TWI833351B - 隨溫度自動補償的電源電壓供應裝置 - Google Patents
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- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 claims 1
- 101001116668 Homo sapiens Prefoldin subunit 3 Proteins 0.000 description 16
- 102100024884 Prefoldin subunit 3 Human genes 0.000 description 16
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 101100150346 Arabidopsis thaliana RS31 gene Proteins 0.000 description 6
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
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- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
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- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
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- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/04—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding disturbances due to temperature effects
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- Automation & Control Theory (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本發明提供一種電源電壓供應裝置,其包括參考偏壓產生電路、溫償偏壓產生電路、補償電壓產生器以及電壓緩衝器。參考偏壓產生電路產生參考偏壓。溫償偏壓產生電路產生隨溫度的上升而改變的溫償偏壓。補償電壓產生器基於參考偏壓產生第一電源電壓,以及基於溫償偏壓選擇性地調升第一電源電壓。電壓緩衝器的輸入端接收第一電源電壓。電壓緩衝器產生對應於第一電源電壓的第二電源電壓給負載電路。
Description
本發明是有關於一種電子電路,且特別是有關於一種隨溫度自動補償的電源電壓供應裝置。
許多功能電路(負載電路)的傳輸能力是相關於功能電路的電源電壓。例如,動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory,DRAM)裡的接收器(Receiver)是負責資料的接收,而接收器的接收能力和接收器的電源電壓相關。當電源電壓較大時,接收器的接收能力會較好(反之,則較差)。DRAM裡的傳送器(Transmitter,負責資料的傳送)亦有類似特性。當電源電壓較大時,傳送器的傳送能力會較好。一般而言,功能電路的電源電壓是固定電壓。
在高溫下,因在半導體內的電子受熱而被激發,讓電子隨機運動而產生了熱雜訊,進而使功能電路(負載電路)的傳輸能力變差。舉例來說,高溫可能使DRAM裡的接收器與傳送器的傳輸能力變差,造成誤碼率(bit error rate)增加,導致資料丟失(data loss)。嚴重時,接收器與傳送器被迫降速來減少誤碼率,以降低資料丟失。接收器與傳送器的降速也意謂者DRAM需降頻操作。在不改變傳輸速率(操作頻率)的情況下,如何盡可能地維持功能電路(負載電路)的傳輸能力,是諸多技術課題之一。
本發明提供一種電源電壓供應裝置,以隨溫度的上升而選擇性地調升負載電路的電源電壓。
在本發明的一實施例中,上述的電源電壓供應裝置包括參考偏壓產生電路、溫償偏壓產生電路、補償電壓產生器以及電壓緩衝器。參考偏壓產生電路用以產生參考偏壓。溫償偏壓產生電路用以產生溫償偏壓,其中溫償偏壓隨溫度的上升而改變。補償電壓產生器耦接至參考偏壓產生電路以及溫償偏壓產生電路,以接收參考偏壓以及溫償偏壓。補償電壓產生器用以基於參考偏壓產生第一電源電壓,以及基於溫償偏壓選擇性地調升第一電源電壓。電壓緩衝器的輸入端耦接至補償電壓產生器,以接收該第一電源電壓。電壓緩衝器用以產生對應於第一電源電壓的第二電源電壓給負載電路。
基於上述,本發明諸實施例所述電源電壓供應裝置可以產生理想上不隨溫度變化的參考偏壓,以及產生隨溫度上升而改變的溫償偏壓。電源電壓供應裝置可以基於參考偏壓產生適用於負載電路的電源電壓。基於溫償偏壓,電源電壓供應裝置可以隨溫度的上升而選擇性地調升負載電路的電源電壓。因此,電源電壓供應裝置可以在高溫下盡可能地維持負載電路(功能電路)的傳輸能力。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
在本案說明書全文(包括申請專利範圍)中所使用的「耦接(或連接)」一詞可指任何直接或間接的連接手段。舉例而言,若文中描述第一裝置耦接(或連接)於第二裝置,則應該被解釋成該第一裝置可以直接連接於該第二裝置,或者該第一裝置可以透過其他裝置或某種連接手段而間接地連接至該第二裝置。本案說明書全文(包括申請專利範圍)中提及的「第一」、「第二」等用語是用以命名元件(element)的名稱,或區別不同實施例或範圍,而並非用來限制元件數量的上限或下限,亦非用來限制元件的次序。另外,凡可能之處,在圖式及實施方式中使用相同標號的元件/構件/步驟代表相同或類似部分。不同實施例中使用相同標號或使用相同用語的元件/構件/步驟可以相互參照相關說明。
圖1是一種電源電壓供應裝置100的電路方塊(circuit block)示意圖。圖1所示電源電壓供應裝置100可以產生電源電壓VRT給負載電路10。負載電路10可以是任何功能電路。舉例來說,依照實際設計,負載電路10可以包括動態隨機存取記憶體(dynamic random access memory,DRAM)裡的接收器(receiver)電路、傳送器(transmitter)電路以及/或是其他功能電路。
電源電壓供應裝置100包括電壓產生器110以及電壓緩衝器(voltage buffer)120。電壓緩衝器120可以包括低壓差穩壓器(low-dropout regulator,LDO)以及/或是其他增益電路。例如在圖1所示實施例中,電壓緩衝器120包括運算放大器AMP12。運算放大器AMP12的反相輸入端耦接至運算放大器AMP12的輸出端。運算放大器AMP12的輸出端輸出電源電壓VRT給負載電路10。運算放大器AMP12的非反相輸入端耦接至電壓產生器110的輸出端,以接收電壓V1。
在圖1所示實施例中,電壓產生器110包括運算放大器AMP11以及多個電阻(例如圖1所示電阻R1、電阻R2、…、電阻Rn)。電壓VPP供電給放大器AMP11。電壓VPP是固定電壓。電壓VPP的準位可以依照實計設計來決定。放大器AMP11的非反相輸入端接收參考電壓VREF。參考電壓VREF是一個不隨溫度、電壓VPP變化的固定電壓。舉例來說,參考電壓VREF可以是能隙電壓(band gap voltage)或是其他固定電壓。運算放大器AMP11的反相輸入端耦接至運算放大器AMP11的輸出端。運算放大器AMP11的輸出端耦接至電阻R1的第一端。
電阻R1~Rn相互串接於運算放大器AMP11的輸出端與電壓VSS之間。電壓VSS是固定電壓。電源VSS的準位可以依照實計設計來決定。舉例來說,電壓VSS可以是接地電壓。電阻R1~Rn所形成的電阻串具有多個分壓節點,而這些分壓節點中的一個可以提供電壓V1給運算放大器AMP12的非反相輸入端。舉例來說,在圖1所示範例中,電阻R1與電阻R2之間的分壓節點提供電壓V1給運算放大器AMP12的非反相輸入端。
電壓產生器110可以基於參考電壓VREF而電壓V1。因電壓產生器110的驅動能力有限,於是電壓緩衝器120產生對應於電壓V1的電源電壓VRT給負載電路10。因為來源是不隨溫度、電壓VPP變化的參考電壓VREF,所以電壓V1以及電源電壓VRT也不隨溫度及電壓VPP變化。換言之,圖1所示電源電壓VRT是一個固定電壓。
在高溫下,因電子隨機運動而產生了熱雜訊,使得負載電路10的傳輸能力變差。當電源電壓VRT較大時,負載電路10的接收/傳送能力會較好(反之,則較差)。若將圖1所示電源電壓VRT設置為較高準位來改善負載電路10在高溫下的傳輸能力,則在低溫下固定的較高電源電壓VRT將會增加系統功耗。
圖2是依照本發明的一實施例的一種電源電壓供應裝置200的電路方塊示意圖。圖2所示電源電壓供應裝置200可以產生電源電壓VRT2給負載電路20。圖2所示負載電路20可以參照圖1所示負載電路10的相關說明並且加以類推,在此不再贅述。
圖2所示電源電壓供應裝置200包括參考偏壓產生電路210、溫償偏壓產生電路220、補償電壓產生器230以及電壓緩衝器240。參考偏壓產生電路210可以基於參考電壓VREF產生參考偏壓VOP。參考電壓VREF是一個不隨溫度、電壓VPP變化的固定電壓。圖2所示參考電壓VREF可以參照圖1所示參考電壓VREF的相關說明,故不再贅述。因此,參考偏壓VOP亦為不隨溫度、電壓VPP變化的固定電壓。補償電壓產生器230耦接至參考偏壓產生電路210,以接收參考偏壓VOP。補償電壓產生器230可以基於參考偏壓VOP產生電源電壓V2給電壓緩衝器240。
溫償偏壓產生電路220可以產生隨溫度的上升而改變的溫償偏壓VBP1。補償電壓產生器230耦接至溫償偏壓產生電路220,以接收溫償偏壓VBP1。補償電壓產生器230基於溫償偏壓VBP1而選擇性地調升電源電壓V2。舉例來說,當溫度小於某一個參考溫度時(亦即目前溫度對於負載電路20的不利影響可以被容忍),補償電壓產生器230可以基於參考偏壓VOP產生電源電壓V2給電壓緩衝器240,而溫償偏壓產生電路220可以通過溫償偏壓VBP1控制補償電壓產生器230不調升電源電壓V2(例如使電源電壓V2約略等於參考電壓VREF)。當溫度大於所述參考溫度時,溫償偏壓產生電路220可以通過溫償偏壓VBP1控制補償電壓產生器230,以對應調升電源電壓V2(例如使電源電壓V2大於參考電壓VREF)。
電壓緩衝器240的輸入端耦接至補償電壓產生器230,以接收電源電壓V2。電壓緩衝器240可以產生對應於電源電壓V2的電源電壓VRT2給負載電路20。電源電壓V2與電源電壓VRT2的關係可以依照實際設計來決定。舉例來說,在一些實施例中,電源電壓VRT2的準位約略等於電源電壓V2的準位。當溫度小於某一個參考溫度時(亦即目前溫度對於負載電路20的不利影響可以被容忍),電源電壓V2未被動態調升(例如電源電壓V2約略等於參考電壓VREF),因此電壓緩衝器240可以產生較低的電源電壓VRT2給負載電路20,以降低系統功耗。當溫度大於所述參考溫度時,電源電壓V2被動態調升(例如使電源電壓V2大於參考電壓VREF),因此電壓緩衝器240可以產生較高的電源電壓VRT2給負載電路20,以提升負載電路20的傳輸能力。
圖3是依照本發明的一實施例所繪示,圖2的參考偏壓產生電路210、溫償偏壓產生電路220、補償電壓產生器230以及電壓緩衝器240的電路方塊示意圖。圖3所示參考偏壓產生電路210、溫償偏壓產生電路220、補償電壓產生器230、電壓緩衝器240以及負載電路20可以參照圖2所示參考偏壓產生電路210、溫償偏壓產生電路220、補償電壓產生器230、電壓緩衝器240以及負載電路20的相關說明。
在圖3所示實施例中,參考偏壓產生電路210包括放大器AMP31、電晶體P0以及電阻電路RS31。放大器AMP31的第一輸入端(例如反向輸入端)可以接收參考電壓VREF。參考電壓VREF是一個不隨溫度、電壓VPP變化的固定電壓。圖3所示參考電壓VREF可以參照圖1所示參考電壓VREF的相關說明,故不再贅述。電晶體P0的控制端(例如閘級)耦接至放大器AMP31的輸出端,以接收參考偏壓VOP。放大器AMP31的輸出端還將參考偏壓VOP提供給補償電壓產生器230。電晶體P0的第一端(例如源級)耦接至電壓VPP。電晶體P0的第二端(例如汲級)耦接至放大器AMP31的第二輸入端(例如非反向輸入端),以提供回授電壓VFB0。因此,回授電壓VFB0約略等於參考電壓VREF。
電阻電路RS31的第一端耦接至電晶體P0的第二端,以接收回授電壓VFB0。電阻電路RS31的第二端耦接至電壓VSS。在圖3所示實施例中,電阻電路RS31包括一個電阻串。電阻串具有多個分壓節點,而這些分壓節點中的其中一個可以提供參考電壓V3給溫償偏壓產生電路220。基於從這些分壓節點中選擇哪一個去提供參考電壓V3,可以決定參考電壓V3的準位。參考電壓V3的準位可以依照實際設計來決定。在決定了參考電壓V3的準位後,參考電壓V3亦是一個不隨溫度、電壓VPP變化的固定電壓。
在圖3所示實施例中,溫償偏壓產生電路220包括轉換器電路221以及轉換器電路222。轉換器電路221可以將溫度相關電流IPTAT3轉換為控制電壓VC3。因此,控制電壓VC3可以隨溫度的改變而改變。轉換器電路222的輸入端耦接至轉換器電路221的輸出端,以接收控制電壓VC3。轉換器電路222還耦接至參考偏壓產生電路210,以接收參考電壓V3。轉換器電路222可以將控制電壓VC3與參考電壓V3的關係轉換為溫償偏壓VBP1。轉換器電路222可以將溫償偏壓VBP1提供給補償電壓產生器230。
在圖3所示實施例中,轉換器電路221包括溫度正相關(Proportional To Absolute Temperature,PTAT)電流源CS31、電流鏡CM31、電流鏡CM32以及電阻RB3。溫度正相關電流源CS31,用以提供溫度相關電流IPTAT3。電流鏡CM31的主電流端耦接至溫度正相關電流源CS31,以接收溫度相關電流IPTAT3。電流鏡CM32的主電流端耦接至電流鏡CM31的僕電流端。電阻RB3的第一端耦接至電流鏡CM32的僕電流端以及轉換器電路222的輸入端。電阻RB3的第一端的電壓作為控制電壓VC3。電阻RB3的第二端耦接至參考電壓(例如電壓VSS)。
在圖3所示實施例中,轉換器電路222包括比較器CMP31、電晶體N2以及電晶體P3。比較器CMP31的第一輸入端(例如反相輸入端)用以接收參考電壓V3。比較器CMP31的第二輸入端(例如非反相輸入端)耦接至轉換器電路221的輸出端,以接收控制電壓VC3。電晶體N2的控制端(例如閘極)耦接至比較器CMP31的輸出端。電晶體N2的第一端(例如源極)耦接至電壓VSS。電晶體P3的第一端(例如源極)耦接至電壓VPP。電晶體P3的第二端(例如汲極)耦接至電晶體N2的第二端(例如汲極)。電晶體P3的控制端(例如閘極)耦接至電晶體P3的第二端。電晶體P3的控制端耦接至補償電壓產生器230,以提供溫償偏壓VBP1。
當溫度小於某一個參考溫度時(亦即目前溫度對於負載電路20的不利影響可以被容忍),對應於溫度相關電流IPTAT3的控制電壓VC3小於參考電壓V3,因此比較器CMP31截止(turn off)電晶體N2,進而截止電晶體P3。當溫度大於所述參考溫度時,對應於溫度相關電流IPTAT3的控制電壓VC3大於參考電壓V3,因此比較器CMP31導通(turn on)電晶體N2,進而導通電晶體P3。
在圖3所示實施例中,補償電壓產生器230包括電晶體P4、電晶體P5以及電阻電路RS32。電晶體P5的控制端(例如閘極)耦接至放大器AMP31的輸出端,以接收參考偏壓VOP。電晶體P5的第一端(例如源極)耦接至電壓VPP。電晶體P5的第二端(例如汲極)耦接至電壓緩衝器240的輸入端,以提供電源電壓V2。電晶體P4的控制端(例如閘極)耦接至溫償偏壓產生電路220,以接收溫償偏壓VBP1。電晶體P4的第一端(例如源極)耦接至電壓VPP。電晶體P4的第二端(例如汲極)耦接至電晶體P5的第二端。電阻電路RS32的第一端耦接至電晶體P5的第二端。電阻電路RS32的第二端耦接至電壓VSS。
在圖3所示實施例中,電壓緩衝器240包括放大器AMP32。放大器AMP32的第一輸入端(例如反相輸入端)耦接至放大器AMP32的輸出端。放大器AMP32的輸出端輸出電源電壓VRT2給負載電路20。圖3所示負載電路20可以參照圖1所示負載電路10的相關說明並且加以類推,在此不再贅述。放大器AMP32的第二輸入端(例如非反相輸入端)耦接至補償電壓產生器230,以接收電源電壓V2。
在圖3所示實施例中,電阻電路RS32包括一個電阻串。電阻電路RS32的阻值約略等於電阻電路RS31的阻值。電晶體P5的外觀比(aspect ratio)約略等於電晶體P0的外觀比。因此,流經電晶體P5的電流I2約略等於電晶體P0的電流I1。
當溫度小於某一個參考溫度時(亦即目前溫度對於負載電路20的不利影響可以被容忍),對應於溫度相關電流IPTAT3的控制電壓VC3小於參考電壓V3,因此電晶體N2與電晶體P4為截止。此時,電晶體P4沒有提供補償電流。在電晶體P4為截止的情況下,電源電壓V2的準位約略等於回授電壓VFB0(參考電壓VREF)的準位。換句話說,電源電壓V2未被動態調升,因此電壓緩衝器240可以產生較低的電源電壓VRT2給負載電路20,以降低系統功耗。
當溫度大於所述參考溫度時,對應於溫度相關電流IPTAT3的控制電壓VC3大於參考電壓V3,因此電晶體N2與電晶體P4為導通。此時,電晶體P4提供補償電流,致使電源電壓V2被動態調升(例如使電源電壓V2大於參考電壓VREF)。因此,電壓緩衝器240可以選擇性地產生較高的電源電壓VRT2給負載電路20,以提升負載電路20的傳輸能力。
圖4是依照本發明的另一實施例所繪示,圖2的參考偏壓產生電路210、溫償偏壓產生電路220、補償電壓產生器230以及電壓緩衝器240的電路方塊示意圖。圖4所示參考偏壓產生電路210、溫償偏壓產生電路220、補償電壓產生器230、電壓緩衝器240以及負載電路20可以參照圖2所示參考偏壓產生電路210、溫償偏壓產生電路220、補償電壓產生器230、電壓緩衝器240以及負載電路20的相關說明。圖4所示參考偏壓產生電路210、補償電壓產生器230以及電壓緩衝器240可以參照圖3所示參考偏壓產生電路210、補償電壓產生器230以及電壓緩衝器240的相關說明,故不再贅述。
在圖4所示實施例中,溫償偏壓產生電路220包括轉換器電路223以及轉換器電路224。轉換器電路223可以將溫度相關電流IPTAT4轉換為控制電壓VC4。因此,控制電壓VC4可以隨溫度的改變而改變。轉換器電路224的輸入端耦接至轉換器電路223的輸出端,以接收控制電壓VC4。轉換器電路224還耦接至參考偏壓產生電路210,以接收參考電壓V3。轉換器電路224可以將控制電壓VC4與參考電壓V3的關係轉換為溫償偏壓VBP1。轉換器電路224可以將溫償偏壓VBP1提供給補償電壓產生器230。
在圖4所示實施例中,轉換器電路223包括溫度正相關電流源CS41、電流鏡CM41以及電阻RB4。溫度正相關電流源CS41用以汲取溫度相關電流IPTAT4。電流鏡CM41的主電流端耦接至溫度正相關電流源CS41,以提供溫度相關電流IPTAT4。電阻RB4的第一端耦接至電流鏡CM41的僕電流端以及轉換器電路的224的輸入端。電阻RB4的第二端耦接至參考電壓(例如電壓VSS)。電阻RB4的第一端的電壓作為控制電壓VC4。
在圖4所示實施例中,轉換器電路224包括比較器CMP41。比較器CMP41的第一輸入端(例如反相輸入端)耦接至轉換器電路223的輸出端,以接收控制電壓VC4。比較器CMP41的第二輸入端(例如非反相輸入端)用以接收參考電壓V3。比較器CMP41的輸出端耦接至補償電壓產生器230,以提供溫償偏壓VBP1。
當溫度小於某一個參考溫度時(亦即目前溫度對於負載電路20的不利影響可以被容忍),對應於溫度相關電流IPTAT4的控制電壓VC4小於參考電壓V3,因此比較器CMP41截止電晶體P4。此時,電晶體P4沒有提供補償電流。在電晶體P4為截止的情況下,電源電壓V2的準位約略等於回授電壓VFB0(參考電壓VREF)的準位。換句話說,電源電壓V2未被動態調升,因此電壓緩衝器240可以產生較低的電源電壓VRT2給負載電路20,以降低系統功耗。
當溫度大於所述參考溫度時,對應於溫度相關電流IPTAT4的控制電壓VC4大於參考電壓V3,因此比較器CMP41導通電晶體P4。此時,電晶體P4提供補償電流,致使電源電壓V2被動態調升(例如使電源電壓V2大於參考電壓VREF)。因此,電壓緩衝器240可以選擇性地產生較高的電源電壓VRT2給負載電路20,以提升負載電路20的傳輸能力。
綜上所述,上述諸實施例所述電源電壓供應裝置200可以產生理想上不隨溫度變化的參考偏壓VOP,以及產生隨溫度上升而改變的溫償偏壓VBP1。電源電壓供應裝置200可以基於參考偏壓VOP產生適用於負載電路20的電源電壓VRT2。基於溫償偏壓VBP1,電源電壓供應裝置200可以隨溫度的上升而選擇性地調升負載電路20的電源電壓VRT2。因此,電源電壓供應裝置200可以在高溫下盡可能地維持負載電路20(功能電路)的傳輸能力。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、20: 負載電路
100、200: 電源電壓供應裝置
110: 電壓產生器
120、240: 電壓緩衝器
210: 參考偏壓產生電路
220: 溫償偏壓產生電路
221、222、223、224: 轉換器電路
230: 補償電壓產生器
AMP11、AMP12: 運算放大器
AMP31、AMP32: 放大器
CM31、CM32、CM41: 電流鏡
CMP31、CMP41: 比較器
CS31、CS41: 溫度正相關電流源
I1、I2: 電流
IPTAT3、IPTAT4: 溫度相關電流
N2、P0、P3、P4、P5: 電晶體
R1、R2、RB3、RB4、Rn: 電阻
RS31、RS32: 電阻電路
V1、VPP、VSS: 電壓
V2、VRT、VRT2: 電源電壓
V3、VREF: 參考電壓
VBP1: 溫償偏壓
VC3: 控制電壓
VFB0: 回授電壓
VOP: 參考偏壓
圖1是一種電源電壓供應裝置的電路方塊(circuit block)示意圖。
圖2是依照本發明的一實施例的一種電源電壓供應裝置的電路方塊示意圖。
圖3是依照本發明的一實施例所繪示,圖2的參考偏壓產生電路、溫償偏壓產生電路、補償電壓產生器以及電壓緩衝器的電路方塊示意圖。
圖4是依照本發明的另一實施例所繪示,圖2的參考偏壓產生電路、溫償偏壓產生電路、補償電壓產生器以及電壓緩衝器的電路方塊示意圖。
20: 負載電路
200: 電源電壓供應裝置
210: 參考偏壓產生電路
220: 溫償偏壓產生電路
230: 補償電壓產生器
240: 電壓緩衝器
V2、VRT2: 電源電壓
VBP1: 溫償偏壓
VREF: 參考電壓
VSS: 電壓
VOP: 參考偏壓
Claims (14)
- 一種電源電壓供應裝置,包括:一參考偏壓產生電路,用以產生一參考偏壓;一溫償偏壓產生電路,用以產生一溫償偏壓,其中該溫償偏壓隨一溫度的上升而改變,該溫償偏壓產生電路包括一第一轉換器電路以及一第二轉換器電路,該第一轉換器電路用以將一溫度相關電流轉換為一控制電壓,該控制電壓隨該溫度的改變而改變,該第二轉換器電路的一輸入端耦接至該第一轉換器電路的一輸出端以接收該控制電壓,以及該第二轉換器電路用以將該控制電壓與一第一參考電壓的關係轉換為該溫償偏壓;一補償電壓產生器,耦接至該參考偏壓產生電路以及該溫償偏壓產生電路以接收該參考偏壓以及該溫償偏壓,用以基於該參考偏壓產生一第一電源電壓,以及基於該溫償偏壓選擇性地調升該第一電源電壓;以及一電壓緩衝器,具有一輸入端耦接至該補償電壓產生器以接收該第一電源電壓,用以產生對應於該第一電源電壓的一第二電源電壓給一負載電路。
- 如請求項1所述的電源電壓供應裝置,其中該負載電路包括一動態隨機存取記憶體的一接收器電路或是一傳送器電路。
- 如請求項1所述的電源電壓供應裝置,其中該第二電源電壓的準位約略等於該第一電源電壓的準位。
- 如請求項1所述的電源電壓供應裝置,其中該參考偏壓產生電路基於一參考電壓產生該參考偏壓,當該溫度小於一參考溫度時,該溫償偏壓控制該補償電壓產生器以不調升該第一電源電壓而使該第一電源電壓約略等於該參考電壓;以及當該溫度大於該參考溫度時,該溫償偏壓控制該補償電壓產生器以對應調升該第一電源電壓而使該第一電源電壓大於該參考電壓。
- 如請求項1所述的電源電壓供應裝置,其中該第二轉換器電路耦接至該參考偏壓產生電路以接收該第一參考電壓。
- 如請求項1所述的電源電壓供應裝置,其中該第一轉換器電路包括:一溫度正相關電流源,用以提供該溫度相關電流;一第一電流鏡,具有一主電流端耦接至該溫度正相關電流源以接收該溫度相關電流;一第二電流鏡,具有一主電流端耦接至該第一電流鏡的一僕電流端;以及一電阻,具有一第一端耦接至該第二電流鏡的一僕電流端以及該第二轉換器電路的該輸入端,其中該電阻的一第二端耦接至一第二參考電壓,以及該電阻的該第一端的電壓作為該控制電壓。
- 如請求項1所述的電源電壓供應裝置,其中該第二轉換器電路包括: 一比較器,具有一第一輸入端用以接收該第一參考電壓,其中該比較器的一第二輸入端耦接至該第一轉換器電路的該輸出端以接收該控制電壓;一第一電晶體,具有一控制端耦接至該比較器的一輸出端,其中該第一電晶體的一第一端耦接至一第一電壓;以及一第二電晶體,具有一第一端耦接至一第二電壓,其中該第二電晶體的一第二端耦接至該第一電晶體的一第二端,該第二電晶體的一控制端耦接至該第二電晶體的該第二端,以及該第二電晶體的該控制端耦接至該補償電壓產生器以提供該溫償偏壓。
- 如請求項1所述的電源電壓供應裝置,其中該第一轉換器電路包括:一溫度正相關電流源,用以汲取該溫度相關電流;一電流鏡,具有一主電流端耦接至該溫度正相關電流源以提供該溫度相關電流;以及一電阻,具有一第一端耦接至該電流鏡的一僕電流端以及該第二轉換器電路的該輸入端,其中該電阻的一第二端耦接至一第二參考電壓,以及該電阻的該第一端的電壓作為該控制電壓。
- 如請求項1所述的電源電壓供應裝置,其中該第二轉換器電路包括:一比較器,具有一第一輸入端耦接至該第一轉換器電路的該輸出端以接收該控制電壓,其中該比較器的一第二輸入端用以接收該第一參考電壓,以及該比較器的一輸出端耦接至該補償電壓 產生器以提供該溫償偏壓。
- 如請求項1所述的電源電壓供應裝置,其中該參考偏壓產生電路包括:一放大器,具有一第一輸入端用以接收一參考電壓;一第一電晶體,具有一控制端耦接至該放大器的一輸出端,其中該第一電晶體的一第一端耦接至一第一電壓,以及該第一電晶體的一第二端耦接至該放大器的一第二輸入端;以及一第一電阻電路,具有一第一端耦接至該第一電晶體的該第二端,其中該第一電阻電路的一第二端耦接至一第二電壓。
- 如請求項10所述的電源電壓供應裝置,其中該補償電壓產生器包括:一第二電晶體,具有一控制端耦接至該放大器的該輸出端以接收該參考偏壓,其中該第二電晶體的一第一端耦接至該第一電壓,以及該第二電晶體的一第二端耦接至該電壓緩衝器的該輸入端;一第三電晶體,具有一控制端耦接至該溫償偏壓產生電路以接收該溫償偏壓,其中該第三電晶體的一第一端耦接至該第一電壓,以及該第三電晶體的一第二端耦接至該第二電晶體的該第二端;以及一第二電阻電路,具有一第一端耦接至該第二電晶體的該第二端,其中該第二電阻電路的一第二端耦接至該第二電壓。
- 如請求項11所述的電源電壓供應裝置,其中該第一電晶體的外觀比約略等於該第二電晶體的外觀比。
- 如請求項11所述的電源電壓供應裝置,其中該第一電阻電路的阻值約略等於該第二電阻電路的阻值。
- 如請求項1所述的電源電壓供應裝置,其中該電壓緩衝器包括:一放大器,具有一第一輸入端耦接至該放大器的一輸出端,其中該放大器的該輸出端輸出該第二電源電壓給該負載電路,以及該放大器的一第二輸入端耦接至該補償電壓產生器以接收該第一電源電壓。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17/866,539 US12007800B2 (en) | 2022-07-17 | 2022-07-17 | Power voltage supply device with automatic temperature compensation |
US17/866,539 | 2022-07-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202405807A TW202405807A (zh) | 2024-02-01 |
TWI833351B true TWI833351B (zh) | 2024-02-21 |
Family
ID=89509738
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111134579A TWI833351B (zh) | 2022-07-17 | 2022-09-13 | 隨溫度自動補償的電源電壓供應裝置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12007800B2 (zh) |
CN (1) | CN117420871A (zh) |
TW (1) | TWI833351B (zh) |
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- 2022-07-17 US US17/866,539 patent/US12007800B2/en active Active
- 2022-09-13 TW TW111134579A patent/TWI833351B/zh active
- 2022-11-28 CN CN202211502457.3A patent/CN117420871A/zh active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202405807A (zh) | 2024-02-01 |
US12007800B2 (en) | 2024-06-11 |
US20240019884A1 (en) | 2024-01-18 |
CN117420871A (zh) | 2024-01-19 |
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