TWI832890B - 熱管理系統 - Google Patents

熱管理系統 Download PDF

Info

Publication number
TWI832890B
TWI832890B TW108131183A TW108131183A TWI832890B TW I832890 B TWI832890 B TW I832890B TW 108131183 A TW108131183 A TW 108131183A TW 108131183 A TW108131183 A TW 108131183A TW I832890 B TWI832890 B TW I832890B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
flow paths
flow
management system
thermal management
substrate
Prior art date
Application number
TW108131183A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202025305A (zh
Inventor
特賈斯 烏拉維
迪力提曼蘇哈 卡許葉
桑傑夫 巴魯札
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW202025305A publication Critical patent/TW202025305A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI832890B publication Critical patent/TWI832890B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
    • F28D1/00—Heat-exchange apparatus having stationary conduit assemblies for one heat-exchange medium only, the media being in contact with different sides of the conduit wall, in which the other heat-exchange medium is a large body of fluid, e.g. domestic or motor car radiators
    • F28D1/02—Heat-exchange apparatus having stationary conduit assemblies for one heat-exchange medium only, the media being in contact with different sides of the conduit wall, in which the other heat-exchange medium is a large body of fluid, e.g. domestic or motor car radiators with heat-exchange conduits immersed in the body of fluid
    • F28D1/04—Heat-exchange apparatus having stationary conduit assemblies for one heat-exchange medium only, the media being in contact with different sides of the conduit wall, in which the other heat-exchange medium is a large body of fluid, e.g. domestic or motor car radiators with heat-exchange conduits immersed in the body of fluid with tubular conduits
    • F28D1/047—Heat-exchange apparatus having stationary conduit assemblies for one heat-exchange medium only, the media being in contact with different sides of the conduit wall, in which the other heat-exchange medium is a large body of fluid, e.g. domestic or motor car radiators with heat-exchange conduits immersed in the body of fluid with tubular conduits the conduits being bent, e.g. in a serpentine or zig-zag
    • F28D1/0471—Heat-exchange apparatus having stationary conduit assemblies for one heat-exchange medium only, the media being in contact with different sides of the conduit wall, in which the other heat-exchange medium is a large body of fluid, e.g. domestic or motor car radiators with heat-exchange conduits immersed in the body of fluid with tubular conduits the conduits being bent, e.g. in a serpentine or zig-zag the conduits having a non-circular cross-section
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F27/00—Control arrangements or safety devices specially adapted for heat-exchange or heat-transfer apparatus
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F27/00—Control arrangements or safety devices specially adapted for heat-exchange or heat-transfer apparatus
    • F28F27/02—Control arrangements or safety devices specially adapted for heat-exchange or heat-transfer apparatus for controlling the distribution of heat-exchange media between different channels
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F3/00—Plate-like or laminated elements; Assemblies of plate-like or laminated elements
    • F28F3/12—Elements constructed in the shape of a hollow panel, e.g. with channels
    • F28F3/14—Elements constructed in the shape of a hollow panel, e.g. with channels by separating portions of a pair of joined sheets to form channels, e.g. by inflation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
    • F28D21/00—Heat-exchange apparatus not covered by any of the groups F28D1/00 - F28D20/00
    • F28D2021/0019—Other heat exchangers for particular applications; Heat exchange systems not otherwise provided for
    • F28D2021/0028—Other heat exchangers for particular applications; Heat exchange systems not otherwise provided for for cooling heat generating elements, e.g. for cooling electronic components or electric devices
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F2210/00—Heat exchange conduits
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F2210/00—Heat exchange conduits
    • F28F2210/02—Heat exchange conduits with particular branching, e.g. fractal conduit arrangements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F2250/00—Arrangements for modifying the flow of the heat exchange media, e.g. flow guiding means; Particular flow patterns
    • F28F2250/10—Particular pattern of flow of the heat exchange media
    • F28F2250/102—Particular pattern of flow of the heat exchange media with change of flow direction
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F2260/00—Heat exchangers or heat exchange elements having special size, e.g. microstructures
    • F28F2260/02—Heat exchangers or heat exchange elements having special size, e.g. microstructures having microchannels
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K13/00—Thermometers specially adapted for specific purposes
    • G01K13/02—Thermometers specially adapted for specific purposes for measuring temperature of moving fluids or granular materials capable of flow
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • G01K7/021—Particular circuit arrangements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

本申請案描述了一熱管理系統，該熱管理系統包括流體通道，該流體通道具有沿著第一熱質量中的第一位凖延伸的複數個平行的第一流動路徑和沿著第二熱質量中的第二位凖延伸的複數個平行的第二流動路徑。本申請案亦描述了用於控制基板或加熱器表面和流體歧管的溫度的方法。

Description

熱管理系統
本申請案的實施例大體上涉及用於基板處理腔室的熱管理系統。本申請案的一些實施例涉及熱管理系統，該等熱管理系統提供對單個處理腔室中的多個基板處理區域的嚴格溫度控制。
基板處理方法通常需要將基板保持在高溫。許多處理方案中使用的反應可取決於溫度，且隨著裝置維度的縮小，對沉積或蝕刻速率變化的敏感性也會增加。例如，用於SiN的ALD沉積處理可能需要在保持在450℃的整個基板表面上的溫度變化小於0.5℃。
此外，處理產量是生產一系列電子裝置的成本中的重要因素。製造商正在尋找能夠可靠地、快速地生產密集封裝裝置的處理和設備。集群式處理腔室是提高產量的一項創新。集群式處理腔室提供了獨特的能力，可在不破壞真空的情況下在基板上執行多個處理。不幸的是，將基板從一個腔室轉移到另一個腔室所需的時間減慢了產量。作為回應，現在正在開發能夠在多個處理環境中皆在同一腔室內處理多個基板的處理腔室。多個處理環境處理系統具有與熱損失和熱均勻性有關的不同問題。
因此，需要在處理期間提供對多個基板的嚴格溫度控制的熱管理系統。
本申請案的一或多個實施例涉及熱管理系統，該熱管理系統包括具有第一端和第二端的冷卻通道。第一端與沿著第一熱質量中的第一位凖延伸的複數個平行的第一流動路徑流體連通。複數個第一流動路徑與沿著第二熱質量中的第二位凖延伸的複數個平行的第二流動路徑流體連通。
本申請案的另外的實施例涉及控制基板溫度的方法。方法包括以下步驟：使冷卻劑流過具有第一端和第二端的冷卻通道。第一端與沿著第一熱質量中的第一位凖延伸的複數個平行的第一流動路徑流體連通。複數個第一流動路徑與沿著第二熱質量中的第二位凖延伸的複數個平行的第二流動路徑流體連通。第二流動路徑中的每一者圍繞基板。
本申請案的其他實施例涉及冷卻歧管。冷卻歧管包括入口、至少一個導管和出口。入口經配置成將熱交換器與沿著第一位凖延伸的複數個平行的第一流動路徑連接。至少一個導管經配置成將複數個平行的第一流動路徑與沿著第二位凖延伸的複數個平行的第二流動路徑連接。出口經配置成將複數個平行的第二流動路徑與熱交換器連接。
在描述本申請案的幾個示例性實施例之前，應理解，本申請案不限於在以下描述中闡述的構造或處理步驟的細節。本申請案能夠具有其他實施例且能夠以各種方式被實施或執行。
如在本說明書和所附申請專利範圍中所使用的，術語「基板」是指處理作用於其上的表面或表面的一部分。所屬技術領域中具有通常知識者進一步將理解的是，除非上下文另外明確指出，否則對基板的引用也可僅指基板的一部分。另外，提及在基板上沉積可指裸基板和在其上沉積或形成有一或多個膜或特徵的基板兩者。
如本文所使用，「基板」是指在製造處理中在其上執行膜處理的基板上形成的任何基板或材料表面。例如，可在其上執行處理的基板表面包括如矽、氧化矽、應變矽、絕緣體上矽（SOI）、碳摻雜的氧化矽、非晶矽、摻雜的矽、鍺、砷化鎵、玻璃、藍寶石的材料及任何其他如金屬、金屬氮化物、金屬合金和其他導電材料的材料，視應用而定。基板包括但不限於半導體晶圓。可將基板暴露於預處理過程中以拋光、蝕刻、還原、氧化、羥基化、退火、UV固化、電子束固化及/或烘烤基板表面。除了直接在基板本身的表面上進行膜處理之外，在本申請案中，所揭露的任何膜處理步驟亦可在形成於基板上的底層上進行(如下文更詳細地揭露)，及術語「基板表面」旨在包括上下文指示的底層。因此，例如，在膜/層或部分膜/層已沉積在基板表面上的情況下，新沉積的膜/層的暴露表面成為基板表面。
本申請案的實施例涉及用於基板處理區域及/或基座加熱器/冷卻器的熱管理以提供對稱的導電和輻射邊界條件的設備和方法。本申請案的示例性實施例提供了用於對稱冷卻基板支撐組件（也稱為旋轉器）的分佈式冷卻迴路設計。本申請案的一些實施例有利地提供了在小於或等於約0.5℃之基板處理區域中整個基板上的溫度變化。本申請案的一些實施例有利地提供了一種用以控制多個基板處理區域的熱管理系統。一些實施例在加熱器或冷卻器周圍提供均勻的傳導和輻射傳熱環境。一些實施例提供有效利用空間和能量的單個熱交換器冷卻迴路。一些實施例提供了相對容易組裝和維修的熱管理系統。
圖1A示出了根據本申請案的一些實施例的支撐組件100的平行投影圖。圖1B示出了圖1A的基板支撐組件100的橫截面側視圖。圖2示出了不具有加熱器的支撐組件100的平行投影圖。
支撐組件100包括可旋轉的基座110(也稱為旋轉器)。可旋轉的基座110可具有對稱或不對稱的形狀。在所示實施例中，可旋轉的基座110具有大致十字形的形狀，其具有從中心轂115延伸的四個支撐臂120。
可旋轉的基座110繞旋轉軸111旋轉112，以使支撐臂120沿圓形或弓形路徑移動。旋轉軸111在第一方向上延伸，該第一方向也稱為z軸或垂直方向。所屬技術領域中具有通常知識者將認識到，以此方式使用的術語「垂直」不限於垂直於重力的方向。
在一些實施例中，支撐組件100包括連接到中心轂115並從中心轂115延伸的複數個支撐臂120。支撐臂120具有內端121和外端122。內端121接觸中心轂115，使得當中心轂115繞旋轉軸111旋轉時，支撐臂120也旋轉。支撐臂120可藉由緊固件（例如，螺栓及焊接）或藉由與中心轂115一體地形成而在內端121處連接至中心轂115。
支撐組件100中的支撐臂120的數量可變化。在一些實施例中，有至少兩個支撐臂120。在一些實施例中，有三個支撐臂120。在一些實施例中，如圖所示，有四個支撐臂120。在一些實施例中，有五個支撐臂120。在一些實施例中，有六個支撐臂120。
支撐臂120可對稱地圍繞中心轂115佈置。例如，在具有四個支撐臂120的支撐組件100中，每個支撐臂120都圍繞中心轂115以90°間隔定位。在具有三個支撐臂120的支撐組件100中，支撐臂120圍繞中心轂115以120°的間隔定位。
中心轂115連接到支柱130或為支柱130的一部分。支柱130可藉由任何合適的緊固件（例如，螺栓及焊接）來連接到中心轂115或可與中心轂115一體形成。支柱130沿旋轉軸111延伸一定長度。支柱130的長度將可旋轉的基座110與頂板140分開。
頂板140具有限定頂板140的厚度的頂表面141和底表面142。頂板140可具有複數個開口144，其可提供用於將基板支撐在單獨的部件上或在頂板140的頂表面141上形成的凹口（未示出）上的區域。
在一些實施例中，頂板140藉由任何合適的緊固件（例如，螺栓及焊接）附接到支柱130。頂板140可固定到支柱130，使得頂板140在支撐組件100的作用下（沿z軸）垂直地移動並繞旋轉軸111旋轉。
在一些實施例中，加熱器150經位於支撐臂120的外端122處。在一些實施例中，每個支撐臂120具有加熱器150。加熱器150具有支撐表面151，該支撐表面151可支撐用於處理的基板。
如圖2所示，加熱器150可定位在位於支撐臂120的外端122處的加熱器基座123上。加熱器基座123可包括向加熱器150供電的連接、用於測量溫度的合適佈線或其他部件。加熱器基座123的中心位於距旋轉軸111一定距離處，使得在中心轂115旋轉112時，加熱器基座123沿圓形路徑移動。當加熱器150位於加熱器基座123上時，加熱器150隨著支撐組件100的旋轉112移動。
加熱器150可以是技術人員已知的任何合適類型的加熱器。在一些實施例中，加熱器是電阻式加熱器，其中在加熱器主體內具有一或多個加熱元件。
基板可藉由重力、靜電吸盤或其他合適的技術保持在支撐表面151上。一些實施例的加熱器包括附加部件。例如，加熱器可包括靜電吸盤。靜電吸盤可包括各種導線和電極，從而當加熱器移動時，位於加熱器支撐表面上的晶圓可被保持在適當的位置。這允許晶圓在處理開始時被夾緊在加熱器上，且在移動到不同的處理區域時保持在同一加熱器上的相同位置。
如圖1A所示，頂板140可包括一或多個可被定位在加熱器150周圍的開口144以幫助提供密封或屏障，從而最小化流到頂板140下方區域的氣體。在一些實施例中，頂板140位於支撐表面151下方，以使頂板140的頂表面141位於加熱器150的支撐表面151的下方。在一些實施例中，頂板140圍繞所有具有複數個開口144的加熱器，以允許進入加熱器150的支撐表面151。開口144可允許加熱器150或支撐表面151穿過頂板140。
在一些實施例中，頂板140具有形成主平面的頂表面141，該主平面與由加熱器150的支撐表面151形成的主平面大體上平行。在一些實施例中，頂板140具有形成主平面的頂表面141，該主平面與加熱器150的支撐表面151的主平面之間的距離基本上等於待處理晶圓的厚度，從而晶圓表面與頂板140的頂表面141基本上共面。以此方式使用時，術語「基本上共面」是指由在各個支撐表面形成的平面的±5°、±4°、±3°、±2°或±1°之內的其他支撐面形成的平面。
參考圖1B，可將支撐組件100分解成不同的熱質量。即使在整體形成的系統中，由於支撐組件100部件的體積和熱容量，熱質量可被視為是分開的。第一熱質量119位於可旋轉的基座110的位凖，及第二熱質量149位於頂板140的位凖。
圖3示出了與熱管理系統一起使用的流體通道200。所示的流體通道200可形成在支撐組件100內，使得各種流動路徑經配置成流過支撐臂120、支柱130和頂板140。如本文中所討論的，一些實施例的熱管理系統也可包括圖3中未示出的附加元件或部件。流體通道200也可被稱為冷卻通道或加熱通道。所屬技術領域中具有通常知識者將認識到，冷卻通道的描述也可涉及加熱通道，或更一般地涉及流體通道。
在一些實施例中，流體通道200具有第一端202和第二端204。流體通道200可為單個整體形成或焊接的部件，或可為以合適的液密密封件連接的多個不同的部件。在圖3中示出的實施例為具有三個區域的單個整體形成的部件：可旋轉的基座（第一位凖210）、支柱部分230和頂板部分（第二位凖240）。可旋轉的基座部分（第一位凖210）主要位於可旋轉的基座部分110內。支柱部分230主要位於支柱130內。頂板部分（第二位凖240）主要位於頂板140內。在沒有頂板140的實施例中，頂板部分（第二位凖240）可被省略或可在與加熱器150相關聯的表面內。
在一些實施例中，第一端202與複數個第一流動路徑220a、220b、220c及220d流體連通。如在本說明書中所使用的，具有單獨字母元件符號（例如220a及220b）的類似部件的術語一般可使用沒有後綴字母的元件符號來指代。例如，第一流動路徑220是指所有流動路徑220a、220b、220c及220d。雖然在圖3中示出了四個第一流動路徑220，但所屬技術領域中具有通常知識者將理解，可存在任何數量的第一流動路徑。
在一些實施例中，將第一流動路徑220a、220b、220c及220d平行佈置。就此而言，「平行」是指流動路徑從單個點分支出來或重新連接到單個點。應將「平行」的流動路徑理解為不同於串行的流動路徑。換句話說，流體同時流過第一流動路徑220的每個流動路徑、同時流過第二流動路徑250的每個流動路徑，且依次流過第一流動路徑220和第二流動路徑250之間，如下文所進一步描述的。因此，應在電子設備（例如，並聯電阻器）的背景中理解「平行」，而不是在幾何形狀（例如，平行線）的情況下理解。
在一些實施例中，每個第一流動路徑220a、220b、220c及220d具有相似的電導。就此而言，「電導」是指單個流動路徑能夠處理的流量或流速。電導可被認為是通過流動路徑的流動效率的量度。
在一些實施例中，複數個第一流動路徑220a-220d沿著第一熱質量119中的第一位凖延伸。第一熱質量119在圖3中未示出。圖4示出了示例性的第一熱質量119的俯視圖。參考圖4，流體通道200的第一端202與至少一個入口接合部217流體連通。所示的實施例具有兩個入口接合部217a及217b。所屬技術領域中具有通常知識者將認識到，取決於支撐臂120的數量和第一流動路徑220的形狀，可以有任何合適數量的入口接合部217。入口接合部217a及217b與沿著第一熱質量119中的第一位凖延伸的複數個第一流動路徑220a-220d流體連通。
在所示的實施例中，每個第一流動路徑220從入口接合部217延伸、通過圍繞加熱器基座123的支撐臂120到達出口接合部218。所示的實施例具有兩個出口接合部218a及218b，該兩個出口接合部218a及218b經佈置成使得每個第一流動路徑220從入口接合部217延伸、通過一個支撐臂120到達出口接合部。在所示的佈置中，有兩個第一流動路徑220，該兩個第一流動路徑220連接到每個入口接合部217和每個出口接合部218。
再次參考圖3，在一些實施例中，第一流動路徑220藉由導管260與複數個第二流動路徑250流體連通。導管260沿著支柱130的長度延伸，以允許第一熱質量119和第二熱質量149之間的流。在一些實施例中，如圖3至圖5所示，複數個第一流動路徑220和複數個第二流動路徑250每者均包括四個流動路徑。在一些實施例中，第二熱質量149包括頂板140。
參照圖3和圖5，複數個第二流動路徑250a-250d沿著第二熱質量149的第二位凖240延伸。第二熱質量149在圖1B中示出及在圖5中以俯視圖示出。導管260a、260b與入口接合部257a、257b及與沿著第二位凖240延伸的複數個第二流動路徑250a-250d流體連通。所示的實施例具有兩個入口接合部257a及257b。所屬技術領域中具有通常知識者將認識到，取決於第二流動路徑250和第二熱質量149的形狀，可以有任何合適數量的入口接合部257。入口接合部257a及257b與沿著第二熱質量149中的第二位凖240延伸的複數個第二流動路徑250a-250d流體連通。
在所示的實施例中，每個第二流動路徑250從入口接合部257圍繞開口144延伸到出口接合部258。所示實施例具有兩個出口接合部258a及258b，該兩個出口接合部258a及258b經佈置為使得每個第二流動路徑250從入口接合部257圍繞頂板140中的一個開口144延伸到出口接合部258。在所示的佈置中，有兩個第二流動路徑250連接到每個入口接合部257和每個出口接合部258。
參照圖3至圖6描述通過流體通道200的流。(圖6示出了圖3的區域VI的放大圖)。流體在第一端202中流動且在接合部271處分裂成兩個流動路徑272a及272b。流經流動路徑272a的流體在入口接合部217a進入第一位凖210並分裂成第一流動路徑220a和第一流動路徑220b。流經路徑272b的流體在入口接合部217b進入第一位凖210並分裂成第一流動路徑220c和第一流動路徑220d。
第一流動路徑220a-220d中的每一者皆流過第一位凖210到達出口接合部218a及218b。通過第一流動路徑220a的流與出口接合部218b流體連通。通過第一流動路徑220b的流與出口接合部218a流體連通。通過第一流動路徑220c的流與出口接合部218a流體連通。通過第一流動路徑220d的流與出口接合部218b流體連通。因此，在接合部271a和271b處的分流的流在出口接合部218a和218b處結合時混合。
流體從出口接合部218a通過導管260a流到第二位凖240處的接合部257a。流體從出口接合部218b流過導管260b到達第二位凖240的接合部257b。導管260a中的流體在入口接合部257a處分流成進入第二流動路徑250b和250c。導管260b中的流體在入口接合部257b處分流成第二流動路徑250d和250a。
如圖5所示，第二流動路徑250可圍繞頂板140中的開口144延伸並藉由出口接合部258a及258b離開第二位凖240。流經第二流動路徑250a和第二流動路徑250b的流體在出口接合部258a處合併。流經第二流動路徑250c和第二流動路徑250d的流體在出口接合部258b處合併。來自出口接合部258a和258b的流體可在另一個接合部（未顯示）處合併，以流出流體通道200的第二端204。
在一些實施例中，導管260的數量小於第一流動路徑220的數量且小於第二流動路徑250的數量。就這一點而言，第一流動路徑220和第二流動路徑250不直接建立一對一關係。換句話說，在一些實施例中，至少兩個第一流動路徑220在與第二流動路徑250連接之前合併。在一些實施例中，如圖所示，複數個第一流動路徑220和複數個第二流動路徑250分別包括四個流動路徑，且導管260的數量為兩個。在一些實施例中，第一流動路徑220結合到一個導管260以在第一位凖210和第二位凖240之間流動。
如圖所示，一些實施例的導管260通常是直的。在一些實施例中，導管260基本上垂直於由第一流動路徑及/或第二流動路徑形成的平面延伸。以這種方式使用時，術語「基本上垂直」是指導管的角度在90º的±30º、±20º、±10º或±5º之內。在一些實施例中，導管260在第一流動路徑和第二流動路徑之間遵循彎曲路徑。
圖7示出了其中流路經佈置成逆流迴路佈置的另一實施例。如在這方面所使用的，逆流迴路兩次穿過區域(每個方向一次)，以提供更好的熱控制。圖7示出了根據一或多個實施例之其中第二位凖240圍繞一個開口144流動的頂板140的一部分。所示的配置提供了流體（例如，冷卻劑）沿第一方向710流入迴路700，以藉由直徑為D1的路徑圍繞區域R（在這種情況下為開口144）。一旦已包圍（或幾乎包圍）區域，路徑就以直徑D2沿相反方向720圍繞區域R返回。在一些實施例中，直徑D1大於直徑D2。在一些實施例中，直徑D1小於直徑D2。在一些實施例中，兩個路徑（順時針和逆時針）是同心的。
在一些實施例中，第一端202和第二端204流體連接以形成冷卻迴路。在一些實施例中，第一端202和第二端204流體地連接到熱交換器290（在圖1B中示出）。熱交換器290可以是經配置或佈置成控制流體通道200中的流體（例如，冷卻劑）的溫度的任何合適的部件。
在一些實施例中，流體通道包含冷卻劑（即，作為冷卻通道）。冷卻劑可以是任何合適的冷卻劑，其包括但不限於乙二醇(glycol)（例如，乙二醇(ethylene glycol)）、去離子水、全氟化聚醚（如，可從Solvay S.A.獲得的Galden® ），或上述的溶液或組合。
在一些實施例中，熱管理系統進一步包括至少一個控制器300。在一些實施例中，至少一個控制器300耦合到熱交換器290、沿著流體通道的任何閥或增壓室、泵等中的一或多者。控制器300可以是任何形式之可在工業環境中用於控制各種腔室和子處理器的通用電腦處理器、微控制器、微處理器等中的一者。
至少一個控制器300可具有處理器302、耦合到處理器302的記憶體304、耦合到處理器302的輸入/輸出裝置306及支持電路308，以在不同的電子部件之間進行通訊。記憶體可包括暫態記憶體（例如，隨機存取記憶體）和非暫態記憶體（例如，存儲器）中的一或多者。
處理器的記憶體或電腦可讀取媒體可以是易於取得的記憶體中的一或多者，該等易於取得的記憶體如隨機存取記憶體（RAM）、唯讀記憶體（ROM）、軟碟、硬碟或任何其他本端或遠端數位存儲形式的記憶體。記憶體可保留可由處理器操作以控制系統的參數和部件的指令集。支持電路經耦合到處理器，以用常規方式支持處理器。電路可包括(例如)快取、電源、時鐘電路、輸入/輸出電路及子系統等。
處理通常可作為軟體常式存儲在記憶體中，該軟體常式在由處理器執行時使處理腔室執行本申請案的處理。軟體常式也可由第二處理器存儲及/或執行，該第二處理器遠離由處理器控制的硬體。本申請案的一些或全部處理和方法也可在硬體中執行。如此一來，處理可用軟體實現且可使用電腦系統以硬體（例如，專用積體電路或其他類型的硬體實現）或以軟體和硬體的組合來執行。當由處理器執行軟體常式時，該軟體常式將通用電腦轉換為控制熱管理系統的操作以執行處理和方法的專用電腦（控制器）。
在一些實施例中，控制器300具有一或多種配置以執行單獨的處理或子處理。控制器300可連接到並配置成操作中間部件以執行處理和方法的功能。例如，控制器可連接到並配置為控制閥、執行器、馬達及泵等中的一或多者。
一些實施例的控制器300具有選自以下的一或多種配置：藉由流體通道泵送流體（例如，冷卻劑）或使流體流動的配置；用於測量流體溫度的配置；用於測量基板處理區域的溫度變化的配置；測量加熱器表面溫度的配置；及控制熱交換器的操作的配置。
如圖8所示，本申請案的另外的實施例涉及流體歧管800。本申請案的一些實施例涉及冷卻歧管（即，冷卻劑流過的流體歧管800）。在一些實施例中，流體歧管800是支柱130或中心轂115的一部分。在所示的實施例中，流體歧管800包括入口810、至少一個導管820和出口830。在一些實施例中，流體歧管800可以是支柱130或包含在支柱130內。
在一些實施例中，入口810經配置成將熱交換器290與沿著第一位凖210延伸的複數個平行的第一流動路徑220連接。在一些實施例中，至少一個導管820被配置成將複數個平行的第一流動路徑220與沿著第二位凖240延伸的複數個平行的第二流動路徑250連接。在一些實施例中，出口830經配置成將複數個平行的第二流動路徑250與熱交換器290連接。
本申請案的一些實施例涉及控制加熱器支撐表面或基板的溫度的方法。一些實施例有利地提供了基板的溫度控制，使得基板上的溫度變化最小化。在一些實施例中，方法將基板（或加熱器支撐表面）的溫度控制在小於或等於約0.5℃、小於或等於約0.4℃、小於或等於約0.3℃、小於或等於約0.2℃、或小於或等於約0.15℃的範圍（最小溫度和最大溫度之間的差）內。
在一些實施例中，在升高的溫度下測量基板或加熱器支撐表面的溫度變化。在一些實施例中，在大於或等於約400℃、大於或等於約450℃、大於或等於約500℃、大於或等於約550°C的基板（或表面）溫度下測量基板的溫度變化。在一些實施例中，在約400℃、約450℃、約500℃、約525℃、約550℃、約575℃或約600°C的基板溫度下測量基板（或支撐表面）的溫度變化。
在一些實施例中，方法提供用於將第一熱質量和第二熱質量維持在接近於第一端處的冷卻劑之溫度的溫度。就此而言，若溫度在±20°C、±10°C、±5°C、±2°C、±1°C或±0.5°C之內，則該溫度接近另一個溫度。
在整份說明書中，對「一個實施例」、「某些實施例」、「一或多個實施例」或「一實施例」的引用是指結合實施例描述的特定特徵、結構、材料或特性包含在本申請案的至少一個實施例中。因此，在整個說明書中各個地方出現如「在一或多個實施例中」、「在某些實施例中」、「在一個實施例中」或「在一實施例中」之類的術語不一定是指本說明書的相同實施例。此外，在一或多個實施例中，可用任何合適的方式來組合特定的特徵、結構、材料或特性。
儘管已參考特定實施例描述了本申請案，但所屬技術領域中具有通常知識者將理解，所描述的實施例僅是本申請案的原理和應用的說明。對於所屬技術領域中具有通常知識者將顯而易見的是，在不脫離本申請案的精神和範疇的情況下，可對本申請案的方法和設備進行各種修改和變化。因此，本申請案可包括在所附申請專利範圍及其等同物的範疇內的修改和變化。
100:支撐組件 110:基座 111:旋轉軸 112:旋轉 115:中心轂 119:第一熱質量 120:支撐臂 121:內端 122:外端 123:加熱器基座 130:支柱 140:頂板 141:頂表面 142:底表面 144:開口 149:第二熱質量 150:加熱器 151:支撐表面 200:流體通道 202:第一端 204:第二端 210:第一位凖 217:入口接合部 217a-217b:入口接合部 218:出口接合部 218a-218b:出口接合部 220:第一流動路徑 220a-220d:第一流動路徑 230:支柱部分 240:第二位凖 250:第二流動路徑 250a-250d:第二流動路徑 257:入口接合部 257a-257b:入口接合部 258:出口接合部 258a-258b:出口接合部 260:導管 260a-260b:導管 271:接合部 271a、271b:接合部 272a-272b:流動路徑 290:熱交換器 300:控制器 302:處理器 304:記憶體 306:輸入/輸出裝置 308:支持電路 700:迴路 710:第一方向 720:相反方向 800:流體歧管 810:入口 820:導管 830:出口
為了可詳細地理解本申請案的上述特徵的方式，可藉由參考實施例來對上文所簡要概述的本申請案進行更詳細的描述，其中一些實施例在附圖中示出。然而，應當注意，附圖僅示出了本申請案的典型實施例，因此不應被認為是對其範圍的限制；因本申請案可允許其他等效的實施例。
圖1A示出了根據本申請案的一或多個實施例的支撐組件的視圖；
圖1B示出了圖1A的支撐組件的橫截面視圖；
圖2示出了根據本申請案的一或多個實施例的不具有加熱器的支撐組件；
圖3示出了根據本申請案的一些實施例的冷卻通道；
圖4示出了根據本申請案的一些實施例的基板支撐組件的第一熱質量的示意性俯視圖；
圖5示出了根據本申請案的一些實施例的基板支撐組件的第二熱質量的示意性俯視圖；
圖6示出了圖3的區域VI的放大圖；
圖7示出了根據本申請案的一些實施例的使用逆流迴路的熱質量的局部示意性俯視圖；及
圖8示出了根據本申請案的一些實施例的流體分配歧管的立體圖，其示出了內部結構。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
200:流體通道
202:第一端
204:第二端
210:第一位準
220a-220d:第一流動路徑
230:支柱部分
240:第二位準
250:第二流動路徑
250a-250d:第二流動路徑
260:導管
260a-260b:導管

Claims (20)

  1. 一種熱管理系統，其包括一流體通道，該流體通道具有一第一端和一第二端，該第一端與沿著一第一熱質量中的一第一位凖延伸的複數個平行的第一流動路徑流體連通，該複數個第一流動路徑與沿著一第二熱質量中的一第二位凖延伸的複數個平行的第二流動路徑流體連通。
  2. 如請求項1所述之熱管理系統，其中該第一端和該第二端流體地連接至一熱交換器。
  3. 如請求項1所述之熱管理系統，其中該第一熱質量包括一支撐組件，及該等第一流動路徑中之每一者圍繞一加熱器基座。
  4. 如請求項1所述之熱管理系統，其中該第二熱質量包括一頂板，及該等第二流動路徑中之每一者圍繞一基板處理區域。
  5. 如請求項1所述之熱管理系統，其中該等第一流動路徑和該等第二流動路徑中的每一者以一逆流佈置來佈置。
  6. 如請求項1所述之熱管理系統，其中該複數個第一流動路徑包括與該複數個第二流動路徑相同數量的流動路徑。
  7. 如請求項6所述之熱管理系統，其中該複數個第一流動路徑和該複數個第二流動路徑各自包括四個流動路徑。
  8. 如請求項1所述之熱管理系統，其中該複數個第一流動路徑和該複數個第二流動路徑藉由多個導管連接，該多個導管之數量小於該複數個第一流動路徑之數量及小於該複數個第二流動路徑之數量。
  9. 如請求項8所述之熱管理系統，其中該複數個第一流動路徑和該複數個第二流動路徑各自包括四個流動路徑，且該多個導管之數量為兩個。
  10. 如請求項1所述之熱管理系統，進一步包括在該流體通道內之包含乙二醇的一冷卻劑。
  11. 如請求項1所述之熱管理系統，其中該第一端和該第二端流體地連接至一熱交換器，該第二熱質量包括一頂板，且該第二流動路徑中的每一者圍繞一基板處理區域，且進一步包括：該流體通道內的一冷卻劑。
  12. 如請求項11所述之熱管理系統，進一步包括一控制器，該控制器經配置為控制該冷卻劑藉由該流體通道的一流動且經配置為控制該熱交換器以維持該冷卻劑的一預定溫度。
  13. 一種控制一基板溫度的方法，該方法包括以下步驟： 使一冷卻劑流過具有一第一端和一第二端的一流體通道，該第一端與沿著一第一熱質量中的一第一位凖延伸的複數個平行的第一流動路徑流體連通，該複數個第一流動路徑與沿著一第二熱質量中的一第二位凖延伸的複數個平行的第二流動路徑流體連通，每個第二流動路徑圍繞一基板。
  14. 如請求項13所述的方法，其中該基板溫度在小於或等於約0.15℃的一範圍內在該基板上是均勻的。
  15. 如請求項13所述的方法，其中該第一端和該第二端流體地連接到一熱交換器。
  16. 如請求項13所述的方法，其中該第一熱質量包括一十字/旋轉器，及該等第一流動路徑中之每一者圍繞一加熱器基座，及該第二熱質量包括一頂板。
  17. 如請求項13所述的方法，其中該等第一流動路徑和該等第二流動路徑中的每一者以一逆流佈置來佈置。
  18. 如請求項13所述的方法，其中該第一端和該第二端流體地連接到一熱交換器，及該第二熱質量包括一頂板。
  19. 如請求項18所述的方法，進一步包括以下步驟：控制使該冷卻劑流經該流體通道和該熱交換器，以藉由一控制器維持該冷卻劑的一預定溫度。
  20. 一種流體歧管，包括： 一入口，該入口經配置成將一熱交換器與沿著一第一位凖延伸的複數個平行的第一流動路徑連接； 至少一個導管，該至少一個導管經配置成將該複數個平行的第一流動路徑與沿著一第二位凖延伸的複數個平行的第二流動路徑連接；及 一出口，該出口經配置成將該複數個平行的第二流動路徑與該熱交換器連接。
TW108131183A 2018-08-31 2019-08-30 熱管理系統 TWI832890B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862726177P 2018-08-31 2018-08-31
US62/726,177 2018-08-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202025305A TW202025305A (zh) 2020-07-01
TWI832890B true TWI832890B (zh) 2024-02-21

Family

ID=69640046

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108131183A TWI832890B (zh) 2018-08-31 2019-08-30 熱管理系統

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10910243B2 (zh)
JP (1) JP7191204B2 (zh)
KR (1) KR102510626B1 (zh)
TW (1) TWI832890B (zh)
WO (1) WO2020047375A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7175114B2 (ja) * 2018-07-19 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 載置台及び電極部材
US20220311052A1 (en) 2021-03-24 2022-09-29 Lg Energy Solution, Ltd. Non-Aqueous Electrolyte Solution for Lithium Secondary Battery and Lithium Secondary Battery Comprising Same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060231388A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Ravi Mullapudi Multi-station sputtering and cleaning system
US8741065B2 (en) * 2010-06-30 2014-06-03 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP5980147B2 (ja) * 2013-03-08 2016-08-31 日本発條株式会社 基板支持装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5275237A (en) * 1992-06-12 1994-01-04 Micron Technology, Inc. Liquid filled hot plate for precise temperature control
JP3534940B2 (ja) * 1995-04-20 2004-06-07 株式会社荏原製作所 薄膜気相成長装置
DE69629412T2 (de) * 1995-04-20 2004-06-24 Ebara Corp. Anlage zur Dampfabscheidung von Dünnschichten
KR100722057B1 (ko) 1999-09-29 2007-05-25 동경 엘렉트론 주식회사 멀티존 저항가열기
JP3817414B2 (ja) 2000-08-23 2006-09-06 株式会社日立製作所 試料台ユニットおよびプラズマ処理装置
US8274017B2 (en) 2009-12-18 2012-09-25 Applied Materials, Inc. Multifunctional heater/chiller pedestal for wide range wafer temperature control
US20120074126A1 (en) * 2010-03-26 2012-03-29 Applied Materials, Inc. Wafer profile modification through hot/cold temperature zones on pedestal for semiconductor manufacturing equipment
US9267739B2 (en) * 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9353441B2 (en) 2012-10-05 2016-05-31 Asm Ip Holding B.V. Heating/cooling pedestal for semiconductor-processing apparatus
WO2015072661A1 (ko) 2013-11-18 2015-05-21 국제엘렉트릭코리아 주식회사 반응 유도 유닛 및 기판 처리 장치 그리고 박막 증착 방법
US20160056032A1 (en) 2014-08-22 2016-02-25 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for stable deposition rate control in low temperature ald systems by showerhead active heating and/or pedestal cooling
US9888528B2 (en) 2014-12-31 2018-02-06 Applied Materials, Inc. Substrate support with multiple heating zones
TW201639063A (zh) * 2015-01-22 2016-11-01 應用材料股份有限公司 批量加熱和冷卻腔室或負載鎖定裝置
US10497606B2 (en) 2015-02-09 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Dual-zone heater for plasma processing

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060231388A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Ravi Mullapudi Multi-station sputtering and cleaning system
US8741065B2 (en) * 2010-06-30 2014-06-03 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP5980147B2 (ja) * 2013-03-08 2016-08-31 日本発條株式会社 基板支持装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR102510626B1 (ko) 2023-03-17
KR20210037733A (ko) 2021-04-06
US20200075366A1 (en) 2020-03-05
JP2021536664A (ja) 2021-12-27
US10910243B2 (en) 2021-02-02
TW202025305A (zh) 2020-07-01
WO2020047375A1 (en) 2020-03-05
JP7191204B2 (ja) 2022-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI832890B (zh) 熱管理系統
TWI683926B (zh) 底座型基於流體的熱控制
JP7373302B2 (ja) 基板処理装置
TWI673811B (zh) 用於減少基板處理夾盤冷凝的氣流
JP2018514089A (ja) ロードロック装置、冷却プレートアセンブリ、並びに電子デバイス処理システム及び方法
TW201841692A (zh) 處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法
US11583816B2 (en) Gas distribution plate for thermal deposition
TW201929144A (zh) 低溫冷卻的可旋轉靜電卡盤
US11623253B2 (en) In-situ DC plasma for cleaning pedestal heater
TW202125689A (zh) 用於空間多晶圓處理工具的基座加熱器
JP2023113690A (ja) 空間堆積ツールを操作する方法
US20160104634A1 (en) Platen assembly
CN105280483A (zh) 多晶片转盘ald中的集成两轴升降旋转电动机的中央基座
CN107978545A (zh) 晶片舟组件及包含晶片舟组件的衬底处理设备
KR20050116247A (ko) 퍼니스 장치 및 그 장치를 사용한 열처리 방법
JP4119628B2 (ja) 基板処理装置
US20200337118A1 (en) Substrate processing apparatus
TW202042275A (zh) 能提高控溫精度的基板安裝台及電漿處理設備
TWI754180B (zh) 用於形成薄膜的處理腔室與方法
US20230313378A1 (en) Methods of preventing metal contamination by ceramic heater
KR200360036Y1 (ko) 퍼니스 장치
JP2023544116A (ja) 高温プロセスのための軸方向に冷却される金属シャワーヘッド
TW202339067A (zh) 半導體處理裝置和半導體處理系統
JP2020027864A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2010177700A (ja) 半導体装置の製造装置