 【００６４】（ステップ３５）次に、半導体装置１０を
接近させる際は、５０μｍ／ｓ以下の低速度で半導体装
置押圧具４０を降下させる。このとき、最も突き出てい
る突起電極１２が回路基板２０上の電極２１に当接す
る。この当接とほぼ同時に半導体装置押圧具４０および
ボンディングステージ６５をパルスヒート方式で加熱し
始める。 【００６５】（ステップ３６）徐々に突起電極１２に荷
重を印加して、高さ約６０μｍあった突起電極１２を４
０μｍまで圧縮する。このとき、回路基板２０上に印刷
された樹脂３４に荷重が加わることになるが、樹脂３４
は加熱によって軟化しており、押し広がる。同時に突起
電極１２に供給された導電性ペースト１４が加熱硬化
し、電気的接続が得られる。 【００６６】半導体装置接続時の荷重印加によって、樹
脂３４は半導体装置１０の能動面全体に押し広がる。こ
のとき、樹脂３４は円形に広がろうとするため、半導体
装置１０の辺の中央部付近から大きく、はみ出し、ポリ
イミドからなるダム２４にぶつかる。半導体装置１０の
辺の中央付近より順次はみ出した樹脂はポリイミドから
なるダム２４にはばまれ、流れる方向を変化させ半導体
装置１０のコーナー付近まで覆うように流れる。 【００６７】（ステップ３７）その後、温度降下により
樹脂３４を硬化して封止樹脂３２として、実装工程を完
了する。 【００６８】この工程により封止樹脂は図１４のような
形状になり、半導体装置の角部まで完全に封止される。 【００６９】なお、本実施の形態では半導体装置の電極
が二辺に形成されている場合を説明したが、電極が三辺
あるいは四辺であっても同様の効果が得られ、二辺に限
定されるものではない。 【００７０】また、本実施の形態により得られた実装構
造物も、実施の形態１と同様に樹脂モールドし半導体パ
ッケージとすることが可能である。 【００７１】＜実施の形態４＞図１５は、本実施の形態
の実装構造体の製造工程を説明する断面図である。本実
施の形態では、図１８に示す実装構造体を製造する工程
を説明する。なお、図１８における封止樹脂３２は図１
５における樹脂シート３５が流動，変形，硬化すること
で形成される。 【００７２】（ステップ４１）まず、図１５にあるよう
に、ポリイミド基材の回路基板２０上の半導体装置搭載
領域で向かい合う２辺に存在する電極群２１により挟ま
れる領域に、低熱膨張率の硬化している樹脂シート３５
を貼り付ける。このとき、半導体装置１０上の突起電極
１２と回路基板２０上の電極２１との電気的な接続を考
慮して、樹脂シート３５は、回路基板２０上に形成され
た電極２１を覆わないことが望ましい。 【００７３】半導体装置１０上に形成した突起電極１２
と回路基板２０の電極２１との接続信頼性は、封止樹脂
３２の密着力による機械的強度に保護されており、樹脂
シート３５の接着面積を大きくとるために、樹脂シート
３５の厚さは、例えばフリップチップ実装後の半導体装
置１０の電極形成面と基板２０の表面とのギャップより
も５μｍ程度厚いものが望ましく、本実施の形態では厚
さ４５μｍの樹脂シート３５を使用した。 【００７４】（ステップ４２）次に、図１５のボンディ
ング工程断面図にあるように、電極高さを約５０μｍに
レベリングした突起電極１２付きの半導体装置１０の裏
面をボンディング装置の半導体装置押圧具４０で真空吸
着し、半導体装置１０の突起電極１２とボンディングス
テージ６５上に配置した回路基板２０の電極２１との位
置合わせを行う。 【００７５】（ステップ４３）次に、図１６に示すよう
に、半導体装置１０を回路基板２０に当接させる前に、
樹脂整形ツール（封止樹脂整形用部材）９０をまず回路
基板２０に当接させる。その後、図１７に示すように、
低速度で半導体装置押圧具４０を降下させて、最も突き
出ている半導体装置１０の突起電極１２を回路基板２０
上の電極２１に当接させ、それとほぼ同時に半導体装置
押圧具４０及びボンディングステージ６５をパルスヒー
ト方式で加熱し始める。 【００７６】（ステップ４４）続いて、徐々に突起電極
１２に荷重を印加して、高さ約５０μｍあった突起電極
１２を４５μｍまで圧縮する。このとき、樹脂シート３
５にも荷重が加わり、半導体装置押圧具４０からの加熱
によって樹脂シート３５が軟化しているため、樹脂シー
ト３５は半導体装置電極形成面全面に押し広がる。やが
て、半導体装置１１より外側にはみ出し、樹脂整形ツー
ル９０に接触する。樹脂のはみ出し量が増加するととも
に樹脂は整形ツール９０の内側に広がっていき、最後に
は半導体装置１０のコーナーにまで達する。 【００７７】（ステップ４５）続いて、接合部の温度を
３５０℃に保持して、半導体装置１０のＡｕ突起電極１
２と回路基板２０の電極２１の表面に形成したＡｕとの
接合によるＡｕ−Ａｕ拡散接合を行う。 【００７８】（ステップ４６）その後、温度降下するこ
とにより流動し変形した樹脂シート３５を硬化して、封
止樹脂３２とする。 【００７９】（ステップ４７）次に、樹脂整形ツール９
０を上昇させ、続いてボンディングツール４０を上昇さ
せる（図１８参照）。なお、このときの半導体装置１０
の電極形成面と基板２０との隙間は約３０μｍである。
この工程により封止樹脂３２は図１４のような形状にな
り、半導体装置の角部まで完全に封止される。 【００８０】なお、本実施の形態では半導体装置の電極
が二辺に形成されている場合を説明したが、電極が三辺
あるいは四辺であっても同様の効果が得られ、二辺に限
定されるものではない。 【００８１】また、本実施の形態により得られた実装構
造物も、実施の形態１と同様に樹脂モールドし半導体パ
ッケージとすることが可能である。 【００８２】 ＜実施の形態５＞ 図１９は、本発明の実施の形態に係る樹脂シート５０を
用いるフリップチップ実装構造体の製造工程を示す斜視
図である。本実施の形態では半導体装置電極形成面の４
辺に電極２１が形成されており、回路基板の半導体装置
１０上の電極１１に対応する位置にあらかじめ突起電極
１２が形成されている。ここでは、Ａｕワイヤーを用い
たボールバンピング法によって形成したＡｕバンプを突
起電極１２とした。なお、電解および無電解めっき法な
どによる突起電極形成も可能である。 【００８３】半導体装置１０は、電極１１が形成された
面を回路基板２０と向かい合わせた状態、つまりフェイ
スダウン形態で回路基板２０上に形成された最表層がＡ
ｕからなる電極２１とＡｕ−Ａｕ固相拡散接合で電気的
な接続を行っている。また、半導体装置１０と回路基板
２０との間に介在する封止樹脂によりその接続信頼性を
向上させている。 【００８４】樹脂シート５０は図２０（ａ）にあるよう
に、矩形のシートの対向する二辺にＴ字型の切れ込み４
５が入っており、図２０（ｂ）に示すように折り返すこ
とで角部分の厚みを厚くすることができるようになって
いる。樹脂シート５０は、例えば、接続後のバンプ高さ
が３０μｍ程度であれば、樹脂の厚みは３０〜３５μｍ
程度で、Ｔ字部分を折り返すことで四つ角付近（厚膜
部）３１は、６０〜７０μｍとなり、半導体装置の封止
に適当な厚みとなる。 【００８５】 【００８６】封止樹脂材料としてはエポキシやポリイミ
ドなどが多く用いられるが、加熱により軟化あるいは溶
融することで流動する特性を持つ熱可塑性樹脂などであ
ればよい。 【００８７】 図１９の実装構造体は以下の工程により
製造する。 （ステップ５１） まず、図１９にあるように、ポリイミド基材の回路基板
２０上の半導体装置搭載領域で４辺に存在する電極群２
１により挟まれる領域２２（斜線部）に、樹脂シート５
０（図２０）を貼り付ける。このとき、半導体装置１０
上の突起電極１２と回路基板２０上の電極２１との電気
的な接続を考慮して、樹脂シート５０は、回路基板２０
上に形成された電極２１を覆わないことが望ましい。半
導体装置１０上に形成した突起電極１２と回路基板２０
の電極２１との接続信頼性は、樹脂の密着力による機械
的強度に保護されており、樹脂により、電極接続部分を
十分に覆う為に、樹脂シート５０の厚さは、フリップチ
ップ実装後の半導体装置１０の電極形成面と回路基板２
０の表面とのギャップｈ１よりも５μｍ程度以上厚いも
のを使用し、本実施の形態では厚さ３０〜３５μｍのも
のを使用した。また、半導体装置の角付近に相当する部
分の厚みは、樹脂シート５０を折り返す為に６０〜７０
μｍとなる。 【００８８】（ステップ５２）次に、電極高さを約４０
μｍにレベリングした突起電極１２付きの半導体装置１
０の裏面をボンディング装置の半導体装置押圧具４０で
真空吸着し、半導体装置１０の突起電極１２とボンディ
ングステージ６５上に配置した回路基板２０の電極２１
との位置合わせを行う。 【００８９】（ステップ５３）続いて、半導体装置１０
が当接する際は、５０μｍ／ｓ以下の低速度で半導体装
置押圧具４０を降下させて、まず最も突き出ている半導
体装置１０が回路基板２０上の電極２１に当接し、それ
とほぼ同時に半導体装置押圧具４０およびボンディング
ステージ６５をパルスヒート方式で加熱し始める。 【００９０】 （ステップ５４） 続いて、徐々に突起電極に荷重を印加して、高さ約４０
μｍあった突起電極を３０μｍ程度まで圧縮する。この
とき、樹脂シート５０においては、まず厚い部分に荷重
が加わり、次いで中央部に荷重が加わる。半導体装置押
圧具４０からの加熱によって樹脂シート５０は軟化して
いるため、さらなる荷重印加により樹脂シート５０は半
導体装置１０の電極形成面全面に押し広がる。 【００９１】 樹脂シート５０は円形に広がろうとする
ため、樹脂シート５０に厚みの大きい部分が無ければ、
半導体装置の辺の中央部付近では大きくはみ出すが角付
近は不足する。しかしながら、本形態では樹脂シート５
０を介在させているため、半導体装置１０の角を覆うこ
とが可能となる。 【００９２】（ステップ５５）次に、接合部の温度を３
５０℃に保持して、半導体装置１０のＡｕ突起電極１２
と基板２０の電極２１の表面に形成したＡｕとの接合に
よるＡｕ−Ａｕ固相拡散接合を行う。 【００９３】 （ステップ５６）その後、温度降下する
とともに樹脂シート５０の硬化がなされ、実装工程を完
了する。なお、このときの半導体装置１０の電極形成面
と回路基板２０との隙間は約３０μｍである。また、半
導体装置１０と回路基板２０との隙間は、１０〜１００
ｐｐｍ程度の熱膨張率を有する熱硬化性樹脂５０で満た
されており、接続工程の熱膨張した状態でＡｕ−Ａｕ接
合を行って室温まで戻した時にも、残留応力は信頼性に
問題を与えない程度に低減できる。 【００９４】なお、本実施の形態では半導体装置の電極
が４辺に形成されている場合を説明したが、４辺に限定
されるものではない。 【００９５】また、本実施の形態例により得られた実装
構造物も、実施の形態１と同様に樹脂モールドし半導体
パッケージとすることが可能である。 【００９６】 【発明の効果】本発明によれば、従来における介在樹脂
シートへの微細加工や精密な位置合わせが必要なくな
り、フリップチップ実装において接続工程の簡略化と半
導体装置と回路基板との接続信頼性を向上させることが
可能となる。 【００９７】また、半導体装置の四つ角部まで樹脂によ
る十分な封止が可能となり、電極接合部の耐環境性や機
械的強度の向上を図ることができ、高信頼性を確保する
ことが可能となる。これにより半導体装置の接続部分の
耐環境性を向上させ、機械的に補強されるので接続部分
の信頼性を向上させることができる。
基板に実装する際に用いる半導体封止用樹脂シートに関
するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、半導体装置を回路基板上にベアチ
ップの状態で直接実装するフリップチップ接続は、半導
体装置の電極に形成された突起電極と対応する回路基板
の電極とを位置合わせし、加圧，加熱により電気的な接
続を行い、その後、半導体装置と回路基板の隙間に熱硬
化性あるいは光硬化性などの液体樹脂を注入し、樹脂硬
化を行うことで封止し、半導体装置と回路基板との機械
的接続をより強固にしていた。 【０００３】 図２１（ａ）〜（ｃ）は、従来のフリッ
プチップ接続方法の一例を示したものであり、１０は半
導体装置、１１は半導体装置上に形成された電極、１２
は金の突起電極、２０は回路基板、２１は回路基板上に
形成された電極、６０は封止樹脂である。 【０００４】 ここで、従来のフリップチップ接続工程
を説明する。まず、図２１（ａ）に示すように、半導体
装置１０の電極１１上にボールバンピング法あるいはめ
っき法によってＡｕの突起電極が形成され、必要に応じ
て該Ａｕ突起電極の高さを整えるためにレべリングが行
われる。 【０００５】 次に、図２１（ｂ）に示すように半導体
装置１０上の突起電極１２と回路基板２０上の電極２１
との位置合わせが行われ、半導体装置１０上の突起電極
１２と回路基板２０上の電極２１とが当接され、加圧，
加熱することによって電気的な接続が行われる。 【０００６】 最後に、図２１（ｃ）にあるように、半
導体装置１０と回路基板２０との隙間にディスペンサー
８０などを用いて液体樹脂６０が注入された後、加熱硬
化させて樹脂封止が完了する。 【０００７】しかしながら、このような従来のフリップ
チップ接続では次のような欠点を有する。 半導体装置と回路基板の電極との電気的接続工程と、
半導体装置と回路基板の隙間を封止する工程の２工程が
必要である。 【０００８】半導体装置を回路基板に電気的接続した
後に封止樹脂を半導体装置と回路基板との隙間に注入し
ようとすると、液体樹脂を滴下する領域が必要となり、
回路基板上に余分なスペースを必要とする。 【０００９】 （３）半導体装置と回路基板の隙間が２
０〜５０μｍと狭い場合には封止樹脂が内部まで十分に
流れ込まず、封止樹脂中に空気が残り、図２１のように
気泡７０が生じてしまう。この場合、半導体装置と回路
基板との隙間に閉じ込められた空気が内部に含まれる水
分を封止樹脂中に拡散させ、その結果、電気的接続を行
う電極部にまで水分が浸透し、電極間の絶縁信頼性に問
題が生じることがある。 【００１０】封止樹脂は半導体装置と回路基板との機
械的接続性を強化する効果もあるが、封止樹脂の接着面
積が気泡によって減少し、半導体装置と回路基板との機
械的接続強度が低減して熱応力や機械的応力に対する信
頼性に問題が生じる。 【００１１】これら〜の問題を解決するために、特
許第２６４７０４７号や特開平６−１０４３１１号公報
や特開平９−９７８１５号公報に記載の方法が知られて
いる。これらの発明は、封止用の絶縁性樹脂シートをフ
リップチップ接続時にあらかじめ介在させておいて、半
導体装置と回路基板との電気的接続工程と半導体装置と
回路基板との隙間の封止工程とを同時に行い、封止樹脂
中の気泡の巻き込み防止や工程の簡略化を図るものであ
る。 【００１２】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術には次のような問題があった。特開平６−１０４３
１１号公報や特開平９−９７８１５号公報などに記載の
方法で用いられている絶縁性樹脂シートは、半導体装置
の電極形成位置と対応した位置に、ほぼ電極サイズの微
細な孔を形成する工程が必要であり、また絶縁性樹脂シ
ートの貼り付け工程においても開けた孔と回路基板の電
極もしくは半導体装置の電極との位置合わせを精密に行
う必要があった。また、微細な孔開け加工が困難であ
り、半導体装置の電極ピッチが微細化すると、絶縁性樹
脂シートに形成される孔同士が結合してしまう惧れもあ
った。 【００１３】 また、別の手段として図２２に示すよう
に、半導体装置１０の電極群よりも内側の領域にシート
状の半導体装置用封止樹脂２２を貼付け、あるいは印刷
し、半導体装置１０と回路基板２０との接続時の加圧，
加熱工程によって樹脂２２を押し広げ、半導体装置の電
極接続部分まで流動させることで接続部分を封止しよう
としたが、加熱により軟化あるいは溶融した樹脂２２
は、表面積を最小にすべく円形に広がる為、図５に示す
ように半導体装置の辺の中央付近では樹脂のはみ出し量
が多くなるが、半導体装置の角付近は十分にはみ出さず
封止が不完全なものとなる。そのため、十分に封止され
なかった接続部の信頼性が劣る欠点を有している。ま
た、フリップチップ接続後にトランスファーモールドに
よりパッケージ化される場合においては、半導体装置１
０と回路基板２０の隙間にモールド樹脂が潜り込む為に
接続部分を破壊するなどの問題がある。 【００１４】さらに、特許第２６４７０４７号に記載の
方法では、中央部が最大の厚みを持つように隆起したシ
ート状の接着剤を用いることで、半導体装置と回路基板
の間に気泡を巻き込まなくしている。しかしながら、本
方法では半導体装置よりも大きなサイズのシートを用
い、半導体装置の突起電極と基板の電極間に樹脂を挟む
ため、接続信頼性を低下させてしまう。このようなこと
を避けるには、シート状の樹脂を電極より内側の領域の
みに配置すればよいが、この場合、前述のように、半導
体装置の角付近が十分に封止されない問題が生じてしま
う。 【００１５】 本発明は上記課題を解決するものであっ
て、半導体装置と回路基板の電気的接続と樹脂による機
械的接続を同時に行え、かつ、半導体装置を４隅まで完
全に封止することで信頼性を向上できる半導体装置実装
用樹脂シートを提供することを目的とする。 【００１６】 【課題を解決するための手段】本発明は、半導体装置と
回路基板との間に介在し、実装時の加熱により流動、変
形して前記半導体装置と前記回路基板とを機械的に接続
する半導体装置実装用樹脂シートにおいて、対角をなす
４隅の厚みを、折り曲げによって増大するための切り込
みが形成されてなることを特徴とする半導体装置実装用
樹脂シートである。なお、前記対角をなす４隅とは、樹
脂シートが矩形状のものであればその４隅のことをいう
が、これに限るものではなく、矩形状でない場合には樹
脂シートの中心から最も離れた対角をなす４隅をいう。 【００１７】 【００１８】 【００１９】 【００２０】 【００２１】 【００２２】 【００２３】 【００２４】 【００２５】 【発明の実施の形態】＜実施の形態１＞ 以下、本発明が基礎とする構成実施の形態について図面
を用いて説明する。図２は、実施の形態１に係るフリッ
プチップ実装構造を示す断面図である。このフリップチ
ップ実装構造では、半導体装置電極形成面の対向する２
辺に電極が形成されており、半導体装置１０上にあらか
じめ突起電極１２が形成されている。なお、ここでは、
Ａｕワイヤーを用いたボールバンピング法によって形成
したＡｕバンプを突起電極１２としている。もちろん、
電解及び無電解めっき法などによる突起電極形成も可能
である。 【００２６】半導体装置１０は、電極１１が形成された
面を回路基板２０と向かい合わせた状態つまりフェイス
ダウン形態で、回路基板２０上に形成された電極２１
（最表層がＡｕからなる）とＡｕ−Ａｕ固相拡散接合で
電気的に接続されている。また、半導体装置１０と回路
基板２０との間に介在する封止樹脂３２によりその接続
信頼性を向上させている。 【００２７】このような構成の半導体実装構造は、半導
体装置１０と回路基板２０とのＡｕ−Ａｕ固相拡散接合
と同時に、封止樹脂３２を半導体装置１０と回路基板２
０との間に流動させることで、半導体装置１０と回路基
板２０との機械的な接続及び封止を行う。以下に、本半
導体実装構造の形成工程について説明する。 【００２８】（ステップ１１）まず、図３にあるよう
に、ポリイミド基材の回路基板２０上の半導体装置搭載
領域で向かい合う２辺に存在する電極群２１により挟ま
れる領域２２（斜線部）に、低熱膨張率の硬化している
樹脂シート３０を貼り付ける。このとき、樹脂シート３
０は、半導体装置１０上の突起電極１２と回路基板２０
上の電極２１との電気的な接続を考慮して、回路基板２
０上に形成された電極２１を覆わないように配置するこ
とが望ましい。なお、樹脂シート３０は半導体装置実装
時に流動変形して、図２における封止樹脂３２となるも
のである。 【００２９】図１は、樹脂シート３０の拡大図（（ａ）
は断面図，（ｂ）は平面図）である。この図にあるよう
に、樹脂シート３０は、半導体装置１０の四つ角付近３
１（以下、厚膜部と記す）の厚みがそれ以外の部分より
も厚く形成されている。 【００３０】図２にあるように、半導体装置１０上に形
成した突起電極１２と回路基板２０の電極２１との接続
信頼性は、封止樹脂３２の密着力による機械的強度に保
護されている。封止樹脂３２により電極接続部分を十分
に覆うには、樹脂シート３０の中央部の厚さはフリップ
チップ実装後の半導体装置１０の電極形成面と回路基板
２０の表面とのギャップｈ１よりも５μｍ程度以上厚い
ものを使用することが望ましく、また、厚膜部３１は、
実装したときに封止樹脂３２が半導体装置１０からはみ
出して、その角を覆うように十分な厚さに形成すること
が望ましい。例えば、接続後のバンプ高さが３０μｍ程
度であれば、中央部の樹脂の厚みを３５〜４０μｍ程度
に、厚膜部３１の厚みを６０〜７０μｍに形成するのが
適当である。また、厚膜部３１の形成範囲は半導体装置
１０の大きさや電極１１の配置により適宜選択するが、
例えば、半導体装置１０の角を中心とする半径５０〜５
００μｍ程度の範囲に形成する。 【００３１】樹脂シート３０の樹脂材料としては、加熱
により軟化あるいは溶融することで流動する特性を持つ
熱可塑性樹脂などであればよく、例えばエポキシやポリ
イミドなどを用いることができる。また、樹脂シート３
０は、接続信頼性を高めるために、適度な熱膨張率や弾
性率にコントロールすることが望ましい。熱膨張率は、
樹脂の種類によって様々であるが、概ね１０〜１００ｐ
ｐｍ／℃程度である。 【００３２】なお、本実施の形態では中央部の厚さ４０
μｍの樹脂シートを使用した。半導体装置の角付近に相
当する厚膜部３１（半導体装置のサイズが７×５ｍｍ程
度であれば、角から半径５００μｍ程度の範囲内で良
い）の厚みは、封止樹脂３２が十分に半導体装置１０よ
りはみ出してその角を覆うようにするために６０μｍと
した。また、樹脂シート３０の樹脂材料としてポリイミ
ドを用いたが、ポリイミドは耐熱性に優れるため、高温
での接合を必要とするＡｕ−Ａｕ接続には適している。
なお、ポリイミドシートの熱膨張率は３８ｐｐｍであっ
た。 【００３３】（ステップ１２）次に、図４のボンディン
グ工程断面図にあるように、突起電極１２の高さを約５
０μｍにレベリングした突起電極１２付きの半導体装置
１０の裏面をボンディング装置の半導体装置押圧具４０
で真空吸着し、半導体装置１０の突起電極１２とボンデ
ィングステージ６５上に配置した回路基板２０の電極２
１との位置合わせを行う。 【００３４】（ステップ１３）そして、半導体装置１０
を吸着した状態で半導体装置押圧具４０を５０μｍ／ｓ
以下の低速度で半導体装置押圧具４０を降下させる。こ
のとき、半導体装置１０の突起電極１２が最も突き出て
いるために、突起電極１２が最初に回路基板２０上の電
極２１に当接する。そして、この当接とほぼ同時に、半
導体装置押圧具４０及びボンディングステージ６５をパ
ルスヒート方式で加熱し始める。 【００３５】（ステップ１４）当接後、突起電極１２に
徐々に荷重を印加して、高さ約５０μｍの突起電極１２
を３０μｍ程度まで圧縮する。このとき、樹脂シート３
０に対しては、まず厚膜部３１を荷重し次いで中央部分
を荷重することになり、半導体装置押圧具４０からの加
熱によって樹脂シート３０を軟化しているため、樹脂シ
ート３１は半導体装置１０の電極形成面全面に押し広が
る。 【００３６】樹脂シート３１は、円形に広がろうとする
ため、厚膜部３１が形成されていないと（すなわち、樹
脂シート３１の厚さが均一に形成されていると）半導体
装置１０の辺の中央部付近では封止樹脂が大きくはみ出
すが角付近では封止樹脂が不足する（図５の上面図参
照）。しかしながら、本実施の形態では樹脂シート３１
はその角部が厚膜となっており、接続高さに比べて十分
に厚いため、半導体装置の角を覆うことが可能となる。 【００３７】（ステップ１５）続いて、接合部の温度を
３５０℃に保持して、半導体装置１０のＡｕ突起電極１
２と回路基板２０の電極２１の表面に形成したＡｕとの
接合によるＡｕ−Ａｕ固相拡散接合を行う。 【００３８】（ステップ１６）その後、温度降下するこ
とにより、流動し変形した樹脂シート３１を硬化して封
止樹脂３２として、実装工程を完了する。 【００３９】なお、このときの半導体装置１０の電極形
成面と回路基板２０との隙間は約３０μｍである。ま
た、封止樹脂３２の形状は図６の上面図のようになり、
完全に半導体装置の角部まで封止される。 【００４０】このとき、半導体装置１０と回路基板２０
との隙間は、１０〜１００ｐｐｍ程度の熱膨張率を有す
る封止樹脂３２で満たされており、接続工程の熱膨張し
た状態でＡｕ−Ａｕ接合を行って室温まで戻した時に
も、残留応力は信頼性に問題を与えない程度に低減でき
る。 【００４１】上記工程により最終的に図２で示したフリ
ップチップ実装構造体を得ることができる。この実装構
造体において、半導体装置１０上に封止樹脂ポッティン
グ４０することで図７に示す半導体パッケージを得るこ
とができる。また、また、上記実装構造体をトランスフ
ァーモールド法により樹脂モールド４１し、回路基板２
０にスルーホールを設け、該スルーホールに半田ボール
４２を形成することで図８の断面図に示す半導体パッケ
ージを得ることができる。また、図９に示すように、回
路基板２０の周縁部に形成された電極により外部電極４
３の取り出しを行い、ＬＣＣ（リードレスチップチャリ
ア）と呼ばれるものとすることも可能である。 【００４２】なお、本技術により得られたこれらの半導
体パッケージは、半導体装置のサイズに比べ、パッケー
ジのサイズがあまり大きくならない特徴を有する。これ
らパッケージ構造は一例であり、これらに限定されるも
のではない。 【００４３】また、本実施の形態では半導体装置の電極
が二辺に形成されている場合を説明したが、電極が三辺
あるいは四辺であっても同様の効果が得られ、二辺に限
定されるものではない。 【００４４】 ＜実施の形態２＞ 図１０は、実施の形態２の実装構造体を示す断面図であ
る。このフリップチップ実装構造体では、半導体装置１
０の電極形成面の２辺に形成された電極１１が、基板２
０上の半導体装置搭載領域の電極２１上にあらかじめ形
成されている突起電極１３と電気的に接続されている。
本実施の形態ではＡｕワイヤーを用いたボールバンピン
グ法によって形成したＡｕバンプを突起電極１３とし
た。半導体装置１０は、その電極形成面を基板２０と向
かい合わせた状態、つまりフェイスダウン形態で半導体
装置１０の表層Ａｌの電極と基板２０上に形成されたＡ
ｕの突起電極１３とのＡｕ−Ａｌ固相拡散接合で電気的
な接続を行っている。また、半導体装置１０と基板２０
との間に封止樹脂３２を介在させることで、接着力によ
りその接続信頼性を向上させるとともに、半導体装置１
０の封止を行っている。 【００４５】本実施の形態では、封止樹脂３２は後述す
る樹脂層２３及び樹脂シート３３が流動，変形，硬化す
ることで形成する。以下、図１０に示す実装構造体の製
造工程について説明する。 【００４６】（ステップ２１）まず、図１１の（ａ）断
面図，（ｂ）平面図に示すように、回路基板２０の半導
体装置１０が搭載される領域の、配線電極２４の形成部
よりも内側の領域で、半導体装置１０の四つ角付近に、
ポリイミドからなる樹脂層２３を形成する。樹脂層２３
は、半導体装置１０のサイズが１０×１０ｍｍ程度であ
れば、半導体装置１０の角から５００μｍ程度の範囲が
適当である。また、フリップチップ接続後の半導体装置
１０と回路基板２０の距離が４０μｍ程度であるため、
樹脂層２３の厚みを３０μｍとした。 【００４７】（ステップ２２）続いて、図１１（ａ）に
あるように、半導体装置１０の電極形成面上の２辺に形
成された配線電極群２４により囲まれた領域に、樹脂シ
ート３３を貼り付ける。このとき、半導体装置１０上の
電極１１と基板２０上の突起電極１３との電気的な接続
を考慮して、樹脂シート３３は、半導体装置１０上に形
成された電極１１を覆わないことが望ましい。 【００４８】半導体装置１０上に形成した電極１１と基
板２０の突起電極１３との接続信頼性は、封止樹脂材３
２の密着力による機械的強度に保護される。樹脂シート
３３の厚さはこの点を考慮して決定するが、例えば、フ
リップチップ実装後の半導体装置１０の電極形成面と基
板２０の表面とのギャップｈ２よりも５μｍ程度厚いも
のを使用する。本実施の形態では厚さ５０μｍの樹脂シ
ート３３を使用する。 【００４９】（ステップ２３） 次に、図１１（ａ）のボンディング工程断面図にあるよ
うに、半導体装置１０の裏面をボンディング装置の半導
体装置押圧具４０で真空吸着し、半導体装置１０の電極
１１とボンディングステージ６５上に配置した回路基板
２０の電極高さを約６０μｍにレベリングした突起電極
１３との位置合わせを行う。 【００５０】（ステップ２４）次に、半導体装置１０を
接近させていく場合には、５０μｍ／ｓ以下の低速度で
半導体装置押圧具４０を降下させる。このとき、最も突
き出ている突起電極１３が半導体装置１０上の電極１１
に当接する。そして、その当接とほぼ同時に半導体装置
押圧具４０及びボンディングステージ６５をパルスヒー
ト方式で加熱し始める。 【００５１】（ステップ２５）徐々に突起電極１３に荷
重を印加して、高さ約６０μｍであった突起電極１３を
４０μｍ程度まで圧縮する。このとき、回路基板２０上
に形成されたポリイミド樹脂層２３及びその上方の樹脂
シート３３に荷重を加わえることになるが、樹脂層２３
及び樹脂シート３３は加熱によって軟化しているため、
半導体装置１０の電極形成面全体に押し広がる。 【００５２】このとき樹脂シート３３は円形に広がろう
とするため、樹脂層２３がなければ、半導体装置１０の
辺の中央付近は大きく樹脂がはみ出すが、角付近は不足
する。しかしながら、樹脂層２３の上に樹脂シート３３
が供給されているために半導体装置１０の角付近の樹脂
は大きくはみ出し、十分に角まで覆うことが可能とな
る。 【００５３】（ステップ２６）続いて、接合部の温度を
３００℃に保持して、半導体装置１０のＡｌ電極１１と
基板２０のＡｕ突起電極１３との接合によるＡｕ−Ａｌ
固相拡散接合を行う。 【００５４】（ステップ２７）その後、温度降下すると
ともに樹脂シート３３，樹脂層２３の硬化がなされ封止
樹脂３２となり、実装工程を完了する。 【００５５】なお、このときの半導体装置１０の電極形
成面と基板２０との隙間は約４０μｍである。また、封
止樹脂３２の形状は図６の上面図のようになり、半導体
装置の角部まで完全に封止される。 【００５６】なお、本実施の形態では、回路基板にＡｕ
突起電極を形成し、半導体装置のＡｌ電極との接合する
場合を説明したが、電気的接続を行う突起電極として
は、半導体装置および基板の双方にＡｕあるいはＡｕ合
金の突起電極を形成してもよく、また半導体装置側には
Ａｕ突起電極を、基板側にははんだ突起電極を形成し
て、本実施例よりも低温での接合も可能である。 【００５７】また、本実施の形態では、半導体装置の電
極が二辺に形成されている場合を説明したが、電極が三
辺あるいは四辺であっても同様の効果が得られ、二辺に
限定されるものではない。 【００５８】さらに、本実施の形態により得られた実装
構造体も、実施の形態１と同様に樹脂モールドにより半
導体パッケージとすることが可能である。 【００５９】＜実施の形態３＞図１２は、本実施の形態
のフリップチップ実装構造体を示す図（（ａ）断面図，
（ｂ）平面図）である。本実装構造体は、半導体装置１
０の周囲に封止樹脂３２をせき止めるダム２４を有する
ものである。なお、封止樹脂３２は後述する樹脂３４が
流動，変形，硬化して形成されるものである。この実装
構造体は以下のようにして形成する。 【００６０】（ステップ３１）まず、回路基板２０の半
導体装置１０が搭載される領域よりも外側の領域で、半
導体装置を囲むようにポリイミドからなるダム２４を設
ける。ポリイミド２４の厚みは適宜選択すればよいが、
半導体装置１０の接続高さより高くし、封止樹脂３２の
流れを変える必要があることから１００μｍ程度とし
た。 【００６１】（ステップ３２）図１２にあるように、回
路基板２０の電極群２１により囲まれた領域に、樹脂３
４を印刷により供給する。このとき、半導体装置１０上
の電極１１と回路基板２０上の電極２１との電気的な接
続を考慮して、樹脂３４は回路基板２０の電極２１を覆
わないことが望ましい。半導体装置に形成されたＡｕか
らなる突起電極１２には、公知の方法によりＡｇやＰｄ
を含むような導電性ペースト１４が供給されている。 【００６２】（ステップ３３）次に、図１３のボンディ
ング工程断面図にあるように、半導体装置１０の裏面を
ボンディング装置の半導体装置押圧具４０により真空吸
着し、一定の厚みに制御された導電性ペーストに突起電
極１２を接触させることで突起電極１２上に導電性ペー
スト１４を供給する。 【００６３】（ステップ３４）続いて、半導体装置１０
の電極１１上に形成されたＡｕ突起電極１２とボンディ
ングステージ６５上に配置した基板２０の電極２１との
位置合わせを行う。 【００６４】（ステップ３５）次に、半導体装置１０を
接近させる際は、５０μｍ／ｓ以下の低速度で半導体装
置押圧具４０を降下させる。このとき、最も突き出てい
る突起電極１２が回路基板２０上の電極２１に当接す
る。この当接とほぼ同時に半導体装置押圧具４０および
ボンディングステージ６５をパルスヒート方式で加熱し
始める。 【００６５】（ステップ３６）徐々に突起電極１２に荷
重を印加して、高さ約６０μｍあった突起電極１２を４
０μｍまで圧縮する。このとき、回路基板２０上に印刷
された樹脂３４に荷重が加わることになるが、樹脂３４
は加熱によって軟化しており、押し広がる。同時に突起
電極１２に供給された導電性ペースト１４が加熱硬化
し、電気的接続が得られる。 【００６６】半導体装置接続時の荷重印加によって、樹
脂３４は半導体装置１０の能動面全体に押し広がる。こ
のとき、樹脂３４は円形に広がろうとするため、半導体
装置１０の辺の中央部付近から大きく、はみ出し、ポリ
イミドからなるダム２４にぶつかる。半導体装置１０の
辺の中央付近より順次はみ出した樹脂はポリイミドから
なるダム２４にはばまれ、流れる方向を変化させ半導体
装置１０のコーナー付近まで覆うように流れる。 【００６７】（ステップ３７）その後、温度降下により
樹脂３４を硬化して封止樹脂３２として、実装工程を完
了する。 【００６８】この工程により封止樹脂は図１４のような
形状になり、半導体装置の角部まで完全に封止される。 【００６９】なお、本実施の形態では半導体装置の電極
が二辺に形成されている場合を説明したが、電極が三辺
あるいは四辺であっても同様の効果が得られ、二辺に限
定されるものではない。 【００７０】また、本実施の形態により得られた実装構
造物も、実施の形態１と同様に樹脂モールドし半導体パ
ッケージとすることが可能である。 【００７１】＜実施の形態４＞図１５は、本実施の形態
の実装構造体の製造工程を説明する断面図である。本実
施の形態では、図１８に示す実装構造体を製造する工程
を説明する。なお、図１８における封止樹脂３２は図１
５における樹脂シート３５が流動，変形，硬化すること
で形成される。 【００７２】（ステップ４１）まず、図１５にあるよう
に、ポリイミド基材の回路基板２０上の半導体装置搭載
領域で向かい合う２辺に存在する電極群２１により挟ま
れる領域に、低熱膨張率の硬化している樹脂シート３５
を貼り付ける。このとき、半導体装置１０上の突起電極
１２と回路基板２０上の電極２１との電気的な接続を考
慮して、樹脂シート３５は、回路基板２０上に形成され
た電極２１を覆わないことが望ましい。 【００７３】半導体装置１０上に形成した突起電極１２
と回路基板２０の電極２１との接続信頼性は、封止樹脂
３２の密着力による機械的強度に保護されており、樹脂
シート３５の接着面積を大きくとるために、樹脂シート
３５の厚さは、例えばフリップチップ実装後の半導体装
置１０の電極形成面と基板２０の表面とのギャップより
も５μｍ程度厚いものが望ましく、本実施の形態では厚
さ４５μｍの樹脂シート３５を使用した。 【００７４】（ステップ４２）次に、図１５のボンディ
ング工程断面図にあるように、電極高さを約５０μｍに
レベリングした突起電極１２付きの半導体装置１０の裏
面をボンディング装置の半導体装置押圧具４０で真空吸
着し、半導体装置１０の突起電極１２とボンディングス
テージ６５上に配置した回路基板２０の電極２１との位
置合わせを行う。 【００７５】（ステップ４３）次に、図１６に示すよう
に、半導体装置１０を回路基板２０に当接させる前に、
樹脂整形ツール（封止樹脂整形用部材）９０をまず回路
基板２０に当接させる。その後、図１７に示すように、
低速度で半導体装置押圧具４０を降下させて、最も突き
出ている半導体装置１０の突起電極１２を回路基板２０
上の電極２１に当接させ、それとほぼ同時に半導体装置
押圧具４０及びボンディングステージ６５をパルスヒー
ト方式で加熱し始める。 【００７６】（ステップ４４）続いて、徐々に突起電極
１２に荷重を印加して、高さ約５０μｍあった突起電極
１２を４５μｍまで圧縮する。このとき、樹脂シート３
５にも荷重が加わり、半導体装置押圧具４０からの加熱
によって樹脂シート３５が軟化しているため、樹脂シー
ト３５は半導体装置電極形成面全面に押し広がる。やが
て、半導体装置１１より外側にはみ出し、樹脂整形ツー
ル９０に接触する。樹脂のはみ出し量が増加するととも
に樹脂は整形ツール９０の内側に広がっていき、最後に
は半導体装置１０のコーナーにまで達する。 【００７７】（ステップ４５）続いて、接合部の温度を
３５０℃に保持して、半導体装置１０のＡｕ突起電極１
２と回路基板２０の電極２１の表面に形成したＡｕとの
接合によるＡｕ−Ａｕ拡散接合を行う。 【００７８】（ステップ４６）その後、温度降下するこ
とにより流動し変形した樹脂シート３５を硬化して、封
止樹脂３２とする。 【００７９】（ステップ４７）次に、樹脂整形ツール９
０を上昇させ、続いてボンディングツール４０を上昇さ
せる（図１８参照）。なお、このときの半導体装置１０
の電極形成面と基板２０との隙間は約３０μｍである。
この工程により封止樹脂３２は図１４のような形状にな
り、半導体装置の角部まで完全に封止される。 【００８０】なお、本実施の形態では半導体装置の電極
が二辺に形成されている場合を説明したが、電極が三辺
あるいは四辺であっても同様の効果が得られ、二辺に限
定されるものではない。 【００８１】また、本実施の形態により得られた実装構
造物も、実施の形態１と同様に樹脂モールドし半導体パ
ッケージとすることが可能である。 【００８２】 ＜実施の形態５＞ 図１９は、本発明の実施の形態に係る樹脂シート５０を
用いるフリップチップ実装構造体の製造工程を示す斜視
図である。本実施の形態では半導体装置電極形成面の４
辺に電極２１が形成されており、回路基板の半導体装置
１０上の電極１１に対応する位置にあらかじめ突起電極
１２が形成されている。ここでは、Ａｕワイヤーを用い
たボールバンピング法によって形成したＡｕバンプを突
起電極１２とした。なお、電解および無電解めっき法な
どによる突起電極形成も可能である。 【００８３】半導体装置１０は、電極１１が形成された
面を回路基板２０と向かい合わせた状態、つまりフェイ
スダウン形態で回路基板２０上に形成された最表層がＡ
ｕからなる電極２１とＡｕ−Ａｕ固相拡散接合で電気的
な接続を行っている。また、半導体装置１０と回路基板
２０との間に介在する封止樹脂によりその接続信頼性を
向上させている。 【００８４】樹脂シート５０は図２０（ａ）にあるよう
に、矩形のシートの対向する二辺にＴ字型の切れ込み４
５が入っており、図２０（ｂ）に示すように折り返すこ
とで角部分の厚みを厚くすることができるようになって
いる。樹脂シート５０は、例えば、接続後のバンプ高さ
が３０μｍ程度であれば、樹脂の厚みは３０〜３５μｍ
程度で、Ｔ字部分を折り返すことで四つ角付近（厚膜
部）３１は、６０〜７０μｍとなり、半導体装置の封止
に適当な厚みとなる。 【００８５】 【００８６】封止樹脂材料としてはエポキシやポリイミ
ドなどが多く用いられるが、加熱により軟化あるいは溶
融することで流動する特性を持つ熱可塑性樹脂などであ
ればよい。 【００８７】 図１９の実装構造体は以下の工程により
製造する。 （ステップ５１） まず、図１９にあるように、ポリイミド基材の回路基板
２０上の半導体装置搭載領域で４辺に存在する電極群２
１により挟まれる領域２２（斜線部）に、樹脂シート５
０（図２０）を貼り付ける。このとき、半導体装置１０
上の突起電極１２と回路基板２０上の電極２１との電気
的な接続を考慮して、樹脂シート５０は、回路基板２０
上に形成された電極２１を覆わないことが望ましい。半
導体装置１０上に形成した突起電極１２と回路基板２０
の電極２１との接続信頼性は、樹脂の密着力による機械
的強度に保護されており、樹脂により、電極接続部分を
十分に覆う為に、樹脂シート５０の厚さは、フリップチ
ップ実装後の半導体装置１０の電極形成面と回路基板２
０の表面とのギャップｈ１よりも５μｍ程度以上厚いも
のを使用し、本実施の形態では厚さ３０〜３５μｍのも
のを使用した。また、半導体装置の角付近に相当する部
分の厚みは、樹脂シート５０を折り返す為に６０〜７０
μｍとなる。 【００８８】（ステップ５２）次に、電極高さを約４０
μｍにレベリングした突起電極１２付きの半導体装置１
０の裏面をボンディング装置の半導体装置押圧具４０で
真空吸着し、半導体装置１０の突起電極１２とボンディ
ングステージ６５上に配置した回路基板２０の電極２１
との位置合わせを行う。 【００８９】（ステップ５３）続いて、半導体装置１０
が当接する際は、５０μｍ／ｓ以下の低速度で半導体装
置押圧具４０を降下させて、まず最も突き出ている半導
体装置１０が回路基板２０上の電極２１に当接し、それ
とほぼ同時に半導体装置押圧具４０およびボンディング
ステージ６５をパルスヒート方式で加熱し始める。 【００９０】 （ステップ５４） 続いて、徐々に突起電極に荷重を印加して、高さ約４０
μｍあった突起電極を３０μｍ程度まで圧縮する。この
とき、樹脂シート５０においては、まず厚い部分に荷重
が加わり、次いで中央部に荷重が加わる。半導体装置押
圧具４０からの加熱によって樹脂シート５０は軟化して
いるため、さらなる荷重印加により樹脂シート５０は半
導体装置１０の電極形成面全面に押し広がる。 【００９１】 樹脂シート５０は円形に広がろうとする
ため、樹脂シート５０に厚みの大きい部分が無ければ、
半導体装置の辺の中央部付近では大きくはみ出すが角付
近は不足する。しかしながら、本形態では樹脂シート５
０を介在させているため、半導体装置１０の角を覆うこ
とが可能となる。 【００９２】（ステップ５５）次に、接合部の温度を３
５０℃に保持して、半導体装置１０のＡｕ突起電極１２
と基板２０の電極２１の表面に形成したＡｕとの接合に
よるＡｕ−Ａｕ固相拡散接合を行う。 【００９３】 （ステップ５６）その後、温度降下する
とともに樹脂シート５０の硬化がなされ、実装工程を完
了する。なお、このときの半導体装置１０の電極形成面
と回路基板２０との隙間は約３０μｍである。また、半
導体装置１０と回路基板２０との隙間は、１０〜１００
ｐｐｍ程度の熱膨張率を有する熱硬化性樹脂５０で満た
されており、接続工程の熱膨張した状態でＡｕ−Ａｕ接
合を行って室温まで戻した時にも、残留応力は信頼性に
問題を与えない程度に低減できる。 【００９４】なお、本実施の形態では半導体装置の電極
が４辺に形成されている場合を説明したが、４辺に限定
されるものではない。 【００９５】また、本実施の形態例により得られた実装
構造物も、実施の形態１と同様に樹脂モールドし半導体
パッケージとすることが可能である。 【００９６】 【発明の効果】本発明によれば、従来における介在樹脂
シートへの微細加工や精密な位置合わせが必要なくな
り、フリップチップ実装において接続工程の簡略化と半
導体装置と回路基板との接続信頼性を向上させることが
可能となる。 【００９７】また、半導体装置の四つ角部まで樹脂によ
る十分な封止が可能となり、電極接合部の耐環境性や機
械的強度の向上を図ることができ、高信頼性を確保する
ことが可能となる。これにより半導体装置の接続部分の
耐環境性を向上させ、機械的に補強されるので接続部分
の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が基礎とする実施の形態１の樹脂シート
の一例を示す構成図である。 【図２】実施の形態１のフリップチップ実装構造体の構
成を示す図である。 【図３】図２のフリップチップ実装構造体の一製造工程
を説明する図である。 【図４】図２のフリップチップ実装構造体のボンディン
グ工程を説明する図である。 【図５】従来の封止樹脂の形状を示す図である。 【図６】本発明における封止樹脂の形状を示す図であ
る。 【図７】実施の形態１のフリップチップ実装構造体をパ
ッケージ化した構成を示す断面図である。 【図８】実施の形態１のフリップチップ実装構造体をパ
ッケージ化した構成の他の例を示す断面図である。 【図９】実施の形態１のフリップチップ実装構造体をパ
ッケージ化した構成のさらに他の例を示す断面図であ
る。 【図１０】実施の形態２のフリップチップ実装構造体の
構成を説明する断面図である。 【図１１】実施の形態２のフリップチップ実装構造体の
一製造工程を説明する図である。 【図１２】実施の形態３のフリップチップ実装構造体の
構成を説明する断面図である。 【図１３】実施の形態３のフリップチップ実装構造体の
ボンディング工程を説明する断面図である。 【図１４】本発明における封止樹脂の形状の他の例を示
す図である。 【図１５】実施の形態４のフリップチップ実装構造体の
一製造工程を説明する図である。 【図１６】図１５に続く製造工程を説明する図である。 【図１７】図１６に続く製造工程を説明する図である。 【図１８】図１７に続く製造工程を説明する図である。 【図１９】本発明の実施の形態に係る樹脂シート５０を
用いるフリップチップ実装構造体の構成を説明する図で
ある。 【図２０】本発明の実施の一形態の樹脂シート５０を示
す図である。 【図２１】従来のフリップチップ実装構造体の製造工程
を説明する図である。 【図２２】従来のフリップチップ実装構造体の他の例を
説明する図である。 【符号の説明】 １０ 半導体装置 １１ 半導体装置の電極 １２ 半導体装置上の突起電極 １３ 回路基板の電極上の突起電極 ２０ 回路基板 ２１ 回路基板の電極 ２３ 樹脂層 ２４ ダム ３０，３３，３５，５０ 樹脂シート ３２ 封止樹脂 ３４ 印刷樹脂
の一例を示す構成図である。 【図２】実施の形態１のフリップチップ実装構造体の構
成を示す図である。 【図３】図２のフリップチップ実装構造体の一製造工程
を説明する図である。 【図４】図２のフリップチップ実装構造体のボンディン
グ工程を説明する図である。 【図５】従来の封止樹脂の形状を示す図である。 【図６】本発明における封止樹脂の形状を示す図であ
る。 【図７】実施の形態１のフリップチップ実装構造体をパ
ッケージ化した構成を示す断面図である。 【図８】実施の形態１のフリップチップ実装構造体をパ
ッケージ化した構成の他の例を示す断面図である。 【図９】実施の形態１のフリップチップ実装構造体をパ
ッケージ化した構成のさらに他の例を示す断面図であ
る。 【図１０】実施の形態２のフリップチップ実装構造体の
構成を説明する断面図である。 【図１１】実施の形態２のフリップチップ実装構造体の
一製造工程を説明する図である。 【図１２】実施の形態３のフリップチップ実装構造体の
構成を説明する断面図である。 【図１３】実施の形態３のフリップチップ実装構造体の
ボンディング工程を説明する断面図である。 【図１４】本発明における封止樹脂の形状の他の例を示
す図である。 【図１５】実施の形態４のフリップチップ実装構造体の
一製造工程を説明する図である。 【図１６】図１５に続く製造工程を説明する図である。 【図１７】図１６に続く製造工程を説明する図である。 【図１８】図１７に続く製造工程を説明する図である。 【図１９】本発明の実施の形態に係る樹脂シート５０を
用いるフリップチップ実装構造体の構成を説明する図で
ある。 【図２０】本発明の実施の一形態の樹脂シート５０を示
す図である。 【図２１】従来のフリップチップ実装構造体の製造工程
を説明する図である。 【図２２】従来のフリップチップ実装構造体の他の例を
説明する図である。 【符号の説明】 １０ 半導体装置 １１ 半導体装置の電極 １２ 半導体装置上の突起電極 １３ 回路基板の電極上の突起電極 ２０ 回路基板 ２１ 回路基板の電極 ２３ 樹脂層 ２４ ダム ３０，３３，３５，５０ 樹脂シート ３２ 封止樹脂 ３４ 印刷樹脂
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/56
H01L 21/60
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体装置と回路基板との間に介在し、
実装時の加熱により流動、変形して前記半導体装置と前
記回路基板とを機械的に接続する半導体装置実装用樹脂
シートにおいて、 対角をなす４隅の厚みを、折り曲げによって増大するた
めの切り込みが形成されてなることを特徴とする半導体
装置実装用樹脂シート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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