JP2024507257A - ロードロックチャンバ及び基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

本発明は、基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、ロードポート及び移送フレームを有する設備前方端部モジュールと、基板に対する工程処理を遂行するプロセスチャンバと、及び前記移送フレーム、そして、前記プロセスチャンバの間で返送される基板の返送経路上に配置されるロードロックチャンバを含み、前記ロードロックチャンバは、内部空間を有するハウジングと、前記内部空間を第１空間、そして、前記第１空間に独立的な第２空間で区切る区画プレートと、及び前記第１空間、そして、前記第２空間のうちで何れか一つに提供される基板のノッチを整列するアライメントユニットを含むことができる。

Description

本発明は、ロードロックチャンバ及び基板処理装置に関するものである。
プラズマはイオンやラジカル、そして電子などでなされたイオン化されたガス状態を言って、非常に高い温度や、強い電界あるいは高周波電子系（ＲＦ Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｆｉｅｌｄｓ）によって生成される。半導体素子製造工程はプラズマを利用して基板上の膜を除去するアッシングまたは蝕刻工程を含む。アッシングまたは蝕刻工程はプラズマに含有されたイオン及びラジカル粒子らが基板上の膜と衝突または反応することで遂行される。
プラズマを利用して基板を処理する装置は、基板上の膜（例えば、基板上に形成されたハードマスク、または基板上に形成されたフォトレジスト膜）を除去することに利用されることができる。プラズマを利用して基板を処理する装置は工程チャンバで遂行される。工程チャンバで基板を適切に処理するためには工程チャンバに搬入される基板のノッチ方向が既設定された方向と一致し、基板が置かれる位置が既設定された位置と一致しなければならない。これに、一般的には基板のノッチを整列するアライメントユニットが提供されるアライメントチャンバに基板が返送され、アライメントユニットで基板のノッチが整列され、ノッチが整列された基板が工程チャンバに返送される。
また、プラズマを利用して基板を処理した以後、基板の処理が適切に遂行されたかを確認することが重要である。これは処理が適切になされることができなかった基板を選別し、場合によっては基板を処理する装置のセットアップを変更しなければならない必要があるためである。これに、一般的にはプラズマを利用して基板を処理した以後、処理された基板を検査する検査ユニットが提供される検査チャンバに返送し、検査ユニットが基板の処理状態を確認し、処理状態が確認された基板をＦＯＵＰのような容器に返送する。または、工程チャンバで処理された基板をＦＯＵＰに収納し、ＦＯＵＰを別途の検査装置に返送して前記検査装置で基板の処理状態を確認する。
しかし、前述したように基板をアライメントチャンバに返送し、アライメントチャンバで基板のノッチを整列し、基板をアライメントチャンバから工程チャンバに返送する場合、返送シーケンスが複雑になって返送に所要される時間が長くなる。
また、前述したように処理された基板を検査チャンバに返送し、検査チャンバで基板の処理状態を確認する場合、返送シーケンスが複雑になって返送に所要される時間が長くなる。
また、前述したように処理された基板を容器に収納し、収納された容器を別途の検査装置に返送して基板の処理状態を確認する場合、基板の処理状態を確認することに多くの時間が所要され（すなわち、基板処理の異常を早期に見つけることに多くの時間が所要され）、場合によっては基板処理装置のセットアップ変更を早い時間内に遂行し難い。
特開２００９－８８５５５号公報
本発明は基板の処理状態を効果的に検査することができるロードロックチャンバ及び基板処理装置を提供することを一目的とする。
また、本発明は基板のノッチ整列を効果的に遂行することができるロードロックチャンバ及び基板処理装置を提供することを一目的とする。
また、本発明は基板のノッチ整列、そして、基板の処理状態を検査することに所要される時間を短縮することができるロードロックチャンバ及び基板処理装置を提供することを一目的とする。
本発明が解決しようとする課題が上述した課題らに限定されるものではなくて、言及されない課題らは本明細書及び添付された図面から本発明の属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
本発明は、基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、ロードポート及び移送フレームを有する設備前方端部モジュールと、基板に対する工程処理を遂行するプロセスチャンバと、及び前記移送フレーム、そして前記プロセスチャンバの間で返送される基板の返送経路上に配置されるロードロックチャンバを含み、前記ロードロックチャンバは、内部空間を有するハウジングと、前記内部空間を第１空間、そして前記第１空間に独立的な第２空間で区切る区画プレートと、及び前記第１空間、そして前記第２空間のうちで何れか一つに提供される基板のノッチを整列するアライメントユニットを含むことができる。
一実施例によれば、前記アライメントユニットは、基板を支持する支持板と、及び前記支持板を回転させる回転軸と、前記支持板に支持された基板の縁領域に光を照射する照射部と、及び前記照射部が照射する前記光を受光し、前記光の受光如何によって前記支持板に支持された基板のノッチ整列如何を判断することができるようにする受光部を含むことができる。
一実施例によれば、前記照射部、そして前記受光部は前記ハウジングの外部に配置され、前記ハウジング、そして前記区画プレートのうちで少なくとも何れか一つには、前記照射部が照射する前記光が透過するビューポートが提供されることができる。
一実施例によれば、前記照射部は、前記支持板に支持された基板の上面に傾いた方向に前記光を照射するように構成されることができる。
一実施例によれば、前記ロードロックチャンバは、前記第１空間と前記第２空間のうちで他の一つに提供される基板の処理状態を検査する検査ユニットを含むことができる。
一実施例によれば、前記検査ユニットは、基板を支持する支持部材と、前記支持部材を回転させる回転部材と、及び前記支持部材に支持された基板の縁領域のイメージを獲得するイメージ獲得部材を含むことができる。
一実施例によれば、前記回転部材は、前記支持部材と結合されるシャフトと、及び前記シャフトを取り囲むシャフトハウジングを含み、前記シャフトと前記シャフトハウジングは、磁性流体によってシーリング（Ｓｅａｌｉｎｇ）されることができる。
一実施例によれば、前記イメージ獲得部材は前記ハウジングの外部に配置され、前記ハウジングには、前記イメージ獲得部材が前記イメージを獲得できるようにビューポートが提供されることができる。
また、本発明は内部雰囲気が真空圧雰囲気、そして、大気圧雰囲気の間で転換されるロードロックチャンバを提供する。ロードロックチャンバは、第１空間、そして、前記第１空間と独立的な第２空間を有するチャンバと、前記第１空間に提供される基板のノッチを整列するアライメントユニットと、及び前記第２空間に提供される基板の処理状態を検査する検査ユニットを含むことができる。
一実施例によれば、前記第１空間はプロセスチャンバでの処理が要求される未処理された基板が搬入される空間であり、前記第２空間はプロセスチャンバでの処理が遂行された基板が搬入される空間であることができる。
一実施例によれば、前記アライメントユニットは、基板を支持する支持板と、前記支持板の上面に提供されて基板の下面と接触される支持パッドと、前記支持板を回転させる回転軸と、前記支持板に支持された基板の縁領域に光を照射する照射部と、及び前記照射部が照射する前記光を受光し、前記光の受光如何によって前記支持板に支持された基板のノッチ整列如何を判断することができるようにする受光部を含むことができる。
一実施例によれば、前記支持パッドは、Ｏリング形態、またはゲッコー（Ｇｅｃｋｏ）形態で提供されることができる。
一実施例によれば、前記照射部、そして、前記受光部は前記チャンバの外部に配置され、前記チャンバには、前記照射部が照射する前記光が透過するビューポートが提供されることができる。
一実施例によれば、前記照射部は、前記支持板に支持された基板の上面に傾いた方向に前記光を照射するように構成されることができる。
一実施例によれば、前記検査ユニットは、基板を支持する支持部材と、前記支持部材を回転させる回転部材と、及び前記支持部材に支持された基板の縁領域のイメージを獲得するイメージ獲得部材を含むことができる。
一実施例によれば、前記イメージ獲得部材は前記チャンバの外部に配置され、前記チャンバには、前記イメージ獲得部材が前記イメージを獲得するようにビューポートが提供されることができる。
また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、ロードポート及び移送フレームを含む設備前方端部モジュールと、及び前記ロードポートに置かれた容器に収納された基板の伝達を受けて基板の縁領域の薄膜を除去する処理工程を遂行する処理モジュールを含み、前記処理モジュールは、ベベルエッチング工程を遂行するプロセスチャンバと、前記設備前方端部モジュールから伝達される基板を前記プロセスチャンバに伝達するトランスファーチャンバと、前記トランスファーチャンバと前記移送フレームとの間に配置されるロードロックチャンバを含み、前記ロードロックチャンバは、未処理された基板が搬入される第１空間、そして、前記第１空間より上部に配置されて前記第１空間とお互いに独立的であり、前記プロセスチャンバで処理された基板が搬入される第２空間を有するチャンバと、前記第１空間に提供される基板のノッチを整列するアライメントユニットと、及び前記第２空間に提供される基板の処理状態を検査する検査ユニットを含むことができる。
一実施例によれば、前記アライメントユニットは、基板を支持する支持板と、前記支持板を回転させる回転軸と、前記支持板に支持された基板の縁領域に光を照射する照射部と、及び前記照射部が照射する前記光を受光し、前記光の受光如何によって前記支持板に支持された基板のノッチ整列如何を判断することができるようにする受光部を含むことができる。
一実施例によれば、前記検査ユニットは、基板を支持する支持部材と、前記支持部材を回転させる回転部材と、及び前記支持部材に支持された基板の縁領域のイメージを獲得するイメージ獲得部材を含むことができる。
一実施例によれば、前記照射部は、前記支持板に支持された基板の上面に傾いた方向に前記光を照射するように構成され、前記イメージ獲得部材は、前記支持部材に支持された基板の上面に傾いた方向に基板の縁領域を撮像することができる。
本発明の一実施例によれば、基板の処理状態を効果的に検査することができる。
また、本発明の一実施例によれば、基板のノッチ整列を効果的に遂行することができる。
また、本発明の一実施例によれば、基板のノッチ整列、そして基板の処理状態を検査することに所要される時間を短縮することができる。
本発明の効果が上述した効果らに限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
図１は本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる図面である。 図２は図１のプロセスチャンバに提供される基板処理装置の一実施例を見せてくれる図面である。 図３は図２の基板処理装置がプラズマ処理工程を遂行する一実施例を見せてくれる図面である。 図４は図１のロードロックチャンバを概略的に見せてくれる図面である。 図５は図４の第１ロードロックチャンバを概略的に見せてくれる図面である。 図６は図５の支持パッドの一実施例を見せてくれる図面である。 図７は図５の支持パッドの他の実施例を見せてくれる図面である。 図８は図５の支持パッドの他の実施例を見せてくれる図面である。 図９は図４の第１ロードロックチャンバで基板のノッチを整列する姿を見せてくれる図面である。 図１０は図４の第１ロードロックチャンバで基板のノッチを整列する姿を見せてくれる図面である。 図１１は図４の第１ロードロックチャンバで基板の処理状態を確認する姿を見せてくれる図面である。 図１２は図１１のイメージ獲得部材が獲得したイメージの姿を見せてくれる図面である。
以下では添付した図面を参照して本発明の実施例に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明はいろいろ相異な形態で具現されることができるし、ここで説明する実施例に限定されない。また、本発明の望ましい実施例を詳細に説明するにおいて、関連される公知機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曇ることがあると判断される場合にはその詳細な説明を略する。また、類似な機能及び作用をする部分に対しては図面全体にかけて等しい符号を使用する。
ある構成要素を‘包含’するということは、特別に反対される記載がない限り他の構成要素を除くものではなく他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。具体的に、“包含する”または“有する”などの用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであって、一つまたはその以上の他の特徴らや数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性をあらかじめ排除しないことで理解されなければならない。
単数の表現は文脈上明白に異なるように志さない限り、複数の表現を含む。また図面で要素らの形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
第１、第２などの用語は多様な構成要素らを説明するのに使用されることができるが、前記構成要素らは前記用語によって限定されてはいけない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使用されることができる。例えば、本発明の権利範囲から離脱されないまま第１構成要素は第２構成要素で命名されることができるし、類似に第２構成要素も第１構成要素で命名されることができる。
ある構成要素が異なる構成要素に“連結されて”いるか、または“接続されて”いると言及された時には、その他の構成要素に直接的に連結されているか、または接続されていることもあるが、中間に他の構成要素が存在することもあると理解されなければならないであろう。反面に、ある構成要素が異なる構成要素に“直接連結されて”いるか、または“直接接続されて”いると言及された時には、中間に他の構成要素が存在しないことで理解されなければならないであろう。構成要素らとの関係を説明する他の表現ら、すなわち“～間に”と“すぐ～間に”または“～に隣合う”と“～に直接隣合う”なども同じく解釈されなければならない。
異なるように定義されない限り、技術的であるか科学的な用語を含んでここで使用されるすべての用語らは、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者によって一般的に理解されることと等しい意味である。一般に使用される前もって定義されているもののような用語は、関連技術の文脈上有する意味と一致する意味であることで解釈されなければならないし、本出願で明白に定義しない限り、理想的や過度に形式的な意味で解釈されない。
以下では添付した図面を参照して本発明の実施例に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明はいろいろ相異な形態で具現されることができるし、ここで説明する実施例に限定されない。また、本発明の望ましい実施例を詳細に説明するにおいて、関連される公知機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曇ることがあると判断される場合にはその詳細な説明を略する。また、類似な機能及び作用をする部分に対しては図面全体にかけて等しい符号を使用する。
ある構成要素を‘包含’するということは、特別に反対される記載がない限り他の構成要素を除くものではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。具体的に、“包含する”または“有する”などの用語は明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであって、一つまたはその以上の他の特徴らや数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性をあらかじめ排除しないことで理解されなければならない。
単数の表現は文脈上明白に異なるように志さない限り、複数の表現を含む。また図面で要素らの形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
以下、図１乃至図１２を参照して本発明の実施例を詳しく説明する。
図１は、本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる図面である。図１を参照すれば、基板処理装置１は設備前方端部モジュール（ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ｆｒｏｎｔ ｅｎｄ ｍｏｄｕｌｅ、ＥＦＥＭ）２０、処理モジュール３０、そして、制御機７０を有する。設備前方端部モジュール２０と処理モジュール３０は一方向に配置される。
設備前方端部モジュール２０はロードポート（ｌｏａｄ ｐｏｒｔ）１０及び移送フレーム２１を有する。ロードポート１０は第１方向１１に設備前方端部モジュール２０の前方に配置される。ロードポート１０は複数個の支持部６を有する。それぞれの支持部６は第２方向１２に一列に配置され、工程に提供される基板（Ｗ）及び工程処理が完了された基板（Ｗ）が収納されたキャリア４（例えば、カセット、ＦＯＵＰなど）が安着される。キャリア４には工程に提供される基板（Ｗ）及び工程処理が完了された基板（Ｗ）が収納される。移送フレーム２１はロードポート１０と処理モジュール３０との間に配置される。移送フレーム２１の内部空間は概して大気圧雰囲気で維持されることができる。移送フレーム２１にはその内部に配置されてロードポート１０と処理モジュール３０との間に基板（Ｗ）を移送する第１移送ロボット２５が提供されることができる。第１移送ロボット２５は第２方向１２に具備された移送レール２７に沿って移動してキャリア４と処理モジュール３０との間に基板（Ｗ）を移送することができる。
処理モジュール３０はロードロックチャンバ４０、トランスファーチャンバ５０、そしてプロセスチャンバ６０を含む。処理モジュール３０は設備前方端部モジュール２０から基板（Ｗ）の返送を受けて基板（Ｗ）を処理することができる。処理モジュール３０はロードポート１０に置かれたキャリア４のような容器に収納された基板の伝達を受けて基板の縁領域の薄膜を除去する処理工程を遂行することができる。
ロードロックチャンバ４０は移送フレーム２１に接するように配置される。一例で、ロードロックチャンバ４０はトランスファーチャンバ５０と設備前方端部モジュール２０との間に配置されることができる。ロードロックチャンバ４０はトランスファーチャンバ５０と移送フレーム２１との間に配置されることができる。ロードロックチャンバ４０は工程に提供される基板（Ｗ）がプロセスチャンバ６０に移送される前、または工程処理が完了された基板（Ｗ）が設備前方端部モジュール２０に移送される前待機する空間を提供する。ロードロックチャンバ４０の内部空間の雰囲気は大気圧雰囲気と真空圧雰囲気の間で転換されることができる。ロードロックチャンバ４０に対する詳しい説明は後述する。
トランスファーチャンバ５０は基板（Ｗ）を返送することができる。トランスファーチャンバ５０はロードロックチャンバ４０に接するように配置される。トランスファーチャンバ５０は上部から眺める時、多角形の胴体を有するである。図１を参照すれば、トランスファーチャンバ５０は上部から眺める時、五角形の胴体を有する。胴体外側にはロードロックチャンバ４０と複数個のプロセスチャンバ６０らが胴体のまわりに沿って配置される。胴体の各側壁には基板（Ｗ）が出入りする通路（図示せず）が形成され、通路はトランスファーチャンバ５０とロードロックチャンバ４０またはプロセスチャンバ６０らを連結する。各通路には通路を開閉して内部を密閉させるドア（図示せず）が提供される。トランスファーチャンバ５０の内部空間にはロードロックチャンバ４０とプロセスチャンバ６０らの間に基板（Ｗ）を移送する第２移送ロボット５３が配置されることができる。第２移送ロボット５３はロードロックチャンバ４０で待機する未処理された基板（Ｗ）をプロセスチャンバ６０に移送するか、または工程処理が完了した基板（Ｗ）をロードロックチャンバ４０に移送する。また、第２移送ロボット５３は後述するハウジング１００の処理空間１０２に基板（Ｗ）を搬入するか、または処理空間１０２から基板（Ｗ）を搬出することができる。また、第２移送ロボット５３は複数個のプロセスチャンバ６０に基板（Ｗ）を順次に提供するためにプロセスチャンバ６０の間に基板（Ｗ）を移送することができる。図１のように、トランスファーチャンバ５０が五角形の胴体を有する時、設備前方端部モジュール２０と隣接した側壁にはロードロックチャンバ４０がそれぞれ配置され、残り側壁にはプロセスチャンバ６０らが連続して配置される。トランスファーチャンバ５０は前記形状だけではなく、要求される工程モジュールによって多様な形態で提供されることができる。また、トランスファーチャンバ５０の内部雰囲気は概して真空圧雰囲気で維持されることができる。
プロセスチャンバ６０はトランスファーチャンバ５０と接するように配置されることができる。プロセスチャンバ６０はトランスファーチャンバ５０のまわりに沿って配置される。プロセスチャンバ６０は複数ヶ提供されることができる。それぞれのプロセスチャンバ６０内では基板（Ｗ）に対する工程処理を遂行することができる。プロセスチャンバ６０は第２移送ロボット５３から基板（Ｗ）の移送を受けて工程処理をして、工程処理が完了した基板（Ｗ）を第２移送ロボット５３に提供する。それぞれのプロセスチャンバ６０で進行される工程処理はお互いに相異なことがある。
制御機７０は基板処理装置１を制御することができる。制御機７０は基板処理装置１が有する構成らを制御することができる。制御機７０は基板処理装置１が基板（Ｗ）に対する処理工程、基板（Ｗ）に対するノッチ整列工程、そして基板（Ｗ）に対する検査工程を遂行するように基板処理装置１が有する構成らを制御することができる。制御機７０は基板処理装置１の制御を行うマイクロプロセッサー（コンピューター）でなされるプロセスコントローラーと、オペレーターが基板処理装置１を管理するためにコマンド入力操作などを行うキーボードや、基板処理装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイなどでなされるユーザーインターフェースと、基板処理装置１で実行される処理をプロセスコントローラーの制御で行うための制御プログラムや、各種データ及び処理条件によって各構成部に処理を実行させるためのプログラム、すなわち、処理レシピが記憶された記憶部を具備することができる。また、ユーザーインターフェース及び記憶部はプロセスコントローラーに接続されてあり得る。処理レシピは記憶部のうちで記憶媒体に記憶されてあり得て、記憶媒体は、ハードディスクでも良く、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤなどの可搬性ディスクや、フラッシュメモリーなどの半導体メモリーであることがある。
以下、プロセスチャンバ６０のうちでプラズマ工程を遂行する基板処理装置１０００に対して上述する。また、以下で説明する基板処理装置１０００はプロセスチャンバ６０のうちで基板の縁領域に対するプラズマ処理工程を遂行するように構成されることを例であげて説明する。また、以下で説明する基板処理装置１０００はプロセスチャンバ６０のうちで基板の縁領域上の薄膜を除去するベベルエッチング工程を遂行するように構成されることを例であげて説明する。しかし、これに限定されるものではなくて以下で説明する基板処理装置１０００は基板に対する処理がなされる多様なチャンバに同一または類似に適用されることができる。また、基板処理装置１０００は基板に対するプラズマ処理工程が遂行される多様なチャンバに同一または類似に適用されることができる。
図２は、図１のプロセスチャンバに提供される基板処理装置の一実施例を見せてくれる図面である。図２を参照すれば、プロセスチャンバ６０に提供される基板処理装置１０００はプラズマを利用して基板（Ｗ）上に所定の工程を遂行する。一例で、基板処理装置１０００は基板（Ｗ）上の膜質を蝕刻またはアッシングすることができる。膜質はポリシリコン、シリコン酸化膜、そしてシリコン窒化膜など多様な種類の膜質であることがある。また、膜質は自然酸化膜や化学的に生成された酸化膜であることがある。また、膜質は基板（Ｗ）を処理する過程で発生した副産物（Ｂｙ－Ｐｒｏｄｕｃｔ）であることがある。また、膜質は基板（Ｗ）上に付着及び／または残留する不純物であることがある。
基板処理装置１０００は基板（Ｗ）に対するプラズマ工程を遂行することがある。例えば、基板処理装置１０００は工程ガスを供給し、供給された工程ガスからプラズマを発生させて基板（Ｗ）を処理することができる。基板処理装置１０００は工程ガスを供給し、供給された工程ガスからプラズマを発生させて基板（Ｗ）の縁領域を処理することができる。以下では、基板処理装置１０００は基板（Ｗ）の縁領域に対するエッチング処理を遂行するベベルエッチング装置であることを例であげて説明する。
基板処理装置１０００はハウジング１００、支持ユニット３００、誘電体板ユニット５００、上部電極ユニット６００、温度調節プレート７００、ガス供給ユニット８００を含むことができる。
ハウジング１００は内部に処理空間１０２を有することができる。ハウジング１００の一面には開口（図示せず）が形成されることができる。基板（Ｗ）はハウジング１００に形成された開口を通じてハウジング１００の処理空間１０２に搬入されるか、または搬出されることができる。開口はドア（図示せず）のような開閉部材によって開閉されることができる。ハウジング１００の開口が開閉部材によって開閉されれば、ハウジング１００の処理空間１０２は外部から隔離されることができる。また、ハウジング１００の処理空間１０２の雰囲気は外部から隔離された以後真空に近い低圧で調整されることができる。また、ハウジング１００は金属を含む材質で提供されることができる。また、ハウジング１００はその表面が絶縁性材質でコーティングされることができる。
また、ハウジング１００は真空チャンバであることができる。例えば、ハウジング１００の底面には排気ホール１０４が形成されることができる。処理空間２１２で発生されたプラズマ（Ｐ）または処理空間２１２に供給されるガス（Ｇ１、Ｇ２）らは排気ホール１０４を通じて外部に排気されることができる。また、プラズマ（Ｐ）を利用して基板（Ｗ）を処理する過程で発生される副産物らは排気ホール１０４を通じて外部に排気されることができる。また、排気ホール１０４は排気ライン（図示せず）と連結されることができる。排気ラインは減圧を提供する減圧部材と連結されることができる。減圧部材は排気ラインを通じて処理空間１０２に減圧を提供することができる。
また、ハウジング１００はビューポート１０６を含むことができる。ビューポート１０６は透明な材質で提供されてハウジング１００の処理空間１０２を作業者が肉眼で確認することができるポートであるか、または後述する照射部２１０が照射する光（Ｌ）が透過することができるポートであることができる。ビューポート１０６はハウジング１００の側壁に設けられることができる。ビューポート１０６はお互いに見合わせるように一対が提供されることができる。また、ビューポート１０６は後述する誘電体板５２０の下面の高さよりは低い高さ、そしてチャック３１０の上面よりは高い高さで提供されることができる。
支持ユニット３００は処理空間１０２で基板（Ｗ）を支持することができる。支持ユニット３００はチャック３１０、電源部材３２０、絶縁リング３３０、下部電極３５０、駆動部材３７０、そして、リフトピン３９０を含むことができる。
チャック３１０は処理空間１０２で基板（Ｗ）を支持することができる。チャック３１０は基板（Ｗ）を支持する支持面を有することができる。チャック３１０は上部から眺める時円形状を有することができる。チャック３１０は上部から眺める時、基板（Ｗ）より小さな直径を有することができる。これに、チャック３１０に支持される基板（Ｗ）の中央領域はチャック３１０の支持面に安着され、基板（Ｗ）の縁領域はチャック３１０の支持面と触れ合わないこともある。
チャック３１０内部には加熱手段（図示せず）が提供されることができる。加熱手段（図示せず）はチャック３１０を加熱することができる。加熱手段はヒーターであることがある。また、チャック３１０には冷却流路３１２が形成されることができる。冷却流路３１２はチャック３１０の内部に形成されることができる。冷却流路３１２には冷却流体供給ライン３１４、そして、冷却流体排出ライン３１６が連結されることができる。冷却流体供給ライン３１４は冷却流体供給源３１８と連結されることができる。冷却流体供給源３１８は冷却流体を貯蔵及び／または冷却流体供給ライン３１４に冷却流体を供給することができる。また、冷却流路３１２に供給された冷却流体は冷却流体排出ライン３１６を通じて外部に排出されることができる。冷却流体供給源３１８が貯蔵及び／または供給する冷却流体は冷却水であるか、または冷却ガスであることがある。また、チャック３１０に形成される冷却流路３１２の形状は図３に示された形状で限定されるものではなくて多様に変形されることができる。また、チャック３１０を冷却させる構成は冷却流体を供給する構成に限定されるものではなくて、チャック３１０を冷却させることができる多様な構成（例えば、冷却プレートなど）で提供されることもできる。
電源部材３２０はチャック３１０に電力を供給することができる。電源部材３２０は電源３２２、整合器３２４、そして電源ライン３２６を含むことができる。電源３２２はバイアス電源であることができる。また、電源３２２はＲＦ電源ことがある。電源３２２は電源ライン３２６を媒介でチャック３１０と連結されることができる。また、整合器３２４は電源ライン３２６に提供され、インピーダンスマッチングを遂行することができる。
絶縁リング３３０は上部から眺める時、リング形状を有するように提供されることができる。絶縁リング３３０は上部から眺める時、チャック３１０をくるむように提供されることができる。例えば、絶縁リング３３０はリング形状を有することができる。また、絶縁リング３３０は内側領域の上面高さと外側領域の上面高さがお互いに相異であるように段差になることがある。例えば、絶縁リング３３０の内側領域の上面高さが外側領域の上面高さより高いように段差になることがある。基板（Ｗ）がチャック３１０が有する支持面に安着されれば、絶縁リング３３０の内側領域の上面と外側領域の上面のうちで内側領域の上面は基板（Ｗ）の底面とお互いに接触されることができる。また、基板（Ｗ）がチャック３１０が有する支持面に安着されれば、絶縁リング３３０の内側領域の上面と外側領域の上面のうちで外側領域の上面は基板（Ｗ）の底面とお互いに離隔されることができる。絶縁リング３３０はチャック３１０と後述する下部電極３５０との間に提供されることができる。チャック３１０にはバイアス電源が提供されるために、チャック３１０と後述する下部電極３５０との間には絶縁リング３３０が提供されることができる。絶縁リング３３０は絶縁性を有する材質で提供されることができる。
下部電極３５０はチャック３１０に支持された基板（Ｗ）の縁領域下部に配置されることができる。下部電極３５０は上部から眺める時、リング形状を有するように提供されることができる。下部電極３５０は上部から眺める時、絶縁リング３３０をくるむように提供されることができる。下部電極３５０の上面は絶縁リング３３０の外側上面とお互いに同じ高さで提供されることができる。下部電極３５０の下面は絶縁リング３３０の下面とお互いに同じ高さで提供されることができる。また、下部電極３５０の上面はチャック３１０の中央部上面より低く提供されることができる。また、下部電極３５０はチャック３１０に支持された基板（Ｗ）の底面とお互いに離隔されるように提供されることができる。例えば、下部電極３５０はチャック３１０に支持された基板（Ｗ）縁領域の底面とお互いに離隔されるように提供されることができる。
下部電極３５０は後述する上部電極６２０と対向されるように配置されることができる。下部電極３５０は後述する上部電極６２０の下部に配置されることができる。下部電極３５０は接地されることができる。下部電極３５０はチャック３１０に印加されるバイアス電源のカップリングを誘導してプラズマ密度を増加させることができる。これに、基板（Ｗ）の縁領域に対する処理効率を向上させることができる。
駆動部材３７０はチャック３１０を昇降させることができる。駆動部材３７０は駆動機３７２と軸３７４を含むことができる。軸３７４はチャック３１０と結合されることができる。軸３７４は駆動機３７２と連結されることができる。駆動機３７２は軸３７４を媒介でチャック３１０を上下方向で昇降させることができる。
リフトピン３９０は基板（Ｗ）を上下方向に移動させることができる。リフトピン３９０は別途の駆動機（図示せず）によって上下方向に移動されることができる。リフトピン３９０はチャック３１０に形成されたピンホール（図示せず）を通じて上下方向に移動されることができる。また、リフトピン３９０は複数個が提供されることができる。例えば、リフトピン３９０は複数個が提供され、基板（Ｗ）の下面をお互いに相異な位置で基板（Ｗ）を支持及び基板（Ｗ）を昇降させることができる。
誘電体板ユニット５００は誘電体板５２０、そして、第１ベース５１０を含むことができる。また、誘電体板ユニット５００は後述する温度調節プレート７００に結合されることができる。
誘電体板５２０はその下面がチャック３１０の上面と見合わせるように配置されることができる。誘電体板５２０は上部から眺める時円形状を有することができる。また、誘電体板５２０の上面はその中央領域の高さが縁領域の高さより高いように段差になることがある。また、誘電体板５２０の下面は偏平な形状で提供されることができる。誘電体板５２０は処理空間１０２で支持ユニット３００に支持された基板（Ｗ）と対向されるように配置されることができる。誘電体板５２０は支持ユニット３００の上部に配置されることができる。誘電体板５２０はセラミックスを含む材質で提供されることができる。誘電体板５２０には後述するガス供給ユニット８００の第１ガス供給部８１０と連結されるガス流路が形成されることができる。また、ガス流路の吐出端は第１ガス供給部８１０が供給する第１ガス（Ｇ１）が支持ユニット３００に支持された基板（Ｗ）の中央領域に供給されるように構成されることができる。また、ガス流路の吐出端は第１ガス（Ｇ１）が支持ユニット３００に支持された基板（Ｗ）の中央領域上面に供給されるように構成されることができる。
第１ベース５１０は誘電体板５２０と後述する温度調節プレート７００の間に配置されることができる。第１ベース５１０は後述する温度調節プレート７００に結合され、誘電体板５２０は第１ベース５１０に結合されることができる。これに、誘電体板５２０は第１ベース５１０を媒介で温度調節プレート７００に結合されることができる。
第１ベース５１０は上から下の方向に行くほどその直径が徐徐に大きくなることがある。第１ベース５１０の上面は誘電体板５２０の下面よりその直径が小さいことがある。第１ベース５１０の上面は偏平な形状を有することができる。また、第１ベース５１０の下面段差になった形状を有することができる。例えば、第１ベース５１０の縁領域の下面は中央領域の下面よりその高さが低いように段差になることがある。また、第１ベース５１０の下面と誘電体板５２０の上面はお互いに組合可能な形状を有することができる。例えば、誘電体板５２０の中央領域は第１ベース５１０の中央領域に挿入されることができる。また、第１ベース５１０は金属を含む材質で提供されることができる。例えば、第１ベース５１０はアルミニウムを含む材質で提供されることができる。
上部電極ユニット６００は第２ベース６１０、そして、上部電極６２０を含むことができる。また、上部電極ユニット６００は後述する温度調節プレート７００に結合されることができる。
上部電極６２０は上述した下部電極３５０とお互いに対向されることができる。上部電極６２０は下部電極３５０の上部に配置されることができる。上部電極６２０はチャック３１０に支持された基板（Ｗ）の縁領域上部に配置されることができる。上部電極６２０は接地されることができる。
上部電極６２０は上部から眺める時、誘電体板５２０をくるむ形状を有することができる。上部電極６２０は誘電体板５２０と離隔されるように提供されることができる。上部電極６２０は誘電体板５２０と離隔されて離隔空間を形成することができる。離隔空間は後述する第２ガス供給部８３０が供給する第２ガス（Ｇ２）が流れるガスチャンネルのうちで一部を形成することができる。ガスチャンネルの吐出端は支持ユニット３００に支持された基板（Ｗ）の縁領域に第２ガス（Ｇ２）が供給されることができるように構成されることができる。また、ガスチャンネルの吐出端は第２ガス（Ｇ２）が支持ユニット３００に支持された基板（Ｗ）の縁領域上面に供給されるように構成されることができる。
第２ベース６１０は上部電極６２０と後述する温度調節プレート７００の間に配置されることができる。第２ベース６１０は後述する温度調節プレート７００に結合され、上部電極６２０は第２ベース６１０に結合されることができる。これに、上部電極６２０は第２ベース６１０を媒介で温度調節プレート７００に結合されることができる。
第２ベース６１０は上部から眺める時、リング形状を有することができる。第２ベース６１０の上面、そして、下面は偏平な形状を有することができる。上部から眺める時、第２ベース６１０は第１ベース５１０をくるむ形状を有することができる。第２ベース６１０は上から下の方向に行くほどその内径が徐徐に大きくなることがある。第２ベース６１０は第１ベース５１０と離隔されるように提供されることができる。第２ベース６１０は第１ベース５１０と離隔されて離隔空間を形成することができる。離隔空間は後述する第２ガス供給部８３０が供給する第２ガス（Ｇ２）が流れるガスチャンネルのうちで一部を形成することができる。また、第２ベース６１０は金属を含む材質で提供されることができる。例えば、第２ベース６１０はアルミニウムを含む材質で提供されることができる。
温度調節プレート７００は誘電体板ユニット５００、そして、上部電極ユニット６００と結合されることができる。温度調節プレート７００はハウジング１００に設置されることができる。温度調節プレート７００は熱を発生させることができる。例えば、温度調節プレート７００は温熱または冷熱を発生させることができる。温度調節プレート７００は後述する制御機９００から信号の伝達を受けて熱を発生させることができる。温度調節プレート７００は温熱または冷熱を発生させ、誘電体板ユニット５００、そして、上部電極ユニット６００の温度が比較的一定に維持されるように制御することができる。例えば、温度調節プレート７００は冷熱を発生させ、誘電体板ユニット５００、そして、上部電極ユニット６００の温度が基板（Ｗ）を処理する過程で過度に高くなることを最大限抑制することができる。
ガス供給ユニット８００は処理空間１０２にガスを供給することができる。ガス供給ユニット８００は処理空間１０２に第１ガス（Ｇ１）、そして、第２ガス（Ｇ２）を供給することができる。ガス供給ユニット８００は第１ガス供給部８１０、そして、第２ガス供給部８３０を含むことができる。
第１ガス供給部８１０は処理空間１０２に第１ガス（Ｇ１）を供給することができる。第１ガス（Ｇ１）は窒素などの非活性ガスであることができる。第１ガス供給部８１０はチャック３１０に支持された基板（Ｗ）の中央領域に第１ガス（Ｇ１）を供給することができる。第１ガス供給部８１０は第１ガス供給源８１２、第１ガス供給ライン８１４、そして、第１バルブ８１６を含むことができる。第１ガス供給源８１２は第１ガス（Ｇ１）を貯蔵及び／または第１ガス供給ライン８１４に供給することができる。第１ガス供給ライン８１４は誘電体板５２０に形成された流路と連結されることができる。第１バルブ８１６は第１ガス供給ライン８１４に設置されることができる。第１バルブ８１６はオン／オフバルブであるか、または流量調節バルブに提供されることができる。第１ガス供給源８１２が供給する第１ガス（Ｇ１）は誘電体板５２０に形成された流路を通じて基板（Ｗ）上面中央領域に供給されることができる。
第２ガス供給部８３０は処理空間１０２に第２ガス（Ｇ２）を供給することができる。第２ガス（Ｇ２）はプラズマ状態で励起される工程ガスであることがある。第２ガス供給部８３０はチャック３１０に支持された基板（Ｗ）の縁領域上部に提供される誘電体板５２０、第１ベース５１０、上部電極６２０、そして、第２ベース６１０がお互いに離隔されて形成するガスチャンネルを通じて基板（Ｗ）の縁領域に第２ガス（Ｇ２）を供給することができる。第２ガス供給部８３０は第２ガス供給源８３２、第２ガス供給ライン８３４、そして、第２バルブ８３６を含むことができる。第２ガス供給源８３２は第２ガス（Ｇ２）を貯蔵及び／または第２ガス供給ライン８３４に供給することができる。第２ガス供給ライン８３４はガスチャンネルで機能する離隔空間に第２ガス（Ｇ２）を供給することができる。第２バルブ８３６は第２ガス供給ライン８３４に設置されることができる。第２バルブ８３６はオン／オフバルブであるか、または流量調節バルブで提供されることができる。第２ガス供給源８３２が供給する第２ガス（Ｇ２）は第２流路６０２を通じて基板（Ｗ）上面縁領域に供給されることができる。
図３は、図２の基板処理装置がプラズマ処理工程を遂行する一実施例を見せてくれる図面である。図３を参照すれば、本発明の一実施例による基板処理装置１０００は基板（Ｗ）の縁領域を処理することができる。例えば、基板処理装置１０００は基板（Ｗ）の縁領域でプラズマ（Ｐ）を発生させ、基板（Ｗ）の縁領域を処理することができる。例えば、基板処理装置１０００は基板（Ｗ）の縁領域を処理するベベルエッチング工程を遂行することができる。基板処理装置１０００は基板（Ｗ）の縁領域を処理時、第１ガス供給部８１０が基板（Ｗ）の中央領域に第１ガス（Ｇ１）を供給し、第２ガス供給部８３０が基板（Ｗ）の縁領域に第２ガス（Ｇ２）を供給することができる。第２ガス供給部８３０が供給する第２ガス（Ｇ２）は工程ガスであるので、プラズマ（Ｐ）状態で励起されて基板（Ｗ）の縁領域を処理することができる。例えば、基板（Ｗ）の縁領域上の薄膜はプラズマ（Ｐ）によってエッチング処理されることができる。また、基板（Ｗ）の中央領域に供給される第１ガス（Ｇ１）は非活性ガスであり、第１ガス（Ｇ１）は第２ガス（Ｇ２）が基板（Ｗ）の中央領域に流入されることを防止し、基板（Ｗ）の縁領域に対する処理効率をより高めるようにする。また、基板（Ｗ）に対する処理を遂行する間、誘電体板ユニット５００、そして、上部電極ユニット６００の温度が過度に高くなることを抑制できるように温度調節プレート７００は冷熱を発生させることがある。
本発明の一実施例によれば、誘電体板５２０と温度調節プレート７００の間に第１ベース５１０が配置される。第１ベース５１０は誘電体板５２０と相異な材質で提供され、温度調節プレート７００と等しい材質で提供されることができる。すなわち、第１ベース５１０の熱膨張率は誘電体板５２０の熱膨張率より温度調節プレート７００の熱膨張率にさらに近いことがある。すなわち、誘電体板５２０と温度調節プレート７００の間に第１ベース５１０が配置されながら、温度調節プレート７００が発生させる冷熱などによって、温度調節プレート７００、そして、誘電体板５２０の間に歪みが発生されることを最小化できる。温度調節プレート７００と直接的に触れ合う第１ベース５１０が温度調節プレート７００と類似な材質で提供されるためである。
これと類似に、本発明の一実施例によれば、上部電極６２０と温度調節プレート７００との間に第２ベース６１０が配置される。第２ベース６１０は上部電極６２０と相異な材質で提供され、温度調節プレート７００と等しい材質で提供されることができる。すなわち、第２ベース６１０の熱膨張率は上部電極６２０の熱膨張率より温度調節プレート７００の熱膨張率にさらに近いことがある。すなわち、上部電極６２０と温度調節プレート７００との間に第２ベース６１０が配置されながら、温度調節プレート７００が発生させる冷熱などによって、温度調節プレート７００、そして、上部電極６２０の間に歪みが発生されることを最小化できる。温度調節プレート７００と直接的に触れ合う第２ベース６１０が温度調節プレート７００と類似な材質で提供されるためである。
図４は、図１のロードロックチャンバを概略的に見せてくれる図面である。具体的に、図４は図１のロードロックチャンバ４０の断面を見せてくれる図面である。ロードロックチャンバ４０は第１ロードロックチャンバ４１、そして、第２ロードロックチャンバ４２を含むことができる。第１ロードロックチャンバ４１と第２ロードロックチャンバ４２は第２方向１２に沿って並んで配置されることができる。第１ロードロックチャンバ４１と第２ロードロックチャンバ４２は対称的構造を有することができる。第１ロードロックチャンバ４１と第２ロードロックチャンバ４２は概して類似な構造を有するので、以下では第１ロードロックチャンバ４１に関して説明し、第２ロードロックチャンバ４２に対する説明は略する。
図５は、図４の第１ロードロックチャンバを概略的に見せてくれる図面である。図５を参照すれば、第１ロードロックチャンバ４１はチャンバ１１００、アライメントユニット１２００、検査ユニット１３００、そして、雰囲気転換ユニット１４００を含むことができる。
チャンバ１１００は内部空間を有することができる。チャンバ１１００が有する内部空間は第１空間１１３０と第２空間１１５０を含むことができる。また、チャンバ１１００には移送フレーム２１の内部空間と第１空間１１３０または第２空間１１５０を選択的に連通させるドア（図示せず）らが形成されることができる。また、チャンバ１１００にはトランスファーチャンバ５０の内部空間と第１空間１１３０または第２空間１１５０を選択的に連通させるドア（図示せず）らが形成されることができる。
また、第１空間１１３０と第２空間１１５０はお互いに独立的なことがある。例えば、チャンバ１１００はハウジング１１１０、そして、区画プレート１１２０を含むことができる。区画プレート１１２０はハウジング１１１０が有する内部空間を第１空間１１３０、そして、第２空間１１５０で区切ることができる。第１空間１１３０、そして、第２空間１１５０の内部雰囲気は後述する雰囲気転換ユニット１４００によって大気圧雰囲気、そして、真空圧雰囲気の間で転換されることができる。
また、第２空間１１５０は第１空間１１３０より上部に配置されることができる。第１空間１１３０はプロセスチャンバ６０での処理が要求される、すなわち、未処理された基板（Ｗ）が搬入される空間であることがある。例えば、第１空間１１３０はキャリア４から搬出された未処理された基板（Ｗ）が搬入される空間であることがある。また、第２空間１１５０はプロセスチャンバ６０で処理が遂行された基板（Ｗ）が搬入される空間であることができる。例えば、第２空間１１５０はプロセスチャンバ６０で搬出された処理された基板（Ｗ）が搬入される空間であることができる。制御機７０は第１移送ロボット２５と第２移送ロボット５３を制御して第１空間１１３０に未処理された基板（Ｗ）を搬入及び搬出してプロセスチャンバ６０に返送し、第２空間１１５０に処理された基板（Ｗ）を搬入及び搬出してキャリア４に返送することができる。
また、チャンバ１１００には複数のビューポートらが提供されることができる。例えば、ハウジング１１１０には第１ビューポート１１１１、第２ビューポート１１１２、そして、第３ビューポート１１１３が提供されることができる。第１ビューポート１１１１は透明な素材で提供されることができる。第１ビューポート１１１１は後述するイメージ獲得部材１３４０と隣接した位置に提供されることができる、第１ビューポート１１１１はハウジング１１１０の上壁に提供されることができる。第２ビューポート１１１２は透明な素材で提供されることができる。第２ビューポート１１１２は後述する照射部１２４０と隣接した位置に提供されることができる。第２ビューポート１１１２はハウジング１１１０の側壁に提供されることができる。第３ビューポート１１１３は透明な素材で提供されることができる。第３ビューポート１１１３は後述する受光部１５０と隣接した位置に提供されることができる。第３ビューポート１１１３はハウジング１１１０の下壁に提供されることができる。また、区画プレート１１２０には第４ビューポート１１２１が提供されることができる。第４ビューポート１１２１は透明な素材で提供されることができる。第４ビューポート１１２１は照射部１２４０、そして、第２ビューポート１１１２と接するように配置されるなることができる。
アライメントユニット１２００は第１空間１１３０、そして、第２空間１１５０のうちで何れか一つに提供される基板（Ｗ）のノッチ（Ｎ）を整列することができる。アライメントユニット１２００は第１空間１１３０に提供される基板（Ｗ）のノッチ（Ｎ）を整列することができる。アライメントユニット１２００は支持板１２１０、支持パッド１２２０、回転軸１２３０、照射部１２４０、そして、受光部１２５０を含むことができる。
支持板１２１０は基板（Ｗ）を支持することができる。支持板１２１０は上部から眺める時、基板（Ｗ）より小さな直径を有することができる。すなわち、支持板１２１０に基板（Ｗ）の中央領域と縁領域のうちで、基板（Ｗ）の中央領域を支持することができる。支持板１２１０の上面にはまた、支持板１２１０はモータのような駆動機によって回転されることができる回転軸１２３０と結合されることができる。これに、支持板１２１０は回転軸１２３０によって回転されることができる。これに、支持板１２１０に支持された基板（Ｗ）は回転されることができる。回転軸１２３０を回転させる駆動機（図示せず）はチャンバ１１００の外部に配置されることができる。すなわち、回転軸１２３０はハウジング１１１０に形成されたホールに挿入されることができるが、ハウジング１１１０と回転軸１２３０の間空間は磁性流体を使ってシーリングされることができる。
また、支持板１２１０の上面には支持パッド１２２０が提供されることができる。支持パッド１２２０は基板（Ｗ）が支持板１２１０に置かれれば基板（Ｗ）の下面と接触されることができる。支持パッド１２２０は基板（Ｗ）が回転時基板（Ｗ）が滑らないように（スリップを防止できるように）、ゴムのような素材で提供されることができる。また、支持パッド１２２０は炭素が充填されたＰＥＥＫ（Ｐｏｌｙ Ｅｔｈｅｒ Ｅｔｈｅｒ Ｋｅｔｏｎｅ）を含む素材で提供されることもできる。また、支持パッド１２２０は粘着質パッドで提供されることができる。基板（Ｗ）のスリップをより容易に防止できるように支持パッド１２２０はＯリング形態を有することができる（図６参照）。しかし、これに限定されるものではなくて支持板１２１０の上面には図７に示されたように突起形態の支持パッド１２２０ａが提供されることができる。また、基板（Ｗ）のスリップをより容易に防止するように支持板１２１０の上面には図８に示されたようにゲッコー（Ｇｅｃｋｏ）形態で提供される支持パッド１２２０ｂが提供されることができる。ここで、ゲッコー（Ｇｅｃｋｏ）形態で提供される支持パッド１２２０ｂはとかげの足裏と類似な形態を有して、基板（Ｗ）を支持時汚染、残余物、アウトガッシング、接着剤、反作用によってスリップされる現象を最小化できる。
再び図５を参照すれば、照射部１２４０は光を照射することができる。照射部１２４０は受光部１２５０に向けて光を照射することができる。照射部１２４０が照射する光は概して直進性を有する（例えば、レーザーのような）光であることがあるが、これに限定されるものではなくて多様に変形されることができる。受光部１２５０は照射部１２４０が照射する光を受光することができる。制御機７０または受光部１２５０は、受光部１２５０が光を受光するかの如何によって支持板１２１０に置かれた基板（Ｗ）のノッチ（Ｎ）が適切に整列されたかの如何を判断する。また、照射部１２４０と受光部１２５０はチャンバ１１００の外部に配置されることができる。
照射部１２４０が照射する光は第２ビューポート１１１２及び／または第４ビューポート１１２１を通過することができる。また、照射部１２４０が照射する光は第３ビューポート１１１３を通過することができる。すなわち、第２ビューポート１１１２、第３ビューポート１１１３、そして、第４ビューポート１１２１は照射部１２４０が照射する光の照射経路上に配置されることができる。また、照射部１２４０は支持板１２１０に置かれた基板（Ｗ）の上面に対して傾いた方向に光を照射することができる。基板（Ｗ）が支持板１２１０に置かれる時、基板（Ｗ）が多少不正確な位置に置かれる可能性がある。照射部１２４０が傾いた方向に光を照射する場合、基板（Ｗ）の上面立場では光が照射される面積が広くなるので、基板（Ｗ）が多少不正確な位置に置かれても、ノッチ（Ｎ）整列如何を判断することができるようになる。
検査ユニット１３００は第１空間１１３０と第２空間１１５０のうちで他の一つに提供される基板（Ｗ）の処理状態を検査することができる。検査ユニット１３００は第２空間１１５０に提供される基板（Ｗ）の処理状態を検査することができる。検査ユニット１３００は支持部材１３１０、回転部材１３２０、そして、イメージ獲得部材１３４０を含むことができる。
支持部材１３１０は回転部材１３２０によって回転されることができる。支持部材１３１０は基板（Ｗ）の縁領域を支持することができる。支持部材１３１０は基板（Ｗ）の下面を支持することができる。支持部材１３１０は場合によって透明な素材で提供されることができる。回転部材１３２０は支持部材１３１０を回転させることができる。回転部材１３２０は支持部材１３１０と結合されるシャフト１３２１、そしてシャフト１３２１を取り囲むシャフトハウジング１３２３を含むことができる。シャフト１３２１を回転させる駆動機（例えば、駆動モータ）はチャンバ１１００の外部に配置されることができる。また、シャフトハウジング１３２３はハウジング１１１０の上壁中央領域に挿入されることができる。シャフトハウジング１３２３とシャフト１３２１との間は上述した回転軸１２３０と類似に、磁性流体（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｆｌｕｉｄ）を利用してシーリング（Ｓｅａｌｉｎｇ）されることができる。第２空間１１５０はその雰囲気が大気圧雰囲気と真空圧雰囲気との間で転換されることができるが、磁性流体を利用してシーリングすることによって、シャフト１３２１の回転運動を、真空圧雰囲気を有することができる第２空間１１５０に伝達することができるようになる。
イメージ獲得部材１３４０はプロセスチャンバ６０で処理された基板（Ｗ）の処理状態を確認することができるイメージを獲得することができる。イメージ獲得部材１３４０はカメラであることがある。イメージ獲得部材１３４０は基板（Ｗ）を撮像して基板（Ｗ）の縁領域のイメージを獲得することができる。イメージ獲得部材１３４０は基板（Ｗ）の上面のイメージを獲得することができる。イメージ獲得部材１３４０は第１ビューポート１１１１を通じて第２空間１１５０に提供された基板（Ｗ）の縁領域のイメージを獲得することができる。また、イメージ獲得部材１３４０は支持部材１３１０に支持された基板の上面に傾いた方向に基板（Ｗ）の縁領域を撮像することができる。この場合、より広い範囲の基板（Ｗ）の縁領域に関するイメージを獲得することができる。
雰囲気転換ユニット１４００はチャンバ１１００の内部空間の雰囲気を真空圧雰囲気、そして、大気圧雰囲気の間で転換させることができる。雰囲気転換ユニット１４００は第１空間１１３０にガスを供給する第１ガス供給ライン１４１０、第１空間１１３０の雰囲気を排気する第１ガス排出ライン１４２０、第２空間１１５０にガスを供給する第２ガス供給ライン１４３０、そして、第２空間１１５０の雰囲気を排気する第２ガス排出ライン１４４０を含むことができる。第１ガス供給ライン１４１０、そして、第２ガス供給ライン１４３０が供給するガスは窒素、またはアルゴンのような非活性ガスであることがある。
図９、そして、図１０は、図４の第１ロードロックチャンバで基板のノッチを整列する姿を見せてくれる図面である。図９、そして、図１０を参照すれば、第１空間１１３０に未処理された基板（Ｗ）が搬入されれば、照射部１２４０は光（Ｌ）を照射することができる。光（Ｌ）は受光部１２５０に向けて照射されることができる。この時、基板（Ｗ）のノッチ（Ｎ）が適切に整列されない場合、受光部１２５０は光（Ｌ）を受光することができないことがある。この場合、回転軸１２３０は支持板１２１０をゆっくり回転させ、基板（Ｗ）を回転させることができる。基板（Ｗ）が回転されて基板（Ｗ）に形成されたノッチ（Ｎ）が適切に整列される場合、受光部１２５０は光（Ｌ）を受光することができる。この場合、基板（Ｗ）のノッチ（Ｎ）が適切に整列されたと判断し、基板（Ｗ）をロードロックチャンバ４０からトランスファーチャンバ５０に返送することができる。ノッチ（Ｎ）の整列は第１空間１１３０の雰囲気が転換されるうちに、または転換が完了した以後、または転換される以前に遂行されることができる。
図１１は、図４の第１ロードロックチャンバで基板の処理状態を確認する姿を見せてくれる図面であり、図１２は図１１のイメージ獲得部材が獲得したイメージの姿を見せてくれる図面である。図１１と図１２を参照すれば、プロセスチャンバ６０で処理が完了した基板（Ｗ）の縁領域の薄膜（Ｆ）は除去されることができる。プロセスチャンバ６０で処理された基板（Ｗ）が第２空間１１５０に搬入されれば、基板（Ｗ）は支持部材１３１０によって支持されることができる。この時、イメージ獲得部材１３４０は基板（Ｗ）の縁領域に対するイメージを獲得し、基板（Ｗ）の処理状態を確認することができる。イメージ獲得部材１３４０が基板（Ｗ）を撮像することは支持部材１３１０が回転されるうちに連続的になされることができる。これと異なり、撮像及び回転を順次に繰り返す方式で基板（Ｗ）の縁領域に対する複数のイメージを獲得することもできる。イメージ獲得は第２空間１１５０の雰囲気が転換されるうちに、または転換が完了した以後、または転換される以前に遂行されることができる。
基板（Ｗ）をキャリア４とプロセスチャンバ６０との間で返送するためには、ロードロックチャンバ４０を通すようになって、これに必然的に基板（Ｗ）がロードロックチャンバ４０で待機する時間が発生するようになる。本発明の一実施例によれば、ロードロックチャンバ４０は基板（Ｗ）のノッチ（Ｎ）を整列するアライメントユニット１２００を有する。これに、ロードロックチャンバ４０で基板（Ｗ）が待機する間基板（Ｗ）のノッチ（Ｎ）を整列することができて、基板（Ｗ）のノッチ（Ｎ）を整列するために別途のアライメントチャンバで基板（Ｗ）を返送する時間を短縮することができる。また、ロードロックチャンバ４０は基板（Ｗ）の処理状態を検査する検査ユニット１３００を有する。これに、ロードロックチャンバ４０で基板（Ｗ）が待機する間基板（Ｗ）の処理状態を確認することができる。これに、基板（Ｗ）の処理状態を確認するために基板（Ｗ）を返送することに所要される時間を短縮することができる。また、基板（Ｗ）の処理が適切になされない場合これを作業者が即刻で確認することができて、場合によって基板処理装置１のセットアップを即刻に変更することができるようになる。すなわち、本発明の実施例によれば、生産量増加と基板（Ｗ）に対する検査まで進行することができるようになる。
前述した例ではアライメントユニット１２００が第１空間１１３０に提供される基板（Ｗ）を整列することを例であげて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、アライメントユニット１２００が第２空間１１５０に提供される基板（Ｗ）を整列することができるように構成されることができる。
前述した例ではチャンバ１１００が第１空間１１３０と第２空間１１５０を有する、２層構造で提供されることを例であげて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、チャンバ１１００は多層構造で提供されることもできる。
前述した例では検査ユニット１３００が基板（Ｗ）の上面に対するイメージを獲得するように構成されることを例であげて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、検査ユニット１３００は第２空間１１５０に提供される基板（Ｗ）の下面に対するイメージを獲得するように構成されることもできる。
前述した例では支持パッド１２２０がＯリング形態、ゲッコー（Ｇｅｃｋｏ）形態を有することを例であげて説明したが、これに限定されるのではない。例えば、支持パッド１２２０の上面は偏平であるか、または傾いた形状を有することもできる。
前述した例ではアライメントユニット１２００らが同じ層に提供され、検査ユニット１３００らが同じ層に提供されることを例であげて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、アライメントユニット１２００と検査ユニット１３００は同じ層に提供されることもできる。
以上の詳細な説明は本発明を例示するのである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を現わして説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び／または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。前述した実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。

Claims (20)

  1. 基板を処理する装置において、
    ロードポート及び移送フレームを有する設備前方端部モジュールと、
    基板に対する工程処理を遂行するプロセスチャンバと、及び
    前記移送フレーム、そして、前記プロセスチャンバの間で返送される基板の返送経路上に配置されるロードロックチャンバを含み、
    前記ロードロックチャンバは、
    内部空間を有するハウジングと、
    前記内部空間を第１空間、そして前記第１空間に独立的な第２空間で区切る区画プレートと、及び
    前記第１空間、そして前記第２空間のうちで何れか一つに提供される基板のノッチを整列するアライメントユニットを含む、基板処理装置。
  2. 前記アライメントユニットは、
    基板を支持する支持板と、及び
    前記支持板を回転させる回転軸と、
    前記支持板に支持された基板の縁領域に光を照射する照射部と、及び
    前記照射部が照射する前記光を受光し、前記光の受光如何によって前記支持板に支持された基板のノッチ整列如何を判断することができるようにする受光部を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記照射部、そして前記受光部は前記ハウジングの外部に配置され、
    前記ハウジング、そして、前記区画プレートのうちで少なくとも何れか一つには、
    前記照射部が照射する前記光が透過するビューポートが提供される、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記照射部は、
    前記支持板に支持された基板の上面に傾いた方向に前記光を照射するように構成される、請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記ロードロックチャンバは、
    前記第１空間と前記第２空間のうちで他の一つに提供される基板の処理状態を検査する検査ユニットを含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  6. 前記検査ユニットは、
    基板を支持する支持部材と、
    前記支持部材を回転させる回転部材と、及び
    前記支持部材に支持された基板の縁領域のイメージを獲得するイメージ獲得部材を含む、請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記回転部材は、
    前記支持部材と結合されるシャフトと、及び
    前記シャフトを取り囲むシャフトハウジングを含み、
    前記シャフトと前記シャフトハウジングは、
    磁性流体によってシーリング（Ｓｅａｌｉｎｇ）される、請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記イメージ獲得部材は前記ハウジングの外部に配置され、
    前記ハウジングには、
    前記イメージ獲得部材が前記イメージを獲得できるようにビューポートが提供される、請求項６に記載の基板処理装置。
  9. 内部雰囲気が真空圧雰囲気、そして、大気圧雰囲気の間で転換されるロードロックチャンバにおいて、
    第１空間、そして前記第１空間と独立的な第２空間を有するチャンバと、
    前記第１空間に提供される基板のノッチを整列するアライメントユニットと、及び
    前記第２空間に提供される基板の処理状態を検査する検査ユニットを含む、ロードロックチャンバ。
  10. 前記第１空間はプロセスチャンバでの処理が要求される未処理された基板が搬入される空間であり、
    前記第２空間はプロセスチャンバでの処理が遂行された基板が搬入される空間である、請求項９に記載のロードロックチャンバ。
  11. 前記アライメントユニットは、
    基板を支持する支持板と、
    前記支持板の上面に提供されて基板の下面と接触される支持パッドと、
    前記支持板を回転させる回転軸と、
    前記支持板に支持された基板の縁領域に光を照射する照射部と、及び
    前記照射部が照射する前記光を受光し、前記光の受光如何によって前記支持板に支持された基板のノッチ整列如何を判断することができるようにする受光部を含む、請求項９または請求項１０に記載のロードロックチャンバ。
  12. 前記支持パッドは、
    Ｏリング形態、またはゲッコー（Ｇｅｃｋｏ）形態で提供される、請求項１１に記載のロードロックチャンバ。
  13. 前記照射部、そして、前記受光部は前記チャンバの外部に配置され、
    前記チャンバには、
    前記照射部が照射する前記光が透過するビューポートが提供される、請求項１１に記載のロードロックチャンバ。
  14. 前記照射部は、
    前記支持板に支持された基板の上面に傾いた方向に前記光を照射するように構成される、請求項１３に記載のロードロックチャンバ。
  15. 前記検査ユニットは、
    基板を支持する支持部材と、
    前記支持部材を回転させる回転部材と、及び
    前記支持部材に支持された基板の縁領域のイメージを獲得するイメージ獲得部材を含む、請求項９または請求項１０に記載のロードロックチャンバ。
  16. 前記イメージ獲得部材は前記チャンバの外部に配置され、
    前記チャンバには、
    前記イメージ獲得部材が前記イメージを獲得できるようにビューポートが提供される、請求項１５に記載のロードロックチャンバ。
  17. 基板を処理する装置において、
    ロードポート及び移送フレームを含む設備前方端部モジュールと、及び
    前記ロードポートに置かれた容器に収納された基板の伝達を受けて基板の縁領域の薄膜を除去する処理工程を遂行する処理モジュールを含み、
    前記処理モジュールは、
    ベベルエッチング工程を遂行するプロセスチャンバと、
    前記設備前方端部モジュールから伝達される基板を前記プロセスチャンバに伝達するトランスファーチャンバと、及び
    前記トランスファーチャンバと前記移送フレームの間に配置されるロードロックチャンバを含み、
    前記ロードロックチャンバは、
    未処理された基板が搬入される第１空間、そして、前記第１空間より上部に配置されて前記第１空間とお互いに独立的で前記プロセスチャンバで処理された基板が搬入される第２空間を有するチャンバと、
    前記第１空間に提供される基板のノッチを整列するアライメントユニットと、及び
    前記第２空間に提供される基板の処理状態を検査する検査ユニットを含む、基板処理装置。
  18. 前記アライメントユニットは、
    基板を支持する支持板と、
    前記支持板を回転させる回転軸と、
    前記支持板に支持された基板の縁領域に光を照射する照射部と、及び
    前記照射部が照射する前記光を受光し、前記光の受光如何によって前記支持板に支持された基板のノッチ整列如何を判断することができるようにする受光部を含む、請求項１７に記載の基板処理装置。
  19. 前記検査ユニットは、
    基板を支持する支持部材と、
    前記支持部材を回転させる回転部材と、及び
    前記支持部材に支持された基板の縁領域のイメージを獲得するイメージ獲得部材を含む、請求項１８に記載の基板処理装置。
  20. 前記照射部は、
    前記支持板に支持された基板の上面に傾いた方向に前記光を照射するように構成され、
    前記イメージ獲得部材は、
    前記支持部材に支持された基板の上面に傾いた方向に基板の縁領域を撮像する、請求項１９に記載の基板処理装置。
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