TWI832924B - 包括扇出子封裝件的堆疊封裝件 - Google Patents

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Abstract

一種堆疊封裝件包括：封裝基板；以及使用第一連接凸塊和第二連接凸塊安裝在封裝基板上的扇出子封裝件。扇出子封裝件包括第一半導體晶粒和再分配線RDL圖案。第二半導體晶粒堆疊在封裝基板上以提供第一階梯結構，並且第三半導體晶粒堆疊在第二半導體晶粒上以提供第二階梯結構。第二半導體晶粒和第三半導體晶粒通過接合佈線連接至封裝基板。

Description

包括扇出子封裝件的堆疊封裝件
本公開的實施方式涉及封裝技術，並且更具體地，涉及包括扇出子封裝件的堆疊封裝件。
相關申請的交叉引用
本申請案主張於2019年5月2日提交的韓國申請案第10-2019-0051865號的優先權，其全部內容通過引用合併於此。
近來，已經提出了高性能半導體封裝件來提高操作速度。高性能半導體封裝件中的每一個可以製造為包括堆疊在封裝基板上的多個半導體晶粒。可以使用佈線接合技術將多個半導體晶粒電連接至封裝基板。隨著由電子系統處理的資料量的增加，可能需要增加半導體晶粒的輸入/輸出(I/O)端子的數量，以便高速地處理資料。在這種情況下，可能需要先進的技術將半導體晶粒的I/O端子電連接至封裝基板。
根據實施方式，堆疊封裝件包括：封裝基板；使用第一連接凸塊和第二連接凸塊安裝在封裝基板上的扇出子封裝件；堆疊在扇出子封裝件上的第二半導體晶粒；堆疊在第二半導體晶粒上的第三半導體晶粒；連接至第二半導 體晶粒的第一接合佈線；以及連接至第三半導體晶粒的第二接合佈線。封裝基板包括：連接至第一接合佈線的第一佈線接合指(finger)；連接至第二接合佈線的第二佈線接合指；與第一連接凸塊連接的第一凸塊接合指；以及與第二連接凸塊連接的第二凸塊接合指。扇出子封裝件包括：嵌入有第一半導體晶粒的囊封層；從第一半導體晶粒的表面延伸並連接至設置在囊封層的底表面上的第一連接凸塊的第一再分配線(RDL)圖案；以及從第一半導體晶粒的表面延伸並且將第一半導體晶粒連接至設置在囊封層的底表面上的第二連接凸塊的第二RDL圖案。
根據另一實施方式，堆疊封裝件包括：封裝基板；使用第一連接凸塊和第二連接凸塊安裝在封裝基板上的扇出子封裝件；堆疊在扇出子封裝件上以提供階梯結構的第二半導體晶粒；將第二半導體晶粒連接至封裝基板的接合佈線；以及設置在第一連接凸塊和第二連接凸塊之間以在結構上支撐扇出子封裝件的虛設凸塊。扇出子封裝件包括：嵌入有第一半導體晶粒的囊封層；從第一半導體晶粒的表面延伸並連接至設置在囊封層的底表面上的第一連接凸塊的第一再分配線(RDL)圖案；以及從第一半導體晶粒的表面延伸並且將第一半導體晶粒連接至設置在囊封層的底表面上的第二連接凸塊的第二RDL圖案。
10:堆疊封裝件
11:堆疊封裝件
12:堆疊封裝件
100:封裝基板
101:第一表面
102:第二表面
109:外連接器
120:第一虛設指
130:第二虛設指
140:第一佈線接合指
141:第一子佈線接合指
142:第二子佈線接合指
150:第一凸塊接合指
160:第一互連線
170:第二佈線接合指
180:第二凸塊接合指
190:第二互連線
200:第一半導體晶粒
201:表面
210:第一晶粒襯墊
210-1:第一組第一晶粒襯墊
210-2:第二組第一晶粒襯墊
210-3:附加晶粒襯墊
220:第二晶粒襯墊
220-1:第一組第二晶粒襯墊
220-2:第二組第二晶粒襯墊
220-3:附加晶粒襯墊
291:第一邊緣
292:第二邊緣
293:第三邊緣
294:第四邊緣
300:內囊封層
350:介電層
401:第一再分配線(RDL)圖案
402:第二再分配線(RDL)圖案
411:第一部分
412:第一延伸部分
413:第二部分
415:第三部分
416:第二延伸部分
417:第四部分
500:扇出子封裝件
500E:邊緣部分
500P:突出部
601:第一連接凸塊
601-1:第一組第一連接凸塊
601-2:第二組第一連接凸塊
602:第二連接凸塊
602-1:第一組第二連接凸塊
602-2:第二組第二連接凸塊
604:第一虛設凸塊
605:第二虛設凸塊
611:凸塊主體
612:導電黏合層
701:第一堆疊物
701S:第一階梯結構
702:第二堆疊物
702S:第二階梯結構
711:第二半導體晶粒
711B:第二最底端半導體晶粒
711E:邊緣部分
712:第三半導體晶粒
721:第一黏合層
722:第二黏合層
801:第一接合佈線
802:第二接合佈線
811:第一子接合佈線
811A:連接部分
821:第二子接合佈線
900:外囊封層
7800:記憶卡
7810:記憶體
7820:記憶體控制器
7830:主機
8710:電子系統
8711:控制器
8712:輸入/輸出單元
8713:記憶體
8714:介面
8715:匯流排
D1:尺寸
D2:直徑
P1:第一電路徑
P2:第二電路徑
W1:第一節距
W2:第二節距
W3:第三節距
圖1是例示根據實施方式的堆疊封裝件的截面圖。
圖2和圖3是例示圖1所示的堆疊封裝件的部分的放大截面圖。
圖4是例示圖1所示的堆疊封裝件的佈線接合指、連接凸塊和晶粒襯墊的平面圖。
圖5是例示圖4所示的晶粒襯墊的放大平面圖。
圖6是例示圖4所示的連接凸塊和晶粒襯墊的平面圖。
圖7是例示根據實施方式的堆疊封裝件中所包括的扇出子封裝件 的邊緣部分的放大截面圖。
圖8是例示根據另一實施方式的堆疊封裝件的截面圖。
圖9是例示根據又一實施方式的堆疊封裝件的截面圖。
圖10是例示採用包括根據實施方式的至少一個堆疊封裝件的記憶卡的電子系統的方塊圖。
圖11是例示包括根據實施方式的至少一個堆疊封裝件的另一電子系統的方塊圖。
本文使用的術語可以對應於考慮到它們在實施方式中的功能而選擇的詞，並且術語的含義可以根據實施方式所屬領域的普通技術人員而解釋為不同。如果詳細定義了術語，則可以根據定義來解釋術語。除非另有定義，否則本文中使用的術語(包括技術術語和科學術語)具有與實施方式所屬領域的普通技術人員通常所理解的含義相同的含義。
將理解的是，儘管在本文中可以使用術語“第一”、“第二”、“第三”等來描述各種元件，但是這些元件不應受這些術語的限制。這些術語用於將相似的元件彼此區分開，並非用於指示此類元件的數量或順序。
還應理解，當元件或層被稱為在另一元件或層“上”、“上方”、“下”、“下方”或“外部”時，該元件或層可以直接接觸另一元件或層或者可以存在中間元件或層。應該以類似的方式來解釋用於描述元件或層之間的關係的其它詞語(例如，“在......之間”與“直接在......之間”或“相鄰”與“直接相鄰”)。
諸如“之下”、“下方”、“低於”、“上方”、“高於”、“頂”、“底”等的空間相對術語可以用於描述例如附圖中所示出的元件和/或特徵與另一元件和/或特徵的關係。將理解的是，除了附圖中描繪出的方位之外，空間相對術語還旨 在涵蓋裝置在使用和/或操作中的不同方位。例如，當附圖中的裝置被翻轉時，則被描述為在其它元件或特徵之下和/或下方的元件將被定向為在其它元件或特徵上方。裝置可以以其它方式被定向(旋轉90度或在其它方位)並且本文使用的空間相對描述符被相應地解釋。
堆疊封裝件可以對應於半導體封裝件，並且半導體封裝件可以包括諸如半導體晶片或半導體晶粒之類的電子裝置。半導體晶片或半導體晶粒可以通過使用晶粒切割工藝將諸如晶圓之類的半導體基板分成多片來獲得。半導體晶片可以對應於記憶體晶片、邏輯晶片或特定應用積體電路(ASIC)晶片。記憶體晶片可以包括整合在半導體基板上的動態隨機存取記憶體(DRAM)電路、靜態隨機存取記憶體(SRAM)電路、NAND型快閃記憶體電路、NOR型快閃記憶體電路、磁隨機存取記憶體(MRAM)電路、電阻隨機存取記憶體(ReRAM)電路、鐵電隨機存取記憶體(FeRAM)電路或相變隨機存取記憶體(PcRAM)電路。半導體封裝件可以用於諸如行動電話之類的通訊系統、與生物技術或醫療保健相關聯的電子系統、或可穿戴電子系統。半導體封裝件可以應用於物聯網(IoT)。
在整個說明書中，相同的元件符號指代相同的元件。即使未參照附圖提及或描述元件符號，也可以參照另一附圖提及或描述該元件符號。另外，即使元件符號在該附圖中未示出，也可以參照另一附圖來提及或描述該元件符號。
圖1是例示根據實施方式的堆疊封裝件10的截面圖。
參照圖1，堆疊封裝件10可以被配置為包括封裝基板100、嵌入有第一半導體晶粒200的扇出子封裝件500、以及包括多個第二半導體晶粒711的第一堆疊物701。包括多個第三半導體晶粒712的第二堆疊物702可以堆疊在包括多個第二半導體晶粒711的第一堆疊物701上。堆疊封裝件10還可以包括多條第一 接合佈線801和多條第二接合佈線802。可以使用設置在扇出子封裝件500和封裝基板100之間的多個第一連接凸塊601和多個第二連接凸塊602來將扇出子封裝件500安裝在封裝基板100上。第一連接凸塊601和第二連接凸塊602當從平面圖觀看時可以與第一半導體晶粒200間隔開。
堆疊封裝件10還可以包括外囊封層900，該外囊封層900設置在封裝基板100上，以覆蓋和保護扇出子封裝件500、第一堆疊物701和第二堆疊物702。外囊封層900可以包括諸如環氧模製化合物(EMC)材料之類的封裝模製材料。
封裝基板100可以包括將堆疊封裝件10電連接至外部裝置的互連結構。封裝基板100可以是印刷電路板(PCB)。封裝基板100可以具有在其上堆疊有扇出子封裝件500的第一表面101和位於扇出子封裝件500的相對側上的第二表面102。外連接器109可以設置在封裝基板100的第二表面102上。外連接器109可以包括能夠連接至外部裝置的連接構件。例如，外連接器109可以包括焊球。
第一佈線接合指140和第二佈線接合指170可以設置在封裝基板100的第一表面101上。第一佈線接合指140和第二佈線接合指170可以設置在封裝基板100的相對的端部上。也就是說，第一佈線接合指140可以設置在封裝基板100的第一端部的第一表面101上，並且第二佈線接合指170可以設置在封裝基板100的與第一端部相對的第二端部的第一表面101上。第一佈線接合指140可以設置在封裝基板100的第一端部上，以與扇出子封裝件500的第一端部相鄰，並且第二佈線接合指170可以設置在封裝基板100的第二端部上，以與扇出子封裝件500的第二端部相鄰。第一佈線接合指140和第二佈線接合指170可以分別設置在封裝基板100的與扇出子封裝件500交疊的部分的兩側。因此，第一佈線接合指140可以通過封裝基板100的與扇出子封裝件500交疊的中央區域與第二佈線接合指 170分開。
第一接合佈線801可以分別電連接至第一佈線接合指140。第二接合佈線802可以分別電連接至第二佈線接合指170。第一接合佈線801可以將第一堆疊物701的第二半導體晶粒711電連接至第一佈線接合指140。第二接合佈線802可以將第二堆疊物702的第三半導體晶粒712電連接至第二佈線接合指170。第一接合佈線801可以設置在第一堆疊物701的第一側，並且第二接合佈線802可以設置在第一堆疊物701的與第一接合佈線801相對的第二側。
第一堆疊物701可以被配置為包括堆疊的第二半導體晶粒711。第二半導體晶粒711可以依序地堆疊成橫向偏移，以提供第一階梯結構701S。例如，第二半導體晶粒711可以依序地堆疊以在從第一佈線接合指140指向第二佈線接合指170的第一偏移方向上偏移。第二半導體晶粒711可以堆疊以露出第一接合佈線801所連接至的它們的邊緣部分。可以使用第一黏合層721將第二半導體晶粒711附接至並堆疊在扇出子封裝件500上。
第二堆疊物702可以被配置為包括堆疊的第三半導體晶粒712。第三半導體晶粒712可以依序地堆疊成橫向偏移，以提供第二階梯結構702S。例如，第三半導體晶粒712可以依序地堆疊以在從第二佈線接合指170指向第一佈線接合指140的第二偏移方向上偏移。第二偏移方向可以與第一偏移方向相反。第三半導體晶粒712可以堆疊以露出第二接合佈線802所連接至的它們的邊緣部分。可以使用第二黏合層722將第三半導體晶粒712附接至並且堆疊在第一堆疊物701上。
第一接合佈線801可以包括將封裝基板100的第一佈線接合指140電連接至與第一堆疊物701的最底端晶粒相對應的第二最底端半導體晶粒711B的第一子接合佈線811。第二最底端半導體晶粒711B可以是第二半導體晶粒711當中最靠近封裝基板100的半導體晶粒。第一接合佈線801還可以包括將第二半 導體晶粒711彼此電連接的第二子接合佈線821。第一子接合佈線811可以電連接至第二子接合佈線821。
第二接合佈線802可以將第二接合指170電連接至包括第三半導體晶粒712的第二堆疊物702，並且可以延伸以將第三半導體晶粒712彼此電連接。
第一凸塊接合指150和第二凸塊接合指180可以設置在封裝基板100的第一表面101上。第一凸塊接合指150可以電連接至第一佈線接合指140。第一凸塊接合指150可以通過設置在封裝基板100的第一表面101上的第一互連線160電連接至第一佈線接合指140。第二凸塊接合指180可以通過設置在封裝基板100的第一表面101上的第二互連線190電連接至第二佈線接合指170。
第一連接凸塊601可以分別物理地且機械地接合至並且電連接至第一凸塊接合指150。第二連接凸塊602可以分別物理地且機械地接合至並且電連接至第二凸塊接合指180。第一連接凸塊601和第二連接凸塊602可以是基本相同或相似的連接構件。例如，第一連接凸塊601和第二連接凸塊602中的每一個可以被配置為包括凸塊主體611和導電黏合層612。凸塊主體611可以形成為包括諸如銅材料之類的金屬材料，並且導電黏合層612可以形成為包括焊料層。第一連接凸塊601和第二連接凸塊602的凸塊主體611可以連接至扇出子封裝件500，並且第一連接凸塊601和第二連接凸塊602的導電黏合層612可以連接至第一凸塊接合指150和第二凸塊接合指180。
扇出子封裝件500可以形成為具有嵌入有第一半導體晶粒200的扇出封裝形式。例如，扇出子封裝件500可以被配置為包括第一半導體晶粒200、內囊封層300、以及第一再分配線(RDL)圖案401和第二再分配線(RDL)圖案402。
內囊封層300可以覆蓋並嵌入第一半導體晶粒200以充當扇出子 封裝件500的主體。內囊封層300可以包括諸如環氧模製化合物(EMC)材料之類的封裝模製材料。內囊封層300可以設置為露出第一半導體晶粒200的表面201。第一晶粒襯墊210和第二晶粒襯墊220可以設置在第一半導體晶粒200的表面201上。第一晶粒襯墊210和第二晶粒襯墊220可以是連接至第一半導體晶粒200的連接端子。
第一半導體晶粒200可以設置在封裝基板100上，使得第一半導體晶粒200的表面201面對封裝基板100的第一表面101。第一半導體晶粒200可以設置在第一佈線接合指140和第二佈線接合指170之間的區域中。
第一半導體晶粒200可以電連接至第一堆疊物701的第二半導體晶粒711和第二堆疊物702的第三半導體晶粒712。第一半導體晶粒200可以被配置為包括控制第一堆疊物701的第二半導體晶粒711的操作和第二堆疊物702的第三半導體晶粒712的操作的控制器。第一堆疊物701的第二半導體晶粒711和第二堆疊物702的第三半導體晶粒712可以是用於存儲資料的記憶體半導體晶粒。第一堆疊物701的第二半導體晶粒711和第二堆疊物702的第三半導體晶粒712可以是通過第一半導體晶粒200的控制操作向第一半導體晶粒200提供資料和/或存儲資料的記憶體半導體晶粒。第二半導體晶粒711和第三半導體晶粒712可以是NAND型快閃記憶體裝置。
圖2和圖3是例示圖1所示的堆疊封裝件10的一些部分(包括扇出子封裝件500)的放大截面圖。
參照圖1和圖2，第一半導體晶粒200可以通過第一RDL圖案401、第一連接凸塊601、第一凸塊接合指150、第一互連線160、第一佈線接合指140和第一接合佈線801電連接至第一堆疊物701的第二半導體晶粒711。這樣，第一RDL圖案401、第一連接凸塊601、第一凸塊接合指150、第一互連線160、第一佈線接合指140和第一接合佈線801可以提供用於第一半導體晶粒200和第二半導 體晶粒711之間的通訊的第一通道。
參照圖1和圖3，第一半導體晶粒200可以通過第二RDL圖案402、第二連接凸塊602、第二凸塊接合指180、第二互連線190、第二佈線接合指170和第二接合佈線802電連接至第二堆疊物702的第三半導體晶粒712。這樣，第二RDL圖案402、第二連接凸塊602、第二凸塊接合指180、第二互連線190、第二佈線接合指170和第二接合佈線802可以提供用於第一半導體晶粒200和第三半導體晶粒712之間的通訊的第二通道。第一半導體晶粒200可以使用多個通道(即，第一通道和第二通道)與第二半導體晶粒711和第三半導體晶粒712進行通訊，從而提高了堆疊封裝件10的操作速度。
再次參照圖1和圖2，第一RDL圖案401可以將第一半導體晶粒200電連接至第一連接凸塊601。第一RDL圖案401可以從第一半導體晶粒200的表面201延伸到內囊封層300的底表面上。第一RDL圖案401可以從第一半導體晶粒200的表面201延伸，以連接至設置在內囊封層300的底表面上的第一連接凸塊601。第一RDL圖案401可以由金屬層形成。第一RDL圖案401可以包括銅材料或鋁材料。每個第一RDL圖案401可以是包括第一部分411、第一延伸部分412和第二部分413的導電圖案。第一RDL圖案401的第一部分411可以是第一連接凸塊601所連接至的著陸件。第一RDL圖案401的第一部分411可以設置在內囊封層300的底表面上，以與第一半導體晶粒200橫向間隔開。第一RDL圖案401的第二部分413可以設置為與第一半導體晶粒200的第一晶粒襯墊210垂直交疊並且可以電連接至第一晶粒襯墊210。第一RDL圖案401的第一延伸部分412可以是將第一部分411電連接至第二部分413的線形圖案。
再次參照圖1和圖3，第二RDL圖案402可以在與第一RDL圖案401從第一半導體晶粒200的表面201延伸的方向相反的方向上延伸。第二RDL圖案402可以從第一半導體晶粒200的表面201延伸到內囊封層300的底表面上，並且 也可以朝向第二連接凸塊602延伸。第二RDL圖案402可以將第一半導體晶粒200電連接至第二連接凸塊602。每個第二RDL圖案402可以是包括第三部分415、第二延伸部分416和第四部分417的導電圖案。第二RDL圖案402的第三部分415可以是第二連接凸塊602所連接至的著陸件。第二RDL圖案402的第三部分415可以設置在內囊封層300的底表面上，以與第一半導體晶粒200橫向間隔開。第二RDL圖案402的第四部分417可以設置為與第一半導體晶粒200的第二晶粒襯墊220垂直交疊並且可以電連接至第二晶粒襯墊220。第二RDL圖案402的第二延伸部分416可以是將第三部分415電連接至第四部分417的線形圖案。
介電層350可以設置在內囊封層300的底表面上以覆蓋第一半導體晶粒200以及第一RDL圖案401和第二RDL圖案402。第一RDL圖案401和第二RDL圖案402可以通過介電層350彼此電隔離。介電層350可以包括阻焊層。
參照圖2，第一電路徑P1可以形成為包括第一晶粒襯墊210、第一RDL圖案401、第一連接凸塊601、第一凸塊接合指150、第一互連線160和第一佈線接合指140。參照圖3，第二電路徑P2可以形成為包括第二晶粒襯墊220、第二RDL圖案402、第二連接凸塊602、第二凸塊接合指180、第二互連線190和第二佈線接合指170。第一電路徑P1中的一個可以設置為與第二電路徑P2中的任何一個具有基本相同的長度。
在實施方式中，第一RDL圖案401中的一個可以形成為與第二RDL圖案402中任何一個具有基本相同的長度。在另一實施方式中，對應的第一RDL圖案401和第二RDL圖案402可以形成為具有基本相同的長度。在平面圖中，第一RDL圖案401可以相對於第一半導體晶粒200與第二RDL圖案402具有對稱佈局。在這種情況下，當在平面圖中觀看時，第一半導體晶粒200的第一晶粒襯墊210也可以相對於穿過第一半導體晶粒200的中心點的直線與第一半導體晶粒200的第二晶粒襯墊220對稱。當從平面圖觀看時，第一半導體晶粒200的第一晶 粒襯墊210也可以相對於第一半導體晶粒200的中心點與第一半導體晶粒200的第二晶粒襯墊220點對稱。
第一凸塊接合指150、第一互連線160和第一佈線接合指140可以分別與第二凸塊接合指180、第二互連線190和第二佈線接合指170具有基本相同的長度和形狀。當在平面圖中觀看時，第一凸塊接合指150、第一互連線160和第一佈線接合指140可以設置為相對於第一半導體晶粒200與第二凸塊接合指180、第二互連線190和第二佈線接合指170中的相應一個對稱。
作為上述佈局的結果，可以有效地減小在將第一半導體晶粒200連接至第一堆疊物701的第二半導體晶粒711的路徑與將第一半導體晶粒200連接至第二堆疊物(圖1的702)的第三半導體晶粒(圖1的712)的路徑之間的長度差。例如，在相應路徑之間減小或消除了在長度方面的路徑差，相應路徑中的一個路徑將第一半導體晶粒200連接至第一堆疊物701的第二半導體晶粒711，而相應路徑中的另一個路徑將第一半導體晶粒200連接至第二堆疊物702的第三半導體晶粒712。將第一半導體晶粒200連接至第二半導體晶粒711的路徑可以設置為與將第一半導體晶粒200連接至第二堆疊物(圖1的702)的第三半導體晶粒(圖1的712)的路徑具有基本相同的長度。因此，第一半導體晶粒200可以以基本相同的信號路由長度或相似的信號路由長度來訪問第二半導體晶粒711和第三半導體晶粒712，從而提高堆疊封裝件10的信號完整性。
圖4是例示圖1所示的堆疊封裝件10的第一佈線接合指140和第二佈線接合指170、第一連接凸塊601和第二連接凸塊602以及第一晶粒襯墊210和第二晶粒襯墊220的平面圖。圖5是例示圖4所示的第一半導體晶粒200的第一晶粒襯墊210和第二晶粒襯墊220的放大平面圖。圖6是聚焦於圖4的第一連接凸塊601和第一晶粒襯墊210的平面圖。
參照圖1和圖4，與第二半導體晶粒711和第三半導體晶粒712相 比，第一半導體晶粒200可以具有相對小的尺寸。為了將具有相對小尺寸的第一半導體晶粒200設置在包括第二半導體晶粒711的第一堆疊物701下方，第一半導體晶粒200可以提供為嵌入在扇出子封裝件500中。第一佈線接合指140可以在安裝有扇出子封裝件500的封裝基板100的第一部分上排列成行。第二佈線接合指170可以在封裝基板100的與第一佈線接合指140所排列在其上的第一部分相對的第二部分上排列成行。在平面圖中，第一佈線接合指140所排列成的行和第二佈線接合指170所排列成的行可以相對於第一半導體晶粒200基本對稱。
扇出子封裝件500可以使用第一連接凸塊601和第二連接凸塊602安裝在封裝基板100上。第一連接凸塊601和第二連接凸塊602可以設置在封裝基板100和扇出子封裝件500的內囊封層300之間。當在平面圖中觀看時，第一連接凸塊601和第二連接凸塊602可以設置為相對於位於第一連接凸塊601和第二連接凸塊602之間的第一半導體晶粒200對稱。
將第一連接凸塊601連接至第一半導體晶粒200的第一晶粒襯墊210的第一RDL圖案401可以設置在扇出子封裝件500中。將第二連接凸塊602連接至第一半導體晶粒200的第二晶粒襯墊220的第二RDL圖案402可以設置在扇出子封裝件500中。
將第一佈線接合指140連接至第一連接凸塊601的第一互連線160可以設置在封裝基板100上。將第二佈線接合指170連接至第二連接凸塊602的第二互連線190可以設置在封裝基板100上。
通常，半導體晶粒的輸入/輸出(I/O)端子可以設置在其中形成有離散裝置(例如，MOS電晶體)的活化(activation)層的表面上。如果I/O端子形成在第一半導體晶粒200的表面201上，則能夠設置在第一半導體晶粒200的表面201上的I/O端子的數量會根據第一半導體晶粒200的表面201的有限平面面積而受到限制。為了使第一半導體晶粒200用作控制第二半導體晶粒711和第三 半導體晶粒712的操作的控制器，第一半導體晶粒200必須電連接至第二半導體晶粒711和第三半導體晶粒712。
參照圖1、圖4和圖5，儘管第一半導體晶粒200具有在其上設置I/O端子的表面201的有限面積，但是可能需要增加將第一半導體晶粒200電連接至第二半導體晶粒711和第三半導體晶粒712的第一半導體晶粒200的I/O端子的數量。根據實施方式，將第一半導體晶粒200連接至第二半導體晶粒711的第一路徑和將第一半導體晶粒200連接至第三半導體晶粒712的第二路徑可以獨立地提供，以構成多個通道。另選地，第二半導體晶粒711可以通過至少兩個通道信號地連接至第一半導體晶粒200，並且第三半導體晶粒712可以通過至少兩個通道信號地連接至第一半導體晶粒200。這樣，如果在第一半導體晶粒200與第二半導體晶粒711和第三半導體晶粒712之間建立多個通道，則第一半導體晶粒200的I/O端子的數量可以顯著增加。
隨著第一半導體晶粒200所需的I/O端子的數量增加，對應於I/O端子的第一晶粒襯墊210和第二晶粒襯墊220的數量也可以增加。此外，隨著半導體裝置的改進的製造技術的發展，半導體裝置能夠製造為更小，並具有相同功能甚至更複雜功能。在這種情況下，隨著第一半導體晶粒200的尺寸的減小，第一半導體晶粒200的表面201的平面面積也可以減小。為了增加設置在有限面積上的第一晶粒襯墊210和第二晶粒襯墊220的數量，第一晶粒襯墊210和第二晶粒襯墊220可以設置為沿著第一半導體晶粒200的四個邊緣具有環形。在實施方式中，第一晶粒襯墊210和第二晶粒襯墊220、或者第一晶粒襯墊210和第二晶粒襯墊220中的一些可以沿著第一半導體晶粒200的邊緣排列成至少兩行。第一晶粒襯墊210和第二晶粒襯墊220中的一些可以以Z字(zigzag)方式沿著第一半導體晶粒200的邊緣排列成兩行。
在實施方式中，第一半導體晶粒200可以具有兩個相對邊緣，例 如，第一邊緣291和第二邊緣292。在這種情況下，第一組第一晶粒襯墊210-1可以在第一半導體晶粒200的與第一邊緣291相鄰的邊緣區域上排列成第一行。第二組第一晶粒襯墊210-2可以排列成與第一行相鄰的第二行，該第二行位於與第一邊緣291相對。另外，第一組第二晶粒襯墊220-1可以在第一半導體晶粒200的與第二邊緣292相鄰的邊緣區域上排列成第三行。第二組第二晶粒襯墊220-2可以排列成與第三行相鄰的第四行，該第四行位於與第二邊緣292相對。第一半導體晶粒200還可以包括將第一邊緣291連接至第二邊緣292的兩個附加的相對邊緣，例如，第三邊緣293和第四邊緣294。在這種情況下，第一晶粒襯墊中的附加晶粒襯墊210-3和第二晶粒襯墊中的附加晶粒襯墊220-3可以排列在與第三邊緣293和第四邊緣294相鄰的邊緣區域上。第一晶粒襯墊中的附加晶粒襯墊210-3和第二晶粒襯墊中的附加晶粒襯墊220-3未排列在第一行至第四行中，而是沿著第三邊緣293和第四邊緣294排列，以與第一組第一晶粒襯墊210-1和第二組第一晶粒襯墊210-2以及第一組第二晶粒襯墊220-1和第二組第二晶粒襯墊220-2一起構成環形。
如上所述，第一晶粒襯墊210和第二晶粒襯墊220中的一些可以沿著第一邊緣291和第二邊緣292排列成兩行，並且第一晶粒襯墊210和第二晶粒襯墊220中的其餘晶粒襯墊可以沿第三邊緣293和第四邊緣294排列。因此，第一晶粒襯墊210和第二晶粒襯墊220可以排列成在平面圖中具有環形或圈形。因此，即使第一半導體晶粒200的尺寸減小，也可以在不減少I/O端子數量的情況下製造第一半導體晶粒200。結果，即使第一半導體晶粒200通過多個通道信號地連接至第二半導體晶粒711和第三半導體晶粒712，也可以佈置相應數量的I/O端子。在諸如堆疊封裝件10之類的多晶片封裝件的架構被實現為具有多個通道的情況下，與具有單通道架構的多晶片封裝件相比，具有多通道架構的多晶片封裝件的性能可以得到改善。
參照圖4、圖5和圖6，第一晶粒襯墊210可以通過第一RDL圖案401電連接至第一連接凸塊601。第二晶粒襯墊220可以通過第二RDL圖案402電連接至第二連接凸塊602。第一半導體晶粒200的第一晶粒襯墊210和第二晶粒襯墊220的尺寸D1(即，寬度)可以小於第一連接凸塊601和第二連接凸塊602的直徑D2。如上所述，因為雖然第一半導體晶粒200的尺寸減小但是第一半導體晶粒200需要許多I/O端子，所以可能難以增大第一晶粒襯墊210和第二晶粒襯墊220的尺寸。此外，為了將扇出子封裝件500安裝在封裝基板100上，可能需要即使封裝基板100和扇出子封裝件500在堆疊封裝件10的封裝工藝期間變形也穩定地保持堆疊封裝件10中的電連接。因此，第一連接凸塊601和第二連接凸塊602的尺寸應大於一定值。例如，第一晶粒襯墊210和第二晶粒襯墊220可以形成為具有大約幾微米到大約幾十微米的尺寸D1(即，寬度)，並且第一連接凸塊601和第二連接凸塊602可以形成為具有大約幾十微米至大約幾百微米的直徑D2。因為第一晶粒襯墊210和第二晶粒襯墊220的尺寸D1相對小，所以可能難以將第一晶粒襯墊210和第二晶粒襯墊220直接連接至具有相對大值的直徑D2的第一連接凸塊601和第二連接凸塊602。因此，第一連接凸塊601和第二連接凸塊602可以通過第一RDL圖案401和第二RDL圖案402連接至第一晶粒襯墊210和第二晶粒襯墊220。
第一連接凸塊601可以沿著扇出子封裝件500的與第一佈線接合指140相鄰的邊緣設置，以與各個第一晶粒襯墊210相對應。當第一晶粒襯墊210排列成兩行時，第一連接凸塊601也可以排列成兩行以與各個第一晶粒襯墊210相對應。第一連接凸塊601可以包括第一組第一連接凸塊601-1和第二組第一連接凸塊601-2。第一組第一連接凸塊601-1可以排列成與扇出子封裝件500的邊緣相鄰的第一行，並且第二組第一連接凸塊601-2可以排列成位於第一行和第一半導體晶粒200之間的第二行。第一連接凸塊601可以以Z字方式排列成兩行。因此，可以使第一組第一連接凸塊601-1與第二組第一連接凸塊601-2之間的空間最大 化。第二連接凸塊602也可以排列成兩行以與排列成兩行的各個第二晶粒襯墊220相對應。第二連接凸塊602可以以Z字方式排列成兩行。與第一連接凸塊601類似，第二連接凸塊602可以包括第一組第二連接凸塊602-1和第二組第二連接凸塊602-2。
再次參照圖4、圖5和圖6，第一連接凸塊601可以設置為具有第二節距W2，該第二節距W2大於第一晶粒襯墊210的第一節距W1。第一佈線接合指140可以設置為具有小於第一連接凸塊601的第二節距W2的第三節距W3。在第一佈線接合指140當中，設置為彼此緊接著相鄰的第一子佈線接合指141和第二子佈線接合指142可以設置為具有第三節距W3。在第一佈線接合指140之間的距離當中，第一子佈線接合指141和第二子佈線接合指142之間的距離可以是最小的。因此，第三節距W3可以表示第一佈線接合指140的節距當中的最小節距。
為了將第一晶粒襯墊210設置為在有限面積中具有第一節距，第一晶粒襯墊210可以排列成兩行。排列成兩行的第一晶粒襯墊210的第一節距W1可以大於當第一晶粒襯墊210排列成一行時第一晶粒襯墊210的節距。因此，當形成連接至第一晶粒襯墊210的第一RDL圖案401時，可以增加或最大化第一RDL圖案401之間的距離。
第一佈線接合指140可以設置為具有大於第一晶粒襯墊210的第一節距W1的第三節距W3。因為第一佈線接合指140形成為具有與第一晶粒襯墊210的比例(scale)不同的比例，所以可能難以將第一佈線接合指140直接連接至第一晶粒襯墊210。因此，互連結構可以用於將第一佈線接合指140電連接至第一晶粒襯墊210。第一RDL圖案401、第一連接凸塊601和第一互連線160可以用於將第一佈線接合指140電連接至第一晶粒襯墊210。
參照圖1和圖4，第一連接凸塊601可以通過導電黏合層612的焊接工藝而接合至第一凸塊接合指150。在這種情況下，為了防止彼此相鄰的第一連 接凸塊601由於焊接工藝不良而導致彼此不期望的連接，第一連接凸塊601可以設置為具有大於第一佈線接合指140的第三節距W3的第二節距W2。為了使第一連接凸塊601設置為具有與相對大的節距相對應的第二節距W2，第一組第一連接凸塊601-1和第二組第一連接凸塊601-2可以以Z字方式排列成兩行。
再次參照圖1，扇出子封裝件500的尺寸可以大於第一堆疊物701中所包括的第二最底端半導體晶粒711B的尺寸。在實施方式中，扇出子封裝件500可以與第二最底端半導體晶粒711B具有基本相同的尺寸。第二最底端半導體晶粒711B可以對應於第一堆疊物701的第二半導體晶粒711當中最接近於扇出子封裝件500的第二半導體晶粒711。因為扇出子封裝件500與第二最底端半導體晶粒711B具有相同的尺寸或具有比第二最底端半導體晶粒711B的尺寸大的尺寸，所以第二最底端半導體晶粒711B可以設置在扇出子封裝件500上，而沒有任何懸垂。因此，第二最底端半導體晶粒711B可以設置為與扇出子封裝件500完全交疊。此外，因為堆疊在第二最底端半導體晶粒711B上的其餘第二半導體晶粒711能夠沒有任何懸垂地設置，所以可以在扇出子封裝件500上形成穩定的堆疊結構。
圖7是例示根據實施方式的堆疊封裝件10中所包括的扇出子封裝件500的邊緣部分500E的放大截面圖。
參照圖7，扇出子封裝件500可以設置在封裝基板100上，以當從平面圖觀看時具有延伸超過包括第二半導體晶粒711的第一堆疊物701的側表面的突出部500P。在平面圖中，扇出子封裝件500的突出部500P可以延伸超過第一堆疊物701中所包括的第二最底端半導體晶粒711B的側表面。第二最底端半導體晶粒711B可以設置在扇出子封裝件500上，使得當從平面圖觀看時，扇出子封裝件500的邊緣部分500E的一部分延伸超過第二最底端半導體晶粒711B的側表面。
第一連接凸塊601當中的第一組第一連接凸塊601-1可以被扇出子封裝件500的突出部500P垂直地交疊。因此，第一組第一連接凸塊601-1可以穩 定地支撐扇出子封裝件500的突出部500P。
第一連接凸塊601當中的第二組第一連接凸塊601-2可以被連接部分811A垂直交疊，在連接部分811A中第一接合佈線801連接至第二半導體晶粒711當中的最靠近扇出子封裝件500的第二最底端半導體晶粒711B。
第二組第一連接凸塊601-2可以被第二最底端半導體晶粒711B的邊緣部分711E垂直交疊。與第一子接合佈線811的第一端相對應的連接部分811A可以接合至第二最底端半導體晶粒711B的邊緣部分711E。第二組第一連接凸塊601-2可以被第一接合佈線801的連接部分811A部分地或完全地交疊。因此，當第一接合佈線801接合到第二最底端半導體晶粒711B時，第二組第一連接凸塊601-2可以支撐第二最底端半導體晶粒711B的邊緣部分711E，使得扇出子封裝件500和第二最底端半導體晶粒711B不會被接合壓力損壞。因此，第一接合佈線801可以更穩定地接合至第二最底端半導體晶粒711B。
因此，第二組第一連接凸塊601-2被第一接合佈線801的連接部分811A交疊，扇出子封裝件500的邊緣部分500E可以延伸為被第一接合佈線801的連接部分811A交疊。
圖8是例示根據另一實施方式的堆疊封裝件11的截面圖。在圖8中，與圖1中使用的元件符號相同的元件符號指代相同的元件。
參照圖8，堆疊封裝件11可以包括封裝基板100、包括第一半導體晶粒200的扇出子封裝件500、包括第二半導體晶粒711的第一堆疊物701、包括第三半導體晶粒712的第二堆疊物702、第一接合佈線801和第二接合佈線802、第一連接凸塊601和第二連接凸塊602、以及外囊封層900。第二半導體晶粒711可以堆疊在扇出子封裝件500上以提供第一階梯結構701S，並且第三半導體晶粒712可以堆疊在第一堆疊物701上以提供第二階梯結構702S。第一RDL圖案401和第二RDL圖案402可以設置在扇出子封裝件500中。
第一虛設凸塊604可以設置在第一連接凸塊601所設置於的位置與第二連接凸塊602所設置於的位置之間。第一虛設凸塊604可以包括至少兩個凸塊，以在結構上支撐扇出子封裝件500。第一虛設凸塊604可以設置在介電層350上。因為第一虛設凸塊604設置在介電層350上，所以第一RDL圖案401和第二RDL圖案402可以通過介電層350與第一虛設凸塊604電絕緣和隔離。封裝基板100還可以包括第一虛設凸塊604所接合至的第一虛設指120。第一虛設指120可以是類似於第一佈線接合指140的導電圖案。第一虛設凸塊604可以形成為與第一連接凸塊601具有基本相同的形狀或者與第一連接凸塊601具有相似的形狀。
第一虛設凸塊604可以被扇出子封裝件500的內囊封層300垂直交疊，並且可以在水準方向上與第一半導體晶粒200間隔開。第一虛設凸塊604可以設置為與第一連接凸塊601和第二連接凸塊602相鄰。例如，第一虛設凸塊604中的一些可以設置為與第二組第一連接凸塊601-2相鄰。當第一接合佈線801接合到第二半導體晶粒711時，如上所述設置的第一虛設凸塊604可以附加地支撐第二半導體晶粒711。因此，可以防止扇出子封裝件500由於接合壓力而被損壞或防止第二半導體晶粒711由於接合壓力而彎曲。結果，可以有效地降低或抑制接合失敗的發生。
圖9是例示根據又一實施方式的堆疊封裝件12的截面圖。在圖9中，與圖1中使用的元件符號相同的元件符號指代相同的元件。
參照圖9，堆疊封裝件12可以包括封裝基板100、包括第一半導體晶粒200的扇出子封裝件500、包括第二半導體晶粒711的第一堆疊物701、包括第三半導體晶粒712的第二堆疊物702、第一接合佈線801和第二接合佈線802、第一連接凸塊601和第二連接凸塊602、以及外囊封層900。
第二虛設凸塊605可以設置在第一連接凸塊601所設置於的位置與第二連接凸塊602所設置於的位置之間。第二虛設凸塊605可以被與扇出子封 裝件500的中央部分相對應的第一半導體晶粒200交疊。第二虛設凸塊605可以包括至少兩個凸塊，以支撐扇出子封裝件500。第二虛設凸塊605可以設置在介電層350上。封裝基板100還可以包括第二虛設凸塊605所接合至的第二虛設指130。
第二虛設凸塊605可以用作用於在結構上支撐扇出子封裝件500的支撐體。第二虛設凸塊605可以使施加到扇出子封裝件500的負荷去集中化。第二虛設凸塊605可以充當用於分散在第一接合佈線801接合到第二半導體晶粒711的佈線接合工藝期間局部施加到扇出子封裝件500的壓力的分佈器。
圖8中例示的第一虛設凸塊604可以設置為包括至少兩個凸塊，並且可以設置在第一連接凸塊601所設置於的位置與第二連接凸塊602所設置於的位置之間。類似地，圖9中所例示的第二虛設凸塊605也可以設置為包括至少兩個凸塊，並且可以設置在第一連接凸塊601所設置於的位置與第二連接凸塊602所設置於的位置之間。第一虛設凸塊604和第二虛設凸塊605可以使外囊封層900更容易地填充扇出子封裝件500和封裝基板100之間的空間。在用於形成外囊封層900的模製工藝期間，模製材料可以填充扇出子封裝件500和封裝基板100之間的空間。第一虛設凸塊604和第二虛設凸塊605可以分散模製材料，以在模製工藝期間使模製材料均勻流動。因此，當執行模製工藝時，第一虛設凸塊604和第二虛設凸塊605可以防止、抑制或減輕在扇出子封裝件500與封裝基板100之間的空間中產生空隙。
在實施方式中，扇出子封裝件500和封裝基板100之間的空間可以用底部填充材料填充。在這種情況下，第一虛設凸塊604和第二虛設凸塊605可以改善底部填充材料的可流動性，以防止在扇出子封裝件500與封裝基板100之間的空間中形成空隙。
圖10是例示包括採用根據實施方式的至少一個堆疊封裝件的記憶卡7800的電子系統的方塊圖。記憶卡7800包括諸如非揮發性記憶體裝置之類 的記憶體7810和記憶體控制器7820。記憶體7810和記憶體控制器7820可以存儲資料和/或讀出所存儲的資料。記憶體7810和記憶體控制器7820中的至少一個可以包括根據實施方式的至少一個堆疊封裝件。
記憶體7810可以包括可以應用本公開的教導的非揮發性記憶體裝置。記憶體控制器7820可以控制記憶體7810，使得回應於來自主機7830的讀取請求或寫入請求，而讀出所存儲的資料或存儲資料。
圖11是例示包括根據實施方式的至少一個堆疊封裝件的電子系統8710的方塊圖。電子系統8710可以包括控制器8711、輸入/輸出單元8712和記憶體8713。控制器8711、輸入/輸出單元8712和記憶體8713可以通過提供資料移動所經由的路徑的匯流排8715彼此耦接。
在實施方式中，控制器8711可以包括一個或更多個微處理器、數位訊號處理器、微控制器和/或能夠執行與這些元件相同的功能的邏輯裝置。控制器8711和/或記憶體8713可以包括根據本公開的實施方式的至少一個堆疊封裝件。輸入/輸出單元8712可以包括從小鍵盤、鍵盤、顯示裝置、觸控式螢幕等當中選擇的至少一個。記憶體8713是用於存儲資料的裝置。記憶體8713可以存儲控制器8711要執行的命令和/或資料等。
記憶體8713可以包括諸如DRAM之類的揮發性記憶體裝置和/或諸如快閃記憶體之類的非揮發性記憶體裝置。例如，快閃記憶體可以安裝到諸如移動終端或臺式電腦之類的資訊處理系統。快閃記憶體可以構成固態磁碟(SSD)。在這種情況下，電子系統8710可以在快閃記憶體系統中穩定地存儲大量資料。
電子系統8710還可以包括被配置為向通訊網路發送資料和從通訊網路接收資料的介面8714。介面8714可以是有線型的或無線型的。例如，介面8714可以包括天線、或者有線或無線收發器。
電子系統8710可以實現為執行各種功能的移動系統、個人電腦、工業電腦或邏輯系統。例如，移動系統可以是個人數位助理(PDA)、可攜式電腦、平板電腦、行動電話、智慧型電話、無線電話、膝上型電腦、記憶卡、數位音樂系統、以及資訊發送/接收系統中的任何之一。
如果電子系統8710表示能夠執行無線通訊的裝備，則電子系統8710可用於使用分碼多工存取(code division multiple access，CDMA)、全球移動通訊系統(global system for mobile communications，GSM)、北美數位蜂窩(north American digital cellular，NADC)、增強型分時多工存取(enhanced-time division multiple access，E-TDMA)、寬頻分碼多工存取(wideband code division multiple access，WCDMA)、CDMA2000、長期演進(long term evolution，LTE)、或無線寬頻互聯網(wireless broadband internet，Wibro)中的一協定的通訊系統中。
已經出於示例的目的而呈現了本公開的有限數量的可能實施方式。本領域技術人員將理解，在不脫離本公開和所附申請專利範圍的範疇和精神的情況下，可以進行各種修改、添加和替換。
10:堆疊封裝件
100:封裝基板
101:第一表面
102:第二表面
109:外連接器
140:第一佈線接合指
150:第一凸塊接合指
160:第一互連線
170:第二佈線接合指
180:第二凸塊接合指
190:第二互連線
200:第一半導體晶粒
201:表面
210:第一晶粒襯墊
220:第二晶粒襯墊
300:內囊封層
350:介電層
401:第一再分配線(RDL)圖案
402:第二再分配線(RDL)圖案
411:第一部分
412:第一延伸部分
413:第二部分
415:第三部分
416:第二延伸部分
417:第四部分
500:扇出子封裝件
601:第一連接凸塊
601-1:第一組第一連接凸塊
601-2:第二組第一連接凸塊
602:第二連接凸塊
602-1:第一組第二連接凸塊
602-2:第二組第二連接凸塊
611:凸塊主體
612:導電黏合層
701:第一堆疊物
701S:第一階梯結構
702:第二堆疊物
702S:第二階梯結構
711:第二半導體晶粒
711B:第二最底端半導體晶粒
712:第三半導體晶粒
721:第一黏合層
722:第二黏合層
801:第一接合佈線
802:第二接合佈線
811:第一子接合佈線
821:第二子接合佈線
900:外囊封層

Claims (20)

  1. 一種堆疊封裝件，該堆疊封裝件包括： 封裝基板； 扇出子封裝件，所述扇出子封裝件使用第一連接凸塊和第二連接凸塊安裝在所述封裝基板上； 第二半導體晶粒的第一堆疊物，所述第一堆疊物堆疊在所述扇出子封裝件上； 第三半導體晶粒的第二堆疊物，所述第二堆疊物堆疊在所述第二半導體晶粒上； 第一接合佈線，所述第一接合佈線連接至所述第二半導體晶粒；以及 第二接合佈線，所述第二接合佈線連接至所述第三半導體晶粒， 其中，所述封裝基板包括： 第一佈線接合指，所述第一佈線接合指連接至所述第一接合佈線； 第二佈線接合指，所述第二佈線接合指連接至所述第二接合佈線； 第一凸塊接合指，所述第一連接凸塊連接至所述第一凸塊接合指；以及 第二凸塊接合指，所述第二連接凸塊連接至所述第二凸塊接合指，並且 其中，所述扇出子封裝件包括： 囊封層，所述囊封層嵌入有第一半導體晶粒； 第一再分配線（RDL）圖案，所述第一再分配線圖案從所述第一半導體晶粒的表面延伸並且連接至設置在所述囊封層的底表面上的所述第一連接凸塊；以及 第二再分配線圖案，所述第二再分配線圖案從所述第一半導體晶粒的所述表面延伸並且將所述第一半導體晶粒連接至設置在所述囊封層的所述底表面上的所述第二連接凸塊。
  2. 根據請求項1所述的堆疊封裝件， 其中，所述第二半導體晶粒被堆疊為具有沿從所述第一佈線接合指指向所述第二佈線接合指的第一偏移方向的偏移，以提供第一階梯結構；並且 其中，所述第三半導體晶粒被堆疊為具有沿從所述第二佈線接合指指向所述第一佈線接合指的第二偏移方向的偏移，以提供第二階梯結構。
  3. 根據請求項1所述的堆疊封裝件，其中， 所述第一佈線接合指位於所述扇出子封裝件的第一側上；並且 所述第二佈線接合指位於所述扇出子封裝件的第二側上，所述第二側與所述扇出子封裝件的所述第一側相對。
  4. 根據請求項1所述的堆疊封裝件，其中，所述第一半導體晶粒設置在所述封裝基板的位於所述第一佈線接合指和所述第二佈線接合指之間的中央部分上方。
  5. 根據請求項1所述的堆疊封裝件，其中，所述第一連接凸塊和所述第二連接凸塊與所述第一半導體晶粒橫向間隔開。
  6. 根據請求項1所述的堆疊封裝件，其中，所述封裝基板還包括： 第一互連線，所述第一互連線分別將所述第一佈線接合指連接至所述第一凸塊接合指；以及 第二互連線，所述第二互連線分別將所述第二佈線接合指連接至所述第二凸塊接合指。
  7. 根據請求項6所述的堆疊封裝件，其中，所述第一半導體晶粒包括： 第一晶粒襯墊，所述第一晶粒襯墊分別電連接至所述第一再分配線圖案；以及 第二晶粒襯墊，所述第二晶粒襯墊分別電連接至所述第二再分配線圖案， 其中，所述第一晶粒襯墊和所述第二晶粒襯墊的寬度小於所述第一連接凸塊和所述第二連接凸塊的直徑。
  8. 根據請求項7所述的堆疊封裝件，其中， 所述第一晶粒襯墊、所述第一再分配線圖案、所述第一連接凸塊、所述第一凸塊接合指、所述第一互連線和所述第一佈線接合指形成第一電路徑；並且 所述第二晶粒襯墊、所述第二再分配線圖案、所述第二連接凸塊、所述第二凸塊接合指、所述第二互連線和所述第二佈線接合指形成第二電路徑。
  9. 根據請求項8所述的堆疊封裝件，其中，所述第一電路徑分別與所述第二電路徑具有相同的長度。
  10. 根據請求項7所述的堆疊封裝件，其中，所述第一晶粒襯墊沿著所述第一半導體晶粒的邊緣以Z字方式排列成兩行。
  11. 根據請求項10所述的堆疊封裝件，其中，所述第一連接凸塊以Z字方式排列成兩行，以對應於以Z字方式排列成兩行的所述第一晶粒襯墊。
  12. 根據請求項7所述的堆疊封裝件，其中，所排列的所述第一連接凸塊的節距大於所排列的所述第一晶粒襯墊的節距。
  13. 根據請求項12所述的堆疊封裝件，其中，所排列的所述第一佈線接合指的節距小於所排列的所述第一連接凸塊的節距。
  14. 根據請求項7所述的堆疊封裝件，其中，所述第一晶粒襯墊和所述第二晶粒襯墊沿著所述第一半導體晶粒的邊緣以環形佈局設置。
  15. 根據請求項7所述的堆疊封裝件，其中， 所述第一晶粒襯墊和所述第二晶粒襯墊位於所述第一半導體晶粒的主體表面上； 所述第一晶粒襯墊的位置相對於所述第一半導體晶粒的所述主體表面上的中心點與所述第二晶粒襯墊的位置點對稱； 所述第一連接凸塊的位置相對於所述第一半導體晶粒與所述第二連接凸塊的位置對稱；並且 所述第一佈線接合指的位置相對於所述第一半導體晶粒與所述第二佈線接合指的位置對稱。
  16. 根據請求項1所述的堆疊封裝件，其中，所述第一半導體晶粒的尺寸小於所述第二半導體晶粒的尺寸。
  17. 根據請求項1所述的堆疊封裝件，其中，所述扇出子封裝件的尺寸基本等於或大於所述第二半導體晶粒當中被堆疊為最靠近所述扇出子封裝件的第二最底端半導體晶粒的尺寸。
  18. 根據請求項17所述的堆疊封裝件，其中，所述第二最底端半導體晶粒設置為與所述扇出子封裝件完全交疊。
  19. 根據請求項1所述的堆疊封裝件，其中，所述扇出子封裝件具有延伸超過所述第一堆疊物的側表面的突出部。
  20. 一種堆疊封裝件，該堆疊封裝件包括： 封裝基板； 扇出子封裝件，所述扇出子封裝件使用第一連接凸塊和第二連接凸塊安裝在所述封裝基板上； 第二半導體晶粒，所述第二半導體晶粒堆疊在所述扇出子封裝件上以提供階梯結構； 接合佈線，所述接合佈線將所述第二半導體晶粒連接至所述封裝基板；以及 虛設凸塊，所述虛設凸塊設置在所述第一連接凸塊和所述第二連接凸塊之間，以在結構上支撐所述扇出子封裝件， 其中，所述扇出子封裝件包括： 囊封層，所述囊封層嵌入有第一半導體晶粒； 第一再分配線（RDL）圖案，所述第一再分配線圖案從所述第一半導體晶粒的表面延伸並且連接至設置在所述囊封層的底表面上的所述第一連接凸塊；以及 第二再分配線圖案，所述第二再分配線圖案從所述第一半導體晶粒的所述表面延伸並且將所述第一半導體晶粒連接至設置在所述囊封層的所述底表面上的所述第二連接凸塊。
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