TWI834074B - 加載互鎖真空腔室及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供加載互鎖真空腔室及基板處理裝置。所述基板處理裝置可以包括：設備前端模組，具有加載端口和傳送框架；處理腔室，對基板執行製程處理；以及加載互鎖真空腔室，配置於在上述傳送框架與上述處理腔室之間傳送的基板的傳送路徑上，上述加載互鎖真空腔室可以包括：殼體，具有內部空間；分隔板，將上述內部空間劃分為第一空間和獨立於上述第一空間的第二空間；以及對準單元，對齊提供至上述第一空間和上述第二空間中的任一個空間的基板的凹口。

Description

加載互鎖真空腔室及基板處理裝置
本發明關於一種加載互鎖真空腔室及基板處理裝置。
電漿是指由離子、自由基和電子等組成的離子化氣體，在非常高的溫度、強電場或高頻電磁場(RF Electromagnetic Fields)下生成。半導體元件製造製程包括利用電漿去除基板上的膜的灰化製程或蝕刻製程。灰化製程或蝕刻製程是通過電漿中所含的離子和自由基粒子與基板上的膜發生碰撞或反應來執行的。
利用電漿處理基板的裝置可以用於去除基板上的膜(例如，在基板上形成的硬掩模或在基板上形成的光致抗蝕劑膜)。利用電漿處理基板的裝置在製程腔室執行。為了在製程腔室中適當地處理基板，傳送至製程腔室中的基板的凹口方向需要與預先設定的方向一致，並且基板所處位置需要與預先設定的位置一致。因此，通常情況下，基板被傳送至設置有用於對齊基板的凹口的對準單元的對準腔室，基板的凹口在對準單元中被對齊，凹口被對齊的基板被傳送至製程腔室。
在利用電漿處理基板之後，重要的是確認是否適當地執行了基板的處理。這是因為需要篩選處理不當的基板，根據情況有時還需要變更處理基板的裝置的設定。因此，通常在利用電漿處理基板之後，將該基板傳送至設置有用於檢查已處理的基板的檢查單元的檢查腔室，檢查單元確認基板的處理狀態，並將已確認處理狀態的基板傳送至FOUP之類的容器。或者，將在製程腔室中處理過的基板容納在FOUP中，將FOUP傳送至另行設置的檢查裝置，在上述 檢查裝置中確認基板的處理狀態。
但是，如上所述，在將基板傳送至對準腔室，在對準腔室中對齊基板的凹口，將基板從對準腔室傳送至製程腔室的情況下，傳送順序變得複雜，傳送所需的時間變長。
另外，在將已處理的基板傳送至檢查腔室，在檢查腔室中確認基板的處理狀態的情況下，傳送順序變得複雜，傳送所需的時間變長。
另外，如上所述，在將已處理的基板容納在容器中，將容納已處理的基板的容器傳送至另行設置的檢查裝置確認基板的處理狀態的情況下，確認基板的處理狀態需要花費很多時間(即，早期發現基板處理的異常需要花費很多時間)，根據情況有時很難在短時間內變更基板處理裝置的設
本發明的一目的在於提供一種能夠有效地檢查基板的處理狀態的加載互鎖真空腔室及基板處理裝置。
本發明的另一目的在於提供一種能夠有效地對齊基板的凹口的加載互鎖真空腔室及基板處理裝置。
本發明的又一目的在於提供一種能夠縮短對齊基板的凹口以及檢查基板的處理狀態所需要的時間的加載互鎖真空腔室及基板處理裝置。
本發明所要解決的課題並不限於上述課題，本發明所屬技術領域的普通技術人員根據本說明書及附圖可以清楚地理解未提及的課題。
本發明提供一種處理基板的裝置。基板處理裝置可以包括：設備前端模組，具有加載端口和傳送框架；處理腔室，對基板執行製程處理；以及加載互鎖真空腔室，配置於在上述傳送框架與上述處理腔室之間傳送的基板的傳送路徑上，上述加載互鎖真空腔室可以包括：殼體，具有內部空間；分隔板， 將上述內部空間劃分為第一空間和獨立於上述第一空間的第二空間；以及對準單元，對齊提供至上述第一空間和上述第二空間中的任一空間的基板的凹口。
根據一實施例，上述對準單元可以包括：支撐板，支撐基板；旋轉軸，旋轉上述支撐板；照射部，將光照射到由上述支撐板支撐的基板的邊緣區域；以及光接收部，配置為接收由上述照射部照射的上述光，並根據是否接收上述光來判斷由上述支撐板支撐的基板的凹口是否對齊。
根據一實施例，上述照射部和上述光接收部可以配置在上述殼體的外部，在上述殼體和上述分隔板中的至少一方上可以設置有用於使由上述照射部照射的上述光透射的視口。
根據一實施例，上述照射部可以構成為沿相對於由上述支撐板支撐的基板的上表面傾斜的方向照射上述光。
根據一實施例，上述加載互鎖真空腔室可以包括檢查單元，上述檢查單元用於檢查提供至上述第一空間和上述第二空間中另一空間的基板的處理狀態。
根據一實施例，上述檢查單元可以包括：支撐部件，支撐基板；旋轉部件，旋轉上述支撐部件；以及圖像獲取部件，獲取由上述支撐部件支撐的基板的邊緣區域的圖像。
根據一實施例，上述旋轉部件可以包括：軸，與上述支撐部件結合；以及軸殼體，包圍上述軸，上述軸與上述軸殼體可以被磁性流體密封(Sealing)。
根據一實施例，上述圖像獲取部件可以配置在上述殼體的外部，上述殼體上可以設置有視口，以使上述圖像獲取部件能夠獲取上述圖像。
另外，本發明提供一種內部氣氛在真空壓力氣氛與大氣壓氣氛之間轉換的加載互鎖真空腔室。加載互鎖真空腔室可以包括：腔室，具有第一空間和獨立於上述第一空間的第二空間；對準單元，對齊提供至上述第一空間中的基板的凹口；以及檢查單元，檢查提供至上述第二空間中的基板的處理狀態。
根據一實施例，上述第一空間可以是需要在處理腔室中進行處理的未處理的基板被傳送至其中的空間，上述第二空間可以是在處理腔室中已執行處理後的基板被傳送至其中的空間。
根據一實施例，上述對準單元可以包括：支撐板，支撐基板；支撐墊，設置在上述支撐板的上表面並與基板的下表面接觸；旋轉軸，旋轉上述支撐板；照射部，將光照射到由上述支撐板支撐的基板的邊緣區域；以及光接收部，配置為接收由上述照射部照射的上述光，並根據是否接收上述光來判斷由上述支撐板支撐的基板的凹口是否對齊。
根據一實施例，上述支撐墊可以設置為O型環形狀或壁虎(Gecko)形狀。
根據一實施例，上述照射部和上述光接收部可以配置在上述腔室的外部，上述腔室中可以設置有用於使由上述照射部照射的上述光透射的視口。
根據一實施例，上述照射部可以構成為沿相對於由上述支撐板支撐的基板的上表面傾斜的方向照射上述光。
根據一實施例，上述檢查單元可以包括：支撐部件，支撐基板；旋轉部件，旋轉上述支撐部件；以及圖像獲取部件，獲取由上述支撐部件支撐的基板的邊緣區域的圖像。
根據一實施例，上述圖像獲取部件可以配置在上述腔室的外部，上述腔室中可以設置有視口，以使上述圖像獲取部件能夠獲取上述圖像。
另外，本發明提供一種處理基板的裝置。基板處理裝置可以包括：設備前端模組，包括加載端口和傳送框架；以及處理模組，執行接收放置在上述加載端口的容器中所容納的基板並去除基板邊緣區域的薄膜的處理製程；上述處理模組可以包括：處理腔室，執行斜面蝕刻製程；傳送腔室，將從上述設備前端模區塊轉送來的基板傳送至上述處理腔室；以及加載互鎖真空腔室，配置在上述傳送腔室與上述傳送框架之間，上述加載互鎖真空腔室可以包括：腔 室，具有第一空間和第二空間，上述第一空間是未處理的基板被傳送至其中的空間，上述第二空間是配置在上述第一空間的上方，與上述第一空間彼此獨立，並且在上述處理腔室中處理後的基板被傳送至其中的空間；對準單元，對齊提供至上述第一空間中的基板的凹口；以及檢查單元，檢查提供至上述第二空間中的基板的處理狀態。
根據一實施例，上述對準單元可以包括：支撐板，支撐基板；旋轉軸，旋轉上述支撐板；照射部，將光照射到由上述支撐板支撐的基板的邊緣區域；以及光接收部，配置為接收由上述照射部照射的上述光，並根據是否接收上述光來判斷由上述支撐板支撐的基板的凹口是否對齊。
根據一實施例，上述檢查單元可以包括：支撐部件，支撐基板；旋轉部件，旋轉上述支撐部件；以及圖像獲取部件，獲取由上述支撐部件支撐的基板的邊緣區域的圖像。
根據一實施例，上述照射部可以構成為沿相對於由上述支撐板支撐的基板的上表面傾斜的方向照射上述光，上述圖像獲取部件可以沿相對於由上述支撐部件支撐的基板的上表面傾斜的方向拍攝基板的邊緣區域。
根據本發明的一實施例，能夠有效地檢查基板的處理狀態。
另外，根據本發明的一實施例，能夠有效地對齊基板的凹口。
另外，根據本發明的一實施例，能夠縮短對齊基板的凹口以及檢查基板的處理狀態所需要的時間。
本發明的效果並不限於上述效果，本發明所屬技術領域普通技術人員可以根據本說明書及圖式清楚地理解未提及的效果。
1:基板處理裝置
4:載體
6:支撐部
10:加載端口
11:第一方向
12:第二方向
20:設備前端模組
21:傳送框架
25:第一傳送機器人
27:傳送軌道
30:處理模組
40:加載互鎖真空腔室
41:第一加載互鎖真空腔室
42:第二加載互鎖真空腔室
50:傳送腔室
53:第二傳送機器人
60:處理腔室
70:控制器
100:殼體
102:處理空間
104:排氣孔
300:支撐單元
310:卡盤
312:冷卻流路
314:冷卻流體供應管線
316:冷卻流體排出管線
318:冷卻流體供應源
320:電源部件
322:電源
326:電源線
330:絕緣環
350:下部電極
370:驅動部件
372:驅動器
374:軸
390:升降銷
500:介電板單元
510:第一基底
520:介電板
600:上部電極單元
610:第二基底
620:上部電極
700:溫度控制板
810:第一氣體供應部
812:第一氣體供應源
814:第一氣體供應管線
816:第一閥
830:第二氣體供應部
834:第二氣體供應管線
836:第二閥
1000:基板處理裝置
1100:腔室
1110:殼體
1111:第一視口
1112:第二視口
1113:第三視口
1120:分隔板
1121:第四視口
1130:第一空間
1150:第二空間
1200:對準單元
1210:支撐板
1220、1220a、1220b:支撐墊
1230:旋轉軸
1240:照射部
1250:光接收部
1300:檢查單元
1310:支撐部件
1320:旋轉部件
1321:軸
1323:軸殼體
1340:圖像獲取部件
1400:氣氛轉換單元
1410:第一氣體供應管線
1420:第一氣體排出管線
1430:第二氣體供應管線
1440:第二氣體排出管線
F:薄膜
G1、G2:氣體
L:光
N:凹口
P:電漿
W:基板
圖1是示意地示出根據本發明一實施例的基板處理裝置的圖。
圖2是示出設置在圖1的處理腔室中的基板處理裝置的一實施例的 圖。
圖3是示出圖2的基板處理裝置執行電漿處理製程的一實施例的圖。
圖4是示意地示出圖1的加載互鎖真空腔室的圖。
圖5是示意地示出圖4的第一加載互鎖真空腔室的圖。
圖6是示出圖5的支撐墊的一實施例的圖。
圖7是示出圖5的支撐墊的另一實施例的圖。
圖8是示出圖5的支撐墊的另一實施例的圖。
圖9和圖10是示出在圖4的第一加載互鎖真空腔室中對齊基板的凹口的樣子的圖。
圖11是示出在圖4的第一加載互鎖真空腔室中確認基板的處理狀態的樣子的圖。
圖12是示出由圖11的圖像獲取部件獲取的圖像的樣子的圖。
下面，參照圖式對本發明的實施例進行詳細說明，以便本發明所屬技術領域的普通技術人員能夠容易實施本發明。需要說明的是，本發明可以以多種不同的形式來實現，並不限於在此說明的實施例。另外，在詳細說明本發明的較佳實施例時，如果認為對相關公知的功能或結構的具體說明可能會不必要地模糊本發明的主旨，則省略其詳細說明。另外，對於具有類似功能和作用的部分，在所有圖式中使用相同的元件符號。
除非有特別相反的記載，否則“包括”某一構成要素是表示還可以包括其他構成要素，而不是排除其他構成要素。具體而言，“包括”或“具有”等術語應被理解為要指定說明書中所記載的特徵、數位、步驟、動作、構成要素、零部件或它們的組合的存在，而不是要預先排除存在或追加一個以上的其他特徵或數位、步驟、動作、構成要素、零部件或它們的組合的可能性。
除非上下文中有明顯不同的含義，否則單數的表達包括複數的表 達。另外，為了更清楚地說明，附圖中的構成元素的形狀和大小等被放大。
第一、第二等術語可以用於說明各種構成要素，但上述構成要素不應受到上述術語的限制。上述術語可以用於將一個構成要素與其他構成要素區分開。例如，在不脫離本發明的權利範圍的情況下，第一構成要素可以被命名為第二構成要素，同樣地，第二構成要素也可以被命名為第一構成要素。
當被提及某一構成要素“連接”或“相接”到其他構成要素時，應理解為可能直接連接或相接到該其他構成要素，也可能在中間存在其他構成要素。另一方面，被提及某一構成要素“直接連接”或“直接相接”到其他構成要素時，應理解為中間不存在其他構成要素。對於說明構成要素之間的關係的其他表達，例如“在~之間”和“就在~之間”或“與~相鄰”和“直接與~相鄰等，也應作相同解釋。
除非另有定義，否則本文中所使用的所有術語，包括技術和科技術語，都與本發明所屬技術領域的普通技術人員通常所理解的含義相同。常用詞典中定義的術語應被解釋為具有與相關技術的上下文中的含義一致的含義，除非在本申請中明確定義，否則不應被解釋為理想的或過於形式的含義。
參照以下，參照圖1至圖12對本發明的實施例進行詳細說明。
圖1是示意地示出根據本發明一實施例的基板處理裝置的圖。參照圖1，基板處理裝置1具有設備前端模組(equipment front end module；EFEM)20、處理模組30以及控制器70。設備前端模組20與處理模組30沿一方向配置。
設備前端模組20具有加載端口10(load port)及傳送框架21。加載端口10沿第一方向11配置在設備前端模組20的前方。加載端口10具有複數個支撐部6。各個支撐部6沿第二方向12配置成一列，用於安置容納了待提供至製程的基板W及已完成製程處理的基板W的載體4(例如，盒、FOUP等)。載體4中容納待提供至製程的基板W及已完成製程處理的基板W。傳送框架21配置在加載端口10與處理模組30之間。傳送框架21的內部空間大致上可以保持大氣壓氣 氛。傳送框架21可以設置有第一傳送機器人25，所述第一傳送機器人25配置在所述傳送框架21的內部，用於在加載端口10與處理模組30之間傳送基板W。第一傳送機器人25可以通過沿著在第二方向12上設置的傳送軌道27移動而在載體4與處理模組30之間傳送基板W。
處理模組30包括加載互鎖真空腔室40、傳送腔室50以及處理腔室60。處理模組30可以從設備前端模組20接收基板W來處理基板W。處理模組30可以通過接收放置在加載端口10的載體4之類的容器中所容納的基板來執行去除基板邊緣區域的薄膜的處理製程。
加載互鎖真空腔室40與傳送框架21相鄰配置。例如，加載互鎖真空腔室40可以配置在傳送腔室50與設備前端模組20之間。加載互鎖真空腔室40可以配置在傳送腔室50與傳送框架21之間。加載互鎖真空腔室40提供在待提供至處理製程的基板W被傳送至處理腔室60之前，或者在已完成製程處理的基板W被傳送至設備前端模組20之前等待的空間。加載互鎖真空腔室40內部空間的氣氛可以在大氣壓氣氛與真空壓力氣氛之間轉換。對加載互鎖真空腔室40的詳細說明將在後面敘述。
傳送腔室50可以傳送基板W。傳送腔室50與加載互鎖真空腔室40相鄰配置。當從上方觀察時，傳送腔室50具有多邊形主體。參照圖1，當從上方觀察時，傳送腔室50具有五邊形主體。在主體的外側，沿著主體的週邊配置有加載互鎖真空腔室40及複數個處理腔室60。主體的各個側壁形成有供基板W進出的通道(未圖示)，通道連接傳送腔室50與加載互鎖真空腔室40或者連接傳送腔室50與處理腔室60。各個通道設置有通過打開/關閉通道來密封所述傳送腔室50內部的門(未圖示)。在傳送腔室50的內部空間可以配置有第二傳送機器人53，所述第二傳送機器人53在加載互鎖真空腔室40與處理腔室60之間傳送基板W。第二傳送機器人53將在加載互鎖真空腔室40等待的未處理的基板W傳送至處理腔室60，或者將已完成製程處理的基板W傳送至加載互鎖真空腔室40。另 外，第二傳送機器人53可以將基板W傳送至後述的殼體100的處理空間102，或者從處理空間102傳送出基板W。另外，第二傳送機器人53可以在處理腔室60之間傳送基板W，以便將基板W依次提供至複數個處理腔室60。如圖1所示，當傳送腔室50具有五邊形主體時，在與設備前端模組20相鄰的側壁上配置有加載互鎖真空腔室40，在其餘側壁上連續配置有處理腔室60。傳送腔室50不僅限於上述形狀，可以根據所需要的製程模組設置成各種形狀。另外，傳送腔室50的內部氣氛大致上可以保持真空壓力氣氛。
處理腔室60可以與傳送腔室50相鄰配置。處理腔室60沿著傳送腔室50的週邊配置。可以設置有複數個處理腔室60。可以在各個處理腔室60中執行基板W的製程處理。處理腔室60從第二傳送機器人53接收基板W進行製程處理，並將已完成製程處理的基板W提供至第二傳送機器人53。在各個處理腔室60中進行的製程處理可以相互不同。
控制器70可以控制基板處理裝置1。控制器70可以控制基板處理裝置1具有的各個組成部分。控制器70可以控制基板處理裝置1具有的各個組成部分，以便基板處理裝置1能夠執行對基板W的處理製程、對基板W的凹口對齊製程以及對基板W的檢查製程。控制器70可以具備：程式控制器，由用於執行基板處理裝置1的控制的微處理器(電腦)組成；使用者介面，由操作員為了管理基板處理裝置1而進行命令輸入操作等的鍵盤，或者視覺化顯示基板處理裝置1的運行狀況的顯示器等組成；以及儲存部，儲存有用於在程式控制器的控制下執行基板處理裝置1中所執行的處理的控制程式，或者用於根據各種資料和處理條件來使各個組成部分執行處理的程式即處理方法。另外，使用者介面和儲存部可以連接到程式控制器。處理方法可以儲存在儲存部中的儲存介質中，儲存介質可以是硬碟，也可以是CD-ROM、DVD等抽取式磁碟或快閃記憶體等半導體記憶體。
以下，對在處理腔室60中執行電漿製程的基板處理裝置1000進行詳 細說明。在以下舉例說明的基板處理裝置1000構成為能夠在處理腔室60中執行對基板邊緣區域的電漿處理製程。另外，在以下舉例說明的基板處理裝置1000構成為能夠在處理腔室60中執行去除基板邊緣區域上的薄膜的斜面蝕刻(bevel etch)製程。但是並不限於此，以下說明的基板處理裝置1000可以相同或相似地適用於對基板進行處理的各種腔室中。另外，基板處理裝置1000可以相同或相似地適用於執行對基板的電漿處理製程的各種腔室中。
圖2是示出設置在圖1的處理腔室中的基板處理裝置的一實施例的圖。參照圖2，設置在處理腔室60的基板處理裝置1000利用電漿在基板W上執行規定的製程。例如，基板處理裝置1000可以對基板W上的膜進行蝕刻或灰化。膜可以是多晶矽膜、氧化矽膜及氮化矽膜等各種類型的膜。另外，膜可以是自然氧化膜或化學生成的氧化膜。另外，膜可以是在處理基板W的過程中生成的副產物(By-Product)。另外，膜可以附著和/或殘留在基板W上的雜質。
基板處理裝置1000可以對基板W執行電漿製程。例如，基板處理裝置1000可以供應製程氣體，從所供應的製程氣體產生電漿以處理基板W。基板處理裝置1000可以供應製程氣體，從所供應的製程氣體產生電漿以處理基板W的邊緣區域。在以下的舉例說明中，基板處理裝置1000是對基板W的邊緣區域執行蝕刻處理的斜面蝕刻裝置。
基板處理裝置1000可以包括殼體100、支撐單元300、介電板單元500、上部電極單元600、溫度控制板700以及氣體供應單元800。
殼體100可以在其內部具有處理空間102。在殼體100的一個表面上可以形成有開口(未圖示)。基板W可以通過形成在殼體100的開口傳送至殼體100的處理空間102或傳送出該殼體100的處理空間102。開口可以通過諸如門(未圖示)之類的開閉部件而打開/關閉。如果殼體100的開口被開閉部件關閉，則殼體100的處理空間102可以與外部隔離。另外，殼體100的處理空間102的氣氛在與外部隔離後，可以調整為接近真空的低壓。另外，殼體100可以由包括金屬的 材料製成。另外，殼體100的表面可以塗覆有絕緣材料。
另外，殼體100可以是真空腔室。例如，殼體100的底面可以形成有排氣孔104。在處理空間102產生的電漿P或供應到處理空間102的氣體G1、G2可以通過排氣孔104排放到外部。另外，在利用電漿P處理基板W的過程中產生的副產物可以通過排氣孔104排放到外部。另外，排氣孔104可以與排氣管線(未圖示)連接。排氣管線可以與提供減壓的減壓部件連接。減壓部件可以通過排氣管線向處理空間102提供減壓。
支撐單元300可以在處理空間102支撐基板W。支撐單元300可以包括卡盤310、電源部件320、絕緣環330、下部電極350、驅動部件370以及升降銷390。
卡盤310可以在處理空間102支撐基板W。卡盤310可以具有支撐基板W的支撐面。當從上方觀察時，卡盤310可以具有圓形形狀。當從上方觀察時，卡盤310可以具有比基板W的直徑小的直徑。因此，由卡盤310支撐的基板W的中央區域可以安置在卡盤310的支撐面，基板W的邊緣區域可以不與卡盤310的支撐面接觸。
卡盤310內部可以設置有加熱裝置(未圖示)。加熱裝置(未圖示)可以加熱卡盤310。加熱裝置可以是加熱器。另外，在卡盤310中可以形成冷卻流路312。冷卻流路312可以形成在卡盤310的內部。冷卻流體供應管線314和冷卻流體排出管線316可以連接到冷卻流路312。冷卻流體供應管線314可以與冷卻流體供應源318連接。冷卻流體供應源318可以儲存冷卻流體和/或將冷卻流體供應到冷卻流體供應管線314。另外，供應到冷卻流路312的冷卻流體可以通過冷卻流體排出管線316排放到外部。由冷卻流體供應源318儲存和/或供應的冷卻流體可以是冷卻水或冷卻氣體。另外，形成在卡盤310的冷卻流路312的形狀不限於圖3所示的形狀，還可以是各種變形。另外，冷卻卡盤310的構成不限於供應冷卻流體的構成，還可以設置成能夠冷卻卡盤310的各種構成(例如，冷卻板等)。
電源部件320可以向卡盤310供電。電源部件320可以包括電源322、適配器324以及電源線326。電源322可以是偏置電源。另外，電源322可以是RF電源。電源322可以經由電源線326與卡盤310連接。另外，適配器324可以設置在電源線326以執行阻抗匹配。
當從上方觀察時，絕緣環330可以設置為環形形狀。當從上方觀察時，絕緣環330可以設置為包圍卡盤310。例如，絕緣環330可以具有環形形狀。另外，絕緣環330可以設為台階狀，使得內側區域的上表面高度與外側區域的上表面高度不同。例如，絕緣環330可以設為台階狀，使得內側區域的上表面高度高於外側區域的上表面高度。當基板W安置在卡盤310所具有的支撐面上時，絕緣環330的內側區域上表面和外側區域上表面中的內側區域上表面可以與基板W的底面彼此接觸。另外，當基板W安置在卡盤310所具有的支撐面上時，絕緣環330的內側區域上表面和外側區域上表面中的外側區域的上表面可以與基板W的下表面彼此隔開。絕緣環330可以設置在卡盤310與後述的下部電極350之間。由於將偏置電源提供給卡盤310，因此在卡盤310與後述的下部電極350之間可以設置有絕緣環330。絕緣環330可以由具有絕緣性的材料製成。
下部電極350可以配置在由卡盤310支撐的基板W邊緣區域的下方。當從上方觀察時，下部電極350可以設置為具有環形形狀。當從上方觀察時，下部電極350可以設置為包圍絕緣環330。下部電極350的上表面可以設置為與絕緣環330的外側上表面相同的高度。下部電極350的下表面可以設置為與絕緣環330的下表面相同的高度。另外，下部電極350的上表面可以設置為低於卡盤310中央部的上表面。另外，下部電極350可以設置成與由卡盤310支撐的基板W的下表面彼此隔開。例如，下部電極350可以設置成與由卡盤310支撐的基板W邊緣區域的下表面彼此隔開。
下部電極350可以配置成與後述的上部電極620相對置。下部電極350可以配置在後述的上部電極620的下方。下部電極350可以接地。下部電極350 可以誘導施加到卡盤310的偏置電源的耦合來增加電漿密度。因此，可以提高對基板W邊緣區域的處理效率。
驅動部件370可以升降卡盤310。驅動部件370可以包括驅動器372及軸374。軸374可以與卡盤310結合。軸374可以與驅動器372連接。驅動器372可以經由軸374沿上下方向升降卡盤310。
升降銷390可以沿上下方向移動基板W。升降銷390可以通過另一個驅動器(未圖示)沿上下方向移動。升降銷390可以通過形成在卡盤310的銷孔(未圖示)沿上下方向移動。另外，可以設置有複數個升降銷390。例如，通過設置複數個升降銷390，可以在不同的位置支撐基板W的下表面，使基板W升降。
介電板單元500可以包括介電板520及第一基底510。另外，介電板單元500可以結合到後述的溫度控制板700。
介電板520可以配置成其下表面與卡盤310的上表面彼此面對。當從上方觀察時，介電板520可以具有圓形形狀。另外，介電板520的上表面可以設為台階狀，使得其中央區域的高度高於邊緣區域的高度。另外，介電板520的下表面可以設置為平坦形狀。介電板520可以配置成在處理空間102與由支撐單元300支撐的基板W相對置。介電板520可以配置在支撐單元300的上方。介電板520可以由包括陶瓷的材料製成。介電板520可以形成有與後述的氣體供應單元800的第一氣體供應部810連接的氣體流路。另外，氣體流路的排出端可以構成為將由第一氣體供應部810供應的第一氣體G1供應到由支撐單元300支撐的基板W的中央區域。另外，氣體流路的排出端可以構成為將第一氣體G1供應到由支撐單元300支撐的基板W中央區域的上表面。
第一基底510可以配置在介電板520與後述的溫度控制板700之間。第一基底510可以結合到後述的溫度控制板700，介電板520可以結合到第一基底510。因此，介電板520可以經由第一基底510結合到溫度控制板700。
第一基底510的直徑從上到下可以逐漸增大。第一基底510的上表面 的直徑可以小於介電板520的下表面的直徑。第一基底510的上表面可以具有平坦形狀。另外，第一基底510的下表面可以具有台階形狀。例如，第一基底510的下表面可以設為台階狀，使得其邊緣區域下表面的高度低於中央區域下表面的高度。另外，第一基底510的下表面與介電板520的上表面可以具有能夠彼此組合的形狀。例如，介電板520的中央區域可以插入到第一基底510的中央區域。另外，第一基底510可以由包括金屬的材料製成。例如，第一基底510可以由包括鋁的材料製成。
上部電極單元600可以包括第二基底610及上部電極620。另外，上部電極單元600可以結合到後述的溫度控制板700。
上部電極620可以與上述下部電極350相對置。上部電極620可以配置在下部電極350的上方。上部電極620可以配置在由卡盤310支撐的基板W邊緣區域的上方。上部電極620可以接地。
當從上方觀察時，上部電極620可以具有包圍介電板520的形狀。上部電極620可以設置成與介電板520隔開。上部電極620可以與介電板520隔開而形成隔離空間。隔離空間可以形成由後述的第二氣體供應部830供應的第二氣體G2流動的氣體通道的一部分。氣體通道的排出端可以構成為將第二氣體G2供應到由支撐單元300支撐的基板W的邊緣區域。另外，氣體通道的排出端可以構成為將第二氣體G2供應到由支撐單元300支撐的基板W邊緣區域的上表面。
第二基底610可以配置在上部電極620與後述的溫度控制板700之間。第二基底610可以結合到後述的溫度控制板700，上部電極620可以結合到第二基底610。因此，上部電極620可以經由第二基底610結合到溫度控制板700。
當從上方觀察時，第二基底610可以具有環形形狀。第二基底610的上表面及下表面可以具有平坦形狀。當從上方觀察時，第二基底610可以具有包圍第一基底510的形狀。第二基底610的內徑從上到下可以逐漸增大。第二基底610可以設置成與第一基底510隔開。第二基底610可以與第一基底510隔開而 形成隔離空間。隔離空間可以形成由後述的第二氣體供應部830供應的第二氣體G2流動的氣體通道的一部分。另外，第二基底610可以由包括金屬的材料製成。例如，第二基底610可以由包括鋁的材料製成。
溫度控制板700可以與介電板單元500和上部電極單元600結合。溫度控制板700可以設置在殼體100。溫度控制板700可以產生熱量。例如，溫度控制板700可以形成加熱或冷卻。溫度控制板700可以通過接收來自後述的控制器900的信號而產生熱量。溫度控制板700可以通過形成加熱或冷卻而將介電板單元500和上部電極單元600的溫度控制為相對恒定。例如，溫度控制板700可以通過形成冷卻而最大限度地抑制介電板單元500和上部電極單元600的溫度在處理基板W的過程中變得過高。
氣體供應單元800可以將氣體供應到處理空間102。氣體供應單元800可以將第一氣體G1和第二氣體G2供應到處理空間102。氣體供應單元800可以包括第一氣體供應部810及第二氣體供應部830。
第一氣體供應部810可以將第一氣體G1供應到處理空間102。第一氣體G1可以是氮氣等惰性氣體。第一氣體供應部810可以將第一氣體G1供應到由卡盤310支撐的基板W的中央區域。第一氣體供應部810可以包括第一氣體供應源812、第一氣體供應管線814及第一閥816。第一氣體供應源812可以儲存第一氣體G1和/或將第一氣體G1供應到第一氣體供應管線814。第一氣體供應管線814可以與形成在介電板520的流路連接。第一閥816可以設置在第一氣體供應管線814。第一閥816可以是開閉閥或流量調節閥。第一氣體供應源812所供應的第一氣體G1可以通過形成在介電板520的流路供應到基板W上表面的中央區域。
第二氣體供應部830可以將第二氣體G2供應到處理空間102。第二氣體G2可以是被激發為電漿狀態的製程氣體。第二氣體供應部830可以通過氣體通道將第二氣體G2供應到基板W的邊緣區域，所述氣體通道由設置在由卡盤310支撐的基板W的邊緣區域上方的介電板520、第一基底510、上部電極620以及第 二基底610彼此隔開而形成。第二氣體供應部830可以包括第二氣體供應源832、第二氣體供應管線834以及第二閥836。第二氣體供應源832可以儲存第二氣體G2和/或將第二氣體G2供應到第二氣體供應管線834。第二氣體供應管線814可以將第二氣體G2供應到作為氣體通道發揮作用的隔離空間。第二閥836可以設置在第二氣體供應管線834。第二閥836可以是開閉閥或流量調節閥。第二氣體供應源832所供應的第二氣體G2可以通過第二流路602供應到基板W上表面的邊緣區域。
圖3是示出圖2的基板處理裝置執行電漿處理製程的一實施例的圖。參照圖3，根據本發明一實施例的基板處理裝置1000可以處理基板W的邊緣區域。例如，基板處理裝置1000可以在基板W的邊緣區域產生電漿P而處理基板W的邊緣區域。例如，基板處理裝置1000可以執行處理基板W的邊緣區域的斜面蝕刻製程。當基板處理裝置1000處理基板W的邊緣區域時，可以由第一氣體供應部810將第一氣體G1供應到基板W的中央區域，並且由第二氣體供應部830將第二氣體G2供應到基板W的邊緣區域。第二氣體供應部830所供應的第二氣體G2是製程氣體，可以被激發為電漿P狀態而處理基板W的邊緣區域。例如，基板W的邊緣區域上的薄膜可以被電漿P蝕刻處理。另外，供應到基板W的中央區域的第一氣體G1是惰性氣體，第一氣體G1防止第二氣體G2流入基板W的中央區域，從而進一步提高對基板W的邊緣區域的處理效率。另外，溫度控制板700可以形成冷卻，以便對基板W執行處理時能夠抑制介電板單元500和上部電極單元600的溫度變得過高。
根據本發明的一實施例，第一基底510配置在介電板520與溫度控制板700之間。第一基底510可以由與介電板520不同的材料製成，可以由與溫度控制板700相同的材料製成。即，第一基底510的熱膨脹率可以比介電板520的熱膨脹率更接近溫度控制板700的熱膨脹率。即，在將第一基底510配置在介電板520與溫度控制板700之間的狀態下，通過由溫度控制板700形成冷卻等，可以將在 溫度控制板700與介電板520之間產生的扭曲最小化。這是因為與溫度控制板700直接接觸的第一基底510由與溫度控制板700相同的材料製成。
同樣地，根據本發明的一實施例，第二基底610配置在上部電極620與溫度控制板700之間。第二基底610可以由與上部電極620不同的材料製成，可以由與溫度控制板700相同的材料製成。即，第二基底610的熱膨脹率可以比上部電極620的熱膨脹率更接近溫度控制板700的熱膨脹率。即，在將第二基底610配置在上部電極620與溫度控制板700之間的狀態下，通過由溫度控制板700形成冷卻等，可以將在溫度控制板700與上部電極620之間產生的扭曲最小化。這是因為與溫度控制板700直接接觸的第二基底610由與溫度控制板700相同的材料製成。
圖4是示意地示出圖1的加載互鎖真空腔室的圖。具體而言，圖4是圖1的加載互鎖真空腔室40的截面的圖。加載互鎖真空腔室40可以包括第一加載互鎖真空腔室41及第二加載互鎖真空腔室42。第一加載互鎖真空腔室41與第二加載互鎖真空腔室42可以沿第二方向12並排配置。第一加載互鎖真空腔室41與第二加載互鎖真空腔室42可以具有對稱結構。由於第一加載互鎖真空腔室41與第二加載互鎖真空腔室42大致具有相同的結構，因此以下對第一加載互鎖真空腔室41進行說明並省略對第二加載互鎖真空腔室42的說明。
圖5是示意地示出圖4的第一加載互鎖真空腔室的圖。參照圖5，第一加載互鎖真空腔室41可以包括腔室1100、對準單元1200、檢查單元1300及氣氛轉換單元1400。
腔室1100可以具有內部空間。腔室1100所具有的內部空間可以包括第一空間1130及第二空間1150。另外，腔室1100可以形成有將傳送框架21的內部空間與第一空間1130或將傳送框架21的內部空間與第二空間1150選擇性地連通的門(未圖示)。另外，腔室1100可以形成有將傳送腔室50的內部空間與第一空間1130或將傳送腔室50的內部空間與第二空間1150選擇性地連通的門(未 圖示)。
另外，第一空間1130與第二空間1150可以彼此獨立。例如，腔室1100可以包括殼體1110及分隔板1120。分隔板1120可以將殼體1110所具有的內部空間劃分為第一空間1130和第二空間1150。第一空間1130和第二空間1150的內部氣氛可以通過後述的氣氛轉換單元1400在大氣壓氣氛與真空壓力氣氛之間轉換。
另外，第二空間1150可以配置在比第一空間1130更靠上方的位置。第一空間1130可以是需要在處理腔室60中進行處理的即未處理的基板W被傳送至其中的空間。例如，第一空間1130可以是從載體4傳送出的未處理的基板W被傳送至其中的空間。另外，第二空間1150可以是在處理腔室60中已執行處理後的基板W被傳送至其中的空間。例如，第二空間1150可以是從處理腔室60傳送出的已處理的基板W被傳送至其中的空間。控制器70通過控制第一傳送機器人25和第二傳送機器人53，可以將未處理的基板W傳送至第一空間1130或者從第一空間1130傳送出後將其傳送到處理腔室60，並且將已處理的基板W傳送至第二空間1150或者從第二空間1150傳送出後將其傳送到載體4。
另外，腔室1100可以設置有複數個視口。例如，殼體1110可以設置有第一視口1111、第二視口1112及第三視口1113。第一視口1111可以由透明材料製成。第一視口1111可以設置在與後述的圖像獲取部件1340相鄰的位置，第一視口1111可以設置在殼體1110的上壁。第二視口1112可以由透明材料製成。第二視口1112可以設置在與後述的照射部1240相鄰的位置。第二視口1112可以設置在殼體1110的側壁。第三視口1113可以由透明材料製成。第三視口1113可以設置在與後述的光接收部150相鄰的位置。第三視口1113可以設置在殼體1110的下壁。另外，分隔板1120可以設置有第四視口1121。第四視口1121可以由透明材料製成。第四視口1121可以與照射部1240和第二視口1121相鄰配置。
對準單元1200可以將設置在第一空間1130和第二空間1150中的任 一空間的基板W的凹口N對齊。對準單元1200可以將提供至第一空間1130的基板W的凹口N對齊。對準單元1200可以包括支撐板1210、支撐墊1220、旋轉軸1230、照射部1240以及光接收部1250。
支撐板1210可以支撐基板W。當從上方觀察時，支撐板1210的直徑可以小於基板W的直徑。即，支撐板1210可以支撐基板W的中央區域和邊緣區域中的基板W的中央區域。支撐板1210還可以在支撐板1210的上表面與旋轉軸1230結合，所述旋轉軸1230能夠通過諸如馬達等驅動器旋轉。因此，支撐板1210可以通過旋轉軸1230旋轉。因此，由支撐板1210支撐的基板W可以旋轉。使旋轉軸1230旋轉的驅動器(未示出)可以配置在腔室1100的外部。即，旋轉軸1230可以插入到形成在殼體1110的孔中，殼體1110與旋轉軸1230之間的空間可以用磁性流體密封。
另外，支撐板1210的上表面可以設置有支撐墊1220。基板W放置在支撐板1210時，支撐墊1220可以與基板W的下表面接觸。支撐墊1220可以由諸如橡膠等材料製成，以防止基板W在旋轉時基板W打滑(能夠防止滑動)。另外，支撐墊1220可以由包括填充有碳的PEEK(PolyEtherEtherKetone，聚醚醚酮)的材料製成。另外，支撐墊1220可以設為粘合墊。支撐墊1220可以具有O型環形狀，以便更容易地防止基板W的滑動(參照圖6)。但是並不限於此，如圖7所示，支撐板1210的上表面可以設置有突起狀的支撐墊1220a。另外，如圖8所示，支撐板1210的上表面可以設置有壁虎(Gecko)形狀的支撐墊1220b，以便更容易地防止基板W的滑動。在此，以壁虎(Gecko)形狀設置的支撐墊1220b具有與蜥蜴腳底相似的形狀，因此在支撐基板W時，可以將由於污染、殘留物、除氣、粘合劑及反作用而引起的滑動現象最小化。
再次參照圖5，照射部1240可以照射光。照射部1240可以向光接收部1250照射光。照射部1240所照射的光大致上可以是具有直線性的(例如，鐳射)光，但是並不限於此，可以進行各種變形。光接收部1250可以接收由照射 部1240照射的光。控制器70或光接收部1250根據光接收部1250是否接收光來判斷放置在支撐板1210的基板W的凹口N是否適當地對齊。另外，照射部1240和光接收部1250可以配置在腔室1100的外部。
照射部1240所照射的光可以通過第二視口1112和/或第四視口1121。另外，照射部1240所照射的光可以通過第三視口1113。即，第二視口1112、第三視口1113及第四視口1121可以配置在照射部1240所照射的光的照射路徑上。另外，照射部1240可以沿相對於放置在支撐板1210的基板W的上表面傾斜的方向照射光。當基板W放置在支撐板1210時，基板W可能被放置在稍微不準確的位置。當照射部1240沿傾斜方向照射光時，由於基板W的上表面被光照射的面積會變大，因此，即使基板W放置在稍微不準確的位置，也能夠判斷凹口N是否對齊。
檢查單元1300可以檢查提供至第一空間1130和第二空間1150中的另一空間的基板W的處理狀態。檢查單元1300可以檢查提供到第二空間1150中的基板W的處理狀態。檢查單元1300可以包括支撐部件1310、旋轉部件1320及圖像獲取部件1340。
支撐部件1310可以通過旋轉部件1320旋轉。支撐部件1310可以支撐基板W的邊緣區域。支撐部件1310可以支撐基板W的下表面。支撐部件1310可以根據情況而由透明材料製成。旋轉部件1320可以使支撐部件1310旋轉。旋轉部件1320可以包括與支撐部件1310結合的軸1321以及包圍軸1321的軸殼體1323。使軸1321旋轉的驅動器(例如，驅動馬達)可以配置在腔室1100的外部。另外，軸殼體1323可以插入到殼體1110上壁的中央區域。與上述旋轉軸1230同樣地，在軸殼體1323與軸1321之間可以利用磁性流體(Magnetic Fluid)密封(Sealing)。第二空間1150可以在大氣壓氣氛與真空壓力氣氛之間轉換氣氛，由於利用磁性流體進行密封，因此可以將軸1321的旋轉運動傳遞到能夠具有真空壓力氣氛的第二空間1150中。
圖像獲取部件1340可以獲取能夠確認在處理腔室60中處理後的基板W的處理狀態的圖像。圖像獲取部件1340可以是照相機。圖像獲取部件1340可以對基板W進行拍攝而獲取基板W邊緣區域的圖像。圖像獲取部件1340可以獲取基板W上表面的圖像。圖像獲取部件1340可以通過第一視口1111獲取提供至第二空間1150中的基板W邊緣區域的圖像。另外，圖像獲取部件1340可以沿相對於由支撐部件1310支撐的基板的上表面傾斜的方向拍攝基板W的邊緣區域。在這種情況下，可以在更寬範圍內獲取基板W的邊緣區域的圖像。
氣氛轉換單元1400可以將腔室1100內部空間的氣氛在真空壓力氣氛與大氣壓氣氛之間轉換。氣氛轉換單元1400可以包括向第一空間1130供應氣體的第一氣體供應管線1410、排出第一空間1130的氣體的第一氣體排出管線(1420)、向第二空間1150供應氣體的第二氣體供應管線1430以及排出第二空間1150的氣體的第二氣體排出管線1440。第一氣體供應管線1410和第二氣體供應管線1430所供應的氣體可以是氮或氬等惰性氣體。
圖9和圖10是示出在圖4的第一加載互鎖真空腔室中對齊基板的凹口的樣子的圖。參照圖9和圖10，如果未處理的基板W被傳送至第一空間1130，則照射部1240可以照射光L。光L可以朝向光接收部1250照射。此時，如果基板W的凹口N未被適當地對齊，則光接收部1250可能無法接收光L。在這種情況下，旋轉軸1230可以緩慢旋轉支撐板1210而使基板W旋轉。如果基板W旋轉而形成在基板W的凹口N被適當地對齊，則光接收部1250可以接收光L。在這種情況下，可以判斷為基板W的凹口N適當地對齊，然後將基板W從加載互鎖真空腔室40傳送至傳送腔室50。凹口N的對齊可以在第一空間1130的氣氛轉換期間、轉換完成之後或者轉換之前執行。
圖11是示出在圖4的第一加載互鎖真空腔室中確認基板的處理狀態的樣子的圖，圖12是示出由圖11的圖像獲取部件獲取的圖像的樣子的圖。參照圖11和圖12，在處理腔室60中處理後的基板W邊緣區域的薄膜F可以被去除。如 果在處理腔室60中處理後的基板W傳送至第二空間1150，則基板W可以被支撐部件1310支撐。此時，圖像獲取部件1340可以獲取基板W邊緣區域的圖像而確認基板W的處理狀態。圖像獲取部件1340可以在支撐部件1310旋轉期間連續地拍攝基板W。與此不同地，也可以通過將拍攝和旋轉依次重複的方式獲取基板W的邊緣區域的複數個圖像。圖像獲取可以在第二空間1150的氣氛轉換期間、轉換完成之後或者轉換之前執行。
為了在載體4與處理腔室60之間傳送基板W，需要經過鎖定腔室40，這必然會產生基板W在加載互鎖真空腔室40中等待的時間。根據本發明的一實施例，加載互鎖真空腔室40具有用於對齊基板W的凹口N的對準單元1200。因此，基板W可以在加載互鎖真空腔室40中等待期間對齊基板W的凹口N，從而可以縮短為了對齊基板W的凹口N而將基板W傳送至另外的對準腔室的時間。另外，加載互鎖真空腔室40具有用於檢查基板W的處理狀態的檢查單元1300。因此，基板W可以在加載互鎖真空腔室40中等待期間確認基板W的處理狀態。因此，可以縮短為了確認基板W的處理狀態而傳送基板W所需要的時間。另外，如果沒有適當地處理基板W，則操作者可以立即確認，因此可以根據情況而立即變更基板處理裝置1的設定。即，根據本發明的實施例，還能夠增加產量並對基板W進行檢查。
上述示例中舉例說明瞭對準單元1200對齊提供至第一空間1130中的基板W的情況，但並不限於此。例如，可以構成為對準單元1200能夠對齊提供至第二空間1150中的基板W。
上述示例中舉例說明瞭腔室1100設置為具有第一空間1130和第二空間1150的兩層結構，但並不限於此。例如，腔室1100也可以設置為多層結構。
上述示例中舉例說明瞭檢查單元1300構成為獲取基板W上表面的圖像，但並不限於此。例如，檢查單元1300也可以構成為獲取提供至第二空間1150的基板W下表面的圖像。
上述示例中舉例說明瞭支撐墊1220具有O型環形狀、壁虎(Gecko)形狀的情況，但並不限於此。例如，支撐墊1220的上表面也可以具有平坦或傾斜的形狀。
上述示例中舉例說明瞭各個對準單元1200設置在同一層，並且各個檢查單元1300設置在同一層的情況，但並不限於此。例如，對準單元1200和檢查單元1300也可以設置在同一層。
以上的詳細說明是對本發明的例示。另外，前述內容是作為本發明的較佳實施方式來說明的，本發明可以在各種不同的組合、變更及環境下使用。即，可以在本說明書中公開的發明的概念範圍內、等同於所敘述的公開內容的範圍內和/或本領域的技術或知識範圍內進行變更或修改。前述的實施例是說明用於實現本發明的技術思想的最佳狀態，可以根據本發明的具體適用領域和用途中的要求進行各種變更。因此，上述發明的詳細說明並非旨在將本發明限制於所公開的實施方式。另外，所附申請專利範圍應被解釋為還包括其他實施方式。
1:基板處理裝置
4:載體
6:支撐部
10:加載端口
11:第一方向
12:第二方向
20:設備前端模組
21:傳送框架
25:第一傳送機器人
27:傳送軌道
30:處理模組
40:加載互鎖真空腔室
50:傳送腔室
53:第二傳送機器人
60:處理腔室
70:控制器
W:基板

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，其為處理基板的裝置，其包括：設備前端模組，具有加載端口和傳送框架；處理腔室，對基板執行製程處理；以及加載互鎖真空腔室，配置於在所述傳送框架與所述處理腔室之間傳送的基板的傳送路徑上，所述加載互鎖真空腔室包括：殼體，具有內部空間；分隔板，將所述內部空間劃分為第一空間和獨立於所述第一空間的第二空間；以及對準單元，對齊提供至所述第一空間和所述第二空間中的任一個空間的基板的凹口，其中，所述對準單元包括照射部，用於將光照射到所述基板的邊緣區域；以及光接收部，配置為接收由所述照射部照射的所述光，且所述照射部和所述光接收部配置在所述殼體的外部。
  2. 如請求項1所述之基板處理裝置，其中，所述對準單元進一步包括：支撐板，用於支撐基板；以及旋轉軸，用於旋轉所述支撐板；其中，根據是否接收所述光來判斷由所述支撐板支撐的所述基板的所述凹口是否對齊。
  3. 如請求項2所述之基板處理裝置，其中，在所述殼體和所述分隔板中的至少一方上設置有用於使由所述照射部照射的所述光透射的視口。
  4. 如請求項3所述之基板處理裝置，其中，所述照射部構成為 沿相對於由所述支撐板支撐的所述基板的上表面傾斜的方向照射所述光。
  5. 如請求項1所述之基板處理裝置，其中，所述加載互鎖真空腔室包括檢查單元，所述檢查單元用於檢查提供至所述第一空間和所述第二空間中的另一空間的基板的處理狀態。
  6. 如請求項5所述之基板處理裝置，其中，所述檢查單元包括：支撐部件，用於支撐基板；旋轉部件，用於旋轉所述支撐部件；以及圖像獲取部件，用於獲取由所述支撐部件支撐的所述基板的邊緣區域的圖像。
  7. 如請求項6所述之基板處理裝置，其中，所述旋轉部件包括：軸，與所述支撐部件結合；以及軸殼體，包圍所述軸，所述軸與所述軸殼體被磁性流體密封。
  8. 如請求項6所述之基板處理裝置，其中，所述圖像獲取部件配置在所述殼體的外部，所述殼體上設置有視口，以使所述圖像獲取部件能夠獲取所述圖像。
  9. 一種加載互鎖真空腔室，其內部氣氛在真空壓力氣氛與大氣壓氣氛之間轉換，其包括：腔室，具有第一空間和獨立於所述第一空間的第二空間；對準單元，對齊提供至所述第一空間中的基板的凹口；以及檢查單元，檢查提供至所述第二空間中的基板的處理狀態，其中，所述對準單元包括照射部，用於將光照射到所述基板的邊緣區域；以及光接收部，配置為接收由所述照射部照射的所述光，且所述照射部和所述光接收部配置在殼體的外部。
  10. 如請求項9所述之加載互鎖真空腔室，其中，所述第一空間 是需要在處理腔室中進行處理的未處理的基板被傳送至其中的空間，所述第二空間是在處理腔室中已執行處理後的基板被傳送至其中的空間。
  11. 如請求項9或10所述之加載互鎖真空腔室，其中，所述對準單元進一步包括：支撐板，用於支撐基板；支撐墊，設置在所述支撐板的上表面並與基板的下表面接觸；以及旋轉軸，用於旋轉所述支撐板；其中，根據是否接收所述光來判斷由所述支撐板支撐的所述基板的所述凹口是否對齊。
  12. 如請求項11所述之加載互鎖真空腔室，其中，所述支撐墊為O型環形狀或壁虎形狀。
  13. 如請求項11所述之加載互鎖真空腔室，其中，所述腔室中設置有用於使由所述照射部照射的所述光透射的視口。
  14. 如請求項13所述之加載互鎖真空腔室，其中，所述照射部構成為沿相對於由所述支撐板支撐的所述基板的上表面傾斜的方向照射所述光。
  15. 如請求項9或10所述之加載互鎖真空腔室，其中，所述檢查單元包括：支撐部件，用於支撐基板；旋轉部件，用於旋轉所述支撐部件；以及圖像獲取部件，用於獲取由所述支撐部件支撐的所述基板的邊緣區域的圖像。
  16. 如請求項15所述之加載互鎖真空腔室，其中，所述圖像獲取部件配置在所述腔室的外部，所述腔室中設置有視口，以使所述圖像獲取部件能夠獲取所述圖像。
  17. 一種基板處理裝置，其為處理基板的裝置，其包括： 設備前端模組，包括加載端口和傳送框架；以及處理模組，執行接收放置在所述加載端口的容器中所容納的基板並去除基板邊緣區域的薄膜的處理製程，所述處理模組包括：處理腔室，執行斜面蝕刻製程；傳送腔室，將從所述設備前端模組轉送來的基板傳送至所述處理腔室；以及加載互鎖真空腔室，配置在所述傳送腔室與所述傳送框架之間，所述加載互鎖真空腔室包括：腔室，具有第一空間和第二空間，所述第一空間是未處理的基板被傳送至其中的空間，所述第二空間是配置在所述第一空間的上方來與所述第一空間彼此獨立，並且在所述處理腔室中處理後的基板被傳送至其中的空間；對準單元，對齊提供至所述第一空間中的基板的凹口；以及檢查單元，檢查提供至所述第二空間中的基板的處理狀態，其中，所述對準單元包括照射部，用於將光照射到所述基板的邊緣區域；以及光接收部，配置為接收由所述照射部照射的所述光，且所述照射部和所述光接收部配置在殼體的外部。
  18. 如請求項17所述之基板處理裝置，其中，所述對準單元進一步包括：支撐板，用於支撐基板；以及旋轉軸，用於旋轉所述支撐板；其中，根據是否接收所述光來判斷由所述支撐板支撐的所述基板的所述凹口是否對齊。
  19. 如請求項18所述之基板處理裝置，其中，所述檢查單元包括：支撐部件，用於支撐基板； 旋轉部件，用於旋轉所述支撐部件；以及圖像獲取部件，用於獲取由所述支撐部件支撐的所述基板的邊緣區域的圖像。
  20. 如請求項19所述之基板處理裝置，其中，所述照射部構成為沿相對於由所述支撐板支撐的所述基板的上表面傾斜的方向照射所述光，所述圖像獲取部件沿相對於由所述支撐部件支撐的所述基板的上表面傾斜的方向拍攝所述基板的邊緣區域。
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